JP2012530375A - ウェーハ加工用基材 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明のウェーハ加工用基材は、光硬化性組成物の光硬化物であり、上記光硬化物は、前述したような範囲のガラス転移温度及び靭性値を有する。本明細書において用語「光硬化性組成物」は、電磁波の照射により架橋、重合または硬化されることができる成分を含む組成物を意味し、上記で電磁波は、マイクロ波(microwaves)、赤外線(IR)、紫外線(UV)、X線、及びγ線はもちろん、α−粒子線(α−particle beam)、プロトンビーム(proton beam)、中性子ビーム(neutron beam)及び電子線(electron beam)のような粒子ビームを総称する意味として使用される。
窒素ガスが還流され、温度調節が容易となるように冷却装置を設置した1L反応器に2−エチルヘキシルアクリレート(2−HEA)60重量部、イソボルニルアクリレート(IBOA)35重量部及びアクリル酸(AA)5重量部の単量体混合物を投入し、酸素除去のために窒素ガスをパージングした。その後、温度を60℃に維持した状態で混合物を均一にした後、反応開始剤としてジエチルヘキシルペルオキシジカボネートを0.015重量部、連鎖移動剤であるn−ドデシルメルカプタン(n−DDM)0.08重量部を投入して反応させ、固形分が25重量%であり、重量平均分子量が400,000であり、ガラス転移温度が−21℃である部分重合されたアクリル系シロップを製造した。上記でシロップの重量平均分子量は、シロップ内に含まれた重合体の重量平均分子量である。
窒素ガスが還流され、温度調節が容易となるように冷却装置を設置した1L反応器に2−エチルヘキシルアクリレート(2−HEA)70重量部、イソボルニルアクリレート(IBOA)27重量部及びヒドロキシエチルアクリレート(2−HEA)3重量部の単量体混合物を投入し、酸素除去のために窒素ガスをパージングした。その後、温度を60℃に維持した状態で混合物を均一にした後、反応開始剤としてジエチルヘキシルペルオキシジカボネートを0.015重量部、連鎖移動剤であるn−ドデシルメルカプタン(n−DDM)0.04重量部を投入して反応させ、固形分が35重量%であり、重量平均分子量が800,000であり、ガラス転移温度が−36℃である部分重合されたアクリル系シロップを製造した。上記でシロップの重量平均分子量は、シロップ内に含まれた重合体の重量平均分子量である。
上記アクリル系部分重合物(A1)70重量部に対してイソボルニルアクリレート(IBOA)30重量部を追加に混合し、多官能性アクリレートとして1,6−ヘキサンジオールジアクリレート1重量部及び光開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(イルガキュア184)1.0重量部を投入した後、混合及び脱泡し、組成物を製造した。その後、製造された組成物を厚さが約140μmとなるようにポリエステル系離型フィルムにバーコーターを用いてコーティングした。その後、酸素との接触を遮断するために、上記コーティング層にポリエステル系離型フィルムを追加に積層し、金属ハライドランプを使用して光量が800mJ/cm2となるように光(UV−A領域)を照射し、光硬化物(基材)を製造した。
光硬化性組成物の組成を下記表1のように変更したことを除いて、実施例1に準ずる方法で光硬化物を製造した。
厚さが140μmであるポリプロピレンフィルム(融点(Tm):80℃)を比較例4の基材に適用し、物性を比較した。
ガラス転移温度は、DSC(Differential Scanning Calorimeter、TA instruments(製))を使用して、昇温速度を10℃/分に設定して評価した。測定時に、2個以上のガラス転移温度が測定される場合、使用された組成物の各成分の含量を考慮した平均値でガラス転移温度を記載した。
実施例及び比較例の基材を15mm×35mm(横×縦)の大きさに切断し、試験片を製造した。その後、試験片の縦方向の上端及び下端をそれぞれ10mmの長さでテーピングした。次に、試験片の上端及び下端のテーピングした部位を測定機器(XP Plus、TA(製))の機械方向と直交する方向に固定させ、23℃で200mm/minの速度で試験片を引張しながら、試験片が切断する時までの距離によって測定された荷重のグラフ(X軸:distance、Y軸:force)を図示し、グラフで引張曲線を積分し、靭性値を計算した。
基材成形性は、下記基準によって評価した。
○:硬化後に基材としての役目を行うことができる適切な支持力及び形状を有する状態の硬化物に形成される場合
×:硬化後に過度に粘性が高いか、基材としての支持力が十分ではないか、または基材としての形状を有しない場合
粘着フィルムの製造
2−エチルヘキシルアクリレート(2−EHA)90重量部及び2−ヒドロキシエチルアクリレート10重量部を重合された形態で含むアクリル系重合体をメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)と反応させた反応物を含む粘着剤層を実施例及び比較例の基材上に30μmの厚さで形成し、粘着フィルムを製造した。
ウェーハマウンタ(Wafer Mounter)を用いて上記粘着フィルムに8インチシリコンウェーハ(Si−ウェーハ)を付着し、エキスペンダ(expender、HS−1810、Hugleel ectronics Inc)を用いてフィルムをウェーハ形状に沿って切断した。次に、ステージ(stage)の高さを3に調整し、粘着フィルムの切断面を観察した。具体的に切断の開始地点及び中間部分を顕微鏡(Optical Microscope)で観測し、切断面のバー生成程度と切断時に破断された部分の面積から下記基準によって切断性を評価した。
○:フィルムの切断開始部位を50倍率で観測する時、解像度640×480の面積部分で観測される、フィルムの全面積に対する破断によって生成された部分の面積の比率が3%未満の場合
△:フィルムの切断開始部位を50倍率で観測する時、解像度640×480の面積部分で観測される、フィルムの全面積に対する破断によって生成された部分の面積の比率が4%〜7%の場合
×:フィルムの切断開始部位を50倍率で観測する時、解像度640×480の面積部分で観測される、全面積に対する破断によって生成された部分の面積の比率が8%以上の場合
切断性測定時と同一の粘着フィルムに、ウェーハマウンタ(Wafer Mounter、DS Precision Inc.,DYWMDS−8’)を用いて8インチシリコンウェーハ(Si−Wafer)を付着し、付着したウェーハの表面を観察し、ラミネーション気泡が発生した部分を計数した後、下記基準によって付着性を評価した。
○:発生気泡の数が3個以下
△:発生気泡の数が4〜7個
×:発生気泡の数が8個以上
切断性測定時と同一の粘着フィルムに、ウェーハマウンタ(Wafer Mounter、DS Precision Inc.,DYWMDS−8’)を用いて8インチシリコンウェーハ(Si−Wafer)を付着し、エキスペンダ(Expender)を用いてフィルムをウェーハ形状に沿って切断し、ウェーハ裏面研削器(SVG−502MKII8)を使用して研削しながら、ウェーハの反り、損傷及びクラックの発生頻度によって下記基準でウェーハ研削性を評価した。
○:ウェーハの反り、損傷及びクラック発生なし
△:ウェーハの反りが約1〜5mm程度発生するか、またはウェーハの損傷及びクラックが弱く発生
×:ウェーハの反りが5mm以上に発生するか、またはウェーハの損傷及びクラックが多量発生
2 ウェーハ加工用粘着シート
11 基材
12 粘着剤層
21 離型シート
本発明のウェーハ加工用基材は、光硬化性組成物の光硬化物であり、上記光硬化物は、前述したような範囲のガラス転移温度及び靭性値を有する。本明細書において用語「光硬化性組成物」は、電磁波の照射により架橋、重合または硬化されることができる成分を含む組成物を意味し、上記で電磁波は、マイクロ波(microwaves)、赤外線(IR)、紫外線(UV)、X線、及びγ線はもちろん、α−粒子線(α−particle beam)、プロトンビーム(proton beam)、中性子ビーム(neutron beam)及び電子線(electron beam)のような粒子ビームを総称する意味として使用される。
窒素ガスが還流され、温度調節が容易となるように冷却装置を設置した1L反応器に2−エチルヘキシルアクリレート(2−HEA)60重量部、イソボルニルアクリレート(IBOA)35重量部及びアクリル酸(AA)5重量部の単量体混合物を投入し、酸素除去のために窒素ガスをパージングした。その後、温度を60℃に維持した状態で混合物を均一にした後、反応開始剤としてジエチルヘキシルペルオキシジカボネートを0.015重量部、連鎖移動剤であるn−ドデシルメルカプタン(n−DDM)0.08重量部を投入して反応させ、固形分が25重量%であり、重量平均分子量が400,000であり、ガラス転移温度が−21℃である部分重合されたアクリル系シロップを製造した。上記でシロップの重量平均分子量は、シロップ内に含まれた重合体の重量平均分子量である。
窒素ガスが還流され、温度調節が容易となるように冷却装置を設置した1L反応器に2−エチルヘキシルアクリレート(2−HEA)70重量部、イソボルニルアクリレート(IBOA)27重量部及びヒドロキシエチルアクリレート(2−HEA)3重量部の単量体混合物を投入し、酸素除去のために窒素ガスをパージングした。その後、温度を60℃に維持した状態で混合物を均一にした後、反応開始剤としてジエチルヘキシルペルオキシジカボネートを0.015重量部、連鎖移動剤であるn−ドデシルメルカプタン(n−DDM)0.04重量部を投入して反応させ、固形分が35重量%であり、重量平均分子量が800,000であり、ガラス転移温度が−36℃である部分重合されたアクリル系シロップを製造した。上記でシロップの重量平均分子量は、シロップ内に含まれた重合体の重量平均分子量である。
上記アクリル系部分重合物(A1)70重量部に対してイソボルニルアクリレート(IBOA)30重量部を追加に混合し、多官能性アクリレートとして1,6−ヘキサンジオールジアクリレート1重量部及び光開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(イルガキュア184)1.0重量部を投入した後、混合及び脱泡し、組成物を製造した。その後、製造された組成物を厚さが約140μmとなるようにポリエステル系離型フィルムにバーコーターを用いてコーティングした。その後、酸素との接触を遮断するために、上記コーティング層にポリエステル系離型フィルムを追加に積層し、金属ハライドランプを使用して光量が800mJ/cm2となるように光(UV−A領域)を照射し、光硬化物(基材)を製造した。
光硬化性組成物の組成を下記表1のように変更したことを除いて、実施例1に準ずる方法で光硬化物を製造した。
厚さが140μmであるポリプロピレンフィルム(融点(Tm):80℃)を比較例4の基材に適用し、物性を比較した。
ガラス転移温度は、DSC(Differential Scanning Calorimeter、TA instruments(製))を使用して、昇温速度を10℃/分に設定して評価した。測定時に、2個以上のガラス転移温度が測定される場合、使用された組成物の各成分の含量を考慮した平均値でガラス転移温度を記載した。
実施例及び比較例の基材を15mm×35mm(横×縦)の大きさに切断し、試験片を製造した。その後、試験片の縦方向の上端及び下端をそれぞれ10mmの長さでテーピングした。次に、試験片の上端及び下端のテーピングした部位を測定機器(XP Plus、TA(製))の機械方向と直交する方向に固定させ、23℃で200mm/minの速度で試験片を引張しながら、試験片が切断する時までの距離によって測定された荷重のグラフ(X軸:distance、Y軸:force)を図示し、グラフで引張曲線を積分し、靭性値を計算した。
基材成形性は、下記基準によって評価した。
○:硬化後に基材としての役目を行うことができる適切な支持力及び形状を有する状態の硬化物に形成される場合
×:硬化後に過度に粘性が高いか、基材としての支持力が十分ではないか、または基材としての形状を有しない場合
粘着フィルムの製造
2−エチルヘキシルアクリレート(2−EHA)90重量部及び2−ヒドロキシエチルアクリレート10重量部を重合された形態で含むアクリル系重合体をメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)と反応させた反応物を含む粘着剤層を実施例及び比較例の基材上に30μmの厚さで形成し、粘着フィルムを製造した。
ウェーハマウンタ(Wafer Mounter)を用いて上記粘着フィルムに8インチシリコンウェーハ(Si−ウェーハ)を付着し、エキスペンダ(expender、HS−1810、Hugleel ectronics Inc)を用いてフィルムをウェーハ形状に沿って切断した。次に、ステージ(stage)の高さを3に調整し、粘着フィルムの切断面を観察した。具体的に切断の開始地点及び中間部分を顕微鏡(Optical Microscope)で観測し、切断面のバー生成程度と切断時に破断された部分の面積から下記基準によって切断性を評価した。
○:フィルムの切断開始部位を50倍率で観測する時、解像度640×480の面積部分で観測される、フィルムの全面積に対する破断によって生成された部分の面積の比率が3%未満の場合
△:フィルムの切断開始部位を50倍率で観測する時、解像度640×480の面積部分で観測される、フィルムの全面積に対する破断によって生成された部分の面積の比率が4%〜7%の場合
×:フィルムの切断開始部位を50倍率で観測する時、解像度640×480の面積部分で観測される、全面積に対する破断によって生成された部分の面積の比率が8%以上の場合
切断性測定時と同一の粘着フィルムに、ウェーハマウンタ(Wafer Mounter、DS Precision Inc.,DYWMDS−8’)を用いて8インチシリコンウェーハ(Si−Wafer)を付着し、付着したウェーハの表面を観察し、ラミネーション気泡が発生した部分を計数した後、下記基準によって付着性を評価した。
○:発生気泡の数が3個以下
△:発生気泡の数が4〜7個
×:発生気泡の数が8個以上
切断性測定時と同一の粘着フィルムに、ウェーハマウンタ(Wafer Mounter、DS Precision Inc.,DYWMDS−8’)を用いて8インチシリコンウェーハ(Si−Wafer)を付着し、エキスペンダ(Expender)を用いてフィルムをウェーハ形状に沿って切断し、ウェーハ裏面研削器(SVG−502MKII8)を使用して研削しながら、ウェーハの反り、損傷及びクラックの発生頻度によって下記基準でウェーハ研削性を評価した。
○:ウェーハの反り、損傷及びクラック発生なし
△:ウェーハの反りが約1〜5mm程度発生するか、またはウェーハの損傷及びクラックが弱く発生
×:ウェーハの反りが5mm以上に発生するか、またはウェーハの損傷及びクラックが多量発生
2 ウェーハ加工用粘着シート
11 基材
12 粘着剤層
21 離型シート
Claims (19)
- 高分子量重合体及び単量体成分を含む光硬化性組成物の光硬化物であり、ガラス転移温度が−20℃〜45℃であり、23℃で靭性値が10Kg・mm〜250Kg・mmであるウェーハ加工用基材。
- ガラス転移温度が−10℃〜40℃である、請求項1に記載のウェーハ加工用基材。
- 23℃で靭性値が10Kg・mm〜200Kg・mmである、請求項1に記載のウェーハ加工用基材。
- 20℃〜25℃で靭性値が10Kg・mm〜250Kg・mmである、請求項1に記載のウェーハ加工用基材。
- 前記高分子量重合体は、重量平均分子量が500〜1,000,000である、請求項1に記載のウェーハ加工用基材。
- 前記光硬化性組成物は、(メタ)アクリル酸エステル系単量体を含む単量体混合物の部分重合物を含む、請求項1に記載のウェーハ加工用基材。
- (メタ)アクリル酸エステル系単量体が、アルキル(メタ)アクリレート、アルコキシ基を有する(メタ)アクリレート、脂環式基を有する(メタ)アクリレート、芳香族基を有する(メタ)アクリレート及びヘテロ環基を有する(メタ)アクリレートよりなる群から選択された1つ以上を含む、請求項6に記載のウェーハ加工用基材。
- 前記単量体混合物が、ヒドロキシ基、カルボキシル基、窒素含有基またはグリシジル基を有する単量体をさらに含む、請求項6に記載のウェーハ加工用基材。
- 前記光硬化性組成物が多官能性アクリレートをさらに含む、請求項6に記載のウェーハ加工用基材。
- 前記高分子量重合体がウレタン系アクリレート、エステル系アクリレート、エーテル系アクリレートまたはエポキシ系アクリレートである、請求項1に記載のウェーハ加工用基材。
- 前記単量体成分が、(メタ)アクリル酸エステル系単量体、極性官能基を有する単量体、多官能性アクリレート、アルコキシ基含有単量体、芳香族基含有単量体またはヘテロ環含有単量体を含む、請求項10に記載のウェーハ加工用基材。
- 前記光硬化性組成物が光開始剤をさらに含む、請求項1に記載のウェーハ加工用基材。
- 厚さが5μm〜400μmである、請求項1に記載のウェーハ加工用基材。
- ガラス転移温度が−20℃〜45℃であり、23℃で靭性値が10Kg・mm〜250Kg・mmである光硬化物を形成することができ、高分子量重合体及び単量体成分を含む光硬化性組成物をキャスティングする段階;及びキャスティングした組成物を硬化させる段階と;を含むウェーハ加工用基材の製造方法。
- 前記光硬化性組成物のキャスティングをバーコート、ナイフコート、ロールコート、スプレイコート、グラビアコート、カーテンコート、コンマコートまたはリップコート方式で行う、請求項14に記載のウェーハ加工用基材の製造方法。
- 請求項1に記載の基材;及び上記基材の一面または両面に形成された粘着剤層を含むウェーハ加工用粘着シート。
- 前記粘着剤層は、多官能性架橋剤により架橋されたアクリル系重合体を含む、請求項16に記載のウェーハ加工用粘着シート。
- 半導体ウェーハの一面に請求項16に記載の粘着シートを付着する段階;及び粘着シートが付着したウェーハを加工する段階を含むウェーハ加工方法。
- 前記ウェーハの加工段階がバックグラインディング段階またはダイシング段階である、請求項18に記載のウェーハ加工方法。
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