TWI425068B - 晶片加工用的基材 - Google Patents

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Suk Ky Chang
Jung Sup Shim
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Description

晶片加工用的基材
本發明關於一種用於加工晶片(wafer)的基材。
一種用於半導體裝置的製造方法，其包括背部硏磨程序或切割程序，在該程序期間使用薄片如表面保護性薄片或切割薄片。
最近，因為對於密集及輕質的半導體裝置的需求提高，所以此種用於加工晶片的薄片之性能因此變得越來越重要。
例如，為了製造具有比電路僅形成在晶片一面的習用方法高的集積度之電路，電路應該形成在晶片的兩面。為了在該晶片的兩面形成電路，理應對經貼附加工薄片的晶片進行高溫加工。因此，該用於加工晶片的薄片於高溫需要優良的耐熱性或尺寸安定性。然而，當為了確保耐熱性及尺寸安定性而使用具有高熔點的硬質基材時，該晶片的保護降低且應力鬆弛也降低，導致較有可能損及該晶片。
該用於加工晶片的薄片應該具有優良的應力鬆弛性質且沒有突出如魚眼。當該應力鬆弛性質降低或突出出現在該薄片上時，由於殘餘應力或由於不均勻的壓力容易損傷該晶片。此現象由於對大直徑及小厚度的晶片之需求而更常見。
關於該用於加工晶片的薄片，需要優良的可裁切性。當可裁切性降低時，加工時可能發生裁切缺陷，且因此晶片加工可能不連續進行。所以，當該用於加工晶片的薄片的可裁切性降低時，會降低生產效率且會損傷該晶片。
韓國專利公開案第2006-0047526揭示具有用於預防損及晶片的特定範圍儲存模數之黏著性薄片，即使是施於該晶片的薄膜。
然而，對於能滿足所有上述性質之用於加工晶片的薄片，現在並無已知的技術，包括韓國專利公開案2006-0047526也是一樣。
本發明關於一種用於加工晶片之基材、其製造方法、一種用於加工晶片的壓感性黏著性薄片及一種晶片的加工方法。
本發明之一方面提供一種用於加工晶片之基材，其係包括高分子量聚合物和單體組分的可光固化組成物之光固化產物。該基材具有20℃至45℃的玻璃轉移溫度(Tg)及於23℃下10 kg‧mm至250 kg‧mm的韌性。
後文中，該用於加工晶片的薄片將作更詳細的說明。
用於加工晶片的基材為可光固化組成物之光固化產物。該光固化產物具有上述範圍的玻璃轉移溫度及韌性。文中所用的措辭“可光固化組成物”表示一種包括可藉由電磁波輻射交聯、聚合或固化的組分之組成物。文中所用的措辭“電磁波”為包括微波、紅外線(IR)、紫外線(UV)、X-射線、γ射線及粒子束如α-粒子束、光子束、中子束及電子束的通稱。
該光固化產物，即，該基材，可具有介於-20℃至45℃，較佳-10℃至40℃，更佳-5℃至40℃，及最佳0℃至35℃的玻璃轉移溫度。該玻璃轉移溫度可利用示差掃描式熱分析儀(DSC)測得。在本發明中，若DSC分析的結果偵測到二或更多個玻璃轉移溫度，則考量該組成物各個組分算出來之偵測到的玻璃轉移溫度之平均值為視作代表值的玻璃轉移溫度。當該玻璃轉移溫度係低於-20℃時，該光固化產物可能變得難以應用作為該基材，及當該玻璃轉移溫度係高於40℃時，該基材順著晶片表面的性質及應力鬆弛性質可能會降低。
該基材可具有於23℃，較佳20℃至25℃，及更佳15℃至30℃下介於10 kg‧mm至250 kg‧mm，較佳10 kg‧mm至200 kg‧mm，更佳10kg‧mm 至 150kg.mm，最佳25 kg‧mm至150 kg‧mm的韌性。該韌性可藉由張力試驗測得。更詳細的說，把該光固化產物，即，該基材，切成具有15 mm×15 mm尺寸之樣品。關於上述，該樣品尺寸指出排除該張力試驗期間用膠帶把該樣品固定於張力試驗機的區域以外的區域尺寸。等該樣品製造之後，把該樣品固定於該試驗機以定位該樣品在該張力試驗機伸長方向的垂直長度，並接著於測量溫度下於180 mm/min至220 mm/min，較佳200 mm/min的速率下依垂直方向伸長。畫出根據距離測量的作用力的圖形直到該樣品切斷為止。把該作用力對距離的曲線積分以估算韌性。
當該韌性係低於10 kg‧mm時，該基材可能變得過度剛硬，或該光固化產物可能變得難以形成基材。當該韌性係高於250 kg‧mm時，則可裁切性可能會降低。
在本發明中，形成光固化產物之可光固化組成物的種類並沒有特別限定，且該組成物可利用各種高分子量聚合物製造。
文中所用的措辭“高分子量聚合物”表示經由聚合至少兩種單體所形成的聚合物之通稱。該高分子量聚合物可具有約500至1,000,000，較佳約1,000至900,000，及更佳約3,000至800,000的平均分子量(Mw)。該平均分子量(Mw)表示藉由凝膠滲透層析法(GPC)測量時相對於標準聚苯乙烯的換算值。
在一個具體實施例中，該高分子量聚合物可為包括(甲基)丙烯酸酯單體(後文中，稱之為“丙烯酸系聚合物”)的單體混合物之聚合物。在說明書中，包括含有(甲基)丙烯酸酯單體的單體混合物之聚合物的可光固化組成物可被稱為“第一型可光固化組成物”。當該高分子量聚合物為上述類型時，該可光固化組成物可包括含有該(甲基)丙烯酸酯單體的單體混合物之經部分聚合的產物。在該經部分聚合的產物中，該單體混合物所包括的一些單體係聚合而形成該高分子量聚合物，而其他未反應的單體係以單體組分的形態含括於該經部分聚合物的產物中。然而，在本發明中，用於製造該可光固化組成物的方法並不限於上述方法。例如，該可光固化組成物可經由另外混合聚合物與單體組分，而不經由部分聚合法製造。
該單體混合物中包括的(甲基)丙烯酸酯單體種類並沒有特別限定，且可使用例如至少一種選自下列物質所組成的群組者：(甲基)丙烯酸烷酯；具有烷氧基的(甲基)丙烯酸酯；具有脂環族基團的(甲基)丙烯酸酯；具有芳族基團的(甲基)丙烯酸酯；及具有雜環部分的(甲基)丙烯酸酯。
該(甲基)丙烯酸烷酯的實例可包括烷基具有1至14個碳原子的(甲基)丙烯酸烷酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸月桂酯及(甲基)丙烯酸十四烷酯。具有烷氧基的(甲基)丙烯酸酯之實例可包括(甲基)丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯、乙二醇苯基醚(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(聚合度：2至8)苯基醚(甲基)丙烯酸酯、乙二醇壬基苯基醚(甲基)丙烯酸酯及聚乙二醇(聚合度：2至8)壬基苯基醚(甲基)丙烯酸酯。具有脂環族基團的(甲基)丙烯酸酯之實施可包括二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯及二環戊烯氧基(甲基)丙烯酸酯；具有芳族基團的(甲基)丙烯酸酯之實例可包括苯基羥丙基(甲基)丙烯酸酯及(甲基)丙烯酸苯甲酯；及具有雜環部分的(甲基)丙烯酸酯之實例可包括(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸四氫呋喃甲酯及嗎啉基(甲基)丙烯酸酯。然而，單體的種類並不限於上述實例。
在本發明中，形成該經部分聚合的產物之單體混合物可進一步包括具有極性官能基(例如羥基、羧基、含氮基團或環氧丙基)的單體。具有羥基的單體可為(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、2-羥基乙二醇(甲基)丙烯酸酯或2-羥基丙二醇(甲基)丙烯酸酯；具有羧基的單體可為(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基醋酸、3-(甲基)丙烯醯氧基丙酸、4-(甲基)丙烯醯氧基丁酸、丙烯酸二聚物、衣康酸、順丁醯二酸或順丁醯二酸酐；具有含氮基團的單體可為(甲基)丙烯醯胺、N-乙烯基吡啶烷酮或N-乙烯基己內醯胺；而具有環氧丙基的單體可為(甲基)丙烯酸環氧丙酯。然而，單體的種類並不限於上述實例。
必要的話，該單體混合物可進一步包括上述單體以外的單體。該單體混合物中所包括之各組分的重量比並沒有特別限定並可根據固化效率或該光固化產物的希望性質(如玻璃轉移溫度及韌性等)加以調整。
用於部分聚合該單體混合物的方法並沒有特別限定，並可藉由習知方法如總體聚合法進行聚合反應。
在該單體混合物部分聚合期間，該單體的轉化率並沒有特別限定，且該單體的轉化率可考量固化效率或希望性質加以控制。
該第一型可光固化組成物可進一步包括多官能基丙烯酸酯。該多官能基丙烯酸酯可於上述部分聚合反應之後另外加入，或在有些案例中在該部分聚合反應之前預先包括在該單體混合物中。視需要，該可光固化組成物可藉另外混合該高分子量聚合物、該單體組分及該多官能基丙烯酸酯製造。
在本發明中，該多官能基丙烯酸酯的種類並沒有特別限定。該多官能基丙烯酸酯的實例可包括，但不限於，雙官能基丙烯酸酯類，如1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸酯二(甲基)丙烯酸酯(neopentyloglycol adipate di(meth)acrylate)、羥基特戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸二環戊酯、經己內酯改質的二(甲基)丙烯酸二環戊酯、經環氧乙烷改質的二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯醯氧基乙基異三聚氰酸酯、經烯丙基化的環己基二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、經環氧乙烷改質的六氫鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、經新戊二醇改質的三甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、金剛烷二(甲基)丙烯酸酯及9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀；三官能基丙烯酸酯類，如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、經丙酸改質的二新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、經環氧丙烷改質的三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三官能基胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯及參(甲基)丙烯醯氧基乙基異三聚氰酸酯；四官能基丙烯酸酯類，如二甘油四(甲基)丙烯酸酯及新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；五官能基丙烯酸酯類，如經丙酸改質的二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；及六官能基丙烯酸酯類，如二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、經己內酯改質的二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯及胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(例如異氰酸酯單體和三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯的反應產物)。
該多官能基丙烯酸酯的含量相對於100重量份之該高分子量聚合物及單體組分的總重量可為0.01至10重量份。然而，該含量可根據加工效率或該光固產物的性質如玻璃轉移溫度和韌性而變化。
除非本發明中另行界定，否則該單位“重量份”表示重量比。
該第一型可光固化組成物可進一步包括光起始劑，該光起始劑可經由光照射引發該聚合物、單體組分或多官能基丙烯酸酯的聚合反應。
文中可用的光起始劑種類並沒有特別限定；且習用的光起始劑如苯偶姻化合物、羥基酮化合物、胺基酮化合物、過氧化物化合物或氧化膦化合物均可使用。
該可光固化組成物可包括相對於100重量份之該高分子量聚合物及單體組分的總重量為0.01至10重量份的量之光起始劑，較佳為0.1至5重量份。可將該光起始劑的重量比調整在上述範圍以內以便引發有效固化並預防固化之後因組分殘留造成的性質降低。
在另一個具體實施例中，該高分子量聚合物可為例如胺基甲酸酯丙烯酸酯、酯丙烯酸酯、醚丙烯酸酯或環氧丙烯酸酯的組分。後文中，此種丙烯酸酯可被稱作為“寡聚物組分”，且包括該組分之可光固化組成物可被稱作為“第二型可光固化組成物”。
該胺基甲酸酯丙烯酸酯可為，但不限於，多元異氰酸酯化合物和含羥基的(甲基)丙烯酸酯之反應產物。在此情形中，多元異氰酸酯化合物的種類並沒有特別限定。在本發明中，該化合物的實例可包括具有至少兩個異氰酸酯基的多元異氰酸酯類，如脂族、環脂族或芳族多元異氰酸酯。詳而言之，該多元異氰酸酯的實例可包括2,4-伸甲苯基二異氰酸酯、2,6-伸甲苯基二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯基二異氰酸酯、1,4-伸二甲苯基二異氰酸酯及二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯異佛爾酮二異氰酸酯。在本發明中，形成胺基甲酸酯丙烯酸酯的含羥基之(甲基)丙烯酸酯的實例也可包括，但不限於，(甲基)丙烯酸羥烷酯類，如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯及(甲基)丙烯酸8-羥辛酯。
在本發明中，該含羥基之(甲基)丙烯酸酯和末端具有異氰酸酯的胺基甲酸酯預聚物(其為酯多元醇和異氰酸酯化合物的反應產物)之反應產物可作為胺基甲酸酯丙烯酸酯。文中可使用的酯多元醇可為此技藝中習知的一般組分，如多元醇及/或酯多元醇與酸組分(如二元酸或其酸酐)的酯化反應產物。該多元醇可為乙二醇、丙二醇、環己烷二甲醇或3-甲基-1,5-戊二醇；該酯多元醇可為聚烷二醇如聚乙二醇、聚丙二醇或聚丁二醇，或嵌段或無規聚合物的二元醇如聚乙烯聚丙氧基嵌段聚合物二醇；而該酸組分可為二元酸如己二酸、丁二酸、鄰苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸、六氫鄰苯二甲酸或對苯二甲酸，或其酸酐。此外，文中可用的異氰酸酯化合物及含羥基的(甲基)丙烯酸酯之實例與上述相同。
在一個具體實施例中，該含羥基的(甲基)丙烯酸酯和末端具有異氰酸酯的胺基甲酸酯預聚物(其為醚多元醇和異氰酸酯化合物的反應產物)之反應產物可作為胺基甲酸酯丙烯酸酯。
文中可用的酯丙烯酸酯可為酯多元醇和(甲基)丙烯酸的去水縮合反應產物。在此情況中，可用的酯多元醇可為上述的化合物。
該醚丙烯酸酯可為聚烷二醇二(甲基)丙烯酸酯如聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯或聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。
文中可用的環氧丙烯酸酯可為環氧樹脂和(甲基)丙烯酸的加成反應產物。在此情形中，該環氧樹脂的種類可為，但不限於，此技藝中習知的習用芳族或脂族環氧樹脂。
當藉由使上述化合物反應製造寡聚物組分時，反應條件或反應物的重量比並沒有特別限定。也就是說，考量該光固化產物需要的性質，反應條件可適當地加以選擇。有必要的話，在該寡聚物組分製程中，可將另一種組分適當地與上述組分反應。
較佳使用胺基甲酸酯丙烯酸酯作為該寡聚物組分，但不限於此。
該第二型可光固化組成物可進一步包括反應性單體。
文中可用的反應性單體種類並沒有特別限定，但是可包括，例如，像是在該第一型可光固化組成物中所述的單體組分，如(甲基)丙烯酸酯單體、具有極性官能基的單體、多官能基丙烯酸酯、具有烷氧基的單體、具有芳族基團的單體或具有雜環部分的單體。
該單體含量相對於100重量份該寡聚物組分重量可為10至400重量份的量。依此方式調整該單體的重量比，可利用該可光固化組成物有效形成層，並有效控制該光固化產物的性質。
該第二型可光固化組成物可視需要進一步包括光起始劑。在此情形中，文中可用的光起始劑種類係如上述。該光起始劑含量相對於100重量份之該高分子量聚合物及單體組分的總重量可為0.01至10重量份的量，且較佳0.1至5重量份。在上述重量比範圍以內，可有效引發固化並可預防在固化之後組分殘留所產生的性質降低。
在本發明中，該第一或第二型可光固化組成物可進一步包括至少一種添加物，該至少一種添加物係選自由染料和顏料、環氧樹脂、交聯劑、UV安定劑、抗氧化劑、著色劑、強化劑、填料、發泡劑、表面活性劑、光增稠劑及可塑化劑所組成的群組。
由該可光固化組成物之光固化產物所形成的基材形狀並沒有特別限定。該光固化產物可形成為膜或薄片的形狀。而且，較佳係透過下述的澆鑄方法製造呈膜或薄片形狀的基材，但是並不限於此。呈膜或薄片形狀的基材之厚度並沒有特別限定，並可為約5μm至400μm或約10至300μm。
在一個具體實施例中，關於下述製造用於加工晶片的薄片之方法，為了改善該基材與壓感性黏著劑之間的黏著強度，可對該基材進行表面處理程序如底漆處理或電暈處理。而且，為了改善晶片加工的效率，可將適當的顏色施於該基材。
本發明之另一方面提供一種用於製造用於加工晶片之基材之方法，該方法涉及澆鑄可光固化組成物，該組成物包括高分子量聚合物和單體組分，該組成物能形成具有-20℃至45℃的玻璃轉移溫度及於23℃下10 kg‧mm至250 kg‧mm的韌性之光固化產物並固化該鑄型的組成物。
也就是說，在本發明中，該基材可藉由對包括上述組分的可光固化組成物進行澆鑄程序而形成層，並接著固化該層而製備。藉由透過上述方法製造該基材，可預防突出如魚眼產生在該基材表面上及可製造具有均勻平面的基材。所以，當該基材應用於晶片加工時，可預防在施加不均勻壓力時可能引起之晶片龜裂及爆開現象(flying-off phenomenon)。另外，藉由透過此方法製造該基材，可將該基材的可裁切性及應力鬆弛性質最大化。
用於澆鑄該可光固化組成物之方法並沒有特別限定。例如，棒塗法、刀塗法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、簾塗法、康瑪塗佈法(comma coating)或唇塗法均可應用以獲得希望厚度。
經過該澆鑄程序之後，利用電磁波如UV射線照射使該鑄型組成物固化。在此情形中，利用電磁波照射該組成物的方法並沒有特別限定，可使用此技藝中已知的習用方法。例如，在UV照射的案例中，該方法可使用金屬鹵化物燈、高壓汞燈、黑光燈、無電極燈或氙氣燈進行。UV照射條件並沒有特別限定但是可根據待固化的組成物或該光固化產物需要的性質選擇。
本發明另一個方面提供一種用於加工晶片之壓感性黏著性薄片，該薄片包括上述基材，及形成在該基材的一或兩面上之壓感性黏著劑層。
該壓感性黏著性薄片可用作背部硏磨程序之表面保護薄片、切割薄片或揀取薄片。
第1圖為一個示範的壓感性黏著性薄片1之斷面圖。參照第1圖，壓感性黏著性薄片1可包括上述基材11，以及形成在該基材11上的壓感性黏著劑層12。
該壓感性黏著性薄片中包括的壓感性黏著劑層12之種類並沒有特別限定。在此領域中，有揭示用於加工晶片的壓感性黏著性薄片如表面保護薄片、切割薄片或揀取薄片中可用的各種壓感性黏著劑，並可選擇這些當中之適當者而沒有限制。例如作為該壓感性黏著劑層，可用矽壓感性黏著劑、合成橡膠壓感性黏著劑、天然橡膠壓感性黏著劑或丙烯酸系壓感性黏著劑。較佳地，可使用丙烯酸系壓感性黏著劑，更佳為包括以多官能基交聯劑交聯的丙烯酸系聚合物之壓感性黏著劑，但是本發明並不限於此。
該壓感性黏著劑層的厚度並沒有特別限定，且該厚度可在約0.5μm至60μm，且較佳約1μm至40μm的範圍內做調整。
如第2圖所示，用於加工晶片的壓感性黏著性薄片2可進一步包括堆疊在該壓感性黏著劑層12上的適當離型薄片21以預防雜質被引入該壓感性黏著劑層12。
本發明又另一個方面提供一種加工晶片之方法，該方法包括把本發明的壓感性黏著性薄片貼附於晶片及對被該壓感性黏著性薄片貼附的晶片進行加工。
該加工晶片的方法之特徵為使用根據本發明之壓感性黏著性薄片。例如，該壓感性黏著性薄片係藉由加壓或熱輥疊層法疊層於該晶片，並可接著進行該晶片之加工。
該用於加工晶片之方法可為切割、背部硏磨步驟或揀取方法，且在此案例中，加工條件並沒有特別限定。
經由參照所附圖式詳細說明示範具體實施例，對於普通熟悉此技藝者而言本發明的上述及其他目的、特徵及優點將變得更加顯而易見。
後文中，將對本發明的示範具體實施例作詳細說明。
製備實施例1.　經部分聚合的產物(A1)之製造
把60重量份的丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、35重量份的丙烯酸異莰酯(IBOA)及5重量份的丙烯酸(AA)之單體混合物置於含有迴流的氮氣及用以容易控制溫度的冷卻裝置之1 L反應器內。接著滌淨該氮氣以移除氧。之後，將該混合物均質化同時把溫度保持於60℃，並藉由添加0.015重量份過氧基二碳酸二乙基己酯作為起始劑及0.08重量份正十二烷基硫醇(n-DDM)作為鏈轉移劑引發反應以便製造經部分聚合的丙烯酸系稠漿液，該稠漿液具有25重量%的固含量、400,000的重量平均分子量及-21℃的玻璃轉移溫度。上文中，該稠漿液的重量平均分子量為該稠漿液中所包括的聚合物之重量平均分子量。
製備實施例2.　經部分聚合的產物(A2)之製造
把70重量份的丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、27重量份的丙烯酸異莰酯(IBOA)及3重量份的丙烯酸羥乙酯(HEA)之單體混合物置於含有迴流的氮氣及用於容易控制溫度的冷卻裝置之1 L反應器內。接著滌淨該氮氣以移除氧。之後，將該混合物均質化同時把溫度保持於60℃，並藉由添加0.015重量份過氧基二碳酸二乙基己酯作為起始劑及0.04重量份正十二烷基硫醇(n-DDM)作為鏈轉移劑引發反應以便製造經部分聚合的丙烯酸系稠漿液，該稠漿液具有35重量%的固含量、800,000的重量平均分子量及-36℃的玻璃轉移溫度。上文中，該稠漿液的重量平均分子量為該稠漿液中所包括的聚合物之重量平均分子量。
實施例1
藉由以下方式製造可光固化組成物：混合30重量份的丙烯酸異莰酯(IBOA)及70重量份之經部分聚合的產物(A1)，將1.0重量份的1,6-己二醇二丙烯酸酯作為多官能基丙烯酸酯及1.0重量份的1-羥基環己基苯基酮(Igacure 184)作為光起始劑加至該混合物中，及將所得的混合物混合並消泡。之後，利用棒塗機把所得的組成物塗佈在聚酯離型膜上至約140μm的厚度。其後，為了預防該塗佈層與氧接觸，在該塗佈層上層疊另一聚酯離型膜同時並利用光強度800 mJ/cm2 的金屬鹵化物燈進行UV-A照射，藉以製造光固化產物(基材)。
實施例2至7及比較例1至3
除了依表1中摘錄的內容更換該可光固化組成物的組成以外，以如實施例1的相同方法製造光固化產物。
比較例4
為了比較性質，使用具有140μm的厚度之聚丙烯膜(熔點(Tm)：80℃)作為比較例4的基材。
藉由下述方法評估實施例及比較例的基材性質，並將結果摘錄於表2。
＜玻璃轉移溫度(Tg)的測量＞
於10℃/min的加熱速率下利用示差掃描式熱分析儀(TA Instruments股份有限公司)測定該玻璃轉移溫度。當偵測到至少兩個玻璃轉移溫度時，把考量該組成物中的各自組分之重量比算出來的平均值測定為該玻璃轉移溫度。
＜韌性值的測量＞
藉由把實施例及比較例的基材裁切成15 mm×35 mm(寬度×長度)的尺寸製造樣品。之後，該樣品用膠帶以每段10 mm的長度依長度方向貼在該樣品的頂面及底面。隨後，依與測量製置(XP Plus，TA股份有限公司)垂直的方向把樣品貼膠帶的頂面及底面固定於該裝置。接著，於200 mm/min的速率及23℃的溫度伸長該樣品，並畫出根據距離(X軸)測得的作用力(Y軸)的圖形直到該樣品切斷為止。把距離對作用力的曲線積分以估算韌性。
＜基材可成形性的評估＞
根據下列標準評估該基材的可成形性。
＜評估基材可成形性的標準＞
○：形成具有足以作為該基材的支撐力及形狀之固化產物的案例。
×：固化產物太黏，沒有足以作為該基材的支撐力或沒有作為基材的形狀的案例。
＜可裁切性的評估＞ 壓感性黏著性薄片之製造
使用由呈聚合形態之90重量份的丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)及10重量份的丙烯酸2-羥乙酯(2-HEA)所構成之丙烯酸系聚合物與異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)反應所獲得的產物在實施例及比較例的各個基材上形成具有30μm的厚度之壓感性黏著劑層，藉以製造壓感性黏著性薄片。
裁切性質的評估
利用晶片貼片機把8-吋矽(Si)晶片貼附於該壓感性薄片，並利用擴張機(HS-1810，Hugle electronics股份有限公司)沿著該晶片形狀裁切該薄片。其後，把台階的高度設為3以觀察該薄片的裁切平面。詳而言之，利用光學顯微鏡觀察該裁切平面的起始及中間部分，並根據下列標準藉由評估裁切平面中之毛邊產生及開裂程度度量可裁切性：
○：當該薄片裁切的起始部分於50x的放大倍率及640×480的解析度觀察時，相對於該膜的總面積開裂部分的面積比例為3%或更低的案例。
△：當該薄片裁切的起始部分於50x的放大倍率及640×480的解析度觀察時，相對於該膜的總面積開裂部分的面積比例為4%至7%的案例。
×：當該薄片裁切的起始部分於50x的放大倍率及640×480的解析度觀察時，相對於該膜的總面積開裂部分的面積比例為8%或更高的案例。
＜黏著強度的評估＞
利用晶片貼片機(DS Precision股份有限公司的DYWMDS-8’)把8-吋矽(Si)晶片貼附於當測量該可裁性時所用的相同壓感性黏著性薄片，並觀察經貼附的晶片表面以計數層疊氣泡以根據下列標準評估該黏著強度。
＜黏著力的評估標準＞
○：產生3或更少個氣泡。
△：產生4至7個氣泡。
×：產生8或更多個氣泡。
＜晶片的可硏磨性之評估＞
利用晶片貼片機(DS Precision股份有限公司的DYWMDS-8’)把8-吋矽(Si)晶片貼附於當測量該可裁切性時所用的相同壓感性黏著性薄片，利用擴張機沿著該晶片形狀裁切該膜。其後，利用晶片背部硏磨機(SVG-502MKII8)硏磨該晶片，並根據下列標準以該晶片的翹曲、損傷及龜裂的頻率為基準評估該晶片的可硏磨性：
○：該晶片沒有翹曲、損傷或龜裂。
△：該晶片具有約1至5 mm的翹曲或稍微損傷及/或龜裂。
×：該晶片具有大於5 mm的翹曲或大的損傷及龜裂。
表2中摘錄觀察結果。
如表2所示，根據本發明的實施例顯現優良的基材可成形性，且也顯示用於加工晶片的薄片所需之優良的可裁切性、黏著強度及可硏磨性。
另一方面，如在比較例1中，因過低的玻璃轉移溫度，所以無法測量韌性，且因形成該基材時有困難，所以可裁切性、黏著強度及可硏磨性也難以測量。
比較例2具有高玻璃轉移溫度及低韌性，導致差的可裁切性、黏著強度及可硏磨性。
比較例3因低韌性而顯現差的可裁切性及可硏磨性。此外，沒有玻璃轉移溫度及高韌性的比較例4也顯示非常差的可裁切性及可硏磨性。
所以，本發明可提供具有優良耐熱性及尺寸安定性的基材。本發明可提供具有優良應力鬆弛性質的基材且因此可預防晶片因殘留應力而被破壞。而且，本發明可提供能預防晶片因該晶片加工製程期間的不均勻施壓而損傷或爆開，且顯現優良的可裁切性。由於這些理由，該基材可在各種晶片製程如切割、背部硏磨及揀取中用作晶片加工用的薄片。
儘管本發明已經參照其特定示範具體實施例顯示並說明，但是熟於此藝之士瞭解可在形態及細節做各種變化而不會悖離後附申請專利範圍所界定之本發明的精神及範圍。
1．．．壓感性黏著性薄片
2．．．壓感性黏著性薄片
11．．．基材
12．．．壓感性黏著劑層
21．．．離型薄片
第1及2圖為根據本發明之用於加工晶片的示範壓感性黏著性薄片的斷面圖。
1．．．壓感性黏著性薄片
11．．．基材
12．．．壓感性黏著劑層

Claims (17)

  1. 一種用於加工晶片(wafer)之基材，其係可光固化組成物之光固化產物，該可光固化組成物係包含丙烯酸系聚合物和(甲基)丙烯酸酯單體或係包含高分子量聚合物和單體組分，其中該高分子量聚合物包含胺基甲酸酯丙烯酸酯、酯丙烯酸酯、醚丙烯酸酯或環氧丙烯酸酯，而該單體組分包含(甲基)丙烯酸酯單體、具有極性官能基的單體、多官能基丙烯酸酯、具有烷氧基的單體、具有芳族基團的單體或具有雜環族部分的單體，該基材具有-20℃至45℃的玻璃轉移溫度及於23℃下10kg．mm至250kg．mm的韌性。
  2. 如申請專利範圍第1項之用於加工晶片之基材，其中該基材具有-10℃至40℃的玻璃轉移溫度。
  3. 如申請專利範圍第1項之用於加工晶片之基材，其中該基材具有於23℃下10kg．mm至200kg．mm的韌性。
  4. 如申請專利範圍第1項之用於加工晶片之基材，其中該基材具有於20℃至25℃下10kg．mm至250kg．mm的韌性。
  5. 如申請專利範圍第1項之用於加工晶片之基材，其中該丙烯酸系聚合物或該高分子量聚合物具有500至1,000,000的平均分子量。
  6. 如申請專利範圍第1項之用於加工晶片之基材，其中該包含丙烯酸系聚合物和(甲基)丙烯酸酯單體的可 光固化組成物包含包括(甲基)丙烯酸酯單體的單體混合物之經部分聚合的產物。
  7. 如申請專利範圍第6項之用於加工晶片之基材，其中該(甲基)丙烯酸酯單體包含至少一種選自由下列物質所組成的群組者：(甲基)丙烯酸烷酯、具有烷氧基的(甲基)丙烯酸酯、具有脂環族基團的(甲基)丙烯酸酯、具有芳族基團的(甲基)丙烯酸酯及具有雜環族部分的(甲基)丙烯酸酯。
  8. 如申請專利範圍第6項之用於加工晶片之基材，其中該單體混合物進一步包含具有羥基、羧基、含氮基團或環氧丙基的單體。
  9. 如申請專利範圍第6項之用於加工晶片之基材，其中該可光固化組成物進一步包含多官能基丙烯酸酯。
  10. 如申請專利範圍第1項之用於加工晶片之基材，其中該可光固化組成物進一步包含光起始劑。
  11. 如申請專利範圍第1項之用於加工晶片之基材，其中該基材具有5μm至400μm的厚度。
  12. 一種用於製造用於加工晶片之基材之方法，其包含：澆鑄可光固化組成物，該組成物係包括丙烯酸系聚合物和(甲基)丙烯酸酯單體或係包括高分子量聚合物和單體組分，其中該高分子量聚合物包含胺基甲酸酯丙烯酸酯、酯丙烯酸酯、醚丙烯酸酯或環氧丙烯酸酯，而該單體組分包含(甲基)丙烯酸酯單體、具有極性官能基的單體、 多官能基丙烯酸酯、具有烷氧基的單體、具有芳族基團的單體或具有雜環族部分的單體，該組成物能形成具有-20℃至45℃的玻璃轉移溫度及於23℃下10kg．mm至250kg．mm的韌性之光固化產物；及固化該鑄型的組成物。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中藉由使用棒塗法、刀塗法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、簾塗法、康瑪塗佈法(comma coating)或唇塗法進行該可光固化組成物的澆鑄。
  14. 一種用於加工晶片之壓感性黏著性薄片，其包含：申請專利範圍第1項的基材；及形成在該基材的一或兩面上之壓感性黏著劑層。
  15. 如申請專利範圍第14項之用於加工晶片之壓感性黏著性薄片，其中該壓感性黏著劑層包含藉由多官能基交聯劑交聯的丙烯酸系聚合物。
  16. 一種加工晶片之方法，其包含：把申請專利範圍第14項之壓感性黏著性薄片貼附於半導體晶片的一面；及對被該壓感性黏著性薄片貼附的晶片進行加工。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該晶片加工為背部研磨或切割。
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