CN102804344A - 晶片加工用基材 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于加工晶片的基材。本发明提供的基材具有优异耐热性及尺寸稳定性。而且，本发明提供的基材具有优异的应力松弛性质，且因此可以防止晶片因残留应力而被破坏。此外，本发明提供的基材能防止晶片在晶片加工工艺过程中因受到不均匀的压力而损伤或飞溅，并显示出优异的可裁切性。因此，该基材可在如切割、背磨及拾取的各种晶片制备工艺中用作晶片加工用的片材。

Description

晶片加工用基材
技术领域
本发明涉及一种用于加工晶片的基材。
背景技术
半导体器件制备方法包括背磨工艺或切割工艺，在这些工艺中使用了如表面保护片或者切割片的片材。
近来，由于对于小型且重量轻的半导体器件需求的增加，因此这种用于加工晶片的片材的性能变得越来越重要。
例如，为了制造比仅在晶片一侧形成电路的常规方法具有更高集成度的电路，应在晶片的两侧都形成电路。为了在晶片的两侧都形成电路，应当对其上粘附了加工片材的晶片进行高温加工。因此，用于加工晶片的片材需要在高温下具有优异的耐热性或尺寸稳定性。然而，当使用具有高熔点的硬质基材以确保耐热性及尺寸稳定性时，对晶片的保护劣化且应力松弛也降低，导致更有可能损坏晶片。
用于加工晶片的片材应该具有优异的应力松弛性质且没有如鱼眼的突出。当应力松弛性质降低或在片材上出现突出时，由于残余应力或由于不均匀的压力而容易损伤该晶片。由于对大直径及小厚度的晶片的需求，这种现象越发常见。
所述用于加工晶片的片材需要具有优异的可裁切性。当可裁切性降低时，在加工期间可能发生裁切缺陷，且因此可能导致晶片加工不连续地进行。从而，当用于加工晶片的片材的可裁切性降低时，可能会降低生产效率且可能损伤该晶片。
专利文献1公开了一种在涂覆到晶片的膜上时，具有用于防止损坏晶片的特定范围储能模量的粘合片材。
然而，包括专利文献1在内，现在并无已知的技术能制备满足所有上述性质的加工晶片用片材。
发明内容
技术问题
本发明涉及一种用于加工晶片的基材、其制备方法、一种用于加工晶片的压敏粘合片及一种晶片的加工方法。
技术方案
本发明的一个方面提供了一种用于加工晶片的基材，所述基材为包括高分子量聚合物和单体组分的可光固化组合物的光固化产物。所述基材具有-20℃至45℃的玻璃化转变温度(Tg)且在23℃具有10kg·mm至250kg·mm的韧性。
以下将详细描述所述用于加工晶片的基材。
所述用于加工晶片的基材为可光固化组合物的光固化产物。所述光固化产物具有上述范围的玻璃化转变温度以及韧性。本文中所用的术语“可光固化组合物”是指一种包括可通过电磁波辐射而交联、聚合或固化的组分的组合物。本文中所用的术语“电磁波”为包括微波、红外线(IR)、紫外线(UV)、X-射线、γ射线及如α-粒子束、光子束、中子束及电子束的粒子束的通称。
所述光固化产物，即所述基材，可具有介于-20℃至45℃，优选介于-10℃至40℃，更优选介于-5℃至40℃，及最优选介于0℃至35℃之间的玻璃化转变温度。所述玻璃化转变温度可利用差示扫描量热计(DSC)测得。在本发明中，若DSC分析的结果检测到二个或更多个玻璃化转变温度，则考虑该组合物的各个组分算出来的检测到的玻璃化转变温度的平均值是作为代表值的玻璃化转变温度。当玻璃化转变温度低于-20℃时，该光固化产物可能变得难以涂覆作为基材，而当玻璃化转变温度高于40℃时，该基材依附于晶片表面的性质及应力松弛性质可能会降低。
该基材在23℃，优选20℃至25℃，且更优选15℃至30℃可具有介于10kg·mm至250kg·mm，优选10kg·mm至200kg·mm，更优选10kg·mm至150kg·mm，且最优选25kg·mm至150kg·mm之间的韧性。所述韧性可以由拉伸试验测得。具体而言，将所述光固化产物，即所述基材切成具有15mm×15mm尺寸的样品。关于上述内容，样品的尺寸是指排除在拉伸试验期间用胶带把该样品固定于拉伸试验机的区域以外的区域尺寸。制备该样品以后，把该样品固定于试验机以限定该样品在拉伸试验机伸长方向的垂直长度，然后在测量温度下以180mm/min至220mm/min，优选200mm/min的速率沿垂直方向伸长。画出直到该样品断裂为止测得的作用力随距离变化的曲线图。把作用力对距离的曲线积分以估算韧性。
当韧性低于10kg·mm时，该基材可能变得刚性过大，或光固化产物可能变得难以形成为基材。当韧性高于250kg·mm时，则可裁切性可能会降低。
在本发明中，对形成光固化产物的可光固化组合物的种类并没有特别限定，且该组合物可利用各种高分子量聚合物制备。
本文中所用的术语“高分子量聚合物”是指通过聚合至少两种单体而制备的聚合物的通称。所述高分子量聚合物可具有约500至1,000,000，优选约1,000至900,000，且更优选约3,000至800,000的平均分子量(Mw)。所述平均分子量(Mw)是指通过凝胶渗透色谱法(GPC)测量的相对于标准聚苯乙烯的换算值。
在一个实施方式中，所述高分子量聚合物可以是包含(甲基)丙烯酸酯单体的单体混合物的聚合物(下文将称为“丙烯酸系聚合物”)。在说明书中，所述包括包含(甲基)丙烯酸酯单体的单体混合物的聚合物的可光固化组合物可被称为“第一型可光固化组合物”。当高分子量聚合物为上述类型时，可光固化组合物可包括包含(甲基)丙烯酸酯单体的单体混合物的部分聚合产物。在所述部分聚合产物中，在该单体混合物中包含的一些单体被聚合而形成该高分子量聚合物，而其它未反应的单体以单体组分的形态被包括在所述部分聚合产物中。然而，在本发明中，用于制备所述可光固化组合物的方法并不限于上述方法。例如，所示可光固化组合物可通过单独混合聚合物与单体组分而制备，而不是通过部分聚合法制备。
对在单体混合物中所包括的(甲基)丙烯酸酯单体的种类并没有特别限定，例如，可以使用选自下列物质中的至少一种：(甲基)丙烯酸烷基酯；具有烷氧基的(甲基)丙烯酸酯；具有脂环族基团的(甲基)丙烯酸酯；具有芳香族基团的(甲基)丙烯酸酯；及具有杂环部分的(甲基)丙烯酸酯。
(甲基)丙烯酸烷基酯的例子可包括具有1至14个碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸月桂酯及(甲基)丙烯酸十四烷酯。具有烷氧基的(甲基)丙烯酸酯的例子可包括(甲基)丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯、乙二醇苯基醚(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(聚合度：2至8)苯基醚(甲基)丙烯酸酯、乙二醇壬基苯基醚(甲基)丙烯酸酯及聚乙二醇(聚合度：2至8)壬基苯基醚(甲基)丙烯酸酯。具有脂环族基团的(甲基)丙烯酸酯的例子可包括二环戊烯基(甲基)丙烯酸酯及二环戊烯氧基(甲基)丙烯酸酯；具有芳香族基团的(甲基)丙烯酸酯的例子可包括苯基羟丙基(甲基)丙烯酸酯及(甲基)丙烯酸苯甲酯；以及具有杂环部分的(甲基)丙烯酸酯的例子可包括异冰片基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯及吗啉基(甲基)丙烯酸酯。然而，单体的种类并不限于上述例子。
在本发明中，形成所述部分聚合产物的单体混合物可进一步包括具有极性官能团(例如羟基、羧基、含氮基团或缩水甘油基)的单体。具有羟基的单体可以是(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙二醇酯或(甲基)丙烯酸2-羟基丙二醇酯；具有羧基的单体可以是(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基醋酸、3-(甲基)丙烯酰氧基丙酸、4-(甲基)丙烯酰氧基丁酸、丙烯酸二聚物、衣康酸、马来酸或马来酸酐；具有含氮基团的单体可为(甲基)丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基己内酰胺；而具有缩水甘油基的单体可为(甲基)丙烯酸缩水甘油酯。然而，单体的种类并不限于上述例子。
必要时，所述单体混合物可进一步包括上述单体以外的单体。对在单体混合物中所包括的各组分的重量比没有特别限定，并可根据固化效率或光固化产物所需要的性质(如玻璃化转变温度及韧性等)而调整。
对用于部分聚合该单体混合物的方法并没有特别限定，并可通过使用常规方法，如本体聚合法进行聚合反应。
在部分聚合单体混合物期间，对单体的转化率并没有特别限定，且所述单体的转化率可考虑固化效率或所需要的性质而加以控制。
所述第一型可光固化组合物可进一步包括多官能团丙烯酸酯。多官能团丙烯酸酯可在上述的部分聚合反应以后单独加入，或在有些情况中在部分聚合反应之前预先包括在该单体混合物中。视需要，该可光固化组合物可通过单独混合该高分子量聚合物、单体组分及该多官能团丙烯酸酯而制备。
在本发明中，对所述多官能团丙烯酸酯的种类并没有特别限定。所述多官能团丙烯酸酯的例子可包括但不限于，双官能团丙烯酸酯类，如1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸酯二(甲基)丙烯酸酯(neopentyloglycol adipate di(meth)acrylate)、羟基特戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸二环戊酯、己内酯改性的二(甲基)丙烯酸二环戊酯、环氧乙烷改性的二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯、烯丙基化的二(甲基)丙烯酸环己酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基二环戊烷二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性的六氢邻苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改性的三甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、金刚烷二(甲基)丙烯酸酯及9，9-双[4-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴；三官能团丙烯酸酯类，如三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性的二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性的三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三官能团氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯及三(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯；四官能团丙烯酸酯类，如二甘油四(甲基)丙烯酸酯及季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；五官能团丙烯酸酯类，如丙酸改性的二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；及六官能团丙烯酸酯类，如二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性的二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(例如异氰酸酯单体和三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯的反应产物)。
相对于100重量份的高分子量聚合物和单体组分的总重量，所述多官能团丙烯酸酯的含量可为0.01至10重量份。然而，该含量可根据生产效率或光固化产物的性质(如玻璃化转变温度和韧性)而变化。
除非在本发明中另行界定，否则该单位“重量份”表示重量比。
所述第一型可光固化组合物可进一步包括光引发剂，该光引发剂可通过光照射引发聚合物、单体组分或多官能团丙烯酸酯的聚合反应。
对本文中可用的光引发剂的种类并没有特别限定；且常规的光引发剂如苯偶姻化合物、羟基酮化合物、氨基酮化合物、过氧化物化合物或氧化膦化合物均可使用。
相对于100重量份的高分子量聚合物及单体组分的总重量，所述可光固化组合物可包括0.01至10重量份的光引发剂，优选为0.1至5重量份。可将光引发剂的重量比调整在上述范围以内以便有效引发固化并防止固化以后因组分残留造成的性能劣化。
在另一个实施方式中，所述高分子量聚合物可以是例如聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯或环氧丙烯酸酯的组分。下文中，这种丙烯酸酯可被称为“低聚物组分”，且包括该组分的可光固化组合物可被称为“第二型可光固化组合物”。
所述聚氨酯丙烯酸酯可以是，但不限于，多异氰酸酯化合物和含羟基的(甲基)丙烯酸酯的反应产物。在此情形中，对多异氰酸酯化合物的种类并没有特别限定。在本发明中，该化合物的例子可包括具有至少两个异氰酸酯基团的多异氰酸酯类，如脂肪族、脂环族或芳香族多异氰酸酯。具体而言，所述多异氰酸酯的例子可包括2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-二甲苯二异氰酸酯、1，4-二甲苯二异氰酸酯及二苯甲烷-4，4’-二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯。在本发明中，形成聚氨酯丙烯酸酯的含羟基的(甲基)丙烯酸酯的例子也可包括，但不限于，(甲基)丙烯酸羟烷酯类，如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯及(甲基)丙烯酸8-羟辛酯。
在本发明中，该含羟基的(甲基)丙烯酸酯和末端具有异氰酸酯的聚氨酯预聚物(其为聚酯多元醇和异氰酸酯化合物的反应产物)的反应产物可用作聚氨酯丙烯酸酯。本文中可使用的聚酯多元醇可以是现有技术中公知的一般组分，例如，多元醇和/或聚酯多元醇与酸组分(如二元酸或其酸酐)的酯化反应产物。所述多元醇可为乙二醇、丙二醇、环己烷二甲醇或3-甲基-1，5-戊二醇；所述聚酯多元醇可为如聚乙二醇、聚丙二醇或聚丁二醇的聚亚烷基二醇，或如聚乙烯聚丙氧基嵌段聚合物二醇的嵌段或无规聚合物的二元醇；而所述酸组分可为二元酸如己二酸、丁二酸、邻苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸、六氢邻苯二甲酸或对苯二甲酸，或其酸酐。此外，此处可用的异氰酸酯化合物及含羟基的(甲基)丙烯酸酯的例子与上述相同。
在一个实施方式中，该含羟基的(甲基)丙烯酸酯和末端具有异氰酸酯的聚氨酯预聚物(其为聚醚多元醇和异氰酸酯化合物的反应产物)的反应产物可用作聚氨酯丙烯酸酯。
此处可用的聚酯丙烯酸酯可以是聚酯多元醇和(甲基)丙烯酸的去水缩合反应产物。在此情况中，可用的聚酯多元醇可为上述的化合物。
所述聚醚丙烯酸酯可以是聚亚烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯，如聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯或聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。
本文中可用的环氧丙烯酸酯可以是环氧树脂和(甲基)丙烯酸的加成反应产物。在此情况下，所述环氧树脂的种类可以是，但不限于，现有技术中公知的常规芳香族或脂肪族环氧树脂。
当通过使上述化合物反应制备低聚物组分时，对反应条件或反应物的重量比并没有特别限定。也就是说，考虑该光固化产物需要的性质，反应条件可适当地加以选择。有必要的话，在该低聚物组分的制备过程中，可将另一种组分适当地与上述组分反应。
优选使用聚氨酯丙烯酸酯作为该低聚物组分，但不限于此。
所述第二型可光固化组合物可进一步包括反应性单体。
对本文中可用的反应性单体种类并没有特别限定，但是可包括，例如，在所述第一型可光固化组合物中描述的单体组分，如(甲基)丙烯酸酯单体、具有极性官能团的单体、多官能团丙烯酸酯、具有烷氧基的单体、具有芳香族基团的单体或具有杂环部分的单体。
相对于100重量份的低聚物组分，该单体含量可以为10至400重量份的量。以此方式调整该单体的重量比，可利用该可光固化组合物有效地形成层，并有效控制该光固化产物的性质。
所述第二型可光固化组合物可视需要进一步包括光引发剂。在此情况下，在此可用的光引发剂种类如上所述。相对于100重量份的高分子量聚合物及单体组分的总重量，所述光引发剂含量可为0.01至10重量份，且优选0.1至5重量份的量。在上述重量比范围以内，可有效引发固化并可防止因固化之后组分残留所导致的性能劣化。
在本发明中，所述第一或第二型可光固化组合物可进一步包括选自染料和颜料、环氧树脂、交联剂、UV稳定剂、抗氧化剂、着色剂、增强剂、填料、发泡剂、表面活性剂、光增稠剂及增塑剂中的至少一种添加剂。
对由该可光固化组合物的光固化产物所形成的基材的形状并没有特别限定。该光固化产物可形成为膜或片状。而且，优选透过下述的流延方法制备膜或片状的基材，但是并不限于此。对膜或片状的基材的厚度并没有特别限定，并可为约5μm至400μm或约10μm至300μm。
在一个实施方式中，关于下述制备用于加工晶片的片材的方法，为了改善该基材与压敏粘合剂之间的粘合强度，可对该基材进行表面处理工艺，如底漆处理或电晕处理。而且，为了改善晶片加工的效率，可将该基材涂以适当的颜色。
本发明的另一方面提供了一种用于制备用于加工晶片的基材的方法，该方法包括：流延可光固化组合物，该组合物包括高分子量聚合物和单体组分，且该组合物形成的光固化产物具有-20℃至45℃的玻璃化转变温度及在23℃具有10kg·mm至250kg·mm的韧性；并固化所述流延的组合物。
也就是说，在本发明中，该基材可如下制备：通过对包括上述组分的可光固化组合物进行流延工艺而形成层，然后固化所述层。通过由上述方法制备该基材，可防止如鱼眼的突出产生在该基材表面上及可制备具有均匀平面的基材。因此，当该基材应用于晶片加工时，可防止在施加不均匀压力时可能引起的晶片裂纹及飞溅(flying-off)现象。另外，通过由此方法制备基材，可使所述基材的可裁切性及应力松弛性质最大化。
对用于流延所述可光固化组合物的方法并没有特别限定。例如，可以使用棒式涂布法、刮刀涂布法、辊涂法、喷涂法、凹版涂布法、帘幕涂布法、逗号式涂布法(comma coating)或唇式涂布法以获得期望的厚度。
在流延工艺以后，通过用电磁波(如UV射线)照射使所述流延组合物固化。在此情况下，对利用电磁波照射该组合物的方法并没有特别限定，可使用现有技术中公知的常规方法。例如，在UV照射的情况下，可使用金属卤化物灯、高压汞灯、黑光灯、无电极灯或氙气灯进行。对UV照射的条件并没有特别限定，但是可根据待固化的组合物或该光固化产物需要的性质选择。
本发明再一个方面提供一种用于加工晶片的压敏粘合片，该片包括上述基材，及形成在该基材的一侧或两侧上的压敏粘合剂层。
该压敏粘合片可用作背磨工艺中的表面保护片、切割片或拾取片。
图1为一个示例性压敏粘合片1的横截面图。参考图1，压敏粘合片1可包括上述基材11，以及形成在所述基材11上的压敏粘合剂层12。
对在该压敏粘合片中包括的压敏粘合剂层12的种类并没有特别限定。在此领域中，已公开了在用于加工晶片的压敏粘合片(如表面保护片、切割片或拾取片)中可用的各种压敏粘合剂，并可不受限制地选择这些当中合适的一种。例如，可使用硅压敏粘合剂、合成橡胶压敏粘合剂、天然橡胶压敏粘合剂或丙烯酸系压敏粘合剂作为该压敏粘合剂层。优选地，可使用丙烯酸系压敏粘合剂，更优选为包括通过多官能团交联剂交联的丙烯酸系聚合物的压敏粘合剂，但是本发明并不限于此。
对所述压敏粘合剂层的厚度并没有特别限定，且该厚度可在约0.5μm至60μm，且优选约1μm至40μm的范围内做调整。
如图2所示，用于加工晶片的压敏粘合片2可进一步包括堆叠在该压敏粘合剂层12上的适当的可剥离片21以防止杂质被引入压敏粘合剂层12中。
本发明又一个方面提供了一种加工晶片的方法，该方法包括把本发明的压敏粘合片贴附于晶片，以及对所述被压敏粘合片贴附的晶片进行加工。
所述加工晶片的方法的特征在于使用根据本发明的压敏粘合片。例如，将该压敏粘合片通过加压或热辊层压法层压到所述晶片上，并可随后进行该晶片的加工。
该加工晶片的方法可为切割、背磨或拾取工艺，且在此情况下，对所述加工条件并没有特别限定。
有益效果
因此，本发明提供的基材具有优异耐热性及尺寸稳定性。而且，本发明提供的基材具有优异的应力松弛性质，且因此可以防止晶片因残留应力而被破坏。此外，本发明提供的基材能防止晶片因晶片加工工艺过程中因受到不均匀的压力而损伤或飞溅，并显示出优异的可裁切性。因此，该基材可在如切割、背磨及拾取的各种晶片制备工艺中用作晶片加工用的片材。
附图说明
图1和图2是根据本发明的用于加工晶片的示例性压敏粘合片的横截面图。
具体实施方式
以下，通过本发明所涉及的实施例以及不涉及本发明的对比实施例对本发明进行更详细说明，但本发明的范围并不限定于示出的实施例。
实施例
制备实施例1：部分聚合产物(A1)的制备
把60重量份的丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、35重量份的丙烯酸异冰片酯(IBOA)及5重量份的丙烯酸(AA)的单体混合物置于含有回流的氮气及用以容易控制温度的冷却装置的1L反应器内。然后以氮气净化以移除氧。之后，在将温度保持在60℃的同时将该混合物均质化，并通过添加0.015重量份的过氧化二碳酸二乙基己酯(diethylhexyl peroxydicarbonate)作为引发剂及0.08重量份正十二烷基硫醇(n-DDM)作为链转移剂引发反应，从而制备部分聚合的聚丙烯酸酯淤浆，该淤浆具有25重量％的固含量、400,000的重均分子量及-21℃的玻璃化转变温度。上文中，该淤浆的重均分子量为在该淤浆中所包括的聚合物的重均分子量。
制备实施例2：部分聚合产物(A2)的制备
把70重量份的丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、27重量份的丙烯酸异冰片酯(IBOA)及3重量份的丙烯酸羟乙酯(HEA)的单体混合物置于含有回流的氮气及用以容易控制温度的冷却装置的1L反应器内。然后以氮气净化以移除氧。之后，在将温度保持在60℃的同时将该混合物均质化，并通过添加0.015重量份的过氧化二碳酸二乙基己酯作为引发剂及0.04重量份正十二烷基硫醇(n-DDM)作为链转移剂引发反应，从而制备部分聚合的聚丙烯酸酯淤浆，该淤浆具有35重量％的固含量、800,000的重均分子量及-36℃的玻璃化转变温度。上文中，该淤浆的重均分子量为在该淤浆中所包括的聚合物的重均分子量。
实施例1
通过以下方式制备可光固化组合物：混合30重量份的丙烯酸异冰片酯(IBOA)和70重量份的部分聚合产物(A1)，向该混合物中加入1.0重量份的1，6-己二醇二丙烯酸酯作为多官能团丙烯酸酯，以及1.0重量份的1-羟基环己基苯基酮(Igacure 184)作为光引发剂，并将所得的混合物混合并消泡。之后，使用棒式涂布机将所得的组合物涂布在聚酯可剥离膜上至约140μm的厚度。随后，为了防止该涂布层与氧接触，在所述涂布层上层压了另一聚酯可剥离膜并同时使用800mJ/cm2光强度的金属卤化物灯进行UV-A照射，以制备光固化产物(基材)。
实施例2至7和对比实施例1至3
除了按照表1中总结的内容更换该可光固化组合物的组成以外，以与实施例1相同的方法制备光固化产物。
[表1]
Figure BPA00001481369200111
对比实施例4
为了比较性质，使用具有140μm厚的聚丙烯膜(熔点(Tm)：80℃)作为对比实施例4的基材。
通过下述方法评估实施例和对比实施例的基材性质，并将结果列于表2中。
<玻璃化转变温度(Tg)的测量>
使用差示扫描量热计(TA Instruments股份有限公司)在10℃/min的加热速率下测量所述玻璃化转变温度。当检测到至少两个玻璃化转变温度时，由考虑到该组合物中的各自组分的重量比计算出来的平均值确定为玻璃化转变温度。
<韧性值的测量>
通过把实施例和对比实施例的基材裁切成15mm×35mm(宽度×长度)的尺寸以制备样品。之后，该样品用胶带依长度方向以每个10mm的长度贴在该样品的顶面及底面。随后，以相对于仪器的垂直方向将样品贴胶带的顶面及底面固定于测量仪器(XP Plus，TA股份有限公司)上。然后，在200mm/min的速率和23℃的温度下伸长该样品，并画出直到该样品断开为止测得的作用力(Y轴)对距离(X轴)的曲线图。把作用力对距离的曲线积分以估算韧性。
<基材可成形性的评估>
根据下列标准评估该基材的可成形性。
<评估基材可成形性的标准>
○：此情况下，形成了具有足以作为基材的支撑力和形状的固化产物。
×：此情况下，固化产物太粘，没有足以作为基材的支撑力或没有作为基材的形状。
<可裁切性的评估>
压敏粘合片的制备
通过使用由呈聚合形态的90重量份的丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)和10重量份的丙烯酸2-羟乙酯(2-HEA)所构成的丙烯酸酯聚合物与异氰酸甲基丙烯酰氧基乙酯(MOI)反应所获得的产物在实施例和对比实施例的各个基材上形成具有30μm厚度的压敏粘合剂层，以制备压敏粘合片。
裁切性质的评估
利用晶片贴片机把8英寸的硅(Si)晶片贴附于该压敏片上，并利用扩张机(HS-1810，Hugle electronics股份有限公司)沿着该晶片形状裁切该片。随后，把台阶的高度设为3以观察该片的裁切平面。具体而言，利用光学显微镜观察该裁切平面的起始及中间部分，并根据下列标准评估裁切平面中的毛边产生及开裂程度以度量可裁切性：
○：此情况下，当该片裁切的起始部分在50×的放大倍率及640×480的分辨率下观察时，相对于该膜的总面积，开裂部分的面积比例为3％或更低。
△：此情况下，当该片裁切的起始部分在50×的放大倍率及640×480的分辨率下观察时，相对于该膜的总面积，开裂部分的面积比例为4％至7％。
×：此情况下，当该片裁切的起始部分在50×的放大倍率及640×480的分辨率下观察时，相对于该膜的总面积，开裂部分的面积比例为8％或更高。
<粘合强度的评估>
利用晶片贴片机(DS Precision股份有限公司的DYWMDS-8’)把8英寸硅(Si)晶片贴附于测量可裁切性时所用的相同压敏粘合片上，并观察贴附的晶片表面以计数层压的气泡以根据下列标准评估粘合强度。
<粘合力的评估标准>
○：产生了3个以下的气泡。
△：产生了4个至7个气泡。
×：产生了8个以上的气泡。
<晶片的可研磨性的评估>
利用晶片贴片机(DS Precision股份有限公司的DYWMDS-8’)把8英寸硅(Si)晶片贴附于测量可裁切性时所用的相同压敏粘合片上，并利用扩张机沿着该晶片形状裁切该膜。随后，利用晶片背磨机(SVG-502MKII8)研磨该晶片，并根据下列标准以该晶片的翘曲、损伤及裂纹的频率为基准评估该晶片的可研磨性：
○：该晶片没有翘曲、损伤或裂纹。
△：该晶片具有约1至5mm的翘曲或轻微损伤和/或裂纹。
×：该晶片具有大于5mm的翘曲或较大损伤和/或裂纹。
观察结果列于表2中。
[表2]
Figure BPA00001481369200131
Figure BPA00001481369200141
如表2所示，根据本发明的实施例显示出优异的基材可成形性，以及用于加工晶片的片材所需的优异的可裁切性、粘合强度及可研磨性。
另一方面，如在对比实施例1中，由于过低的玻璃化转变温度，无法测量韧性，且由于难以形成基材，可裁切性、粘合强度及可研磨性也难以测量。
对比实施例2具有高玻璃化转变温度及低韧性，导致较差的可裁切性、粘合强度及可研磨性。
对比实施例3因低韧性而显示出较差的可裁切性及可研磨性。此外，没有玻璃化转变温度及具有高韧性的对比实施例4也显示非常差的可裁切性及可研磨性。

Claims (19)

1.一种用于加工晶片的基材，其为可光固化组合物的光固化产物，所述可光固化组合物包括高分子量聚合物和单体组分，所述基材具有-20℃至45℃的玻璃化转变温度及在23℃具有10kg·mm至250kg·mm的韧性。
2.根据权利要求1所述的用于加工晶片的基材，其中，所述基材具有-10℃至40℃的玻璃化转变温度。
3.根据权利要求1所述的用于加工晶片的基材，其中，所述基材在23℃具有10kg·mm至200kg·mm的韧性。
4.根据权利要求1所述的用于加工晶片的基材，其中，所述基材在20℃至25℃具有10kg·mm至250kg·mm的韧性。
5.根据权利要求1所述的用于加工晶片的基材，其中，所述高分子量聚合物具有500至1,000,000的平均分子量。
6.根据权利要求1所述的用于加工晶片的基材，其中，所述可光固化组合物包括含有(甲基)丙烯酸酯单体的单体混合物的部分聚合产物。
7.根据权利要求6所述的用于加工晶片的基材，其中，所述(甲基)丙烯酸酯单体包括选自下列物质中的至少一种：(甲基)丙烯酸烷基酯；具有烷氧基的(甲基)丙烯酸酯；具有脂环族基团的(甲基)丙烯酸酯；具有芳香族基团的(甲基)丙烯酸酯；及具有杂环部分的(甲基)丙烯酸酯。
8.根据权利要求6所述的用于加工晶片的基材，其中，所述单体混合物进一步包含具有羟基、羧基、含氮基团或缩水甘油基的单体。
9.根据权利要求6所述的用于加工晶片的基材，其中，所述可光固化组合物进一步包含多官能团丙烯酸酯。
10.根据权利要求1所述的用于加工晶片的基材，其中，所述高分子量聚合物包括聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯或环氧丙烯酸酯。
11.根据权利要求10所述的用于加工晶片的基材，其中，所述单体组分包含(甲基)丙烯酸酯单体、具有极性官能团的单体、多官能团丙烯酸酯、具有烷氧基的单体、具有芳香族基团的单体或具有杂环部分的单体。
12.根据权利要求1所述的用于加工晶片的基材，其中，所述可光固化组合物进一步包含光引发剂。
13.根据权利要求1所述的用于加工晶片的基材，其中，所述基材具有5μm至400μm的厚度。
14.一种制备用于加工晶片的基材的方法，该方法包括：
流延可光固化组合物，该组合物包括高分子量聚合物和单体组分，且能形成具有-20℃至45℃的玻璃化转变温度以及在23℃具有10kg·mm至250kg·mm的韧性的光固化产物；以及
固化所述流延的组合物。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述可光固化组合物的流延通过使用棒式涂布、刮刀涂布、辊涂、喷涂、凹版涂布、帘幕涂布、逗号式涂布或唇式涂布进行。
16.一种用于加工晶片的压敏粘合片，其包含：
权利要求1所述的基材；以及
形成在所述基材的一侧或两侧上的压敏粘合剂层。
17.根据权利要求16所述的用于加工晶片的压敏粘合片，其中所述压敏粘合剂层包含通过多官能团交联剂交联的丙烯酸系聚合物。
18.一种加工晶片的方法，所述方法包括：
将权利要求16所述的压敏粘合片贴附于半导体晶片的一侧；以及
对所述被压敏粘合片贴附的晶片进行加工。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述晶片加工为背磨或切割。
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