JP2012527753A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011012275A1 (de) * 2011-02-24 2012-08-30 Ritek Corp. Verfahren zum Schneiden eines Solarzellenpanels und Ausrüstung dafür
DE102012214335A1 (de) * 2012-08-10 2014-02-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Ablation einer Schicht
DE102012217766B4 (de) * 2012-09-28 2016-06-16 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Dampfdruck-Abtragschneiden eines metallischen Werkstücks
JP5492354B1 (ja) * 2012-10-02 2014-05-14 株式会社カネカ 結晶シリコン太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、結晶シリコン太陽電池並びに太陽電池モジュール
JP2014194977A (ja) * 2013-03-28 2014-10-09 Kaneka Corp 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法
JP6181979B2 (ja) * 2013-05-29 2017-08-16 株式会社カネカ 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
JP6313086B2 (ja) * 2014-03-27 2018-04-18 株式会社カネカ 結晶シリコン太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、集光型太陽電池モジュールの製造方法
US9776906B2 (en) * 2014-03-28 2017-10-03 Electro Scientific Industries, Inc. Laser machining strengthened glass
DE102018123485B4 (de) 2018-09-24 2021-04-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Auftrennen eines Halbleiterbauelements mit einem pn-Übergang
DE102018123484A1 (de) * 2018-09-24 2020-03-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleiterbauelementes mit einem pn-Übergang und Halbleiterbauelement mit einem pn-Übergang
ES2997232T3 (en) * 2019-05-08 2025-02-14 Wsoptics Tech Gmbh Method and device for laser processing a workpiece
WO2020246697A1 (ko) 2019-06-04 2020-12-10 주성엔지니어링(주) 태양전지용 기판, 태양전지, 및 태양전지 제조방법
EP4059060A1 (en) 2019-11-13 2022-09-21 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method for creating shunt free translucent flexible thin-film photovoltaic module
CN113555463A (zh) * 2020-04-23 2021-10-26 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 太阳能电池的制备方法与太阳能电池
US11764315B2 (en) * 2020-09-16 2023-09-19 Maxeon Solar Pte. Ltd. Solar cell separation with edge coating
CN112054096A (zh) * 2020-09-29 2020-12-08 天合光能股份有限公司 一种切片单晶硅电池的制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07120646B2 (ja) * 1990-05-16 1995-12-20 株式会社東芝 メサ型半導体ペレットの製造方法
DE19624677A1 (de) * 1996-06-20 1998-01-02 Siemens Ag Verfahren zur Vereinzelung von optoelektrischen Bauelementen
JP3516156B2 (ja) * 1997-12-16 2004-04-05 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法および保護カバー用素材板
US6420245B1 (en) * 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
JP4786010B2 (ja) * 2000-03-23 2011-10-05 株式会社カネカ 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法
JP2003151921A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Sanyo Electric Co Ltd 化合物半導体とその製造方法
ATE316691T1 (de) * 2002-04-19 2006-02-15 Xsil Technology Ltd Laser-behandlung
GB2402230B (en) * 2003-05-30 2006-05-03 Xsil Technology Ltd Focusing an optical beam to two foci
JP4369259B2 (ja) * 2004-02-19 2009-11-18 シャープ株式会社 太陽電池セルの製造方法
JP2006027025A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Seiko Epson Corp 基板の切断方法、および半導体チップの製造方法
JP4439477B2 (ja) * 2005-03-29 2010-03-24 三洋電機株式会社 光起電力素子及びその製造方法
JP4717545B2 (ja) * 2005-08-01 2011-07-06 シャープ株式会社 光電変換素子の製造方法
ATE503603T1 (de) * 2007-01-08 2011-04-15 Spi Lasers Uk Ltd Verfahren zum laserschneiden eines nichtmetallischen materials

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