JP2012522887A - ＳｉＣ層で被覆された物体およびこの製造方法 - Google Patents

ＳｉＣ層で被覆された物体およびこの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012522887A
JP2012522887A JP2012502557A JP2012502557A JP2012522887A JP 2012522887 A JP2012522887 A JP 2012522887A JP 2012502557 A JP2012502557 A JP 2012502557A JP 2012502557 A JP2012502557 A JP 2012502557A JP 2012522887 A JP2012522887 A JP 2012522887A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sic
layer
halogen element
amorphous
sic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012502557A
Other languages
English (en)
Inventor
インゴルフ エントラー，
マンディ ヘーン，
トラルフ ゲーベル，
クリスチャン バオホ，
ルーメン デルチェフ，
スヴェン ホル，
ゲルト リッポルト，
ヤファド モッセニ，
ノルベルト アウナー，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Spawnt Private SARL
Original Assignee
Spawnt Private SARL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Spawnt Private SARL filed Critical Spawnt Private SARL
Publication of JP2012522887A publication Critical patent/JP2012522887A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/02—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides
    • C22C29/06—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides based on carbides, but not containing other metal compounds
    • C22C29/065—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides based on carbides, but not containing other metal compounds based on SiC
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)

Abstract

【課題】単一のＳｉＣ超硬合金層、または少なくとも１つのＳｉＣ超硬合金層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆された物体、および物体を単一のＳｉＣ超硬合金層、または少なくとも１つのＳｉＣ超硬合金層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆する方法を提供する。
【解決手段】単一のＳｉＣ層は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣから、ＳｉＣ多層構造体は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣおよび非晶質ＳｉＣの混合物、またはハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣおよび非晶質炭素の混合物から形成する。被覆は、Ｈ2および／または１種もしくは複数種の不活性ガス、一般式ＳｉnＸ2n、ＳｉnＸ2n+2もしくはＳｉnＸyＨz（ここで、Ｘはハロゲン元素、ｎ≧２）で表される１種または複数種のハロゲン化ポリシラン、ならびに１種もしくは複数種の炭化水素を含む混合ガスを用いて、熱ＣＶＤプロセスを介して行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、単一のＳｉＣ超合金層、またはＳｉＣ超合金層を含む多層構造体で被覆された物体およびこの製造方法に関する。
ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質ＳｉＣとの混合物からなる層は、種々の組成を有し、ミクロ電子工学や太陽電池への応用、酸化防止膜としての使用等について、種々の文献に記載されている。このようなＳｉＣ層には、立方晶構造のＳｉＣ層（β−ＳｉＣ層または３Ｃ−ＳｉＣ層と呼ばれる）の外に、１３００℃以上の高温でしか得られないα−ＳｉＣ層もあるが（非特許文献１参照）、このような高温での結晶変態は、ミクロ電子工学の分野へ応用する場合にのみ問題となる。
ナノ結晶となりうる３Ｃ−ＳｉＣ層として、水素を含む３Ｃ−ＳｉＣ層が知られている。水素を含むミクロ結晶（μｃ−ＳｉＣ：Ｈ）を用いる半導体デバイスは、特許文献１に記載されている。
また、水素を含むナノ結晶（ｎｃ−ＳｉＣ：Ｈ）は、ヘテロ接合太陽電池の窓層として応用されている（非特許文献２参照）。このような窓層は、水素の含有率が高いことが特徴であるが、５００℃を超える温度下においては、耐摩耗層として使用することができない（非特許文献３参照）。
水素を含まないＳｉＣは、高い耐酸化性を有し、酸化防止膜として使用されている（非特許文献４参照）。
一方、ＳｉＣは、工具や構造部材の耐摩耗層としてはほとんど使用されていない。その理由は、高い脆性（非特許文献５参照）と、被覆される鉄と高温下での反応性が高いこと（非特許文献６参照）にある。
結晶質ＳｉＣおよび非晶質ＳｉＣからなる混合層が、耐摩耗層として使用しうる可能性に触れているのは、特許文献２およびこの特許文献で紹介されている２つの文献だけである。これらの文献には、無機基板上にβ−ＳｉＣ層を製造する方法が記載されている。ここで、β−ＳｉＣ層は塩素を含まないため、出発物質には塩素を含まないものが使用されている。一方、結晶質ＳｉＣおよび非晶質ＳｉＣからなる混合層の耐摩耗層としての使用例として紹介されているのは、非常に特殊な構造部材（例えばレコード針）についてのものに限られている。なお、β−ＳｉＣ層の正確な構造や特性ついては、記載がない。
超硬合金（ＷＣ／Ｃｏ等）からなる基板上に、厚さが０．３μｍを超える結晶質３Ｃ−ＳｉＣ層を形成する方法としては、１０００℃の温度下でメチルトリクロロシランを用いるＣＶＤ（化学蒸着）法がある（非特許文献７参照）。しかし、蒸着温度が高い場合には、有害なケイ化コバルトが生じたり、接着強度が不十分であったりするため、基板上に直接ＳｉＣ層を形成することはできない。この場合には、コストはかかるが、拡散に対する障壁として働く中間層を使わなければならない。
超硬合金基板上に純度の高い非晶質ＳｉＣ層を形成し、７００℃までの温度下で、摩擦計で摩耗の程度を測った結果を記載している文献もある（非特許文献８参照）。
非特許文献９には、ＤＣ−プラズマジェット−ＣＶＤ法で、大きさが５０〜５００nmの焼結させた粒子または塊からなり、不均質な構造と組成を有するナノ結晶ＳｉＣおよび非晶質ＳｉＣからなる混合層を形成した例が記載されている。しかし、この方法においては、トリメチルクロロシランやトリクロロメチルシラン等の塩素を含む標準的な出発物質を用いると、ＳｉＣ層中の塩素濃度がきわめて高くなるため、スチールや金属製の基板を被覆する際には不利になる。塩素濃度は、特に基板とＳｉＣ層の境界付近で非常に高くなる。
欧州特許出願公開第１９５０８１０号明細書 米国特許第３０１１９１２号明細書
C.H.Carter, V.F.Tsvetkov, R.C.Glass, D.Henshall, M.Brady, St.G.Mueller, O.Kordina, K.Irvine, J.A.Edmond, H.S.Kong, R.Sing, S.T.Allen, J.W.Palmour, Materials Science and Engineering B61-62 (1999) 1-8 S.Miyajima, M.Sawamura, A.Yamada, M.Konagai, Journal of Non-Crystalline Solids 354 (2008) 2350-2354 A.K.Costa, S.S.Camargo, Surface and Coatings Technology 163-164 (2003) 176-180 H.Jian-Feng, L.Miao, W.Bo, C.Li-Yun, X. Chang-Kui, W.Jian-Peng, Carbon 47 (2009) 1189-1206 H.O.Pierson, Handbook of Refractory Carbides and Nitrides, NOYES Publications Westwood, ニュージャージー州，米国，１９９６年 R.C.Schiepers, J.A.van Beek, F.J.J.van Loo, G. de With, Journal of the European Ceramic Society 11 (1993) 211-218 G.Giunta, M.Fiorini, V.Vittori, G.Marchesano, Surface and Coatings Tchnology 49 (1991) 174-180 A.K. Costa, S.S.Camargo, Surface and Coatings Technology 163-164 (2003) 176-180 J.Wilden, A.Wank, Galvanotechnik 91 (2000) Nr.8, 2250-2256
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、粒子状部分のない、無孔性の構造を有し、硬度が高く、他方、脆性は低く、さらに接着性と耐酸化性が強く、ひび割れも成長しにくいＳｉＣ層で被覆された成形体を提供することを目的とする。
上記の課題は、特許請求の範囲に記載した特徴を有する本発明（従属請求項の組み合わせを含む）の物体によって解決される。
本発明によれば、物体は、単一のＳｉＣ層、または少なくとも１つのＳｉＣ層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆される。ここで、ＳｉＣ層は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣ、またはハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質ＳｉＣとの混合物、もしくはハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質炭素との混合物からなる。
前記ＳｉＣ層は、塊状部分を有しない、均質な構造を有する。これは、本発明に係るＳｉＣ層が、従来のＳｉＣ層に見られる、生成方法と関連して生じる粒界を含む、塊や粒子よりも大きな組織(J.Wilden, A.Wank, Galvanotechnik 91 (2000) Nr. 8, 2250-2256参照)を有しないことを意味する。本発明に係るＳｉＣ層は、このような塊状部分のない構造を有するため、望ましくない不均一な組成（粒界が生じる場合には避け得ない）は回避される。
本発明に係るＳｉＣ層は、塊状部分がない均質な構造および／または無孔性で稠密な構造を有する。
前記ＳｉＣ層は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣから、周期的または連続的に変化する比で、非晶質ＳｉＣまたは非晶質炭素へと組成が変わるようになっているのが好ましい。
前記ＳｉＣ層に含まれるハロゲン元素は、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒおよび／またはＩとするのが好ましい。
本発明の好ましい態様によれば、前記ＳｉＣ層中におけるハロゲン元素の含有量は、０．０００１〜２原子百分率である。
前記非晶質ＳｉＣを含む混合物中の非晶質ＳｉＣの含有量は、０．５〜９９．５重量％であるのが好ましい。
前記非晶質ＳｉＣ層におけるＣ：Ｓｉの原子数比は、１〜１．２であるのが好ましい。
前記ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣは、０〜１０重量％の非晶質炭素を含むのが好ましい。
前記ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣの結晶粒径は、２００nmよりも小さいのが好ましい。
前記ＳｉＣ層の厚さは、０．１〜１００μｍであるのが好ましい。
前記ＳｉＣ多層構造体は、複数のＳｉＣ層、または少なくとも１つのＳｉＣ層ならびにＴｉＮ，ＴｉＣＮ，ＴｉＣ，Ａｌ2Ｏ3およびダイヤモンドからなる群より選択される材料から形成される１つもしくは複数の層からなるのが好ましい。
前記ＳｉＣ層は、中間層を介在させることなく、直に物体を被覆することもできる。
前記単一のＳｉＣ層またはＳｉＣ多層構造体層は、金属、超硬合金、陶性合金またはセラミックスからなる物体を、耐摩耗層もしくは酸化防止層として被覆することができる。この外、これら単一のＳｉＣ層またはＳｉＣ多層構造体層は、ミクロ電子工学もしくは太陽電池への応用のために、適当な基板を被覆することもできる。
本発明によれば、物体を、単一のＳｉＣ層、または少なくとも１つのＳｉＣ層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆する方法であって、前記物体は、Ｈ2および／またはは１種もしくは複数種の不活性ガス、一般式ＳｉnＸ2n、ＳｉnＸ2n+2またはＳｉnＸyＨz（ここで、Ｘはハロゲン元素、ｎ≧２）で表される１種または複数種のハロゲン化ポリシラン、ならびに１種または複数種の炭化水素を含む混合ガスを使用する熱ＣＶＤプロセスを介して、被覆されるようになっていることを特徴とする方法も提供される。この外、前記混合ガスは、Ｈ2および／または１種もしくは複数種の不活性ガス、ならびに一般式ＳｉnＸyＲzおよび／またはＳｉnＨxＸyＲz（ここで、Ｘはハロゲン元素、ｎ≧２，ｚ＞０，ｙ≧１であり、一般式ＳｉnＸyＲzの場合には、化学量論的な関係は、２ｎ＋２＝ｙ＋ｚまたは２ｎ＝ｙ＋ｚであり、一般式ＳｉnＨxＸyＲzの場合には、化学量論的な関係は、２ｎ＋２＝ｘ＋ｙ＋ｚまたは２ｎ＝ｘ＋ｙ＋ｚである）で表される有機置換基Ｒで置換された１種または複数種のハロゲン化ポリシランを含むものとすることもできる。
前記１種または複数種のハロゲン化ポリシランは、Ｓｉ2Ｘ6，Ｓｉ3Ｘ8，Ｓｉ4Ｘ8，Ｓｉ4Ｘ10，Ｓｉ5Ｘ10，Ｓｉ5Ｘ12，およびＳｉ6Ｘ12（Ｘ＝Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒおよび／またはＩである）からなる群より選択するのが好ましい。
前記熱ＣＶＤプロセスを介する被覆は、好ましくは６００〜９５０℃、より好ましくは６００〜８００℃の温度下で行うのがよい。
前記有機置換基Ｒは、ＣＨ3基であるのが好ましい。
前記混合ガス中の有機置換基Ｒで置換された１種または複数種のハロゲン化ポリシランは、(ＣＨ3)2Ｓｉ2Ｃｌ4および／または(ＣＨ3)4Ｓｉ2Ｃｌ2であるのが好ましい。
前記炭化水素は、アルカン、アルケンまたはアルキンであるのが好ましい。
前記炭化水素は、ＣＨ4，Ｃ2Ｈ4またはＣ2Ｈ2であるのが好ましい。
前記混合ガスを使用する被覆は、ホットウォールＣＶＤリアクタ中で、１〜１０１．３ｋＰａの圧力下で行うのが実用的である。
前記物体は、金属、超硬合金、陶性合金およびセラミックスからなる群より選択し、この物体の被覆は、耐摩耗層もしくは酸化防止層を形成するため、またはミクロ電子工学もしくは太陽電池への応用のために行うのが好ましい。
本発明に係るＳｉＣ超硬合金層は、いくつかの非常に好ましい特性を有している。
本発明に係るＳｉＣ層は、ナノ結晶ＳｉＣのみ、またはナノ結晶ＳｉＣと非晶質領域（結晶領域とは明確に区別される）からなる。非晶質領域には、生成方法と関連して生じる粒界を含む、塊や粒子よりも大きな組織は見られない。本発明に係るＳｉＣ層は、このような塊状部分のない構造を有するため、望ましくない不均一な組成（粒界が生じる場合には避け得ない）は回避される。ＳｉＣ層は、硬度と接着性が高く、脆性は小さい。また、中間層を介在させることなく、物体を被覆することができる。
本発明に係るＳｉＣ層は、稠密かつ均質であるのが好ましい。ナノ結晶ＳｉＣ構造、または非晶質ＳｉＣもしくは非晶質炭素の領域を含むナノ結晶ＳｉＣ構造からなる被覆層は、工具の鋭利な刃先をも、きわめて良好に被覆することができる。
本発明のＳｉＣ被覆層は、上記のような構造を有するため、被覆層の表面から基板まで、粒界が連続的に続く組成は回避することができる。したがって、本発明のＳｉＣ層で被覆した工具は、機械加工のように作業時の温度が高くても、良好な耐酸化性、およびひび割れの成長に対する抵抗性を示す。
驚くことに、本発明に係るＳｉＣ層は、軟質な非晶質ＳｉＣまたは非晶質炭素の領域が存在しても、純粋な３Ｃ−ＳｉＣ層に比して硬度が低下することはなかった。また、本発明に係るＳｉＣ層は、ナノ複合体構造を有するため、一定の範囲内において、硬度が増大または安定化する
本発明に係るナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣ層を、基板との接着層として用いると、基板と被覆層（接着層）との接着強度が増す。また、本発明に係るナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣ層は、この後にセラミック（例えばＳｉ3Ｎ4）製の物体に形成される被覆層の接着強度を高めたり、この後に形成されるダイヤモンド層に対する接着強度を確実なものにしたりすることができる。これらは、本発明に係るＳｉＣ層の熱膨張係数が低いことと、そのナノ結晶構造により実現される。本発明のＳｉＣ多層構造体として特に好ましいのは、ナノ結晶ＳｉＣ層とナノ結晶ダイヤモンド層との積層体である。この積層体によれば、鋭利な刃先を被覆する場合でも、高機能の多層構造体となる。
最適な範囲にわたってハロゲン元素を含む、ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣ層、またはナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質ＳｉＣもしくは非晶質炭素からなるＳｉＣ層は、耐摩耗層として使用できるが、このようなＳｉＣ層は、本発明の方法に従って製造することができる。すなわち、本発明の方法によれば、ハロゲン化ポリシラン、または置換されたハロゲン化ポリシランを用いることにより、広い温度範囲において、最適なハロゲン含量を実現することができるという効果が生まれる。
本発明の方法においては、ＳｉＣ層を形成する際の前駆体、ハロゲン化ポリシランを用いるが、こうすると、ＳｉＣｌ4やトリクロロメチルシランのような公知の前駆体と比較して。蒸着温度を低くすることができる。また、基板材料と前駆体との間の化学反応も、回避することができる。したがって、物体が金属である場合、これに直に被覆層を形成することができる。
本発明に係るＳｉＣ被覆層は良好な特性を有し、製造も容易であるため、ミクロ電子工学に応用することもできる。
本発明の第１の実施形態に係るナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣ単一層のＸ線回折スペクトル図である。 本発明の第２の実施形態に係る、ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣおよび非晶質ＳｉＣからなる混合層のＸ線回折スペクトル図である。 同じく、ラマンスペクトル図である。 本発明の第３の実施形態に係る、ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣおよび非晶質炭素からなる混合層のＸ線回折スペクトル図である。 同じく、ラマンスペクトル図である。
以下に本発明の実施形態を詳細に説明する。
〔実施例１〕
Ｓｉ3Ｎ4セラミックス製切削用インサートの表面に、ＣＶＤ法により、厚さ約１μｍのＴｉＮ接着層、ついで本発明によるＳｉＣ層を蒸着させた。このコーティングプロセスは、内径７５mmのホットウォールＣＶＤリアクタ中で進行させた。０．３容量％のＳｉ3Ｃｌ8、９７．７容量％のＨ2，２．０容量％のＣ2Ｈ4からなる混合ガスを使用し、９００℃の温度および９ｋＰａの圧力下で、１２０分間蒸着させたところ、厚さ３．５μｍのＳｉＣ層が得られた。
得られたＳｉＣ層の構造を、入射角を調整しつつ、Ｘ線回折にかけて解析した。図１（スペクトル図）は、(１１１)面が３Ｃ−ＳｉＣ層であることを示している。シェーラー (Scherrer)の式から、３Ｃ−ＳｉＣの平均粒径は、５０nmと算出された。
波長分散Ｘ線分光法（ＷＤＸ）により解析したところ、３Ｃ−ＳｉＣ層の塩素含有量は、０．０３原子百分率であることが分かった。
微小硬さ計で計測したビッカース硬さは、３８５０ＨＶ［０．０１］であった。
以上の結果から、この実施形態におけるＳｉＣ層は、滑らかで均質な表面およびナノ結晶構造を有し、高強度であることが分かる。
〔実施例２〕
予め厚さ１μｍのＴｉＮ接着層と厚さ２μｍのＴｉＮ接着層を形成してあるＷＣ／Ｃｏ超硬合金製切削用インサートの表面に、ＣＶＤ法により、本発明によるＳｉＣ層を蒸着させた。このコーティングプロセスは、内径７５mmのホットウォールＣＶＤリアクタ中で進行させた。０．３容量％のＳｉ3Ｃｌ8、９３．７重量％のＨ2および６．０容量％のＣ2Ｈ4からなる混合ガスを使用し、８００℃の温度および９ｋＰａの圧力下で、厚さ０．５μｍ／ｈの蒸着速度で蒸着させた。
得られたＳｉＣ層の構造を、入射角を調整しつつ、Ｘ線回折にかけて解析した（図２参照）。図２（スペクトル図）には、３Ｃ−ＳｉＣのブロードなスペクトルが観察される。シェーラーの式から、３Ｃ−ＳｉＣの平均粒径は、１nmと算出された。
図３に示すラマンスペクトルにおいては、３Ｃ−ＳｉＣの７８０cm-1と８９０cm-1のピークは、分かれては観察されず、８００cm-1付近においてブロードなピークが見られる。これは非晶質ＳｉＣによる散乱である。この中で低波長側に認められる第１のピークは、結晶化の初期の状態にあることを示す。この実施形態に係るＳｉＣ層は、１３００〜１６００cm-1の波数領域にピークが認められないため、自由原子としての炭素は含んでいない。これらＸ線回折とラマンスペクトルの解析結果から、この実施形態に係るＳｉＣ層は、ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質ＳｉＣの混合物からなっていることが分かる。
波長分散Ｘ線分光法（ＷＤＸ）により解析したところ、３Ｃ−ＳｉＣ層の塩素含有量は、０．０５原子百分率であることが分かった。
微小硬さ計で計測したビッカース硬さは、３６００ＨＶ［０．０１］であった。
以上の結果から、この実施形態におけるＳｉＣ層は、ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質ＳｉＣの混合物からなり、滑らかで均質な表面を有し、高強度であることが分かる。
〔実施例３〕
Ｓｉ3Ｎ4セラミックス製切削用インサートの表面に、ＣＶＤ法により、本発明によるＳｉＣ層を直接蒸着させた。このコーティングプロセスは、内径７５mmのホットウォールＣＶＤリアクタ中で進行させた。０．３容量％のＳｉ3Ｃｌ8、９３．７重量％のＨ2および６．０容量％のＣ2Ｈ4からなる混合ガスを使用し、９００℃の温度および９ｋＰａの圧力下で、１２０分間蒸着させたところ、厚さ３．６μｍのＳｉＣ層が得られた。
得られたＳｉＣ層の構造を、入射角を調整しつつ、Ｘ線回折にかけて解析した（図４参照）。図４（スペクトル図）には、３Ｃ−ＳｉＣのシャープなスペクトルが認められる。このスペクトルの強度は、実施例２のそれよりもきわめて強い。シェーラーの式から、３Ｃ−ＳｉＣの平均粒径は、２０nmと算出された。
この実施例に係るラマンスペクトル（図５）は、実施例２のそれに比べて、７８０cm-1と８９０cm-1において、３Ｃ−ＳｉＣの十分明瞭なピークを有している。また、１３００〜１６００cm-1の波数領域にブロードなピークが認められるが、これは、本発明に係る３Ｃ−ＳｉＣ層が、非晶質ではあるが、ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣに近い、六方晶化した炭素を含んでいることを示している。
波長分散Ｘ線分光法（ＷＤＸ）により解析したところ、３Ｃ−ＳｉＣ層の塩素含有量は、０．１６原子百分率であることが分かった。
微小硬さ計で計測したビッカース硬さは、３６５０ＨＶ［０．０１］であった。
以上の結果から、この実施形態におけるＳｉＣ層は、ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質炭素の混合物からなり、滑らかで均質な表面を有し、高強度であることが分かる。

Claims (24)

  1. 単一のＳｉＣ層、または少なくとも１つのＳｉＣ層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆された物体であって、前記ＳｉＣ層は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣ、またはハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質ＳｉＣとの混合物、もしくはハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質炭素との混合物からなることを特徴とする物体。
  2. 前記ＳｉＣ層は、塊状部分を有しない、均質な構造を有することを特徴とする請求項１に記載の物体。
  3. 前記ＳｉＣ層は、無孔性で稠密な構造を有することを特徴とする請求項１に記載の物体。
  4. 前記混合物からなるＳｉＣ多層構造層は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣから、周期的または連続的に変化する比で、非晶質ＳｉＣまたは非晶質炭素へと組成が変わる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の物体。
  5. 前記ハロゲン元素は、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒおよび／またはＩであることを特徴とする請求項１に記載の物体。
  6. 前記ＳｉＣ層におけるハロゲン元素の含有量は、０．０００１〜２原子百分率であることを特徴とする請求項１に記載の物体。
  7. 前記非晶質ＳｉＣを含む混合物中における非晶質ＳｉＣの含有量は、０．５〜９９．５重量％であることを特徴とする請求項１に記載の物体。
  8. 前記非晶質ＳｉＣ層におけるＣ：Ｓｉの原子数比は、１〜１．２であることを特徴とする請求項１に記載の物体。
  9. 前記ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣは、０〜１０重量％の非晶質炭素を含むことを特徴とする請求項１に記載の物体。
  10. 前記ナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣの結晶粒径は、２００nmよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の物体。
  11. 前記ＳｉＣ層の厚さは、０．１〜１００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の物体。
  12. 前記ＳｉＣ多層構造体は、複数のＳｉＣ層、または少なくとも１つのＳｉＣ層ならびにＴｉＮ，ＴｉＣＮ，ＴｉＣ，Ａｌ2Ｏ3およびダイヤモンドからなる群より選択される材料から形成される１つもしくは複数の層からなることを特徴とする請求項１に記載の物体。
  13. 中間層を介在させることなく、直に前記ＳｉＣ層が被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の物体。
  14. 前記単一のＳｉＣ層またはＳｉＣ多層構造体層は、耐摩耗層もしくは酸化防止層として、またはミクロ電子工学もしくは太陽電池への応用のために被覆されている、金属、超硬合金、陶性合金またはセラミックスからなることを特徴とする請求項１に記載の物体。
  15. 物体を、単一のＳｉＣ層、または少なくとも１つのＳｉＣ層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆する方法であって、前記ＳｉＣ層は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣ、またはハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質ＳｉＣとの混合物、もしくはハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣと非晶質炭素との混合物からなる方法において、
    前記物体は、Ｈ2および／もしくは１種もしくは複数種の不活性ガス、一般式ＳｉnＸ2n、ＳｉnＸ2n+2もしくはＳｉnＸyＨz（ここで、Ｘはハロゲン元素、ｎ≧２）で表される１種もしくは複数種のハロゲン化ポリシラン、ならびに１種もしくは複数種の炭化水素を含む混合ガス、またはＨ2および／もしくは１種もしくは複数種の不活性ガス、ならびに一般式ＳｉnＸyＲzおよび／もしくはＳｉnＨxＸyＲz（ここで、Ｘはハロゲン元素、ｎ≧２，ｚ＞０，ｙ≧１であり、一般式ＳｉnＸyＲzの場合には、化学量論的な関係は、２ｎ＋２＝ｙ＋ｚまたは２ｎ＝ｙ＋ｚであり、一般式ＳｉnＨxＸyＲzの場合には、化学量論的な関係は、２ｎ＋２＝ｘ＋ｙ＋ｚまたは２ｎ＝ｘ＋ｙ＋ｚである）で表される有機置換基Ｒで置換された１種もしくは複数種のハロゲン化ポリシランを含む混合ガスを使用する熱ＣＶＤプロセスを介して、被覆されるようになっていることを特徴とする方法。
  16. 前記１種または複数種のハロゲン化ポリシランは、Ｓｉ2Ｘ6，Ｓｉ3Ｘ8，Ｓｉ4Ｘ8，Ｓｉ4Ｘ10，Ｓｉ5Ｘ10，Ｓｉ5Ｘ12，およびＳｉ6Ｘ12（Ｘ＝Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒおよび／またはＩである）からなる群より選択することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  17. 前記熱ＣＶＤプロセスを介する被覆は、６００〜９５０℃の温度下で行うことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  18. 前記熱ＣＶＤプロセスを介する被覆は、６００〜８００℃の温度下で行うことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
  19. 前記有機置換基Ｒは、ＣＨ3基であることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  20. 前記混合ガス中の有機置換基Ｒで置換された１種または複数種のハロゲン化ポリシランは、(ＣＨ3)2Ｓｉ2Ｃｌ4および／または(ＣＨ3)4Ｓｉ2Ｃｌ2であることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  21. 前記炭化水素は、アルカン、アルケンまたはアルキンであることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  22. 前記炭化水素は、ＣＨ4，Ｃ2Ｈ4またはＣ2Ｈ2であることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  23. 前記混合ガスを使用する被覆は、ホットウォールＣＶＤリアクタ中で、１〜１０１．３ｋＰａの圧力下で行うことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  24. 前記物体を、金属、超硬合金、陶性合金およびセラミックスからなる群より選択し、耐摩耗層もしくは酸化防止層を形成するため、またはミクロ電子工学もしくは太陽電池への応用のために被覆することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
JP2012502557A 2009-04-02 2010-03-17 ＳｉＣ層で被覆された物体およびこの製造方法 Pending JP2012522887A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009002129.9 2009-04-02
DE102009002129A DE102009002129A1 (de) 2009-04-02 2009-04-02 Hartstoffbeschichtete Körper und Verfahren zur Herstellung hartstoffbeschichteter Körper
PCT/EP2010/053436 WO2010112339A1 (de) 2009-04-02 2010-03-17 Mit sic beschichtete körper und verfahren zur herstellung sic-beschichteter körper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012522887A true JP2012522887A (ja) 2012-09-27

Family

ID=42244424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012502557A Pending JP2012522887A (ja) 2009-04-02 2010-03-17 ＳｉＣ層で被覆された物体およびこの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9062370B2 (ja)
EP (1) EP2414558B1 (ja)
JP (1) JP2012522887A (ja)
CN (1) CN102421937A (ja)
DE (1) DE102009002129A1 (ja)
TW (1) TW201043722A (ja)
WO (1) WO2010112339A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101743019B1 (ko) 2015-01-30 2017-06-05 한국과학기술연구원 고온 내산화성이 우수한 초경도 탄화붕소 박막, 그 박막을 이용하는 절삭 공구 및 그 박막의 제조방법
WO2018117557A1 (ko) * 2016-12-20 2018-06-28 주식회사 티씨케이 반도체 제조용 부품, 복합체 코팅층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5649215B2 (ja) * 2010-12-10 2015-01-07 日立金属株式会社 耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材およびその製造方法
CN103540936A (zh) * 2012-07-16 2014-01-29 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 一种耐高温抗氧化金属陶瓷复合涂层及其制备方法
US20150024152A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Agilent Technologies, Inc. Metal components with inert vapor phase coating on internal surfaces
EP3415469B1 (de) * 2017-06-14 2019-09-11 Evonik Degussa GmbH Synthese von silicium-kohlenstoff-komposit in einem gasphasenreaktor
JP2023537503A (ja) * 2020-08-06 2023-09-01 エスジーエル・カーボン・エスイー 耐火性炭化物多層

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61295372A (ja) * 1985-06-25 1986-12-26 Toagosei Chem Ind Co Ltd 炭化珪素膜を有する物品の製造法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3011912A (en) 1959-12-22 1961-12-05 Union Carbide Corp Process for depositing beta silicon carbide
DE1184738B (de) 1960-09-27 1965-01-07 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochreinen Siliciumcarbidkristallen
US4228142A (en) * 1979-08-31 1980-10-14 Holcombe Cressie E Jun Process for producing diamond-like carbon
JPS627122A (ja) 1985-07-03 1987-01-14 Nec Corp 予備励起光ｃｖｄ方法
JPS62139318A (ja) 1985-12-13 1987-06-23 Hitachi Ltd 低温気相成長法
JPS62156938A (ja) * 1985-12-28 1987-07-11 航空宇宙技術研究所 傾斜機能材料の製造方法
JPS63164426A (ja) 1986-12-26 1988-07-07 Fujitsu Ltd 気相成長方法
JPS64267A (en) 1987-02-26 1989-01-05 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Member with sic film
JPH0672052B2 (ja) 1988-09-08 1994-09-14 宇部興産株式会社 高強度・高靱性焼結体およびその製造方法
JP2726694B2 (ja) 1989-01-30 1998-03-11 弌倫 木島 導電性炭化珪素焼結体及びその製造方法
CA2014540A1 (en) 1989-04-18 1990-10-18 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Method for forming semiconductor thin film
FR2650270B1 (fr) 1989-06-28 1994-03-25 Central Glass Cy Ltd Fibres carbonees ayant des filaments en serpentin et procede pour leur production
US5309874A (en) * 1993-01-08 1994-05-10 Ford Motor Company Powertrain component with adherent amorphous or nanocrystalline ceramic coating system
US5425860A (en) * 1993-04-07 1995-06-20 The Regents Of The University Of California Pulsed energy synthesis and doping of silicon carbide
JP3571785B2 (ja) 1993-12-28 2004-09-29 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
US6117233A (en) 1995-02-07 2000-09-12 Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung De Formation of single-crystal thin SiC films
DE19503976C1 (de) 1995-02-07 1996-05-09 Max Planck Gesellschaft Herstellung einkristalliner dünner Schichten aus SiC
JP3698372B2 (ja) 1995-05-23 2005-09-21 東芝セラミックス株式会社 ＣＶＤ−ＳｉＣ被覆部材
DE19522923A1 (de) 1995-06-23 1997-03-20 Verein Fuer Das Forschungsinst Verfahren zur Herstellung kristallographisch orientierter mikro/nanokristalliner sowie amorpher und epitaktischer Halbleiterschichten auf elektrisch leitenden und nichtleitenden amorphen, polykristallinen sowie einkristallinen Trägermaterialien
US5670253A (en) * 1995-12-20 1997-09-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ceramic wafers and thin film magnetic heads
JP4043003B2 (ja) 1998-02-09 2008-02-06 東海カーボン株式会社 ＳｉＣ成形体及びその製造方法
SE9903242D0 (sv) 1999-09-13 1999-09-13 Acreo Ab A semiconductor device
JP2002180254A (ja) 2000-12-14 2002-06-26 Toshiba Ceramics Co Ltd ＣＶＤ−ＳｉＣ膜被覆部材およびその製造方法
US6979490B2 (en) * 2001-01-16 2005-12-27 Steffier Wayne S Fiber-reinforced ceramic composite material comprising a matrix with a nanolayered microstructure
DE10209793A1 (de) 2002-03-01 2003-09-04 Leibniz Inst Fuer Festkoerper Nanokristalline Verbunde und Verfahren zu deren Herstellung sowie daraus hergestellte nichtlineare Widerstandselemente und thermoelektrische Elemente
AU2003221438A1 (en) 2002-03-19 2003-09-29 Central Research Institute Of Electric Power Industry METHOD FOR PREPARING SiC CRYSTAL AND SiC CRYSTAL
TW200424343A (en) 2002-09-05 2004-11-16 Asml Us Inc Low temperature deposition of silicon based thin films by single-wafer hot-wall rapid thermal chemical vapor deposition
US7147713B2 (en) 2003-04-30 2006-12-12 Cree, Inc. Phase controlled sublimation
US7247513B2 (en) * 2003-05-08 2007-07-24 Caracal, Inc. Dissociation of silicon clusters in a gas phase during chemical vapor deposition homo-epitaxial growth of silicon carbide
US7052990B2 (en) 2003-09-03 2006-05-30 Infineon Technologies Ag Sealed pores in low-k material damascene conductive structures
US7468311B2 (en) 2003-09-30 2008-12-23 Tokyo Electron Limited Deposition of silicon-containing films from hexachlorodisilane
US7205187B2 (en) 2005-01-18 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Micro-feature fill process and apparatus using hexachlorodisilane or other chlorine-containing silicon precursor
US7404858B2 (en) 2005-09-16 2008-07-29 Mississippi State University Method for epitaxial growth of silicon carbide
DE102006003464A1 (de) 2006-01-25 2007-07-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung
US20070281183A1 (en) 2006-05-31 2007-12-06 Konica Minolta Opto Inc. Film formation method, die, and method of manufacturing the same
US20080110486A1 (en) 2006-11-15 2008-05-15 General Electric Company Amorphous-crystalline tandem nanostructured solar cells
US20080174028A1 (en) 2007-01-23 2008-07-24 General Electric Company Method and Apparatus For A Semiconductor Structure Forming At Least One Via
DE102007007874A1 (de) 2007-02-14 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61295372A (ja) * 1985-06-25 1986-12-26 Toagosei Chem Ind Co Ltd 炭化珪素膜を有する物品の製造法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN5012009646; ＭＯＴＯＪＩＭＡ　Ｓ．　ｅｔ　ａｌ: 'Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｍｉｃｒｏｈａｒｄｎｅｓｓ　ｏｆ　ＳｉＣ　ｆｒｏｍ　ｔｈｅ　Ｓｉ２Ｃｌ６-Ｃ３Ｈ８-Ｈ２-Ａｒ　ｓｙｓｔｅｍ' Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｖｏｌ．２１, 1986, Ｐ．１３６３-１３６７ *
JPN6013054126; ＢＯＵＹＥＲ　Ｅ．　ｅｔ　ａｌ: 'Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＳｉＣ　ａｎｄ　Ｓｉ３Ｎ４　ｃｏａｔｉｎｇｓ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ｂｙ　ｍｅａｎｓ　ｏｆ　ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｔｈｅｒｍａｌ　ｐｌａｓｍａ　ｆｒｏｍ　ｄｉｓ' Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．１５, 2001, Ｐ．８３３-８４０ *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101743019B1 (ko) 2015-01-30 2017-06-05 한국과학기술연구원 고온 내산화성이 우수한 초경도 탄화붕소 박막, 그 박막을 이용하는 절삭 공구 및 그 박막의 제조방법
WO2018117557A1 (ko) * 2016-12-20 2018-06-28 주식회사 티씨케이 반도체 제조용 부품, 복합체 코팅층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201043722A (en) 2010-12-16
WO2010112339A1 (de) 2010-10-07
CN102421937A (zh) 2012-04-18
EP2414558B1 (de) 2015-11-11
US20120202054A1 (en) 2012-08-09
DE102009002129A1 (de) 2010-10-28
EP2414558A1 (de) 2012-02-08
US9062370B2 (en) 2015-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8789626B2 (en) Ultra hard/hard composite materials
JP2012522887A (ja) ＳｉＣ層で被覆された物体およびこの製造方法
RU2563080C2 (ru) Выполненные с покрытием тела из металла, твердого сплава, кермета или керамики и способ нанесения покрытия на такие тела
JP7050337B2 (ja) ＷＣ－Ｃｏ切削工具における高密着性ボロンドープ傾斜ダイヤモンド層
JP2012517531A (ja) 多結晶ダイヤモンド
KR102523464B1 (ko) 금속, 초경합금, 도성합금 또는 세라믹으로 이루어지고 경질 재료로 코팅된 물품 및 이러한 물품의 제조 방법
US20100009839A1 (en) Ultrahard Composite Materials
CN103764322B (zh) 切削工具
RU2666390C2 (ru) Суперабразивный материал с защитным адгезивным покрытием и способ изготовления такого покрытия
KR20120128595A (ko) 표면 피복 절삭 공구 및 그 제조 방법
KR20090023474A (ko) 초경질 복합체
JP2012513361A (ja) 超硬質／硬質複合材料
Wang et al. One step deposition of highly adhesive diamond films on cemented carbide substrates via diamond/β-SiC composite interlayers
KR100454715B1 (ko) ＭｏＳｉ₂―Ｓｉ₃Ｎ₄복합피복층 및 그 제조방법
Shtansky et al. High thermal stability of TiAlSiCN coatings with “comb” like nanocomposite structure
TW533246B (en) Titanium aluminum carbon nitride-amorphous carbon nano composite ceramic plating layer with high ductility and high adhesion
JPH07100701A (ja) 被覆切削工具とその製造方法
JP7035296B2 (ja) 表面被覆切削工具及びその製造方法
CA2640777A1 (en) Metal carbonitride layer and method for the production of a metal carbonitride layer
Tang et al. Preparation and performance of diamond coatings on cemented carbide inserts with cobalt boride interlayers
CN110382145B (zh) 表面被覆切削工具及其制造方法
WO2005087418A1 (ja) 焼結工具とその製造方法
JP6996064B2 (ja) 表面被覆切削工具及びその製造方法
KR20000065840A (ko) 다이아몬드 막이 코팅된 절삭공구 및 그 제조방법
JP5532654B2 (ja) 坩堝とその製造方法、それを用いた窒化ケイ素粉末製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131030

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140130

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140206

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140226

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140305

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140428

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140702