JPS63164426A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPS63164426A JPS63164426A JP31498886A JP31498886A JPS63164426A JP S63164426 A JPS63164426 A JP S63164426A JP 31498886 A JP31498886 A JP 31498886A JP 31498886 A JP31498886 A JP 31498886A JP S63164426 A JPS63164426 A JP S63164426A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｓｉの選択エピタキシャル成長を行う気相成長において
、 反応ガスに５ｉＣ１ａとＨ２との混合気を用い、減圧下
において成長することにより、 制御の簡素化を図ったものである。
、 反応ガスに５ｉＣ１ａとＨ２との混合気を用い、減圧下
において成長することにより、 制御の簡素化を図ったものである。
本発明は、Ｓｔの選択エピタキシャル成長を行う気相成
長方法に関す。
長方法に関す。
半導体装置などの製造においては、気相成長によってＳ
ｔの選択エピタキシャル成長を行うことが屡ある。
ｔの選択エピタキシャル成長を行うことが屡ある。
そしてその気相成長においては、反応ガスの流量制御が
重要であり、その制御の簡素化が望まれる。
重要であり、その制御の簡素化が望まれる。
Ｓｉの選択エピタキシャル成長は、例えば、第２図の側
面図に示す如く、表面に５ｉ０２などの絶縁膜２を部分
的にＳｉを表出させて形成したＳｉ基板１のＳｉ表出部
上に、エピタキシャルＳｉ層３を選択的にｋｔ！積させ
る成長である。
面図に示す如く、表面に５ｉ０２などの絶縁膜２を部分
的にＳｉを表出させて形成したＳｉ基板１のＳｉ表出部
上に、エピタキシャルＳｉ層３を選択的にｋｔ！積させ
る成長である。
この成長を行う気相成長の従来方法例は、第３図の説明
図に示すが如くである。
図に示すが如くである。
即ち、基板１を減圧反応チャンバ１１内に配置して加熱
ヒータ１２により１０００〜１１５０℃に加熱し、反応
ガスとして、５ｉＨ２Ｃ１２（ジクロルシラン）ガス、
ＨＣＩ （塩化水素）ガス、Ｈ２の混合気を用い、成長
圧力を５０〜１５０Ｔｏｒｒにして行う。なお同図にお
ける１３は加熱電源、１４〜は流量計である。
ヒータ１２により１０００〜１１５０℃に加熱し、反応
ガスとして、５ｉＨ２Ｃ１２（ジクロルシラン）ガス、
ＨＣＩ （塩化水素）ガス、Ｈ２の混合気を用い、成長
圧力を５０〜１５０Ｔｏｒｒにして行う。なお同図にお
ける１３は加熱電源、１４〜は流量計である。
この際の各ガスの流量は、選択エピタキシャル成長に適
する値に制御され、例えば、５ｉＨ２Ｃ１２が２００ｃ
ｃ／分、ＨＣＩが２００ｃｃ／分、Ｈ２が８ＯＮ／分、
といった具合である。そしてこれらの流量は、成長温度
や成長圧力などの条件により適宜変化させることが必要
であり、特に、５ｉＨ２Ｃ１２の流量とＨＣＩの流量と
の間には特定の関係に制御することが求められる。それ
は、その関係が崩れると安定な選択エピタキシャル成長
が得られなくなるからである。
する値に制御され、例えば、５ｉＨ２Ｃ１２が２００ｃ
ｃ／分、ＨＣＩが２００ｃｃ／分、Ｈ２が８ＯＮ／分、
といった具合である。そしてこれらの流量は、成長温度
や成長圧力などの条件により適宜変化させることが必要
であり、特に、５ｉＨ２Ｃ１２の流量とＨＣＩの流量と
の間には特定の関係に制御することが求められる。それ
は、その関係が崩れると安定な選択エピタキシャル成長
が得られなくなるからである。
従って上述の方法では、５ｉＨ２Ｃ１２の流量制御とＨ
ＣＩの流量制御という二つの流量制御が求められ、制御
が複雑である問題を有する。
ＣＩの流量制御という二つの流量制御が求められ、制御
が複雑である問題を有する。
上記問題点は、Ｓｉの選択エピタキシャル成長を行うに
際して、反応ガスに５ｉＣ１ａとＨ２との混合気を用い
、減圧下において成長する本発明の気相成長方法によっ
て解決される。
際して、反応ガスに５ｉＣ１ａとＨ２との混合気を用い
、減圧下において成長する本発明の気相成長方法によっ
て解決される。
この方法は、本発明者が多くの実験を通して得られた知
見によるものである。
見によるものである。
即ち、Ｓｉの選択エピタキシャル成長は、デポジション
とエツチングが共存しながら成長が進み、従来方法では
、５ｉＨ２Ｃ］２が主としてデポジションに、ＨＣＩが
エツチングに寄与して、両者の兼ね合いにより選択エピ
タキシャル成長の条件が得られているものと考えられる
。
とエツチングが共存しながら成長が進み、従来方法では
、５ｉＨ２Ｃ］２が主としてデポジションに、ＨＣＩが
エツチングに寄与して、両者の兼ね合いにより選択エピ
タキシャル成長の条件が得られているものと考えられる
。
これに対し、本発明方法で用いる５ｉＣ１４は、５ｔＨ
ｚＣ１２よりＣＩ酸成分多く、それ単体で選択エピタキ
シャル成長に通したデポジションとエツチングの条件を
形成するものと考えられる。
ｚＣ１２よりＣＩ酸成分多く、それ単体で選択エピタキ
シャル成長に通したデポジションとエツチングの条件を
形成するものと考えられる。
このため、本発明方法では、５ｉＣ１４が従来方法にお
けるＳｉＨ２ＣＩ２ ＋ＨＣ１の代わりを果たして、従
来方法で二つの流量制御を必要としたのが一つの流量制
御で足りることになり、制御が簡素化される。
けるＳｉＨ２ＣＩ２ ＋ＨＣ１の代わりを果たして、従
来方法で二つの流量制御を必要としたのが一つの流量制
御で足りることになり、制御が簡素化される。
そしてこのことは、安定した選択エピタキシャル成長を
容易にさせる。
容易にさせる。
以下本発明方法の実施例について第１図の説明図により
説明する。全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
説明する。全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
実施例の選択エピタキシャル成長は、反応ガスを従来方
法のＳｉＨ２Ｃ１２＋ＨＣ１＋Ｈ２から５ｉＣ１４＋Ｈ
２に替えたものである。
法のＳｉＨ２Ｃ１２＋ＨＣ１＋Ｈ２から５ｉＣ１４＋Ｈ
２に替えたものである。
即ち、基板１を減圧反応チャンバ１１内に配置して加熱
ヒータ１２により１０００〜１１５０’ｅに加熱し、反
応ガスとじて、Ｈ２でバブリングされた５ｉＣＩ ｇガ
スとＨ２との混合気を用い、成長圧力を５０〜１５０Ｔ
ｏｒｒにして行う。なお、同図における１７は上記５ｉ
Ｃ１４に対する流量針である。
ヒータ１２により１０００〜１１５０’ｅに加熱し、反
応ガスとじて、Ｈ２でバブリングされた５ｉＣＩ ｇガ
スとＨ２との混合気を用い、成長圧力を５０〜１５０Ｔ
ｏｒｒにして行う。なお、同図における１７は上記５ｉ
Ｃ１４に対する流量針である。
この際の各ガスの流量は、選択エピタキシャル成長に適
する値に制御され、例えば、上記５ｉＣＩａが５００ｃ
ｃ ７分、Ｈ２が８０１／分、といった具合である。そ
して特に５ｉＣ１４の流量は、成長温度や成長圧力など
の条件により適宜変化させるのが良い。
する値に制御され、例えば、上記５ｉＣＩａが５００ｃ
ｃ ７分、Ｈ２が８０１／分、といった具合である。そ
して特に５ｉＣ１４の流量は、成長温度や成長圧力など
の条件により適宜変化させるのが良い。
かくすることにより、従来方法の場合と同様な、例えば
第２図に示すエピタキシャルＳｉ層３を成長させること
が出来る。
第２図に示すエピタキシャルＳｉ層３を成長させること
が出来る。
上述の説明で明らかなように、本発明方法では、従来方
法で５ｉＨ２Ｃ１２およびＨＣＩの二つの流量制御を必
要としたのが、５ｉＣ１４の一つの流量制御で足りるこ
とになって制御が簡素化され、Ｓｉの安定した選択エピ
タキシャル成長が容易になる。
法で５ｉＨ２Ｃ１２およびＨＣＩの二つの流量制御を必
要としたのが、５ｉＣ１４の一つの流量制御で足りるこ
とになって制御が簡素化され、Ｓｉの安定した選択エピ
タキシャル成長が容易になる。
以上説明したように本発明の構成によれば、Ｓｉの選択
エピタキシャル成長を行う気相成長において、制御の簡
素化を図ることが出来て、安定した選択エピタキシャル
成長を容易にさせる効果がある。
エピタキシャル成長を行う気相成長において、制御の簡
素化を図ることが出来て、安定した選択エピタキシャル
成長を容易にさせる効果がある。
第１図は本発明方法実施例の説明図、
第２図は選択エピタキシャル成長例を示す側面図、
第３図は従来方法例の説明図、
である。
図において、
ｌはＳｉ基板、
２は絶縁膜、
３はエピタキシャルＳｉ層、
１１は減圧反応チャンバ、
１２は加熱ヒータ、
１３は加熱電源、
１４〜１７は流量計、
である。
茅 １ 口
通り尺エピタキシ屑Ｖ戊長クコとホ捧鉤０岑２ の
Claims (1)
- シリコン（Ｓｉ）の選択エピタキシャル成長を行うに際
して、反応ガスに四塩化珪素（ＳｉＣｌ＿４）と水素（
Ｈ＿２）との混合気を用い、減圧下において成長するこ
とを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31498886A JPS63164426A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31498886A JPS63164426A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164426A true JPS63164426A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18060058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31498886A Pending JPS63164426A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164426A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9062370B2 (en) | 2009-04-02 | 2015-06-23 | Spawnt Private S.A.R.L. | Bodies coated by SiC and method for creating SiC-coated bodies |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5319181A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-22 | Hitachi Ltd | Low pressure reaction apparatus |
| JPS5546588A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Low pressure gas phase growing device |
| JPS5840821A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-09 | Fujitsu Ltd | けい素エピタキシャル膜の成長方法 |
| JPS6117493A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-01-25 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | 被処理板状物の気相処理方法 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP31498886A patent/JPS63164426A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5319181A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-22 | Hitachi Ltd | Low pressure reaction apparatus |
| JPS5546588A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Low pressure gas phase growing device |
| JPS5840821A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-09 | Fujitsu Ltd | けい素エピタキシャル膜の成長方法 |
| JPS6117493A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-01-25 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | 被処理板状物の気相処理方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9062370B2 (en) | 2009-04-02 | 2015-06-23 | Spawnt Private S.A.R.L. | Bodies coated by SiC and method for creating SiC-coated bodies |
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