|
MX2010004896A
(es)
|
2007-11-02 |
2010-07-29 |
Harvard College |
Produccion de capas de estado solido independientes mediante procesamiento termico de sustratos con un polimero.
|
|
CN101781461B
(zh)
*
|
2009-01-16 |
2012-01-25 |
清华大学 |
电致伸缩复合材料及其制备方法
|
|
US8802477B2
(en)
|
2009-06-09 |
2014-08-12 |
International Business Machines Corporation |
Heterojunction III-V photovoltaic cell fabrication
|
|
US8633097B2
(en)
|
2009-06-09 |
2014-01-21 |
International Business Machines Corporation |
Single-junction photovoltaic cell
|
|
US8703521B2
(en)
|
2009-06-09 |
2014-04-22 |
International Business Machines Corporation |
Multijunction photovoltaic cell fabrication
|
|
US8852994B2
(en)
|
2010-05-24 |
2014-10-07 |
Masimo Semiconductor, Inc. |
Method of fabricating bifacial tandem solar cells
|
|
US8455290B2
(en)
*
|
2010-09-04 |
2013-06-04 |
Masimo Semiconductor, Inc. |
Method of fabricating epitaxial structures
|
|
US8841203B2
(en)
*
|
2011-06-14 |
2014-09-23 |
International Business Machines Corporation |
Method for forming two device wafers from a single base substrate utilizing a controlled spalling process
|
|
US8748296B2
(en)
*
|
2011-06-29 |
2014-06-10 |
International Business Machines Corporation |
Edge-exclusion spalling method for improving substrate reusability
|
|
DE102012001620B4
(de)
|
2012-01-30 |
2025-02-13 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zur Herstellung von dünnen Platten aus Werkstoffen geringer Duktilität
|
|
KR101332306B1
(ko)
*
|
2012-03-30 |
2013-11-22 |
한국기계연구원 |
프리스탠딩 나노 박막 제조방법
|
|
US20130316538A1
(en)
*
|
2012-05-23 |
2013-11-28 |
International Business Machines Corporation |
Surface morphology generation and transfer by spalling
|
|
BR102012016393A2
(pt)
*
|
2012-07-02 |
2015-04-07 |
Rexam Beverage Can South America S A |
Dispositivo de impressão em latas, processo de impressão em latas, lata impressa e blanqueta
|
|
DE102012013539A1
(de)
|
2012-07-06 |
2014-01-09 |
Siltectra Gmbh |
Wafer und Verfahren zur Herstellung von Wafern mit Oberflächenstrukturen
|
|
DE102013007673A1
(de)
|
2013-05-03 |
2014-11-06 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zur Herstellung von Wafern mittels einer vordefinierten Spannungsverteilung
|
|
DE102013007671A1
(de)
|
2013-05-03 |
2014-11-06 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit Trägereinheit
|
|
DE102013007672A1
(de)
|
2013-05-03 |
2014-11-06 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren und Vorrichtung zur Waferherstellung mit vordefinierter Bruchauslösestelle
|
|
DE102013017272A1
(de)
|
2013-06-06 |
2014-12-11 |
Siltectra Gmbh |
Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen von Schichtanordnungen mittels fluidischer Fließbarriere
|
|
US9245955B2
(en)
|
2013-06-28 |
2016-01-26 |
Stmicroelectronics, Inc. |
Embedded shape SiGe for strained channel transistors
|
|
KR20150006121A
(ko)
*
|
2013-07-08 |
2015-01-16 |
서울대학교산학협력단 |
폴리아세틸렌 나노파이버 온도센서
|
|
DE102013014615A1
(de)
|
2013-09-02 |
2015-03-05 |
Siltectra Gmbh |
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer Rissverlaufsbeeinflussung
|
|
DE102013014623A1
(de)
*
|
2013-09-02 |
2015-03-05 |
Siltectra Gmbh |
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer selektiven Positionierung im Trägersystem
|
|
DE102014014486A1
(de)
|
2013-10-08 |
2015-04-09 |
Siltectra Gmbh |
Neuartiges Waferherstellungsverfahren
|
|
DE102013016682A1
(de)
|
2013-10-08 |
2015-04-09 |
Siltectra Gmbh |
Erzeugung einer Rissauslösestelle oder einer Rissführung zum verbesserten Abspalten einer Festkörperschicht von einem Festkörper
|
|
DE102013016669A1
(de)
|
2013-10-08 |
2015-04-09 |
Siltectra Gmbh |
Kombiniertes Herstellungsverfahren zum Abtrennen mehrerer dünner Festkörperschichten von einem dicken Festkörper
|
|
DE102013016693A1
(de)
|
2013-10-08 |
2015-04-09 |
Siltectra Gmbh |
Herstellungsverfahren für Festkörperelemente mittels Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen
|
|
DE102014013107A1
(de)
|
2013-10-08 |
2015-04-09 |
Siltectra Gmbh |
Neuartiges Waferherstellungsverfahren
|
|
DE102013016665A1
(de)
|
2013-10-08 |
2015-04-09 |
Siltectra Gmbh |
Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit lonenimplantation und temperaturinduzierten Spannungen
|
|
US20150201504A1
(en)
*
|
2014-01-15 |
2015-07-16 |
Applied Nanotech, Inc. |
Copper particle composition
|
|
DE102015000449A1
(de)
*
|
2015-01-15 |
2016-07-21 |
Siltectra Gmbh |
Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
|
|
DE102014004574A1
(de)
|
2014-03-28 |
2015-10-01 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zur Herstellung von Festkörperschichten mittels lokaler Modifikation von Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaften einer mehrschichtigen Anordnung
|
|
DE102014006328A1
(de)
|
2014-04-30 |
2015-11-05 |
Siltectra Gmbh |
Kombiniertes Festkörperherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen zur Erzeugung dreidimensionaler Festkörper
|
|
DE102014014422A1
(de)
*
|
2014-09-29 |
2016-03-31 |
Siltectra Gmbh |
Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit einer Löcher aufweisenden Aufnahmeschicht
|
|
DE102014014420A1
(de)
*
|
2014-09-29 |
2016-04-14 |
Siltectra Gmbh |
Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit einer Mehrkomponentenaufnahmeschicht
|
|
DE102015103118A1
(de)
*
|
2014-10-06 |
2016-04-07 |
Siltectra Gmbh |
Splitting-Verfahren und Verwendung eines Materials in einem Splitting-Verfahren
|
|
EP4122633B1
(de)
*
|
2014-11-27 |
2025-03-19 |
Siltectra GmbH |
Festkörperteilung mittels stoffumwandlung
|
|
EP3223994B1
(de)
|
2014-11-27 |
2023-04-26 |
Siltectra GmbH |
Laserbasiertes trennverfahren
|
|
DE102015000450A1
(de)
|
2015-01-15 |
2016-07-21 |
Siltectra Gmbh |
Abtrennvorrichtung zum spanfreien Abtrennen von Wafern von Spendersubstraten
|
|
DE102015003369A1
(de)
|
2015-03-16 |
2016-09-22 |
Siltectra Gmbh |
Transparenter und hochstabiler Displayschutz
|
|
DE102015104147B4
(de)
|
2015-03-19 |
2019-09-12 |
Osram Opto Semiconductors Gmbh |
Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge
|
|
DE102015004347A1
(de)
|
2015-04-02 |
2016-10-06 |
Siltectra Gmbh |
Erzeugung von physischen Modifikationen mittels LASER im Inneren eines Festkörpers
|
|
DE102015006971A1
(de)
|
2015-04-09 |
2016-10-13 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zum verlustarmen Herstellen von Mehrkomponentenwafern
|
|
DE102015004603A1
(de)
|
2015-04-09 |
2016-10-13 |
Siltectra Gmbh |
Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen
|
|
DE102015008037A1
(de)
|
2015-06-23 |
2016-12-29 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zum Führen eines Risses im Randbereich eines Spendersubstrats
|
|
DE102015008034A1
(de)
|
2015-06-23 |
2016-12-29 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zum Führen eines Risses im Randbereich eines Spendersubstrats
|
|
US10515981B2
(en)
|
2015-09-21 |
2019-12-24 |
Monolithic 3D Inc. |
Multilevel semiconductor device and structure with memory
|
|
DE102016000051A1
(de)
*
|
2016-01-05 |
2017-07-06 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren und Vorrichtung zum planaren Erzeugen von Modifikationen in Festkörpern
|
|
EP3427044B1
(en)
*
|
2016-03-08 |
2025-07-16 |
Arizona Board of Regents on behalf of Arizona State University |
Sound-assisted crack propagation for semiconductor wafering
|
|
JP6703617B2
(ja)
*
|
2016-03-22 |
2020-06-03 |
ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング |
分離されるべき固体物の複合レーザ処理
|
|
DE102016014821A1
(de)
|
2016-12-12 |
2018-06-14 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zum Dünnen von mit Bauteilen versehenen Festkörperschichten
|
|
EP3433876B1
(de)
*
|
2016-03-24 |
2023-09-13 |
Siltectra GmbH |
Ein splitting-verfahren
|
|
DE102016105616A1
(de)
|
2016-03-24 |
2017-09-28 |
Siltectra Gmbh |
Polymer-Hybrid-Material, dessen Verwendung in einem Splitting-Verfahren und Verfahren zur Herstellung des Polymer-Hybrid-Materials
|
|
GB201616955D0
(en)
*
|
2016-10-06 |
2016-11-23 |
University Of Newcastle Upon Tyne |
Micro-milling
|
|
DE102017010284A1
(de)
|
2017-11-07 |
2019-05-09 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zum Dünnen von mit Bauteilen versehenen Festkörperschichten
|
|
EP3551373A1
(de)
|
2016-12-12 |
2019-10-16 |
Siltectra GmbH |
Verfahren zum dünnen von mit bauteilen versehenen festkörperschichten
|
|
JP7250695B2
(ja)
|
2017-04-20 |
2023-04-03 |
ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング |
規定どおりに配向された改質線を有するウェハの製造方法
|
|
DE102018001605A1
(de)
|
2018-03-01 |
2019-09-05 |
Siltectra Gmbh |
Verfahren zum Kompensieren von Verformungen eines mittels Laserstrahl behandelten und/oder beschichteten Festkörpers
|
|
DE102018111450B4
(de)
|
2018-05-14 |
2024-06-20 |
Infineon Technologies Ag |
Verfahren zum Verarbeiten eines Breiter-Bandabstand-Halbleiterwafers, Verfahren zum Bilden einer Mehrzahl von dünnen Breiter-Bandabstand-Halbleiterwafern und Breiter-Bandabstand-Halbleiterwafer
|
|
CN110713167B
(zh)
*
|
2018-07-13 |
2024-01-16 |
浙江清华柔性电子技术研究院 |
微流体器件、微流体系统
|
|
CN109345959A
(zh)
*
|
2018-10-12 |
2019-02-15 |
京东方科技集团股份有限公司 |
一种柔性衬底、柔性显示面板、柔性显示装置和制作方法
|
|
CN109665486B
(zh)
*
|
2018-12-24 |
2020-08-28 |
中山大学 |
微杯及其转印制备方法和应用
|
|
US11787690B1
(en)
|
2020-04-03 |
2023-10-17 |
Knowles Electronics, Llc. |
MEMS assembly substrates including a bond layer
|
|
CN112276176A
(zh)
*
|
2020-10-20 |
2021-01-29 |
哈尔滨工业大学 |
一种应用于折叠波导慢波结构的微铣削毛刺抑制方法
|