DE102015104147B4 - Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats (10) von einer Schichtenfolge (11) umfassend die folgenden Schritte:A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes (1) umfassend das Aufwachssubstrat (10), die auf dem Aufwachssubstrat (10) aufgebrachte Schichtenfolge (11) und einen an einer dem Aufwachssubstrat (10) abgewandten Deckfläche (11a) der Schichtenfolge (11) angebrachten Träger (13), wobei- die Schichtenfolge (11) in eine Vielzahl Bereiche (15) strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben (14) voneinander getrennt sind, und- die Trenngräben (14) miteinander verbunden sind,B) Einbringen des zumindest einen Waferverbundes (1) in ein Ätzbad (40) mit einer Ätzlösung (44) derart, dass sich die Ätzlösung (44) zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben (14) befindet,C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad (40) vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung (31, 34, 351, 352) undD) Ablösen des Aufwachssubstrats (10),wobei während der Schritte B) bis D) ein Keil zwischen dem Aufwachssubstrat (10) und dem Träger (13) angesetzt wird, wobei mittels der Druckvariation innerhalb des Ätzbades (40) gezielt ein Volumen von Gasblasen (20) in den Trenngräben (14) geändert wird, sodass die Gasblasen (20) bei geringem Druck der Variation groß und bei hohem Druck der Variation klein gegenüber Strukturgrößen der Trenngräben (14) sind, wobei außerdem- vor Schritt B) eine an das Ätzbad (40) angeschlossene und mit diesem verbundene Pufferkammer (50) bereitgestellt wird und die Druckvariation zu einer Volumenvariation führt und die Volumenvariation durch eine Bewegung eines in die Pufferkammer (50) eingebrachten Kolbens oder Hydraulikstempels (51) erfolgt, und/oder- die Druckvariation zu einer Volumenvariation führt und die Volumenvariation zumindest teilweise mit einem an das Ätzbad (40) angebrachten Kompressor (351) erfolgt, und/oder- die Druckvariation zumindest teilweise durch Entfernen oder Hinzufügen von Gas und Flüssigkeit in beziehungsweise aus dem Ätzbad (40) erfolgt und das Entfernen mit einer an das Ätzbad (40) angeschlossenen ersten Vakuumpumpe (31) erfolgt und das Hinzufügen mit einem an das Ätzbad (40) angeschlossenen Gaseinlass (352) erfolgt.

Description

  • Die Druckschrift DE 197 34 635 A1 beschreibt ein Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats.
  • Aus der Druckschrift US 2012/0 273 815 A1 ist ein Verfahren bekannt, bei dem LED-Chips auf einem Substrat strukturiert werden, sodass Gräben entstehen. Daraufhin wird ein Ersatzträger aufgebracht und eine Ätzflüssigkeit zirkuliert durch die Gräben, um eine Opferschicht aufzulösen, sodass das Substrat abgelöst wird.
  • In den Druckschriften US 2013/0 276 819 A1 , US 6 418 942 B1 und US 2010/0 192 978 A1 finden sich verschiedene Möglichkeit, die Größe von Blasen in einem Flüssigkeitsbad zu variieren.
  • Ein Ablösen einer Kunststoffschicht von Siliziumscheiben mittels eines Keils ist in der Druckschrift EP 2 620 409 B1 offenbart.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein vereinfachtes Verfahren zur, insbesondere zerstörungsfreien, Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge anzugeben.
  • Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats angegeben. Das Verfahren eignet sich zur Trennung eines Aufwachssubstrats von einer auf dem Aufwachssubstrat aufgebrachten Schichtenfolge.
  • Erfindungsgemäß wird zumindest ein Waferverbund bereitgestellt. Der Waferverbund weist eine Haupterstreckungsebene auf, in der er sich in lateralen Richtungen erstreckt. Senkrecht zur Haupterstreckungsebene, in einer vertikalen Richtung, weist der Waferverbund eine Dicke auf, die klein ist gegen die maximale Erstreckung des Waferverbundes in den lateralen Richtungen.
  • Der Waferverbund umfasst ein Aufwachssubstrat und eine auf dem Aufwachssubstrat aufgebrachte, insbesondere zumindest teilweise epitaktisch aufgewachsene, Schichtenfolge. Die Schichtenfolge kann einen Halbleiterschichtenstapel mit einer Vielzahl von Halbleiterschichten umfassen. Insbesondere kann die Schichtenfolge zumindest eine aktive Schicht zur Absorption und/oder zur Emission von Licht oder einen integrierten Schaltkreis aufweisen. Beispielsweise ist die Schichtenfolge zum Einsatz in einem Leuchtdiodenchip, einem Fotodiodenchip und/oder einem Solarzellenchip vorgesehen. Die Schichtenfolge kann ferner eine Opferschicht umfassen, mittels derer der Halbleiterschichtenstapel mit dem Aufwachssubstrat verbunden sein kann.
  • Die Opferschicht kann selektiv zu dem Halbleiterschichtenstapel und/oder zu dem Aufwachssubstrat ätzbar sein. Mit anderen Worten, es existiert zumindest eine Ätzlösung, die bezüglich des Materials der Opferschicht eine wesentlich höhere Ätzrate als bezüglich des Materials des Halbleiterschichtenstapels und/oder des Aufwachssubstrats aufweist. Die Opferschicht kann einen hohen Aluminium-Anteil aufweisen. Insbesondere kann die Opferschicht beispielsweise mit AlnGa1-nAs, wobei 0,6 ≤ n ≤ 1, bevorzugt 0,7 ≤ n ≤ 1, gebildet sein.
  • Der Waferverbund umfasst ferner einen an einer dem Aufwachssubstrat abgewandten Deckfläche der Schichtenfolge angebrachten Träger. Beispielsweise ist der Träger mittels einer Lotschicht, die direkt an die Deckfläche und den Träger angrenzen kann, mechanisch mit der Schichtenfolge verbunden. Der Träger kann beispielsweise mit einer Keramik, einem Kunststoff, einem Metall und/oder einem Halbleitermaterial gebildet sein. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um einen elektrischen Anschlussträger handeln.
  • Erfindungsgemäß ist die Schichtenfolge noch am Aufwachssubstrat in eine Vielzahl von Bereichen strukturiert, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben voneinander getrennt sind. Bei den Trenngräben kann es sich um Ausnehmungen in der Schichtenfolge handeln. Die Trenngräben weisen eine Breite auf, die durch die minimale Ausdehnung der Trenngräben in zumindest einer lateralen Richtung gegeben ist. Beispielsweise beträgt die Breite wenigstens 1 µm und höchstens 1000 µm, bevorzugt wenigstens 2 µm und höchstens 200 µm und besonders bevorzugt wenigstens 5 µm und höchstens 100 µm. Entlang der vertikalen Richtung weisen die Trenngräben eine Höhe auf, die zum Beispiel der maximalen Ausdehnung der Schichtenfolge in der vertikalen Richtung entspricht. Bei der Höhe und/oder der Breite der Trenngräben kann es sich insbesondere um deren Strukturgrößen handeln.
  • Die Trenngräben sind lateral miteinander verbunden. Mit anderen Worten, die Trenngräben sind zusammenhängend ausgeführt. Insbesondere sind die Trenngräben derart miteinander verbunden, dass sich von einem Zentrum des Waferverbundes entlang der Trenngräben bis hin zu einer Außenkante des Waferverbundes ein minimaler Querschnitt der Trenngräben von wenigstens 1 µm2, bevorzugt wenigstens 1000 mm2, bevorzugt wenigstens 4 µm2 und höchstens 40 mm2 und besonders bevorzugt wenigstens 10 µm2 und höchstens 1 mm2, ergibt. Der Querschnitt ist insbesondere durch die Strukturgrößen der Trenngräben gegeben.
  • Beispielsweise umgeben die Trenngräben die Bereiche der Schichtenfolge rahmenartig. Insbesondere können die durch die Trenngräben erzeugten Bereiche der Schichtenfolge den zu erzeugenden Chips, zum Beispiel den zu erzeugenden Leuchtdiodenchips, Fotodiodenchips und/oder Solarzellenchips, entsprechen.
  • Erfindungsgemäß wird der zumindest eine Waferverbund in ein Ätzbad mit einer Ätzlösung eingebracht. Bei dem Ätzbad kann es sich insbesondere um eine Reaktionskammer, die zumindest teilweise mit der Ätzlösung gefüllt ist, handeln. Das Ätzbad kann zusätzlich ein Gas, wie beispielsweise Luft, enthalten. Insbesondere kann ein Teil des Gases oder das gesamte Gas als Gasblasen, die sich innerhalb der Ätzlösung befinden, vorliegen. Ein Gesamtvolumen des Ätzbads kann dann durch die Summe eines Flüssigvolumens der Ätzlösung und eines Gasvolumens des Gases gegeben sein. In einem Grenzfall kann das Ätzbad bei Prozessbeginn vollständig mit der Ätzlösung gefüllt sein, wobei das Gesamtvolumen bei Prozessbeginn dann durch das Flüssigvolumen gegeben ist. In diesem Grenzfall entstehen während des Ätzprozesses Gasblasen innerhalb der Ätzlösung, wodurch ein Gasvolumen erzeugt wird.
  • Die Ätzlösung kann Säure, wie beispielsweise 10%ige Flusssäure, sein. Insbesondere kann die Ätzlösung dazu geeignet sein, die Opferschicht der Schichtenfolge selektiv zu ätzen. Ein direkter Kontakt zwischen der Ätzlösung und der Opferschicht kann somit zu einer chemischen Reaktion führen, bei der die Opferschicht mit der Ätzlösung reagiert. Insbesondere wird hierdurch die Opferschicht aufgelöst beziehungsweise von der Schichtenfolge und/oder dem Aufwachssubstrat abgelöst. Ferner können Reaktionsgase und/oder Reaktionsprodukte entstehen. Ein „selektives Ätzen“ der Opferschicht ist beispielsweise dann gegeben, wenn die Ätzlösung für das Material der Opferschicht eine Ätzrate aufweist, die wenigstens einen Faktor 10, bevorzugt einen Faktor 100 und besonders bevorzugt einen Faktor 1000, über der Ätzrate für das Material der Schichtenfolge, des Aufwachssubstrats und/oder des Trägers liegt.
  • Das Einbringen des Waferverbundes in das Ätzbad erfolgt derart, dass der Waferverbund zumindest bereichsweise von der Ätzlösung bedeckt ist. Ferner befindet sich die Ätzlösung zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben. Insbesondere kann sich die Ätzlösung bereichsweise in direktem Kontakt mit der Schichtenfolge, insbesondere der Opferschicht, befinden. Beispielsweise wird die Ätzlösung unter Ausnutzung des Kapillareffekts in die Trenngräben eingebracht. Hierbei ist es möglich, dass die Ätzlösung in die Trenngräben wie in ein dünnes Röhrchen eingesaugt wird.
  • Beispielsweise kann der zumindest eine Waferverbund zunächst in das noch nicht mit der Ätzlösung befüllte Ätzbad eingebracht werden. Anschließend wird die Ätzlösung mit geeigneter Temperatur in das Ätzbad eingebracht beziehungsweise eingesaugt.
  • Erfindungsgemäß wird eine mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad vorherrschenden Basisdrucks durchgeführt. Bei dem Basisdruck kann es sich insbesondere um den durchschnittlichen in dem Ätzbad vorherrschenden Druck handeln. Beispielsweise beträgt der Basisdruck wenigstens 0,01 bar und höchstens 70 bar, bevorzugt wenigstens 0,1 bar und höchstens 30 bar und besonders bevorzugt wenigstens 0,5 bar und höchstens 5 bar.
  • Die Druckvariation erfolgt unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung. Bei der Druckvariationseinrichtung handelt es sich insbesondere um eine Vakuumpumpe, und/oder um einen Kompressor, um einen Gaseinlass und/oder ein Volumenreservoir, wie beispielsweise ein Vakuumreservoir, handeln. Insbesondere kann die Druckvariationseinrichtung mehrere Komponenten, mit denen der Druck innerhalb des Ätzbades variiert werden kann, umfassen.
  • Erfindungsgemäß umfasst das Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge die folgenden Schritte:
    1. A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes umfassend das Aufwachssubstrat, die auf dem Aufwachssubstrat aufgebrachte Schichtenfolge und einen an einer dem Aufwachssubstrat abgewandten Deckfläche der Schichtenfolge angebrachten Träger, wobei
      • - die Schichtenfolge in eine Vielzahl Bereiche strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben voneinander getrennt sind, und
      • - die Trenngräben lateral miteinander verbunden sind,
    2. B) Einbringen des zumindest einen Waferverbunds in ein Ätzbad mit einer Ätzlösung derart, dass sich die Ätzlösung zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben befindet,
    3. C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung und
    4. D) Ablösen des Aufwachssubstrats.
  • Die Verfahrensschritte können insbesondere in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.
  • Erfindungsgemäß weist zumindest die sich innerhalb der Trenngräben befindende Ätzlösung die Gasblasen auf. Bei den Gasblasen kann es sich um kleine Bläschen, die aufgrund der Reaktion der Opferschicht mit der Ätzlösung entstehen, handeln. Mit anderen Worten, die Gasblasen können Reaktionsprodukte des Ätzprozesses sein. Mittels der Druckvariation innerhalb des Ätzbades wird gezielt das Volumen der Gasblasen in den Trenngräben geändert. Erfindungsgemäß sind die Gasblasen bei geringem Druck groß und bei hohem Druck klein gegenüber den Strukturgrößen der Trenngräben. Durch die Druckvariation wird somit ein stetiges Pulsieren von Expansion und Kompression der Gasblasen in der Lösung erzeugt. Diese Änderung des Volumens der Gasblasen erzwingt dann eine Konvektion der Ätzlösung innerhalb der Trenngräben.
  • Bei dem vorliegenden Verfahren wird insbesondere die Idee verfolgt, durch die Druckvariation innerhalb des Ätzbades die Durchflussgeschwindigkeit der Ätzlösung durch die Trenngräben zu erhöhen. Da es sich bei der Ätzlösung um eine nicht komprimierbare Flüssigkeit handeln kann wird hierbei insbesondere der Druck des Gases bzw. der Gasblasen in dem Ätzbad variiert. Ohne die Verwendung der Druckvariation bei dem Ablösen eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge ist der Stofftransport der Reaktionsprodukte beziehungsweise der Reaktanden in den Trenngräben unzureichend. Dementsprechend muss die Konvektion in den Trenngräben erzwungen werden, wobei zudem die Grenzflächenenergien aufgrund der Gasblasen zu überwinden sind. Durch die erhöhte Durchflussgeschwindigkeit kann die Ablösegeschwindigkeit erhöht werden. Mit dem hier beschriebenen Verfahren können somit nasschemische Prozesse, die durch geringe Strukturgrößen und etwaige Gasentwicklung transportlimitiert sind, beschleunigt werden.
  • Insbesondere kann durch die Druckvariation das Volumen der Gasblasen, die sich innerhalb der Trenngräben in der Ätzlösung befinden, verändert werden und damit der erhöhte Durchfluss durch die Trenngräben erzeugt werden. Selbst Gasblasen, die bei kleinen Strukturgrößen durch Kapillarkräfte eingeschlossen sind, werden durch die Druckvariation mobilisiert, sodass nun der Transport der Ätzlösung nicht mehr behindert, sondern durch diese erzwungene Konvektion optimiert ist. Ferner steigen die in den Trenngräben eingeschlossenen Gasblasen im Verlauf der Druckvariation durch den überlagerten hydrostatischen Druck auf und können so die Trenngräben verlassen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Druckvariation ein Wechseln zwischen einem Maximaldruck und einem Minimaldruck. Insbesondere wird zeitlich zwischen dem Maximaldruck und dem Minimaldruck gewechselt. Bevorzugt erfolgt ein mehrmaliges, zeitlich periodisches Wechseln zwischen dem Minimaldruck und dem Maximaldruck. Bei dem Minimaldruck kann es sich um den Sättigungsdampfdruck der Ätzlösung handeln.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens entspricht der Maximaldruck wenigstens dem 1,5-Fachen, bevorzugt wenigstens dem 2-Fachen und besonders bevorzugt wenigstens dem 10-Fachen, des Basisdrucks. Ferner entspricht der Minimaldruck höchstens dem 0,5-Fachen, bevorzugt höchstens dem 0,2-Fachen und besonders bevorzugt höchsten dem 0,1-Fachen, des Basisdrucks. Beispielsweise beträgt der Basisdruck 1 bar. Beispielsweise kann der Minimaldruck beziehungsweise der Maximaldruck dann 0,2 bar beziehungsweise 2 bar sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Druckvariation zeitlich periodisch mit einer Variationsfrequenz von wenigstens 0,01 Hz, bevorzugt wenigstens 0,1 Hz und besonders bevorzugt wenigstens 0,5 Hz, und höchstens 15 kHz, bevorzugt höchstens 10 kHz und besonders bevorzugt höchstens 500 Hz. Beispielsweise kann mit der Variationsfrequenz zwischen dem Maximaldruck und dem Minimaldruck gewechselt werden. Insbesondere ist die Variationsfrequenz an die niedrige Strömungsgeschwindigkeit der Ätzlösung innerhalb der Trenngräben angepasst. Alternativ oder zusätzlich kann die Variationsfrequenz an die Beweglichkeit der Ätzlösung in den Trenngräben angepasst sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens beinhaltet die Druckvariation eine Volumenvariation zwischen einem Minimalvolumen und einem Maximalvolumen um ein Basisvolumen des Ätzbads herum. Mit anderen Worten, das Volumen des Ätzbads, insbesondere das Gasvolumen des Ätzbads, wird, bevorzugt zeitlich periodisch, vergrößert beziehungsweise verkleinert, um so eine Druckvariation innerhalb des Ätzbades zu erzeugen. Bei dem Basisvolumen kann es sich um das Gasvolumen des Ätzbads, bevor die Volumenvariation begonnen wurde, handeln. Die Volumenvariation kann insbesondere mit der Volumenvariationseinrichtung durchgeführt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens entspricht das Maximalvolumen wenigstens dem 5-Fachen, bevorzugt wenigstens dem 10-Fachen und besonders bevorzugt wenigstens dem 40-Fachen, des Basisvolumens und/oder das Minimalvolumen höchstens dem 0,8-Fachen, bevorzugt höchstens dem 0,5-Fachen und besonders bevorzugt höchstens dem 0,3-Fachen, des Basisvolumens.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor Schritt B) eine Pufferkammer bereitgestellt und an das Ätzbad angeschlossen und mit diesem verbunden bereitgestellt. Beispielsweise handelt es sich bei der Pufferkammer um eine Vakuumkammer und/oder eine Überdruckkammer. Die Pufferkammer kann mittels Vakuumleitungen oder direkt mit dem Ätzbad verbunden sein. Die Pufferkammer kann insbesondere zylinderförmig ausgebildet sein und ein Hubraumvolumen aufweisen. Das Minimalvolumen entspricht dann dem reinen Volumen des Ätzbades und der verbindenden Vakuumleitung, während das Maximalvolumen dem Volumen des Ätzbades inklusive dem verfügbaren Hubraumvolumen entspricht. Die erzeugbare Volumenvariation, das heißt die erzeugbare Differenz zwischen dem Minimalvolumen und dem Maximalvolumen, steigt mit dem Verhältnis von dem Hubraumvolumen zu dem Volumen des Ätzbades und der Vakuumleitungen. Insbesondere kann das Maximalvolumen zum Minimalvolumen ein Verhältnis von beispielsweise 10:1 aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Volumenvariation durch eine Bewegung eines in die Pufferkammer eingebrachten Kolbens oder eines in die Pufferkammer eingebrachten Hydraulikstempels. Insbesondere kann das Hubraumvolumen mittels des Kolbens oder des Hydraulikstempels dem Volumen des Ätzbades hinzugeschaltet beziehungsweise von diesem entfernt werden. Durch eine periodische Bewegung des Kolbens beziehungsweise Hydraulikstempels unter Verwendung beispielsweise einer Kurbelwelle wird somit ein Druckwechsel mit einer Kurbelwellenfrequenz, bei der es sich um die Variationsfrequenz handeln kann, erzeugt. Insbesondere kann die Kurbelwellenfrequenz wenigstens 0,01 Hz, bevorzugt wenigstens 0,1 Hz und besonders bevorzugt wenigstens 1 Hz, und höchstens 15 kHz, bevorzugt höchstens 10 kHz und besonders bevorzugt höchstens 500 Hz, betragen. Beispielsweise kann die Kurbelwellenfrequenz wenigstens im Bereich von Infraschall liegen.
  • In einer Abwandlung des Verfahrens weist die Pufferkammer zumindest ein Variationsventil auf. Die Volumenvariation erfolgt durch Verschließen und/oder Öffnen des Variationsventils. Das Variationsventil kann zusätzlich oder alternativ zu dem Kolben beziehungsweise Hydraulikstempel vorgesehen sein. Das Variationsventil kann individuell, beispielsweise mit einem Piezo, angesteuert werden. Hierdurch kann wahlweise ein zusätzlicher Überdruck oder Unterdruck beziehungsweise der Minimaldruck oder Maximaldruck in dem Ätzbad eingestellt werden. Durch die Verwendung des Variationsventils ist es möglich, hohe Variationsfrequenzen und hohe Volumenvariationen zu erzielen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Volumenvariation zumindest teilweise mit einem an das Ätzbad angebrachten Kompressor. Unter Verwendung des Kompressors kann das Volumen beispielsweise vereinfacht auf das Minimalvolumen reduziert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Druckvariation zumindest teilweise durch Entfernen oder Hinzufügen von Gas und/oder Flüssigkeit aus dem beziehungsweise in das Ätzbad. Die Druckvariation wird dann durch eine Variation der Gasmenge beziehungsweise Flüssigkeitsmenge in dem Ätzbad erzeugt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Entfernen von Gas und/oder Flüssigkeit mit einer an das Ätzbad angeschlossenen ersten Vakuumpumpe. Ferner erfolgt das Hinzufügen von Gas und/oder Flüssigkeit mit einem an das Ätzbad angeschlossenen Gaseinlass beziehungsweise Flüssigkeitseinlass. Insbesondere ist es möglich, dass mit dem Gaseinlass Stickstoffgas in das System eingelassen wird.
  • Die erste Vakuumpumpe kann zusätzlich ein Belüftungsventil aufweisen, durch welches bei dem Ätzprozess entstehendes Reaktionsgas abgeleitet werden kann. Hierdurch kann effektiv eine Druckvariation innerhalb des Ätzbades erzeugt werden. Ein weiterer Vorteil bei der Verwendung der ersten Vakuumpumpe liegt darin, dass der mit einer Vakuumpumpe erreichbare minimale Druck innerhalb des Ätzbades geringer als der Sättigungsdampfdruck der Ätzlösung ist. Hierdurch ist der erreichbare Minimaldruck limitiert, sodass die Ätzlösung ohne eine Erhöhung einer Prozesstemperatur zum Sieden gebracht werden kann. Dies ermöglicht die Erzeugung zusätzlicher Gasblasen innerhalb der Trenngräben. Bei einer Ablösung ohne intrinsische Entwicklung von Gasblasen können auf diese Weise Gasblasen zur Steigerung der Konvektion erzeugt werden.
  • Besonders schnelle und starke Druckvariationen lassen sich erzeugen, wenn in dem Ätzbad neben den Reaktionsprodukten wenig oder kein zusätzliches Gasvolumen vorliegt. Dies lässt sich beispielsweise durch zusätzliches Abpumpen der Reaktionsprodukte mit einer zweiten Vakuumpumpe und/oder der ersten Vakuumpumpe erreichen. Ferner kann bei einem geringen Gasvolumen mit einem Kolbenprozessor oder auch einem Hydraulikstempel die Druckdifferenz präzise eingestellt und geregelt werden.
  • Zwischen dem Ätzbad und der ersten Vakuumpumpe kann zusätzlich das Volumenreservoir geschaltet sein, das relativ zum Volumen des Ätzbades großvolumig ausgebildet sein kann. Hierdurch kann der Druckabfall im Ätzbad zusätzlich beschleunigt werden. Alternativ oder zusätzlich kann über eine Belüftungsseite der ersten Vakuumpumpe komprimiertes Gas in das Ätzbad eingebracht werden, um eine Druckerhöhung zu beschleunigen, wobei das Ätzbad in diesem Fall überdruckfest ausgebildet ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Ätzbad vor oder während Schritt C) in ein Ultraschallbad eingebracht. Anschließend wird eine Ultraschallstrahlung mittels dem Ultraschallbad an das Ätzbad angelegt. Durch die Ultraschallstrahlung kann die Oberflächenspannung reduziert werden, wodurch die Haftung der Gasblasen an den Wänden der Trenngräben verringert wird. Aufgrund der hohen Frequenzen der Ultraschallstrahlung im Bereich von wenigen kHz können geringe Amplituden der Strahlung eingesetzt werden. Hierbei hat sich gezeigt, dass eine normalerweise zu erwartende physikalische Zerstörung der Oberflächen der Schichtenfolge, des Trägers und/oder des Aufwachssubstrats nicht eintritt, sondern vielmehr die Bewegung der Ätzlösung in den Trenngräben mittels Ultraschallstrahlung erhöht werden kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Ätzbad unter Verwendung eines Heizers auf eine Prozesstemperatur erhitzt. Die Prozesstemperatur beträgt wenigstens 0 °C, bevorzugt wenigstens 20 °C und besonders bevorzugt wenigstens 40 °C, und höchstens die Temperatur am thermodynamischen kritischen Punkt der Ätzlösung. Eine Erhöhung der Prozesstemperatur ermöglicht insbesondere eine Erhöhung des Basisdrucks. Somit kann auf einfache Weise eine höhere Druckvariation erzeugt werden, da ein höherer Basisdruck eine höhere Amplitude ermöglicht. Zudem kann durch die erhöhte Prozesstemperatur die chemische Reaktion der Ätzlösung mit der Opferschicht beschleunigt werden.
  • Erfindungsgemäß wird während Schritt B) bis D) ein Keil zwischen das Aufwachssubstrat und den Träger angesetzt. Insbesondere wird der Keil zwischen das Aufwachssubstrat und die Schichtenfolge angesetzt. Bei einem Keil handelt es sich insbesondere um einen Körper, bei dem zwei Seitenflächen unter einem spitzen Winkel zusammenlaufen. Ein solcher Keil dient insbesondere als Fühler für den Fortschritt des Ablöseprozesses, da bei einem fortschreitenden Ätzprozess die Eindringtiefe des Keils zwischen den Träger und das Aufwachssubstrat erhöht wird. Ferner kann der Keil aktiv ausgenutzt werden, um den Ablöseprozess durch Aufbiegen des Waferverbundes zu beschleunigen. Eine zusätzliche Verspannung zwischen dem Aufwachssubstrat und dem Träger, beispielsweise durch eine leichte Krümmung des Aufwachssubstrats und/oder des Trägers, kann einen Ablöseprozess weiter beschleunigen.
  • Es ist zudem möglich, unter Verwendung von galvanischem beziehungsweise elektrochemischem Ätzen die chemische Reaktion zwischen der Ätzlösung und der Opferschicht zu beschleunigen oder die Selektivität des Ätzprozesses zu dem Aufwachssubstrats und/oder dem Träger zu erhöhen.
  • Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren anhand von Figuren näher erläutert.
    • Die 1A und 1B zeigen Beispiele eines Waferverbundes zur Durchführung eines hier beschriebenen Verfahrens.
    • Die 2 bis 6 zeigen Beispiele eines Vakuumsystems zur Durchführung eines hier beschriebenen Verfahrens.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellung der 1A ist ein Beispiel eines Waferverbundes 1 zur Durchführung eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Der Waferverbund 1 umfasst ein Aufwachssubstrat 10, auf das eine Schichtenfolge 11 mit einer Opferschicht 111 und einem Halbleiterschichtenstapel 112 aufgebracht ist. Die Schichtenfolge 11 weist eine dem Aufwachssubstrat 10 abgewandte Deckfläche 11a auf. Auf der Deckfläche 11a ist ein Träger 13 aufgebracht. Bei dem Träger 13 kann es sich beispielsweise um eine Anschlussplatine und/oder eine Leiterplatte handeln. Es ist möglich, dass der Träger 13 als Material Silizium, Germanium, Saphir und/oder ein anderweitiges, bevorzugt kristallines, Material, das nicht von der Ätzlösung geätzt wird, umfasst. Ferner kann das Aufwachssubstrat 10 Silizium, Germanium, Saphir und/oder das anderweitige, nicht von der Ätzlösung geätzte, Material umfassen oder aus einem dieser Materialien bestehen.
  • Die Schichtenfolge 11 ist in eine Vielzahl von lateral beabstandeter Bereiche 15 strukturiert. Die Bereiche sind durch Trenngräben 14 voneinander getrennt. Die Trenngräben 14 durchdringen die Schichtenfolge 11 in der vertikalen Richtung vollständig.
  • Anhand der schematischen Aufsicht der 1B ist ein weiteres Beispiel eines Waferverbundes 1 näher erläutert. Der Waferverbund 1 weist die Vielzahl von Bereiche 15, die durch die Trenngräben 14 voneinander getrennt sind, auf. Die Trenngräben 14 umschließen die Bereiche 15 rahmenartig. Insbesondere sind die Trenngräben 14 zusammenhängend ausgebildet und mit einer Außenkante 1d des Waferverbundes 1 verbunden.
  • Anhand der schematischen Darstellung der 2 ist ein Beispiel eines Vakuumsystems 3 für ein hier beschriebenes Verfahren näher erläutert. Die Druckvariationseinrichtung 3 umfasst ein Ätzbad 40. Das Ätzbad 40 ist vorliegend rein exemplarisch in ein Ultraschallbad 41 eingebracht, mit dem eine Ultraschallstrahlung 42 an das Ätzbad 40 angelegt werden kann. Ferner kann das Ätzbad 40 mit einem Heizer 43 auf eine Prozesstemperatur erhitzt werden.
  • Das Vakuumsystem 3 umfasst eine Vielzahl von Druckmessern 38 und Ventilen 39. Bei den Ventilen 39 kann es sich um, insbesondere chemiefeste, Absperrventile handeln. Ferner umfasst das Vakuumsystem 3 eine Vielzahl von Vakuumverbindungen 310, deren Funktion im Folgenden näher erläutert ist.
  • Über einen Chemikalienzulauf 311 ist ein Chemikalienreservoir 36 mit dem Ätzbad 40 verbunden. Mit dem Chemikalienreservoir 36 kann insbesondere die Ätzlösung 44 in das Ätzbad 40 eingebracht werden.
  • Über die Überdruckleitung 314 ist ein Kompressor 351 und/oder ein Gaseinlass 352 mit dem Ätzbad 40 verbunden. Mit der Überdruckleitung 314 kann ein Überdruck in dem Ätzbad 40 erzeugt werden. Beispielsweise erfolgt das Erzeugen des Überdrucks durch Reduktion des Volumens, insbesondere eines Gasvolumens 45 (in der 2 nicht gezeigt), innerhalb des Ätzbads 40 mit dem Kompressor 351. Alternativ oder zusätzlich kann der Druck in dem Ätzbad 40 mit einem Gaseinlass 352 erhöht werden.
  • Ferner kann das Ätzbad 40 über eine Vakuumleitung 312 mit einem Vakuumreservoir 34 und/oder einer ersten Vakuumpumpe 31 verbunden sein. Bei der ersten Vakuumpumpe 31 kann es sich beispielsweise um eine chemiefeste Vakuumpumpe, wie eine Scrollpumpe, eine Membranpumpe oder eine Wasserstrahlpumpe, handeln. Die erste Vakuumpumpe 31 kann ferner eine Kühlfalle aufweisen, die bevorzugt eine Temperatur unterhalb der Gefriertemperatur der Ätzlösung aufweist. Beispielsweise enthält die Kühlfalle Flüssigstickstoff oder Trockeneis. An der ersten Vakuumpumpe 31 ist zudem eine Abluft 321 angebracht. Mit der Abluft 321 können beispielsweise bei der Reaktion der Ätzlösung 44 mit der Opferschicht 111 entstehende Reaktionsgase aus dem System entfernt werden.
  • Bei dem Vakuumreservoir 34 kann es sich beispielsweise um ein evakuiertes Gefäß handeln, das über die Ventile 39 mit dem Ätzbad 40 verbunden werden kann, um so einen Druckabfall in dem Ätzbad 40 zu beschleunigen. Insbesondere kann in dem Vakuumreservoir 34 ein Vakuum, beispielsweise mit einem Druck von höchstens 0,5 bar, bevorzugt höchstens 0,05 bar, herrschen.
  • Die erste Vakuumpumpe 31, das Vakuumreservoir 34, der Kompressor 351 beziehungsweise der Gaseinlass 352 sind über Kontrollverbindungen 301 mit einer Druckwechselsteuerung 30 verbunden. Die Druckwechselsteuerung 30 ist insbesondere programmierbar und dient der gezielten Einstellung des Drucks in dem Ätzbad 40.
  • Das Vakuumsystem 3 weist ferner einen Chemikalienablauf 313 auf. An den Chemikalienablauf 313 ist ein DI-Wasserzulauf 315 angeschlossen. Der DI-Wasserzulauf 315 führt zu einer Pumpeinheit 32, bei der es sich beispielsweise um einen Wasserzulauf oder um eine Wasserstrahlpumpe handeln kann. Die Pumpeinheit 32 weist einen Abfluss 322 und einen Zulauf 323 auf. Der DI-Wasserzulauf 315 dient insbesondere dem Spülen des Waferverbundes 1 innerhalb des Ätzbads 40.
  • Ferner ist das Ätzbad 40 über den Chemikalienablauf 313 mit einer zweiten Vakuumpumpe 33 verbunden. Bei der zweiten Vakuumpumpe 33 kann es sich ebenfalls um eine chemiefeste Vakuumpumpe, wie beispielsweise eine Scrollpumpe, eine Membranpumpe oder eine Wasserstrahlpumpe, handeln. Die zweite Vakuumpumpe 33 ist über eine Woulfesche Flasche 37, die einen Druckmesser 38 aufweist, an den Chemikalienablauf 313 angeschlossen. Über den Chemikalienablauf 313 kann die Ätzlösung 44 aus dem Ätzbad 40 entfernt werden. Hierfür weist die zweite Vakuumpumpe 33 ebenfalls einen Abfluss 322 auf.
  • Das Vakuumsystem 3 kann zusätzlich ein Gasdetektor aufweisen, mit dem die entstandenen Reaktionsgase detektiert werden können. Hierdurch kann das Prozessende entsprechend bestimmt werden. Beispielsweise können die Reaktionsgase an einer Deckseite 40a des Ätzbades 40 gesammelt werden. Insbesondere kann die Deckseite 40a eine trichterförmige Kontur aufweisen, wobei am höchsten Punkt ein Messzylinder mit ablesbarer Skala angebracht ist. An der Senkhöhe des Meniskus der Skala kann die Gasmenge abgelesen werden, wenn der Flüssigkeitsspiegel sinkt.
  • Anhand der schematischen Darstellung der 3 ist ein weiteres Beispiel eines Vakuumsystems 3 für ein hier beschriebenes Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats 10 näher erläutert. Die 3 zeigt einen Querschnitt durch das Ätzbad 40. In dem Ätzbad 40 ist zumindest ein Waferverbund 1 eingebracht. Ferner enthält das Ätzbad 40 die Ätzlösung 44 und ein Gas 45, bei dem es sich beispielsweise um Luft handeln kann. Ein Flüssigvolumen der Ätzlösung 44 und ein Gasvolumen des Gases 45 bilden dann zusammen ein Gesamtvolumen des Ätzbads 40. Es ist jedoch auch möglich, dass das Ätzbad 40 vollständig mit der Ätzlösung 44 gefüllt ist. Die Ätzlösung 44 kann wenigstens 80 %, bevorzugt wenigstens 90 % und besonders bevorzugt wenigstens 95 %, des Waferverbunds 1 vollständig.
  • An einer Deckseite 40a des Ätzbades 40 befinden sich zwei Vakuumanschlüsse, wobei über Schraubdichtungen 403 jeweilige Vakuumverbindungen 310 mit dem Ätzbad 40 verbunden sind.
  • Insbesondere kann die Deckseite 40a des Ätzbades 40 einen Deckel aufweisen.
  • An der linken Seite der Deckseite 40a des Ätzbades 40 ist die Vakuumleitung 312 angebracht, die über ein Ventil 39 mit dem Ätzbad 40 verbunden ist, dargestellt. An die Vakuumleitung 312 ist die erste Vakuumpumpe 31 (in der 3 nicht näher dargestellt) angebracht. Über die Vakuumleitung 312 kann mit der ersten Vakuumpumpe 31 der Druck innerhalb des Ätzbads 40 verringert werden.
  • An der rechten Seite der Deckseite 40a des Ätzbades 40 ist die Überdruckleitung 314 angebracht, die mit dem Kompressor 351 und/oder dem Gaseinlass 352 verbunden ist (in der 3 nicht näher dargestellt). Mit dem Kompressor 351 beziehungsweise dem Gaseinlass 352 kann über die Überdruckleitung 314 der Druck innerhalb des Ätzbades 40 erhöht werden.
  • In der 3 ist ferner schematisch die Auswirkung der Druckvariation mittels der Vakuumleitung 312 und der Überdruckleitung 314 dargestellt. Insbesondere wird eine bevorzugte Bewegungsrichtung 21 der Ätzlösung 44 in dem Waferverbund 1 erzeugt.
  • In den beiden Vergrößerungen 2, 2' der 3 ist jeweils ein Teil des in das Ätzbad 40 eingebrachten Waferverbundes 1 dargestellt. Der Waferverbund 1 enthält die Trenngräben 14, innerhalb derer die Ätzlösung 44 eingebracht ist. Zusätzlich weisen die Trenngräben 14 Gasblasen 20 auf. Beispielsweise können die Gasblasen 20 durch die chemische Reaktion der Ätzlösung 44 mit der nicht näher dargestellten Opferschicht 111 der Schichtenfolge 11 erzeugt worden sein. Die linke Vergrößerung 2 zeigt die Gasblasen 20 bei einem hohen Druck, insbesondere dem Maximaldruck. Das Volumen der Gasblasen 20 ist bei einem hohen Druck klein. Die rechte Vergrößerung 2' zeigt die Gasblasen 20 bei einem niedrigeren Druck, insbesondere dem Minimaldruck. Aufgrund der Reduktion des Druckes erhöht sich das Volumen der Gasblasen 20 und es entsteht eine Konvektion 22. Durch diese Konvektion 22 wird eine Bewegung der Gasblasen 20 innerhalb der Trenngräben erzeugt.
  • Anhand der schematischen Darstellungen der 4 ist ein weiteres Beispiel eines für ein hier beschriebenes Verfahren verwendeten Vakuumsystems 3 näher erläutert. Das gezeigte Beispiel entspricht dem der 3, wobei weitere technische Komponenten wie folgt vorhanden sind. Mehrere Waferverbunde 1, sogenannte Horden, sind mittels einer Waferhalterung 47 in das Ätzbad 40 innerhalb der Ätzlösung 44 eingebracht. Zum Verschließen des Ätzbades 40 dienen Schraubklemmen 401 und Abdichtungen 402. Ferner ist innerhalb des Ätzbads 40 eine Spritzwasserdüse 317 vorgesehen. Die Spritzwasserdüse 317 kann beispielsweise mit dem DI-Wasserzulauf 315 (in der 4 nicht dargestellt) verbunden sein. Mit der Spritzwasserdüse 317 ist es beispielsweise möglich, den Waferverbund 1 nach dem Verfahren zu reinigen und/oder abzuspülen, sodass möglicherweise auf dem Waferverbund 1 vorhandene Ätzlösung 44 von diesem entfernt wird.
  • Anhand der schematischen Darstellung der 5A ist ein weiteres Beispiel eines Vakuumsystems 3 für ein hier beschriebenes Verfahren näher erläutert. Im Gegensatz zu dem Vakuumsystem 3 der 4 umfasst das Vakuumsystem 3 der 5A zusätzlich eine Pufferkammer 50, die seitlich an das Ätzbad 40 angebracht ist. In dem Ausführungsbeispiel der 5A koppelt das Volumen der Pufferkammer 50 direkt an die Ätzlösung 44, also an das Flüssigvolumen, an. Die Pufferkammer 50 ist vorliegend eine zylinderförmige Kammer, die im Inneren einen Hydraulikstempel 51 beziehungsweise einen Kolben 51 aufweist. Mittels einem Drehgelenk 52 und einem Dreharm 53 kann der Kolben 51 beziehungsweise der Hydraulikstempel 51 derart bewegt werden, dass ein Hubraumvolumen der Pufferkammer 50 dem Volumen des Ätzbads 40 hinzugeschaltet beziehungsweise von diesem entfernt werden kann. Hierdurch ist es möglich, das Volumen innerhalb des Ätzbades 40 zu variieren und somit eine Druckvariation innerhalb des Ätzbades 40 zu erzeugen. Die Pufferkammer 50 kann zusätzliche Variationsventile aufweisen (in der 5A nicht näher dargestellt), die individuell gesteuert werden können, um so wahlweise Über- beziehungsweise Unterdruck in dem Ätzbad 40 zu erzeugen.
  • Anhand der schematischen Darstellung der 5B ist ein weiteres Beispiel eines Vakuumsystems 3 für ein hier beschriebenes Verfahren näher erläutert. Im Gegensatz zu dem Vakuumsystem 3 der 5A ist die Pufferkammer 50 an der Deckseite 40a des Ätzbads 40 angebracht und grenzt damit an das Gas 45 an. Die Pufferkammer 50 koppelt in dem gezeigten Ausführungsbeispiel somit an das Gasvolumen des Gases 45 an.
  • Es ist ferner möglich (nicht in den Figuren gezeigt), dass die Pufferkammer 50 derart an das Ätzbad 40 angebracht ist, dass das Volumen der Pufferkammer 50 gleichzeitig mit dem Gas 45 und der Ätzlösung 44 in Kontakt steht.
  • Anhand der schematischen Aufsicht der 6 ist ein weiteres Beispiel eines Vakuumsystems 3 zur Durchführung eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Gezeigt ist eine Aufsicht auf das Ätzbad 40. Hierbei sind die Anschlüsse für die Spritzwasserdüse 317, sowie die Anschlüsse für den Chemikalienzulauf 311, die Vakuumleitung 312, den Chemikalienablauf 313, die Überdruckleitung 314 und den DI-Wasserzulauf 315 dargestellt.
  • Im Gegensatz zu einem alternativen Verfahren, bei dem die Bewegung der Ätzlösung durch ein von außen angelegtes Druckgefälle und nicht eine Druckvariation erhöht wird, entfällt bei dem vorliegenden Verfahren ein Abdichten des Waferverbundes 1. Anstatt somit jeden Waferverbund mit Vakuumdichtungen zu versehen, kann vorliegend einfach im Hordenmaßstab und damit massenfertigungstauglich prozessiert werden.

Claims (7)

  1. Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats (10) von einer Schichtenfolge (11) umfassend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes (1) umfassend das Aufwachssubstrat (10), die auf dem Aufwachssubstrat (10) aufgebrachte Schichtenfolge (11) und einen an einer dem Aufwachssubstrat (10) abgewandten Deckfläche (11a) der Schichtenfolge (11) angebrachten Träger (13), wobei - die Schichtenfolge (11) in eine Vielzahl Bereiche (15) strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben (14) voneinander getrennt sind, und - die Trenngräben (14) miteinander verbunden sind, B) Einbringen des zumindest einen Waferverbundes (1) in ein Ätzbad (40) mit einer Ätzlösung (44) derart, dass sich die Ätzlösung (44) zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben (14) befindet, C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad (40) vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung (31, 34, 351, 352) und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (10), wobei während der Schritte B) bis D) ein Keil zwischen dem Aufwachssubstrat (10) und dem Träger (13) angesetzt wird, wobei mittels der Druckvariation innerhalb des Ätzbades (40) gezielt ein Volumen von Gasblasen (20) in den Trenngräben (14) geändert wird, sodass die Gasblasen (20) bei geringem Druck der Variation groß und bei hohem Druck der Variation klein gegenüber Strukturgrößen der Trenngräben (14) sind, wobei außerdem - vor Schritt B) eine an das Ätzbad (40) angeschlossene und mit diesem verbundene Pufferkammer (50) bereitgestellt wird und die Druckvariation zu einer Volumenvariation führt und die Volumenvariation durch eine Bewegung eines in die Pufferkammer (50) eingebrachten Kolbens oder Hydraulikstempels (51) erfolgt, und/oder - die Druckvariation zu einer Volumenvariation führt und die Volumenvariation zumindest teilweise mit einem an das Ätzbad (40) angebrachten Kompressor (351) erfolgt, und/oder - die Druckvariation zumindest teilweise durch Entfernen oder Hinzufügen von Gas und Flüssigkeit in beziehungsweise aus dem Ätzbad (40) erfolgt und das Entfernen mit einer an das Ätzbad (40) angeschlossenen ersten Vakuumpumpe (31) erfolgt und das Hinzufügen mit einem an das Ätzbad (40) angeschlossenen Gaseinlass (352) erfolgt.
  2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Druckvariation eine Konvektion (22) der Ätzlösung (44) innerhalb der Trenngräben (14) hervorruft.
  3. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Druckvariation ein zeitliches Wechseln zwischen einem Maximaldruck, der wenigstens dem 2-Fachen des Basisdrucks entspricht, und einem Minimaldruck, der höchstens dem 0,2-Fachen des Basisdrucks entspricht, umfasst.
  4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Druckvariation zeitlich periodisch mit einer Variationsfrequenz von wenigstens 0,01 Hz und höchstens 15 kHz erfolgt.
  5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Druckvariation eine Volumenvariation zwischen einem Minimalvolumen und einem Maximalvolumen um ein Basisvolumen des Ätzbades (40) herum beinhaltet, wobei das Maximalvolumen wenigstens dem 3-Fachen und das Minimalvolumen höchstens dem 0,5-Fachen des Basisvolumens entspricht.
  6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Ätzbad (40) vor oder während Schritt C) in ein Ultraschallbad (41) eingebracht wird und eine Ultraschallschallstrahlung (42) an das Ätzbad (40) angelegt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Ätzbad (40) unter Verwendung eines Heizers (43) auf eine Prozesstemperatur erhitzt wird, die wenigstens 80 °C und höchstens die Temperatur am thermodynamischen kritischen Punkt der Ätzlösung (44) beträgt.
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