DE102021214125A1

DE102021214125A1 - Waferherstellungsvorrichtung

Info

Publication number: DE102021214125A1
Application number: DE102021214125.0A
Authority: DE
Inventors: Setsuo Yamamoto
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2020-12-17
Filing date: 2021-12-10
Publication date: 2022-06-23
Also published as: JP2022096455A; US20220193826A1; CZ2021567A3; CZ309709B6; US11628518B2

Abstract

Eine Waferherstellungsvorrichtung beinhaltet einen Spanntisch, der eingerichtet ist, einen SiC-Ingot durch Saugwirkung mit einem herzustellenden Wafer auf einer oberen Seite zu halten, eine Ultraschall-Oszilliereinheit, die eine Endfläche aufweist, die dem herzustellenden Wafer zugewandt ist, und die eingerichtet ist, eine Ultraschallwelle zu oszillieren, eine Wasserzuführeinheit, die eingerichtet ist, Wasser zwischen dem herzustellenden Wafer und der Endfläche der Ultraschall-Oszilliereinheit zuzuführen, und eine Abzieheinheit, die eingerichtet ist, den herzustellenden Wafer anzusaugen, zu halten und den herzustellenden Wafer abzuziehen. Der Spanntisch beinhaltet eine poröse Platte, welche die Saugfläche ausbildet, und eine Basis, welche die poröse Platte unterstützt, und saugt und hält den SiC-Ingot selbst in einem Zustand, in dem eine Fläche einer zweiten Fläche des SiC-Ingots kleiner ist als eine Fläche der Saugfläche, und das Wasser fließt auf der Saugfläche, die am Umfang des SiC-Ingots exponiert ist.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Waferherstellungsvorrichtung.
BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
Verschiedene Arten von elektronischen Bauelementchips, wie zum Beispiel integrierte Schaltkreise (IC), großflächige Integrationen (LSI), lichtemittierende Dioden (LED) und Leistungsbauelemente werden durch Ausbilden von Bauelementen, indem kleinste Schaltkreise auf einem Wafer ausgebildet werden, der mit einer Drahtsäge dünn aus einem einkristallinen Halbleiteringot aus Silizium, Saphir, Siliziumkarbid (SiC) oder Ähnlichem geschnitten wurde, und Zerschneiden des Wafers in einzelne Chips hergestellt. Wenn der Wafer jedoch durch Schneiden des einkristallinen Halbleiteringots mit einer Drahtsäge und Polieren der oberen und unteren Fläche des Wafers hergestellt wird, werden 70 bis 80 % des Volumens eines Ingots verworfen, was unwirtschaftlich ist.
Insbesondere der einkristalline SiC-Ingot zeigt Probleme bei der effizienten Herstellung von Wafern, da der einkristalline SiC-Ingot eine hohe Härte aufweist und es daher schwierig ist, den einkristallinen SiC-Ingot mit der Drahtsäge zu schneiden und das Schneiden des einkristallinen SiC-Ingots viel Zeit in Anspruch nimmt, was zu einer geringen Produktivität führt, und da die Stückkosten des einkristallinen SiC-Ingots hoch sind.
Zur Lösung dieser Probleme wurde eine Technologie vorgeschlagen (siehe z. B. das japanische offengelegte Patent Nr. 2019-102513), die eine Trennschicht in einer geplanten Schnittfläche ausbildet, indem ein Brennpunkt eines durch den einkristallinen SiC-Ingot übertragbaren Laserstrahls im Inneren des Ingots positioniert und der Laserstrahl aufgebracht wird, und den Wafer trennt.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es gibt verschiedene Arten von einkristallinen SiC-Ingots, die einen Durchmesser von beispielsweise drei Inch bis sechs Inch aufweisen. Eine Abziehvorrichtung, die im offengelegten japanischen Patent Nr. 2019-102513 offenbart ist, verwendet einen Spanntisch, der Saugnuten in einer Saugfläche aufweist, die mit den Größen der jeweiligen Ingots korrespondieren. Daher muss bei der Abziehvorrichtung, die im japanischen offengelegten Patent Nr. 2019-102513 offenbart ist, der Spanntisch jedes Mal ausgetauscht werden, wenn die Größe eines Ingots geändert wird.
Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Waferherstellungsvorrichtung bereitzustellen, die den Wechsel eines Spanntisches reduzieren kann.
In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Waferherstellungsvorrichtung zur Herstellung eines Wafers aus einem Halbleiteringot bereitgestellt, bei der eine Abziehschicht durch Positionieren eines Brennpunkts eines Laserstrahls mit einer durch den Halbleiteringot übertragbaren Wellenlänge in einer Tiefe, die mit einer Dicke des herzustellenden Wafers korrespondiert, und Aufbringen des Laserstrahls ausgebildet wird, wobei die Waferherstellungsvorrichtung einen Spanntisch, der so eingerichtet ist, dass er den Halbleiteringot mit dem herzustellenden Wafer auf einer oberen Seite an einer Saugfläche hält, eine Ultraschall-Oszilliereinheit mit einer Endfläche, die dem herzustellenden Wafer zugewandt ist, und so eingerichtet ist, dass sie eine Ultraschallwelle oszilliert, eine Wasserzuführeinheit, die so eingerichtet ist, dass sie Wasser zwischen dem herzustellenden Wafer und der Endfläche der Ultraschall-Oszilliereinheit zuführt, eine Abzieheinheit, die so eingerichtet ist, dass sie den herzustellenden Wafer ansaugt und hält und den herzustellenden Wafer von dem Halbleiteringot abzieht, und eine Wasseraufnahmeeinheit aufweist, die so eingerichtet ist, dass sie den Spanntisch umgibt und das Wasser aufnimmt, das abgegeben wird, nachdem es von der Wasserzuführeinheit zu dem Halbleiteringot geführt wurde und auf der Saugfläche des Spanntisches an einem Umfang des Halbleiteringots fließt. Der Spanntisch beinhaltet eine poröse Platte, welche die Saugfläche bildet, und eine Basis, welche die poröse Platte unterstützt und einen Verbindungsdurchgang aufweist, der so eingerichtet ist, dass er einen Unterdruck auf die poröse Platte ausübt, und der Spanntisch saugt den Halbleiteringot an und hält ihn selbst in einem Zustand, in dem eine Fläche einer unteren Fläche des Halbleiteringots kleiner ist als eine Fläche der Saugfläche und das Wasser an der am Umfang des Halbleiteringots exponierten Saugfläche fließt.
Vorzugsweise weist die Saugfläche der porösen Platte einen ersten Bereich, der einem ersten Halbleiteringot mit einem ersten Durchmesser entspricht, und einen zweiten Bereich auf, der den ersten Bereich umgibt, wobei Verbindungsdurchgänge, die eingerichtet sind, wahlweise einen Unterdruck oder einen Überdruck auszuüben, bei einer Fläche der porösen Platte mit Bereichen verbunden sind, die mit dem ersten Bereich bzw. dem zweiten Bereich korrespondieren, wobei die Fläche auf der zu der Saugfläche gegenüberliegenden Seite ist, und wenn der erste Halbleiteringot angesaugt und gehalten wird, wird der Unterdruck durch den mit dem ersten Bereich verbundenen Verbindungsdurchgang ausgeübt und wird der Überdruck durch den mit dem zweiten Bereich verbundenen Verbindungsdurchgang ausgeübt.
Vorzugsweise ist eine Dekompressionspumpe als Saugquelle mit dem Verbindungsdurchgang des Spanntisches gekoppelt, ein Druckmesser ist an dem Verbindungsdurchgang installiert, und eine Differenz zwischen den Messwerten des Druckmessers bei Betätigung der Dekompressionspumpe in einem Zustand, in dem nichts an der Saugfläche der porösen Platte angebracht ist, und in einem Zustand, in dem der Ingot auf der Saugfläche der porösen Platte platziert ist, ist gleich oder größer als 5 kPa.
Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der beigefügten Ansprüche, mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
Figurenliste

1 ist eine Draufsicht auf einen SiC-Ingot als Bearbeitungsziel einer Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform;
2 ist eine Seitenansicht des in 1 dargestellten SiC-Ingots;
3 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der von der Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform hergestellt wurde;
4 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand während eines Ausbildens einer Abziehschicht in dem in 1 dargestellten SiC-Ingot darstellt;
5 ist eine Seitenansicht, die einen Zustand während eines Ausbildens der Abziehschicht in dem in 4 dargestellten SiC-Ingot darstellt;
6 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel für eine Ausführung der Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform schematisch darstellt;
7 ist eine Schnittansicht, welche die in 6 dargestellte Waferherstellungsvorrichtung schematisch darstellt;
8 ist eine perspektivische Ansicht eines Spanntisches der in 6 dargestellten Waferherstellungsvorrichtung;
9 ist eine perspektivische Explosionsansicht des in 8 dargestellten Spanntisches;
10 ist eine Schnittansicht, welche die Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform zu einem Zeitpunkt der Bearbeitung eines zweiten SiC-Ingots schematisch darstellt;
11 ist eine Schnittansicht, welche die Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform zum Zeitpunkt einer Bearbeitung eines ersten SiC-Ingots schematisch darstellt;
12 ist eine Schnittansicht, die den von dem in 10 dargestellten zweiten SiC-Ingot abgezogenen Wafer schematisch darstellt; und
13 ist eine Schnittansicht, die einen Spanntisch einer Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer Abwandlung der Ausführungsform schematisch darstellt.

AUSFÜHRLICHE ERLÄUTERUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im Detail beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die bei der nachfolgenden Ausführungsform beschriebenen Inhalte beschränkt. Darüber hinaus beinhalten die nachfolgend beschriebenen Bestandteile Bestandteile, die für den Fachmann ohne weiteres denkbar und im Wesentlichen identische Bestandteile sind. Ferner können die im Folgenden beschriebenen Ausführungen in geeigneter Weise miteinander kombiniert werden. Darüber hinaus können verschiedene Auslassungen, Ersetzungen oder Abwandlungen von Ausführungen vorgenommen werden, ohne vom Gegenstand der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Eine Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Als Erstes wird ein SiC-Ingot als Bearbeitungziel-Ingot der Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform beschrieben. 1 ist eine Draufsicht auf den SiC-Ingot als ein Bearbeitungsziel der Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform. 2 ist eine Seitenansicht des in 1 dargestellten SiC-Ingots. 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der mit der Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform hergestellt wurde. 4 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand eines Ausbildens einer Abziehschicht in dem in 1 dargestellten SiC-Ingot darstellt. 5 ist eine Seitenansicht, die einen Zustand eines Ausbildens der Abziehschicht in dem in 4 dargestellten SiC-Ingot darstellt.
Der in 1 und 2 dargestellte SiC-Ingot 1 ist bei der Ausführungsform als Ganzes mit einer zylindrischen Form ausgebildet. Bei der Ausführungsform ist der SiC-Ingot 1 ein hexagonaler einkristalliner SiC-Ingot.
Wie in 1 und 2 dargestellt, weist der SiC-Ingot 1 eine erste Fläche 2 als kreisförmige Endfläche, eine kreisförmige zweite Fläche 3 (entsprechend einer unteren Fläche) an der Unterseite der ersten Fläche 2 und eine Umfangsfläche 4 auf, die mit der äußeren Kante der ersten Fläche 2 und der äußeren Kante der zweiten Fläche 3 verbunden ist. Darüber hinaus weist der SiC-Ingot 1 auf der Umfangsfläche 4 eine erste Ausrichtungsebene 5, die eine Kristallausrichtung angibt, und eine zweite Ausrichtungsebene 6 senkrecht zur ersten Ausrichtungsebene 5 auf. Die Länge der ersten Ausrichtungsebene 5 ist länger als die Länge der zweiten Ausrichtungsebene 6.
Darüber hinaus weist der SiC-Ingot 1 eine c-Achse 9, die in Bezug auf eine Senkrechte 7 zu der ersten Fläche 2 in einer Neigungsrichtung 8 zu der zweiten Ausrichtungsebene 6 hin um einen Abweichungswinkel α geneigt ist, und eine c-Ebene 10 auf, die senkrecht zu der c-Achse 9 verläuft. Die c-Ebene 10 ist in Bezug auf die erste Fläche 2 des SiC-Ingots 1 um den Abweichungswinkel α geneigt. Die Neigungsrichtung 8 der c-Achse 9 von der Senkrechten 7 aus ist senkrecht zur Erstreckungsrichtung der zweiten Ausrichtungsebene 6 und parallel zur ersten Ausrichtungsebene 5. Auf molekularer Ebene des SiC-Ingots 1 ist eine unendliche Anzahl von c-Ebenen 10 im SiC-Ingot 1 angeordnet. Bei der Ausführungsform ist der Abweichungswinkel α auf 1°, 4° oder 6° eingestellt. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung kann der SiC-Ingot 1 jedoch mit einem Abweichungswinkel α hergestellt werden, der beispielsweise in einem Bereich von 1° bis 6° frei eingestellt werden kann.
Außerdem wird die erste Fläche 2 des SiC-Ingots 1 als Spiegelfläche ausgebildet, indem sie einer Polierbearbeitung durch eine Poliervorrichtung unterzogen wird, nachdem eine Schleifvorrichtung die erste Fläche 2 einer Schleifbearbeitung unterzogen hat.
Ein in 3 dargestellter Wafer 11 wird hergestellt, indem ein Teil des SiC-Ingots 1 abgezogen wird und eine vom SiC-Ingot 1 abgezogene Fläche 12 einer Schleifbearbeitung, Polierbearbeitung und dergleichen unterzogen wird. Nachdem der Wafer 11 von dem SiC-Ingot 1 abgezogen worden ist, werden Bauelemente auf der oberen Fläche des Wafers 11 ausgebildet. Bei der Ausführungsform handelt es sich bei den Bauelementen um Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), mikroelektromechanische Systeme (MEMS) oder Schottky-Barrieredioden (SBDs). Bei der vorliegenden Erfindung sind die Bauelemente jedoch nicht auf MOSFETs, MEMS und SBDs beschränkt. Im Übrigen sind die gleichen Teile des Wafers 11 wie die des SiC-Ingots 1 mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und ihre Beschreibung wird weggelassen.
Nachdem der in 1 und 2 dargestellte SiC-Ingot 1 eine Abziehschicht 13 ausgebildet hat, wie sie in 4 und 5 dargestellt ist, wird der herzustellende Wafer 11 mit der Abziehschicht 13 als Ausgangspunkt von dem SiC-Ingot 1 abgezogen. Die Abziehschicht 13 wird im Inneren des SiC-Ingots 1 ausgebildet, indem ein Brennpunkt 22 (dargestellt in 5) eines gepulsten Laserstrahls 21 (dargestellt in 5) mit einer für den SiC-Ingot 1 durchlässigen Wellenlänge von der ersten Ausrichtungsebene 2 des SiC-Ingots 1 aus in einer Tiefe 23 (dargestellt in 5) positioniert wird, die mit einer Dicke 14 (dargestellt in 3) des herzustellenden Wafers 11 korrespondiert, und der gepulste Laserstrahl 21 entlang der zweiten Ausrichtungsebene 6 aufgebracht wird.
Wenn der SiC-Ingot 1 mit dem gepulsten Laserstrahl 21 mit der Wellenlänge bestrahlt wird, die durch den SiC-Ingot 1 übertragbar ist, wird im Inneren des SiC-Ingots 1 entlang der zweiten Ausrichtungsebene 6 ein modifizierter Abschnitt 24 ausgebildet, in dem SiC durch das Aufbringen des gepulsten Laserstrahls 21 in Silizium (Si) und Kohlenstoff (C) getrennt wird, der als nächstes aufgebrachte gepulste Laserstrahl 21 von dem zuvor gebildeten C absorbiert wird und SiC in Si und C in einer kettenartigen Weise getrennt wird, und ein Riss, der sich von dem modifizierten Abschnitt 24 entlang der c-Ebene 10 erstreckt, erzeugt wird. Wenn also der SiC-Ingot 1 mit dem gepulsten Laserstrahl 21 mit der Wellenlänge bestrahlt wird, die durch den SiC-Ingot 1 übertragbar ist, wird die Abziehschicht 13 ausgebildet, die den modifizierten Abschnitt 24 und den von dem modifizierten Abschnitt 24 entlang der c-Ebene 10 ausgebildeten Riss beinhaltet.
Nachdem der SiC-Ingot 1 über eine gesamte Länge in einer Richtung parallel zur zweiten Ausrichtungsebene 6 mit dem Laserstrahl 21 bestrahlt wurde, werden der SiC-Ingot 1 und eine nicht dargestellte Laserstrahl-Bestrahlungseinheit, die den Laserstrahl 21 aufbringt, relativ zueinander entlang der ersten Ausrichtungsebene 5 angestellt. Eine Anstellungs-Bewegungsdistanz 25 ist zu diesem Zeitpunkt gleich oder kleiner als die Breite des Risses. Im Inneren des SiC-Ingots 1 wird erneut eine Abziehschicht 13 ausgebildet, indem der Brennpunkt 22 in der Tiefe 23 positioniert wird, die mit der Dicke 14 der ersten Fläche 2 korrespondiert, und der gepulste Laserstrahl 21 entlang der zweiten Ausrichtungsebene 6 aufgebracht wird. Der Vorgang des Bestrahlens des SiC-Ingots 1 mit dem Laserstrahl 21 entlang der zweiten Ausrichtungsebene 6 und der Vorgang des Anstellens der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit relativ entlang der ersten Ausrichtungsebene 5 werden wiederholt.
Folglich wird in dem SiC-Ingot 1 die Abziehschicht 13, die den modifizierten Abschnitt 24, in dem SiC in Si und C getrennt wird, und den Riss aufweist, und die eine geringere Festigkeit als die anderen Teile aufweist, bei jeder Bewegungsdistanz der Anstellung von der ersten Fläche 2 aus in der Tiefe 23 ausgebildet, die mit der Dicke 14 des Wafers 11 korrespondiert. In dem SiC-Ingot 1 wird die Abziehschicht 13 bei jeder Bewegungsdistanz 25 der Anstellung über die gesamte Länge in der Richtung parallel zur ersten Ausrichtungsebene 5 von der ersten Fläche 2 aus in der Tiefe 23 ausgebildet, die mit der Dicke 14 korrespondiert.
Außerdem gibt es mehrere Arten von SiC-Ingots 1, die sich im Durchmesser 26 unterscheiden. Bei der Ausführungsform stellt eine Waferherstellungsvorrichtung 30 den Wafer 11 aus einem ersten SiC-Ingot 1-1 (der einem ersten Ingot entspricht), der einen ersten Durchmesser 26-1 aufweist, und einem zweiten SiC-Ingot 1-2 (der einem zweiten Ingot entspricht), der einen zweiten Durchmesser 26-2 aufweist, der größer ist als der erste Durchmesser 26-1, als SiC-Ingot 1 her.
(Waferherstellungsvorrichtung)
Als Nächstes wird im Folgenden die Waferherstellungsvorrichtung beschrieben. 6 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel für eine Ausführung der Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform schematisch darstellt. 7 ist eine Schnittansicht, welche die in 6 dargestellte Waferherstellungsvorrichtung schematisch darstellt. 8 ist eine perspektivische Ansicht eines Spanntisches der in 6 dargestellten Waferherstellungsvorrichtung. 9 ist eine perspektivische Explosionsansicht des in 8 dargestellten Spanntisches. Die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform ist eine Vorrichtung, die den in 3 dargestellten Wafer 11 durch Abziehen des Wafers 11 von dem SiC-Ingot 1-1 oder 1-2, in dem die Abziehschicht 13 ausgebildet ist, herstellt.
Wie in 6 und 7 dargestellt, beinhaltet die Waferherstellungsvorrichtung 30 einen Spanntisch 31, eine Wasserzuführeinheit 33 (nur in 6 dargestellt), eine Ultraschall-Oszilliereinheit 34 (nur in 6 dargestellt), eine Abzieheinheit 35 (nur in 6 dargestellt), eine Wasseraufnahmeeinheit 36 und eine Steuerungseinheit 100 (nur in 6 dargestellt).
Der Spanntisch 31 hält den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 mit dem zu fertigenden Wafer 11 auf einer oberen Seite. Die obere Fläche des Spanntisches 31 ist eine Saugfläche 32 parallel zu einer horizontalen Richtung. Die zweite Fläche 3 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 ist an der Saugfläche 32 angebracht, und der Spanntisch 31 hält den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 durch die Saugfläche 32 mit der ersten Fläche 2 nach oben gerichtet. Im Übrigen wird eine detaillierte Ausführung des Spanntisches 31 später beschrieben.
Die Wasserzuführeinheit 33 führt Wasser 331 (dargestellt in 10) zwischen dem herzustellenden Wafer 11 und einer Endfläche 341 der Ultraschall-Oszilliereinheit 34 zu. Die Wasserzuführeinheit 33 ist ein Rohr, das an seinem unteren Ende das Wasser 331 zuführt, das von einer nicht dargestellten Wasserzufuhrquelle zugeführt wird. Die Wasserzuführeinheit 33 führt bei der Ausführungsform das Wasser 331 auf die erste Fläche 2 des an dem Spanntisch 31 gehaltenen SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 zu. Bei der Ausführungsform ist die Wasserzuführeinheit 33 übrigens in einem Gehäuse 342 der Ultraschall-Oszilliereinheit 34 bereitgestellt und führt das Wasser 331 von der Außenseite der Endfläche 341 der Ultraschall-Oszilliereinheit 34 zu.
Die Ultraschall-Oszilliereinheit 34 ist in dem Gehäuse 342 untergebracht. Die Ultraschall-Oszilliereinheit 34 ist mit ihrer Endfläche 341 dem zu fertigenden Wafer 11 des auf dem Spanntisch 31 gehaltenen SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 zugewandt. Die Ultraschall-Oszilliereinheit 34 oszilliert eine Ultraschallwelle und bringt die oszillierte Ultraschallwelle auf den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 auf. Die Endfläche 341 der Ultraschall-Oszilliereinheit 34 ist der ersten Fläche 2 des auf dem Spanntisch 31 gehaltenen SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 in einer Richtung senkrecht zur Saugfläche 32 und der ersten Fläche 2 zugewandt.
Die Ultraschall-Oszilliereinheit 34 beinhaltet einen Ultraschallschwinger und eine Sonotrode, deren Endfläche 341 dem herzustellenden Wafer 11 zugewandt ist. Der Ultraschallschwinger ist z.B. durch ein bekanntes piezoelektrisches Element ausgebildet. Dem Ultraschallschwinger wird von einer nicht dargestellten Leistungsquelle Leistung zugeführt, sodass der Ultraschallschwinger entlang der oben beschriebenen senkrechten Richtung mit einer Frequenz gleich oder höher als 20 kHz und gleich oder niedriger als mehrere Gigahertz mit einer Amplitude von mehreren Mikrometern bis zu mehreren zehn Mikrometern schwingt (diese Schwingung wird im Folgenden als Ultraschallschwingung bezeichnet). Die Sonotrode ist mit einer säulenförmigen Form ausgebildet und an einer Endfläche des Ultraschallschwingers befestigt, die näher an der Saugfläche 32 liegt.
Die Ultraschall-Oszilliereinheit 34 bringt eine Ultraschallwelle auf die erste Fläche 2 des auf dem Spanntisch 31 gehaltenen SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 auf, indem die Endfläche 341 in das von der Wasserzuführeinheit 33 zugeführte Wasser 331 eingetaucht ist (dargestellt in 10), die Endfläche 341 durch die Ultraschallschwingung des Ultraschallschwingers mit Ultraschall in Schwingung versetzt wird und dadurch die erste Fläche 2 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 über das Wasser 331 mit Ultraschall in Schwingung versetzt wird. Darüber hinaus sind bei der Ausführungsform die Wasserzuführeinheit 33 und die Ultraschall-Oszilliereinheit 34 so vorgesehen, dass sie durch einen nicht dargestellten Hebe- und Senkmechanismus angehoben und abgesenkt werden können.
Die Abzieheinheit 35 saugt und hält den herzustellenden Wafer 11 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2, auf den die Ultraschallwelle aufgebracht wird, und zieht den Wafer 11 von dem SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 ab. Die Abzieheinheit 35 beinhaltet ein Transportpad 351, das den herzustellenden Wafer 11 ansaugt und auf einer unteren Fläche von diesem hält, und eine nicht dargestellte Bewegungseinheit, die das Transportpad 351 in horizontaler Richtung frei bewegt und über dem Spanntisch 31 das Transportpad 351 hebt oder senkt. Die bewegliche Einheit bewegt das Transportpad 351 entlang der horizontalen Richtung zwischen einer Position oberhalb des Spanntisches 31 und einer Position, die von oberhalb des Spanntisches 31 zurückgezogen ist.
Die Wasseraufnahmeeinheit 36 umgibt den Spanntisch 31. Die Wasseraufnahmeeinheit 36 nimmt das Wasser 331 auf, das von der Wasserzuführeinheit 33 dem SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 zugeführt wird und auf die Saugfläche 32 des Spanntisches 31 am Umfang des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 fließt. Bei der Ausführungsform ist die Wasseraufnahmeeinheit 36 als Kastenform mit einem geschlossenen Boden ausgebildet und weist in einem oberen Abschnitt von dieser eine Öffnung auf, weist den Spanntisch 31 auf dem Boden installiert auf und umgibt den Spanntisch 31. Wie in 7 dargestellt, öffnet sich im Boden der Wasseraufnahmeeinheit 36 eine Abflussöffnung 361, die das Wasser 331 nach außen abgibt.
Wie in 7, 8 und 9 dargestellt, beinhaltet der Spanntisch 31 eine poröse Platte 40 und eine Basis 50. Die obere Fläche der porösen Platte 40 bildet die Saugfläche 32 aus, und die poröse Platte 40 ist mit einer Scheibenform ausgebildet, deren Außendurchmesser größer ist als der zweite Durchmesser 36-2 des zweiten SiC-Ingots 1-2 und deren Dicke gleichmäßig ist.
Daher ist die Fläche der zweiten Fläche 3 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 kleiner als die Fläche der Saugfläche 32 des Spanntisches 31.
Die poröse Platte 40 wird durch eine poröse Keramik als poröses Material ausgebildet. Bei der Ausführungsform wird die poröse Keramik der porösen Platte 40 beispielsweise durch Mischen von Aluminiumoxid-Schleifkörnern einer vorbestimmten Größe, eine Fritte und ein flüssiges Haftmittel hergestellt und die Mischung bei 600°C bis 1300°C gebrannt, nachdem die Mischung in eine Scheibenform gepresst wurde.
Als Ergebnis der Herstellung durch das oben beschriebene Herstellungsverfahren beträgt die Porosität der porösen Keramik, welche die poröse Platte 40 ausbildet, als Volumenverhältnis gleich oder mehr als 40% und gleich oder weniger als 70%, und der Durchmesser der durch Poren ausgebildeten Entlüftungslöcher ist gleich oder mehr als 10 µm und gleich oder weniger als 25 µm. Bei der Ausführungsform ist die poröse Platte 40 so eingestellt, dass in einem Fall, in dem eine Dekompressionspumpe 56 (dargestellt in 7) als Saugquelle mit dem Spanntisch 31 verbunden ist, in einem Zustand betrieben wird, in dem nichts auf der Saugfläche 32 angebracht ist, ein Druckwert, der von einem Druckmesser 57 gemessen wird, der einem später beschriebenen zusammenlaufenden Verbindungsdurchgang 54-2 bereitgestellt ist, in einem vorgegebenen Bereich liegt, der kleiner ist als der Wert einer üblichen Ausführung. Bei der Ausführungsform liegt der vorbestimmte Bereich zum Beispiel zwischen -65 kPa (Manometerdruck) und -20 kPa (Manometerdruck).
Darüber hinaus weist die Saugfläche 32 der porösen Platte 40 bei der Ausführungsform einen ersten Bereich 321 (Bereich der Saugfläche 32, der sich auf der Innenseite einer gestrichelten Linie in 6, 8, 9 oder dergleichen befindet), der mit dem ersten SiC-Ingot 1-1 korrespondiert, und einen zweiten Bereich 322 (Bereich der Saugfläche 32, der sich auf der Außenseite der gestrichelten Linie in 6, 8, 9 oder dergleichen befindet) auf, der den ersten Bereich 321 umgibt. Bei der Ausführungsform ist die planare Form des ersten Bereichs 321 und des zweiten Bereichs 322 eine Kreisform, die zu der planaren Form der Saugfläche 32 koaxial ist. Darüber hinaus ist bei der Ausführungsform der Durchmesser des ersten Bereichs 321 gleich dem ersten Durchmesser 26-1 des ersten SiC-Ingots 1-1.
Daher wird der erste Bereich 321 mit dem ersten SiC-Ingot 1-1 angebracht, wenn die Saugfläche 32 den ersten SiC-Ingot 1-1 hält. Der erste Bereich 321 und der zweite Bereich 322 werden mit dem zweiten SiC-Ingot 1-2 angebracht, wenn die Saugfläche 32 den zweiten SiC-Ingot 1-2 hält. Während die Grenze zwischen dem ersten Bereich 321 und dem zweiten Bereich 322 durch die gestrichelte Linie in 6, 8, 9 oder Ähnliches angedeutet ist, wird die Grenze zwischen dem ersten Bereich 321 und dem zweiten Bereich 322 auf der Saugfläche 32 einer tatsächlichen porösen Platte 40 nicht angezeigt.
Die Basis 50 unterstützt die poröse Platte 40. Die Basis 50 beinhaltet Verbindungsdurchgänge 54, die einen Unterdruck auf die poröse Platte 40 wirken lassen. Bei der Ausführungsform ist die Basis 50 aus einem Metall wie z.B. rostfreiem Stahl ausgebildet, hat eine scheibenförmige Form, deren Außendurchmesser mit dem Außendurchmesser der porösen Platte 40 korrespondiert, und deren Dicke gleichmäßig ist, und ist bei der Mitte des Bodens der Wasseraufnahmeeinheit 36 installiert.
Die Basis 50 unterstützt die poröse Platte 40, wobei die poröse Platte 40 an einer oberen Fläche 51 parallel zur horizontalen Richtung angebracht ist. Daher ist die obere Fläche 51 der Basis 50 mit einer Fläche 41 der porösen Platte 40 angebracht, die sich auf einer der Saugfläche 32 gegenüberliegenden Seite befindet. In der oberen Fläche 51 der Basis 50 sind ein mittlerer ausgesparter Abschnitt 52, dessen planare Form kreisförmig ist, und mehrere ringförmig ausgesparte Abschnitte 53 mit einer Ringform ausgebildet.
Bei der Ausführungsform sind der mittlere ausgesparte Abschnitt 52 und die mehreren ringförmig ausgesparten Abschnitte 53 an Positionen ausgebildet, die koaxial zu der oberen Fläche 51 der Basis 50 sind. Bei der Ausführungsform ist der Durchmesser des mittleren ausgesparten Abschnitts 52 kleiner als der Durchmesser des ersten Bereichs 321. Bei der Ausführungsform sind drei ringförmig ausgesparte Abschnitte 53 in der oberen Fläche 51 ausgebildet. Bei der vorliegenden Erfindung ist die Anzahl der in der oberen Fläche 51 ausgebildeten ringförmig ausgesparten Abschnitte 53 jedoch nicht auf drei begrenzt. Im Übrigen werden die drei ringförmig ausgesparten Abschnitte 53 im Folgenden als ein erster ringförmig ausgesparter Abschnitt 53-1, ein zweiter ringförmig ausgesparter Abschnitt 53-2 und ein dritter ringförmig ausgesparter Abschnitt 53-3 in der Reihenfolge von innen beschrieben.
Der Innendurchmesser und der Außendurchmesser des ersten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-1 sind größer als der Durchmesser des mittleren ausgesparten Abschnitts 52 und kleiner als der Durchmesser des ersten Bereichs 321. Der Innendurchmesser und der Außendurchmesser des zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-2 sind größer als der Innendurchmesser und der Außendurchmesser des ersten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-1 und der Durchmesser des ersten Bereichs 321. Der Innendurchmesser und der Außendurchmesser des dritten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-3 sind größer als der Innendurchmesser und der Außendurchmesser des zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-2 und der Durchmesser des ersten Bereichs 321.
Die Verbindungsdurchgänge 54 weisen jeweils ein Ende, das sich in den jeweiligen Böden des mittleren ausgesparten Abschnitts 52, des ersten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-1, des zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-2 und des dritten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-3 öffnet, und ein anderes Ende auf, das mit dem Sammelverbindungsdurchgang 54-2 als ein Verbindungsdurchgang in Verbindung steht. Der Sammelverbindungsdurchgang 54-2 ist mit der Dekompressionspumpe 56 verbunden. Die Verbindungsdurchgänge 54 und der Sammelverbindungsdurchgang 54-2 sind durch in der Basis 50 ausgebildete Strömungsdurchgänge oder ein mit der Basis 50 verbundenes Rohr oder Ähnliches ausgebildet.
Die Verbindungsdurchgänge 54 bringen einen Unterdruck dazu, auf die poröse Platte 40 zu wirken, die an der Basis 50 angebracht ist, indem sie von der Dekompressionspumpe 56 angesaugt wird und die poröse Platte 40 an der Basis 50 ansaugt und hält und den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 an der Saugfläche 32 ansaugt und hält, indem der Unterdruck dazu gebracht wird, auf die poröse Platte 40 zu wirken. Die Verbindungsdurchgänge 54, deren ein Ende mit dem mittleren ausgesparten Abschnitt 52 verbunden ist, und der erste ringförmig ausgesparte Abschnitt 53-1 sind übrigens Verbindungsdurchgänge, die mit dem ersten Bereich 321 verbunden sind.
Bei der Ausführungsform ist die Dekompressionspumpe 56 übrigens durch eine wasserdichte Vakuumpumpe ausgebildet. Außerdem ist bei der Ausführungsform der Druckmesser 57, der den atmosphärischen Druck im Sammelverbindungsdurchgang 54-2 misst, am Sammelverbindungsdurchgang 54-2 installiert. Der Druckmesser 57 gibt ein Messergebnis an die Steuerungseinheit 100 aus.
Darüber hinaus öffnen sich die einen Enden der Überdruckverbindungsdurchgänge 55 als Verbindungsdurchgänge in den jeweiligen Böden des mittleren ausgesparten Abschnitts 52, des ersten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-1, des zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-2 und des dritten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-3. Die anderen Enden der Überdruckverbindungsdurchgänge 55 stehen mit einem Sammelüberdruckverbindungsdurchgang 55-2 in Verbindung. Der Sammelüberdruckverbindungsdurchgang 55-2 ist mit einer Überdruckquelle 58 verbunden. Die Überdruckverbindungsdurchgänge 55 und der Sammelüberdruckverbindungsdurchgang 55-2 sind durch Strömungsdurchgänge ausgebildet, die in der Basis 50 oder einem mit der Basis 50 verbundenen Rohr oder Ähnlichem ausgebildet sind. Die Überdruckverbindungsdurchgänge 55 wirken auf die an der Basis 50 angebrachte poröse Platte 40 ein, indem sie mit einem von der Überdruckquelle 58 unter Druck gesetzten Gas versorgt werden, und stellen einen Gasausstoß aus den Entlüftungsöffnungen in der Saugfläche 32 der porösen Platte 40 her, indem sie den Überdruck auf die poröse Platte 40 wirken lassen. Übrigens sind die Überdruckverbindungsdurchgänge 55, deren eine Enden mit dem zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitt 53-2 und dem dritten ringförmig ausgesparten Abschnitt 53-3 verbunden sind, Verbindungsdurchgänge, die mit dem zweiten Bereich 322 verbunden sind.
Darüber hinaus sind die Verbindungsdurchgänge 54, deren eine Enden sich in den jeweiligen Böden des ersten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-1, des zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-2 und des dritten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-3 öffnen, jeweils mit einem Öffnungs- und Schließventil 59 bereitgestellt. Im Folgenden wird das Öffnungs- und Schließventil 59, das für den Verbindungsdurchgang 54 vorgesehen ist, dessen ein Ende sich in dem Boden des ersten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-1 öffnet, als erstes Öffnungs- und Schließventil 59-1 beschrieben, das Öffnungs- und Schließventil 59, das für den Verbindungsdurchgang 54 vorgesehen ist, dessen ein Ende sich in dem Boden des zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-2 öffnet, als zweites Öffnungs- und Schließventil 59-2 beschrieben wird und das Öffnungs- und Schließventil 59, das für den Verbindungsdurchgang 54 vorgesehen ist, dessen ein Ende sich in dem Boden des dritten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-3 öffnet, als drittes Öffnungs- und Schließventil 59-3 beschrieben wird.
Darüber hinaus sind die Überdruckverbindungsdurchgänge 55, deren eine Enden sich in den jeweiligen Böden des ersten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-1, des zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-2 und des dritten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-3 öffnen, jeweils mit einem Öffnungs- und Schließventil 60 versehen. Im Folgenden wird das Überdrucköffnungs-/schließventil 60, das für den Überdruckverbindungsdurchgang 55 vorgesehen ist, dessen ein Ende sich in dem Boden des ersten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-1 öffnet, als erstes Überdrucköffnungs-/schließventil 60-1 beschrieben, das Öffnungs- und Schließventil 60, das für den Überdruckverbindungsdurchgang 55 vorgesehen ist, dessen ein Ende sich in dem Boden des zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-2 öffnet, als ein zweites Überdrucköffnungs-/schließventil 60-2 beschrieben wird, und das Öffnungs- und Schließventil 60, das für den Überdruckverbindungsdurchgang 55 vorgesehen ist, dessen ein Ende sich in dem Boden des dritten ringförmig ausgesparten Abschnitts 53-3 öffnet, als ein drittes Überdrucköffnungs-/schließventil 60-3 beschrieben wird.
Außerdem ist der Sammelverbindungsdurchgang 54-2 mit einem Sammelöffnungs-/schließventil 61 als Öffnungs- und Schließventil bereitgestellt, und der Sammelüberdruckverbindungsdurchgang 55-2 ist mit einem Sammelüberdrucköffnungs-/schließventil 62 als Öffnungs- und Schließventil bereitgestellt.
Folglich sind die Verbindungsdurchgänge 54, 55, 54-2 und 55-2 des Spanntisches 31 mit den Öffnungs- und Schließventilen 59-1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 60-3, 61 und 62 versehen, die einen Enden der Verbindungsdurchgänge 54, 55, 54-2 und 55-2 öffnen sich in den Böden des mittleren ausgesparten Abschnitts 52, dem ersten ringförmig ausgesparten Abschnitt 53-1, dem zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitt 53-2 und dem dritten ringförmig ausgesparten Abschnitt 53-3 in der oberen Fläche 51 der Basis 50, und die Verbindungsdurchgänge 54, 55, 54-2 und 55-2 sind mit der Dekompressionspumpe 56 und der Überdruckquelle 58 verbunden. Die Verbindungsdurchgänge 54, 55, 54-2 und 55-2 stellen dadurch einen Unterdruck oder einen Überdruck her, der selektiv auf Bereiche der Fläche 41 der porösen Platte 40 einwirkt, die mit dem ersten Bereich 321 bzw. dem zweiten Bereich 322 korrespondieren. Daher sind die Verbindungsdurchgänge 54, 55, 54-2 und 55-2, die den Unterdruck oder den Überdruck wahlweise herstellen, mit den Bereichen der Fläche 41 der porösen Platte 40 verbunden, die mit dem ersten Bereich 321 bzw. dem zweiten Bereich 322 korrespondieren. Die mit dem ersten Bereich 321 bzw. dem zweiten Bereich 322 korrespondierenden Bereiche beziehen sich übrigens auf Bereiche der Fläche 41 der porösen Platte 40, die in Richtung der Dicke der porösen Platte 40 mit dem ersten Bereich 321 bzw. dem zweiten Bereich 322 übereinstimmen.
Die Steuerungseinheit 100 bringt die Waferherstellungsvorrichtung 30 dazu, einen Bearbeitungsvorgang des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2, das heißt einen Herstellungsvorgang des Wafers 11, durch Steuern der oben beschriebenen Bestandteile der Waferherstellungsvorrichtung 30 herzustellen. Die Steuerungseinheit 100 ist übrigens ein Computer, der eine arithmetische Verarbeitungseinrichtung, die einen Mikroprozessor wie zum Beispiel eine Central Processing Unit (CPU) aufweist, eine Speichereinrichtung, die einen Speicher wie zum Beispiel einen Read-Only-Memory (ROM) oder einen Random-Access-Memory (RAM) aufweist, und eine Eingabe-Ausgabe-Schnittstelleneinrichtung beinhaltet. Die arithmetische Verarbeitungseinrichtung der Steuerungseinheit 100 führt in Übereinstimmung mit einem in der Speichereinrichtung gespeicherten Computerprogramm eine arithmetische Verarbeitung durch und gibt ein Steuerungssignal zur Steuerung der Waferherstellungsvorrichtung 30 über die Eingabe-Ausgabe-Schnittstelleneinrichtung an die oben beschriebenen Bestandteile der Waferherstellungsvorrichtung 30 aus.
Die Steuerungseinheit 100 ist mit einer nicht dargestellten Anzeigeeinheit, die durch eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung oder Ähnliches ausgebildet ist, die den Zustand des Verarbeitungsvorgangs, ein Bild oder Ähnliches anzeigt, sowie mit einer nicht dargestellten Eingabeeinheit verbunden, die verwendet wird, wenn ein Bediener Informationen zum Verarbeitungsinhalt oder Ähnliches registriert. Die Eingabeeinheit wird durch mindestens ein Touchpanel, das an der Anzeigeeinheit bereitgestellt wird, und eine externe Eingabeeinrichtung wie zum Beispiel eine Tastatur ausgebildet.
Ein Bearbeitungsvorgang der Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 10 ist eine Schnittansicht, welche die Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform zu einem Zeitpunkt schematisch darstellt, zu dem der zweite SiC-Ingot bearbeitet wird. 11 ist eine Schnittansicht, welche die Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Ausführungsform zum Zeitpunkt der Bearbeitung des ersten SiC-Ingots schematisch darstellt. 12 ist eine Schnittansicht, die den Wafer schematisch darstellt, der von dem in 10 dargestellten zweiten SiC-Ingot abgezogen wurde.
Die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform beginnt mit dem Verarbeitungsvorgang, wenn die zweite Fläche 3 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2, in dem die Abziehschicht 13 ausgebildet ist, auf der Saugfläche 32 des Spanntisches 31 angebracht wird, die Steuerungseinheit 100 über die Eingabeeinrichtung Informationen über den Verarbeitungsinhalt erhält und die Informationen über den Verarbeitungsinhalt in der Speichereinrichtung speichert, und die Steuerungseinheit 100 eine Anweisung zum Starten der Verarbeitung vom Bediener erhält. Die Information über den Bearbeitungsinhalt beinhaltet übrigens die Information, ob es sich bei dem Bearbeitungsziel um den ersten SiC-Ingot 1-1 oder den zweiten SiC-Ingot 1-2 handelt.
Bei dem Bearbeitungsvorgang öffnet oder schließt die Waferherstellungsvorrichtung 30 die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 60-3, 61 und 62 in Übereinstimmung damit, ob das Bearbeitungsziel der erste SiC-Ingot 1-1 oder der zweite SiC-Ingot 1-2 ist, und saugt und hält dadurch den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 als Bearbeitungsziel auf der Saugfläche 32. Wie in 10 dargestellt, öffnet die Waferherstellungsvorrichtung 30 in einem Fall, in dem das Bearbeitungsziel der zweite SiC-Ingot 1-2 ist, die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3 und 61, und schließt die Öffnungs- und Schließventile 60-1, 60-2, 60-3 und 62.
Wie in 11 dargestellt, öffnet die Waferherstellungsvorrichtung 30 in einem Fall, in dem das Bearbeitungsziel der erste SiC-Ingot 1-1 ist, die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 60-2, 60-3, 61 und 62, und schließt die Öffnungs- und Schließventile 59-2, 59-3 und 60-1. Wenn also die Waferherstellungsvorrichtung 30 den ersten SiC-Ingot 1-1 ansaugt und auf der Saugfläche 32 des Spanntisches 31 hält, lässt die Waferherstellungsvorrichtung 30 einen Unterdruck durch die Verbindungsdurchgänge 54 wirken, von denen einer in dem mittleren ausgesparten Abschnitt 52 und dem ersten ringförmig ausgesparten Abschnitt 53-1, der mit dem ersten Bereich 321 verbunden ist, endet, und einen Überdruck durch die Verbindungsdurchgänge 55 wirken, von denen einer in dem zweiten ringförmig ausgesparten Abschnitt 53-2 und dem dritten ringförmig ausgesparten Abschnitt 53-3, der mit dem zweiten Bereich 322 verbunden ist, endet.
Darüber hinaus liegt bei der Ausführungsform, wie in 10 und 11 dargestellt, wenn der SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 durch Saugwirkung an die Saugfläche 32 des Spanntisches 31 gesaugt und gehalten wird, der vom Druckmesser 57 gemessene Druckwert in einem zweiten vorbestimmten Bereich, in dem sowohl ein unterer Grenzwert als auch ein oberer Grenzwert niedriger sind als diejenigen des oben beschriebenen vorbestimmten Bereichs. Bei der Ausführungsform liegt der zweite vorbestimmte Bereich zum Beispiel zwischen -90 kPa (Manometerdruck) und -70 kPa (Manometerdruck).
Bei dem Bearbeitungsvorgang senkt die Waferherstellungsvorrichtung 30 die Wasserzuführeinheit 33 und die Ultraschall-Oszilliereinheit 34 ab und bringt die Wasserzuführeinheit 33 und die Ultraschall-Oszilliereinheit 34 in die Nähe der ersten Fläche 2 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2, der auf dem Spanntisch 31 gehalten wird, führt der ersten Fläche 2 des auf dem Spanntisch 31 gehaltenen SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 das Wasser 331 von der Wasserzuführeinheit 33 zu und taucht dabei die Endfläche 341 der Ultraschall-Oszilliereinheit 34 in das Wasser 331 auf der ersten Fläche 2 des gehaltenen SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 ein. Der vom Druckmesser 57 gemessene Druckwert liegt zu diesem Zeitpunkt in dem zweiten vorgegebenen Bereich. Da die poröse Platte 40 des Spanntisches 31 aus einer porösen Keramik ausgebildet ist, deren Porosität gleich oder mehr als 40% und gleich oder weniger als 70% als Volumenverhältnis beträgt und der Durchmesser der durch Poren ausgebildeten Entlüftungslöcher gleich oder mehr als 10 µm und gleich oder weniger als 25 µm beträgt, ist eine Differenz zwischen den Messwerten des Druckmessers 57, wenn die Dekompressionspumpe 56 in einem Zustand betätigt wird, in dem nichts auf der Saugfläche 32 angebracht ist, und in einem Zustand, in dem der SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 auf der Saugfläche 32 platziert ist, gleich oder größer ist als eine Differenz zwischen dem vorbestimmten Bereich und dem zweiten vorbestimmten Bereich, das heißt, 5 kPa.
Außerdem fließt bei dem Bearbeitungsvorgang das Wasser 331, das der ersten Fläche 2 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 durch die Wasserzuführeinheit 33 zugeführt wird, über die erste Fläche 2 und läuft entlang der Umfangsfläche 4 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 nach unten. Das Wasser 331 fließt über die am Umfang des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 exponierte Saugfläche 32, läuft entlang der Umfangsfläche des Spanntisches 31 und wird von der Wasseraufnahmeeinheit 36 aufgenommen. Das Wasser 331 wird dann über die Abflussöffnung 361 abgeleitet. Da die poröse Platte 40 aus einer porösen Keramik ausgebildet ist, deren Porosität gleich oder mehr als 40% und gleich oder weniger als 70% als Volumenverhältnis beträgt und der Durchmesser der durch Poren ausgebildeten Entlüftungslöcher gleich oder mehr als 10 µm und gleich oder weniger als 25 µm ist, kann der Spanntisch 31 den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 selbst in einem Zustand ansaugen und halten, in dem die Fläche der zweiten Oberfläche 3 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 kleiner ist als die Fläche der Saugfläche 32 und das Wasser 331 über die am Umfang des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 exponierte Saugfläche 32 fließt.
Wenn die Porosität der porösen Keramik, welche die poröse Platte 40 ausbildet, als Volumenverhältnis weniger als 40 % des Volumens beträgt und der Durchmesser der durch die Poren ausgebildeten Entlüftungslöcher weniger als 10 µm beträgt, kann der SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 mit der zweiten Fläche 3, die kleiner ist als die Fläche der Saugfläche 32, selbst dann nicht mit einer ausreichenden Saugkraft angesaugt und auf der Saugfläche 32 gehalten werden, wenn ein Entweichen des Unterdrucks unterdrückt werden kann. Wenn die Porosität der porösen Keramik, welche die poröse Platte 40 ausbildet, 70 % als Volumenverhältnis übersteigt und der Durchmesser der durch die Poren ausgebildeten Entlüftungslöcher 25 µm übersteigt, kommt es außerdem zu einem zu starken Entweichen des Unterdrucks, und der SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 mit der zweiten Fläche 3, die kleiner ist als die Fläche der Saugfläche 32, kann nicht mit einer ausreichenden Saugkraft angesaugt und auf der Saugfläche 32 gehalten werden.
Die Waferherstellungsvorrichtung 30 bringt den Ultraschallschwinger der Ultraschall-Oszilliereinheit 34 für eine vorgegebene Zeitspanne zum Schwingen und bringt dadurch eine Ultraschallwelle auf die erste Fläche 2 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 durch die Ultraschall-Oszilliereinheit 34 auf. Dann wird die Ultraschallwelle der Ultraschall-Oszilliereinheit 34 auf die erste Fläche 2 aufgebracht, stimuliert die Abziehschicht 13 und reißt den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 über die gesamte Fläche des herzustellenden Wafers 11 auf, wobei die Abziehschicht 13 als Ausgangspunkt dient.
Nach dem Aufbringen der Leistung auf den Ultraschallschwinger der Ultraschall-Oszilliereinheit 34 für eine vorbestimmte Zeitspanne stoppt die Waferherstellungsvorrichtung 30 die Zufuhr des Wassers 331 durch die Wasserzuführeinheit 33, öffnet die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3 und 61, schließt die Öffnungs- und Schließventile 60-1, 60-2, 60-3 und 62 und hebt die Wasserzuführeinheit 33 und die Ultraschall-Oszilliereinheit 34 an. Die Waferherstellungsvorrichtung 30 bewegt die Abzieheinheit 35 zu einer Position oberhalb des Spanntisches 31, senkt die Abzieheinheit 35 über den Spanntisch 31 ab und bringt die untere Fläche des Transportpads 351 der Abzieheinheit 35 mit der ersten Fläche 2 des auf dem Spanntisch 31 gehaltenen SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 in Kontakt.
Die Waferherstellungsvorrichtung 30 saugt die erste Fläche 2 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 an, die auf dem Spanntisch 31 durch die untere Fläche des Transportpads 351 der Abzieheinheit 35 gehalten wird, hält diese und hebt die Abzieheinheit 35, wie in 12 dargestellt, an. Die Waferherstellungsvorrichtung 30 zieht den herzustellenden Wafer 11 auf der Seite der ersten Fläche 2 von dem SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 ab und nimmt den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 von der Saugfläche 32 des Spanntisches 31 ab. Nachdem der SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 von der Saugfläche 32 des Spanntisches 31 abgenommen worden ist, führt die Waferherstellungsvorrichtung 30 der porösen Platte 40 das druckbeaufschlagte Gas von der Überdruckquelle 58 zu, das heißt, sie bringt einen Überdruck auf die poröse Platte 40 auf, indem sie die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3 und 61 schließt und die Öffnungs- und Schließventile 60-1, 60-2, 60-3 und 62 öffnet. Die Waferherstellungsvorrichtung 30 stößt somit das Gas aus den sich in der Saugfläche 32 öffnenden Poren aus.
Darüber hinaus speichert die Steuerungseinheit 100 der Wafer-Herstellungsvorrichtung 30 den vorbestimmten Bereich und den zweiten vorbestimmten Bereich im Voraus, und nach dem Ansaugen und Halten des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 auf der Saugfläche 32 des Spanntisches 31 bestimmt die Steuerungseinheit 100 auf der Grundlage eines Messergebnisses des Druckmessers 57, ob der durch die Bearbeitungsinhaltsinformationen spezifizierte SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 angesaugt und auf der Saugfläche 32 des Spanntisches 31 gehalten wird oder nicht. Insbesondere in einem Fall, in dem das durch die Bearbeitungsinhaltsinformation spezifizierte Bearbeitungsziel der erste SiC-Ingot 1-1 ist, bestimmt die Steuerungseinheit 100, dass der erste SiC-Ingot 1-1 an der Saugfläche 32 angesaugt und gehalten wird, wenn das Messergebnis des Druckmessers 57 innerhalb des zweiten vorbestimmten Bereichs liegt, nachdem der SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 auf der Saugfläche 32 des Spanntisches 31 angesaugt und gehalten wurde, und die Steuerungseinheit 100 bestimmt, dass der erste SiC-Ingot 1-1 nicht angesaugt und auf der Saugfläche 32 gehalten wird, wenn das Messergebnis des Druckmessers 57 außerhalb des zweiten vorbestimmten Bereichs liegt. Auch in einem Fall, in dem das durch die Verarbeitungsinhaltsinformation spezifizierte Verarbeitungsziel der zweite SiC-Ingot 1-2 ist, stellt die Steuerungseinheit 100 in ähnlicher Weise die Bestimmung her, nachdem sie den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 an der Saugfläche 32 des Spanntisches 31 angesaugt und gehalten hat.
Wie oben beschrieben, beträgt in der Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform die Porosität der porösen Keramik, welche die poröse Platte 40 ausbildet, als Volumenverhältnis gleich oder mehr als 40% und gleich oder weniger als 70%, und der Durchmesser der durch die Poren ausgebildeten Entlüftungslöcher ist gleich oder mehr als 10 µm und gleich oder weniger als 25 µm. Daher kann die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2, der eine zweite Fläche 3 aufweist, die kleiner als die Fläche der Saugfläche 32 ist, auf der Saugfläche 32 des Spanntisches 31 selbst unter Bedingungen ansaugen und halten, bei denen das Wasser 331 auf der Saugfläche 32 fließt.
Daher schließt die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform den Spanntisch 31 ein, der den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 unabhängig von der Fläche der zweiten Fläche 3 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 selbst unter Bedingungen, in denen das Wasser 331 auf der Saugfläche 32 fließt, ansaugen und halten kann, und den Effekt hervorruft, dass der Spanntisch 31 in Übereinstimmung mit der Größe des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 nicht ausgetauscht werden muss. Folglich ruft die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform den Effekt hervor, dass der Wechsel des Spanntisches 31 auch dann reduziert werden kann, wenn der Durchmesser 26-1 oder 26-2 als Größe des zu bearbeitenden SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 geändert wird.
Darüber hinaus ist bei der Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform eine Differenz zwischen den Druckwerten, die gemessen werden, wenn die Dekompressionspumpe 56 einen Unterdruck auf die Saugfläche 32 in einem Zustand, in dem sich nichts auf dem Spanntisch 31 befindet, und einem Zustand, in dem der SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 auf dem Spanntisch 31 angebracht ist, wirken lässt, gleich oder größer als 5 kPa, und die Druckwerte sich somit voneinander unterscheiden. Folglich kann die Steuerungseinheit 100 der Waferherstellungsvorrichtung 30 auf der Grundlage des Messergebnisses des Druckmessers 57 überprüfen, ob der SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 auf der Saugfläche 32 angebracht ist.
Darüber hinaus kann die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der Ausführungsform einen Überdruck von der am Umfang des ersten SiC-Ingots 1-1 exponierten Saugfläche 32 herstellen und somit dagegen vorbeugen, dass beim Abziehen anfallender Abfall an der exponierten Saugfläche 32 angesaugt wird. Infolgedessen kann die Waferherstellungsvorrichtung 30 Schmutz auf der Saugfläche 32 unterbinden.
[Abwandlungen]
Eine Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer Abwandlung der vorliegenden Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 13 ist eine Schnittansicht, die einen Spanntisch der Waferherstellungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der Abwandlung der vorliegenden Ausführungsform schematisch darstellt. Übrigens sind in 13 die gleichen Teile wie bei der Ausführungsform mit den gleichen Bezugsziffern gekennzeichnet, und ihre Beschreibung wird weggelassen.
Wie in 13 dargestellt, ist der Spanntisch 31-1 der Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der in 13 dargestellten Abwandlung, mit der Ausnahme, dass die poröse Platte 40 und die Basis 50 durch Bolzen 70 aneinander befestigt sind, identisch. Während in 13 die ausgesparten Abschnitte 52, 53-1, 53-2 und 53-3 der Basis 50, die Verbindungsdurchgänge 54, 54-2, 55 und 55-2 sowie die Öffnungs- und Schließventile weggelassen sind, weist der Spanntisch 31 bei der vorliegenden Erfindung die ausgesparten Abschnitte 52, 53-1, 53-2 und 53-3 sowie die Verbindungsdurchgänge 54 wie bei der Ausführungsform auf.
Die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der Abwandlung schließt den Spanntisch 31-1 ein, der den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 unabhängig von der Fläche der zweiten Fläche 3 des SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 auch unter Bedingungen ansaugen und halten kann, bei denen das Wasser 331 auf der Saugfläche 32 fließt. Wie bei der Ausführungsform ruft die Waferherstellungsvorrichtung 30 im Ergebnis den Effekt hervor, dass der Wechsel des Spanntisches 31-1 auch dann reduziert werden kann, wenn der Durchmesser 26-1 oder 26-2 als Größe des zu bearbeitenden SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 verändert wird.
Darüber hinaus kann die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung der vorliegenden Erfindung die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3 und 61 öffnen und die Öffnungs- und Schließventile 60-1, 60-2, 60-3 und 62 schließen, nachdem das Bearbeitungsziel auf der Saugfläche 32 angebracht ist, und die Steuerungseinheit 100 kann das Öffnen und Schließen der Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 60-3, 61 und 62 auf der Grundlage des Messergebnisses des Druckmessers 57 steuern. Insbesondere öffnet die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3, und 61 und schließt die Öffnungs- und Schließventile 60-1, 60-2, 60-3, und 62 nachdem das Bearbeitungsziel an der Saugfläche 32 angebracht worden ist, und wenn das Messergebnis des Druckmessers 57 innerhalb des zweiten vorbestimmten Bereichs liegt, setzt die Steuerungseinheit 100 den Bearbeitungsvorgang fort, während sie einen Zustand beibehält, in dem die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3 und 61 geöffnet sind und die Öffnungs- und Schließventile 60-1, 60-2, 60-3 und 62 geschlossen sind.
Nachdem das Bearbeitungsziel auf der Saugfläche 32 angebracht ist, öffnet die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3 und 61 und schließt die Öffnungs- und Schließventile 60-1, 60-2, 60-3 und 62, und wenn das Messergebnis des Druckmessers 57 außerhalb des zweiten vorgegebenen Bereichs liegt, schließt die Steuerungseinheit 100 das dritte Öffnungs- und Schließventil 59-3 und öffnet das dritte Überdrucköffnungs- und Überdruckschließventil 60-3 und das Überdrucköffnungs- und Überdruckschließsammelventil 62, und die Steuerungseinheit 100 bestimmt, ob das Messergebnis des Druckmessers 57 wieder innerhalb des zweiten vorbestimmten Bereichs liegt oder nicht.
Nachdem also das Bearbeitungsziel an der Saugfläche 32 angebracht ist, öffnet die Waferherstellungsvorrichtung 30 in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3 und 61 und schließt die Öffnungs- und Schließventile 60-1, 60-2, 60-3 und 62, und bis das Messergebnis des Druckmessers 57 in den zweiten vorgegebenen Bereich fällt, schließt die Steuerungseinheit 100 die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, und 59-3, die an den Verbindungsdurchgängen 54 bereitgestellt sind, deren eine Enden sich in den ringförmigen ausgesparten Abschnitten 53-1, 53-2 und 53-3 öffnen, in einer von einer äußeren Umfangsseite beginnenden Reihenfolge, und öffnet das Überdrucköffnungs- und Überdruckschließsammelventil 62 und öffnet die Überdrucköffnungs- und Überdruckschließventile 60-1, 60-2 und 60-3, die an den Überdruckverbindungsdurchgängen 55 bereitgestellt sind, deren eine Enden sich in den ringförmigen Aussparungen 53-1, 53-2 und 53-3 öffnen, in einer von einer äußeren Umfangsseite beginnenden Reihenfolge.
In diesem Fall öffnet die Waferherstellungsvorrichtung 30 zusätzlich zu den Effekten der Ausführungsform die Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3 und 61 und schließt die Öffnungs- und Schließventile 60-1, 60-2, 60-3 und 62, nachdem das Bearbeitungsziel auf der Saugfläche 32 angebracht wurde, und die Steuerungseinheit 100 steuert das Öffnen und Schließen der Öffnungs- und Schließventile 59-1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 60-3, 61 und 62 so, dass das Messergebnis des Druckmessers 57 in den zweiten vorgegebenen Bereich fällt. Folglich kann die Waferherstellungsvorrichtung 30 den SiC-Ingot 1-1 oder 1-2 beliebiger Größe auf der Saugfläche 32 der porösen Platte 40 des Spanntisches 31 ordnungsgemäß ansaugen und halten. Dadurch ruft die Waferherstellungsvorrichtung 30 im Ergebnis den Effekt hervor, dass Wechsel des Spanntisches 31 selbst dann weiter verringert werden können, wenn der Durchmesser 26-1 oder 26-2 als Größe des zu bearbeitenden SiC-Ingots 1-1 oder 1-2 verändert wird.
Es ist anzumerken, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorangegangene Ausführungsform beschränkt ist. Das heißt, die vorliegende Erfindung kann auf verschiedene Weise abgewandelt und ausgeführt werden, ohne dass der Gegenstand der vorliegenden Erfindung verlassen wird.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert, und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2019102513 [0005]

Claims

Waferherstellungsvorrichtung zur Herstellung eines Wafers aus einem Halbleiteringot, in dem eine Abziehschicht ausgebildet wird, indem ein Brennpunkt eines Laserstrahls mit einer durch den Halbleiteringot übertragbaren Wellenlänge in einer Tiefe positioniert wird, die mit einer Dicke des herzustellenden Wafers korrespondiert, und der Laserstrahl aufgebracht wird, wobei die Waferherstellungsvorrichtung umfasst: einen Spanntisch, der eingerichtet ist, den Halbleiteringot an einer Saugfläche zu halten, wobei sich der herzustellende Wafer auf einer oberen Seite befindet; eine Ultraschall-Oszilliereinheit mit einer Endfläche, die dem herzustellenden Wafer zugewandt ist, und die zum Oszillieren einer Ultraschallwelle eingerichtet ist; eine Wasserzuführeinheit, die eingerichtet ist, Wasser zwischen dem herzustellenden Wafer und der Endfläche der Ultraschall-Oszilliereinheit zuzuführen; eine Abzieheinheit, die eingerichtet ist, den herzustellenden Wafer anzusaugen und zu halten und den herzustellenden Wafer von dem Halbleiteringot abzuziehen; und eine Wasseraufnahmeeinheit, die eingerichtet ist, den Spanntisch zu umgeben und das Wasser aufzunehmen, das nach dem Zuführen von der Wasserzuführeinheit zu dem Halbleiteringot abgegeben wird und auf der Saugfläche des Spanntisches auf einem Umfang des Halbleiteringots fließt, wobei der Spanntisch eine poröse Platte, welche die Saugfläche ausbildet, und eine Basis aufweist, welche die poröse Platte unterstützt und einen Verbindungsdurchgang aufweist, der so eingerichtet ist, dass er einen Unterdruck auf die poröse Platte wirken lässt, und wobei der Spanntisch den Halbleiteringot selbst in einem Zustand ansaugt und hält, in dem eine Fläche einer unteren Fläche des Halbleiteringots kleiner ist als eine Fläche der Saugfläche und das Wasser auf der Saugfläche fließt, die am Umfang des Halbleiteringots exponiert ist.
Waferherstellungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Saugfläche der porösen Platte einen ersten Bereich, der mit einem ersten Halbleiteringot korrespondiert, der einen ersten Durchmesser aufweist, und einen zweiten Bereich aufweist, der den ersten Bereich umgibt, Verbindungsdurchgänge, die so ausgebildet sind, dass sie wahlweise einen Unterdruck oder einen Überdruck wirken lassen, mit Bereichen verbunden sind, die mit dem ersten Bereich beziehungsweise dem zweiten Bereich in einer Fläche der porösen Platte korrespondieren, wobei die Fläche auf einer der Saugfläche gegenüberliegenden Seite ist, und wenn der erste Halbleiteringot angesaugt und gehalten wird, der Unterdruck dazu gebracht wird, durch den mit dem ersten Bereich verbundenen Verbindungsdurchgang zu wirken, und der Überdruck dazu gebracht wird, durch den mit dem zweiten Bereich verbundenen Verbindungsdurchgang zu wirken.
Waferherstellungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Dekompressionspumpe als Saugquelle mit dem Verbindungsdurchgang des Spanntisches gekoppelt ist, ein Druckmesser an dem Verbindungsdurchgang installiert ist und eine Differenz zwischen gemessenen Werten des Druckmessers, wenn die Dekompressionspumpe in einem Zustand, in dem nichts auf der Saugfläche der porösen Platte angebracht ist, und in einem Zustand, in dem der Halbleiteringot auf der Saugfläche der porösen Platte platziert ist, betätigt wird, gleich oder mehr als 5 kPa beträgt.