DE10260233A1 - Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks und Werkstückträger, insbesondere aus Poröskeramik - Google Patents

Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks und Werkstückträger, insbesondere aus Poröskeramik Download PDF

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Abstract

Erläutert wird unter anderem ein Verfahren, bei dem ein zu bearbeitendes Werkstück (52) mit Hilfe eines Feststoffes (62) an einem Werkstückträger (10) befestigt wird. Der Werkstückträger (10) besteht aus einem porösen Material, z. B. aus einer Poröskeramik. Dieses Bearbeitungsverfahren ermöglicht eine einfache Handhabung des Wafers bei der Bearbeitung. Außerdem lässt sich das Werkstück (52) leicht mit einem Lösungsmittel vom Werkstückträger (10) trennen.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren, bei dem ein zu bearbeitendes Werkstück mit Hilfe eines Feststoffes an einem Werkstückträger befestigt wird.
  • Das Werkstück ist z.B. eine Halbleiterscheibe, d.h. ein sogenannter Wafer. So sind sehr dünne Halbleiterscheiben zu bearbeiten bzw. aus dickeren Halbleiterscheiben herzustellen. Bei Verwendung der SOI-Technik (Silicon on Insulator) beträgt die Dicke der gedünnten Halbleiterscheibe bzw. eines anderen Substrats, z.B. aus Glas oder Keramik, beispielsweise weniger als 20 μm (Mikrometer).
  • Als Feststoff wird beispielsweise ein Klebstoff oder Wachs eingesetzt. Damit werden Werkstück und Werkstückträger aufgrund der Adhäsionskräfte zwischen dem Feststoff und dem Werkstück bzw. dem Werkstückträger sowie aufgrund der Kohäsionskräfte im Feststoff zusammengehalten.
  • Problematisch bei solchen Verfahren ist beispielsweise das gleichmäßige Aufbringen des Feststoffes, insbesondere mit einer ebenen Oberfläche, auf die das Werkstück dann in einer Ebene liegend aufgebracht werden kann. Aber auch beim Trennen des Werkstücks vom Werkstückträger treten Probleme auf, z.B. Werkstückbrüche. Soll das Werkstück besonders vorsichtig gelöst werden, so verlängert sich in der Regel die zum Abtrennen benötigte Zeit erheblich.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung, zum Bearbeiten eines Werkstücks ein einfaches Verfahren anzugeben, das insbesondere ein gleichmäßiges Aufbringen des Feststoffes und insbesondere ein einfaches Trennen von Werkstück und Werkstückträger ermög licht. Außerdem soll ein Werkstückträger angegeben werden, der insbesondere in diesem Verfahren verwendet wird.
  • Die auf das Verfahren bezogene Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Verfahrensschritte gelöst. Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Die Erfindung geht von der Überlegung aus, dass der Werkstückträger aus einem Material bestehen sollte bzw. ein Material enthalten sollte, das einerseits das Verbinden von Werkstück und Werkstückträger mit Hilfe eines Feststoffes begünstigt und das andererseits auch das Trennen von Werkstück und Werkstückträger auf einfache Art ermöglicht. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird deshalb ein Werkstückträger verwendet, der ein poröses Material enthält oder sogar aus einem porösen Material besteht. Porös bedeutet, dass der Werkstückträger eine Vielzahl von Hohlräumen im Inneren und auch an seiner Oberfläche enthält. Diese Hohlräume werden auch als Poren bezeichnet. Eine poröse Fläche hat im Vergleich zu einer glatten Fläche verbesserte Hafteigenschaften für den Feststoff. Poröse Werkstoffe sind außerdem in einer großen Vielzahl vorhanden, so dass geeignete poröse Werkstoffe ausgewählt werden können.
  • Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein gasdurchlässiger Werkstückträger verwendet. Das Gas strömt durch Kanäle aus untereinander verbundenen Poren oder aus langgestreckten Poren. Bei der Weiterbildung wird beim Befestigen des Werkstücks am Werkstückträger ein Unterdruck am Werkstückträger erzeugt, der die Haftung begünstigt. So wird bei einer Ausgestaltung nach dem Aufbringen des Feststoffes in verflüssigter Form und vor dessen Aushärten ein Unterdruck erzeugt. Der Unterdruck saugt den Feststoff in Anfangsabschnitte der Porenkanäle hinein. Abhängig von der Viskosität des Feststoffes muss der Unterdruck nicht die gesamte Zeit des Aushärtens aufrecht erhalten werden, sondern beispielsweise nur am Anfang des Aushärtens.
  • Durch das Ansaugen wird der Feststoff auf einfache Art gleichmäßig verteilt. Luftblasen werden abgesaugt, so dass eine ganzflächige Haftung erreicht wird.
  • Der Unterdruck wird vorzugsweise so eingestellt, dass die Eindringtiefe des verflüssigten Feststoffes die durchschnittliche Porenbreite nicht übersteigt. Durch diese Maßnahme wird die Haftung zwischen Feststoff und Werkstückträger erhöht. Dennoch lässt sich der Feststoff wieder leicht vom Werkstückträger lösen.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Feststoff zum Trennen von Werkstück und Werkstückträger mit Hilfe eines Lösungsmittels abgelöst, beispielsweise mit Hilfe eines organischen Lösungsmittels wie Aceton, Alkohol, Ether oder Isopropanol. Aufgrund der Poren wird das Lösen des Feststoffes vom Werkstückträger und damit auch des Werkstücks vom Werkstückträger begünstigt, insbesondere auch durch Poren, die an den Feststoff angrenzen und untereinander durch Kanäle verbunden sind. Die Kanäle können auch durch langgestreckte Poren gebildet werden, die vom Feststoff beginnend wieder am Feststoff endend im Werkstückträger liegen. Das Ablösen wird beschleunigt, sobald es unter dem Feststoff Poren gibt, die nicht vollständig mit dem Feststoff gefüllt sind bzw. die über Porenkanäle mit anderen Poren verbunden sind, die an den Feststoff angrenzen.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung wird ein für das Lösungsmittel durchlässiger Werkstückträger verwendet. Das bedeutet, dass es in dem porösen Werkstückträger durch untereinander verbundene Poren bzw. durch langgestreckte Poren gebildete Kanäle gibt, in denen das Lösungsmittel transportiert wird, beispielsweise durch Kapillarwirkung oder durch das Erzeugen eines Überdrucks oder eines Unterdrucks. Bei einer Ausgestaltung verlaufen die Kanäle von der an den Feststoff angrenzenden Seite des Werkstoffträgers bis zu der dieser Seite abge wandten Seite des Werkstückträgers. Abzweigungen dieser Kanäle führen ggf. zu Seitenflächen des Werkstückträgers. Insbesondere werden Werkstückträger mit einem verzweigten Porennetz eingesetzt.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung ist das poröse Material eine Keramik, ein Glas, eine Glaskeramik, ein Metall, insbesondere ein Sintermetall, oder eine Metallkeramik. Generell eignen sich Sintermaterialien. Die Porenbildung lässt sich beim Herstellen dieser Materialien fördern, indem bei der Herstellung ausbrennende Materialteilchen zugegeben werden. Die beim erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzten Werkstoffe werden auch als Poröswerkstoffe bezeichnet, z.B. als Poröskeramik bzw. Porösglas.
  • Bei einer Ausgestaltung hat die mittlere Porengröße einen Wert zwischen 20 und 500 μm, bevorzugt zwischen 50 und 100 μm. In dem zuletzt genannten Bereich liegende Porendurchmesser bilden Kanäle mit guter Kapillarwirkung.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung hat die Porosität des porösen Materials einen Wert zwischen 20 % und 50 %. Dabei gibt die Porosität das Verhältnis von Porenvolumen zum Gesamtvolumen des Werkstoffs einschließlich des gesamten Porenvolumens an. Der genannte Bereich bietet einen guten Kompromiss zwischen der Anzahl der Poren und der verbleibenden Stabilität des Werkstückträgers.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung liegt der Wert der offenen Porosität des porösen Materials zwischen 10 % und 60 %, insbesondere zwischen 20 % und 50 %. Dabei gibt die offene Porosität das Verhältnis des Volumens derjenigen Poren zum Gesamtvolumen einschließlich des gesamten Porenvolumens an, die eine Verbindung über einen Porenkanal zum Rand des porösen Materials haben oder die an der Oberfläche des porösen Materials liegen. Dabei wird nicht danach unterschieden, ob die Porenkanäle durchgehend verlaufen oder einseitig, d.h. soge nannte Blindkanäle. Die genannten Bereiche bieten einen guten Kompromiss zwischen vergrößerter Haftung des Feststoffes am Werkstückträger, zwischen leichter Lösbarkeit und zwischen ausreichender Stabilität des Werkstückträgers.
  • Bei einer anderen Ausgestaltung gehören mindestens 10 % oder mindestens 20 % des Porenvolumens zu Porenkanälen, die durch das poröse Material hindurchgehen. Bei dieser Ausgestaltung ist das Heranführen von Lösungsmittel an den Feststoff in ausreichendem Maße gewährleistet.
  • Bei einer anderen Ausgestaltung werden als poröse Materialien die Keramiken nach DIN (Deutsche IntustrieNorm) EN (Europäische Norm) 623-2, 1992 bzw. DIN 51056, 1985 eingesetzt. Bspw. werden Keramiken P 65 oder P 55 verwendet, die u.a. durch die Firma "Rauschert technisches Glas" hergestellt werden.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung sind die Poren unregelmäßig und gemäß einer Gleichverteilung angeordnet. Im Gegensatz zu in einem Raster angeordneten dünnen Bohrungen ergibt sich neben dem verringerten Herstellungsaufwand auch eine homogenere Verteilung der Poren, die das Verbinden von Werkstück und Werkstückträger bzw. das Trennen von Werkstück und Werkstückträger begünstigt.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung wird das am Werkstückträger befestigte Werkstück bei der Bearbeitung gedünnt, insbesondere auf eine Dicke kleiner als 100 μm oder kleiner als 20 μm. Beispielsweise wird ein Schleifverfahren (grinding) durchgeführt, bei dem die Abtragsrate größer als 1 μm/s ist, bspw. 3 μm/s. Zusätzlich wird das Werkstück danach trocken poliert oder mit einem CMP-Verfahren (chemisches mechanisches Polieren) poliert. Dabei liegt die Abtragsrate bspw. bei 1 μm/min. An Stelle des Polierens wird auch ganzflächig geätzt, z.B. mit einem trockenchemischen, einem nasschemischen oder einem chemischen Verfahren, z.B. ein Plasmaätzen oder ein reaktives Ionenätzen. Das so gedünnte Werkstück, z.B. ein Wafer, wird dann z.B. einem lithografischen Verfahren unterzogen. Auch eine Schichtabscheidung lässt sich auf dem gedünnten Werkstück durchführen, um Halbleiterbauelemente oder Leitbahnen zu erzeugen. Bei diesen Bearbeitungsschritten lässt sich auch ein gedünntes Werkstück wie ein Werkstück mit der ursprünglichen Dicke handhaben, insbesondere transportieren, in die Bearbeitungsmaschinen einlegen bzw. einspannen sowie aus den Bearbeitungsmaschinen herausnehmen.
  • Neben dem oben erwähnten Klebstoff oder Wachs werden bei einer nächsten Weiterbildung als Feststoff ein Plastwerkstoff oder ein beidseitig klebendes Klebeband genutzt.
  • Bei einer Weiterbildung füllt der Feststoff auf einfache Art den gesamten Zwischenraum zwischen Werkstück und Werkstückträger aus. Alternativ füllt der Feststoff nur einen Teil des Zwischenraums zwischen Werkstück und Werkstückträger aus, bspw. mehrere voneinander durch Zwischenräume getrennte Bereiche oder einen ringförmigen Bereich, der einen nicht ausgefüllten Bereich umgibt. Durch das teilweise Ausfüllen wird das Ablösen weiter erleichtert.
  • Die Erfindung betrifft in einem weiteren Aspekt einen Werkstückträger, der die Form einer Platte oder einer Scheibe hat. Der Werkstückträger enthält ein poröses Material oder besteht aus einem porösen Material. Damit gelten die oben genannten technischen Wirkungen ebenfalls für den Werkstückträger. Insbesondere hat der Werkstückträger bei Weiterbildungen Merkmale, die ein in dem erfindungsgemäßen Verfahren bzw. in dessen Weiterbildungen eingesetzter Werkstückträger hat. Der Werkstückträger ist insbesondere wieder verwendbar und dient zum Erleichtern des Haltens, Transportierens bzw. Handhabens auch eines gedünnten Werkstücks.
  • Bei einer Weiterbildung hat der Werkstückträger den Umriss eines Halbleiterwafers, d.h. also gegebenenfalls auch einen sogenannten Flat, d.h. eine Abflachung zur Kennzeichnung der Kristallrichtung. Der Durchmesser des Werkstückträgers ist gleich dem Durchmesser eines Halbleiterwafers, d.h. gleich 1'' (1 Zoll bzw. 1 Inch = 25,4 mm), 2'' usw. bis zu einem Durchmesser von 12'' oder 13'' usw. Durch die Wahl eines solchen Durchmessers ist gewährleistet, dass es keinen überstehenden Rand des Halbleiterwafers gibt. Auch steht der Werkstückträger nicht über den Halbleiterwafer heraus. Dies würde beispielsweise das Erzeugen von Unterdruck erschweren.
  • Im Folgenden werden Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens an Hand der Figuren erläutert. Darin zeigen:
  • 1 eine Draufsicht auf einen Werkstückträger,
  • 2 eine Schnittansicht des Werkstückträgers,
  • 3 das Befestigen eines Halbleiterwafers am Werkstückträger,
  • 4 das Dünnen des am Werkstückträger befestigten Halbleiterwafers, und
  • 5 das Trennen von Halbleiterwafer und Werkstückträger mit Hilfe eines Lösungsmittels.
  • 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Werkstückträger 10 aus Keramik RAPOR P65. Der Werkstückträger 10 hat die Form einer Scheibe mit einem Durchmesser DMl von 12'' (1 Zoll gleich 25,4 mm), d.h. etwa 300 mm. An einer Seite 12 ist der Werkstückträger 10 abgeflacht, um einen Flat des am Werkstückträger zu befestigenden Wafers nachzubilden. Der Werkstückträger 10 enthält eine Vielzahl von Poren 14, 16, die an der Oberfläche liegen, an der der Wafer befestigt werden soll.
  • 2 zeigt eine Schnittansicht des Werkstückträgers 10. Eine Dicke D1 des Werkstückträgers 10 beträgt im Ausführungsbeispiel 770 μm (Mikrometer). Diese Dicke entspricht der Dicke eines 12''-Wafers aus Silizium. Auch im Innern des Werkstückträgers 10 liegen eine Vielzahl von Poren 20, 22. Benachbarte Poren sind im Inneren des Werkstückträgers 10 un tereinander zu einer Vielzahl von Porenkanälen 24, 26 verbunden, die von der Oberseite 30, d.h. der Seite zum Befestigen des Wafers bis zur Rückseite 32 des Werkstückträgers 10 verlaufen. Der Porenkanals 24 ist vergleichsweise geradlinig, während der Porenkanal 26 mäanderförmig verläuft.
  • 3 zeigt eine Schnittansicht durch eine Haltevorrichtung 50, die zum Verbinden eines Halbleiterwafers 52 mit dem Werkstückträger 10 dient. Die Haltevorrichtung 50 enthält eine Grundplatte 54, auf der ein Haltering 56 befestigt ist. Der Haltering 56 hat in seinem oberen Teil einen Innendurchmesser, der dem Durchmesser DM1 entspricht. In seinem unteren Teil hat der Haltering 56 einen etwas geringeren Durchmesser, so dass eine Auflagefläche für den Werkstückträger 10 gebildet wird. Es entsteht eine Kammer 58 zwischen dem auf dem Haltering 56 aufliegenden Werkstückträger 10 und der Grundplatte 54. Im Zentrum der Kammer 58 ist in der Grundplatte 54 ein Ansaugkanal 60 angeordnet, der mit einer Unterdruckpumpe verbunden ist.
  • Nach dem Auflegen des Werkstückträgers 10 auf den Haltering 56 wird der Werkstückträger 10 an seiner Oberseite 30 mit einem Klebstoff bestrichen, z.B. mit einem Klebstoff auf Epoxydharzbasis. Nach dem Auftragen des Klebstoffs 62 wird die Unterdruckpumpe eingeschaltet und ein Unterdruck in der Kammer 58 erzeugt, siehe Pfeil 64. Durch den Unterdruck wird der Klebstoff 62 in die Poren auf der Oberseite 30, z.B. in die Poren 14 und 16 sowie in die Anfangsabschnitte der Porenkanäle 24 und 26 gesaugt. Anschließend wird bei weiter aufrecht erhaltenem Unterdruck ein 12''-Halbleiterwafer 52 mit einer Dicke D2 von 750 μm auf die Klebstoffschicht 62 aufgelegt und ggf. leicht angedrückt. Nach dem Aushärten des Klebstoffes 62 wird die Unterdruckpumpe ausgeschaltet.
  • Die Höhe des Halterings 56 ist im Ausführungsbeispiel so bemessen, dass die Seitenflächen des Werkstückträgers 10 und des Klebstoffes 62 vollständig und die Seitenfläche des Halbleiterwafers 52 teilweise bedeckt sind. Durch diese Maßnahme wird bei geeigneter Wahl eines abdichtenden Materials für den Haltering 56 keine Nebenluft gezogen, so dass der Halbleiterwafer 52 gleichmäßig an den Klebstoff 62 gezogen wird. In 3 ist die Schicht aus Klebstoff 62 stark vergrößert im Vergleich zur Schichtdicke des Werkstückträgers 10 bzw. des Halbleiterwafers 52 dargestellt.
  • Nach dem Aushärten wird der am Werkstoffträger 10 befestigte Halbleiterwafer 52 aus der Haltevorrichtung 50 entnommen und mit Hilfe einer Transportvorrichtung, z.B. einer Waferkassette zu einer Schleifmaschine (grinding machine) transportiert. Mit Hilfe der Schleifmaschine wird der Halbleiterwafer 52 Wafer von 750 μm auf 105 μm dünngeschliffen. Während des Schleifens wird der Halbleiterwafer 52 an dem Werkstückträger 10 in einer Haltevorrichtung gehalten. Nach dem Schleifen wird der gedünnte Halbleiterwafer 52 zu einer in 4 gezeigten CMP-Maschine 70 (Chemisches Mechanisches Polieren) transportiert und dort in einen Haltering 72 eingelegt.
  • Wie in 4 dargestellt, ist der Haltering 72 auf einer Grundplatte 74 der CMP-Maschine 70 befestigt. Mit Hilfe eines Schleifwerkzeuges 76 und einem nicht dargestellten Poliermittel (Slurry) wird der Halbleiterwafer 52 um beispielsweise 5 μm gedünnt. Die Dicke des gedünnten Halbleiterwafers 52a beträgt dann 100 μm. Das Schleifwerkzeug 76 enthält einen Antriebsschaft 80, der in einer durch einen Drehrichtungspfeil 81 dargestellte Richtung gedreht wird, eine Schleifscheibe 82 und ein an der Schleifscheibe 82 befestigtes Poliertuch 84.
  • Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel wird der Werkstückträger 10 in der CMP-Maschine 70 mit Hilfe eines Unterdrucks bzw. Vakuums gehalten. In diesem Fall ist Haltevorrichtung der CMP-Maschine 70 wie die Haltevorrichtung 50 aufgebaut, d.h. es gibt wiederum seitliche Abdichtungen, eine abgestufte Haltefläche im Haltering und mindestens einen Ansaugkanal.
  • Nach dem Dünnen des Halbleiterwafers 52a lassen sich noch eine Reihe weiterer Verfahrensschritte an dem mit dem Werkstückträger 10 verbundenen Halbleiterwafer 52a ausführen, wobei beispielsweise auf dem Halbleiterwafer 52a eine Vielzahl von Transistoren erzeugt werden. Es entsteht ein Halbleiterwafer 52b.
  • Wie in 5 dargestellt, wird der Halbleiterwafer 52b nach diesen Verfahrensschritten mit Hilfe eines flüssigen Lösungsmittels 90 entfernt, das sich in einer Wanne 92 befindet. Die Wanne 92 hat einen Boden 94, der von einem Durchlasskanal 96 durchdrungen ist. Konzentrisch um den Durchlasskanal 54 herum ist auf der Grundplatte 94 ein Haltering 98 befestigt, der auch wie die Halteringe 56 und 72 dem Verlauf des Randes des Werkstückträgers 10 folgt, d.h. insbesondere einen Flat 13 nachbildet. Der Haltering 98 hat im oberen Bereich einen Durchmesser, der dem Durchmesser DM1 entspricht. In seinem unteren Bereich hat er einen kleineren Durchmesser, so dass eine Auflagefläche für den Werkstückträger 10 entsteht. Zwischen Werkstückträger 10 und Grundplatte 94 wird durch den Haltering 98 eine Kammer 100 gebildet, in die Lösungsmittel durch den Durchlasskanal 96 gepumpt wird, siehe Pfeil 102. Das Lösungsmittel dringt durch die Porenkanäle 24 und 26 bis an den Klebstoff 62. Die obere Kante des Halterings 98 reicht nur etwa bis in die Hälfte der Seitenwand des Werkstückträgers 10, so dass Lösungsmittel an den Seiten in die Wanne 92 entweichen kann. Das entwichene Lösungsmittel dringt dann von außen in die mit Klebstoff 62 gefüllte Klebefuge ein und beschleunigt den Lösungsvorgang weiter. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird das Lösungsmittel durch den Durchlasskanal 96 abgesaugt, siehe Pfeil 104. Auch in diesem Fall gelangt Lösungsmittel aus der Wanne 92 durch das Porensystem im Werkstückträger 10 an die Oberseite des Werkstückträgers 10 zur Klebstoffschicht 62.
  • Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird vor dem Ablösen des Halbleiterwafers 52b vom Werkstückträger 10 an der freiliegenden Seite des Halbleiterwafers 52b ein weiterer Werkstückträger befestigt, der so wie der Werkstückträger 10 aufgebaut ist. In diesem Fall lässt sich die Bearbeitung des Halbleiterwafers 52b nun an dessen Rückseite fortsetzen.
  • Durch die an Hand der 1 bis 5 erläuterten Verfahrensschritte wird auf einfache Art und Weise eine Bearbeitung durchgeführt, die mit einer hohen Effizienz, insbesondere mit niedrigen Bruchraten und ohne andere Beschädigungen durchgeführt werden kann. Die Zeit für den Ablösevorgang ist sehr kurz. Außerdem ist der Werkstückträger 10, d.h. die Keramikplatte, nach dem Ablösen des Halbleiterwafers 52b sofort wieder verwendbar.
    • 10
    Werkstückträger
    DM1
    Durchmesser
    12
    Seite
    13
    Flat
    14 bis 22
    Pore
    D1 bis D3
    Dicke
    24, 26
    Porenkanal
    30
    Oberseite
    32
    Rückseite
    50
    Haltevorrichtung
    52, 52a, 52b
    Halbleiterwafer
    54
    Grundplatte
    56
    Haltering
    58
    Kammer
    60
    Ansaugkanal
    62
    Klebstoff
    64
    Pfeil
    70
    CMP-Maschine
    72
    Haltering
    74
    Grundplatte
    76
    Schleifwerkzeug
    80
    Antriebsschaft
    81
    Drehrichtungspfeil
    82
    Schleifscheibe
    84
    Poliertuch
    90
    Lösungsmittel
    92
    Wanne
    94
    Boden
    96
    Durchlasskanal
    98
    Haltering
    100
    Kammer
    102, 104
    Pfeil

Claims (11)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks (52), bei dem ein zu bearbeitendes Werkstück (52) mit Hilfe eines Feststoffes (62) an einem Werkstückträger (10) befestigt wird, wobei der Werkstückträger (10) ein poröses Material enthält oder aus einem porösen Material besteht.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein gasdurchlässiger Werkstückträger (10) verwendet wird, und dass zum Befestigen ein Unterdruck (64) am Werkstückträger (10) erzeugt wird, vorzugsweise nach dem Aufbringen des Feststoffes (62) in verflüssigter Form und/oder vor dem Aushärten des Feststoffes (62).
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Feststoff (62) zum Trennen von Werkstück (52) und Werkstückträger (10) mit Hilfe eines Lösungsmittels (90) abgelöst wird, wobei das Lösungsmittel (90) in Poren (19 bis 20) des Werkstückträgers (10) eindringt.
  4. Verfahren nach Anspruch 3 , dadurch gekennzeichnet, dass ein für Lösungsmittel (90) durchlässiger Werkstückträger (10) verwendet wird, und dass zum Trennen von Werkstück (52) und Werkstückträger (10) Lösungsmittel in Kanälen (24, 25) aus einer Pore oder aus mehreren Poren (14 bis 20) durch den Werkstückträger (10) bis zum Feststoff (62) dringt, vorzugsweise durch Kapillarwirkung oder durch das Erzeugen eines Überdrucks (104) oder eines Unterdrucks (102), insbesondere an einer dem Werkstück (52) abgewandten Seite des Werkstückträgers (10).
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das poröse Material eine Keramik, ein Glas, eine Glaskeramik, ein Metall, insbesondere ein Sintermetall, eine Metallkeramik oder ein Sintermaterial ist, und/oder dass die mittlere Porengröße einen Wert zwischen 20 μm und 500 μm oder zwischen 50 μm und 100 μm hat, und/oder dass die Porosität des porösen Materials einen Wert zwischen 20 % und 50 % hat, und/oder dass der Wert der offenen Porosität des porösen Materials zwischen 10 % und 60 % oder zwischen 20 % und 50 liegt, und/oder dass mindestens 10 % oder mindestens 20 % des Porenvolumens zu durch das poröse Material hindurchgehenden Porenkanälen (29, 26) gehört, und/oder dass als poröses Material P65 oder P55 eingesetzt wird, und/oder dass die Poren (14 bis 22) unregelmäßig und/oder gemäß einer Gleichverteilung angeordnet sind.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Werkstück (52) am Werkstückträger (10) gedünnt wird, insbesondere auf eine Dicke kleiner als 100 μm oder kleiner als 20 μm, vorzugsweise geschliffen und/oder poliert und/oder geätzt, insbesondere nass-chemisch, chemisch oder chemisch-physikalisch, und/oder das Werkstück (52) am Werkstückträger (10) einem lithografischen Verfahren unterzogen wird, insbesondere einer Bestrahlung, und/oder das Werkstück (52) am Werkstückträger (10) einem Schichtabscheidungsprozess unterzogen wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Feststoff (62) Wachs oder Klebstoff oder einen Plastwerkstoff oder ein beidseitig klebendes Klebeband enthält oder aus einem dieser Materialien besteht.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Werkstück (52) ein Halbleitermaterial, insbesondere Silizium enthält, oder aus einem Halbleitermaterial besteht, und/oder dass das Werkstück (52) ein Halbleiterwafer ist.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Feststoff (62) den gesamten Zwischenraum zwischen Werkstück (52) und Werkstückträger (10) ausfüllt, oder der Feststoff (62) nur einen Teil des Zwischenraums zwischen Werkstück (52) und Werkstückträger (10) ausfüllt, insbesondere mehrere voneinander durch Zwischenräume getrennte Bereiche oder einen ringförmigen Bereich, der einen nicht ausgefüllten Bereich umgibt.
  10. Werkstückträger (10), insbesondere in einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche eingesetzter Werkstückträger (10), mit der Form einer Platte oder einer Scheibe, dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstückträger (10) ein poröses Material enthält oder aus einem porösen Material besteht.
  11. Werkstückträger (10) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstückträger (10) den Umriss eines Halbleiterwafers (52) hat, und dass der Durchmesser (DM1) des Werkstückträgers (10) gleich dem Durchmesser des Halbleiterwafers (25) ist.
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TW92132971A TWI271270B (en) 2002-12-20 2003-11-24 Method of processing a workpiece, and a work carrier, in particular of porous ceramic
US10/729,882 US7708854B2 (en) 2002-12-20 2003-12-05 Work carrier and method of processing a workpiece
KR1020030093606A KR100558995B1 (ko) 2002-12-20 2003-12-19 가공품 처리 방법 및 가공품 캐리어
JP2003424295A JP2004202684A (ja) 2002-12-20 2003-12-22 加工品の処理方法および加工品キャリア

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006009639A1 (de) * 2006-03-02 2007-09-06 Schott Ag Vakuumspannplatte
EP2875884A1 (de) * 2013-11-12 2015-05-27 Rolls-Royce plc Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung dünner Platten
CN110860950A (zh) * 2019-11-28 2020-03-06 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司 一种用于5g光模块中基于氮化铝陶瓷正侧面金属化的制作方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004060625A1 (de) * 2004-12-16 2006-06-29 Siltronic Ag Beschichtete Halbleiterscheibe und Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung der Halbleiterscheibe
WO2006023753A2 (en) * 2004-08-20 2006-03-02 Semitool, Inc. System for thinning a semiconductor workpiece
JP5318324B2 (ja) * 2005-12-06 2013-10-16 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り合わせ方法
EP1855324A1 (de) * 2006-05-12 2007-11-14 Applied Materials GmbH & Co. KG Substratträger aus glaskeramischen Material
JP5074719B2 (ja) * 2006-07-14 2012-11-14 東京応化工業株式会社 ウエハを薄くする方法及びサポートプレート
JP5271554B2 (ja) * 2008-02-04 2013-08-21 東京応化工業株式会社 サポートプレート
US20110079632A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 International Business Machines Corporation Multistack solder wafer filling
KR101837227B1 (ko) * 2011-01-07 2018-03-09 인텔 코포레이션 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
TWI420634B (zh) * 2011-02-24 2013-12-21 Unimicron Technology Corp 封裝結構及其製法
JP5647335B2 (ja) * 2011-03-29 2014-12-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 はんだ転写基材、はんだ転写基材の製造方法、及びはんだ転写方法
TW201409046A (zh) * 2012-05-31 2014-03-01 Advantest Corp 載具分解裝置、電子元件收容裝置、電子元件取出裝置以及電子元件測試裝置
US20160017184A1 (en) * 2013-03-06 2016-01-21 John Moore Adhesive with tunable porosity and methods to support temporary bonding applications
US9359198B2 (en) * 2013-08-22 2016-06-07 Massachusetts Institute Of Technology Carrier-substrate adhesive system
US10046550B2 (en) 2013-08-22 2018-08-14 Massachusetts Institute Of Technology Carrier-substrate adhesive system
WO2016142239A1 (en) * 2015-03-11 2016-09-15 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers
WO2016142238A1 (en) 2015-03-11 2016-09-15 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers
US10354905B2 (en) 2015-03-11 2019-07-16 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers
WO2016142240A1 (en) 2015-03-11 2016-09-15 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers
JP2018142631A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 日化精工株式会社 ウェーハの仮止め用サポート基板及びウェーハの仮止め処理方法
WO2019049588A1 (en) 2017-09-07 2019-03-14 Mapper Lithography Ip B.V. METHODS AND SYSTEMS FOR COATING A SUBSTRATE
CN109590845B (zh) * 2018-11-01 2020-02-04 浦江凯瑞车镜有限公司 一种棱镜的生产工艺及抛光模具
IT201900000217A1 (it) * 2019-01-08 2020-07-08 Luca Mariotti Procedimento per produrre un frontale di una montatura per occhiali
CN110497167A (zh) * 2019-07-23 2019-11-26 广东工业大学 一种非晶合金的加工方法
CN110509205B (zh) * 2019-08-21 2022-03-29 深圳中科飞测科技股份有限公司 一种吸板
JP7189106B2 (ja) * 2019-09-13 2022-12-13 株式会社東芝 保持板および基板の研磨方法
WO2022032148A1 (en) 2020-08-06 2022-02-10 Mate Precision Technologies Inc. Tooling base assembly
WO2022032178A1 (en) 2020-08-06 2022-02-10 Mate Precision Technologies Inc. Vise assembly

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1291698B (de) * 1965-06-14 1969-03-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Halterung von Werkstuecken
DE7922341U1 (de) * 1979-08-04 1979-11-08 Gesellschaft Fuer Schwerionenforschung Mbh, 6100 Darmstadt Vakuum-aufspanntisch zum aufspannen von duennen folien
US6032715A (en) * 1996-06-28 2000-03-07 Sony Corporation Wafer bonding device
DE19929617A1 (de) * 1999-06-28 2001-01-25 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Haltern eines Werkstücks sowie Anwendung des Verfahrens

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2182787B1 (de) * 1972-05-01 1975-06-13 Dem Ind Ltd
US3865359A (en) 1972-05-01 1975-02-11 Dbm Industries Ltd Vacuum apparatus
JPS5833705Y2 (ja) 1980-05-23 1983-07-28 株式会社 デイスコ 吸着固定装置
JPS5917159A (ja) 1982-07-20 1984-01-28 Nippon Kokan Kk <Nkk> 石炭類自動分析装置
JPS59209756A (ja) * 1983-05-16 1984-11-28 Toshiba Corp 半導体ウエハの保持方式
US4466852A (en) * 1983-10-27 1984-08-21 At&T Technologies, Inc. Method and apparatus for demounting wafers
JPS6150631A (ja) 1984-08-14 1986-03-12 Yaesu Kikaku:Kk 凝集剤の前駆物質およびその製造方法
JPS63210148A (ja) * 1987-02-26 1988-08-31 Nikko Rika Kk 真空チヤツク用プラスチツクス焼結体
DE8703223U1 (de) * 1987-03-03 1987-04-16 Modellbau Paul Apitz, 7913 Senden Vakuum-Spannplatte
US5273615A (en) * 1992-04-06 1993-12-28 Motorola, Inc. Apparatus and method for handling fragile semiconductor wafers
JPH065569A (ja) 1992-06-17 1994-01-14 Ratsupu Master S F T Kk 半導体ウエハのチャック機構
KR100267155B1 (ko) * 1996-09-13 2000-10-16 아끼구사 나오유끼 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치
US5883522A (en) * 1996-11-07 1999-03-16 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for retaining a semiconductor wafer during testing
US5875023A (en) * 1997-01-31 1999-02-23 International Business Machines Corporation Dual-sided expose mechanism for web product
US5927193A (en) * 1997-10-16 1999-07-27 International Business Machines Corporation Process for via fill
DE29909410U1 (de) 1999-06-01 2000-05-04 Lotsch, Friedemann, Dipl.-Designer, 44287 Dortmund Vorrichtung zum Spannen von Gegenständen
JP2001121413A (ja) 1999-10-21 2001-05-08 Toshiba Mach Co Ltd 平板状の被加工材の保持方法
JP4462755B2 (ja) 2000-12-15 2010-05-12 京セラ株式会社 ウエハー支持基板
US6698077B2 (en) * 2000-12-27 2004-03-02 International Business Machines Corporation Display fabrication using modular active devices
US6470946B2 (en) * 2001-02-06 2002-10-29 Anadigics, Inc. Wafer demount gas distribution tool
JP2002343751A (ja) 2001-05-14 2002-11-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 電子部品の製造法
DE10128924A1 (de) * 2001-06-15 2003-01-23 Philips Corp Intellectual Pty Verfahren zum Umsetzen eines im wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks sowie Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1291698B (de) * 1965-06-14 1969-03-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Halterung von Werkstuecken
DE7922341U1 (de) * 1979-08-04 1979-11-08 Gesellschaft Fuer Schwerionenforschung Mbh, 6100 Darmstadt Vakuum-aufspanntisch zum aufspannen von duennen folien
US6032715A (en) * 1996-06-28 2000-03-07 Sony Corporation Wafer bonding device
DE19929617A1 (de) * 1999-06-28 2001-01-25 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Haltern eines Werkstücks sowie Anwendung des Verfahrens

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006009639A1 (de) * 2006-03-02 2007-09-06 Schott Ag Vakuumspannplatte
EP2875884A1 (de) * 2013-11-12 2015-05-27 Rolls-Royce plc Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung dünner Platten
US9579759B2 (en) 2013-11-12 2017-02-28 Rolls-Royce Plc Method and apparatus for forming thin discs
CN110860950A (zh) * 2019-11-28 2020-03-06 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司 一种用于5g光模块中基于氮化铝陶瓷正侧面金属化的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100558995B1 (ko) 2006-03-10
DE10260233B4 (de) 2016-05-19
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