WO2005083779A1 - Rückseitenbeschichteter, dünner halbleiterchip und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

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coating
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Michael Bauer
Horst Gröninger
Simon Jerebic
Hermann Vilsmeier
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Infineon Technologies Ag
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    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Definitions

  • the invention relates to a rear-coated, thin semiconductor chip, and a method for its production.
  • Thin semiconductor chips are becoming increasingly important.
  • the semiconductor chip thickness has a direct influence on the overall height of the packaged semiconductor component, and on the other hand, thin semiconductor chips have a higher mechanical flexibility or a certain bending elasticity.
  • the manufacture of thin semiconductor chips is therefore required for the implementation of very thin semiconductor components in the context of miniaturization, as well as for the production of flexible semiconductor modules, which z. B. be used in smart cards.
  • “thin” denotes wafers and / or semiconductor chips that have a thickness of ⁇ 300 ⁇ m and in particular wafers and / or semiconductor chips that have a thickness of ⁇ 100 ⁇ m.
  • a joining material between the semiconductor chip and a substrate is required for mounting the thin semiconductor chips.
  • separate application of the semiconductor chip and joining material to the substrate has disadvantages, since on the one hand at least two process steps, namely the application of the joining material and the application of the semiconductor chip, are required, and on the other hand, both the joining material and the semiconductor chip are each aligned on the substrate must be, which in practice requires a complex adjustment of several modules relative to each other.
  • substrate is understood to mean carriers on which semiconductor chips are applied and which provide the external contacts for the installation of the fully packaged semiconductor component.
  • a substrate in the sense of the present invention can have different materials, such as, for example, ceramic, metal or an organic plastic material.
  • the object of the present invention is therefore to provide a thin, back-coated semiconductor chip, which is directly on can be attached to the substrate, and to provide a method for its production.
  • this object is achieved by a method for producing backside-coated semiconductor chips. These have sawing streets with a predetermined depth on their front side and are singulated by removing wafer material from the back. Subsequently, a back coating serving as a joining layer is applied to the back of the wafer and this is then cut according to the singulated semiconductor chips.
  • a wafer is therefore first provided which has saw streets on its front side with a predetermined depth which corresponds approximately to the thickness of the semiconductor chips to be singulated.
  • the sawing lines are applied, for example, by mechanical sawing with conventional automatic wafer saws or by water jet cutting on the front of the wafer.
  • a protective film is then applied to the front of the wafer in order to protect the semiconductor chip structures from damage during further processing.
  • the protective film is also required to hold the singulated semiconductor chips together so that they can be applied as a unit to a saw frame provided with a sawing film. This has the advantage that handling of individual semiconductor chips, which can be very time-consuming depending on the semiconductor chip size and wafer diameter, is avoided.
  • wafer material is removed from the back until the semiconductor chips are singulated. This happens for example mechanically by means of rotary grinding or wet-chemically by etching removal.
  • An efficient method for removing the wafer material, in which the formation of microcracks on the singulated semiconductor chips is avoided, is achieved by a combination of the two methods, in which part of the wafer material is removed by rotary grinding and the rest is then removed by etching. It is also possible to remove the back of the wafer by dry chemical means using plasma etching.
  • a coherent rear-side coating is applied to the back of the wafer or the singulated semiconductor chips. According to the present invention, this is severed before further processing of the semiconductor chips in accordance with the outlines of the semiconductor chips to be singulated.
  • the rear side coating can be cut mechanically, for example, by sawing, by laser cutting or by water jet cutting.
  • the singulated semiconductor chips with the coated rear side are applied to a saw frame, which has a film for receiving the wafer or the semiconductor chips, and finally the protective film is removed from the front of the wafer or the semiconductor chips.
  • the method according to the invention is suitable for semiconductor chips with a thickness of less than or equal to 300 ⁇ m, and in particular for semiconductor chips with a thickness of less than or equal to 100 ⁇ m.
  • the thin, back-coated semiconductor chip produced in accordance with the present invention can be attached directly to the substrate without additional joining material.
  • the back coating can, depending on the type of semiconductor chip produced, consist of different materials.
  • the backside coating has an organic adhesive film, which can have electrically conductive or electrically insulating properties.
  • FIG. 1 schematically shows the application of sawing lines on a front side of a wafer by means of sawing
  • FIG. 2 schematically shows the application of a protective film to the front of the wafer in accordance with the method disclosed here
  • FIG. 3 schematically shows the thinning of the wafer in accordance with the method disclosed here
  • FIG. 4 schematically shows the application of a back coating on a back of the wafer in accordance with the method disclosed here
  • FIG. 5 schematically shows the cutting through of the rear side coating by means of a laser in accordance with the method disclosed here
  • FIG. 6 schematically shows the application of the wafer with a back coating to a saw frame according to the method disclosed here
  • FIG. 7 schematically shows the detachment of the protective film from the front of the wafer in accordance with the method disclosed here.
  • Figure 1 shows schematically the application of sawing lines 10 on the front 3 of a wafer 1 by means of sawing.
  • the front side 3 of the wafer 1 is the side which has the active semiconductor chip structures (not shown).
  • the sawing lines 10 are applied by means of a saw disc. As shown schematically in the enlarged detail, the sawing lines 10 have a thickness D which corresponds to the thickness of the individual semiconductor chips. According to the present invention, D is ⁇ 300 ⁇ m and in particular ⁇ 100 ⁇ m.
  • FIG. 2 schematically shows the application of a protective film 5 on the front side 3 of the wafer 1 according to the method disclosed here.
  • the protective film 5, as indicated by the arrow, is drawn over the front 3 of the wafer 1.
  • Protective film 5 has an adhesive layer on the side facing the wafer 1, so that the protective film 5 adheres to the front side 3 of the wafer 1 after it has been applied and later prevents the singulated semiconductor chips from falling apart.
  • FIG. 3 schematically shows the thinning of the wafer 1 according to the present invention by means of rotary grinding.
  • material is removed from a rear side 6 of the wafer 1 until the sawing lines 10 are reached and the semiconductor chips, which then have the desired thickness D, are thus singulated.
  • the material is removed by a rotating grinding device 12 with a grinding attachment 13.
  • the direction of the rotary movement of the grinding device is identified by B.
  • the wafer 1 rotates in the opposite direction A.
  • the grinding device 13 is also moved during the
  • FIG. 4 schematically shows the application of an adhesive film 7 on the rear side 6 of the wafer 1 according to the method disclosed here. Similar to the application of the protective film 5 to the front side 3 of the wafer 1 shown in FIG. 2, after the semiconductor chips 4 have been thinned and singulated, a rear side coating 7 in the form of a coherent film or film is applied to the rear side 6 of the wafer 1.
  • the rear side coating 7 later serves as a joining material between the semiconductor chip 4 and a substrate (not shown), the side of the rear side coating 7 facing the rear side 6 of the wafer 1 adheres to the wafer 1 and the side of the rear side coating 7 which faces away from the wafer 1 has adhesive properties with respect to the substrate.
  • the back coating 7 has an organic film with double-sided adhesive film.
  • the film can be electrically insulating or, depending on the combination settlement and structure, electrically isotropic or anisotropically conductive.
  • FIG. 5 shows schematically the cutting through of the rear side coating 7 by means of a laser 14 in accordance with the method disclosed here.
  • a laser beam 15 is guided over the back 6 of the wafer 1, which has the back coating 7.
  • the laser beam 15 follows the outlines of the singulated semiconductor chips 4, so that the size of the cut back coating 7 corresponds to the size of the semiconductor chips 4.
  • the singulated semiconductor chips 4 are present with a likewise singulated rear side coating 7.
  • FIG. 6 schematically shows the application of the wafer 1 with the back coating 7 to a saw frame 8 according to the method disclosed here.
  • the wafer 1 is preferably aligned with the back 6 upward within the saw frame 8 and then a saw film 9 is drawn over the saw frame 8 and wafer 1 in the direction of the arrow, so that the wafer 1 is connected to the saw frame 8 by the saw film 9.
  • the saw frame 8 is conventionally made of metal or plastic and enables easy handling of the sawing film 9 provided with the wafer 1.
  • the sawing film 9, similar to the protective film 5, has an organic plastic film provided on one side with an adhesive film, from which the semiconductor chip 4, or the backside coating 7, can preferably be removed without residue during the subsequent chip assembly process.
  • FIG. 7 schematically shows the detachment of the protective film 5 from the front 3 of the wafer 1 according to the method disclosed here, so that the singulated semiconductor chips 4 are exposed and can be processed further using conventional semiconductor chip assembly methods.

Abstract

Es wird Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter, dünner Halbleiterchips offenbart, gemäß welchem auf die Rückseite (6) eines Wafers (1) eine zusammenhängende Rückseitenbeschichtung (7) aufgebracht wird und diese dann entsprechend der zu singulierenden Halbleiterchips (4) vor dem Weiterverarbeiten des Wafers (1) durchtrennt wird.

Description

Beschreibung
Rückseitenbeschichteter, dünner Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
Die Erfindung betrifft einen rückseitenbeschichteten, dünnen Halbleiterchip, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Dünne Halbleiterchips gewinnen immer mehr an Bedeutung. Zum einen hat die Halbleiterchipdicke einen direkten Einfluss auf die Gesamthöhe des gehäusten Halbleiterbauteils, und zum anderen weisen dünne Halbleiterchips eine höhere mechanische Flexibilität bzw. eine gewisse Biegeelastizität auf. Das Herstellen von dünnen Halbleiterchips wird deshalb benötigt zur Rea- lisierung sehr dünner Halbleiterbauteile im Rahmen der Miniaturisierung, sowie zur Herstellung biegeelastischer Halbleitermodule, welche z. B. in Chipkarten eingesetzt werden.
Mit "dünn" werden gemäß dieser Erfindung Wafer und/oder Halb- leiterchips bezeichnet, die eine Dicke von < 300 μm und insbesondere Wafer und/oder Halbleiterchips, welche eine Dicke von < 100 μm aufweisen.
Die Herstellung dünner Halbleiterchips erfordert den Einsatz neuer Herstell- und Verarbeitungsverfahren. Um ein Handhaben von dünnen Halbleiterchips bzw. Wafern in der Produktion so weit wie möglich zu minimieren, wurde ein Verfahren entwickelt, das es erlaubt, aus den dicken, ungeschliffenen Wafern dünne Halbleiterchips herzustellen, ohne im Prozessverlauf dünne Wafer handhaben zu müssen. Dieses Verfahren wird in der Halbleitermontage als "dicing before grinding" oder DBG, also als "Sägen vor dem Schleifen" bezeichnet. Gemäß diesem Verfahren wird in einem ersten Schritt der dicke Wafer von seiner Vorderseite, also der Seite, welche die Halbleiterchipstrukturen aufweist, entsprechend der Dicke des fertigen Halbleiterchips angesägt. In einem nächsten Schritt wird der so vorbereitete Wafer mit seiner Vorderseite auf eine Schutzfolie aufgebracht und anschließend von der Rückseite her gedünnt, bis die Halbleiterchips in vereinzelter Form vorliegen.
Zur Montage der dünnen Halbleiterchips wird ein Fügematerial zwischen dem Halbleiterchip und einem Substrat benötigt. Ein getrenntes Aufbringen von Halbleiterchip und Fügematerial auf das Substrat ist jedoch mit Nachteilen behaftet, da zum einen mindestens zwei Verfahrensschritte, nämlich das Aufbringen des Fügematerials und das Aufbringen des Halbleiterchips benötigt werden und da zum anderen sowohl Fügematerial, als auch Halbleiterchip jeweils auf dem Substrat ausgerichtet werden müssen, was in der Praxis ein aufwendiges Justieren mehrere Modu- le relativ zueinander bedingt.
Unter "Substrat" werden im vorliegenden Text Träger verstanden, auf welche Halbleiterchips aufgebracht werden und welche die Außenkontakte für den Einbau des fertig gehäusten Halblei- terbauteils bereitstellen. Ein Substrat im Sinne der vorliegenden Erfindung kann verschiedene Materialien, wie zum Beispiel Keramik, Metall oder ein organisches Kunststoffmaterial aufweisen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, einen dünnen, rückseitenbeschichteten Halbleiterchips, welcher direkt auf dem Substrat befestigt werden kann, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung bereitzustellen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung rückseitenbeschichteter Halbleiterchips. Diese weisen auf ihrer Vorderseite Sägestrassen mit vorgegebener Tiefe auf und werden durch Abtragen von Wafermaterial von der Rückseite her singuliert. Anschließend wird eine als Fügeschicht dienende Rückseitenbeschichtung auf die Rückseite des Wafers aufgebracht und diese dann, entsprechend den singulier- ten Halbleiterchips, durchtrennt.
Es wird also zuerst ein Wafer bereitgestellt, welcher auf seiner Vorderseite Sägestrassen mit einer vorgegebenen Tiefe, die in etwa der Dicke der zu singulierenden Halbleiterchips entspricht, aufweist. Die Sägestrassen werden beispielsweise durch mechanisches Sägen mit herkömmlichen Wafersägeautomaten oder durch Wasserstrahlschneiden auf der Vorderseite des Wafers aufgebracht.
Anschließend wird eine Schutzfolie auf die Vorderseite des Wafers aufgebracht, um die Halbleiterchipstrukturen bei der Weiterverarbeitung vor Beschädigungen zu schützen. Die Schutzfolie wird außerdem benötigt, um die singulierten Halbleiter- chips zusammenzuhalten, so dass sie als Einheit auf einen mit einer Sägefolie versehenen Sägerahmen aufgebracht werden können. Dies hat den Vorteil, dass ein Handhaben einzelner Halbleiterchips, welches je nach Halbleiterchipgröße und Wafer- durchmesser sehr zeitaufwendig sein kann, vermieden wird.
In einem nächsten Schritt wird Wafermaterial von der Rückseite her abgetragen, bis die Halbleiterchips singuliert sind. Dies geschieht beispielsweise mechanisch mittels Rotationsschleifen oder nasschemisch durch Ätzabtrag. Ein effizientes Verfahren zum Abtragen vom Wafermaterial, bei dem ein Bilden von Mikro- rissen an den singulierten Halbleiterchips vermieden wird, wird erreicht durch eine Kombination der beiden Verfahren, wobei zuerst ein Teil des Wafermaterials durch Rotationsschleifen und der Rest dann durch Ätzen abgetragen wird. Des Weiteren ist es möglich, die Waferrückseite trockenchemisch durch Plasmaätzung abzutragen.
Nach der Singulierung der Halbleiterchips, welche jetzt von der Schutzfolie auf der Vorderseite zusammengehalten werden, wird auf der Rückseite des Wafers, bzw. der singulierten Halbleiterchips, eine zusammenhängende Rückseitenbeschichtung auf- gebracht. Diese wird, gemäß der vorliegenden Erfindung, vor der Weiterverarbeitung der Halbleiterchips entsprechend den Umrissen der zu singulierenden Halbleiterchips durchtrennt. Das Durchtrennen der Rückseitenbeschichtung kann beispielsweise mechanisch durch Sägen, durch Laserschneiden oder durch Wasserstrahlschneiden erfolgen.
Danach werden die singulierten Halbleiterchips mit der beschichteten Rückseite auf einen Sägerahmen, welcher eine Folie zur Aufnahme des Wafers, bzw. der Halbleiterchips aufweist, aufgebracht und zum Schluss die Schutzfolie von der Vorderseite des Wafers, bzw. der Halbleiterchips entfernt.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich für Halbleiterchips mit einer Dicke von kleiner oder gleich 300 μm, und insbeson- dere für Halbleiterchips mit einer Dicke kleiner oder gleich 100 μm. Der gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellte dünne, rückseitenbeschichtete Halbleiterchip kann direkt auf dem Substrat, ohne zusätzliches Fügematerial, befestigt werden. Die Rückseitenbeschichtung kann, je nach Art des hergestellten Halbleiterchips, aus verschiedenen Materialien bestehen. Insbesondere weist die Rückseitenbeschichtung einen organischen Klebefilm auf, welcher elektrisch leitend oder elektrisch isolierende Eigenschaften besitzen kann.
Figur 1 zeigt schematisch das Aufbringen von Sägestrassen auf einer Vorderseite eines Wafers mittels Sägen,
Figur 2 zeigt schematisch das Aufbringen einer Schutzfolie auf die Vorderseite des Wafers gemäß dem hier offen- barten Verfahren,
Figur 3 zeigt schematisch das Dünnen des Wafers gemäß dem hier offenbarten Verfahren,
Figur 4 zeigt schematisch das Aufbringen einer Rückseitenbeschichtung auf einer Rückseite des Wafers gemäß dem hier offenbarten Verfahren,
Figur 5 zeigt schematisch das Durchtrennen der Rückseitenbe- Schichtung mittels Laser gemäß dem hier offenbarten Verfahren,
Figur 6 zeigt schematisch das Aufbringen des Wafers mit Rückseitenbeschichtung auf einen Sägerahmen gemäß dem hier offenbarten Verfahren, und Figur 7 zeigt schematisch das Ablösen der Schutzfolie von der Vorderseite des Wafers gemäß dem hier offenbarten Verfahren.
Figur 1 zeigt schematisch das Aufbringen von Sägestrassen 10 auf der Vorderseite 3 eines Wafers 1 mittels Sägen. Die Vorderseite 3 des Wafers 1 ist diejenige Seite, welche die aktiven Halbleiterchipstrukturen (nicht dargestellt) aufweist.
Auf diese Vorderseite 3 werden mittels einer Sägescheibe 11 Sägestrassen 10 aufgebracht. Wie im vergrößerten Ausschnitt schematisch gezeigt, weisen die Sägestrassen 10 eine Dicke D auf, welche der Dicke der vereinzelten Halbleiterchips entspricht. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist D < 300 μm und insbesondere < 100 μm.
Figur 2 zeigt schematisch das Aufbringen einer Schutzfolie 5 auf der Vorderseite 3 des Wafers 1 gemäß dem hier offenbarten Verfahren. Die Schutzfolie 5 wird, wie durch den Pfeil ange- deutet, über die Vorderseite 3 des Wafers 1 gezogen. Die
Schutzfolie 5 weist auf der Seite, welche dem Wafer 1 zugewandt ist, eine Klebeschicht auf, so dass die Schutzfolie 5 nach dem Aufbringen auf den Wafer 1 auf dessen Vorderseite 3 haftet und später ein Auseinanderfallen der singulierten Halb- leiterchips verhindert.
Die Schutzfolie 5 dient dem Schutz der Halbleiterchipstrukturen 2 vor mechanischer Beschädigung bei der Weiterverarbeitung des Wafers 1 und bedeckt die gesamte Vorderseite 3 des Wafers 1, zumindest aber den Bereich des Wafers 1, der vollständige bzw. elektrisch gute Halbleiterchipstrukturen 2 aufweist. Figur 3 zeigt schematisch das Dünnen des Wafers 1 gemäß der vorliegenden Erfindung mittels Rotationsschleifen. Hierzu wird von einer Rückseite 6 des Wafers 1 solange Material abgetragen, bis die Sägestrassen 10 erreicht und somit die Halblei- terchips, welche dann die gewünschte Dicke D aufweisen, singuliert sind. Der Materialabtrag geschieht dabei durch eine rotierende Schleifvorrichtung 12 mit einem Schleifaufsatz 13. Die Richtung der Drehbewegung der Schleifvorrichtung ist mit B gekennzeichnet. Der Wafer 1 rotiert in entgegengesetzter Rich- tung A. Die Schleifvorrichtung 13 wird außerdem während des
Schleifvorgangs so über die Rückseite 6 des Wafers 1 geführt, dass der Materialabtrag gleichmäßig auf der gesamten Rückseite 6 des Wafers 1 erfolgt.
Figur 4 zeigt schematisch das Aufbringen eines Klebefilms 7 auf der Rückseite 6 des Wafers 1 gemäß dem hier offenbarten Verfahren. Ähnlich wie bei dem in Figur 2 gezeigten Aufbringen der Schutzfolie 5 auf die Vorderseite 3 des Wafers 1 wird nach dem Dünnen und Singulieren der Halbleiterchips 4 auf die Rück- seite 6 des Wafers 1 eine Rückseitenbeschichtung 7 in Form einer zusammenhängenden Folie oder eines Films aufgebracht.
Da die Rückseitenbeschichtung 7 später als Fügematerial zwischen Halbleiterchip 4 und einem Substrat (nicht gezeigt) dient, haftet die zur Rückseite 6 des Wafers 1 weisende Seite der Rückseitenbeschichtung 7 auf dem Wafer 1 und die Seite der Rückseitenbeschichtung 7, die dem Wafer 1 abgewandt ist, weist haftende Eigenschaften bezüglich des Substrats auf.
Gemäß der vorliegenden Erfindung weist die Rückseitenbeschichtung 7 eine organischen Folie mit beidseitigem Klebefilm auf. Die Folie kann elektrisch isolierend, oder, je nach Zusammen- setzung und Aufbau, elektrisch isotrop oder anisotrop leitend sein.
Figur 5 zeigt schematisch das Durchtrennen der Rückseitenbe- Schichtung 7 mittels einem Laser 14 gemäß dem hier offenbarten Verfahren. Hierzu wird über die Rückseite 6 des Wafers 1, welche die Rückseitenbeschichtung 7 aufweist, ein Laserstrahl 15 geführt. Der Laserstrahl 15 folgt dabei den Umrissen der singulierten Halbleiterchips 4, so dass die Größe der durchtrenn- ten Rückseitenbeschichtung 7 der Größe der Halbleiterchips 4 entspricht. Nach Beendigung dieses Verfahrensschrittes liegen, zusammengehalten durch die Schutzfolie 5 auf der Vorderseite 3 des Wafers 1, die singulierten Halbleiterchips 4 mit ebenfalls singulierter Rückseitenbeschichtung 7 vor.
Figur 6 zeigt schematisch das Aufbringen des Wafers 1 mit Rückseitenbeschichtung 7 auf einen Sägerahmen 8 gemäß dem hier offenbarten Verfahren. Dazu wird der Wafer 1 mit der Rückseite 6 nach oben innerhalb des Sägerahmens 8 vorzugsweise mittig ausgerichtet und anschließend eine Sägefolie 9 in Pfeilrichtung über Sägerahmen 8 und Wafer 1 gezogen, so dass der Wafer 1 durch die Sägefolie 9 mit dem Sägerahmen 8 verbunden ist.
De Sägerahmen 8 ist herkömmlicherweise aus Metall oder Kunst- Stoff und ermöglicht ein einfaches Handhaben der mit dem Wafer 1 versehenen Sägefolie 9. Die Sägefolie 9 weist, ähnlich wie die Schutzfolie 5, eine einseitig mit einem Klebefilm versehene, organische Kunststofffolie auf, von welcher sich der Halbleiterchip 4, bzw. die Rückseitenbeschichtung 7, beim späteren Chipmontagevorgang vorzugsweise rückstandsfrei lösen kann. Figur 7 zeigt schematisch das Ablösen der Schutzfolie 5 von der Vorderseite 3 des Wafers 1 gemäß dem hier offenbarten Verfahren, so dass die singulierten Halbleiterchips 4 frei liegen und mit herkömmlichen Halbleiterchipmontageverfahren weiter- verarbeitet werden können.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halbleiterchips, welches die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Wafers (1) mit Sägestrassen (10), wobei die Tiefe der Sägestrassen (10) der Dicke D der zu singulierenden Halbleiterchips (4) ent- spricht; Aufbringen einer Schutzfolie (5) auf die Halbleiterchipstrukturen (2); Abtragen von Wafermaterial von der Rückseite (6) des Wafers (1), bis die Halbleiterchips (4) singuliert sind; Aufbringen einer zusammenhängenden Rückseitenbeschichtung (7) auf die Rückseite (6) des Wafers (1) ; Durchtrennnen der zusammenhängenden Rückseitenbeschichtung (7), entsprechend den Umrissen der zu singulierenden Halbleiterchips (4); Aufbringen der vereinzelten Halbleiterchips (4) mit der Rückseitenbeschichtung (7) auf einen Sägerahmen (8); Entfernen der Schutzfolie (5) von den Halbleiter- chips (4) .
2. Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halbleiterchips nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Sägestrassen (10) durch mechanisches Sägen erfolgt.
3. Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halbleiterchips nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Sägestrassen (10) durch Wasser- strahlschneiden erfolgt.
4. Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halbleiterchips nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Abtragen von Wafermaterial von der Rückseite (6) des Wafers (1) mechanisch durch Rotationsschleifen erfolgt .
5. Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halb- leiterchips nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Abtragen von Wafermaterial von der Rückseite (6) des Wafers (1) nasschemisch durch Ätzabtrag erfolgt.
6. Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halbleiterchips nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Abtragen von Wafermaterial von der Rückseite (6) des Wafers (1) trockenchemisch durch Plasmaätzung er- folgt.
7. Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halbleiterchips nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Durchtrennnen der zusammenhängenden Rückseitenbeschichtung (7) mechanisch durch Sägen erfolgt.
8. Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halbleiterchips nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Durchtrennnen der zusammenhängenden Rückseitenbe- Schichtung (7) durch Laserschneiden erfolgt.
9. Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halbleiterchips nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Durchtrennnen der zusammenhängenden Rückseitenbeschichtung (7) durch Wasserstrahlschneiden erfolgt.
10. Verfahren zum Herstellen rückseitenbeschichteter Halbleiterchips nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die singulierten Halbleiterchips (4) mittels einer Trägerfolie (9) auf den Sägerahmen (8) aufgebracht werden.
11. Rückseitenbeschichteter Halbleiterchip mit einer Dicke D < 300 μm und einer Rückseitenbeschichtung (7) aus einem organischen Klebefilm.
12. Rückseitenbeschichteter Halbleiterchip nach Anspruch 11. wobei die Rückseitenbeschichtung (7) eine organische Folie mit beidseitigem Klebefilm aufweist.
13. Rückseitenbeschichteter Halbleiterchip nach Anspruch 11 oder Anspruch 12, wobei der organische Klebefilm elektrisch leitend ist.
PCT/DE2005/000300 2004-02-25 2005-02-22 Rückseitenbeschichteter, dünner halbleiterchip und verfahren zu seiner herstellung WO2005083779A1 (de)

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