KR100558995B1 - 가공품 처리 방법 및 가공품 캐리어 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 특히, 처리될 가공품(52)을 고체(62)에 의해서 가공품 캐리어(10)에 고정하는 가공품 처리 방법에 관한 것이다. 가공품 캐리어(10)는 가령 다공성 세라믹과 같은 다공성 재료로 제조된다. 이 가공품 처리 방법은 처리 중에 웨이퍼를 간단히 조작할 수 있게 한다. 또한, 가공품(52)은 용매에 의해서 가공품 캐리어(10)로부터 쉽게 분리될 수 있다.

Description

가공품 처리 방법 및 가공품 캐리어{METHOD OF PROCESSING A WORKPIECE, AND A WORK CARRIER, IN PARTICULAR OF POROUS CERAMIC}
도 1은 가공품 캐리어의 평면도,
도 2는 가공품 캐리어의 단면도,
도 3은 반도체 웨이퍼를 가공품 캐리어에 고정시킨 구조물의 도면,
도 4는 가공품 캐리어에 고정된 얇아진 반도체 웨이퍼의 도면,
도 5는 용매에 의한 반도체 웨이퍼와 가공품 캐리어 사이의 분리를 도시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 가공품 캐리어 12 : 측면
13 : 평탄부(flat) 14-22 : 공동
24, 26 : 공동 통로 50 : 유지 디바이스
52, 52a, 52b : 반도체 웨이퍼 54 : 기판
56 : 유지 링 58 : 챔버
60 : 흡입 통로 62 : 접착제
70 : CMP 머신 72 : 유지 링
74 : 기판 76 : 그라인딩 툴
80 : 드라이브 생크(drive shank) 82 : 그라인딩 디스크
84 : 연마포(polishing cloth) 90 : 용매
92 : 탱크 94 : 기판
96 : 관통 통로 98 : 유지 링
100 : 챔버
본 발명은 처리될 가공품(workpiece)이 고체(solid)를 사용하여 가공품 캐리어(a work carrier)에 고정되는 가공품 처리 방법에 관한 것이다.
가공품은 가령 반도체 디스크, 즉, 웨이퍼이다. 따라서, 매우 얇은 반도체 디스크가 처리된다. 즉, 보다 두꺼운 반도체 디스크로부터 매우 얇은 반도체 디스크가 생성될 수 있다. SOI(실리콘 온 절연체) 기술이 사용될 경우, 얇은 반도체 디스크 또는 가령 유리나 세라믹으로 구성된 다른 기판의 두께는 가령 20㎛보다 작다.
사용되는 고체는 가령 접착제 또는 왁스이다. 이로써, 가공품과 가공품 캐리어는 고체와 가공품 또는 가공품 캐리어 사이의 접착력 또는 고체와 가공품 캐리어 사이의 접착력, 및 고체에서의 응집력으로 인해서 서로 결합한다.
이러한 방법에 따르면 가령 특히 평탄한 표면을 갖도록 고체를 균일하게 도포하는 것이 문제가 된다. 특히, 이 가공품에는 고체가 도포되어 한 평면 내에 놓일 수 있다. 그러나, 또한, 가령 가공품 균열과 같은 문제가 또한 가공품 캐리어로부터 가공품을 분리시키는 동안 발생할 수 있다. 가공품이 특별히 신중하게 분리되어야하기 때문에, 이러한 분리에 필요한 시간이 상당히 소모된다.
가공품을 처리하기 위한 본 발명의 한 가지 목적은 고체의 특히 균일한 도포 및 가공품과 가공품 캐리어의 특히 간단한 분리를 가능하게 하는 간단한 가공품 처리 방법을 지정하는 것이다. 또한, 본 방법에서 특별히 사용되는 가공품 캐리어가 제공된다.
방법에 관련된 목적은 청구항 제 1 항에서 지정된 방법 단계들에 의해서 성취된다. 실시예가 종속항에서 지정된다.
본 발명의 기본 사상은 가공품 캐리어가, 한편으로는, 고체에 의해서 가공품과 가공품 캐리어의 연결을 증진시키고, 다른 한편으로는, 가공품과 가공품 캐리어의 분리를 간단한 방식으로 가능하게 하는 재료로 구성되거나 그러한 재료를 포함해야 한다는 점에 기초를 두고 있다. 따라서, 본 발명에 따른 방법에 있어서, 다공성 재료를 포함하거나 다공성 재료로 구성된 가공품 캐리어가 사용된다. 여기서, "다공성"은 가공품 캐리어가 그 내부 및 그 표면에 다수의 공동을 포함하고 있음을 의미한다. 이들 공동은 또한 세공(pore)이라고도 지칭된다. 다공성 표면은, 평탄한 표면에 비해, 고체에 대한 접착 특성이 향상된다. 또한, 다수의 다공성 재료가 이용될 수 있기 때문에, 적합한 다공성 재료가 선택될 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 실시예에서는, 가스 투과성 가공품 캐리어가 사용된다. 가스는 서로 접속된 공동들로부터 또는 연장된 공동들의 통로를 통해 흐른다. 실시예에 있어서, 진공 상태는 가공품이 가공품 캐리어에 고정될 때에 가공품 캐리어에서 생성되며, 이 진공 상태는 접착을 증진시킨다. 따라서, 실시예에서, 진공 상태는 고체가 액화 상태로 도포된 후 및 이 도포된 고체가 경화되기 전에 생성된다. 이 진공 상태는 고체를 공동 통로의 시작 부분 내로 흡입한다. 고체의 점성에 따라서, 진공 상태는 전체 경화 기간 동안 유지될 필요는 없으며, 단지, 예를 들어, 경화의 시작 시기에서만 유지될 필요가 있다.
진공 상태의 흡입으로 인해서, 고체는 간단한 방식으로 균일하게 분포된다. 기포(air bubble)가 흡입되어 버리기 때문에 전체 표면에 대한 접착이 가능하다.
진공 상태는 바람직하게는 액화된 고체의 침투 깊이가 평균 공동 폭을 초과하지 않도록 설정된다. 이로써, 고체와 가공품 캐리어 사이의 접착성이 증가한다. 그럼에도 불구하고, 이 접착제는 가공품 캐리어로부터 다시 쉽게 분리될 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 다른 실시예에서, 가공품과 가공품 캐리어를 분리시키는 고체는 가령 아세톤, 알코올, 에테르, 이소프로패놀과 같은 유기 용매에 의해서 제공된다. 공동으로 인해서, 가공품 캐리어로부터의 고체의 분리 및 이로 인한 가공품 캐리어로부터의 가공품의 분리는, 특히, 고체와 인접하며 그 통로에 의해서 서로 연결된 공동들에 의해서 촉진된다. 이 통로는 또한 고체에서 시작하여 다시 고체에서 끝나도록 가공품 캐리어 내에 놓인 연장된 공동들에 의해서도 형성될 수 있다. 이 고체로 완전하게 충진되지 않거나 공동 통로를 통해서 고체와 접해 있는 다른 공동에 연결된 공동이 고체 아래에 존재하는 한 분리가 가속화된다.
다음 실시예에서, 용매에 대해서 투과성인 가공품 캐리어가 사용된다. 이는 서로 접속된 공동들 또는 연장된 공동들에 의해 형성된 다공성 가공품 캐리어 내에 통로가 존재한다는 것을 의미하며, 이 통로에서는 용매가 가령 모세관 작용 또는 양의 압력 생성 또는 진공 상태 생성에 의해 이동된다. 보다 구체적으로, 이 통로는 고체에 접해 있는 가공품 캐리어의 측면으로부터 고체와 접해 있는 가공품 캐리어의 측면과는 멀리 떨어진 가공품 캐리어의 측면까지 연장된다. 필요에 따라, 이들 통로의 분기 통로들이 가공품 캐리어의 측면 표면으로 연장된다. 특히, 가공품 캐리어는 분기형 공동 망(a branched pore network)을 갖는다.
다른 실시예에서, 다공성 재료는 세라믹, 유리, 유리 세라믹, 금속, 특히 소결된 금속 또는 금속 세라믹이다. 일반적으로는, 소결된 금속이 적합하다. 공동의 형성은 제조 동안 연소되는 재료 입자를 부가함으로써 이들 재료의 제조 동안에 촉진될 수 있다. 본 발명에 따른 방법에서 사용된 재료는 또한 가령 다공성 세라믹 또는 다공성 유리와 같은 다공성 재료라고도 지칭된다.
구체적으로 말해서, 평균 공동 크기는 20㎛와 500㎛ 사이의 값을 가지며, 바람직하게는 50㎛와 100㎛ 사이의 값을 갖는다. 마지막에 언급한 범위 내의 공동 직경은 양호한 모세관 작용을 갖는 통로를 형성한다.
다른 실시예에서, 다공성 재료의 공동 밀도(porosity)는 20%와 50% 사이의 값을 갖는다. 이 경우, 공동 밀도는 총 공동 체적을 포함하는 재료의 총 체적에 대한 공동 체적의 비율을 나타낸다. 상기 범위는 공동의 수와 가공품 캐리어의 유지 안정성 사이의 양호한 절충을 제공한다.
다른 실시예에서, 다공성 재료의 개방된 공동 밀도(open porosity)는 10%와 60% 사이의 값을 가지며, 특히 20%와 50% 사이의 값을 갖는다. 이 경우, 개방된 공동 밀도는 다공성 통로를 거쳐서 다공성 재료의 가장자리에 연결되거나 다공성 재료의 표면에 있는 공동들의 체적 대 총 공동 체적을 포함하는 총 체적의 비율을 말한다. 이 경우에는, 공동 통로가 연속적으로 연장되든지 한 측면 상에서 연장되든지(즉, 한쪽이 막힌 통로(blind passage))인지에 대해서는 구별하지 않는다. 상기 범위는 가공품 캐리어 상에서의 고체의 증가된 접착도 사이, 즉, 용해 용이성과 가공품 캐리어의 충분한 안정성 사이에 양호한 절충을 제공한다.
다른 세부 실시예에서, 공동 체적 중 적어도 10% 또는 적어도 20%는 다공성 재료를 통과하는 공동 통로에 속한다. 이 실시에에서, 용매는 충분한 정도까지 고체로 이동될 수 있다.
다른 세부 실시예에서, 사용된 다공성 재료는 DIN(German Institute of Standarization) EN(European Standard) 623-2, 1992 또는 DIN 51056, 1985에 따른 세라믹이다. 가령, P65 세라믹 또는 P55 세라믹이 사용되며, 이 세라믹은 특히 "Rauschert technisches Glas"라는 회사에 의해서 생산된다.
다른 실시예에서, 공동들은 불규칙적으로 배열되지만 균일한 분포를 따른다. 그리드(grid)로 배열된 세밀한 공동과 대조적으로, 제조 비용 절감 이외에, 균일한 공동 분포가 얻어지며, 이 균일한 공동 분포는 가공품과 가공품 캐리어의 연결 또는 가공품과 가공품 캐리어의 분리를 촉진시킨다.
다른 실시예에서, 가공품 캐리어에 고정된 가공품은 그 처리 동안, 특히, 100㎛보다 작거나 20㎛보다 작은 두께로 얇아진다. 가령, 그라인딩 처리(a grinding process)가 수행되는데, 여기서 재료 제거 속도는 1㎛/s보다 큰 속도, 가령 3㎛/s이다. 또한, 가공품은 CMP 프로세스를 사용하여 건식 폴리싱 또는 폴리싱된다. 이 경우에, 재료 제거 속도는 가령 약 1㎛/min이다. 폴리싱 대신에, 가령 건식 화학 에칭 또는 습식 화학 공정의 가령 플라즈마 에칭 또는 이온성 반응 에칭을 사용하여 전체 표면을 에칭한다. 이러한 방식으로 얇아진 가공품, 즉, 웨이퍼는 이어서 예를 들어 리소그래피 처리된다. 또한, 반도체 구성 요소 또는 도전성 경로를 생성하기 위해서, 얇아진 가공품 상에서 층 증착이 수행될 수 있다. 이 처리 단계들 동안, 얇아진 가공품은 최초의 두께를 갖는 가공품처럼 다루어질 수 있다. 특히, 처리 머신으로 이동되어 삽입되거나 그 자리에서 고정되며 이후에 처리 머신으로부터 분리될 수 있다.
다른 실시예에서, 전술한 접착제 또는 왁스 이외에, 사용되는 고체는 플라스틱 재료 또는 양면 접착 테이프이다.
다른 실시예에서, 고체는 가공품과 가공품 캐리어 사이의 전체 중간 공간을 간단하게 충진한다. 이와 달리, 고체는 가공품과 가공품 캐리어 사이의 중간 공간의 오직 일부분, 가령 충진되지 않는 영역을 둘러싸는 환형 영역 또는 중간 영역에 의해서 서로 분리된 다수의 영역만을 충진한다. 이러한 부분적 충진에 의해서 분리가 더욱 용이하게 수행된다.
다른 측면에서, 본 발명은 판 형상 또는 디스크 형상을 갖는 가공품 캐리어에 관한 것이다. 가공품 캐리어는 다공성 재료를 포함하거나 다공성 재료로 구성된다. 따라서, 전술한 기술적 효과는 마찬가지로 가공품 캐리어에도 적용된다. 특히, 실시예에 있어서, 가공품 캐리어는 본 발명에 따른 방법 및 그 실시예들에서 사용되는 가공품 캐리어의 특징(feature)들을 갖는다. 가공품 캐리어는 특히 재사용될 수 있으며 얇아진 가공품의 유지, 이동 또는 조작을 용이하게 한다.
일 실시예에서, 가공품 캐리어는 반도체 웨이퍼의 아웃라인(outline), 말하자면, 필요에 따라, "평탄부(flat)", 즉, 결정(crystal)의 방향을 식별하기 위한 "평탄화부(flattening)"를 갖는다. 가공품 캐리어의 직경은 반도체 웨이퍼의 직경과 동일한데, 즉, 1인치(25.4mm), 2인치 등과 동일하며 12인치 또는 13인치 등에 이른다. 이러한 반도체 직경의 선택은 반도체 웨이퍼에 어떤 돌출된 가장 자리도 존재하지 않는 것을 보장한다. 또한, 가공품 캐리어는 반도체 웨이퍼를 넘어서 돌출되지 않는다. 이는 가령 진공 상태 생성을 어렵게 한다.
본 발명은 이제 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 세라믹 RAPOR P65의 가공품 캐리어(10)의 평면도이다. 가공품 캐리어(10)는 12인치(1인치 = 25.4mm), 즉, 약 300mm의 직경을 갖는 디스크 형상을 갖는다. 가공품 캐리어(10)는 한쪽 측면(12)이 평탄화되어 이 가공품 캐리어에 고정되는 웨이퍼의 "평탄부(flat)"를 모방하게 한다. 가공품 캐리어(10)는 웨이퍼가 고정될 표면에 다수의 공동(14, 16)을 형성되어 있다.
도 2는 가공품 캐리어(10)의 단면도이다. 예시적인 실시예에서, 가공품 캐리어(10)의 두께 D1은 770㎛이다. 이 두께는 12인치 실리콘 웨이퍼의 두께에 대응한다. 다수의 공동(20, 22)은 가공품 캐리어(10)의 내부에도 존재한다. 인접하는 공동들은 가공품 캐리어(10) 내부에서 상호 연결되어, 다수의 공동 통로(24, 26)를 형성하며, 이 통로는 상부 측면(30), 즉, 웨이퍼를 고정하는 측면으로부터 가공품 캐리어의 배면(32)까지 연장된다. 공동 통로(24)는 비교적 직각 선형이며, 공동 통로(26)는 사형(meander shape)으로 연장된다.
도 3은 반도체 웨이퍼(52)를 가공품 캐리어(10)에 연결시키는 유지 디바이스(50)의 단면도이다. 이 유지 디바이스(50)는 기판(54)을 포함하며, 이 기판상에는 유지 링(56)이 고정된다. 그 상부 부분에서, 유지 링(56)은 직경 DM1에 대응하는 내부 직경을 갖는다. 그의 하부 부분에서, 유지 링(56)은 약간 더 작은 직경을 가지며, 이로써 가공품 캐리어(10)를 위한 지지 표면(bearing surface)이 형성된다. 챔버(58)는 유지 링(56) 상에 놓인 가공품 캐리어(10)와 기판(54) 사이에 형성된다. 기판(54) 내의 챔버(58) 중앙에는 흡입 통로(60)가 구성되며 이 흡입 통로는 진공 펌프에 연결된다.
가공품 캐리어(10)가 유지 링(56) 상에 배치된 후에, 가공품 캐리어(10)의 상부 측면(30)은 가령 에폭시 수지 기반 접착제로 코팅된다. 접착제(62)가 도포된 후에, 진공 펌프가 온으로 전환되어 챔버(58)가 진공 상태로 된다(화살표 64 참조). 이 진공 상태에 의해서, 접착제(62)는 상부 측면(30) 상의 공동 가령 공동(14, 16) 내로 흡입되며 이어서 공동 통로(24, 26)의 시작 부분 내부로 흡입된다. 이 진공 상태가 계속 유지되면서, 750㎛의 두께 D2를 갖는 12인치 반도체 웨이퍼(52)가 접착성 코팅부(62) 상에 배치되며, 필요에 따라 약하게 가압된다. 이 코팅부(62)가 경화된 후 진공 펌프가 오프로 전환된다.
예시적인 실시예에서, 유지 링(56)의 높이는, 가공품 캐리어(10)의 측면 및 코팅부(62)의 측면은 완전하게 피복되고 반도체 웨이퍼(52)의 측면은 부분적으로 피복되도록 결정된다. 이로써, 유지 링(56)을 위한 봉합 재료가 적합하게 선택되면, 어떤 부차적인 공기도 흡입되지 않으며 이로써 반도체 웨이퍼(52)는 접착제(62) 상에 균일하게 부착된다. 도 3에서, 접착제(62)의 코팅부는 가공품 캐리어(10)의 코팅 두께 또는 반도체 웨이퍼(52)의 코팅 두께에 비해서 상당히 확대 도시되어 있다.
경화 후에, 가공품 캐리어(10)에 고정된 반도체 웨이퍼(52)는 유지 디바이스(50)로부터 분리되어 가령 웨이퍼 카세트와 같은 이동 디바이스를 이용하여 그라인딩 머신으로 이동된다. 그라인딩 머신에 의해서, 반도체 웨이퍼(52)는 750㎛ 내지 105㎛으로 얇게 그라인딩된다. 그라인딩 동안, 반도체 웨이퍼(52)는 유지 디바이스 내의 가공품 캐리어(10) 상에서 유지된다. 그라인딩 후에, 얇아진 반도체 웨이퍼(52)는 도 4에 도시한 CMP(chemical mechanical polishing) 머신(70)으로 이동되며 이 머신의 유지 링(72) 내부로 삽입된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 유지 링(70)은 CMP 머신(70)의 기판(74) 상에 고정된다. 그라인딩 툴(76) 및 폴리싱 수단(슬러리)(도시하지 않음)에 의해서, 반도체 웨이퍼(52)는 가령 5㎛만큼 얇아진다. 이렇게 얇아진 반도체 웨이퍼(52a)의 두께는 100㎛가 된다. 그라인딩 툴(76)은 화살표(81) 방향으로 회전하는 드라이브 생크(a drive shank)(80), 그라인딩 디스크(82), 및 이 그라인딩 디스크(82)에 고정된 연마포(polishing cloth)(84)를 포함한다.
다른 예시적인 실시예에서, 가공품 캐리어(10)는 CMP 머신(70)에서 진공 상태에 의해서 유지된다. 이 경우에, CMP 머신(70)의 유지 디바이스는 유지 디바이스(50)과 같이 구성된다. 즉, 이 유지 디바이스에는 유지 디바이스(50)과 같이 횡형 봉합부, 유지 링의 계단형 유지 표면, 적어도 하나의 흡입 통로가 존재한다.
반도체 웨이퍼(52a)를 얇게 한 후, 다수의 추가 단계들이 가공품 캐리어(10)에 연결된 반도체 웨이퍼(52a) 상에서 수행될 수 있으며, 다수의 트랜지스터가 가령 반도체 웨이퍼(52a) 상에 생성될 수 있다. 반도체 웨이퍼(52b)가 획득된다.
도 5에 도시한 바와 같이, 이들 방법 단계 후에, 반도체 웨이퍼(52b)는 탱크(92) 내에 위치하는 액체 용매(90)에 의해서 제거된다. 탱크(92)는 기판(94)을 가지며 관통 통로(96)가 이 기판을 통과한다. 관통 통로(96)를 중심으로 하여, 기판(94) 상에는, 유지 링(56, 72)처럼 가공품 캐리어(10)의 가장 자리 경로를 따르는 유지 링(98)이 동심원 형상으로 고정된다. 다시 말해, 유지 링은, 특히, 평탄부(13)를 모방한다. 상부 영역에서, 유지 링(98)은 직경 DM1에 대응하는 직경을 갖는다. 하부 영역에서, 유지 링은 보다 작은 직경을 가지며, 이로써 가공품 캐리어(10)를 위한 지지 표면이 생성된다. 통로(96)를 통해서 그 내부로 용매가 유입(화살표 102)되는 챔버(100)는 가공품 캐리어(10)와 기판(94) 사이에서 유지 링(98)에 의해서 형성된다. 용매는 공동 통로(24, 26)를 통해서 접착제(62)까지 전달된다. 유지 링(98)의 상부 에지는 가공품 캐리어(10)의 측벽의 대략 절반 정도까지만 연장되며, 이로써 그의 측면에서 용매가 탱크(92) 내부로 누설될 수 있다. 이어서, 이 누설된 용매는 이어서 외부측으로부터 접착제(62)로 충진된 접착성 결합부의 내부로 침투하며, 용해 프로세스를 더욱 가속화시킨다. 다른 예시적인 실시예에서, 용매는 관통 통로(96)를 통해서 흡입된다(화살표 104). 역시, 이 경우에도 용매는 탱크(92)로부터 가공품 캐리어(10) 내의 공동 시스템(pore system)을 거쳐 가공품 캐리어(10)의 상부 측면을 통해서 접착성 코팅부(62)로 전달된다.
다른 예시적인 실시예에서는, 반도체 웨이퍼(52b)가 가공품 캐리어(10)로부터 분리되기 전에, 다른 가공품 캐리어가 반도체 웨이퍼(52b)의 노출면에 고정되며, 이로써 이 다른 가공품 캐리어는 가공품 캐리어(10)처럼 설계될 수 있다. 이 경우에, 반도체 웨이퍼(52b)의 처리는 그의 배면 상에서 진행될 수 있다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 처리는 간단하게 수행될 수 있으며 이 웨이퍼 처리는 높은 효율성으로 수행될 수 있다. 특히, 균열율이 작고, 다른 손상이 없이 수행될 수 있다. 분리 과정에 걸리는 시간은 매우 짧다. 또한, 가공품 캐리어(10), 즉, 세라믹 판은 반도체 웨이퍼(52b)의 분리 후에 즉시 재사용될 수 있다.

Claims (14)

  1. 가공품(workpiece)(52) 처리 방법에 있어서,
    처리될 가공품(52)은 고체(62)에 의해서 가공품 캐리어(work carrier)(10)에 고정되며,
    상기 가공품 캐리어(10)는 다공성 재료를 포함하거나 다공성 재료로 구성되는
    가공품 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    가스 투과성 가공품 캐리어(10)가 사용되며,
    상기 가공품(52)를 고정하기 위해, 바람직하게는, 상기 고체(62)가 액화 상태로 도포된 후 및/또는 상기 고체(62)가 경화되기 전에, 상기 가공품 캐리어(10)에서 진공 상태(64)가 생성되는
    가공품 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가공품(52)과 상기 가공품 캐리어(10)를 분리시키는 상기 고체(62)는 용매(90)에 의해서 분리(release)되며, 상기 용매(90)는 상기 가공품 캐리어(10)의 공동(14-20) 내부로 침투하는
    가공품 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    용매(90)에 대해 투과성인 가공품 캐리어(10)가 사용되며,
    상기 가공품(52)과 상기 가공품 캐리어(10)를 분리하기 위해서, 바람직하게는, 모세관 작용이나 양의 압력(positive pressure)(104) 생성 또는 진공 상태(102) 생성에 의해서, 용매는, 특히, 상기 가공품(52)으로부터 멀리 떨어진 상기 가공품 캐리어(10)의 측면 상에서, 공동 또는 다수의 공동(14-22)으로부터 상기 가공품 캐리어(10)를 통해 공동 통로(pore passage)(24, 26) 내부로 상기 고체(62)까지 침투하는
    가공품 처리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다공성 재료는 세라믹, 유리, 유리 세라믹, 금속, 소결된 금속, 금속 세라믹, 소결된 재료, P65 또는 P55이고,
    평균 공동 크기는 20㎛와 500㎛ 사이의 값을 가지며,
    상기 다공성 재료의 공동 밀도(porosity)는 20%와 50% 사이의 값을 갖고,
    상기 다공성 재료의 개방된 공동 밀도(open porosity)는 10%와 60% 사이에 있으며,
    공동 체적 중 적어도 10%는 상기 다공성 재료를 통과하는 공동 통로(24, 26)에 속하고,
    또는, 상기 공동(14-22)은 불규칙적으로 배열되거나 균일 분포에 따라 배열되는
    가공품 처리 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가공품 캐리어 상에서 상기 가공품(52)은, 바람직하게는, 그라인딩(grinding) 처리, 폴리싱 처리 또는 에칭 처리에 의해서, 특히, 습식 화학적 방식, 화학적 방식 또는 화학/물리적 방식으로, 100㎛보다 작은 두께까지 얇아지고,
    상기 가공품 캐리어(10) 상의 상기 가공품(52)은 리소그래피 처리되며,
    상기 가공품 캐리어(10) 상의 상기 가공품(52)은 층 증착 처리되는
    가공품 처리 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고체(62)는 왁스 또는 접착제 또는 플라스틱 재료 또는 양면 접착 테이프를 포함하거나 이들 재료 중 하나로 구성되는
    가공품 처리 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가공품(52)은 반도체 재료를 포함하거나 반도체 재료로 구성되며,
    상기 가공품(52)은 반도체 웨이퍼인
    가공품 처리 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고체(62)는 가공품(52)과 가공품 캐리어(10) 사이의 중간 공간 전체를 충진하거나, 가공품(52)과 가공품 캐리어(10) 사이의 상기 중간 공간 중 오직 일부분만, 특히, 충진되지 않은 영역을 둘러싸는 환형 영역 또는 중간 공간에 의해 서로 분리되는 다수의 영역들만을 충진하는
    가공품 처리 방법.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 방법에서 사용되고, 판 또는 디스크 형상을 갖되,
    다공성 재료를 포함하거나 다공성 재료로 구성되는
    가공품 캐리어.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 가공품 캐리어(10)는 반도체 웨이퍼(52)의 아웃라인(outline)을 가지며,
    상기 가공품 캐리어(10)의 직경(DM1)은 상기 반도체 웨이퍼(52)의 직경과 동일한
    가공품 캐리어.
  12. 제 5 항에 있어서,
    평균 공동 크기는 50㎛와 100㎛ 사이의 값을 가지며,
    상기 다공성 재료의 개방된 공동 밀도(open porosity)는 20%와 50% 사이에 있고,
    상기 공동 체적 중 적어도 20%는 상기 다공성 재료를 통과하는 상기 공동 통로(24, 26)에 속하는
    가공품 처리 방법.
  13. 제 6 항에 있어서,
    상기 가공품 캐리어 상에서 상기 가공품(52)은 20㎛보다 작은 두께까지 얇아지는
    가공품 처리 방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 반도체 재료는 실리콘을 포함하는
    가공품 처리 방법.
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