KR20040055681A - 작업피스 처리 방법 및 작업 캐리어 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 처리될 작업피스(52)가 고체(62)에 의해서 작업 캐리어(10)에 고정된, 작업피스 처리 방법에 관한 것이다. 작업 캐리어(10)는 가령 다공성 세라믹과 같은 다공성 재료로 구성된다. 이 작업피스 처리 방법은 웨이퍼를 간단한 조작을 가능하게 한다. 또한, 작업피스(52)는 용매에 의해서 작업 캐리어(10)로부터 쉽게 분리될 수 있다.

Description

작업피스 처리 방법 및 작업 캐리어{METHOD OF PROCESSING A WORKPIECE, AND A WORK CARRIER, IN PARTICULAR OF POROUS CERAMIC}
본 발명은 처리될 작업피스(a workpiece)가 고체(solid)에 의해서 작업 캐리어(a work carrier)에 고정되어 있는 작업피스 처리 방법에 관한 것이다.
작업피스는 가령 반도체 디스크 즉 웨이퍼이다. 이로써, 매우 얇은 반도체 디스크가 처리되거나 보다 두꺼운 반도체 디스크로부터 생성될 수 있다. SOI(실리콘 온 절연체) 기술이 사용될 경우, 얇은 반도체 디스크의 두께 또는 가령 유리 또는 세라믹으로 구성된 다른 기판의 두께는 가령 20 ㎛보다 작다.
사용된 고체는 가령 접착제 또는 왁스이다. 이로써, 작업피스와 작업 캐리어는 고체와 작업 피스 간의 접착력 또는 고체와 작업 캐리어 간의 접착력 및 고체에서의 응집력으로 인해서 서로 결합된다.
이러한 방법의 문제는 가령 특히 평면 표면을 갖게 고체를 균일하게 도포하는 것인데, 이로써 이 평면 표면 상으로 작업피스가 한 평면으로 되도록 도포될 수 있다. 그러나, 가령 작업피스 균열과 같은 문제가 작업 캐리어로부터 작업피스를 분리시키는 동안 발생할 수 있다. 이를 위해서, 작업피스가 매우 신중하게 분리되어야 하기 때문에, 이러한 분리에 필요한 시간이 상당히 소모된다.
본 발명의 한 목적은 고체의 균일한 도포 및 작업피스와 작업 캐리어의 간단한 분리를 가능하게 하는 간단한 작업피스 처리 방법을 제공하는 것이다. 또한, 특히 본 방법에서 사용되는 작업 캐리어가 제공된다.
본 방법의 목적은 청구항 1에서 규정된 방법 단계들에 의해서 성취된다. 본본 발명의 다른 실시예들이 종속항에서 제공된다.
본 발명의 기본 사상은 작업 캐리어가 고체에 의한 작업피스와 작업 캐리어 간의 접속을 증진시키면서도 다른 편에서는 작업피스와 작업 캐리어 간의 분리를 간단한 방식으로 가능하게 하는 재료로 구성되어야 한다는 것이다. 이를 위해서, 본 발명에 따른 방법에 있어서, 다공성 재료를 포함하거나 다공성 재료로 구성된 작업 캐리어가 사용된다. 여기서, "다공성"은 작업 캐리어가 그 내부 및 그 표면에서 다수의 공동을 포함함을 의미한다. 이 공동은 또한 포어(pore)로 지칭될 수 있다. 평탄한 표면에 비해서, 다공성 표면은 고체에 대한 접착 특성을 향상시킨다. 또한, 다수의 다공성 재료가 이용될 수 있는데, 이로써 적합한 다공성 재료가 선택될 수 있다.
본 발명의 따른 방법의 실시예에서, 가스 침투가능한 작업 캐리어가 사용된다. 가스가 통로를 통해서 접속된 공동들 간에 서로 흐르거나 통로를 통해서 연장된 공동으로부터 흐른다. 본 실시예에서, 작업피스가 작업 캐리어에 고정될 때에 진공 상태가 작업 캐리어에서 생성되어 이 진공 상태는 접착을 증진시킨다. 세부적으로 말하자면, 고체가 액체화 상태로 도포된 후에 그리고 이 도포된 고체가 경화되기 전에 진공 상태가 생성된다. 이 진공 상태는 공동 통로의 최초 부분으로 고체를 빨아들인다. 고체의 점성에 따라서, 진공 상태가 전체 경화 기간 동안유지될 필요는 없으며 단지 경화의 시작 시기에서만 유지될 필요가 있다.
진공 상태의 이러한 흡입으로 인해서, 고체는 간단하게 균일하게 분포된다. 공기 버블(air bubble)이 흡입되어 버리기 때문에 전체 표면에 대한 접착이 가능하다.
진공 상태는 바람직하게는 액체화된 고체의 침투 깊이가 평균 공동 폭을 초과하지 않도록 설정된다. 이로써, 고체와 작업 캐리어 간의 접착도는 증가된다. 그럼에도 불구하고, 이 접착제는 작업 캐리어로부터 다시 쉽게 분리될 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 다른 실시예에서, 작업피스와 작업 캐리어를 분리시키기 위한 고체는 가령 아세톤, 알콜, 에테르, 이소프로패놀과 같은 유기 용매에 의해서 제공된다. 공동으로 인해서, 작업 캐리어로부터의 고체의 분리 및 이로 인한 작업 캐리어로부터의 작업피스의 분리가 촉진되는데, 특히 고체와 접해있으면서 통로에 의해서 서로 연결된 공동들에 의해서 촉진된다. 이 통로는 고체에서시작하여 다시 고체에서 끝나도록 작업 캐리어 내에 놓인 연장된 공동들에 의해서 형성될 수 있다. 고체 아래에 이 고체에 의해서 완전하게 충진되지 않는 공동 또는 공동 통로를 통해서 고체와 접해 있는 다른 공동과 연결된 공동이 존재하게 되면 분리가 가속화된다.
다음 실시예에서, 용매에 대해서 침투가능한 작업 캐리어가 사용된다. 이는 다공성 작업 캐리어 내에 서로 연결된 공동에 의해서 형성된 통로 또는 연장된 공동에 의해서 형성된 통로가 존재함을 의미하며, 이 통로 내에서 용매가 가령 모세관 현상 또는 양의 압력(positive pressure)의 생성 또는 진공 상태의 생성에 의해서 이동된다. 보다 세부적으로는, 이 통로는 고체에 접해 있는 작업 캐리어의 측면에서 고체와 접해 있는 작업 캐리어의 측면으로부터 멀리 떨어진 작업 캐리어의 측면까지 쭉 연장된다. 필요하다면 이 통로의 분기 통로들이 작업 캐리어의 측면 표면으로 연장된다. 특히, 분기형 공동 망(a branched pore network)을 갖는 작업 캐리어가 사용된다.
다른 실시예에서, 다공성 재료는 세라믹, 유리, 유리 세라믹, 금속, 특히 소결된 금속 또는 금속 세라믹이다. 소결된 금속이 일반적으로 적합하다. 공동 형성은 이 재료의 제조 동안 제조 동안 연소되어 버리는 재료 입자가 부가됨으로써 촉진될 수 있다. 본 발명에 따른 방법에서 사용된 재료는 또한 가령 다공성 세라믹 또는 다공성 유리와 같은 다공성 재료로서 지칭된다.
세부적으로 말하자면, 평균 공동 크기는 20 ㎛ 내지 500 ㎛ 이며 바람직하게는 50 ㎛ 내지 100 ㎛이다. 후자의 크기를 갖는 공동 직경은 양호한 모세관 현상을 갖는 통로를 형성한다.
다른 실시예에서, 다공성 재료의 공동 밀도(porosity)는 20 % 내지 50 % 값을 갖는다. 여기서, 공동 밀도는 전체 공동 체적을 포함하는 재료의 총 체적 대 공동 체적의 비율을 말한다. 이의 공동 밀도 범위는 공동의 수와 작업 캐리어의 유지 안정성 간의 양호한 절충을 제공한다.
다른 실시예에서, 다공성 재료의 개방된 공동 밀도(open porosity)는 10 % 내지 60 % 값을 가지며 특히 20 % 내지 50 % 값을 갖는다. 여기서, 개방된 공동 밀도는 총 공동 체적을 포함하는 다공성 재료의 총 체적 대 공동 통로를 통해서 다공성 재료의 가장 자리에 연결된 공동 또는 다공성 재료의 표면에 존재하는 공동의 체적의 비율을 말한다. 여기서, 공동 통로가 연속적으로 연장되든지 아니면 한 측면 상에서 연장되든 즉 한 쪽이 막힌 통로(blind passage)이든지 상관 없다. 위의 개방된 공동 밀도 범위는 작업 캐리어 상에서의 고체의 증가된 접착도와 용해 용이성과 작업 캐리어의 충분한 안정성 간의 양호한 절충을 제공한다.
다른 세부 실례에서, 공동 체적 중 적어도 10 % 또는 적어도 20 %는 다공성 재료를 통과하는 공동 통로에 속한다. 이 실례에서, 용매는 충분한 정도로 고체로 이동될 수 있다.
다른 세부 실례에서, 사용된 다공성 재료는 DIN(German Institute of Standarization) EN(European Standard) 623-2, 1992 또는 DIN 51056, 1985에 따른 세라믹이다. 가령, P65 세라믹 또는 P55 세라믹이 사용되며, 특히 이 세라믹은 "Rauschert technisches Glas"라는 회사에 의해서 생산된다.
다른 실시예에서, 공동들은 불규칙적으로 배열되지만 균일한 분포를 따른다. 그리드(grid)로 배열된 세밀한 공동과 대조적으로, 제조 비용 절감 이외에, 균일한 공동 분포가 획득되며, 이 균일한 공동 분포는 작업피스와 작업 캐리어의 결합 또는 작업피스와 작업 캐리어의 분리를 촉진시킨다.
다른 실시예에서, 작업 캐리어에 고정된 작업피스는 그의 처리 동안 특히 100 ㎛ 보다 작거나 20 ㎛ 보다 작은 두께로 얇게 된다. 가령, 그라인딩 처리(a grinding process)가 수행되는데, 여기서 재료 제거 레이트는 1 ㎛/s 보다 큰 레이트 가령 3 ㎛/s이다. 또한, 작업피스는 CMP 프로세스를 사용하여 건식 폴리싱 또는 폴리싱된다. 이 경우에, 재료 제거 레이트는 가령 약 1 ㎛/min이다. 폴리싱 대신에, 가령 건식 화학 에칭 또는 습식 화학 에칭 또는 플라즈마 에칭 또는 이온성 반응 에칭을 사용하여 전체 표면을 에칭한다. 이렇게 얇게 된 작업피스 즉 웨이퍼는 이어서 리소그래피 프로세스를 받는다. 또한, 반도체 구성 요소 또는 도전성 경로를 생성하기 위해서 층 증착이 얇게 된 작업피스 상에서 수행될 수 있다. 이 처리 단계들 동안, 얇게 된 작업피스는 최초의 두께를 갖는 작업피스처럼 다루어질 수 있는데, 특히 처리 머신으로 이동되어 삽입되거나 그 자리에서 고정되며 이후에 처리 머신으로부터 분리될 수 있다.
다른 실시예에서, 전술한 접착제 또는 왁스 이외에, 사용되는 고체는 플라스틱 재료 또는 이중 측면 접착 테이프이다.
다른 실시예에서, 고체는 작업피스와 작업 캐리어 간의 전체 중간 공간을 간단하게 충진한다. 이와 달리, 고체는 작업피스와 작업 캐리어 간의 중간 공간의오직 일부분만을 가령 충진되지 않는 영역을 둘러싸는 환형 영역 또는 중간 영역에 의해서 서로 분리된 다수의 영역을 충진한다. 이러한 부분적 충진에 의해서 분리가 용이하게 수행된다.
다른 측면에서, 본 발명은 플레이트 또는 디스크 형상을 갖는 작업 캐리어에 관한 것이다. 작업 캐리어는 다공성 재료를 포함하거나 다공성 재료로 구성된다. 전술한 모든 기술적 효과는 작업 캐리어에 대해서 마찬가지로 적용된다. 특히, 작업 캐리어는 본 발명에 따른 방법 및 이의 실시예들에서 사용되는 작업 캐리어의 피처(feature)들을 갖는다. 작업 캐리어는 특히 재사용될 수 있으며 얇게 된 작업피스의 유지, 이동, 조작을 용이하게 한다.
한 실시예에서, 작업 캐리어는 반도체 웨이퍼의 아웃라인(outline), 말하자면 "플랫(flat)" 즉 결정 방향을 식별하기 위한 "평탄화부(flattening)"를 갖는다. 작업 캐리어의 직경은 반도체 웨이퍼의 직경과 동일한데, 즉 1 인치(25.4mm), 2 인치, 3 인치... 12인치 또는 14인치 등에 이른다. 반도체 직경의 선택은 반도체 웨이퍼에 어떤 돌출된 가장 자리도 존재하지 않는 것을 보장한다. 또한, 작업 캐리어는 반도체 웨이퍼를 넘어서 돌출되지 않는다. 이는 가령 진공 상태 생성을 어렵게 한다.
본 발명은 이제 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 작업 캐리어의 평면도,
도 2는 작업 캐리어의 단면도,
도 3은 반도체 웨이퍼를 작업 캐리어에 고정시킨 구조물의 도면,
도 4는 작업 캐리어에 고정된 얇게 된 반도체 웨이퍼의 도면,
도 5는 용매에 의해서 반도체 웨이퍼와 작업 캐리어 간의 분리를 도시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 작업 캐리어 12 : 측면
13 : 플랫(flat) 14 내지 22 : 공동
24,26 : 공동 통로 50 : 유지 디바이스
52,52a,52b : 반도체 웨이퍼 54 : 베이스 플레이트
56 : 유지 링 58 : 챔버
60 : 흡입 통로 62 : 접착제
70 : CMP 머신 72 : 유지 링
74 : 베이스 플레이트 76 : 그라인딩 툴
80 : 드라이브 생크(drive shank) 82 : 그라인딩 디스크
84 : 폴리싱 클롯(polishing cloth) 90 : 용매
92 : 탱크 94 : 베이스 플레이트
96 : 관통 통로 98 : 유지 링
100 : 챔버
도 1은 세라믹 RAPOR P65의 작업 캐리어(10)의 평면도이다. 작업캐리어(10)는 12 인치 즉 약 300 nm의 직경을 갖는 디스크 형상을 갖는다. 작업 캐리어(10)는 이 작업 캐리어에 고정될 웨이퍼의 "플랫(flat)"을 모방하도록 그의 한 측면(12)이 평탄화된다. 작업 캐리어(10)는 웨이퍼가 고정될 표면에 존재하는 다수의 공동(14,16)을 포함한다.
도 2는 작업 캐리어(10)의 단면도이다. 예시적인 실시예에서, 작업 캐리어(10)의 두께 D1은 770 ㎛이다. 이 두께는 12 인치 실리콘 웨이퍼의 두께에 대응한다. 다수의 공동(20,22)이 작업 캐리어(10)의 내부에 존재한다. 인접하는 공동들은 작업 캐리어 내부에서 상호 연결되어 다수의 공동 통로(24,26)를 형성하며, 이 통로는 상부 측면(30) 즉 웨이퍼를 고정하는 측면에서 작업 캐리어의 후방 측면(32)까지 쭉 연장된다. 공동 통로(24)는 비교적 직각 선형이며 공동 통로(26)는 사형(meander shape)으로 연장된다.
도 3은 반도체 웨이퍼(52)를 작업 캐리어(10)에 연결시키는 유지 디바이스(50)의 단면도이다. 이 유지 디바이스(10)는 베이스 플레이트(54)를 포함하며, 이 베이스 플레이트 상에 유지 링(56)이 고정된다. 그의 상부 부분에서, 유지 링(56)은 직경 DM1에 대응하는 내부 직경을 갖는다. 그의 하부 부분에서, 유지 링(56)은 근소하게 보다 작은 직경을 가지며, 이로써 작업 캐리어(10)를 위한 보유 표면(bearing surface)이 형성된다. 챔버(58)가 유지 링(56) 상에 놓인 작업 캐리어(10)와 베이스 플레이트(54) 간에 형성된다. 흡입 통로(60)가 베이스 플레이트(54) 내에서 챔버(58)의 중앙에서 구성되며 이 흡입 통로는 진공 펌프에 연결된다.
작업 캐리어(10)가 유지 링(56) 상으로 배치된 후에, 작업 캐리어(10)의 상부 측면(30)은 가령 에폭시 수지 기반 접착제로 코팅된다. 접착제(62)가 도포된 후에, 진공 펌프가 온으로 전환되어 진공 상태가 챔버(58)에서 생성된다(화살표 64 참조). 이 진공 상태에 의해서, 접착제(62)가 상부 측면(30) 상의 공동 가령 공동(14,16)으로 흡입되며 이어서 공동 통로(24,26)의 시작 부분 내부로 흡입된다. 이 진공 상태가 계속 유지되면서, 이어서 750 ㎛의 두께 D2를 갖는 12 인치 반도체 웨이퍼(52)가 접착성 코팅부(62) 상에 배치되며 필요하다면 약하게 압력을 가한다. 이 코팅부(62)가 경화되면 진공 펌프가 오프로 전환된다.
예시적인 실시예에서, 유지 링(56)의 높이는 작업 캐리어(10)의 측면 및 코팅부(62)의 측면이 완전하게 피복되며 반도체 웨이퍼(52)의 측면은 부분적으로 피복되도록 결정된다. 이로써, 유지 링(56)을 위한 봉합 재료가 적합하게 선택되면, 어떤 부차적인 공기도 흡입되지 않으며 이로써 반도체 웨이퍼(52)는 접착성 코팅부(62) 상으로 균일하게 부착된다. 도 3에서, 접착성 코팅부(62)는 작업 캐리어(10)의 코팅 두께 또는 반도체 웨이퍼(52)의 코팅 두께에 비해서 크게 도시되어 있다.
경화 후에, 작업 캐리어(10)에 고정된 반도체 웨이퍼(52)는 유지 디바이스(50)로부터 분리되어 가령 웨이퍼 카세트와 같은 이동 디바이스에 의해서 그라인딩 머신으로 이동된다. 그라인딩 머신에 의해서, 반도체 웨이퍼(52)는 750㎛에서 105㎛으로 얇게 그라인딩된다. 이러한 그라인딩 동안, 반도체 웨이퍼(52)는 유지 디바이스 내의 작업 캐리어(10) 상에서 유지된다. 그라인딩 후에, 얇게된 반도체 웨이퍼(52)가 도 4에 도시된 CMP 머신(70)으로 이동되며 이 머신의 유지 링(72) 내부로 삽입된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 유지 링(70)은 CMP 머신(70)의 베이스 플레이트(74) 상에서 고정된다. 그라인딩 머신(76) 및 폴리싱 수단(슬러리)(도시되지 않음)에 의해서, 반도체 웨이퍼(52)는 가령 5 ㎛ 만큼 얇아 진다. 이렇게 얇아진 반도체 웨이퍼의 두께는 이제 100 ㎛이다. 그라인딩 툴(76)은 화살표(81) 방향으로 회전하는 드라이브 생크(a drive shank)(80), 그라인딩 디스크(82), 이 그라인딩 디스크(82)에 고정된 폴리싱 클롯(polishing cloth)(84)을 포함한다.
다른 예시적인 실례에서, 작업 캐리어(10)는 CMP 머신(70)에서 진공 상태에 의해서 유지된다. 이 경우에, CMP 머신(70)의 유지 디바이스는 유지 디바이스(50)과 같이 구성되는데, 즉 횡형 봉합부, 유지 링의 계단형 유지 표면, 적어도 하나의 흡입 통로가 존재한다.
반도체 웨이퍼(52a)를 얇게 한 후에, 다수의 후속 단계들은 작업 캐리어(10)에 연결된 반도체 웨이퍼(52a) 상에서 수행될 수 있으며, 다수의 트랜지스터가 가령 반도체 웨이퍼(52a) 상에서 생성될 수 있다. 반도체 웨이퍼(52b)가 획득된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 이들 방법 단계 후에, 반도체 웨이퍼(52b)는 탱크(92) 내에 위치하는 액체 용매(90)에 의해서 제거된다. 탱크(92)는 베이스 플레이트(94)를 가지며 관통 통로(96)가 이 베이스 플레이트를 통과한다. 유리 링(98)은 베이스 플레이트(94) 상에서 관통 통로(96) 주위에서 동심적으로 고정되며, 이 유지 링(98)은 유지 링(56,72)처럼 작업 캐리어(10)의 가장 자리를 따르는데, 즉 특히 플랫(13)을 모방한다. 상부 영역에서, 유지 링(98)은 직경 DM1에 대응하는 직경을 갖는다. 하부 영역에서, 유지 링은 보다 작은 직경을 가지며 이로써 작업 캐리어(10)를 위한 보유 표면이 생성된다. 통로(96)를 통해서 그 내부로 용매가 유입(화살표 102)되는 챔버(100)는 작업 캐리어(10)와 베이스 플레이트(94) 간에서 유지 링(98)에 의해서 형성된다. 용매가 공동 통로(24,26)를 통해서 접착제(62)까지 쭉 전달된다. 유지 링(98)의 상부 에지는 작업 캐리어(10)의 측벽의 대략 절반 정도까지만 연장되며, 이로써 그의 측면에서 용매가 탱크(92) 내부로 누설될 수 있다. 이 누설된 용매는 이어서 외부측에서 접착제(62)로 충진된 접착성 결합부 내부로 침투하며 용해 프로세스를 가속화시킨다. 다른 예시적인 실례에서, 용매는 관통 통로(96)를 통해서 흡입되어 버린다(화살표 104). 이 경우에도 역시, 용매는 작업 캐리어(10) 내의 공동 망을 통해서 탱크(92)에서 작업 캐리어(10)의 상부 측면으로 그리고 접착성 코팅부(62)로 전달된다.
다른 예시적인 실시예에서, 반도체 웨이퍼(52b)는 작업 캐리어(10)로부터 분리되기 전에, 다른 작업 캐리어가 반도체 웨이퍼(52b)의 노출된 측면에 고정되며, 이로써 이 다른 작업 캐리어는 작업 캐리어(10)처럼 설계될 수 있다. 이 경우에, 반도체 웨이퍼(52b)의 처리는 그의 후방 측면 상에서 진행될 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 방법 단계들에 의해서, 웨이퍼 처리는 간단하게 수행될 수 있으며 웨이퍼 처리는 높은 효율성으로 수행될 수 있고, 특히 작은 균열율 및 다른 손상이 없이 수행될 수 있다. 분리 과정 시간은 매우 작아진다. 또한, 작업 캐리어(10) 즉 세라믹 플레이트는 반도체 웨이퍼(52b)의 분리 후에도 즉시 재사용될 수 있다.

Claims (11)

  1. 작업피스(workpiece)(52) 처리 방법에 있어서,
    처리될 작업피스(52)가 고체(62)에 의해서 작업 캐리어(work carrier)(10)에 고정되며,
    상기 작업 캐리어(10)는 다공성 재료를 포함하거나 다공성 재료로 구성되는
    작업피스 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    가스 침투가능한 작업 캐리어(10)가 사용되며,
    상기 작업피스(52)가 상기 작업 캐리어(10)에 고정될 때에 진공 상태(64)가 상기 작업 캐리어(10)에서 생성되는데, 바람직하게는 상기 고체(62)를 액체화 상태로 도포한 후에 및/또는 상기 도포된 고체(62)가 경화되기 전에 상기 진공 상태가 생성되는
    작업피스 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 작업피스(52)와 상기 작업 캐리어(10)를 분리시키는 상기 고체(62)는상기 작업 캐리어(10)의 공동(14-20) 내부로 침투하는 용매(90)에 의해서 분리되는(released)
    작업피스 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    용매(90)가 침투가능한 작업 캐리어(10)가 사용되며,
    상기 작업피스(52)와 상기 작업 캐리어(10)를 분리하기 위해서, 상기 용매(90)는 상기 작업피스(52)로부터 멀리 떨어진 작업 캐리어(10)의 측면 상에서의 모세관 현상이나 양의 압력(positive pressure)(104) 또는 진공 상태(102)의 생성에 의해서 상기 작업 캐리어(10) 내부의 공동 또는 다수의 공동(14-22)으로부터 공동 통로(pore passage)(24,26) 내부로 침투하여 상기 고체(62)로 전달되는
    작업피스 처리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다공성 재료는 세라믹, 유리, 유리 세라믹, 금속, 특히 소결된 금속 또는 금속 세라믹 또는 소결된 재료이며,
    평균 공동 크기는 20 ㎛ 내지 500 ㎛ 이며 바람직하게는 50 ㎛ 내지 100 ㎛이고,
    상기 다공성 재료의 공동 밀도(porosity)는 20 % 내지 50 % 값을 가지며,
    상기 다공성 재료의 개방된 공동 밀도(open porosity)는 10 % 내지 60 % 값을 가지며 바람직하게는 20 % 내지 50 % 값을 갖고,
    공동 체적 중 적어도 10 % 또는 적어도 20 %는 상기 다공성 재료를 통과하는 상기 공동 통로(24,26)에 속하며,
    상기 다공성 재료는 P65 세라믹 또는 P55 세라믹이 사용되고,
    상기 공동들(14-22)은 불규칙적으로 배열되지만 균일한 분포를 따르는
    작업피스 처리 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 작업 캐리어에 고정된 작업피스(52)는 그라인딩 처리(a grinding process) 또는 폴리싱 처리 또는 에칭 처리에 의해서 특히 습식 화학적 방식 또는 화학적 방식 또는 화학/물리적 방식으로 100 ㎛ 보다 작거나 20 ㎛ 보다 작은 두께로 얇게 되고,
    상기 얇게 된 작업피스는 특히 방사(irradiation)와 같은 리소그래피 처리되며,
    상기 작업 캐리어(10) 상의 상기 작업피스(52)는 층 증착 처리되는
    작업피스 처리 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고체(62)는 접착제 또는 왁스 또는 플라스틱 재료 또는 이중 측면 접착 테이프를 포함하거나 이들 재료 중 하나의 재료로 구성되는
    작업피스 처리 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 작업피스(52)는 반도체 재료, 특히 실리콘을 포함하거나 반도체 재료로 구성되거나,
    상기 작업피스(52)는 반도체 웨이퍼인
    작업피스 처리 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고체(62)는 상기 작업피스(52)와 상기 작업 캐리어(10) 간의 중간 공간전체를 충진하거나,
    상기 고체(62)는 상기 작업피스(52)와 상기 작업 캐리어(10) 간의 중간 공간의 오직 일부분만을, 특히 충진되지 않는 영역을 둘러싸는 환형 영역 또는 중간 공간에 의해서 서로 분리된 다수의 영역들만을 충진하는
    작업피스 처리 방법.
  10. 플레이트 또는 디스크 형상을 갖는, 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 방법에서 사용되는 작업 캐리어(10)에 있어서,
    상기 작업 캐리어(10)는 다공성 재료를 포함하거나 다공성 재료로 구성되는
    작업 캐리어.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 작업 캐리어(10)는 반도체 웨이퍼(52)의 아웃라인(outline)을 가지며,
    상기 작업 캐리어(10)의 직경 DM1은 상기 반도체 웨이퍼(52)의 직경과 동일한
    작업 캐리어.
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