CZ2021567A3 - Zařízení na výrobu plátků - Google Patents

Abstract

Zařízení na výrobu plátků zahrnuje upínací stůl konfigurovaný pro držení SiC ingotu sacím povrchem s plátkem, který se má vyrobit, na horní straně, ultrazvukovou oscilační jednotku mající koncový povrch, který je přivrácený plátku, který se má vyrobit, a konfigurovanou pro oscilování ultrazvukové vlny, jednotku pro přívod vody, konfigurovanou pro přívod vody mezi plátek, který se má vyrobit, a koncový povrch ultrazvukové oscilační jednotky, a loupací jednotku, konfigurovanou pro nasávání a držení plátku, který se má vyrobit, a loupání plátku, který se má vyrobit. Upínací stůl zahrnuje pórovitou desku vytvářející sací povrch a základnu podpírající pórovitou desku a nasává a drží SiC ingot dokonce ve stavu, ve kterém je oblast druhého povrchu SiC ingotu menší než oblast sacího povrchu, a voda teče na sacím povrchu vystaveném na obvodu SiC ingotu.

Description

Zařízení na výrobu plátků

Oblast techniky

Předložený vynález se týká zařízení na výrobu plátků.

Dosavadní stav techniky

Různé druhy čipů elektronických zařízení, jako integrovaný obvod (IC - integrated Circuit), velká integrace (LSI - large scale integration), dioda emitující světlo (LED) a energetické zařízení jsou vyrobeny vytvářením zařízení pomocí vytváření velmi malých obvodů na plátku tence odříznutém pomocí drátové pily z monokrystalového polovodičového ingotu křemíku, safíru, karbidu křemíku (SiC), nebo podobně, a vyřezáváním plátku na jednotlivé čipy. Avšak, když je plátek vyroben řezáním monokrystalového polovodičového ingotu pomocí drátové pily a leštěním vrchního povrchu a spodního povrchu plátku, 70 % až 80 % objemu ingotu je vyřazeno, což je nehospodámé.

Zejména monokrystalový SiC ingot má problémy, co se týká účinné výroby plátků, protože monokrystalový SiC ingot má vysokou tvrdost, a proto je obtížné řezat monokrystalový SiC ingot pomocí drátové pily, a značnou dobu zabírá řezat monokrystalový SiC ingot, což vede k malé produktivitě a proto je jednotková cena monokrystalového SiC ingotu vysoká.

Pro řešení těchto problémů byla navržena technologie (například viz vyložený japonský patent č. 2019-102513), která vytváří oddělovací vrstvu v plánovaném řezném povrchu umístěním kondenzačního bodu laserového paprsku přenosného skrz monokrystalový SiC ingot uvnitř ingotu a aplikováním laserového paprsku, a odděluje plátek.

Podstata vynálezu

Existují různé typy monokrystalových SiC ingotů mající průměry například tři palce až šest palců. Loupači přístroj odhalený ve vyloženém japonském patentu č. 2019-102513 využívá upínací stůl mající sací drážky odpovídající velikostem příslušných ingotů v sacím povrchu. Proto v loupacím přístroji, odhaleném ve vyloženém japonském patentu č. 2019-102513, musí být upínací stůl nahrazen pokaždé, když je změněna velikost ingotu.

Odpovídajícím způsobem je cílem předloženého vynálezu, poskytnout zařízení na výrobu plátků, které může redukovat nahrazení upínacího stolu.

V souladu s aspektem předloženého vynálezu je opatřeno zařízení na výrobu plátků pro výrobu plátku z polovodičového ingotu, ve kterém se vytváří loupači vrstva umístěním kondenzačního bodu laserového paprsku vlnové délky přenosné skrz polovodičový ingot v hloubce odpovídající tloušťce plátku, který se má vyrobit, a aplikuje se laserový paprsek, přičemž zařízení na výrobu plátků zahrnuje upínací stůl konfigurovaný pro držení polovodičového ingotu na sacím povrchu s plátkem, který se má vyrobit, na horní straně, ultrazvukovou oscilační jednotku, mající koncový povrch, který je přivrácený plátku, který se má vyrobit, a konfigurovanou pro oscilování ultrazvukové vlny, a jednotku pro přívod vody, konfigurovanou pro přivádění vody mezi plátek, který se má vyrobit, a koncový povrch ultrazvukové oscilační jednotky, loupači jednotku, konfigurovanou pro nasávání a držení plátku, který se má vyrobit, a loupání plátku, který se má vyrobit, z polovodičového ingotu, a jednotku pro přijímání vody, konfigurovanou pro obklopení upínacího stolu a přijetí vody vypouštěné po té, co je přivedena od jednotky pro přívod vody k polovodičovému ingotu a teče na sacím povrchu upínacího stolu na obvodu polovodičového ingotu. Upínací stůl zahrnuje pórovitou desku vytvářející sací povrch a základnu podpírající pórovitou desku a mající spojovací průchod konfigurovaný pro způsobení, že podtlak působí na

-1 CZ 2021 - 567 A3 pórovitou desku, a upínací stůl nasává a drží polovodičový ingot dokonce i ve stavu, ve kterém oblast dnového povrchu polovodičového ingotu je menší než oblast sacího povrchu a voda teče na sacím povrchu vystaveném na obvodu polovodičového ingotu.

Přednostně má sací povrch pórovité desky první oblast odpovídající prvnímu polovodičovému ingotu majícímu první průměr a druhou oblast obklopující první oblast, spojovací průchody konfigurované pro způsobení, aby podtlak nebo přetlak působil selektivně, jsou připojeny k oblastem odpovídajícím první oblasti a druhé oblasti, v daném pořadí, v povrchu pórovité desky, přičemž povrch je na opačné straně od sacího povrchu, a když první polovodičový ingot je nasáván a držen, je přivozen podtlak, aby působil spojovacím průchodem připojeným k první oblasti, a je přivozen přetlak, aby působil spojovacím průchodem připojeným ke druhé oblasti.

Přednostně je dekompresní čerpadlo jako sací zdroj připojeno ke spojovacímu průchodu upínacího stolu a tlakoměr je instalovaný na spojovacím průchodu a rozdíl mezi naměřenými hodnotami tlakoměru, když je dekompresní čerpadlo poháněno ve stavu, ve kterém není nic namontované na sacím povrchu pórovité desky, a ve stavu, ve kterém je ingot umístěn na sacím povrchu pórovité desky, je rovný nebo více než 5 kPa.

Výše uvedené a další cíle, znaky a výhody předloženého vynálezu a způsob jejich realizace budou více zřejmé a vynálezu samotnému bude lépe rozuměno ze studia následujícího popisu a připojených nároků s odkazem na připojené výkresy ukazující přednostní provedení vynálezu.

Objasnění výkresů

Vynález bude blíže vysvětlen prostřednictvím konkrétních příkladů provedení znázorněných na výkresech, na kterých obr.l je půdorys SiC ingotu jako cíle zpracování zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení;

obr. 2 je bokorys SiC ingotu zobrazeného na obr. 1;

obr. 3 je perspektivní pohled na plátek vyrobený zařízením na výrobu plátků podle tohoto provedení;

obr. 4 je perspektivní pohled zobrazující stav vytváření loupači vrstvy v SiC ingotu zobrazeném na obr. 1;

obr. 5 je bokorys zobrazující stav vytváření loupači vrstvy v SiC ingotu zobrazeném na obr. 4;

obr. 6 je perspektivní pohled schematicky zobrazující příklad uspořádání zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení;

obr. 7 je pohled v řezu schematicky zobrazující zařízení na výrobu plátků zobrazené na obr. 6;

obr. 8 je perspektivní pohled na upínací stůl zařízení na výrobu plátků zobrazené na obr. 6;

obr. 9 je rozložený perspektivní pohled na upínací stůl zobrazený na obr. 8;

obr. 10 je pohled v řezu schematicky zobrazující zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení v době zpracovávání druhého SiC ingotu;

obr. 11 je pohled v řezu schematicky zobrazující zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení v době zpracovávání prvního SiC ingotu;

-2 CZ 2021 - 567 A3 obr. 12 je pohled v řezu schematicky zobrazující plátek odloupnutý ze druhého SiC ingotu zobrazeného na obr. 10; a obr. 13 je pohled v řezu schematicky zobrazující upínací stůl zařízení na výrobu plátků podle modifikace tohoto provedení.

Příklady uskutečnění vynálezu

Provedení předloženého vynálezu bude dále popsáno podrobně s odkazem na výkresy. Předložený vynález není omezen obsahy popsanými v následujícím provedení. Navíc, podstatné znaky popsané v následujícím zahrnují podstatné znaky snadno představitelné odborníky z oboru a v zásadě identické podstatné znaky. Dále, uspořádání popsaná v následujícím mohou být vzájemně spolu přiměřeně kombinována. Navíc, mohou být provedena různá vypuštění, nahrazení nebo modifikace uspořádání, a to bez odchýlení se od ducha předloženého vynálezu.

Zařízení na výrobu plátků podle provedení předloženého vynálezu bude popsáno s odkazem na výkresy. Nejprve bude proveden popis SiC ingotu jako cílového ingotu zpracování zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení. Obr. 1 je půdorys SiC ingotu jako cíle zpracování zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení. Obr. 2 je bokorys SiC ingotu zobrazeného na obr. 1. Obr. 3 je perspektivní pohled na plátek vyrobený zařízením na výrobu plátků podle tohoto provedení. Obr. 4 je perspektivní pohled zobrazující stav vytváření loupači vrstvy v SiC ingotu zobrazeném na obr. 1. Obr. 5 je bokorys zobrazující stav vytváření loupači vrstvy v SiC ingotu zobrazeném na obr. 4.

SiC ingot 1 zobrazený na obr. 1 a obr. 2 je v tomto provedení vytvořen ve válcovitém tvaru jako celek. V tomto provedení je SiC ingot 1 ingot hexagonálního monokrystalu SiC.

Jak zobrazeno na obr. 1 a obr. 2, má SiC ingot 1 první povrch 2 jako kruhovitý koncový povrch, kruhovitý druhý povrch 3 (odpovídající dnovému povrchu) na spodní povrchové straně prvního povrchu 2 a obvodový povrch 4 připojený k vnějšímu okraji prvního povrchu 2 a vnějšímu okraji druhého povrchu 3. Navíc, SiC ingot 1 má na obvodovém povrchu 4 zploštění 5 první orientace označující orientaci krystalu a zploštění 6 druhé orientace, ortogonální ke zploštění 5 první orientace. Délka zploštění 5 první orientace je delší než délka zploštění 6 druhé orientace.

Navíc má SiC ingot 1 c osu 9 skloněnou o úhel a vzhledem k normále 7 k prvnímu povrchu 2 ve směru 8 sklonu ke zploštění 6 druhé orientace a c rovinu 10 ortogonální k c ose 9. C rovina 10 je skloněna o úhel a vzhledem k prvnímu povrchu 2 SiC ingotu 1. Směr 8 sklonu c osy 9 od normály 7 je ortogonální ke směru rozprostření zploštění 6 druhé orientace a je paralelní se zploštěním 5 první orientace. Nekonečný počet c rovin 10 je upraven v SiC ingotu 1 na molekulární úrovni SiC ingotu 1. V tomto provedení je úhel a nastaven na 1°, 4° nebo 6°. Avšak v předloženém vynálezu může být SiC ingot 1 vyroben s úhlem a nastaveným volně například v rozsahu 1° až 6°.

Navíc je první povrch 2 SiC ingotu 1 vytvořen jako zrcadlový povrch tím, že je vystaven zpracování leštěním leštícím přístrojem poté, co brousicí přístroj vystaví první povrch 2 zpracování broušením.

Plátek 11 zobrazený na obr. 3 je vyroben loupáním části SiC ingotu 1 a vystavením povrchu 12 odloupnutého z SiC ingotu 1 zpracování broušením, zpracování leštěním, a pod. Poté, co je plátek 11 odloupnut z SiC ingotu 1, jsou na vrchním povrchu plátku 11 vytvářena zařízení. V tomto provedení jsou zařízení polem řízené tranzistory s hradlem izolovaným oxidem (MOSFETs metal-oxide-semiconductor field-effect transistors), mikroelektromechanické systémy (MEMS microelectromechanical systems), nebo Schottkyho diody (SBDs - Schottky barrier diodes). Avšak v předloženém vynálezu nejsou zařízení omezena na MOSFETs, MEMS a SBD. Mimochodem,

-3 CZ 2021 - 567 A3 stejné části plátku 11 jako ty v SiC ingotu 1 jsou označeny stejnými vztahovými čísly a jejich popis bude vynechán.

Poté, co má SiC ingot 1 zobrazený na obr. 1 a obr. 2 vytvořenou loupači vrstvu 13, jak zobrazeno na obr. 4 a obr. 5, plátek 11, který se má vyrobit, je odlupován z SiC ingotu 1 s loupači vrstvou 13 jako výchozím bodem. Loupači vrstva 13 je vytvářena uvnitř SiC ingotu 1 umístěním kondenzačního bodu 22 (zobrazen na obr. 5) paprsku 21 pulzního laseru (zobrazen na obr. 5) vlnové délky přenosné skrz SiC ingot 1 v hloubce 23 (zobrazené na obr. 5) odpovídající tloušťce 14 (zobrazené na obr. 3) plátku 11, který se má vyrobit z prvního povrchu 2 SiC ingotu 1, a aplikováním paprsku 21 pulzního laseru podél zploštění 6 druhé orientace.

Když je SiC ingot 1 ozářen paprskem 21 pulzního laseru vlnové délky přenosné skrz SiC ingot 1, modifikovaná část 24, ve které je SiC oddělen na křemík (Si) a uhlík (C) aplikací paprsku 21 pulzního laseru, přičemž je paprsek 21 pulzního laseru aplikovaný příště absorbován dříve vytvořeným C, a SiC rozdělen na Si a C řetězově vytvořen uvnitř SiC ingotu 1 podél zploštění 6 druhé orientace, a je vytvářena trhlina rozprostírající se od modifikované části 24 podél c roviny 10. Tedy, když je SiC ingot 1 ozářen paprskem 21 pulzního laseru vlnové délky přenosné skrz SiC ingot 1, je vytvářena loupači vrstva 13, která zahrnuje modifikovanou část 24 a trhlinu vytvořenou z modifikované části 24 podél c roviny 10.

Poté, co je SiC ingot 1 ozářen laserovým paprskem 21 přes celou délku ve směru paralelním se zploštěním 6 druhé orientace, jsou SiC ingot 1 a nezobrazená jednotka vyzařující laserový paprsek, která aplikuje laserový paprsek 21, sekvenčně posouvány relativně vzájemně k sobě podél zploštění 5 první orientace. Přemisťovací vzdálenost 25 sekvenčního posouvání je v této době rovná nebo menší než šířka trhliny. A loupači vrstva 13 je opět tvořena uvnitř SiC ingotu 1 umístěním kondenzačního bodu 22 v hloubce 23 odpovídající tloušťce 14 od prvního povrchu 2 a aplikováním paprsku 21 pulzního laseru podél zploštění 6 druhé orientace. Činnost ozařování SiC ingotu 1 laserovým paprskem 21 podél zploštění 6 druhé orientace a činnost sekvenčního posouvání jednotky vyzařující laserový paprsek relativně podél zploštění 5 první orientace jsou opakovány.

V důsledku toho je v SiC ingotu 1 vytvořena loupači vrstva 13 zahrnující modifikovanou část 24, ve které je SiC rozdělen na Si a C, a trhlinu, a se zmenšenou pevností oproti jiným částem, a to v každé přemisťovací vzdálenosti sekvenčního posouvání v hloubce 23 odpovídající tloušťce 14 plátku 11 od prvního povrchu 2. V SiC ingotu 1 je loupači vrstva 13 vytvořena v každé přemisťovací vzdálenosti 25 sekvenčního posouvání přes celou délku ve směru paralelně se zploštěním 5 první orientace v hloubce 23 odpovídající tloušťce 14 od prvního povrchu 2.

Navíc existuje množství druhů SiC ingotů 1 rozdílných v průměru 26. V tomto provedení zařízení 30 na výrobu plátků vyrábí plátek liz, jako SiC ingotu 1, prvního SiC ingotu 1-1 (odpovídající prvnímu ingotu), majícího první průměr 26-1, a druhého SiC ingotu 1-2 (odpovídající druhému ingotu), majícího druhý průměr 26-2 větší než první průměr 26-1.

Zařízení na výrobu plátků

Dále bude popsáno zařízení na výrobu plátků. Obr. 6 je perspektivní pohled schematicky zobrazující příklad uspořádání zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení. Obr. 7 je pohled v řezu schematicky zobrazující zařízení na výrobu plátků zobrazené na obr. 6. Obr. 8 je perspektivní pohled na upínací stůl zařízení na výrobu plátků zobrazené na obr. 6. Obr. 9 je rozložený perspektivní pohled na upínací stůl zobrazený na obr. 8. Zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení je zařízení, které vyrábí plátky 11 zobrazené na obr. 3 loupáním plátku 11 z SiC ingotu 1-1 nebo 1-2, ve kterém je vytvořena loupači vrstva 13.

Jak zobrazeno na obr. 6 a obr. 7, zařízení 30 na výrobu plátků zahrnuje upínací stůl 31, jednotku 33 pro přívod vody (zobrazenou pouze na obr. 6), ultrazvukovou oscilační jednotku 34 (zobrazenou

-4 CZ 2021 - 567 A3 pouze na obr. 6), loupači jednotku 35 (zobrazenou pouze na obr. 6), jednotku 36 pro přijímání vody a řídící jednotku 100 (zobrazenou pouze na obr. 6).

Upínací stůl 31 drží SiC ingot 1-1 nebo 1-2 s plátkem 11, který se má vyrobit, na horní straně. Horní povrch upínacího stolu 31 je sací povrch 32 paralelní s horizontálním směrem. Druhý povrch 3 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 je namontovaný na sacím povrchu 32 a upínací stůl 31 drží SiC ingot 11 nebo 1-2 sacím povrchem 32 s prvním povrchem 2 orientovaným nahoru. Mimochodem, podrobné uspořádání upínacího stolu 31 bude popsáno později.

Jednotka 33 pro přívod vody přivádí vodu 331 (zobrazenou na obr. 10) mezi plátek 11, který se má vyrobit, a koncový povrch 341 ultrazvukové oscilační jednotky 34. Jednotka 33 pro přívod vody je trubka, která přivádí od svého spodního konce vodu 331 přiváděnou od nezobrazeného zdroje pro přívod vody. Jednotka 33 pro přívod vody v tomto provedení přivádí vodu 331 na první povrch 2 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 drženého na upínacím stole 31. Mimochodem, v tomto provedení je jednotka 33 pro přívod vody opatřená v pouzdru 342 ultrazvukové oscilační jednotky 34 a přivádí vodu 331 z vnějšku koncového povrchu 341 ultrazvukové oscilační jednotky 34.

Ultrazvuková oscilační jednotka 34 je uložena v pouzdru 342. Ultrazvuková oscilační jednotka 34 má koncový povrch 341 přivrácený plátku 11, který se má vyrobit z SiC ingotu 1-1 nebo 1-2, drženém na upínacím stole 31. Ultrazvuková oscilační jednotka 34 osciluje ultrazvukovou vlnou a aplikuje oscilovanou ultrazvukovou vlnu na SiC ingot 1-1 nebo 1-2. Koncový povrch 341 ultrazvukové oscilační jednotky 34 je přivrácen prvnímu povrchu 2 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 drženém na upínacím stole 31 podél směru ortogonálního k sacímu povrchu 32 a prvnímu povrchu 2.

Ultrazvuková oscilační jednotka 34 zahrnuje ultrazvukový vibrátor a hubici mající koncový povrch 341 přivrácený plátku 11, který se má vyrobit. Ultrazvukový vibrátor je například vytvořen dobře známým piezoelektrickým prvkem. Energie je aplikovaná z nezobrazeného zdroje energie na ultrazvukový vibrátor, takže ultrazvukový vibrátor vibruje podél výše popsaného ortogonálního směru při frekvenci rovné 20 kHz nebo vyšší a rovné několika gigahertzům nebo nižší s amplitudou několika mikrometrů do několika desítek mikrometrů (kterážto vibrace zde bude dále popsána jako ultrazvuková vibrace). Hubice je vytvořena ve sloupovitém tvaru a je fixovaná ke koncovému povrchu ultrazvukového vibrátoru, kterýžto koncový povrch je bližší sacímu povrchu 32.

Ultrazvuková oscilační jednotka 34 aplikuje ultrazvukovou vlnu maje koncový povrch 341 ponořený ve vodě 331 (zobrazeno na obr. 10) přiváděné jednotkou 33 pro přívod vody na první povrch 2 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 držený na upínacím stole 31, ultrazvukově vibrujíc koncový povrch 341 ultrazvukovými vibracemi ultrazvukového vibrátoru, a tím ultrazvukově vibrujíc první povrch 2 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 přes vodu 331. V tomto provedení navíc jsou jednotka 33 pro přívod vody a ultrazvuková oscilační jednotka 34 opatřeny, aby byly zvednutelné a spustitelné nezobrazeným zvedacím a spouštěcím mechanismem.

Loupači jednotka 35 nasává a drží plátek 11, který se má vyrobit z SiC ingotu 1-1 nebo 1-2, na který se aplikuje ultrazvuková vlna, a loupe plátek liz SiC ingotu 1-1 nebo 1-2. Loupači jednotka 35 zahrnuje transportní podložku 351, která nasává a drží plátek 11, který se má vyrobit, na svém spodním povrchu, a nezobrazenou přemisťovací jednotku, která volně přemisťuje transportní podložku 351 v horizontálním směru a zvedá nebo spouští transportní podložku 351 nad upínací stůl 31. Přemisťovací jednotka přemisťuje transportní podložku 351 podél horizontálního směru mezi pozicí nad upínacím stolem 31a pozici odtaženou z po nad upínacího stolu 31.

Jednotka 36 pro přijímání vody obklopuje upínací stůl 31. Jednotka 36 pro přijímání vody přijímá vypuštěnou vodu 331 poté, co byla přivedena z j ednotky 3 3 pro přívod vody k SiC ingotu 1-1 nebo 1-2, a teče na sací povrch 32 upínacího stolu 31 na obvodu SiC ingotu 1-1 nebo 1-2. V tomto provedení je jednotka 36 pro přijímání vody vytvořena v krabicovém tvaru majícím uzavřené dno a opatřeným otvorem ve své horní části, má upínací stůl 31 instalovaný na dnu a obklopuje upínací

-5 CZ 2021 - 567 A3 stůl 31. Jak zobrazeno na obr. 7, vypouštěcí port 361, který vypouští vodu 331 ven, se otevírá ve dnu jednotky 36 pro přijímání vody.

Jak zobrazeno na obr. 7, obr. 8 a obr. 9, zahrnuje upínací stůl 31 pórovitou desku 40 a základnu 50. Horní povrch pórovité desky 40 tvoří sací povrch 32 a pórovitá deska 40 je vytvořena v kotoučovitém tvaru, jehož vnější průměr je větší než druhý průměr 36-2 druhého SiC ingotu 1-2 a jehož tloušťka je jednotná. Proto je oblast druhého povrchu 3 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 menší než oblast sacího povrchu 32 upínacího stolu 31.

Pórovitá deska 40 je tvořena pórovitou keramikou jako pórovitým materiálem. V tomto provedení je pórovitá keramika pórovité desky 40 vyrobena například míšením abrazivní zrn oxidu hlinitého předem určené velikosti, frity a kapalného adheziva, a vypalováním směsi při 600 °C až 1300 °C po slisování směsi na kotoučovitý tvar.

Jako výsledek výroby způsobem výroby, jak je popsán výše, je poréznost pórovité keramiky tvořící pórovitou desku 40 rovná nebo větší než 40 % a rovná nebo menší než 70 % jako objemový poměr, a průměr ventilačních děr vytvořených poryje rovný nebo větší než 10 pm a rovný nebo menší než 25 pm. V tomto provedení je pórovitá deska 40 nastavena tak, že v případě, kdy je dekompresní čerpadlo 56 (zobrazené na obr. 7) jako sací zdroj připojený k upínacímu stolu 31 v činnosti ve stavu, ve kterém není nic přimontované na sacím povrchu 32, je hodnota tlaku naměřená tlakoměr 57 opatřeným k sloučenému spojovacímu průchodu 54-2, který bude popsán později, v předem určeném rozsahu menším než hodnota konvenčního uspořádání. V tomto provedení je předem určený rozsah například mezi -65 kPa (piezometrický tlak) a -20 kPa (piezometrický tlak).

V tomto provedení má navíc sací povrch 32 pórovité desky 40 první oblast 321 (oblast sacího povrchu 32, kterážto oblast je na vnitřku tečkované čáry na obr. 6, obr. 8, obr. 9, nebo podobně) odpovídající prvnímu SiC ingotu 1-1 a druhou oblast 322 (oblast sacího povrchu 32, kterážto oblast je na vnější straně tečkované čáry na obr. 6, obr. 8, obr. 9, nebo podobně) obklopující první oblast 321. V tomto provedení je rovinný tvar první oblasti 321 a druhé oblasti 322 kruhovitý tvar koaxiální s rovinným tvarem sacího povrchu. V tomto provedení je navíc průměr první oblasti 321 stejný jako první průměr 26-1 prvního SiC ingotu 1-1.

Proto je první oblast 321 namontovaná s prvním SiC ingotem 1-1, když sací povrch 32 drží první SiC ingot 1-1. První oblast 321 a druhá oblast 322 jsou namontovaná s druhým SiC ingotem 1-2, když sací povrch 32 drží druhý SiC ingot 1-2. Mimochodem, zatímco hranice mezi první oblasti 321 a druhou oblast 322 je naznačena tečkovanou čárou na obr. 6, obr. 8, obr. 9, nebo podobně, hranice mezi první oblastí 321 a druhou oblasti 322 není naznačena na sacím povrchu 32 aktuální pórovité desky 40.

Základna 50 podpírá pórovitou desku 40. Základna 50 zahrnuje spojovací průchody 54, které zajišťuji, že na pórovitou desku 40 působí podtlak. V tomto provedení je základna 50 vytvořena z kovu, jako například korozivzdomé oceli, je vytvořena v kotoučovitém tvaru, jehož vnější průměr je rovný vnějšímu průměru pórovité desky 40 a jehož tloušťka je jednotná, a je instalovaná ve středu dna jednotky 36 pro přijímání vody.

Základna 50 podpírá pórovitou desku 40 s pórovitou deskou 40 namontovanou na horním povrchu 51 paralelně s horizontálním směrem. Proto je horní povrch 51 základny 50 namontovaný s povrchem 41 pórovité desky 40, kterýžto povrch je na opačné straně od sacího povrchu 32. Středová zahloubená část 52, jejíž rovinný tvar je kruhovitý tvar, a množství kruhových zahloubených částí 53 v prstencovém tvaruje vytvořeno v horním povrchu 51 základny 50.

V tomto provedení jsou středová zahloubená část 52 a množství kruhových zahloubených částí 53 vytvořeny v pozicích koaxiálně s horním povrchem 51 základny 50. V tomto provedení je průměr středové zahloubené části 52 menší než průměr první oblasti 321. V tomto provedení jsou tři kruhové zahloubené části 53 vytvořeny v horním povrchu 51. Avšak v předloženém vynálezu není

-6 CZ 2021 - 567 A3 počet kruhových zahloubených částí 53 vytvořených v horním povrchu 51 omezená na tři. Mimochodem, v následujícím budou ty tři kruhové zahloubené části 53 popisovány jako první kruhová zahloubená část 53-1, druhá kruhová zahloubená část 5 3 -2 a třetí kruhová zahloubená část 53-3 v pořadí od vnitřku.

Vnitřní průměr a vněj ší průměr první kruhové zahloubené části 53 -1 j sou větší než průměr středové zahloubené části 52 a jsou menší než průměr první oblasti 321. Vnitřní průměr a vnější průměr druhé kruhové zahloubené části 53-2 jsou větší než vnitřní průměr a vnější průměr první kruhové zahloubené části 53-1 a průměr první oblasti 321. Vnitřní průměr a vnější průměr třetí kruhové zahloubené části 53-3 jsou větší než vnitřní průměr a vnější průměr druhé kruhové zahloubené části 53-2 a průměr první oblasti 321.

Spojovací průchody 54 mají každý jeden konec otevírající se v příslušných dnech středové zahloubené části 52, první kruhové zahloubené části 53-1, druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3, a mají další konec spojující se se sbíhajícím se spojovacím průchodem 54-2 jako jedním spojovacím průchodem. Sbíhající se spojovací průchod 54-2 je připojen k dekompresnímu čerpadlu 56. Spojovací průchody 54 a sbíhající se spojovací průchod 54-2 jsou vytvořeny průtokovými průchody vytvořenými v základně 50 nebo trubce připojené k základně 50, nebo podobně.

Spojovací průchody 54 způsobují, že podtlak působí na pórovitou desku 40 namontovanou na základně 50 tím, že je nasávána dekompresním čerpadlem 56 a nasávají a drží pórovitou desku 40 na základně 50 a nasávají a drží SiC ingot 1-1 nebo 1-2 na sacím povrchu 32 způsobením, že podtlak působí na pórovitou desku 40. Mimochodem, spojovací průchody 54 mající jedny konce připojené ke středové zahloubené části 52 a první kruhové zahloubené části 53-1 jsou spojovací průchody připojené k první oblasti 321.

Mimochodem, v tomto provedení je dekompresní čerpadlo 56 vytvořeno vakuovým čerpadlem utěsněným vodou. V tomto provedení je navíc tlakoměr 57, který měří atmosférický tlak ve sbíhajícím se spojovacím průchodu 54-2, instalovaný na sbíhajícím se spojovacím průchodu 54-2. Tlakoměr 57 vydává výsledek měření na řídící jednotku 100.

Navíc, jedny konce přetlakových spojovacích průchodů 55 se jako spojovací průchody otevírají v příslušných dnech středové zahloubené části 52, první kruhové zahloubené části 53-1, druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3. Druhé konce přetlakových spoj ovacích průchodů 55 jsou spojené s jedním sbíhajícím se přetlakovým spojovacím průchodem 55-2. Sbíhající se přetlakový spojovací průchod 55-2 je připojen ke zdroji 58 přetlaku. Přetlakové spojovací průchody 55 a sbíhající se přetlakový spojovací průchod 55-2 jsou vytvořeny průtokovými průchody vytvořenými v základně 50 nebo trubce připojené k základně 50, nebo podobně. Přetlakové spojovací průchody 55 způsobují, že přetlak působí na pórovitou desku 40 namontovanou na základně 50 tím, že je zásobován plynem stlačeným zdrojem 58 přetlaku, a způsobují, že je plyn vstřikován z ventilačních děr otevírajících se v sacím povrchu 32 pórovité desky 40 způsobením, že přetlak působí na pórovitou desku 40. Mimochodem, přetlakové spojovací průchody 55, jejichž jedny konce jsou připojené ke druhé kruhové zahloubené části 52 a třetí kruhové zahloubené části 53-3, jsou spojovací průchody připojené ke druhé oblasti 322.

Navíc, spojovací průchody 54, jejichž jedny konce se otevírají v příslušných dnech první kruhové zahloubené části 53-1, druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3, jsou každý opatřen otevíracím a uzavíracím ventilem 59. Mimochodem, v následujícím bude otevírací a uzavírací ventil 59 opatřený ke spojovacímu průchodu 54, jehož jeden konec se otevírá ve dnu první kruhové zahloubené části 53-1, popisován jako první otevírací a uzavírací ventil 591, otevírací a uzavírací ventil 59 opatřený ke spojovacímu průchodu 54, jehož jeden konec se otevírá ve dnu druhé kruhové zahloubené části 53-2, bude popisován jako druhý otevírací a uzavírací ventil 59-2, a otevírací a uzavírací ventil 59 opatřený ke spojovacímu průchodu 54, jehož jeden konec se otevírá ve dnu třetí kruhové zahloubené části 53-3, bude popisován jako třetí

-7 CZ 2021 - 567 A3 otevírací a uzavírací ventil 59-3.

Navíc, přetlakové spojovací průchody 55, jejichž jedny konce se otevírají v příslušných dnech první kruhové zahloubené části 53-1, druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3, jsou každý opatřen otevíracím a uzavíracím ventilem 60. Mimochodem, v následujícím bude přetlakový otevírací a uzavírací ventil 60 opatřený k přetlakovému spojovacímu průchodu 55, jehož jeden konec se otevírá ve dnu první kruhové zahloubené části 53-1, popisován jako první přetlakový otevírací a uzavírací ventil 60-1, otevírací a uzavírací ventil 60 opatřený k přetlakovému spojovacímu průchodu 55, jehož jeden konec se otevírá ve dnu druhé kruhové zahloubené části 53-2, bude popisován jako druhý přetlakový otevírací a uzavírací ventil 60-2 a otevírací a uzavírací ventil 60 opatřený k přetlakovému spojovacímu průchodu 55, jehož jeden konec se otevírá ve dnu třetí kruhové zahloubené části 53-3, bude popisován jako třetí přetlakový otevírací a uzavírací ventil 60-3.

Navíc, sbíhající se spojovací průchod 54-2 je opatřen sbíhajícím se otevíracím a uzavíracím ventilem 61 jako otevíracím a uzavíracím ventilem, a sbíhající se přetlakový spojovací průchod 55-2 je opatřen sbíhajícím se přetlakovým otevíracím a uzavíracím ventilem 62 jako otevíracím a uzavíracím ventilem.

Tedy, spojovací průchody 54, 55, 54-2 a 55-2 upínacího stolu 31 jsou opatřeny otevíracími a uzavíracími ventily 59- 1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 60-3, 61 a 62, jedny konce spojovacích průchodů 54, 55, 54-2 a 55-2 se otevírají ve dnech středové zahloubené části 52, první kruhové zahloubené části 53-1, druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3 v horním povrchu 51 základny 50 a spojovací průchody 54, 55, 54-2 a 55-2 jsou připojeny k dekompresnímu čerpadlu 56 a zdroji 58 přetlaku. Spojovací průchody 54, 55, 54-2 a 55-2 tedy způsobují, že podtlak nebo přetlak selektivně působí na oblasti povrchu 41 pórovité desky 40, kteréžto oblasti příslušně odpovídají první oblasti 321 a druhé oblasti 322. Proto, spojovací průchody 54, 55, 54-2 a 55-2, které způsobují, že podtlak nebo přetlak selektivně působí, jsou připojeny k oblastem povrchu 41 pórovité desky 40, kteréžto oblasti příslušně odpovídají první oblasti 321 a druhé oblasti 322. Mimochodem, oblasti příslušně odpovídající první oblasti 321 a druhé oblasti 322 odkazují na oblasti povrchu 41 pórovité desky 40, kteréžto oblasti příslušně souhlasí s první oblastí 321 a druhou oblastí 322 ve směru tloušťky pórovité desky 40.

Řídící jednotka 100 způsobuje, že zařízení 30 na výrobu plátků provádí zpracovávací operaci na SiC ingotu 1-1 nebo 1-2, to je, výrobní operaci na plátku 11 řízením výše popsaných podstatných znaků zařízení 30 na výrobu plátků. Mimochodem, řídící jednotka 100 je počítač zahrnující aritmetické zpracovávací zařízení mající microprocessor, jako centrální řídicí jednotku (CPU centrál processing unit), úložné zařízení mající paměť, jako permanentní paměť (ROM - read only memory) nebo paměť s libovolným přístupem (RAM - random access memory) a zařízení rozhraní vstupů a výstupů. Aritmetické zpracovací zařízení řídící jednotky 100 provádí aritmetické zpracování podle počítačového programu uloženého v paměťovém zařízení a vydává řídicí signál pro řízení zařízení 30 na výrobu plátků výše popsaným podstatným znakům zařízení 30 na výrobu plátků přes zařízení rozhraní vstupů a výstupů.

Řídící jednotka 100 je spojena s nezobrazenou displejovou jednotkou, která je vytvořena displejovým zařízením z tekutých krystalů nebo podobně, zobrazujícím stav zpracovávací operace, obraz, nebo podobně, a nezobrazenou vstupní jednotkou, která se používá, když obsluha zapisuje informaci se zpracovacím obsahem nebo podobně. Vstupní jednotka je vytvořena alespoň jedním z dotykového panelu opatřeného k displejové jednotce a externího vstupního zařízení, jako klávesnice.

Zpracovávací operace zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení bude dále popsána s odkazem na výkresy. Obr. 10 je pohled v řezu schematicky zobrazující zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení v době zpracovávání druhého SiC ingotu. Obr. 11 je pohled v řezu schematicky zobrazující zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení v době zpracovávání

-8 CZ 2021 - 567 A3 prvního SiC ingotu. Obr. 12 je pohled v řezu schematicky zobrazující plátek odloupnutý ze druhého SiC ingotu zobrazeného na obr. 10.

Zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení zahajuje zpracovávací operaci, když druhý povrch 3 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2, ve kterém je vytvořena loupači vrstva 13, je namontovaný na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31, přičemž řídící jednotka 100 přijímá informaci se zpracovacím obsahem přes vstupní jednotku a ukládá informaci se zpracovacím obsahem v paměťovém zařízení, a řídící jednotka 100 přijímá instrukci o započetí zpracování od obsluhy. Mimochodem, informace, se zpracovacím obsahem zahrnuje informaci označující, zdaje cílem zpracování první SiC ingot 1-1 nebo druhý SiC ingot 1-2.

Ve zpracovávací operaci zařízení 30 na výrobu plátků otevírá nebo uzavírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59- 2, 59-3, 60-1, 60-2, 60-3, 61 a 62 podle toho, zdaje cílem zpracování první SiC ingot 1-1 nebo druhý SiC ingot 1-2, a tím nasává a drží SiC ingot 1-1 nebo 1-2 jako cil zpracování na sacím povrchu 32. Mimochodem, jak zobrazeno na obr. 10, v případě, kdy je cílem zpracování druhý SiC ingot 1-2, zařízení 30 na výrobu plátků otevírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3 a 61 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3 a 62.

Navíc, jak zobrazeno na obr. 11, v případě, kdy je cílem zpracování první SiC ingot 1-1, zařízení 30 na výrobu plátků otevírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 60-2, 60-3, 61 a 62 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 59-2, 59- 3 a 60-1. Tedy, když zařízení 30 na výrobu plátků nasává a drží první SiC ingot 1-1 na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31, zařízení 30 na výrobu plátků způsobuje, že podtlak působí spojovacími průchody 54, jejichž jedny konce se otevírají ve středové zahloubené části 52 a první kruhové zahloubené části 53-1 připojené k první oblasti 321, a způsobuje, že přetlak působí přetlakovými spojovacími průchody 55, jejichž jedny konce se otevírají ve druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3 připojené ke druhé oblasti 322.

V tomto provedení navíc, jak zobrazeno na obr. 10 a obr. 11, když je nasáván SiC ingot 1-1 nebo 1-2 a držen na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31, hodnota tlaku naměřená tlakoměrem 57 je ve druhém předem určeném rozsahu, ve kterém jak hodnota spodní meze, tak i hodnota horní meze jsou nižší než ty výše popsaného předem určeného rozsahu. V tomto provedení je například druhý předem určený rozsah mezi - 90 kPa (piezometrický tlak) a -70 kPa (piezometrický tlak).

Ve zpracovávací operaci spouští zařízení 30 na výrobu plátků jednotku 33 pro přívod vody a ultrazvukovou oscilační jednotku 34 a přivádí jednotku 33 pro přívod vody a ultrazvukovou oscilační jednotku 34 blízko k prvnímu povrchu 2 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 drženému na upínacím stole 31, přivádí vodu 331 k prvnímu povrchu 2 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 drženému na upínacím stole 31 od jednotky 33 pro přívod vody a tím noří koncový povrch 341 ultrazvukové oscilační jednotky 34 do vody 331 na prvním povrchu 2 drženého SiC ingot 1-1 nebo 1-2. Hodnota tlaku naměřená tlakoměrem 57 v této době je ve druhém předem určeném rozsahu. Tedy, protože je pórovitá deska 40 upínacího stolu 31 tvořena pórovitou keramikou, ve které je poréznost rovná nebo více než 40 % a rovná nebo menší než 7 0 % jako objemový poměr a průměr ventilačních děr tvořených póry je rovný nebo více než 10 pm a rovný nebo menší než 25 pm, rozdíl mezi naměřenými hodnotami tlakoměru 57, když je dekompresní čerpadlo 56 poháněno ve stavu, ve kterém není nic namontované na sacím povrchu 32, a ve stavu, ve kterém je SiC ingot 1-1 nebo 12 umístěn na sacím povrchu 32, je rovný nebo více než rozdíl mezi předem určeným rozsahem a druhým předem určeným rozsahem, to je 5 kPa.

Navíc, ve zpracovávací operaci voda 331 přiváděná k prvnímu povrchu 2 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 jednotkou 33 pro přívod vody teče přes první povrch 2 a postupuje dolu podél obvodového povrchu 4 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2. Voda 331 teče přes sací povrch 32 vystavený na obvodu SiC ingotu 11 nebo 1-2, postupuje podél obvodového povrchu upínacího stolu 31 a je přijímána jednotkou 36 pro přijímání vody. Voda 331 je pak vypouštěna z vypouštěcího portu 361. Tedy, protože je pórovitá deska 40 tvořena pórovitá keramikou, ve které je poréznost rovná nebo více než 40 % a

-9 CZ 2021 - 567 A3 rovná nebo menší než 70 % jako objemový poměr a průměr ventilačních děr vytvořených poryje rovný nebo více než 10 pm a rovný nebo menší než 25 pm, může upínací stůl 31 nasávat a držet SiC ingot 1-1 nebo 1-2 dokonce i ve stavu, ve kterém je oblast druhého povrchu 3 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 menší než oblast sacího povrchu 32 a voda 331 teče přes sací povrch 32 vystavený na obvodu SiC ingotu 1-1 nebo 1-2.

Mimochodem, když je poréznost pórovité keramiky tvořící pórovitou desku 40 menší než 40 % jako objemový poměr a průměr ventilačních děr tvořených póry je menší než 10 pm, nemůže být SiC ingot 1-1 nebo 1-2, mající druhý povrch 3 menší v oblasti než oblast sacího povrchu 32, nasáván a držen na sacím povrchu 32 dostatečnou sací silou, ani když může být potlačen únik podtlaku. Navíc, když poréznost pórovité keramiky tvořící pórovitou desku 40 překročí 70 % jako objemový poměr a průměr ventilačních děr tvořených póry překročí 25 pm, existuje příliš mnoho úniku podtlaku, a SiC ingot 1-1 nebo 1-2, mající druhý povrch 3 menší v oblasti než oblast sacího povrchu 32, nemůže být nasáván a držen na sacím povrchu 32 dostatečnou sací sílou.

Zařízení 30 na výrobu plátků aplikuje energii na ultrazvukový vibrátor ultrazvukové oscilační jednotky 34 po předem určený časový interval, a tím aplikuje ultrazvukovou vlnu na první povrch 2 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 ultrazvukovou oscilační jednotkou 34. Pak se aplikuje ultrazvuková vlna z ultrazvukové oscilační jednotky 34 na první povrch 2, stimuluje loupači vrstvu 13 a narušuje SiC ingot 1-1 nebo 1-2 přes celý povrch plátku 11, který se má vyrobit, s loupači vrstvou 13 jako výchozím bodem.

Po aplikování energie na ultrazvukový vibrátor ultrazvukové oscilační jednotky 34 po předem určený časový interval zastaví zařízení 30 na výrobu plátků přívod vody 331 jednotkou 33 pro přívod vody, otevře otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3 a 61, uzavře otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3 a 62 a zvedne jednotku 33 pro přívod vody a ultrazvukovou oscilační jednotku 34. Zařízení 30 na výrobu plátků přemístí loupači jednotku 35 do pozice nad upínací stůl 31, spustí loupači jednotku 35 nad upínací stůl 31a přivede spodní povrch transportní podložky 351 loupači jednotky 35 do kontaktu s prvním povrchem 2 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 drženým na upínacím stole 31.

Zařízení 30 na výrobu plátků nasává a drží první povrch 2 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 drženého na upínacím stole 31 spodním povrchem transportní podložky 351 loupači jednotky 35 a zvedá loupači jednotku 35, jak zobrazeno na obr. 12. Zařízení 30 na výrobu plátků loupe plátek 11, který se má vyrobit, na straně prvního povrchu 2 z SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 a odebírá SiC ingot 1-1 nebo 1-2 ze sacího povrchu 32 upínacího stolu 31. Poté, co je SiC ingot 1-1 nebo 1-2 odebrán ze sacího povrchu 32 upínacího stolu 31, přivádí zařízení 30 na výrobu plátků stlačený plyn ze zdroje 58 přetlaku k pórovité desce 40, to je, aplikuje přetlak na pórovitou desku 40 uzavřením otevíracích a uzavíracích ventilů 59-1, 59-2, 59-3 a 61 a otevřením otevíracích a uzavíracích ventilů 60-1, 60-2, 60-3 a 62. Zařízení 30 na výrobu plátků tedy tryská plyn z pórů otevřených v sacím povrchu 32.

Navíc, řídící jednotka 100 zařízení 30 na výrobu plátků uchovává předem určený rozsah a druhý předem určený rozsah předem a po nasávání a držení SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31 určuje řídící jednotka 100, zda je či není SiC ingot 1-1 nebo 1-2 specifikovaný informací se zpracovacím obsahem nasáván a držen na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31 na základě výsledku měření tlakoměru 57. Specificky v případě, kdy cil zpracování specifikovaný informací se zpracovacím obsahem je první SiC ingot 1-1, určuje řídící jednotka 100, že první SiC ingot 1- 1 je nasáván a držen na sacím povrchu 32, když je výsledek měření tlakoměru 57 uvnitř druhého předem určeného rozsahu po nasávání a držení SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31, a řídící jednotka 100 určuje, že první SiC ingot 1-1 není nasáván a držen na sacím povrchu 32, když je výsledek měření tlakoměru 57 mimo druhý předem určený rozsah. Tedy v případě, kdy cil zpracování specifikovaný informací se zpracovacím obsahem je druhý SiC ingot 1-2, provádí řídící jednotka 100 podobně určení po nasávání a držení SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31.

- 10CZ 2021 - 567 A3

Jak popsáno výše, je v zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení poréznost pórovité keramiky tvořící pórovitou desku 40 rovná nebo větší než 40 % a rovná nebo menší než 70 % jako objemový poměr, a průměr ventilačních děr vytvořených póry je rovný nebo větší než 10 pm a rovný nebo menši než 25 pm. Proto, zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení může nasávat a držet SiC ingot 1-1 nebo 1-2 mající druhý povrch 3 menší než oblast sacího povrchu 32 na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31 dokonce v podmínkách, ve kterých teče voda 331 na sacím povrchu 32.

Proto zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení zahrnuje upínací stůl 31, který může nasávat a držet SiC ingot 1-1 nebo 1-2 nehledě na oblast druhého povrchu 3 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 dokonce v podmínkách, ve kterých teče voda 331 na sacím povrchu 32, a vytváří účinek odstranění potřeby nahrazení upínacího stolu 31 podle velikosti SiC ingotu 1-1 nebo 1-2. Jako výsledek vytváří zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení ten účinek, že je schopné redukovat nahrazení upínacího stolu 31 dokonce, když je změněn průměr 26-1 nebo 26-2 jako velikost SiC ingotu 1-1 nebo 1-2, který se má zpracovat.

Navíc, v zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení činí rozdíl mezi naměřenými hodnotami tlaku, když dekompresní čerpadlo 56 způsobuje, že podtlak působí na sací povrch 32 ve stavu, ve kterém není na upínacím stole 31 nic, a ve stavu, ve kterém je SiC ingot 1-1 nebo 1-2 namontovaný na upínacím stole 31, j e rovný nebo více než 5 kPa a hodnoty tlaku se tedy vzáj emně od sebe liší. Jako výsledek může řídící jednotka 100 zařízení 30 na výrobu plátků kontrolovat, zda SiC ingot 1-1 nebo 1-2 je namontovaný na sacím povrchu 32 na základě výsledku měření tlakoměru 57.

Navíc může zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení způsobit, že přetlak působí ze sacího povrchu 32 vystaveného na obvodu prvního SiC ingotu 1-1 a může proto předcházet, aby odpad vytvářený v době loupání, byl nasáván na vystaveném sacím povrchu 32. Jako výsledek může zařízení 30 na výrobu plátků potlačovat nečistoty na sacím povrchu 32.

Modifikace

Zařízení na výrobu plátků podle modifikace tohoto provedení předloženého vynálezu bude popsáno s odkazem na výkresy. Obr. 13 je pohled v řezu schematicky zobrazující upínací stůl zařízení na výrobu plátků podle modifikace tohoto provedení. Mimochodem, na obr. 13 jsou stejné části jako v provedení označeny stejnými vztahovými čísly a jejich popis bude vynechán.

Jak zobrazeno na obr. 13, upínací stůl 31-1 zařízení 30 na výrobu plátků podle modifikace zobrazené na obr. 13 je stejný jako v provedení s tou výjimkou, že pórovitá deska 40 a základna 50 jsou fixované vzájemně k sobě šrouby 70. Mimochodem, zatímco obr. 13 vynechává zahloubené části 52, 53-1, 53-2 a 53-3 základny 50, spojovací průchody 54, 54-2, 55 a 55-2 a otevírací uzavírací ventily, zahrnuje upínací stůl 31 v předloženém vynálezu zahloubené části 52, 53-1, 53-2 a 53-3 a spojovací průchody 54 jako v provedení.

Zařízení 30 na výrobu plátků podle modifikace zahrnuje upínací stůl 31-1, který může nasávat a držet SiC ingot 1-1 nebo 1-2 nehledě na oblast druhého povrchu 3 SiC ingotu 1-1 nebo 1-2 dokonce v podmínkách, ve kterých teče voda 331 na sacím povrchu 32. Jako výsledek, jako v provedení, vytváří zařízení 30 na výrobu plátků podle této modifikace ten účinek, že je schopné redukovat nahrazení upínacího stolu 31-1 dokonce, když jezměněn průměr 26-1 nebo 26-2 jako velikost SiC ingotu 1-1 nebo 1-2, který se má zpracovat.

Navíc, zařízení 30 na výrobu plátků podle předloženého vynálezu může otevírat otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3 a 61 a uzavírat otevírací a uzavírací ventily 60- 1, 60-2, 60-3 a 62 po té, co je cíl zpracování namontovaný na sacím povrchu 32, a řídící jednotka 100 může kontrolovat otevírání a uzavírání otevíracích a uzavíracích ventilů 59- 1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 60-3, 61 a 62 na základě výsledku měření tlakoměru 57. Specificky, poté, co je cíl zpracování

- 11 CZ 2021 - 567 A3 namontovaný na sacím povrchu 32, zařízení 30 na výrobu plátků podle předloženého vynálezu otevírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3 a 61 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 601, 60-2, 60-3 a 62, a když je výsledek měření tlakoměru 57 uvnitř druhého předem určeného rozsahu, pokračuje řídící jednotka 100 ve zpracovávací operaci za udržování stavu, ve kterém jsou otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3 a 61 otevřené a otevírací a uzavírací ventily 60-1, 602, 60-3 a 62 jsou uzavřené.

Poté, co je cíl zpracování namontovaný na sacím povrchu 32, zařízení 30 na výrobu plátků podle předloženého vynálezu otevírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3 a 61 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3 a 62, a když je výsledek měření tlakoměru 57 mimo druhý předem určený rozsah, uzavírá řídící jednotka 100 třetí otevírací a uzavírací ventil 59-3 a otevírá třetí přetlakový otevírací a uzavírací ventil 60-3 a sbíhající se přetlak otevírající a uzavírající ventil 62 a řídící jednotka 100 určuje, zdaje nebo není výsledek měření tlakoměru 57 opět uvnitř druhého předem určeného rozsahu.

Tedy, poté, co je cíl zpracování namontovaný na sacím povrchu 32, otevírá zařízení 30 na výrobu plátků podle předloženého vynálezu otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3 a 61 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 60- 1, 60-2, 60-3 a 62, a dokud výsledek měření tlakoměru 57 spadá do druhého předem určeného rozsahu, uzavírá řídící jednotka 100 otevírací a uzavírací ventily 591, 59-2 a 59-3 opatřené ke spojovacím průchodům 54, jejichž jedny konce se otevírají v kruhových zahloubených částech 53-1, 53-2 a53-3, aby se započalo od vnější obvodové strany, a otevírá sbíhající se přetlak otevírající a uzavírající ventil 62 a otevírá přetlak otevírající a uzavírající ventily 60-1, 60-2 a 60-3 opatřené k přetlakovým spojovacím průchodům 55, jejichž jedny konce se otevírají v kruhových zahloubených částech 53-l,53-2a53-3, aby se započalo od vnější obvodové strany.

V tomto případě, navíc k účinkům provedení zařízení 30 na výrobu plátků otevírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3 a 61 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3 a 62 poté, co je cíl zpracování namontovaný na sacím povrchu 32, a řídící jednotka 100 kontroluje otevírání a uzavírání otevíracích a uzavíracích ventilů 59-1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 60-3, 61 a 62 tak, že výsledek měření tlakoměru 57 spadá do druhého předem určeného rozsahu. Tedy, zařízení 3 0 na výrobu plátků může řádně nasávat a držet SiC ingot 1-1 nebo 1 -2 j akékoli velikosti na sacím povrchu 32 pórovité desky 40 upínacího stolu 31. Jako výsledek vytváří zařízení 30 na výrobu plátků ten účinek, že je schopné dále redukovat nahrazení upínacího stolu 31 dokonce, když je změněn průměr 26-1 nebo 26-2 jako velikost SiC ingotu 1-1 nebo 1-2, který se má zpracovat.

Je třeba poznamenat, že předložený vynález není omezen na předcházející provedení. To znamená, že předložený vynález může být modifikován a prováděn různými způsoby, aniž by se odchýlil z podstaty předloženého vynálezu.

Předložený vynález není omezen na podrobnosti výše popsaného přednostního provedeni. Rozsah vynálezu je definovaný připojenými nároky a všechny změny a modifikace, jak spadají do ekvivalence rozsahu nároků, máji být proto zahrnuty vynálezem.

Claims (3)

1. Zařízení na výrobu plátků pro výrobu plátku z polovodičového ingotu, ve kterém se vytváří loupači vrstva umístěním kondenzačního bodu laserového paprsku vlnové délky přenosné skrz polovodičový ingot v hloubce odpovídající tloušťce plátku, který se má vyrobit, a aplikuje se laserový paprsek, přičemž zařízení na výrobu plátků zahrnuje:

- upínací stůl konfigurovaný pro držení polovodičového ingotu na sacím povrchu s plátkem, který se má vyrobit, na horní straně; ultrazvukovou oscilační jednotku, mající koncový povrch, který je přivrácený plátku, který se má vyrobit, a konfigurovanou pro oscilování ultrazvukové vlny;

- jednotku pro přívod vody, konfigurovanou pro přívod vody mezi plátek, který se má vyrobit, a koncový povrch ultrazvukové oscilační jednotky; loupači jednotku, konfigurovanou pro nasávání a držení plátku, který se má vyrobit, a loupání plátku, který se má vyrobit, z polovodičového ingotu;

a

- jednotku pro přijímání vody, konfigurovanou pro obklopení upínacího stolu a přijetí vody vypouštěné poté, co je přivedena od jednotky pro přívod vody k polovodičovému ingotu a teče na sacím povrchu upínacího stolu na obvodu polovodičového ingotu,

- upínací stůl, zahrnující pórovitou desku, vytvářející sací povrch, a základnu podpírající pórovitou desku a mající spojovací průchod, konfigurovaný pro způsobení, aby podtlak působil na pórovitou desku, a

- upínací stůl nasávající a držící polovodičový ingot dokonce i ve stavu, ve kterém je oblast dnového povrchu polovodičového ingotu menší než oblast sacího povrchu a voda teče na sacím povrchu vystaveném na obvodu polovodičového ingotu.

2. Zařízení na výrobu plátků podle nároku 1, kde

- sací povrch pórovité desky má první oblast odpovídající prvnímu polovodičovému ingotu, majícímu první průměr, a druhou oblast obklopující první oblast,

- spojovací průchody konfigurované pro způsobení, aby podtlak nebo přetlak působil selektivně, jsou připojeny k oblastem odpovídajícím první oblasti a druhé oblasti, v daném pořadí, v povrchu pórovité desky, přičemž povrch je na opačné straně od sacího povrchu, a

- když je první polovodičový ingot nasáván a držen, je přivozen podtlak, aby působil spojovacím průchodem připojeným k první oblasti, a je přivozen přetlak, aby působil spojovacím průchodem připojeným ke druhé oblasti.

3. Zařízení na výrobu plátků podle nároku 1, kde dekompresní čerpadlo jako sací zdroj je připojeno ke spojovacímu průchodu upínacího stolu a tlakoměr je instalovaný na spojovacím průchodu a rozdíl mezi naměřenými hodnotami tlakoměru, když je dekompresní čerpadlo poháněno ve stavu, ve kterém není nic namontované na sacím povrchu pórovité desky, a ve stavu, ve kterém je polovodičový ingot umístěn na sacím povrchu pórovité desky, je rovný nebo více než 5 kPa.