TWI781398B - 處理工件之方法及用於處理工件之系統 - Google Patents

處理工件之方法及用於處理工件之系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI781398B
TWI781398B TW109115107A TW109115107A TWI781398B TW I781398 B TWI781398 B TW I781398B TW 109115107 A TW109115107 A TW 109115107A TW 109115107 A TW109115107 A TW 109115107A TW I781398 B TWI781398 B TW I781398B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid medium
workpiece
openings
wafer
modified
Prior art date
Application number
TW109115107A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202101566A (zh
Inventor
星野仁志
特薩尼米爾 亞古洛夫
湯平泰吉
卡爾 Ｈ 普雷瓦瑟
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW202101566A publication Critical patent/TW202101566A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI781398B publication Critical patent/TWI781398B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B23K26/388—Trepanning, i.e. boring by moving the beam spot about an axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/122—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in a liquid, e.g. underwater
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H01L2223/5446—Located in scribe lines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Multi-Process Working Machines And Systems (AREA)

Abstract

本發明係關於一種處理一工件之方法，該工件具有一第一表面、與該第一表面相對之一第二表面及在該第一表面與該第二表面之間延伸的一第三表面。該方法包含在該工件內部形成改質之區域，以便在該工件中產生開口。該等開口延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者。該方法進一步包含在於該工件內部形成該等改質之區域後，將一液體介質引入至該等開口中之至少一些內，及在將該液體介質引入至該等開口中之該等至少一些內後，將一外部刺激施加至該液體介質，以便增大該介質之體積。此外，本發明係關於一種用於執行此方法之工件處理系統。

Description

處理工件之方法及用於處理工件之系統
發明領域
本發明係關於一種處理一工件(諸如，晶圓、基體或鑄錠)之方法，該工件具有一第一表面、與該第一表面相對之一第二表面及在該第一表面與該第二表面之間延伸的一第三表面。另外，本發明係關於一種用於執行此方法之系統。
發明背景
在諸如晶圓(例如，半導體晶圓)之基體上，裝置(諸如，積體電路(IC)、大規模整合(LSI)及發光二極體(LED))係藉由在基體之前表面上提供一裝置層來形成。該基體可為例如由碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、矽(Si)或類似者製成之晶圓。裝置可為例如半導體裝置、光學裝置或電氣組件。
舉例而言，在一光學裝置製造製程中，一光學裝置層(例如，由一n型氮化物半導體層及一p型氮化物半導體層構成)形成於一單晶基體(諸如，碳化矽基體、氮化鎵基體或藍寶石基體)之前表面上。該光學裝置層藉由十字劃分線(亦被稱作「街道」)分割，以界定單獨區域，諸如發光二極體及雷射二極體之光學裝置分別形成於該等單獨區域處。藉由在單晶基體之前側上提供光學裝置層，形成一光學裝置晶圓。沿著劃分線分開(例如，切割)光學裝置晶圓，以劃分形成光學裝置之單獨區域，由此獲得個別光學裝置，作為晶片或晶粒。
習知地，此等光學裝置晶圓或其他類型之晶圓經劃分成個別晶片或晶粒，例如，藉由機械刀片切塊、消除雷射切塊、隱密雷射切塊或電漿切塊。
隱密雷射切塊(亦即，藉由雷射束之應用來在晶圓內形成改質之區域)允許減小劃分線寬度，使得可自晶圓獲得的晶片或晶粒之數目增加。然而，在已知方法中，存在在切塊製程中，該等晶片或晶粒中之一些可至少不完全相互分開之一問題。對於具有小的大小之晶片或晶粒之情況，此問題特別顯著。若使用一額外破壞工具來確保完整晶片或晶粒分開，則該晶圓經受增大之機械應力，從而導致晶片或晶粒之可能損壞。
裝置層待形成於其上的諸如晶圓之基體通常係藉由切割一工件(諸如，鑄錠)獲得。當切割工件時，可出現類似於以上針對切割諸如晶圓之基體之情況識別的問題之問題。特別是，存在基體可能未恰當地與工件之其餘部分分開及/或在切割製程中受到損壞之一風險。
因此，存在對於處理一工件(諸如，晶圓、基體或鑄錠)之方法之需求，該方法允許以一高效及可靠方式處理工件，且存在對於用於執行此方法之一系統之需求。
發明概要
因此，本發明之一目標提供一種處理一工件(諸如，一晶圓、一基體或一鑄錠)之方法，其允許以一高效且可靠方式處理該工件。另外，本發明旨在提供一種用於執行此方法之工件處理系統。此等目標係藉由一種具有技術方案1之技術特徵的工件處理方法及一種具有技術方案12之技術特徵的工件處理系統達成。本發明之較佳實施例自附屬技術方案得來。
本發明提供一種處理一工件之方法，該工件具有一第一表面、與該第一表面相對之一第二表面及在該第一表面與該第二表面之間延伸的一第三表面。該方法包含在該工件內部形成改質之區域，以便在該工件中產生開口。該等開口延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者。該方法進一步包含在於該工件內部形成該等改質之區域後，將一液體介質引入至該等開口中之至少一些內，及在將該液體介質引入至該等開口中之該等至少一些內後，將一外部刺激施加至該液體介質，以便增大該介質之體積。
在本發明之方法中，改質之區域形成於該工件內部或內。該等改質之區域為該工件之已經改質(例如，藉由施加一外部刺激，諸如，輻射，例如，藉由使用一雷射束)的區域。該等改質之區域可為該工件之已改質工件材料之結構的區域。該等之區域可為該工件之工件已受到損壞的區域。
該等改質之區域可經形成，以便全部配置於該工件內部或內，亦即，以便不延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之任一者。該等改質之區域可經形成，使得該等改質之區域中之至少一些或所有延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者。
該等開口可自該等改質之區域延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者。
本發明之方法包含在該工件內部形成該等改質之區域，以便在該工件中產生開口。該等開口延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者，亦即，該等開口通往該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者。因此，該液體介質可自該工件之外部進入至該等開口內。
在於該工件內部形成該等改質之區域後，將該液體介質引入至該等開口中之至少一些或所有。在將該液體介質引入至該等開口中之該等至少一些或所有後，將該外部刺激施加至該液體介質以便增大該介質之體積。將該外部刺激施加至已經引入至該等開口中之該等至少一些或所有內之該液體介質，以便增大該等開口中的該介質之該體積。
增大在該等開口中接收的該介質之該體積引起沿著其延伸至之該或該等表面的該等開口之大小或延伸之一增大。因此，在存在該等開口的其區中的工件之強度顯著減小。因此，此等區可充當高效分離或劃分開始點或區域，從而極大地有助於劃分該工件之製程。藉由該外部刺激之該施加對該介質之該體積之該增大可甚至引起該工件之一完整劃分或分離。
因此，可可靠地確保該工件經充分劃分，而不損壞該工件之所得單獨部分，諸如，晶片或晶粒。
本發明因此提供一種處理一工件之方法，其允許以一高效且可靠方式處理該工件。
可將該外部刺激施加至該液體介質以便增大該介質之比體積。
該工件可為例如一晶圓、一基體或一鑄錠。
本發明之該方法可例如用於將作為一工件之一晶圓或一基體劃分成多個單獨組件，例如，晶片或晶粒。
本發明之方法可例如用於自諸如一鑄錠或一較厚基體(亦即，比待自其獲得之一基體或一晶圓厚的一基體)之一工件獲得該基體或該晶圓。諸如一鑄錠或一較厚基體之該工件可具有1 mm或更大之一厚度，或2 mm或更大之一厚度。判定在自該工件之該第一表面朝向該第二表面之方向上的該工件之厚度。
該工件之該第一表面及該第二表面可實質上相互平行。該工件之該第三表面可實質上垂直於該工件之該第一表面及/或該第二表面。
該工件可例如由半導體、玻璃、藍寶石(Al2 O3 )、陶瓷(諸如，氧化鋁陶瓷)、石英、氧化鋯、PZT (鋯鈦酸鉛)、聚碳酸酯、光學晶體材料或類似者製成。
特別是，該工件可例如由碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、氮化矽(SiN)、鉭酸鋰(LT)、鈮酸鋰(LN)、氮化鋁(AlN)、二氧化矽(SiO2 )或類似者製成。
該工件可為一單晶工件、一玻璃工件、一化合物工件(諸如，化合物半導體工件，例如，SiC、GaAs或GaN工件)或一多晶矽工件(諸如，陶瓷工件)。
該工件可為一晶圓。舉例而言，該工件可為一結合晶圓，亦即，兩個或更多個晶圓材料結合在一起之一晶圓。該結合晶圓之晶圓材料可為相同晶圓材料或不同晶圓材料。該結合晶圓之晶圓材料可選自以上給出之材料。
至少一個劃分線或多個劃分線可形成於例如該工件之該第一表面上。
該等改質之區域可在沿著該至少一個劃分線或該等多個劃分線之多個位置中形成於該工件內部。
具有多個裝置之一裝置區可形成於例如該工件之該第一表面上。該等裝置可藉由至少一個劃分線或藉由多個劃分線分割。該裝置區可包含諸如半導體裝置、光學裝置、電氣組件等之裝置。該等裝置可包含或為例如電晶體(諸如，MOSFET或絕緣閘極雙極電晶體(IGBT))或二極體(例如，肖特基障壁二極體)。
在該工件內部形成該等改質之區域可包含將一雷射束施加至該工件，或由將一雷射束施加至該工件組成。以此方式，該等改質之區域可以一特別高效方式形成。
該等改質之區域可為該工件之已藉由該雷射束之該施加改質的區域。舉例而言，該等改質之區域可為該工件之已藉由該雷射束之該施加改質該工件材料之該結構的區域。該等改質之區域可為該工件之已藉由該雷射束之該施加損壞該工件的區域。
該雷射束可為一脈衝式雷射束。該脈衝式雷射束可具有一脈衝寬度，例如，在1 fs至1000 ns之範圍中。
該雷射束可自該工件之該第一表面之側面施加至該工件。該雷射束可自該工件之該第二表面之側面施加至該工件。該雷射束可自該工件之該第三表面之側面施加至該工件。
可至少在沿著該至少一個劃分線或該等多個劃分線之多個位置中將該雷射束施加至該工件。
該工件可由對該雷射束透明之一材料製成。因此，該雷射束可具有允許該雷射束透射穿過該工件之一波長。可在該雷射束之一焦點位於該工件內部或內之一條件中將該雷射束施加至該工件。替代地，可在該雷射束之該焦點位於該工件之該第一表面處或上、該第二表面處或上或該第三表面處或上之一條件中將該雷射束施加至該工件。
替代地，可在該雷射束之該焦點位於該工件外之一條件中將該雷射束施加至該工件。
該雷射束可施加至該工件，以便在該工件中形成多個孔洞區域。各孔洞區域可由一改質之區域及該改質之區域中的一開口構成，該開口延伸至(亦即，通往)該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者。該改質之區域可包圍該開口。
將該外部刺激施加至該液體介質可包含加熱該液體介質或冷卻該液體介質，或由加熱該液體介質或冷卻該液體介質組成。以此方式，可以一簡單且高效方式施加該外部刺激。
舉例而言，該液體介質可經加熱以便增大該液體介質之體積，特別是，比體積。
將該外部刺激施加至該液體介質可包含將一電場及/或一磁場施加至該液體介質，或由將一電場及/或一磁場施加至該液體介質組成。將該外部刺激施加至該液體介質可包含使該液體介質經受一電影響及/或一磁影響，或由使該液體介質經受一電影響及/或一磁影響組成。舉例而言，若該液體介質包含液晶或由液晶組成，則可採用此方法。
可將一電場及/或一磁場施加至該液體介質以便增大該液體介質之該體積，特別是，該比體積。
將該外部刺激施加至該液體介質可誘發該液體介質之一相位轉變，以便增大該介質之該體積。可將該外部刺激施加至該液體介質以便誘發該液體介質之一相位轉變。該液體介質之該相位轉變可為自液相至固相之一轉變，或自液相至氣相或汽相之一轉變。
將該外部刺激施加至該液體介質以便誘發該液體介質之一相位轉變允許以一特別高效方式增大該介質之該體積。
該液體介質可經冷卻以便誘發該介質自該液相至該固相之一相位轉變。舉例而言，該液體介質可藉由冷卻該介質來冷凍。例如，若該液體介質包含水(例如，去離子水)或由水組成，則可採用此方法。
該液體介質可經加熱以便誘發該介質自該液相至該氣相或汽相之一相位轉變。舉例而言，該液體介質可藉由加熱該介質來蒸發。例如，若該液體介質包含異丙醇或液化氣(諸如，液體二氧化碳(CO2 )或液氮(N2 ))或由異丙醇或液化氣組成，則可採用此方法。
在該工件中產生之該等開口可為該工件中之裂縫。該等裂縫可源自形成於該工件內部之該等改質之區域。該等裂縫可自該等改質之區域延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者。
舉例而言，該等改質之區域可為該工件之已改質該工件材料之該結構及/或已損壞該工件的區域。該結構改質及/或損壞可引起延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者的裂縫之形成。
增大在該等裂縫中接收的該介質之該體積導致沿著其延伸至之該或該等表面的該等裂縫之大小或延伸之一增大，從而使該等裂縫沿著該或該等表面傳播。因此，在存在該等裂縫的其區中的工件之強度可以一特別高效方式減小。
可藉由將該液體介質或該液體介質之一蒸汽施加至該等開口延伸至之該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者來將該液體介質引入至該等開口中之該等至少一些或所有內，使得該液體介質之至少一部分至少部分或完全進入至該等開口內。若將該液體介質之一蒸汽施加至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之該至少一者，則該蒸汽可在其施加至之表面上及/或該等開口中冷凝。
舉例而言，該液體介質可噴灑或傾倒至該等開口延伸至之該第一表面、該第二表面及該第三表面中之該至少一者上。
該工件可完全或部分浸沒於該液體介質中。舉例而言，該液體介質可接收於一容器(諸如，一槽或類似者)中，且可將該工件置放至該容器內。替代地，可圍繞該工件提供一液體障壁(諸如，一壁)，且由該液體障壁圍封之空間可至少部分或完全填充有該液體介質。
施加至該工件之該液體介質可藉由毛細力吸入至該等開口內。
該液體介質可包含液晶或由液晶組成。該液體介質可包含異丙醇或液化氣(諸如，液體二氧化碳(CO2 )或液氮(N2 ))或由異丙醇或液化氣組成。
該液體介質可包含水(例如，純水或去離子水)或由水組成。特別較佳地，該液體介質為水。在此情況中，可以一特別簡單且高效方式執行本發明之方法。
該等開口延伸至之該第一表面、該第二表面及該第三表面中之該至少一者可經處理，例如，預處理，以便增強具有該液體介質的該或該等表面之可濕性。替代地或另外，該液體介質之組成或材料可經選擇，以便達成具有該液體介質的該或該等表面之高度可濕性。以此方式，可確保，該液體介質高效地散佈於該或該等表面上，且可靠地進入至該等開口內。
該液體介質可為一純液體，諸如，水，例如，去離子化水。
該液體介質可含有多個(例如，兩個或更多個)成分或由多個成分組成。
該液體介質可含有一界面活性劑。舉例而言，該液體介質可含有水及一界面活性劑，或由水及一界面活性劑組成。
藉由選擇含有一界面活性劑之一液體介質，可達成具有該液體介質的該工件之該或該等表面之一特別高度可濕性，因此確保該液體介質至該等開口內之高效且可靠引入。舉例而言，若該工件由SiC製成，則使用含有一界面活性劑之一液體介質可特別有益。
該等改質之區域可包含或為非晶區域或形成裂縫之區域。
該等改質之區域可各包含在工件材料內部之一空間(例如，一空腔)，該空間由一非晶區域或形成裂縫之一區域包圍。
該等改質之區域可各由一空間(例如，一空腔)及包圍該空間的一非晶區域或形成裂縫之一區域構成。
若該等改質之區域包含或為形成裂縫(亦即，已形成裂縫)之區域，則該等裂縫可為微裂縫。該等裂縫可具有在μm範圍中之尺寸，例如，長度及/或寬度。舉例而言，該等裂縫可具有在0.1 μm至50 μm之範圍中的寬度，及/或在10 μm至2000 μm之範圍中的長度。
該等改質之區域可具有在0.1 µm至30 µm、較佳地2 µm至20 µm且更佳地3 µm至10 µm之範圍中的直徑。
本發明之方法可進一步包含劃分或分離該工件。劃分或分離該工件之步驟可在將該外部刺激施加至該液體介質後執行，以便增大該介質之該體積。舉例而言，該工件可為劃分成多個晶片或晶粒之一晶圓或基體。替代地，該工件可為例如一基體或一晶圓分離自之一鑄錠。
劃分或分離(特別是，完全劃分或分離)該工件可包含將一外部力施加至該工件，或由將一外部力施加至該工件組成。舉例而言，可藉由將該工件附著至一膨脹膠帶且徑向膨脹該膨脹膠帶來將一外部力施加至該工件。
增大在該等開口中接收的該介質之該體積引起沿著其延伸至之該或該等表面的該等開口之該等大小或延伸之一增大，因此顯著減小在存在該等開口之其區中的該工件之該強度。因此，此等區充當高效分離或劃分開始點或區域，從而極大地有助於劃分該工件之製程。特別是，若將一外部力施加至該工件，例如，藉由使用一膨脹膠帶，則該工件經可靠地沿著此等區劃分。
如上已描述，藉由該外部刺激之該施加對該介質之該體積之該增大可引起該工件之一完整劃分或分離。在此情況中，不需要劃分或分離該工件之額外步驟。然而，該工件可附著至一膨脹膠帶。在增大該介質之該體積後，該膨脹膠帶可徑向膨脹，以便增大該工件之經分離組件(諸如，晶片或晶粒)之間的距離。以此方式，可可靠地防止歸因於相互之非故意觸碰或摩擦的對此等組件之任何損壞。
本發明進一步提供一種用於處理一工件之系統，該工件具有一第一表面、與該第一表面相對之一第二表面及在該第一表面與該第二表面之間延伸的一第三表面。該系統包含一改質之區域形成構件，其經組配以在該工件內部形成改質之區域，以便在該工件中產生開口，該等開口延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者。該系統進一步包含：一液體介質供應構件，其經組配以將一液體介質引入至該等開口中之至少一些內；及一外部刺激施加構件，其經組配以將一外部刺激施加至引入至該等開口中之該等至少一些內的該液體介質，以便增大該介質之該體積。
本發明之該工件處理系統為經組配用於執行本發明之工件處理方法之一系統。該工件處理系統因此提供以上已針對工件處理方法詳細描述之技術效應及優勢。
以上針對本發明之工件處理方法描述的特徵亦適用於本發明之工件處理系統。
該工件、該等改質之區域、該等開口、該液體介質及該外部刺激可與以上所描述相同。
該工件處理系統可包含用於控制該系統之該等組件之一控制件。該控制件可包含多個控制單元，例如，用於控制該系統之不同組件之控制單元。
該控制件可經組配以控制該工件處理系統，以便執行本發明之工件處理方法。
該控制件可經組配以控制該改質之區域形成構件，以便在該工件內部形成該等改質之區域，以便在該工件中產生該等開口，該等開口延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者。該控制件可經組配以在於該工件內部形成該等改質之區域後控制該液體介質供應構件，以便將該液體介質引入至該等開口中之該等至少一些內。該控制件可經組配以控制該外部刺激施加構件，以便將該外部刺激施加至引入至該等開口中之該等至少一些內之該液體介質，以便增大該介質之該體積。
該改質之區域形成構件可包含一雷射束施加構件或由一雷射束施加構件組成，該雷射束施加構件經組配以將一雷射束施加至該工件。在該工件內部形成該等改質之區域可包含將該雷射束施加至該工件，或由將該雷射束施加至該工件組成。
由該雷射束施加構件施加至該工件之該雷射束可具有允許該雷射束透射穿過該工件之一波長。該雷射束施加構件可經組配以在該雷射束之一焦點位於該工件內部或內之一條件中將該雷射束施加至該工件。
該雷射束施加構件可經組配以在該雷射束之該焦點位於該工件之該第一表面處或上、該第二表面處或上或該第三表面處或上之一條件中將該雷射束施加至該工件。
該雷射束施加構件可經組配以在該雷射束之該焦點位於該工件外之一條件中將該雷射束施加至該工件。
該雷射束施加構件可經組配以將一脈衝式雷射束施加至該工件。該脈衝式雷射束可具有一脈衝寬度，例如，在1 fs至1000 ns之範圍中。
該雷射束施加構件可經組配以自該工件之該第一表面之側面將該雷射束施加至該工件。該雷射束施加構件可經組配以自該工件之該第二表面之側面將該雷射束施加至該工件。該雷射束施加構件可經組配以自該工件之該第三表面之側面將該雷射束施加至該工件。
該雷射束施加構件可經組配以至少在沿著形成於該工件之該第一表面上的至少一個劃分線或多個劃分線之多個位置中將該雷射束施加至該工件。
該液體介質供應構件可經組配以將該液體介質或該液體介質之一蒸汽施加至該等開口延伸至之該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者。該液體介質供應構件可經組配以藉由將該液體介質或該液體介質之一蒸汽施加至該等開口延伸至之該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者來將該液體介質引入至該等開口中之該等至少一些內。
舉例而言，該液體介質供應構件可經組配以將該液體介質噴灑或傾倒至該等開口延伸至之該第一表面、該第二表面及該第三表面中之該至少一者上。
該液體介質供應構件可經組配用於完全或部分將該工件浸沒於該液體介質中。
舉例而言，該液體介質供應構件可包含一容器(諸如，一槽或類似者)或由一容器組成，該液體介質接收於該容器中。該液體介質供應構件可經組配用於將該工件置放至該容器內。該液體介質供應構件可經組配用於完全或部分將該工件浸沒於該容器中接收之該液體介質中。
該液體介質供應構件可包含一液體障壁(諸如，一壁)，用於圍繞該工件提供。該液體介質供應構件可經組配以用該液體介質至少部分或完全填充由該液體障壁圍封之該空間。
該外部刺激施加構件可包含一加熱構件及/或一冷卻構件，或由一加熱構件及/或一冷卻構件組成。該加熱構件可經組配以加熱該液體介質。該冷卻構件可經組配以冷卻該液體介質。
該外部刺激施加構件可包含一電場施加構件及/或一磁場施加構件，或由一電場施加構件及/或一磁場施加構件組成。該電場施加構件可經組配以將一電場施加至該液體介質。該磁場施加構件可經組配以將一磁場施加至該液體介質。該外部刺激施加構件可包含一組合電場與磁場施加構件，或由一組合電場與磁場施加構件組成。該組合電場與磁場施加構件可經組配以將一電場及一磁場施加至該液體介質。
該外部刺激施加構件可經組配以將該外部刺激施加至該液體介質以便誘發該液體介質之一相位轉變。該液體介質之該相位轉變可為自液相至固相之一轉變，或自液相至氣相或汽相之一轉變。
該冷卻構件可經組配以冷卻該液體介質，以便誘發該介質自該液相至該固相之一相位轉變。舉例而言，該冷卻構件可經組配以冷凍該介質。
該加熱構件可經組配以加熱該液體介質，以便誘發該介質自該液相至該氣相或汽相之一相位轉變。舉例而言，該加熱構件可經組配以蒸發該液體介質。
用於處理一工件之該系統可進一步包含一劃分構件，其經組配以劃分或分離該工件。該劃分構件可經組配以在將該外部刺激施加至該液體介質後劃分或分離該工件，以便增大該介質之該體積。
該劃分構件可包含一外部力施加構件，或由一外部力施加構件組成。該外部力施加構件可經組配以將一外部力施加至該工件。該外部力施加構件可經組配以藉由徑向膨脹該工件附著至之一膨脹膠帶來將一外部力施加至該工件。
用於處理一工件之該系統可進一步包含一徑向膨脹構件，其經組配以徑向膨脹一膨脹膠帶，特別是，該工件附著至之一膨脹膠帶。
現將參看隨附圖式描述本發明之較佳實施例。該等較佳實施例係關於處理一工件之方法，且係關於用於執行此等方法之工件處理系統。
在下文中，將參看圖1至圖9描述本發明之第一實施例。
在第一實施例中，對作為一工件之一晶圓2執行本發明之方法(例如，見圖1及圖2)。特別是，晶圓2可為半導體晶圓，諸如，Si晶圓或SiC晶圓。然而，可使用不同類型之工件，及特別是，不同工件材料，如已在上文詳述。
如在圖1中展示，晶圓2具有一第一表面4 (亦即，前表面)及與第一表面4相對之一第二表面6 (亦即，後表面)。第一表面4與第二表面6實質上相互平行。另外，晶圓2具有沿著晶圓2之圓周在第一表面4與第二表面6之間延伸的一第三表面8，亦即，側表面。
在第一表面4上，形成具有多個裝置12之一裝置區10。裝置12由亦形成於第一表面4上之多個劃分線14分割。劃分線14實質上以晶格圖案配置。裝置12可包含或為例如電晶體(諸如，MOSFET或絕緣閘極雙極電晶體(IGBT))或二極體(例如，肖特基障壁二極體)。
自第一表面4之側面將一脈衝式雷射束LB施加至晶圓2，如由圖3中之箭頭指示。該脈衝式雷射束LB可具有一脈衝寬度，例如，在1 fs至1000 ns之範圍中。
該脈衝式雷射束LB由根據本發明之一實施例的一工件處理系統(未展示)之一雷射束施加構件(未展示)施加至晶圓2。在此實施例中，雷射束施加構件構成系統之一改質之區域形成構件。
在將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2之過程期間，晶圓2由一壓片15及一環形框架17支撐，如在圖3中展示。具體言之，晶圓2之第二表面6附著至壓片15。壓片15可為一膨脹膠帶、一切塊膠帶或一保護性壓片，例如，包含一保護性薄膜或薄片或由一保護性薄膜或薄片組成。壓片15由環形框架17支撐於其一周邊部分處，以便藉由壓片15閉合環形框架17之一內開口。
壓片15可具備一黏著層(未展示)，用於將壓片15附著至晶圓2之第二表面6。黏著層可配置於壓片15之全部前表面上，或僅配置於壓片15之前表面之周邊區中。在此後者情況中，在壓片15之前表面之中央區中，壓片15之前表面與後表面6相互直接接觸。因此，歸因於黏著層或晶圓2上之黏著劑殘渣之黏著力，第二表面6之可能污染或損壞之風險可顯著減小或甚至消除。
替代地，壓片15之全部前表面與第二表面6可相互直接接觸。在此情況中，在壓片15之全部前表面與第二表面6之間不存在材料，特別是，不存在黏著劑。可藉由在將壓片15施加至第二表面6期間及/或後將一外部刺激施加至壓片15來將壓片15附著至第二表面6。將外部刺激施加至壓片15可包含以下各者或由以下各者組成：加熱壓片15，及/或冷卻壓片15，及/或將一真空施加至壓片15，及/或用輻射(諸如，光)輻照壓片15，例如，藉由使用一雷射束。外部刺激可包含或為化學化合物及/或電子或電漿輻照及/或機械處理，諸如，壓力、摩擦或超音施加，及/或靜電。
壓片15及環形框架17之使用有助於晶圓2之處置及輸送。另外，例如，若將膨脹膠帶用作壓片15，則壓片15可在一稍後階段徑向膨脹，以便充分劃分晶圓2或將晶圓2之經劃分組件相互間隔，如將在下文參看圖8進一步詳述。
晶圓2之材料(例如，Si或SiC)對脈衝式雷射束LB透明，使得經由晶圓2透射脈衝式雷射束LB。可在脈衝式雷射束LB之焦點位於晶圓2內部之一條件中將該脈衝式雷射束LB施加至晶圓2。
在沿著劃分線14之多個位置中將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2。另外，沿著劃分線14中之各者，脈衝式雷射束LB之焦點配置於晶圓2內之三個不同深度處，亦即，沿著晶圓2之厚度方向移位焦點之位置。晶圓2之厚度方向自第一表面4朝向第二表面6延伸。
在其他實施例中，沿著劃分線14中之各者，脈衝式雷射束LB之焦點可配置於晶圓2內之一個單一深度處、兩個不同深度處或多於三個不同深度處。一般而言，沿著劃分線14中之各者，脈衝式雷射束LB之焦點可配置於晶圓2內之一或多個深度處。
藉由以此方式將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2，沿著各劃分線14形成三列改質之區域16。沿著劃分線14延伸的改質之區域16之列在晶圓2之厚度方向上交錯，亦即，在此方向上配置於距第一表面4之不同距離處。該等改質之區域16可為非晶區域或形成裂縫之區域。
在形成改質之區域16之區中，在晶圓2中形成改質之區域16誘發晶圓2中之應力。此應力引起自改質之區域16延伸至第一表面4的晶圓2中之裂縫18之產生，如在圖3中展示。裂縫18存在於晶圓2之形成改質之區域16的區中，且因此，沿著劃分線14配置。裂縫18為晶圓2中之開口之實例，且通往第一表面4。
在本發明之其他實施例中，可將一雷射束(例如，一脈衝式雷射束)施加至晶圓2，以便在晶圓2中形成多個孔洞區域，其中各孔洞區域可由一改質之區域及延伸至第一表面4的在該改質之區域中之一開口構成。
在根據第一實施例之一改質的一方法中之將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2由此在晶圓2內部形成改質之區域16之一步驟繪示於圖4中。此步驟與第一實施例之方法之對應步驟(見圖3)不同之處僅在於，壓片15具有實質上與晶圓2相同的大小及形狀，且在於，無環形框架(諸如，環形框架17)用於在將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2期間對其支撐。替代地，壓片15之大小可小於或大於晶圓2之大小。特別是，壓片15之直徑可小於或大於晶圓2之直徑，例如，小或大數毫米，諸如，2 mm或更小、3 mm或更小、4 mm或更小、5 mm或更小、6 mm或更小、8 mm或更小或10 mm或更小。舉例而言，在改質之方法中，具有附著至其之壓片15的晶圓2可由工件處理系統之一支撐部件(未展示)支撐，該支撐部件諸如一夾盤台。
在根據第一實施例之再一改質的一方法中，無壓片且無環形框架(諸如，壓片15及環形框架17)可用於在將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2期間對其支撐。舉例而言，在此再一改質之方法中，晶圓2可由工件處理系統之一支撐部件(未展示)支撐，該支撐部件諸如一夾盤台。
在根據第一實施例之再一改質的一方法中之將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2由此在晶圓2內部形成改質之區域16之一步驟繪示於圖5中。此步驟與第一實施例之方法之對應步驟(見圖3)不同之處在於，自第二表面6之側面將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2。此外，如在圖4中繪示之改質之方法中，壓片15具有實質上與晶圓2相同的大小及形狀，且無環形框架用於在將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2期間對其支撐。壓片15附著至晶圓2之第一表面4。
替代地，壓片15之大小可小於或大於晶圓2之大小。特別是，壓片15之直徑可小於或大於晶圓2之直徑，例如，小或大數毫米，諸如，2 mm或更小、3 mm或更小、4 mm或更小、5 mm或更小、6 mm或更小、8 mm或更小或10 mm或更小。
在圖5中繪示之改質之方法中，藉由改質之區域16之形成在晶圓2中誘發之應力引起自改質之區域16延伸至第二表面6的在晶圓2中產生裂縫18。
可藉由省略壓片15進一步修改根據圖5中展示之改質的方法。在此情況中，無壓片且無環形框架(諸如，壓片15及環形框架17)用於在將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2期間對其支撐。舉例而言，在此再一改質之方法中，晶圓2可由工件處理系統之一支撐部件(未展示)支撐，該支撐部件諸如一夾盤台。
可藉由將諸如壓片15及環形框架17 (見圖9)之一壓片及一環形框架用於在將脈衝式雷射束LB施加至晶圓2期間對其支撐來進一步修改在圖5中繪示之改質之方法。此再一改質繪示於圖6中。晶圓2之第一表面4可實質上以與以上參看圖3所描述相同的方式附著至壓片15。如在圖6中展示，壓片15由環形框架17支撐於其周邊部分處，以便藉由壓片15閉合環形框架17之內開口。
在第一實施例之方法中，在於晶圓2內部形成改質之區域16因此在晶圓2中產生裂縫18後，晶圓2完全浸沒於液體介質20中，如在圖7中展示。具體言之，呈環形壁之形式的一液體障壁22圍繞晶圓2提供，且由液體障壁22及壓片15圍封之空間填充有液體介質20。
液體介質20由工件處理系統(未展示)之液體介質供應構件(未展示)供應至由液體障壁22及壓片15圍封之空間。該液體介質供應構件可包含液體障壁22。
在本實施例中，液體介質20為水，例如，去離子水。然而，可使用其他類型之液體介質，諸如，異丙醇或液化氣，例如，液體二氧化碳(CO2 )或液氮(N2 )，如上已詳述。在一些實施例中，該液體介質20可含有一界面活性劑。舉例而言，該液體介質20可含有水及一界面活性劑，或由水及一界面活性劑組成。
浸沒晶圓2之液體介質20藉由毛細力吸入至晶圓2中之裂縫18內，且因此引入至此等裂縫18內。
在第一實施例之方法中，晶圓2完全浸沒於液體介質20中，以便將液體介質20引入至裂縫18內。然而，在其他實施例中，可以一不同方式將液體介質20引入至裂縫18內，如以上已詳述。舉例而言，可將液體介質20噴灑或傾倒至第一表面4上。
在將晶圓2浸沒於液體介質20中由此將液體介質20引入至裂縫18內後，將一外部刺激施加至液體介質20，以便增大裂縫18中的介質20之體積。具體言之，將在圖7中展示之晶圓2、壓片15、環形框架17、液體介質20與液體障壁22之組合置放於一冷凍器(未展示)中，由此冷卻在裂縫18中引入之液體介質20，以便誘發介質20自液相至固相之相位轉變。舉例而言，在介質20中浸沒之晶圓2可保持於冷凍器中超過一小時。在一些實施例中，可將浸沒之晶圓2保持於冷凍器中達一小時或更少。因此，藉由冷卻介質20來冷凍液體介質20，亦即，將呈水之形式的液體介質20轉變成冰。藉由誘發液體介質20之此相位轉變，以一特別高效方式增大裂縫18中的介質20之體積。
替代地，可將晶圓2置放於例如熱電冷卻裝置(諸如，帕耳貼冷卻裝置)之一冷卻裝置(未展示)上，例如，在自浸沒浴移除晶圓2後。又以此方式，在裂縫18中引入之液體介質20經冷卻，以便誘發該介質20自液相至固相之一相位轉變。藉由使用此冷卻裝置，誘發相位轉變需要之冷卻時間可相當大地縮短，例如，至在數秒至數分鐘之範圍中的一時間。
藉由將一或多種液化氣(諸如，液體二氧化碳(CO2 )或液氮(N2 ))用於冷卻液體介質20，可進一步減少所需之冷卻時間，例如，至數秒。以此方式，可以一特別快速且高效方式誘發介質20之相位轉變。
在將晶圓2、壓片15、環形框架17、介質20與液體障壁22之組合保持於冷凍器中後，例如，達超過一小時之時間，將其取出冷凍器且對晶圓2除霜。特別是，可加熱晶圓2，以便熔化藉由冷凍液體介質20產生之冰。在一些實施例中，冷凍液體介質20及熔化冷凍之液體介質20的步驟可重複一或多次，較佳地，兩次或更多次。以此方式，可特別可靠地確保液體介質20充分滲透至裂縫18內。
隨後，可自晶圓2移除熔化之液體介質20。
冷凍器為經組配以冷卻液體介質20的一冷卻構件之一實例。在本實施例中，冷凍器構成工件處理系統(未展示)之一外部刺激施加構件。
冷卻裝置(例如，熱電冷卻裝置，諸如，帕耳貼冷卻裝置)為經組配以冷卻液體介質20的一冷卻構件之再一實例。在一些實施例中，該冷卻裝置構成工件處理系統之一外部刺激施加構件。
冷卻構件之另外實例可經組配以藉由使用一或多種液化氣(諸如，液體二氧化碳(CO2 )或液氮(N2 ))來冷卻液體介質20。又，此冷卻構件可構成工件處理系統之一外部刺激施加構件。
按以上詳述之方式增大在裂縫18中接收的介質20之體積導致沿著第一表面4的裂縫18之延伸之增大，從而使裂縫18沿著第一表面4傳播。在本實施例中，因冷卻製程，介質20之體積之增大(導致沿著第一表面4之裂縫傳播)引起晶圓20之完整劃分。具體言之，晶圓2經沿著劃分線14劃分成多個晶粒24，如在圖8中展示。因此，不需要劃分或分離晶圓2之額外步驟。
在已按此方式充分劃分晶圓2後，可使壓片15徑向膨脹，例如，藉由使用一膨脹鼓(未展示)，以便增大鄰近晶粒24之間的距離。以此方式，可可靠地防止歸因於相互之非故意觸碰或摩擦的對晶粒24之任何損壞。隨後，可自壓片15拾取晶粒24，用於其進一步處理、輸送或儲存。
在其他實施例中，可藉由增大在裂縫18中接收的介質20之體積然而卻不充分劃分晶圓2來減小在存在裂縫18的其區(亦即，沿著劃分線14之區)中之晶圓2之強度。在此情況中，可執行劃分(亦即，充分劃分)晶圓2之再一步驟。此步驟可包含將外部力施加至晶圓2，或由將外部力施加至晶圓2組成。特別是，可藉由徑向膨脹壓片15來將外部力施加至晶圓2，以便將晶圓2劃分成單獨晶粒24。
在第一實施例之方法中，外部刺激至液體介質20之施加由冷卻液體介質20組成。然而，可使用不同類型之外部刺激，如已在上文詳述。舉例而言，將該外部刺激施加至該液體介質20可包含加熱液體介質20或由加熱液體介質20組成，或包含將一電場及/或一磁場施加至液體介質20或由將一電場及/或一磁場施加至液體介質20組成。
在根據第一實施例之再一改質(見圖6)的方法中之將晶圓2浸沒於液體介質20中之步驟繪示於圖9中。此步驟與第一實施例之方法之對應步驟(見圖7)不同之處在於，晶圓2中之裂縫18自改質之區域16延伸至第二表面6，使得經由第二表面6將液體介質20引入至裂縫18內。
在下文中，將參看圖10至圖13描述本發明之第二實施例。
在第二實施例中，對作為一工件之一鑄錠102執行本發明之方法(例如，見圖10及圖11)。特別是，鑄錠102可為半導體鑄錠，諸如，Si鑄錠或SiC鑄錠。然而，可使用不同類型之工件，及特別是，不同工件材料，如已在上文詳述。
如在圖10中展示，鑄錠102具有一第一表面104 (亦即，前表面)及與第一表面104相對之一第二表面106 (亦即，後表面)。第一表面104與第二表面106實質上相互平行。另外，鑄錠102具有沿著鑄錠102之圓周在第一表面104與第二表面106之間延伸的一第三表面108，亦即，側表面。在本實施例中，無裝置形成於鑄錠102之第一表面104上。然而，在其他實施例中，具有裝置之一裝置區可存在於鑄錠102之第一表面104上。
自鑄錠102之第一表面104之側面將一脈衝式雷射束LB施加至鑄錠102 (見圖10)。該脈衝式雷射束LB可具有一脈衝寬度，例如，在1 fs至1000 ns之範圍中。脈衝式雷射束LB具有允許該脈衝式雷射束LB透射穿過鑄錠102之一波長。在脈衝式雷射束LB之焦點位於在自第一表面104朝向第二表面106之方向上距第一表面104一段距離處(亦即，位於鑄錠102內部)之條件中，在沿著第一表面104之多個位置中將脈衝式雷射束LB施加至鑄錠102 (見圖10)。
該脈衝式雷射束LB由根據本發明之一實施例的一工件處理系統(未展示)之一雷射束施加構件(未展示)施加至鑄錠102。在此實施例中，雷射束施加構件構成系統之一改質之區域形成構件。雷射束施加構件可與用於第一實施例之方法之雷射束施加構件相同。在將脈衝式雷射束LB施加至鑄錠102之過程期間，鑄錠102可由工件處理系統之一支撐部件(未展示)支撐。
藉由以此方式將脈衝式雷射束LB施加至鑄錠102，一經改質層110形成於鑄錠102內部(見圖10及圖11)。經改質層110由多個改質之區域(未展示)組成。經改質層110面向第一表面104，亦即，經改質層110在自第一表面104朝向第二表面106之方向上與第一表面104相對。經改質層110經形成以便實質上平行於第一表面104。
經改質層110之改質之區域為鑄錠102之已藉由脈衝式雷射束LB之施加改質的區域。特別是，該等改質之區域可為鑄錠材料之結構已藉由脈衝式雷射束LB之施加而改質及/或鑄錠102已因脈衝式雷射束LB之施加而受到損壞的鑄錠102之區域。經改質層110之改質之區域可實質上與在第一實施例之方法中形成的改質之區域16相同。特別是，經改質層110之改質之區域可為非晶區域或形成裂縫之區域。
如在圖10及圖11中展示，經改質層110實質上形成於鑄錠102之全部橫截面上，該橫截面實質上垂直於鑄錠102之厚度方向。經改質層110經形成以便在鑄錠102之厚度方向上與靠近第二表面106相比，更靠近第一表面104。
在鑄錠102中形成由改質之區域組成之經改質層110在形成經改質層110之區中誘發鑄錠102中之應力。此應力引起自改質之區域延伸至第三表面108的鑄錠102中之裂縫(未展示)之產生。該等裂縫為鑄錠102中之開口之實例，且通往第三表面108。
在於鑄錠102中形成由改質之區域組成之經改質層110因此在鑄錠102中產生裂縫後，鑄錠102完全浸沒於液體介質120中，如在圖12中展示。具體言之，液體介質120接收於一容器122中，且將鑄錠102置放至容器122內。
液體介質120由工件處理系統(未展示)之液體介質供應構件(未展示)供應至容器122。該液體介質供應構件可包含容器122。
在本實施例中，液體介質120為水，例如，去離子水。然而，可使用其他類型之液體介質，諸如，異丙醇或液化氣，例如，液體二氧化碳(CO2 )或液氮(N2 )，如上已詳述。在一些實施例中，該液體介質120可含有一界面活性劑。舉例而言，該液體介質120可含有水及一界面活性劑，或由水及一界面活性劑組成。
浸沒鑄錠102之液體介質120藉由毛細力吸入至鑄錠102中之裂縫內，且因此引入至此等裂縫內。
在第二實施例之方法中，鑄錠102完全浸沒於液體介質120中，以便將液體介質120引入至裂縫內。然而，在其他實施例中，可以一不同方式將液體介質120引入至裂縫內，如以上已詳述。舉例而言，可將液體介質120噴灑或傾倒至第三表面108上。
在將鑄錠102浸沒於液體介質120中由此將液體介質120引入至裂縫內後，將一外部刺激施加至液體介質120，以便增大裂縫中的介質120之體積。具體言之，自浸沒浴移除鑄錠102，且藉由將鑄錠102置放於一冷凍器(未展示)中，在裂縫中引入之液體介質120經冷卻，以便誘發介質120自液相至固相之相位轉變。舉例而言，鑄錠102可保持於冷凍器中超過一小時。在一些實施例中，可將鑄錠102保持於冷凍器中達一小時或更少。因此，藉由冷卻介質120來冷凍液體介質120，亦即，將呈水之形式的液體介質120轉變成冰。藉由誘發液體介質120之此相位轉變，以一特別高效方式增大裂縫中的介質120之體積。
替代地，可將在圖12中展示之鑄錠102、容器122與液體介質120之組合置放於冷凍器中，由此冷卻在裂縫中引入之液體介質120，以便誘發介質120自液相至固相之相位轉變。舉例而言，可將該組合保持於冷凍器中超過一小時。在一些實施例中，可將該組合保持於冷凍器中達一小時或更少。
在將鑄錠102保持於冷凍器中例如達超過一小時之一時間後，將鑄錠102取出冷凍器且除霜。特別是，可加熱鑄錠102，以便熔化藉由冷凍液體介質120產生之冰。在一些實施例中，冷凍液體介質120及熔化冷凍之液體介質120的步驟可重複一或多次，較佳地，兩次或更多次。以此方式，可特別可靠地確保液體介質120充分滲透至裂縫內。
隨後，可自鑄錠102移除熔化之液體介質120。
冷凍器為經組配以冷卻液體介質120的一冷卻構件之一實例。在本實施例中，冷凍器構成工件處理系統(未展示)之一外部刺激施加構件。
按以上詳述之方式增大在裂縫中接收的介質120之體積導致沿著第三表面108的裂縫之延伸之增大，從而使裂縫沿著第三表面108傳播。在本實施例中，因冷卻製程，介質120之體積之增大(導致沿著第三表面108之裂縫傳播)引起鑄錠102沿著經改質層110之完整分離。藉由以此方式分離鑄錠102，獲得諸如晶圓之一基體124。具體言之，基體124係自鑄錠102之其餘部分126分離，如在圖13中展示。因此，不需要劃分或分離鑄錠102之額外步驟。
在其他實施例中，可藉由增大在裂縫中接收的介質120之體積然而卻不充分分離鑄錠102來減小在存在裂縫的其區中之鑄錠102之強度。在此情況中，可執行分離(亦即，充分分離)鑄錠102之再一步驟。此步驟可包含將外部力施加至鑄錠102，或由將外部力施加至鑄錠102組成。
在第二實施例之方法中，外部刺激至液體介質120之施加由冷卻液體介質120組成。然而，可使用不同類型之外部刺激，如已在上文詳述。舉例而言，將該外部刺激施加至該液體介質120可包含加熱液體介質120或由加熱液體介質120組成，或包含將一電場及/或一磁場施加至液體介質120或由將一電場及/或一磁場施加至液體介質120組成。
2:晶圓 4,104:第一表面 6,106:第二表面 8,108:第三表面 10:裝置區 12:裝置 14:劃分線 15:壓片 16:改質之區域 17:環形框架 18:裂縫 20,120:液體介質 22:液體障壁 24:晶粒 102:鑄錠 110:經改質層 122:容器 124:基體 126:鑄錠之其餘部分 LB:脈衝式雷射束
下文，參看圖式解釋本發明之非限制實例，其中： 圖1為展示作為待藉由根據本發明之一第一實施例的一方法處理之一工件的一晶圓之橫截面圖； 圖2為圖1中展示之晶圓之透視圖； 圖3為繪示在根據第一實施例之方法中的將一雷射束施加至晶圓由此在晶圓內部形成改質之區域之一步驟之橫截面圖； 圖4為繪示在根據第一實施例之一改質之方法中的將一雷射束施加至晶圓由此在晶圓內部形成改質之區域之一步驟之橫截面圖； 圖5為繪示在根據第一實施例之再一改質之方法中的將一雷射束施加至晶圓由此在晶圓內部形成改質之區域之一步驟之橫截面圖； 圖6為繪示在根據第一實施例之又一改質之方法中的將一雷射束施加至晶圓由此在晶圓內部形成改質之區域之一步驟之橫截面圖； 圖7為繪示在根據第一實施例之方法中的將晶圓浸沒於液體介質中之一步驟之橫截面圖； 圖8為展示在根據第一實施例之方法中的劃分晶圓之一步驟之結果之橫截面圖； 圖9為繪示在根據第一實施例之再一改質之方法中的將晶圓浸沒於液體介質中之一步驟之橫截面圖； 圖10為繪示在根據第二實施例之方法中的將一雷射束施加至一鑄錠由此在鑄錠內部形成改質之區域之一步驟之橫截面圖； 圖11為展示在改質之區域之形成後的圖10之鑄錠之透視幻像圖； 圖12為繪示在根據第二實施例之方法中的將鑄錠浸沒於液體介質中之一步驟之橫截面圖；以及 圖13為展示在根據第二實施例之方法中的劃分鑄錠之一步驟之結果之橫截面圖。
2:晶圓
4:第一表面
6:第二表面
10:裝置區
12:裝置
14:劃分線
15:壓片
16:改質之區域
17:環形框架
18:裂縫
20:液體介質
22:液體障壁

Claims (14)

  1. 一種處理一工件之方法，該工件具有一第一表面、與該第一表面相對之一第二表面及在該第一表面與該第二表面之間延伸的一第三表面，該方法包含下列步驟：在該工件內部形成數個改質區域，以便在該工件中產生數個開口，該等開口從該等改質區域延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者，其中該等改質區域係形成為使其全部配置於該工件內部；在於該工件內部形成該等改質區域後，將一液體介質引入至該等開口中之至少一些內；以及在將該液體介質引入至該等開口中之該等至少一些後，將一外部刺激施加至該液體介質以便增大該介質之體積。
  2. 如請求項1所述之方法，其中在該工件內部形成該等改質區域的步驟包含將一雷射束施加至該工件，或由將一雷射束施加至該工件組成。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該工件由對該雷射束透明之一材料製成，且在該雷射束之一焦點位於該工件內部之一條件中或在該雷射束之該焦點位於該第一表面上、該第二表面上或該第三表面上之一條件中，將該雷射束施加至該工件。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中將該外部刺激施加至該液體介質的步驟包含加熱該液體介質或冷卻該液體介質，或由加熱該液體介質或冷卻該液體介質組成。
  5. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中將該外部刺激施加至該液體介質的步驟包含將一電場及/或一磁場施加至該液體介質，或由將一電場及/或一磁場施加至該液體介質組成。
  6. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中將該外部刺激施加至該液體介質的步驟誘發該液體介質之一相變，以便增大該介質之該體積。
  7. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中該等開口為該工件中之裂縫。
  8. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中藉由將該液體介質或該液體介質之一蒸汽施加至該等開口延伸至之該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者，來將該液體介質引入至該等開口中之該等至少一些內，使得該液體介質之至少一部分至少部分進入至該等開口內。
  9. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中該液體介質為水。
  10. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中該液體介質含有一界面活性劑。
  11. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中該等改質區域包含或為非晶區域或形成裂縫之區域。
  12. 一種用於處理一工件之系統，該工件具有一第一表面、與該第一表面相對之一第二表面及在該第一表面與該第二表面之間延伸的一第三表面，該系統包含：一改質區域形成構件，其組配來在該工件內部形成數個改質區域，以便在該工件中產生數個開口，該等開口從該等改質區域延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者，其中該改質區域形成構件組配來形成該等改質區域而使其全部配置於該工件內部；一液體介質供應構件，其組配來將一液體介質引入至該等開口中之至少一些內；以及一外部刺激施加構件，其組配來將一外部刺激施加至引入至該等開口中之該等至少一些內之該液體介質，以便增大該介質之體積。
  13. 一種處理一工件之方法，該工件具有一第一表面、與該第一表面相對之一第二表面及在該第一表面與該第二表面之間延伸的一第三表面，該方法包含下列步驟：在該工件內部形成數個孔洞區域，其中各個孔洞區域係由一改質區域和在該改質區域中的一開口所構成，該開口延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者，其中各個改質區域包含或係一非晶區域；在於該工件內部形成該等孔洞區域後，將一液體介質引入至該等開口中之至少一些內；以及在將該液體介質引入至該等開口中之該等至少一些後，將一外部刺激施加至該液體介質以便增大該介質之體積。
  14. 一種用於處理一工件之系統，該工件具有一第一表面、與該第一表面相對之一第二表面及在該第一表面與該第二表面之間延伸的一第三表面，該系統包含：一改質區域形成構件，其組配來在該工件內部形成數個孔洞區域，其中各個孔洞區域係由一改質區域和在該改質區域中的一開口所構成，該開口延伸至該第一表面、該第二表面及該第三表面中之至少一者，其中各個改質區域包含或係一非晶區域；一液體介質供應構件，其組配來將一液體介質引入至該等開口中之至少一些內；以及一外部刺激施加構件，其組配來將一外部刺激施加至引入至該等開口中之該等至少一些內之該液體介質，以便增大該介質之體積。
TW109115107A 2019-05-31 2020-05-06 處理工件之方法及用於處理工件之系統 TWI781398B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019207990.3 2019-05-31
DE102019207990.3A DE102019207990B4 (de) 2019-05-31 2019-05-31 Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks und System zum Bearbeiten eines Werkstücks

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202101566A TW202101566A (zh) 2021-01-01
TWI781398B true TWI781398B (zh) 2022-10-21

Family

ID=73264826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109115107A TWI781398B (zh) 2019-05-31 2020-05-06 處理工件之方法及用於處理工件之系統

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20200381303A1 (zh)
JP (2) JP7278239B2 (zh)
KR (1) KR102338795B1 (zh)
CN (1) CN112017995A (zh)
DE (1) DE102019207990B4 (zh)
TW (1) TWI781398B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4015677A1 (en) * 2020-12-21 2022-06-22 Nickl Technologies GmbH Methods for separating a substrate from a wafer or ingot and apparatuses for separating a substrate from a wafer or ingot
DE102021110742A1 (de) 2021-04-27 2022-10-27 Infineon Technologies Ag Verfahren zum teilen von halbleiterwerkstücken, halbleiterwerkstück und gerät zum definieren eines trennbereichs in halbleiterwerkstücken
US20230245928A1 (en) * 2022-02-01 2023-08-03 Texas Instruments Incorporated Temperature-based semiconductor wafer singulation
CN115432920A (zh) * 2022-10-25 2022-12-06 深圳市益铂晶科技有限公司 一种玻璃激光切割的浸湿裂片方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05185270A (ja) * 1992-01-16 1993-07-27 Kosaka Kenkyusho:Kk ガラスパネルの割断方法
US20060266195A1 (en) * 2005-05-28 2006-11-30 Bernd Hoetzel Method of dividing glass into separate pieces with the aid of a cutting liquid and improved cutting liquid for said method
US20110138857A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-16 Masashi Numata Bonded glass cutting method, package manufacturing method, package, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and atomic timepiece
US20140245608A1 (en) * 2011-10-07 2014-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for laser-beam processing and method for manufacturing ink jet head
US20170106606A1 (en) * 2014-04-24 2017-04-20 Teijin Limited Carbon Fiber Reinforced Resin Processed Product having End Surface and Method of Manufacturing the Same
US20190088548A1 (en) * 2017-09-20 2019-03-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH113009A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Ricoh Co Ltd 画像除去促進液、および該画像除去促進液を用いる被記録材の再生方法と再生装置
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP2003230978A (ja) * 2002-02-13 2003-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の加工方法
JP4067858B2 (ja) 2002-04-16 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 Ａｌｄ成膜装置およびａｌｄ成膜方法
JP2006156472A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Seiko Epson Corp レジスト膜の除去方法およびレジスト膜除去装置
DE102006028718B4 (de) * 2006-06-20 2008-11-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterwafern zu Halbleiterchips
JP2008270516A (ja) 2007-04-20 2008-11-06 Seiko Epson Corp 基板の分割方法、半導体装置の製造方法、及び電気光学装置の製造方法
JP2009130128A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Denso Corp ウエハの分割方法
JP2009290148A (ja) 2008-06-02 2009-12-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US9847243B2 (en) * 2009-08-27 2017-12-19 Corning Incorporated Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
JP2013042119A (ja) * 2011-07-21 2013-02-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法
JP6038043B2 (ja) * 2011-11-21 2016-12-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US9406551B2 (en) * 2012-09-27 2016-08-02 Infineon Technologies Austria Ag Method for manufacturing a semiconductor substrate, and method for manufacturing semiconductor devices integrated in a semiconductor substrate
EP3024616B1 (de) * 2013-07-23 2019-04-10 3D-Micromac AG Verfahren und vorrichtung zur trennung eines flachen werkstücks in mehrere teilstücke
JP2015035453A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 アズビル株式会社 ウエハ
JP6395634B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2017092379A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 株式会社ディスコ 保護膜被覆方法
JP6608713B2 (ja) 2016-01-19 2019-11-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20180015569A1 (en) * 2016-07-18 2018-01-18 Nanya Technology Corporation Chip and method of manufacturing chips
US20180040513A1 (en) 2016-08-05 2018-02-08 Disco Corporation Processing method for wafer
JP6520964B2 (ja) * 2017-01-26 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
JP2018182141A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP6890890B2 (ja) * 2017-07-04 2021-06-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019024038A (ja) * 2017-07-24 2019-02-14 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6946153B2 (ja) * 2017-11-16 2021-10-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハ生成装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05185270A (ja) * 1992-01-16 1993-07-27 Kosaka Kenkyusho:Kk ガラスパネルの割断方法
US20060266195A1 (en) * 2005-05-28 2006-11-30 Bernd Hoetzel Method of dividing glass into separate pieces with the aid of a cutting liquid and improved cutting liquid for said method
US20110138857A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-16 Masashi Numata Bonded glass cutting method, package manufacturing method, package, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and atomic timepiece
US20140245608A1 (en) * 2011-10-07 2014-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for laser-beam processing and method for manufacturing ink jet head
US20170106606A1 (en) * 2014-04-24 2017-04-20 Teijin Limited Carbon Fiber Reinforced Resin Processed Product having End Surface and Method of Manufacturing the Same
US20190088548A1 (en) * 2017-09-20 2019-03-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022110082A (ja) 2022-07-28
KR102338795B1 (ko) 2021-12-10
DE102019207990B4 (de) 2024-03-21
TW202101566A (zh) 2021-01-01
KR20200138057A (ko) 2020-12-09
DE102019207990A1 (de) 2020-12-03
CN112017995A (zh) 2020-12-01
JP7278239B2 (ja) 2023-05-19
JP2020198431A (ja) 2020-12-10
US20200381303A1 (en) 2020-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI781398B (zh) 處理工件之方法及用於處理工件之系統
US11699616B2 (en) Method for producing a layer of solid material
US9859458B2 (en) Bond and release layer transfer process
US20180158675A1 (en) Cleaning method
TW201523696A (zh) 用於增進自固體分離固體層的裂縫起始點或裂縫導引部的生成
US20240079274A1 (en) Die cleaning systems and related methods
US8581263B2 (en) Laser-induced flaw formation in nitride semiconductors
KR102590744B1 (ko) 기판을 제조하는 방법 및 기판을 제조하기 위한 시스템
TW201711099A (zh) 光元件層的剝離方法
TW201903880A (zh) 晶片的製造方法
JP2018206941A (ja) チップの製造方法
TW201947645A (zh) 晶片的製造方法
TW201947655A (zh) 晶片的製造方法
JP2019195834A (ja) チップの製造方法
JP2019197826A (ja) チップの製造方法
JP2019197828A (ja) チップの製造方法
JP2018206946A (ja) チップの製造方法
JP2018206944A (ja) チップの製造方法
JP2018206942A (ja) チップの製造方法
JP2018206945A (ja) チップの製造方法
JP2018203566A (ja) チップの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent