CZ309709B6 - Zařízení na výrobu plátků - Google Patents

Abstract

Zařízení (30) na výrobu plátků z polovodičového ingotu, ve kterém je vytvořená odlupovací vrstva umístěním kondenzačního bodu laserového paprsku vlnové délky přenosné skrz polovodičový ingot v hloubce odpovídající tloušťce plátku, který se má vyrobit, a aplikováním laserového paprsku, přičemž zařízení (30) na výrobu plátků zahrnuje upínací stůl (31) konfigurovaný pro držení polovodičového ingotu na sacím povrchu (32) s plátkem na horní straně, ultrazvukovou oscilační jednotku (34), mající koncový povrch (341), který je přivrácený k plátku, a konfigurovanou pro oscilování ultrazvukové vlny, jednotku (33) pro přívod vody, odlupovací jednotku (35) pro nasávání, držení a odlupování plátku z polovodičového ingotu a jednotku (36) pro přijímání vody, konfigurovanou pro obklopení upínacího stolu (31) a přijímání vody vypouštěné od jednotky (33) pro přívod vody k polovodičovému ingotu a na sací povrch (32) upínacího stolu (31). Upínací stůl (31) zahrnuje pórovitou desku (40), vytvářející sací povrch (32), a dále základnu (50) podpírající pórovitou desku (40) a mající alespoň jeden spojovací průchod pro napojení na zdroj podtlaku, kde sací povrch (32) pórovité desky (40) má první oblast (321), odpovídající prvnímu polovodičovému ingotu majícímu první průměr, a druhou oblast (322), obklopující první oblast (321). Zařízení je dále opatřeno zdrojem přetlaku, přičemž alespoň dva spojovací průchody jsou upraveny pro selektivní vedení podtlaku od zdroje podtlaku nebo přetlaku, a jsou připojeny k první oblasti (321) a druhé oblasti (322), v daném pořadí, v povrchu (41) pórovité desky (40), přičemž povrch (41) je na opačné straně vzhledem k sacímu povrchu (32).

Description

Zařízení na výrobu plátků

Oblast techniky

Předložený vynález se týká zařízení na výrobu plátků.

Dosavadní stav techniky

Různé druhy čipů elektronických zařízení, jako integrovaný obvod (IC -integrated circuit), velká integrace (LSI -large scale integration), dioda emitující světlo (LED) a energetické zařízení jsou vyrobeny pomocí vytváření velmi malých obvodů na plátku tence odříznutém pomocí drátové pily z monokrystalového polovodičového ingotu křemíku, safíru, karbidu křemíku (SiC), nebo podobně, a vyřezáváním plátku na jednotlivé čipy. Avšak, když je plátek vyroben řezáním monokrystalového polovodičového ingotu pomocí drátové pily a leštěním vrchního povrchu a spodního povrchu plátku, 70 % až 80 % objemu ingotu je vyřazeno, což je nehospodárné.

Zejména monokrystalový SiC ingot má problémy, co se týká účinné výroby plátků, protože monokrystalový SiC ingot má vysokou tvrdost, a proto je obtížné jej řezat pomocí drátové pily, přičemž značnou dobu zabírá jej řezat, což vede k malé produktivitě, a proto je jednotková cena monokrystalového polovodičového ingotu vysoká.

Pro řešení těchto problémů byla navržena technologie (viz například zveřejněná japonská patentová přihláška JP 2019-102513 A), která vytváří oddělovací vrstvu v plánovaném řezném povrchu umístěním kondenzačního bodu laserového paprsku přenosného skrz monokrystalový SiC ingot uvnitř ingotu a aplikováním laserového paprsku, a odděluje plátek.

Existují různé typy monokrystalových SiC ingotů mající průměry například tři palce až šest palců. Odlupovací přístroj odhalený ve vyloženém japonském patentu JP 2019102513 A využívá upínací stůl mající sací drážky odpovídající velikostem příslušných ingotů v sacím povrchu. Proto v odlupovacím přístroji, odhaleném ve vyloženém japonském patentu JP 2019102513 A, musí být upínací stůl nahrazen pokaždé, když je změněna velikost ingotu.

Podstata vynálezu

Odpovídajícím způsobem je cílem předloženého vynálezu, poskytnout zařízení na výrobu plátků, které může redukovat nahrazení upínacího stolu.

Vytčený cíl je dosahován zařízením na výrobu plátků z polovodičového ingotu, ve kterém je vytvořená odlupovací vrstva umístěním kondenzačního bodu laserového paprsku vlnové délky přenosné skrz polovodičový ingot v hloubce odpovídající tloušťce plátku, který se má vyrobit, a aplikováním laserového paprsku, přičemž zařízení na výrobu plátků zahrnuje:

- upínací stůl konfigurovaný pro držení polovodičového ingotu na sacím povrchu s plátkem, který se má vyrobit, na horní straně;

- ultrazvukovou oscilační j ednotku, maj ící koncový povrch, který j e přivrácený plátku, který se má vyrobit, a konfigurovanou pro oscilování ultrazvukové vlny;

- jednotku pro přívod vody, konfigurovanou pro přívod vody mezi plátek, který se má vyrobit, a koncový povrch ultrazvukové oscilační jednotky;

- odlupovací jednotku, konfigurovanou pro nasávání a držení plátku, který se má vyrobit,

- 1 CZ 309709 B6 a odlupování plátku, který se má vyrobit, z polovodičového ingotu; a

- jednotku pro přijímání vody, konfigurovanou pro obklopení upínacího stolu a přijetí vody vypouštěné od jednotky pro přívod vody k polovodičovému ingotu a na sací povrch upínacího stolu, přičemž

- upínací stůl dále zahrnuje pórovitou desku, vytvářející sací povrch, a základnu podpírající pórovitou desku a mající alespoň jeden spojovací průchod, konfigurovaný pro způsobení, aby podtlak od sacího zdroje působil na pórovitou desku.

Podle vynálezu pak:

- sací povrch pórovité desky má první oblast odpovídající prvnímu polovodičovému ingotu, majícímu první průměr, a druhou oblast obklopující první oblast, přičemž

- je opatřen zdroj přetlaku;

- jsou upraveny alespoň dva spoj ovací průchody, které j sou konfigurované pro selektivní vedení podtlaku od zdroje podtlaku, nebo přetlaku od zdroje přetlaku, a jsou připojeny k první oblasti a druhé oblasti, v daném pořadí, v povrchu pórovité desky, kterýžto povrch je na opačné straně od sacího povrchu; a

- přičemž zdroj podtlaku, resp. zdroj přetlaku jsou konfigurované tak, že když je první polovodičový ingot nasáván a držen, je přivozen podtlak, aby působil spojovacím průchodem připojeným k první oblasti, a je přivozen přetlak, aby působil spojovacím průchodem připojeným ke druhé oblasti.

Výhodné provedení zařízení spočívá v tom, že ke spojovacímu průchodu upínacího stolu je jako sací zdroj připojeno dekompresní čerpadlo, a na spojovacím průchodu je instalovaný tlakoměr.

Jinými slovy je v souladu s aspektem předloženého vynálezu opatřeno zařízení na výrobu plátků pro výrobu plátků z polovodičového ingotu, ve kterém se vytváří odlupovací vrstva umístěním kondenzačního bodu laserového paprsku vlnové délky přenosné skrz polovodičový ingot v hloubce odpovídající tloušťce plátku, který se má vyrobit, a aplikuje se laserový paprsek, přičemž zařízení na výrobu plátků zahrnuje upínací stůl konfigurovaný pro držení polovodičového ingotu na sacím povrchu s plátkem, který se má vyrobit, na horní straně, ultrazvukovou oscilační jednotku, mající koncový povrch, který je přivrácený plátku, který se má vyrobit, a konfigurovanou pro oscilování ultrazvukové vlny, a jednotku pro přívod vody, konfigurovanou pro přivádění vody mezi plátek, který se má vyrobit, a koncový povrch ultrazvukové oscilační jednotky, odlupovací jednotku, konfigurovanou pro nasávání a držení plátku, který se má vyrobit, a odlupování plátku, který se má vyrobit, z polovodičového ingotu, a jednotku pro přijímání vody, konfigurovanou pro obklopení upínacího stolu a přijetí vody vypouštěné po té, co je přivedena od jednotky pro přívod vody k polovodičovému ingotu a teče na sacím povrchu upínacího stolu na obvodu polovodičového ingotu. Upínací stůl zahrnuje pórovitou desku vytvářející sací povrch a základnu podpírající pórovitou desku a mající spojovací průchod konfigurovaný pro způsobení, že podtlak působí na pórovitou desku, a upínací stůl nasává a drží polovodičový ingot dokonce i ve stavu, ve kterém oblast dnového povrchu polovodičového ingotu je menší než oblast sacího povrchu a voda teče na sacím povrchu vystaveném na obvodu polovodičového ingotu.

Přednostně má sací povrch pórovité desky první oblast odpovídající prvnímu polovodičovému ingotu majícímu první průměr a druhou oblast obklopující první oblast, spojovací průchody konfigurované pro způsobení, aby podtlak nebo přetlak působil selektivně, jsou připojeny k oblastem odpovídajícím první oblasti a druhé oblasti, v daném pořadí, v povrchu pórovité desky, přičemž povrch je na opačné straně od sacího povrchu, a když první polovodičový ingot je nasáván a držen, je přivozen podtlak, aby působil spojovacím průchodem připojeným k první oblasti, a je

- 2 CZ 309709 B6 přivozen přetlak, aby působil spojovacím průchodem připojeným ke druhé oblasti.

Přednostně je dekompresní čerpadlo jako sací zdroj připojeno ke spojovacímu průchodu upínacího stolu a tlakoměr je instalovaný na spojovacím průchodu a rozdíl mezi naměřenými hodnotami tlakoměru, když je dekompresní čerpadlo poháněno ve stavu, ve kterém není nic namontované na sacím povrchu pórovité desky, a ve stavu, ve kterém je ingot umístěn na sacím povrchu pórovité desky, je rovný nebo více než 5 kPa.

Výše uvedené a další cíle, znaky a výhody předloženého vynálezu a způsob jejich realizace budou více zřejmé a vynálezu samotnému bude lépe rozuměno ze studia následujícího popisu a připojených nároků s odkazem na připojené výkresy ukazující přednostní provedení vynálezu.

Objasnění výkresů

Vynález bude blíže vysvětlen prostřednictvím konkrétních příkladů provedení znázorněných na výkresech, na kterých:

obr. 1 je půdorys polovodičového ingotu jako cíle zpracování zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení;

obr. 2 je bokorys polovodičového ingotu zobrazeného na obr. 1;

obr. 3 je perspektivní pohled na plátek vyrobený zařízením na výrobu plátků podle tohoto provedení;

obr. 4 je perspektivní pohled zobrazující stav vytváření odlupovací vrstvy v polovodičového ingotu zobrazeném na obr. 1;

obr. 5 je bokorys zobrazující stav vytváření odlupovací vrstvy v polovodičovém ingotu zobrazeném na obr. 4;

obr. 6 je perspektivní pohled schematicky zobrazující příklad uspořádání zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení;

obr. 7 je pohled v řezu schematicky zobrazující zařízení na výrobu plátků zobrazené na obr. 6;

obr. 8 je perspektivní pohled na upínací stůl zařízení na výrobu plátků zobrazené na obr. 6;

obr. 9 je rozložený perspektivní pohled na upínací stůl zobrazený na obr. 8;

obr. 10 je pohled v řezu schematicky zobrazující zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení v době zpracovávání druhého polovodičového ingotu;

obr. 11 je pohled v řezu schematicky zobrazující zařízení na výrobu plátků podle tohoto provedení v době zpracovávání prvního polovodičového ingotu;

obr. 12 je pohled v řezu schematicky zobrazující plátek odloupnutý ze druhého polovodičového ingotu zobrazeného na obr. 10; a obr. 13 je pohled v řezu schematicky zobrazující upínací stůl zařízení na výrobu plátků podle modifikace tohoto provedení.

- 3 CZ 309709 B6

Příklady uskutečnění vynálezu

Provedení předloženého vynálezu bude dále popsáno podrobně s odkazem na výkresy. Předložený vynález není omezen příklady popsanými v následujícím popisu. Navíc, podstatné znaky popsané v následujícím zahrnují podstatné znaky snadno představitelné odborníky z oboru a v zásadě identické podstatné znaky. Dále, uspořádání popsaná v následujícím mohou být vzájemně spolu přiměřeně kombinována. Navíc, mohou být provedena různá vypuštění, nahrazení nebo modifikace uspořádání, a to bez odchýlení se od ducha předloženého vynálezu.

Zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle provedení předloženého vynálezu bude popsáno s odkazem na výkresy. Nejprve bude proveden popis polovodičového ingotu 1 jako cílového ingotu zpracování zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle tohoto provedení.

Polovodičový ingot 1 zobrazený na obr. 1 a obr. 2 je v tomto provedení vytvořen ve válcovitém tvaru jako celek. V tomto provedení je polovodičový ingot 1 konkrétně ingot hexagonální monokrystalický SiC ingot.

Jak je zobrazeno na obr. 1 a obr. 2, má polovodičový ingot 1 první povrch 2 jako kruhovitý koncový povrch, kruhovitý druhý povrch 3 (odpovídající dnovému povrchu) na spodní povrchové straně prvního povrchu 2 a obvodový povrch 4 připojený k vnějšímu okraji prvního povrchu 2 a vnějšímu okraji druhého povrchu 3. Navíc, polovodičový ingot 1 má na obvodovém povrchu 4 zploštění 5 první orientace označující orientaci krystalu a zploštění 6 druhé orientace, ortogonální ke zploštění 5 první orientace. Délka zploštění 5 první orientace je větší než délka zploštění 6 druhé orientace.

Navíc má polovodičový ingot 1 c osu 9 skloněnou o úhel α vzhledem k normále 7 k prvnímu povrchu 2 ve směru 8 sklonu ke zploštění 6 druhé orientace a c rovinu 10 ortogonální k c ose 9. C rovina 10 je skloněna o úhel α vzhledem k prvnímu povrchu 2 polovodičový ingotu 1. Směr 8 sklonu c osy 9 od normály 7 je ortogonální ke směru rozprostření zploštění 6 druhé orientace a je paralelní se zploštěním 5 první orientace. Na molekulární úrovni polovodičového ingotu 1 je v polovodičovém ingotu 1 upraven nekonečný počet c rovin 10. V tomto provedení je úhel α nastaven na 1°, 4 ° nebo 6°. Avšak v předloženém vynálezu může být polovodičový ingot 1 vyroben s úhlem α nastaveným volně například v rozsahu 1° až 6°.

Navíc je první povrch 2 polovodičového ingotu 1 vytvořen jako zrcadlový povrch tím, že je vystaven zpracování leštěním leštícím přístrojem poté, co brousicí přistroj vystaví první povrch 2 zpracování broušením.

Plátek 11 zobrazený na obr. 3 je vyroben odlupováním části polovodičového ingotu 1 a vystavením povrchu 12 odloupnutého z polovodičového ingotu 1 zpracování broušením, zpracování leštěním apod. Poté, co je plátek 11 odloupnut z polovodičového ingotu 1, jsou na vrchním povrchu plátku 11 vytvářena zařízení. V tomto provedení jsou zařízení polem řízené tranzistory s hradlem izolovaným oxidem (MOSFETs - metal-oxide-semiconductor field-effect transistors), mikroelektromechanické systémy (MEMS - microelectromechanical systems), nebo Schottkyho diody (SBDs - Schottky barrier diodes). Avšak v předloženém vynálezu nejsou zařízení omezena na MOSFETs, MEMS a SBD. Stejné části plátku 11 jako ty v polovodičovém ingotu 1 jsou označeny stejnými vztahovými čísly a jejich popis bude vynechán.

Poté, co má polovodičový ingot 1 zobrazený na obr. 1 a obr. 2 vytvořenou odlupovací vrstvu 13, jak je zobrazeno na obr. 4 a obr. 5, je plátek 11, který se má vyrobit, odlupován z polovodičového ingotu 1 s odlupovací vrstvou 13 jako výchozím bodem. Odlupovací vrstva 13 je vytvářena uvnitř polovodičového ingotu 1 umístěním kondenzačního bodu 22 (zobrazen na obr. 5) pulzního laserového paprsku 21 (zobrazen na obr. 5) vlnové délky přenosné skrz polovodičový ingot 1 v hloubce 23 (zobrazené na obr. 5) odpovídající tloušťce 14 (zobrazené na obr. 3) plátku 11, který

- 4 CZ 309709 B6 se má vyrobit z prvního povrchu 2 polovodičového ingotu 1, a aplikováním laserového paprsku 21 podél zploštění 6 druhé orientace.

Při ozařování polovodičového ingotu 1 laserovým paprskem 21 o vlnové délce propustné skrz polovodičový ingot 1 se jeho působením rozdělí modifikovaná část 24, v níž je SiC rozdělen na křemík (Si) a uhlík (C), následně je aplikovaný laserový paprsek 21 absorbován dříve vytvořeným C a uvnitř polovodičového ingotu 1 se podél zploštění 6 druhé orientace řetězově rozdělí SiC na Si a C a vznikne trhlina vycházející z modifikované části 24 podél c roviny 10. Tedy, když je polovodičový ingot 1 ozářen laserovým paprskem 21 vlnové délky přenosné skrz polovodičový ingot 1, je vytvářena odlupovací vrstva 13, která zahrnuje modifikovanou část 24 a trhlinu vytvořenou z modifikované části 24 podél c roviny 10.

Poté, co je polovodičový ingot 1 ozářen laserovým paprskem 21 přes celou délku ve směru paralelním se zploštěním 6 druhé orientace, jsou polovodičový ingot 1 a nezobrazená jednotka vyzařující laserový paprsek 21 sekvenčně posouvány relativně vzájemně k sobě podél zploštění 5 první orientace. Přemisťovací vzdálenost 25 sekvenčního posouvání je v této době rovná nebo menší než šířka trhliny. A odlupovací vrstva 13 je opět tvořena uvnitř polovodičového ingotu 1 umístěním kondenzačního bodu 22 v hloubce 23 odpovídající tloušťce 14 od prvního povrchu 2 a aplikováním laserového paprsku 21 podél zploštění 6 druhé orientace. Činnost ozařování polovodičového ingotu 1 laserovým paprskem 21 podél zploštění 6 druhé orientace a činnost sekvenčního posouvání jednotky vyzařující laserový paprsek 21 relativně podél zploštění 5 první orientace jsou opakovány.

V důsledku toho je v polovodičovém ingotu 1 vytvořena odlupovací vrstva 13 zahrnující modifikovanou část 24, ve které je SiC rozdělen na Si a C, a trhlinu, a se zmenšenou pevností oproti jiným částem, a to v každé přemisťovací vzdálenosti 25 sekvenčního posouvání v hloubce 23 odpovídající tloušťce 14 plátku 11 od prvního povrchu 2. V polovodičovém ingotu 1 je odlupovací vrstva 13 vytvořena v každé přemisťovací vzdálenosti 25 sekvenčního posouvání přes celou délku ve směru paralelně se zploštěním 5 první orientace v hloubce 23 odpovídající tloušťce 14 od prvního povrchu 2.

Navíc existuje množství druhů polovodičových ingotů 1 rozdílných v průměru 26. V tomto provedení zařízení 30 na výrobu plátků vyrábí plátek 11 z prvního polovodičového ingotu 1-1 (odpovídajícího prvnímu ingotu), majícího první průměr 26-1, a druhého polovodičového ingotu 12 majícího druhý průměr 26-2, který je větší než první průměr 26-1.

Zařízení na výrobu plátků

Dále bude popsáno zařízení 30 na výrobu plátků 11. Obr. 6, 7 obr. 6, 8 obr. 6, 9. Zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle tohoto provedení je zařízení, které vyrábí plátky 11 zobrazené na obr. 3 odlupováním plátku 11 z polovodičového ingotu 1-1, 1-2 ve kterém je vytvořena odlupovací vrstva 13.

Jak je zobrazeno na obr. 6 a obr. 7, zařízení 30 na výrobu plátků 11 zahrnuje upínací stůl 31, jednotku 33 pro přívod vody (zobrazenou pouze na obr. 6), ultrazvukovou oscilační jednotku (zobrazenou pouze na obr. 6), odlupovací jednotku 35 (zobrazenou pouze na obr. 6), jednotku 36 pro přijímání vody a řídicí jednotku 100 (zobrazenou pouze na obr. 6).

Upínací stůl 31 drží polovodičový ingot 1-1, 1-2 s plátkem 11, který se má vyrobit, na horním povrchu. Horní povrch upínacího stolu 31 je sací povrch 32 paralelní s horizontálním směrem. Druhý povrch 3 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 je namontovaný na sacím povrchu 32 a upínací stůl 31 drží polovodičový ingot 1-1, 1-2 sacím povrchem 32 s prvním povrchem 2 orientovaným nahoru. Podrobné uspořádání upínacího stolu 31 bude popsáno později.

Jednotka 33 pro přívod vody přivádí vodu 331 (zobrazenou na obr. 10) mezi plátek 11 a koncový

- 5 CZ 309709 B6 povrch 341 ultrazvukové oscilační jednotky 34. Jednotka 33 pro přívod vody je trubka, která přivádí od svého spodního konce vodu 331 přiváděnou od nezobrazeného zdroje pro přívod vody. Jednotka 33 pro přívod vody 331 v tomto provedení přivádí vodu 331 na první povrch 2 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 drženého na upínacím stole 31. V tomto provedení je jednotka 33 pro přívod vody 331 opatřená v pouzdru 342 ultrazvukové oscilační jednotky 34 a přivádí vodu 331 z vnějšku koncového povrchu 341 ultrazvukové oscilační jednotky 34.

Ultrazvuková oscilační jednotka 34 je uložena v pouzdru 342. Ultrazvuková oscilační jednotka 34 má koncový povrch 341 přivrácený plátku 11, drženém na upínacím stole 31. Ultrazvuková oscilační jednotka 34 osciluje ultrazvukovou vlnou a aplikuje oscilovanou ultrazvukovou vlnu na polovodičový ingot 1-1, 1-2. Koncový povrch 341 ultrazvukové oscilační jednotky 34 je přivrácen prvnímu povrchu 2 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 drženém na upínacím stole 31 podél směru ortogonálního k sacímu povrchu 32 a prvnímu povrchu 2.

Ultrazvuková oscilační jednotka 34 zahrnuje ultrazvukový vibrátor a hubici mající koncový povrch 341 přivrácený plátku 11. Ultrazvukový vibrátor je například vytvořen dobře známým piezoelektrickým prvkem. Energie je aplikovaná z nezobrazeného zdroje energie na ultrazvukový vibrátor, takže ultrazvukový vibrátor vibruje podél výše popsaného ortogonálního směru při frekvenci rovné 20 kHz nebo vyšší a rovné několika gigahertzům nebo nižší s amplitudou několika mikrometrů do několika desítek mikrometrů (tato vibrace zde bude dále popsána jako ultrazvuková vibrace). Hubice je vytvořena ve sloupovitém tvaru a je fixovaná ke koncovému povrchu 341 ultrazvukového vibrátoru, kterýžto koncový povrch 341 je bližší sacímu povrchu 32.

Ultrazvuková oscilační jednotka 34 aplikuje ultrazvukovou vlnu mající koncový povrch 341 ponořený ve vodě 331 (zobrazeno na obr. 10) přiváděné jednotkou 33 pro přívod vody na první povrch 2 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 drženého na upínacím stole 31, ultrazvukově vibrující koncový povrch 341 ultrazvukovými vibracemi ultrazvukového vibrátoru, a tím ultrazvukově vibrující první povrch 2 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 přes vodu 331. V tomto provedení navíc jsou jednotka 33 pro přívod vody a ultrazvuková oscilační jednotka 34 upraveny, aby byly zvednutelné a spustitelné nezobrazeným zvedacím a spouštěcím mechanizmem.

Odlupovací jednotka 35 nasává a drží plátek 11, který se má vyrobit z polovodičového ingotu 1-1, 1-2, na který se aplikuje ultrazvuková vlna, a odlupuje plátek 11 z polovodičového ingotu 1-1, 12. Odlupovací jednotka 35 zahrnuje transportní podložku 351, která nasává a drží plátek 11 na svém spodním povrchu, a nezobrazenou přemisťovací jednotku, která volně přemisťuje transportní podložku 351 v horizontálním směru a zvedá nebo spouští transportní podložku 351 nad upínací stůl 31. Přemisťovací jednotka přemisťuje transportní podložku 351 podél horizontálního směru mezi pozicí nad upínacím stolem 31 a pozicí odtaženou z pozice nad upínacím stolem 31.

Jednotka 36 pro přijímání vody 331 obklopuje upínací stůl 31. Jednotka 36 pro přijímání vody přijímá vypuštěnou vodu 331 poté, co byla přivedena z jednotky 33 pro přívod vody 331 k polovodičového ingotu 1-1, 1-2, a teče na sací povrch 32 upínacího stolu 31 na obvodu polovodičového ingotu 1-1, 1-2. V tomto provedení je jednotka 36 pro přijímání vody 331 vytvořena v krabicovém tvaru majícím uzavřené dno a opatřeným otvorem ve své horní části, má upínací stůl 31 instalovaný na dnu a obklopuje upínací stůl 31. Jak zobrazeno na obr. 7, vypouštěcí port 361, který vypouští vodu 331 ven, se otevírá ve dnu jednotky 36 pro přijímání vody.

Jak zobrazeno na obr. 7, obr. 8 a obr. 9, zahrnuje upínací stůl 31 pórovitou desku 40 a základnu 50. Horní povrch pórovité desky 40 tvoří sací povrch 32 a pórovitá deska 40 je vytvořena v kotoučovitém tvaru, jehož vnější průměr je větší než druhý průměr 36-2 druhého polovodičového ingotu 1-2 a jehož tloušťka je jednotná. Proto je oblast druhého povrchu 3 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 menší než oblast sacího povrchu 32 upínacího stolu 31.

Pórovitá deska 40 je tvořena pórovitou keramikou, jako např. pórovitým materiálem. V tomto provedení je pórovitá keramika pórovité desky 40 vyrobena například míšením abrazivních zrn

- 6 CZ 309709 B6 oxidu hlinitého předem určené velikosti, frity a kapalného adheziva, a vypalováním směsi při 600 °C až 1300 °C po slisování směsi na kotoučovitý tvar.

Jako výsledek způsobu výroby, jak je popsán výše, je poréznost pórovité keramiky tvořící pórovitou desku 40 rovná nebo větší než 40 % a rovná nebo menší než 70 % jako objemový poměr, a průměr ventilačních děr vytvořených póry je rovný nebo větší než 10 pm a rovný nebo menší než 25 pm. V tomto provedení je pórovitá deska 40 nastavena tak, že v případě, kdy je dekompresní čerpadlo (zobrazené na obr. 7) jako zdroj podtlaku 56 připojený k upínacímu stolu 31 v činnosti ve stavu, ve kterém není nic přimontované na sacím povrchu 32, je hodnota tlaku naměřená tlakoměrem 57 opatřeným k sloučenému spojovacímu průchodu 54-2, který bude popsán později, v předem určeném rozsahu menším než hodnota konvenčního uspořádání. V tomto provedení je předem určený rozsah například mezi -65 kPa (měrný tlak) a -20 kPa (měrný tlak).

V tomto provedení má navíc sací povrch 32 pórovité desky 40 první oblast 321 (oblast sacího povrchu 32, kterážto oblast je na vnitřku tečkované čáry na obr. 6, obr. 8, obr. 9, nebo podobně) odpovídající prvnímu polovodičovému ingotu 1-1 a druhou oblast 322 (oblast sacího povrchu 32, kterážto oblast je na vnější straně tečkované čáry na obr. 6, obr. 8, obr. 9, nebo podobně) obklopující první oblast 321. V tomto provedení je rovinný tvar první oblasti 321 a druhé oblasti 322 kruhovitý tvar koaxiální s rovinným tvarem sacího povrchu. V tomto provedení je navíc průměr první oblasti 321 stejný jako první průměr 26-1 prvního polovodičového ingotu 1-1.

Proto je první oblast 321 osazená prvním polovodičovým ingotem 1-1, když sací povrch 32 drží první polovodičový ingot 1-1. První oblast 321 a druhá oblast 322 jsou osazené druhým polovodičový ingotem 1-2, když sací povrch 32 drží druhý polovodičový ingot 1-2. Zatímco hranice mezi první oblastí 321 a druhou oblastí 322 je naznačena tečkovanou čárou na obr. 6, obr. 8, obr. 9, nebo podobně, hranice mezi první oblastí 321 a druhou oblastí 322 není na sacím povrchu 32 aktuální pórovité desky 40 naznačená.

Základna 50 podpírá pórovitou desku 40. Základna 50 zahrnuje spojovací průchody 54, které zajišťují, že na pórovitou desku 40 působí podtlak. V tomto provedení je základna 50 vytvořena z kovu, j ako například korozivzdorné oceli, j e vytvořena v kotoučovitém tvaru, j ehož vněj ší průměr je rovný vnějšímu průměru pórovité desky 40 a jehož tloušťka je jednotná, a je instalovaná ve středu dna jednotky 36 pro přijímání vody.

Základna 50 podpírá pórovitou desku 40 s pórovitou deskou 40 namontovanou na horním povrchu 51 paralelně s horizontálním směrem. Proto je horní povrch 51 základny 50 osazený povrchem 41 pórovité desky 40, kterýžto povrch 41 je na opačné straně od sacího povrchu 32. Středová zahloubená část 52, jejíž rovinný tvar je kruhovitý tvar, a množství kruhových zahloubených částí 53 v prstencovém tvaru je vytvořeno v horním povrchu 51 základny 50.

V tomto provedení jsou středová zahloubená část 52 a množství kruhových zahloubených částí 53 vytvořeny v pozicích koaxiálně s horním povrchem 51 základny 50. V tomto provedení je průměr středové zahloubené části 52 menší než průměr první oblasti 321. V tomto provedení jsou v horním povrchu 51 tři kruhové zahloubené části 53 vytvořeny. Avšak v předloženém vynálezu není počet kruhových zahloubených částí 53 vytvořených v horním povrchu 51 omezený na tři. V následujícím budou ty tři kruhové zahloubené části 53 popisovány jako první kruhová zahloubená část 53-1, druhá kruhová zahloubená část 53-2 a třetí kruhová zahloubená část 53-3 v pořadí od vnitřku.

Vnitřní průměr a vnější průměr první kruhové zahloubené části 53-1 jsou větší než průměr středové zahloubené části 52 a jsou menší než průměr první oblasti 321. Vnitřní průměr a vnější průměr druhé kruhové zahloubené části 53-2 jsou větší než vnitřní průměr a vnější průměr první kruhové zahloubené části 53-1 a průměr první oblasti 321. Vnitřní průměr a vnější průměr třetí kruhové zahloubené části 53-3 jsou větší než vnitřní průměr a vnější průměr druhé kruhové zahloubené části 53-2 a průměr první oblasti 321.

- 7 CZ 309709 B6

Spojovací průchody 54 mají každý jeden konec otevírající se v příslušných dnech středové zahloubené části 52, první kruhové zahloubené části 53-1, druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3, a mají další konec spojující se jedním sbíhajícím se spojovacím průchodem 54-2. Sbíhající se spojovací průchod 54-2 je připojen k dekompresnímu čerpadlu. Spojovací průchody 54 a sbíhající se spojovací průchod 54-2 jsou vytvořeny průtokovými průchody vytvořenými v základně 50 nebo trubce připojené k základně 50, nebo podobně.

Spojovací průchody 54 způsobují, že podtlak působí na pórovitou desku 40 namontovanou na základně 50 tím, že je nasávána dekompresním čerpadlem a nasávají a drží pórovitou desku 40 na základně 50 a nasávají a drží polovodičový ingot 1-1, 1-2 na sacím povrchu 32 tím, že na pórovitou desku 40 působí podtlak. Spojovací průchody 54 mající jedny konce připojené ke středové zahloubené části 52 a první kruhové zahloubené části 53-1 jsou spojovací průchody 54 připojené k první oblasti 321.

V tomto provedení je dekompresní čerpadlo vytvořeno vakuovým čerpadlem utěsněným vodou. V tomto provedení je navíc tlakoměr 57, který měří atmosférický tlak ve sbíhajícím se spojovacím průchodu 54-2, instalovaný na tomto sbíhajícím se spojovacím průchodu 54-2. Tlakoměr 57 vydává výsledek měření na řídicí jednotku 100.

Navíc, jedny konce přetlakových spojovacích průchodů 55 se jako spojovací průchody otevírají v příslušných dnech středové zahloubené části 52, první kruhové zahloubené části 53-1, druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3. Druhé konce přetlakových spojovacích průchodů 55 jsou spojené s jedním sbíhajícím se přetlakovým spojovacím průchodem 55-2. Sbíhající se přetlakový spojovací průchod 55-2 je připojen ke zdroji 58 přetlaku. Přetlakové spojovací průchody 55 a sbíhající se přetlakový spojovací průchod 55-2 jsou vytvořeny průtokovými průchody vytvořenými v základně 50 nebo trubce připojené k základně 50, nebo podobně. Přetlakové spojovací průchody 55 způsobují, že přetlak působí na pórovitou desku 40 namontovanou na základně 50 tím, že je zásobován zdrojem 58 přetlaku stlačeným plynem, a způsobují, že je plyn vstřikován z ventilačních děr otevírajících se v sacím povrchu 32 pórovité desky 40, takže na pórovitou desku 40 působí přetlak. Přetlakové spojovací průchody 55, jejichž jedny konce jsou připojené ke druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3, jsou připojené ke druhé oblasti 322.

Navíc, spojovací průchody 54, jejichž jedny konce se otevírají v příslušných dnech první kruhové zahloubené části 53-1, druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3, jsou každý opatřen otevíracím a uzavíracím ventilem 59. V následujícím bude otevírací a uzavírací ventil 59 opatřený ke spojovacímu průchodu 54, jehož jeden konec se otevírá ve dnu první kruhové zahloubené části 53-1, popisován jako první otevírací a uzavírací ventil 59-1, otevírací a uzavírací ventil 59 opatřený ke spojovacímu průchodu 54, jehož jeden konec se otevírá ve dnu druhé kruhové zahloubené části 53-2, bude popisován jako druhý otevírací a uzavírací ventil 59-2, a otevírací a uzavírací ventil 59 opatřený ke spojovacímu průchodu54, jehož jeden konec se otevírá ve dnu třetí kruhové zahloubené části 53-3, bude popisován jako třetí otevírací a uzavírací ventil 59-3.

Navíc, přetlakové spojovací průchody 55, jejichž jedny konce se otevírají v příslušných dnech první kruhové zahloubené části 53-1, druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3, jsou každý opatřen čtvrtým otevíracím a uzavíracím ventilem 60. V následujícím bude čtvrtý přetlakový otevírací a uzavírací ventil 60 opatřený k přetlakovému spojovacímu průchodu 55, jehož jeden konec se otevírá ve dnu první kruhové zahloubené části 531, popisován jako první přetlakový otevírací a uzavírací ventil 60-1, čtvrtý otevírací a uzavírací ventil 60 opatřený k přetlakovému spojovacímu průchodu 55, jehož jeden konec se otevírá ve dnu druhé kruhové zahloubené části 53-2, bude popisován jako druhý přetlakový otevírací a uzavírací ventil 60-2 a čtvrtý otevírací a uzavírací ventil 60 opatřený k přetlakovému spojovacímu průchodu 55, jehož jeden konec se otevírá ve dnu třetí kruhové zahloubené části 53-3, bude popisován jako

- 8 CZ 309709 B6 třetí přetlakový otevírací a uzavírací ventil 60-3.

Navíc, sbíhající se spojovací průchod 54-2 je opatřen sbíhajícím se otevíracím a uzavíracím ventilem 61 jako otevíracím a uzavíracím ventilem, a sbíhající se přetlakový spojovací průchod 552 je opatřen sbíhajícím se přetlakovým otevíracím a uzavíracím ventilem 62 jako otevíracím a uzavíracím ventilem.

Tedy, spojovací průchody 54, 55, 54-2, 55-2 upínacího stolu 31 jsou opatřeny otevíracími a uzavíracími ventily 59-1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 60-3, 61, 62, jedny konce spojovacích průchodů 54, 55, 54-2, 55-2 se otevírají ve dnech středové zahloubené části 52, první kruhové zahloubené části 53-1, druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3 v horním povrchu 51 základny 50 a spojovací průchody 54, 55, 54-2, 55-2 jsou připojeny ke zdroji 56 podtlaku a zdroji 58 přetlaku. Spojovací průchody 54, 55, 54-2, 55-2 tedy způsobují, že podtlak nebo přetlak selektivně působí na oblasti povrchu 41 pórovité desky 40, kteréžto oblasti příslušně odpovídá první oblast 321 a druhá oblast 322. Proto, spojovací průchody 54, 55, 54-2, 55-2, které způsobují, že podtlak nebo přetlak působí selektivně, jsou připojeny k oblastem povrchu 41 pórovité desky 40, kteréžto oblasti příslušně odpovídají první oblasti 321 a druhé oblasti 322. Oblasti příslušně odpovídající první oblasti 321 a druhé oblasti 322 odkazují na oblasti povrchu 41 pórovité desky 40, kteréžto oblasti příslušně souhlasí s první oblastí 321 a druhou oblastí 322 ve směru tloušťky pórovité desky 40.

Řídicí jednotka 100 způsobuje, že zařízení 30 na výrobu plátků 11 provádí zpracovávací operaci na polovodičovém ingotu 1-1, 1-2, to je, výrobní operaci na plátku 11 řízením výše popsaných podstatných znaků zařízení 30 na výrobu plátků 11. Řídicí jednotka 100 je počítač zahrnující aritmetické zpracovávací zařízení mající microprocessor, jako centrální řídicí jednotku (CPU central processing unit), úložné zařízení mající paměť, jako permanentní paměť (ROM - read only memory) nebo paměť s libovolným přístupem (RAM - random access memory) a zařízení rozhraní vstupů a výstupů. Aritmetické zpracovací zařízení řídicí jednotky 100 provádí aritmetické zpracování podle počítačového programu uloženého v paměťovém zařízení a vydává řídicí signál pro řízení zařízení 30 na výrobu plátků 11 výše popsaným podstatným znakům zařízení 30 na výrobu plátků 11 přes zařízení rozhraní vstupů a výstupů.

Řídicí jednotka 100 j e spojena s nezobrazenou displejovou jednotkou, která je tvořena displejovým zařízením z tekutých krystalů nebo podobně, zobrazujícím stav zpracovávací operace, obraz, nebo podobně, a nezobrazenou vstupní jednotkou, která se používá, když obsluha zapisuje informaci se zpracovacím obsahem nebo podobně. Vstupní jednotka je vytvořena alespoň jedním z dotykového panelu opatřeného k displejové jednotce a externího vstupního zařízení, jako např. klávesnice.

Zpracovávací operace zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle tohoto provedení bude dále popsána s odkazem na výkresy.

Zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení zahajuje zpracovávací operaci, když druhý povrch 3 polovodičového ingotu 1-1, 1-2, ve kterém je vytvořena odlupovací vrstva 13, je namontovaný na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31, přičemž řídicí jednotka 100 přijímá informaci se zpracovacím obsahem přes vstupní jednotku a ukládá informaci se zpracovacím obsahem v paměťovém zařízení, a řídicí jednotka 100 přijímá instrukci o započetí zpracování od obsluhy. Informace se zpracovacím obsahem zahrnuje informaci označující, zda je cílem zpracování první polovodičový ingot 1-1 nebo druhý polovodičový ingot 1-2.

Ve zpracovávací operaci zařízení 30 na výrobu plátků 11 otevírá nebo uzavírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 60-3, 61, 62 podle toho, zda je cílem zpracování první polovodičový ingot 1-1 nebo druhý polovodičový ingot 1-2, a tím nasává a drží polovodičový ingot 1-1, 1-2 jako cíl zpracování na sacím povrchu 32. Jak je zobrazeno na obr. 10, v případě, kdy je cílem zpracování druhý polovodičový ingot 1-2, zařízení 30 na výrobu plátků 11 otevírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3, 61 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3, 62.

- 9 CZ 309709 B6

Navíc, jak zobrazeno na obr. 11, v případě, kdy je cílem zpracování první polovodičový ingot 1-1, zařízení 30 na výrobu plátků 11 otevírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 60-2, 60-3, 61, 62 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 59-2, 59-3, 60-1. Tedy, když zařízení 30 na výrobu plátků 11 nasává a drží první polovodičový ingot 1-1 na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31, zařízení 30 na výrobu plátků 11 způsobuje, že podtlak působí spojovacími průchody 54, jejichž jedny konce se otevírají ve středové zahloubené části 52 a první kruhové zahloubené části 53-1 připojené k první oblasti 321, a způsobuje, že přetlak působí přetlakovými spojovacími průchody 55, jejíchž jedny konce se otevírají ve druhé kruhové zahloubené části 53-2 a třetí kruhové zahloubené části 53-3 připojené ke druhé oblasti 322.

V tomto provedení navíc, jak zobrazeno na obr. 10 a obr. 11, když je nasáván polovodičový ingot J1, 1-2 a držen na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31, hodnota tlaku naměřená tlakoměrem 57 je ve druhém předem určeném rozsahu, ve kterém jak hodnota spodní meze, tak i hodnota horní meze jsou nižší než ty výše popsaného předem určeného rozsahu. V tomto provedení je například druhý předem určený rozsah mezi -90 kPa (měrný tlak) a -70 kPa (měrný tlak).

Ve zpracovávací operaci spouští zařízení 30 na výrobu plátků 11 jednotku 33 pro přívod vody a ultrazvukovou oscilační jednotku 34 a přivádí jednotku 33 pro přívod vody a ultrazvukovou oscilační jednotku 34 blízko k prvnímu povrchu 2 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 drženému na upínacím stole 31, přivádí vodu 331 k prvnímu povrchu 2 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 drženému na upínacím stole 31 od jednotky 33 pro přívod vody a tím noří koncový povrch 341 ultrazvukové oscilační jednotky 34 do vody 331 na prvním povrchu 2 drženého polovodičového ingotu 1-1, 1-2. Hodnota tlaku naměřená tlakoměrem 57 v této době je ve druhém předem určeném rozsahu. Tedy, protože je pórovitá deska 40 upínacího stolu 31 tvořena pórovitou keramikou, ve které je poréznost rovná nebo více než 40 % a rovná nebo menší než 70 % jako objemový poměr a průměr ventilačních děr tvořených póry je rovný nebo více než 10 pm a rovný nebo menší než 25 pm, je rozdíl mezi naměřenými hodnotami tlakoměru 57, když je dekompresní čerpadlo poháněno ve stavu, ve kterém není nic namontované na sacím povrchu 32, a ve stavu, ve kterém je polovodičový ingot 1-1, 1-2 umístěn na sacím povrchu 32, rovný nebo větší než rozdíl mezi předem určeným rozsahem a druhým předem určeným rozsahem, to je 5 kPa.

Navíc, ve zpracovávací operaci voda 331 přiváděná k prvnímu povrchu 2 polovodičového ingotu 11, 1-2 jednotkou 33 pro přívod vody teče přes první povrch 2 a postupuje dolů podél obvodového povrchu 4 polovodičového ingotu 1-1, 1-2. Voda 331 teče přes sací povrch 32 vystavený na obvodu polovodičového ingotu 1-1, 1-2, postupuje podél obvodového povrchu upínacího stolu 31 a je přijímána jednotkou 36 pro přijímání vody. Voda 331 je pak vypouštěna z vypouštěcího portu 361. Tedy, protože je pórovitá deska 40 tvořena pórovitou keramikou, ve které je poréznost rovná nebo více než 40 % a rovná nebo menší než 70 % jako objemový poměr a průměr ventilačních děr vytvořených póry je rovný nebo více než 10 pm a rovný nebo menší než 25 pm, může upínací stůl 31 nasávat a držet polovodičový ingot 1-1, 1-2 dokonce i ve stavu, ve kterém je oblast druhého povrchu 3 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 menší než oblast sacího povrchu 32 a voda 331 teče přes sací povrch 32 vystavený na obvodu polovodičového ingotu 1-1, 1-2.

Když je poréznost pórovité keramiky tvořící pórovitou desku 40 menší než 40 % jako objemový poměr a průměr ventilačních děr tvořených póry je menší než 10 pm, nemůže být polovodičový ingot 1-1, 1-2, mající druhý povrch 3 menší než oblast sacího povrchu 32, nasáván a držen na sacím povrchu 32 dostatečnou sací silou, ani když může být potlačen únik podtlaku. Navíc, když poréznost pórovité keramiky tvořící pórovitou desku 40 překročí 70 % jako objemový poměr a průměr ventilačních děr tvořených póry překročí 25 pm, existuje příliš mnoho úniku podtlaku, a polovodičový ingot 1-1, 1-2, mající druhý povrch 3 menší než oblast sacího povrchu 32, nemůže být nasáván a držen na sacím povrchu 32 dostatečnou sací silou.

Zařízení 30 na výrobu plátků aplikuje energii na ultrazvukový vibrátor ultrazvukové oscilační jednotky 34 po předem určený časový interval, a tím aplikuje ultrazvukovou oscilační jednotkou 34

- 10 CZ 309709 B6 ultrazvukovou vlnu na první povrch 2 polovodičového ingotu 1-1, 1-2. Pak se aplikuje ultrazvuková vlna z ultrazvukové oscilační jednotky 34 na první povrch 2, stimuluje odlupovací vrstvu 13 a narušuje polovodičový ingot 1-1, 1-2 přes celý povrch plátku 11 s odlupovací vrstvou 13 jako výchozím bodem.

Po aplikování energie na ultrazvukový vibrátor ultrazvukové oscilační jednotky 34 po předem určený časový interval zastaví zařízení 30 na výrobu plátků 11 přívod vody 331 jednotkou 33 pro přívod vody 331, otevře otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3, 61, uzavře otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3, 62 a zvedne jednotku 33 pro přívod vody a ultrazvukovou oscilační jednotku 34. Zařízení 30 na výrobu plátků 11 přemístí odlupovací jednotku 35 do pozice nad upínací stůl 31, spustí odlupovací jednotku 35 nad upínací stůl 31 a přivede spodní povrch transportní podložky 351 odlupovací jednotky 35 do kontaktu s prvním povrchem 2 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 drženým na upínacím stole 31.

Zařízení 30 na výrobu plátků 11 nasává a drží první povrch 2 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 drženého na upínacím stole 31 spodním povrchem transportní podložky 351 odlupovací jednotky 35 a zvedá odlupovací jednotku 35, jak zobrazeno na obr. 12. Zařízení 30 na výrobu plátků 11 loupe plátek 11 na straně prvního povrchu 2 z polovodičového ingotu 1-1, 1-2 a odebírá polovodičový ingot 1-1, 1-2 ze sacího povrchu 32 upínacího stolu 31. Poté, co je polovodičový ingot 1-1, 1-2 odebrán ze sacího povrchu 32 upínacího stolu 31, přivádí zařízení 30 na výrobu plátků 11 stlačený plyn ze zdroje 58 přetlaku k pórovité desce 40, to je, aplikuje přetlak na pórovitou desku 40 uzavřením otevíracích a uzavíracích ventilů 59-1, 59-2, 59-3, 61 a otevřením otevíracích a uzavíracích ventilů 60-1, 60-2, 60-3, 62. Zařízení 30 na výrobu plátků 11 tedy tryská plyn z pórů otevřených v sacím povrchu 32.

Navíc, řídicí jednotka 100 zařízení 30 na výrobu plátků 11 uchovává předem určený rozsah a druhý předem určený rozsah předem a po nasávání a držení polovodičového ingotu 1-1, 1-2 na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31 určuje řídicí jednotka 100 na základě výsledku měření tlakoměru 57, zda je, či není polovodičový ingot 1-1, 1-2 specifikovaný informací se zpracovacím obsahem nasáván a držen na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31. Specificky v případě, kdy cíl zpracování specifikovaný informací se zpracovacím obsahem je první polovodičový ingot 1-1, určuje řídicí jednotka 100, že první polovodičový ingot 1-1 je nasáván a držen na sacím povrchu 32, když je výsledek měření tlakoměru 57 uvnitř druhého předem určeného rozsahu po nasávání a držení polovodičového ingotu 1-1, 1-2 na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31, a řídicí jednotka 100 určuje, že první polovodičový ingot 1-1 není nasáván a držen na sacím povrchu 32, když je výsledek měření tlakoměru 57 mimo druhý předem určený rozsah. Tedy v případě, kdy cíl zpracování specifikovaný informací se zpracovacím obsahem je druhý polovodičový ingot 1-2, provádí řídicí jednotka 100 podobně určení po nasávání a držení polovodičového ingotu 1-1, 1-2 na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31.

Jak popsáno výše, je v zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle tohoto provedení poréznost pórovité keramiky tvořící pórovitou desku 40 rovná nebo větší než 40 % a rovná nebo menší než 70 % jako objemový poměr, a průměr ventilačních děr vytvořených póry je rovný nebo větší než 10 pm a rovný nebo menší než 25 pm. Proto, zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle tohoto provedení může nasávat a držet polovodičový ingot 1-1, 1-2 mající druhý povrch 3 menší než oblast sacího povrchu 32 na sacím povrchu 32 upínacího stolu 31 dokonce v podmínkách, ve kterých na sacím povrchu 32 teče voda 331.

Proto zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení zahrnuje upínací stůl 31, který může nasávat a držet polovodičový ingot 1-1, 1-2 nehledě na oblast druhého povrchu 3 polovodičového ingotu 1-1, 1-2 dokonce v podmínkách, ve kterých na sacím povrchu 32 teče voda 331, a vytváří účinek odstranění potřeby nahrazení upínacího stolu 31 podle velikosti polovodičového ingotu 11, 1-2. Jako výsledek vytváří zařízení 30 na výrobu plátků podle tohoto provedení ten účinek, že je schopné redukovat nahrazení upínacího stolu 31 dokonce, když je změněn průměr 26-1, 26-2 jako velikost polovodičového ingotu 1-1, 1-2, který se má zpracovat.

- 11 CZ 309709 B6

Navíc, v zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle tohoto provedení činí rozdíl mezi naměřenými hodnotami tlaku, když dekompresní čerpadlo způsobuje, že podtlak působí na sací povrch 32 ve stavu, ve kterém není na upínacím stole 31 nic, a ve stavu, ve kterém je polovodičový ingot 1-1, 12 namontovaný na upínacím stole 31, je rovný nebo více než 5 kPa a hodnoty tlaku se tedy vzájemně od sebe liší. Jako výsledek může řídicí jednotka 100 zařízení 30 na výrobu plátků na základě výsledku měření tlakoměru 57 kontrolovat, zda polovodičový ingot 1-1, 1-2 je namontovaný na sacím povrchu 32.

Navíc může zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle tohoto provedení způsobit, že přetlak působí ze sacího povrchu 32 vystaveného na obvodu prvního polovodičového ingotu 1-1 a může proto bránit, aby odpad vytvářený v době odlupování, byl nasáván na vystaveném sacím povrchu 32. Jako výsledek může zařízení 30 na výrobu plátků 11 potlačovat nečistoty na sacím povrchu 32.

Modifikace

Zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle modifikace tohoto provedení předloženého vynálezu bude popsáno s odkazem na výkresy. Na obr. 13 jsou stejné části jako v provedení označeny stejnými vztahovými čísly a jejich popis bude vynechán.

Jak je zobrazeno na obr. 13, upínací stůl 31-1 zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle modifikace zobrazené na obr. 13 je stejný jako v předchozím provedení s tou výjimkou, že pórovitá deska 40 a základna 50 jsou fixované vzájemně k sobě šrouby 70. Zatímco obr. 13 vynechává zahloubené části 52, 53-1, 53-2 a 53-3 základny 50, spojovací průchody 54, 54-2, 55 a 55-2 a otevírací a uzavírací ventily 59 1, 59 2, 59 3, 60 1, 60 2, 60 3, 61, 62, zahrnuje upínací stůl 31-1 v předloženém vynálezu zahloubené části 52, 53-1, 53-2, 53-3 a spojovací průchody 54 jako v předchozím provedení.

Zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle modifikace zahrnuje upínací stůl 31-1, který může nasávat a držet polovodičový ingot 1-1, 1-2 nehledě na oblast druhého povrchu 3 polovodičového ingotu 11, 1-2 dokonce v podmínkách, ve kterých teče voda 331 na sacím povrchu 32. Jako výsledek, jako v předchozím provedení, vytváří zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle této modifikace ten účinek, že je schopné redukovat nahrazení upínacího stolu 31-1 dokonce, když je změněn průměr 26-1, 262 jako velikost polovodičového ingotu 1-1, 1-2, který se má zpracovat.

Navíc, zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle předloženého vynálezu může otevírat otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59- 2, 59-3, 61 a uzavírat otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3, 62 poté, co je cíl zpracování namontovaný na sacím povrchu 32, a řídicí jednotka 100 může kontrolovat otevírání a uzavírání otevíracích a uzavíracích ventilů 59-1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 603, 61, 62 na základě výsledku měření tlakoměru 57. Specificky, poté, co je cíl zpracování namontovaný na sacím povrchu 32, zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle předloženého vynálezu otevírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3, 61 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 601, 60-2, 60-3, 62, a když je výsledek měření tlakoměru 57 uvnitř druhého předem určeného rozsahu, pokračuje řídicí jednotka 100 ve zpracovávací operaci za udržování stavu, ve kterém jsou otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59- 2, 59-3, 61 otevřené a otevírací a uzavírací ventily 60-1, 602, 60-3, 62 jsou uzavřené.

Poté, co je cíl zpracování namontovaný na sacím povrchu 32, zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle předloženého vynálezu otevírá otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3, 61 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3, 62, a když je výsledek měření tlakoměru 57 mimo druhý předem určený rozsah, uzavírá řídicí jednotka 100 třetí otevírací a uzavírací ventil 59-3 a otevírá třetí přetlakový otevírací a uzavírací ventil 60-3 a sbíhající se přetlakový otevírající a uzavírající ventil 62 a řídicí jednotka 100 určuje, zda je nebo není výsledek měření tlakoměru 57 opět uvnitř druhého předem určeného rozsahu.

- 12 CZ 309709 B6

Tedy, poté, co je cíl zpracování namontovaný na sacím povrchu 32, otevírá zařízení 30 na výrobu plátků 11 podle předloženého vynálezu otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3, 61 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3, 62, a dokud výsledek měření tlakoměru 57 spadá do druhého předem určeného rozsahu, uzavírá řídicí jednotka 100 otevírací a uzavírací ventily 591, 59-2, 59-3 opatřené ke spojovacím průchodům 54, jejichž jedny konce se otevírá ji v kruhových zahloubených částech 53-1, 53-2, 53-3, aby se započalo od vnější obvodové strany, a otevírá sbíhající se přetlakový otevírací a uzavírací ventil 62 a otevírá přetlakový otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3 opatřené k přetlakovým spojovacím průchodům 55, jejichž jedny konce se otevírají v kruhových zahloubených částech 53-1, 53-2 a 53-3, aby se započalo od vnější obvodové strany.

V tomto případě, navíc k účinkům předcházejícího provedení otevírá zařízení 30 na výrobu plátků 11 otevírací a uzavírací ventily 59-1, 59-2, 59-3, 61 a uzavírá otevírací a uzavírací ventily 60-1, 60-2, 60-3, 62 poté, co je cíl zpracování namontovaný na sacím povrchu 32, a řídicí jednotka 100 kontroluje otevírání a uzavírání otevíracích a uzavíracích ventilů 59-1, 59-2, 59-3, 60-1, 60-2, 603, 61, 62 tak, že výsledek měření tlakoměru 57 spadá do druhého předem určeného rozsahu. Tedy, zařízení 30 na výrobu plátků 11 může řádně nasávat a držet polovodičový ingot 1-1, 1-2 jakékoliv velikosti na sacím povrchu 32 pórovité desky 40 upínacího stolu 31. Jako výsledek vytváří zařízení 30 na výrobu plátků 11 ten účinek, že je schopné dále redukovat nahrazení upínacího stolu 31 dokonce, když je změněn průměr 26-1, 26-2 jako velikost polovodičového ingotu 1-1, 1-2, který se má zpracovat.

Je třeba poznamenat, že předložený vynález není omezen na předcházející provedení. To znamená, že předložený vynález může být modifikován a prováděn různými způsoby, aniž by se odchýlil z podstaty předloženého vynálezu.

Předložený vynález není omezen na podrobnosti výše popsaného přednostního provedení. Rozsah vynálezu je definovaný připojenými nároky a všechny změny a modifikace, jak spadají do ekvivalence rozsahu nároků, mají být, proto zahrnuty do vynálezu.

Claims (2)

1 . Zařízení (30) na výrobu plátků (11) z polovodičového ingotu (1, 1-1, 1-2), ve kterém je vytvořená odlupovací vrstva (13) umístěním kondenzačního bodu (22) laserového paprsku (21) vlnové délky přenosné skrz polovodičový ingot (1, 1-1, 1-2) v hloubce (23) odpovídající tloušťce plátku (11), který se má vyrobit, a aplikováním laserového paprsku (21), přičemž zařízení (30) na výrobu plátků (11) zahrnuje:

- upínací stůl (31, 31-1) konfigurovaný pro držení polovodičového ingotu (1, 1-1, 1-2) na sacím povrchu (32) s plátkem (11) na horní straně;

- ultrazvukovou oscilační jednotku (34), mající koncový povrch (341), který je přivrácený plátku (11), a konfigurovanou pro oscilování ultrazvukové vlny;

- jednotku (33) pro přívod vody (331), konfigurovanou pro přívod vody (331) mezi plátek (11) a koncový povrch (341) ultrazvukové oscilační jednotky (34);

- odlupovací jednotku (35), konfigurovanou pro nasávání a držení plátku (11) a odlupování plátku (11) z polovodičového ingotu (1, 1-1, 1-2); a

- jednotku (36) pro přijímání vody (331), konfigurovanou pro obklopení upínacího stolu (31, 311) a přijetí vody (331) vypouštěné od jednotky (33) pro přívod vody (331) k polovodičovému ingotu (1, 1-1, 1-2) a na sací povrch (32) upínacího stolu (31,31-1), přičemž

- upínací stůl (31, 31-1) dále zahrnuje pórovitou desku (40), vytvářející sací povrch (32), a základnu (50) podpírající pórovitou desku (40) a mající alespoň jeden spojovací průchod (54, 54-2, 55, 55-2), konfigurovaný pro způsobení, aby podtlak od zdroje podtlaku (56) působil na pórovitou desku (40), vyznačující se tím, že

- sací povrch (32) pórovité desky (40) má první oblast (321) odpovídající prvnímu polovodičovému ingotu (1, 1-1, 1-2), majícímu první průměr (26-1), a druhou oblast (322) obklopující první oblast (321);

- je opatřen zdroj (58) přetlaku; a

- jsou upraveny alespoň dva spojovací průchody (54, 54-2, 55, 55-2), které jsou konfigurované pro selektivní vedení podtlaku od zdroje (56) podtlaku, nebo přetlaku od zdroje (58) přetlaku, a jsou připojeny k první oblasti (321) a druhé oblasti (322), v daném pořadí, v povrchu (41) pórovité desky (40), kterýžto povrch (41) je na opačné straně od sacího povrchu (32), přičemž

- zdroj (56) podtlaku, resp. zdroj (58) přetlaku jsou konfigurované tak, že když je první polovodičový ingot (1, 1-1, 1-2) nasáván a držen, je přivozen podtlak, aby působil spojovacím průchodem (54, 54-2, 55, 55-2) připojeným k první oblasti (321), a je přivozen přetlak, aby působil spojovacím průchodem (54, 54-2, 55, 55-2) připojeným ke druhé oblasti (322).

2. Zařízení (30) na výrobu plátků (11) podle nároku 1, vyznačující se tím, že ke spojovacímu průchodu (54, 54-2, 55, 55-2) upínacího stolu (31, 31-1) je jako zdroj (56) podtlaku připojeno dekompresní čerpadlo, a na spojovacím průchodu (54, 54-2, 55, 55-2) je instalovaný tlakoměr (57).