DE102021205759A1 - Bearbeitungsverfahren für einen wafer - Google Patents

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cutting
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Takashi Okamura
Shigenori Harada
Tomoharu Takita
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Abstract

Es wird ein Bearbeitungsverfahren eines Wafers zur Bearbeitung des Wafers bereitgestellt, das an einer Seite einer vorderen Oberfläche einen Bauelementbereich aufweist, in dem ein Bauelement in jedem von mehreren Bereichen ausgebildet ist, die durch mehrere geplante Teilungslinien unterteilt sind, und einen Vertiefungsteil an der Seite der hinteren Oberfläche aufweist und einen ringförmigen Verstärkungsteil an einem Umfangsteil aufweist. Das Bearbeitungsverfahren eines Wafers weist einen Halteschritt auf, bei dem die untere Oberfläche des Vertiefungsteils gehalten wird, einen Schneidschritt, bei dem der Wafer entlang der geplanten Teilungslinien mit einer Schneidklinge geschnitten wird, um den Bauelementbereich in mehrere Bauelementchips zu teilen und Nuten an der Seite der vorderen Oberfläche des Verstärkungsteils zu bilden, und einen Teilungsschritt, bei dem der Verstärkungsteil entlang der geplanten Teilungslinien geteilt wird, wobei die Nuten die Ausgangspunkte sind, indem eine äußere Kraft auf den Verstärkungsteil ausgeübt wird.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Bei einem Herstellungsverfahren von Bauelementchips wird ein Wafer verwendet, der an einer Seite einer vorderen Oberfläche einen Bauelementbereich aufweist, in dem ein Bauelement in jedem von mehreren Bereichen ausgebildet ist, die durch geplante Teilungslinien (Straßen), die gitterartig angeordnet sind, abgegrenzt sind. Mehrere Bauelementchips, die jeweils das Bauelement aufweisen, werden durch ein Teilen dieses Wafers entlang der geplanten Teilungslinien erhalten. Die Bauelementchips werden in verschiedenen elektronischen Geräten angebracht, wie beispielsweise an tragbaren Telefonen und PCs.
  • In den letzten Jahren war es im Zusammenhang mit der Verkleinerung elektronischer Geräte erforderlich, die Dicke der Bauelementchips zu verringern. Daher wird ein Bearbeiten eines dünnen Ausgestaltens eines dünnen Wafers in einigen Fällen vor einem Teilen des Wafers durchgeführt. Zum dünnen Ausgestalten des Wafers wird eine Schleifvorrichtung verwendet, die einen Einspanntisch, der den Wafer hält, und eine Schleifeinheit aufweist, an der eine Schleifscheibe mit mehreren abrasiven Schleifsteinen angebracht ist. Der Wafer wird geschliffen und dünn ausgestaltet, indem die abrasiven Schleifsteine mit einer Seite der hinteren Oberfläche des vom Einspanntisch gehaltenen Wafers in Kontakt gebracht werden. Wenn der Wafer geschliffen und dünn ausgestaltet wird, sinkt jedoch die Steifigkeit des Wafers. Daher ist es wahrscheinlicher, dass der Wafer beispielsweise bei einem nachfolgenden Beförderungsschritt bricht. Das heißt, die Handhabung des Wafers wird schwierig. Somit wurde ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem nur der Bereich, der sich mit dem Bauelementbereich an der Seite der hinteren Oberfläche eines Wafers überschneidet, geschliffen und dünn ausgestaltet wird. Bei Verwendung dieser Methode wird am zentralen Teil der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers ein Vertiefungsteil ausgebildet, wohingegen der periphere Teil des Wafers nicht ausgedünnt, sondern im dicken Zustand gehalten wird und als ein ringförmiger Verstärkungsteil bestehen bleibt. Aufgrund dessen wird die Verringerung der Steifigkeit des Wafers nach dem Schleifen vermindert.
  • Der dünn ausgestaltete Wafer wird schließlich in mehrere Bauelementchips geteilt, indem eine Schneidvorrichtung verwendet wird, die ein Werkstück mit einer ringförmigen Schneidklinge oder ähnlichem schneidet. Zu diesem Zeitpunkt wird der Wafer entlang geplanter Teilungslinien geschnitten, nachdem der ringförmige Verstärkungsteil, der am Umfangsteil verbleibt, entfernt wurde. Beispielsweise wurde in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2011-61137 ein Verfahren offenbart, bei dem der Umfangsteil eines Wafers durch eine Schneidklinge ringförmig geschnitten wird, um den Bauelementbereich und einen Verstärkungsteil (ringförmiger Vorsprungsteil) zu trennen, und anschließend wird der Verstärkungsteil angehoben und durch eine mehrere Klauen aufweisende Klauenbaugruppe entfernt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Wie oben beschrieben, wird ein ringförmiger Verstärkungsteil, der an einem peripheren Teil eines Wafers verbleibt, in einem Bearbeitungsprozess eines Wafers abgetrennt und von dem Wafer entfernt. Unmittelbar nach dem Trennen des Verstärkungsteils von dem Wafer wird der Verstärkungsteil jedoch in der Nähe eines Bauelementbereichs so angeordnet, dass es einen zentralen Teil (Bauelementbereich) des Wafers in einem Zustand umgibt, in dem die Steifigkeit durch ein dünnes Ausgestalten verringert ist. Wenn der Verstärkungsteil entfernt wird, kommt es daher möglicherweise zu einem unbeabsichtigten Kontakt des Verstärkungsteils mit dem Bauelementbereich und der Bauelementbereich wird beschädigt.
  • Um den Verstärkungsteil ordnungsgemäß zu entfernen, ist daher ein Arbeitsschritt eines vorsichtigen Haltens des Verstärkungsteils und eines Anhebens des Verstärkungsteils auf eine solche Weise notwendig, dass das Auftreten eines Schwingens oder einer Positionsabweichung des Verstärkungsteils vermieden wird, um zu verhindern, dass der Verstärkungsteil den Bauelementbereich beeinträchtigt. Folglich wird ein Aufbau eines für die Entfernung des Verstärkungsteils verwendeten Mechanismus (Klauenbaugruppe oder dergleichen) kompliziert und die Kosten steigen. Außerdem verlängert sich die für die Entfernung des Verstärkungsteils erforderliche Arbeitszeit und die Bearbeitungseffizienz der Bearbeitungsvorrichtung sinkt.
  • Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf ein solches Problem gemacht und beabsichtigt, ein Bearbeitungsverfahren eines Wafers bereitzustellen, das einen Verstärkungsteil, der an dem peripheren Teil des Wafers verbleibt, leicht entfernen kann.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bearbeitungsverfahren eines Wafers zum Bearbeiten des Wafers bereitgestellt, der an einer Seite einer vorderen Oberfläche einen Bauelementbereich aufweist, in dem ein Bauelement in jedem von mehreren Bereichen ausgebildet ist, die durch mehrere geplante Teilungslinien unterteilt sind, die gitterartig so angeordnet sind, dass sie sich gegenseitig schneiden, und der einen Vertiefungsteil aufweist, der in einem Bereich ausgebildet ist, der dem Bauelementbereich an einer Seite einer hinteren Oberfläche entspricht, und der einen ringförmigen Verstärkungsteil aufweist, der den Bauelementbereich und den Vertiefungsteil an einem Umfangsteil umgibt. Das Bearbeitungsverfahren eines Wafers weist auf: einen Band-Anhaftschritt eines Anhaftens eines Haftbandes an der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers entlang des Vertiefungsteils und des Verstärkungsteils und einen Halteschritt eines Haltens einer unteren Oberfläche des Vertiefungsteils durch einen ersten Einspanntisch mit Hilfe des Haftbandes. Das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer weist auch einen Schneidschritt eines Schneidens des Wafers entlang der geplanten Teilungslinien durch eine Schneidklinge, um den Bauelementbereich in mehrere Bauelementchips zu teilen und Nuten an der Seite der vorderen Oberfläche des Verstärkungsteils auszubilden, und einen Teilungsschritt eines Teilens des Verstärkungsteils entlang der geplanten Teilungslinien auf, wobei die Nuten Ausgangspunkte sind, indem eine äußere Kraft auf den Verstärkungsteil ausgeübt wird.
  • Indessen wird bevorzugt in dem Teilungsschritt durch ein Ansaugen des Haftbandes durch einen zweiten Einspanntisch, der Vertiefungen und Vorsprünge an einer Position aufweist, die dem Verstärkungsteil des Wafers in einem Zustand, in dem der Wafer durch den zweiten Einspanntisch getragen wird, entspricht, das Haftband entlang der Vertiefungen und Vorsprünge angeordnet, um den Verstärkungsteil zu teilen. Darüber hinaus weist das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bevorzugt ferner einen Trennungsschritt eines Trennens des Bauelementbereichs und des Verstärkungsteils durch ein ringförmiges Schneiden eines Umfangsteils des Bauelementbereichs durch die Schneidklinge nach einem Ausführen des Halteschritts und vor einem Ausführen des Teilungsschritts auf.
  • Darüber hinaus weist das Bearbeitungsverfahren eines Wafers bevorzugt ferner auf: einen Verstärkungsteil-Entfernungsschritt eines Entfernens des Verstärkungsteils, indem nach einem Ausführen des Teilungsschritts ein Fluid zum Verstärkungsteil ausgestoßen wird. Darüber hinaus wird bevorzugt das Fluid von der zentralen Seite des Wafers zu einer Umfangsseite des Wafers ausgestoßen wird. Das Fluid könnte ein gemischtes Fluid sein, das ein Gas und eine Flüssigkeit aufweist. Darüber hinaus könnte das Fluid eine Flüssigkeit sein.
  • Darüber hinaus weist das Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß ferner einen Ausbildungsschritt einer geritzten Linie eines Ausbildens von mehreren geritzten Linien in dem Verstärkungsteil entlang der radialen Richtung des Verstärkungsteils nach einem Ausführen des Schneidschritts und vor einem Ausführen des Teilungsschritts auf.
  • Im Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß dem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird der Bauelementbereich im Schneidschritt in die mehreren Bauelementchips geteilt. Zusätzlich werden die Nuten an der Seite der vorderen Oberfläche des Verstärkungsteils ausgebildet. Dann wird im Teilungsschritt eine äußere Kraft auf den Verstärkungsteil aufgebracht und der Verstärkungsteil wird geteilt, wobei die Nuten die Ursprungspunkte sind. Folglich wird es möglich, den Verstärkungsteil einfach durch ein einfaches Verfahren wie beispielsweise ein Ausstoßen des Fluid zum geteilten Verstärkungsteil zu entfernen.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, sowie die Weise ihrer Umsetzung werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Seite einer vorderen Oberfläche eines Wafers darstellt;
    • 1B ist eine perspektivische Ansicht, die eine Seite einer hinteren Oberfläche des Wafers darstellt;
    • 2A ist eine perspektivische Ansicht, die den Wafer darstellt, an den ein Haftband angehaftet ist;
    • 2B ist eine Schnittansicht, die einen Wafer darstellt, an den das Haftband angehaftet ist;
    • 3 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Schneidvorrichtung darstellt;
    • 4 ist eine Schnittansicht, die den von einem Einspanntisch gehaltenen Wafer darstellt;
    • 5A ist eine Schnittansicht, die den entlang einer ersten Richtung geschnittenen Wafer darstellt;
    • 5B ist eine Schnittansicht, die den entlang einer zweiten Richtung geschnittenen Wafer darstellt;
    • 6 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Reinigungseinheit darstellt;
    • 7A ist eine Schnittansicht, die den über einem Einspanntisch angeordneten Wafer darstellt;
    • 7B ist eine Schnittansicht, die den vom Einspanntisch angesaugten Wafer darstellt;
    • 8A ist eine Schnittansicht, die den Wafer darstellt, bei dem das Fluid zu einem Verstärkungsteil ausgestoßen wird;
    • 8B ist eine Schnittansicht, die den Wafer darstellt, von dem der Verstärkungsteil entfernt wird;
    • 9A ist eine Draufsicht, die die Schneidvorrichtung darstellt, die eine Nut-Ausbildungseinheit aufweist; und
    • 9B ist eine Schnittansicht, die die Schneidvorrichtung darstellt, welche die Nut-Ausbildungseinheit aufweist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine Ausführungsform gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Zunächst wird ein Ausgestaltungsbeispiel eines Wafers beschrieben, der durch ein Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß der vorliegenden Ausführungsform bearbeitet werden kann. 1A ist eine perspektivische Ansicht, die die Seite der vorderen Oberfläche des Wafers 11 darstellt. 1B ist eine perspektivische Ansicht, die die Seite der hinteren Oberfläche des Wafers 11 darstellt.
  • Der Wafer 11 ist ein Substrat, das aus einem Halbleiter wie beispielsweise Silizium ausgestaltet ist und beispielsweise eine kreisförmige Scheibenform aufweist und eine vordere Oberfläche 11a und eine hintere Oberfläche 11b aufweist, die im Wesentlichen parallel zueinander sind. Der Wafer 11 ist durch mehrere geplante Teilungslinien (Straßen) 13, die gitterartig angeordnet sind und einander schneiden, in mehrere rechteckige Bereiche unterteilt. Ferner ist an der Seite der vorderen Oberfläche 11a in jedem der durch die geplanten Teilungslinien 13 abgegrenzten Bereiche ein Bauelement 15 wie beispielsweise ein integrierter Schaltkreis (IC), eine Large-Scale-Integration (LSI), eine emittierende Diode (LED) oder ein mikroelektromechanisches System (MEMS) ausgebildet.
  • Der Wafer 11 weist an der Seite der vorderen Oberfläche 11a einen im Wesentlichen kreisförmigen Bauelementbereich 17a auf, in dem die mehreren Bauelemente 15 ausgebildet sind, sowie einen ringförmigen Umfangsüberschussbereich 17b, der den Bauelementbereich 17a umgibt. Der Umfangsüberschussbereich 17b entspricht einem ringförmigen Bereich, der den peripheren Rand der vorderen Oberfläche 11a aufweist und eine vorgegebene Breite (beispielsweise etwa 2 mm) aufweist. In 1A ist die Grenze zwischen dem Bauelementbereich 17a und dem Umfangsüberschussbereich 17b durch eine strich-doppelpunktierte Linie dargestellt.
  • Indessen gibt es keine Beschränkungen hinsichtlich des Materials, der Form, des Aufbaus, der Größe usw. des Wafers 11. Beispielsweise könnte der Wafer 11 ein Substrat sein, das aus einem anderen Halbleiter als Silizium (GaAs, InP, GaN, SiC oder ähnlichem), Glas, Keramik, Kunststoff, Metall oder ähnlichem besteht. Es besteht auch keine Beschränkung hinsichtlich der Art, Anzahl, Struktur, Aufbau, Größe, Anordnung usw. der Bauelemente 15.
  • Mehrere Bauelementchips, die jeweils das Bauelement 15 aufweisen, werden durch ein gitterartiges Teilen des Wafers 11 entlang der geplanten Teilungslinien 13 hergestellt. Darüber hinaus wird es möglich, Bauelementchips mit einer reduzierten Dicke zu erhalten, indem der Wafer 11 vor dem Teilen dünn ausgestaltet wird. Für das dünne Ausgestalten des Wafers 11 wird beispielsweise die Schleifvorrichtung verwendet. Die Schleifvorrichtung weist einen Einspanntisch (Haltetisch), der den Wafer 11 hält, und eine Schleifeinheit auf, die den Wafer 11 schleift, und eine ringförmige Schleifscheibe mit mehreren abrasiven Schleifsteinen ist an der Schleifeinheit angebracht. Indem die abrasiven Schleifsteine mit der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 in Kontakt gebracht werden, während der Einspanntisch und die Schleifscheibe gedreht werden, wird die Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 geschliffen und der Wafer 11 dünn ausgestaltet. Wenn jedoch die gesamte Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 geschliffen wird, wird der gesamte Wafer 11 dünn ausgestaltet und die Steifigkeit des Wafers 11 nimmt ab. Daher ist es wahrscheinlicher, dass der Wafer 11 beispielsweise bei einem nachfolgenden Beförderungsschritt bricht. Das heißt, die Handhabung des Wafers 11 wird schwierig.
  • Daher wird in einigen Fällen nur der mittlere Teil an der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 einer Behandlung zum dünnen Ausgestalten (Schleifbearbeitung) unterzogen. Beispielsweise wird, wie in 1B dargestellt, nur der zentrale Teil des Wafers 11 ausgedünnt und ein kreisförmiger Vertiefungsteil (Nut) 19 wird in der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 ausgebildet. Der Vertiefungsteil 19 ist an einer Position ausgebildet, die dem Bauelementbereich 17a entspricht. Beispielsweise ist die Größe (der Durchmesser) des Vertiefungsteils 19 im Wesentlichen gleich festgelegt wie die Größe (Durchmesser) des Bauelementbereichs 17a, und der Vertiefungsteil 19 ist an einer Position ausgebildet, die sich mit dem Bauelementbereich 17a überlappt. Der Vertiefungsteil 19 weist eine untere Oberfläche 19a auf, die im Wesentlichen parallel zur vorderen Oberfläche 11a und zur hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 ist, sowie eine ringförmige Seitenoberfläche (Innenwand) 19b, die im Wesentlichen senkrecht zur unteren Oberfläche 19a verläuft und mit der unteren Oberfläche 19a und der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 verbunden ist. Darüber hinaus verbleibt am Umfangsteil des Wafers 11 ein Verstärkungsteil (Vorsprungsteil) 21, der dem Bereich entspricht, für den die Behandlung des dünnen Ausgestaltens (Schleifbearbeitung) nicht durchgeführt wurde. Der Verstärkungsteil 21 weist den Umfangsüberschussbereich 17b auf und umgibt den Bauelementbereich 17a und den Vertiefungsteil 19. Wenn nur der zentrale Teil des Wafers 11 dünn ausgestaltet wird, bleibt der Umfangsteil (Verstärkungsteil 21) des Wafers 11 in einem dicken Zustand. Aufgrund dessen wird die Verringerung der Steifigkeit des Wafers 11 vermindert, und ein Auftreten eines Bruchs usw. des Wafers 11 wird weniger wahrscheinlich. Das heißt, der Verstärkungsteil 21 fungiert als ein Verstärkungsbereich, der den Wafer 11 verstärkt.
  • Als nächstes wird ein spezifisches Beispiel für das Bearbeitungsverfahren eines Wafers zum Teilen des Wafers 11 in mehrere Bauelementchips beschrieben. In der vorliegenden Ausführungsform wird zunächst ein Haftband an der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 angehaftet (Bandanhaftungsschritt). 2A ist eine perspektivische Ansicht, die den Wafer 11 darstellt, an den ein Haftband 23 angehaftet ist. 2B ist eine Schnittansicht, die den Wafer 11 darstellt, an den das Haftband 23 angehaftet ist.
  • Das Haftband 23 mit einer Größe, die es ermöglicht, die gesamte Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 abzudecken, wird an der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 angehaftet. Beispielsweise wird das Haftband 23, das eine kreisförmige Form mit einem größeren Durchmesser als derjenige des Wafers 11 aufweist, so angehaftet, dass es die Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 abdeckt. Als das Haftband 23 kann eine flexible Folie verwendet werden, die eine kreisförmige Basis und eine an der Basisschicht ausgebildete Haftmittelschicht (Klebstoffschicht) aufweist. Beispielsweise besteht die Basis aus einem Kunststoff wie Polyolefin, Polyvinylchlorid oder Polyethylenterephthalat, und die Haftmittelschicht besteht aus einem Haftmittel auf Epoxid-, Acryl- oder Kautschukbasis oder ähnlichem. Darüber hinaus kann für die Haftmittelschicht auch ein ultravioletthärtbarer Kunststoff verwendet werden, der durch Bestrahlung mit ultravioletten Strahlen gehärtet wird.
  • Das Haftband 23 wird entlang der Kontur der Seite der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 angehaftet. Das heißt, dass, wie in 2B dargestellt, das Haftband 23 entlang (in einer Linie mit) der unteren Oberfläche 19a und der Seitenoberfläche 19b des Vertiefungsteils 19 und der hinteren Oberfläche (unteren Oberfläche) des Verstärkungsteils 21 angehaftet wird. Indessen ist in 2B ein Beispiel dargestellt, bei dem das Haftband 23 so angehaftet ist, dass es in engem Kontakt mit der unteren Oberfläche 19a und der Seitenoberfläche 19b steht. Zwischen dem Haftband 23 und dem Umfangsteil der unteren Oberfläche 19a und zwischen dem Haftband 23 und der Seitenoberfläche 19b könnte jedoch ein kleiner Spalt bestehen.
  • Ein ringförmiger Rahmen 25 aus einem Metall wie beispielsweise rostfreiem Stahl (SUS) ist am Umfangsteil des Haftbandes 23 angehaftet. Am zentralen Teil des Rahmens 25 ist eine kreisförmige Öffnung 25a ausgebildet, in welcher der Wafer 11 untergebracht werden kann. Der Wafer 11 wird von dem Rahmen 25 durch das Haftband 23 in dem Zustand, in dem er in der Öffnung 25a angeordnet ist, getragen. Aufgrund dessen wird eine Rahmeneinheit (Arbeitsanordnung) ausgestaltet, in welcher der Wafer 11, das Haftband 23 und der Rahmen 25 integriert sind.
  • Der Wafer 11, an dem das Haftband 23 angehaftet ist, wird von der Schneidvorrichtung geschnitten. 3 ist eine perspektivische Ansicht, welche die Schneidvorrichtung 2 darstellt. Die Schneidvorrichtung 2 weist einen Einspanntisch (Haltetisch) 4 auf, der den Wafer 11 hält, und eine Schneideinheit 12, die den vom Einspanntisch 4 gehaltenen Wafer 11 schneidet.
  • Die obere Oberfläche des Einspanntisches 4 ist eine ebene Oberfläche, die im Wesentlichen parallel zu einer X-Achsen-Richtung (Bearbeitungszufuhrrichtung, erste horizontale Richtung) und einer Y-Achsen-Richtung (Indexzufuhrrichtung, zweite horizontale Richtung) ausgebildet ist und eine kreisförmige Halteoberfläche 4a (siehe 4) ausgestaltet, die den Wafer 11 hält. Darüber hinaus sind mit dem Einspanntisch 4 ein Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) eines Kugelgewindespindelsystems, das den Einspanntisch 4 entlang der X-Achsen-Richtung bewegt, und eine Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie beispielsweise ein Motor, der den Einspanntisch 4 um eine Drehachse dreht, die im Wesentlichen parallel zu einer Z-Achsen-Richtung (vertikale Richtung, Aufwärts-Abwärts-Richtung) verläuft, gekoppelt.
  • Die Schneideinheit 12, die den Wafer 11 schneidet, ist über dem Einspanntisch 4 angeordnet. Die Schneideinheit 12 weist ein kreiszylindrisches Gehäuse 14 auf, und eine kreiszylindrische Spindel (nicht dargestellt), die entlang der Y-Achsen-Richtung angeordnet ist, ist im Inneren des Gehäuses 14 untergebracht. Der Spitzenteil (ein Endteil) der Spindel liegt nach außerhalb des Gehäuses 14 hin frei. An dem Spitzenteil der Spindel ist eine ringförmige Schneidklinge 16 angebracht. Darüber hinaus ist eine Drehantriebsquelle wie beispielsweise ein Motor mit dem Basisendteil (dem anderen Endteil) der Spindel gekoppelt.
  • Die Schneidklinge 16 dreht sich um eine Drehachse, die im Wesentlichen parallel zur Y-Achsen-Richtung verläuft, durch von der Drehantriebsquelle über die Spindel übertragene Kraft.
  • Als die Schneidklinge 16 wird beispielsweise eine nabenartige Schneidklinge (Nabenklinge) verwendet. Die Nabenklinge ist durch eine Integration einer ringförmigen Basis aus einem Metall oder ähnlichem und einem entlang des äußeren Umfangsrands der Basis ausgebildeten ringförmigen Schneidrand ausgestaltet. Der Schneidrand der Nabenklinge ist durch einen galvanisch ausgebildeten abrasiven Stein ausgestaltet, in dem aus Diamant oder ähnlichem ausgebildete Schleifkörner durch ein Bindemittel wie beispielsweise eine Nickelbeschichtungsschicht fixiert sind. Darüber hinaus könnte als die Schneidklinge 16 eine scheibenförmige Schneidklinge (Scheibenklinge) verwendet werden. Die Scheibenklinge ist durch einen ringförmigen Schneidrand ausgestaltet, in dem Schleifkörner durch ein Bindemittel aus Metall, Keramik, Kunststoff oder ähnlichem fixiert sind.
  • Die am Spitzenteil der Spindel angebrachte Schneidklinge 16 ist durch eine am Gehäuse 14 befestigte Klingenabdeckung 18 abgedeckt. Die Klingenabdeckung 18 weist Verbindungsteile 20 auf, die mit einem Rohr (nicht dargestellt) verbunden sind, dem eine Flüssigkeit (Schneidflüssigkeit) wie beispielsweise Reinwasser zugeführt wird, sowie ein Paar Düsen 22, die mit den Verbindungsteilen 20 verbunden sind und jeweils an einer der beiden Oberflächenseiten (Seiten der vorderen und hinteren Oberfläche) der Schneidklinge 16 angeordnet sind.
  • In jeder des Paars Düsen 22 ist eine zur Schneidklinge 16 hin geöffnete Ausstoßöffnung (nicht dargestellt) ausgebildet. Wenn die Schneidflüssigkeit zu den Verbindungsteilen 20 zugeführt wird, wird die Schneidflüssigkeit aus den Ausstoßöffnungen des Paares Düsen 22 zu beiden Oberflächen (vordere und hintere Oberfläche) der Schneidklinge 16 ausgestoßen. Durch diese Schneidflüssigkeit werden der Wafer 11 und die Schneidklinge 16 gekühlt und der durch die Schneidbearbeitung erzeugte Staub (Schneidstaub) wird abgewaschen.
  • Mit der Schneideinheit 12 ist ein (nicht dargestellter) Bewegungsmechanismus eines Kugelgewindespindelsystems gekoppelt, der die Schneideinheit 12 bewegt. Dieser Bewegungsmechanismus bewegt die Schneideinheit 12 entlang der Y-Achsen-Richtung und hebt und senkt sie in der Z-Achsen-Richtung.
  • Wenn der Wafer 11 unter Verwendung der Schneidvorrichtung 2 bearbeitet wird, wird der Wafer 11 zunächst von dem Einspanntisch 4 gehalten (Halteschritt). 4 ist eine Schnittansicht, die den von dem Einspanntisch 4 gehaltenen Wafer 11 darstellt.
  • Der Einspanntisch 4 weist einen Rahmenkörper (Hauptkörperteil) 6 auf, der aus einem Metall, Glas, Keramik, Kunststoff oder ähnlichem besteht und eine kreisförmige Säulenform aufweist. Ein Vertiefungsteil (Nut) 6b mit einer in der Draufsicht kreisförmigen Form ist an der Seite einer oberen Oberfläche 6a des Rahmenkörpers 6 ausgebildet und eine Haltekomponente 8 mit einer kreisförmigen Scheibenform ist in das Vertiefungsteil 6b eingepasst. Die Haltekomponente 8 ist eine Komponente, die aus einem porösen Material wie beispielsweise poröser Keramik besteht und im Inneren Poren (Ansaugpfad) aufweist, die von der oberen Oberfläche der Haltekomponente 8 zur unteren Oberfläche führen. Die Haltekomponente 8 ist mit einer Ansaugquelle (nicht dargestellt) wie beispielsweise einem Ejektor über einen im Inneren des Rahmenkörpers 6 ausgebildeten Pfad (nicht dargestellt), ein Ventil (nicht dargestellt) usw. verbunden. Darüber hinaus gestaltet die obere Oberfläche der Haltekomponente 8 eine kreisförmige Ansaugoberfläche 8a aus, die den Wafer 11 ansaugt. Die obere Oberfläche 6a des Rahmenkörpers 6 und die Ansaugoberfläche 8a der Haltekomponente 8 sind im Wesentlichen in der gleichen Ebene angeordnet und bilden die Halteoberfläche 4a des Einspanntisches 4.
  • Der Wafer 11 wird über dem Einspanntisch 4 angeordnet, wobei die Seite der vorderen Oberfläche 11a nach oben freiliegt. Indessen ist der Einspanntisch 4 so ausgestaltet, dass ermöglicht wird, dass die Halteoberfläche 4a die untere Oberfläche 19a des Vertiefungsteils 19 des Wafers 11 hält. Insbesondere ist der Durchmesser der Halteoberfläche 4a kleiner als der Durchmesser des Vertiefungsteils 19 und die Seite der Halteoberfläche 4a des Einspanntisches 4 ist in den Vertiefungsteil 19 eingepasst. Dadurch wird die untere Oberfläche 19a des Vertiefungsteils 19 durch die Halteoberfläche 4a mit Hilfe des Haftbandes 23 getragen. Darüber hinaus sind um den Einspanntisch 4 herum mehrere Klemmen 10 angeordnet, die den Rahmen 25 greifen und befestigen. Wenn der Wafer 11 über dem Einspanntisch 4 angeordnet ist, wird der Rahmen 25 durch die mehreren Klemmen 10 befestigt. Wenn ein Unterdruck (Ansaugkraft) der Saugquelle veranlasst wird, auf die Haltekomponente 8 in dem Zustand einzuwirken, in dem der Wafer 11 über dem Einspanntisch 4 angeordnet ist, wird der Bereich, der an der unteren Oberfläche 19a des Vertiefungsteils 19 im Haftband 23 haftet, von der Ansaugoberfläche 8a angesaugt. Dadurch wird die untere Oberfläche 19a des Vertiefungsteils 19 angesaugt und durch den Einspanntisch 4 mit Hilfe des Haftbandes 23 gehalten.
  • Anschließend wird der Wafer 11 entlang der geplanten Teilungslinien 13 (siehe 3 usw.) mit der Schneidklinge 16 geschnitten (Schneidschritt). Bei dem Schneidschritt wird der Wafer 11 entlang der geplanten Teilungslinien 13 parallel zu einer ersten Richtung und den geplanten Teilungslinien 13 parallel zu einer zweiten Richtung, die die erste Richtung schneidet, geschnitten.
  • 5A ist eine Schnittansicht, die den entlang der ersten Richtung geschnittenen Wafer 11 darstellt. Zunächst wird der Einspanntisch 4 gedreht und die Längsrichtung einer geplanten Teilungslinie 13, die parallel zur ersten Richtung verläuft, wird mit der X-Achsen-Richtung ausgerichtet. Darüber hinaus wird die Position der Schneideinheit 12 in der Y-Achsen-Richtung so eingestellt, dass die Schneidklinge 16 über einer verlängerten Linie der einen geplanten Teilungslinie 13 angeordnet ist. Darüber hinaus wird die Höhe der Schneideinheit 12 so eingestellt, dass das untere Ende der Schneidklinge 16 an der unteren Seite relativ zur unteren Oberfläche 19a des Vertiefungsteils 19 angeordnet ist. Beispielsweise wird das untere Ende der Schneidklinge 16 an der unteren Seite relativ zur oberen Oberfläche des an der unteren Oberfläche 19a des Vertiefungsteils 19 angehafteten Haftbandes 23 und an der oberen Seite relativ zur Halteoberfläche 4a (untere Oberfläche des Haftbandes 23) positioniert. Der Höhenunterschied zwischen der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 und dem unteren Ende der Schneidklinge 16 entspricht zu diesem Zeitpunkt der Tiefe des Einschneidens der Schneidklinge 16 in den Wafer 11.
  • Dann wird der Einspanntisch 4 entlang der X-Achsen-Richtung bewegt, während die Schneidklinge 16 gedreht wird. Dadurch bewegen sich der Einspanntisch 4 und die Schneidklinge 16 relativ entlang der X-Achsen-Richtung (Bearbeitungszufuhr) und die Schneidklinge 16 schneidet entlang der einen geplanten Teilungslinie 13 in die Seite der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 ein. Die Einschneidetiefe der Schneidklinge 16 ist zu diesem Zeitpunkt größer als die Dicke des zentralen Bereichs (Bauelementbereich 17a, siehe 3 usw.) des Wafers 11 und ist kleiner als die Dicke des peripheren Bereichs (Verstärkungsteil 21) des Wafers 11. Somit wird im Bauelementbereich 17a des Wafers 11 entlang der einen geplanten Teilungslinie 13 ein Schnitt (Kerbe) ausgebildet, der die untere Oberfläche 19a von der vorderen Oberfläche 11a erreicht. In der Zwischenzeit wird im Verstärkungsteil 21 des Wafers 11 entlang der einen geplanten Teilungslinie 13 eine Nut 11c mit einer Tiefe ausgebildet, die der Einschneidetiefe der Schneidklinge 16 entspricht. Danach wird die Schneidklinge 16 in der Y-Achsen-Richtung um eine Distanz bewegt, die dem Abstand der geplanten Teilungslinien 13 entspricht (Indexzufuhr), und der Wafer 11 wird entlang einer weiteren geplanten Teilungslinie 13 geschnitten. Durch ein Wiederholen dieses Vorgangs wird der Wafer 11 entlang aller geplanten Teilungslinien 13 parallel zur ersten Richtung geschnitten.
  • Als nächstes wird der Einspanntisch 4 um 90° gedreht und die Längsrichtung der geplanten Teilungslinien 13 parallel zur zweiten Richtung wird mit der X-Achsen-Richtung ausgerichtet. Dann wird der Wafer 11 entlang der geplanten Teilungslinien 13 durch ein ähnliches Vorgehen geschnitten. 5B ist eine Schnittansicht, die den entlang der zweiten Richtung geschnittenen Wafer 11 darstellt. Wenn der Wafer 11 entlang aller geplanten Teilungslinien 13 geschnitten wurde, wird der Bauelementbereich 17a des Wafers 11 entlang der geplanten Teilungslinien 13 geteilt und es werden mehrere Bauelementchips 27 erhalten (siehe 6), die jeweils das Bauelement 15 aufweisen. Darüber hinaus werden an der Seite der oberen Oberfläche (vordere Oberfläche) des Verstärkungsteils 21 die Nuten 11c entlang der geplanten Teilungslinien 13 ausgebildet.
  • Als nächstes wird der Verstärkungsteil 21 durch ein Aufbringen einer äußeren Kraft entlang der geplanten Teilungslinien 13 auf den Verstärkungsteil 21 geteilt, wobei die Nuten 11c die Ausgangspunkte sind (Teilungsschritt). In der vorliegenden Ausführungsform wird die äußere Kraft auf den Verstärkungsteil 21 ausgeübt, indem das Haftband 23 durch einen Einspanntisch angesaugt wird.
  • 6 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Reinigungseinheit 30 darstellt. Die Reinigungseinheit 30 ist ein Mechanismus, der den Wafer 11 nach der Schneidbearbeitung reinigt und ist in die Schneidvorrichtung 2 eingebaut (siehe 3). Darüber hinaus weist die Reinigungseinheit 30 einen Einspanntisch (Haltetisch) 32, der den Wafer 11 hält, sowie eine Fluidzufuhreinheit 46 auf, die Flüssigkeit zu dem vom Einspanntisch 32 gehaltenen Wafer 11 zuführt.
  • Die obere Oberfläche des Einspanntisches 32 gestaltet eine kreisförmige Halteoberfläche aus, die den Wafer 11 hält. Darüber hinaus ist mit dem Einspanntisch 32 eine Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie beispielsweise ein Motor gekoppelt, der den Einspanntisch 32 um eine Drehachse dreht, die im Wesentlichen parallel zur vertikalen Richtung verläuft. Der Einspanntisch 32 weist einen Rahmenkörper (Hauptkörperteil) 34 auf, der aus einem Metall, Glas, Keramik, Kunststoff oder ähnlichem ausgestaltet ist und eine die Form einer kreisförmigen Säule aufweist. Ein Vertiefungsteil (Nut) 34b mit einer in der Draufsicht kreisförmigen Form ist an der Seite einer oberen Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 ausgebildet und eine Haltekomponente 36 mit einer kreisförmigen Scheibenform ist in den Vertiefungsteil 34b eingepasst. Die Haltekomponente 36 ist eine Komponente, die aus einem porösen Material wie beispielsweise poröser Keramik ausgestaltet ist und im Inneren Poren (Ansaugpfad) aufweist, die von der oberen Oberfläche der Haltekomponente 36 zur unteren Oberfläche führen. Die obere Oberfläche der Haltekomponente 36 gestaltet eine kreisförmige Ansaugoberfläche 36a aus, die den Wafer 11 ansaugt und hält. Darüber hinaus sind die obere Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 und die Ansaugoberfläche 36a der Haltekomponente 36 im Wesentlichen in derselben Ebene angeordnet.
  • Vertiefungen und Vorsprünge sind an einer Position ausgebildet, die dem Verstärkungsteil 21 des Wafers 11 im Einspanntisch 32 entspricht. Beispielsweise ist der Rahmenkörper 34 so ausgebildet, dass die obere Oberfläche 34a den Verstärkungsteil 21 überlappt, wenn der Wafer 11 über dem Einspanntisch 32 angeordnet ist. Darüber hinaus sind an der Seite der oberen Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 mehrere Vorsprungsteile (Vorsprünge) 38 angeordnet, die von der oberen Oberfläche 34a nach oben vorstehen. Indessen gibt es, obwohl in einer rechteckigen Parallelepipedform ausgebildeten Vorsprungsteile 38 in 6 dargestellt sind, keine Begrenzung hinsichtlich der Form der Vorsprungsteile 38. Die mehreren Vorsprungsteile 38 sind in im Wesentlichen gleichen Abständen entlang der Umfangsrichtung des Rahmenkörpers 34 angeordnet. Darüber hinaus ist ein ringförmiger Bereich mit periodischen Vertiefungen und Vorsprüngen durch die obere Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 und die Vorsprungsteile 38 ausgestaltet. Darüber hinaus sind an der Seite der oberen Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 ringförmige Nuten 40a und 40b ausgebildet, die in die obere Oberfläche 34a geöffnet sind. Beispielsweise sind die Nuten 40a und 40b konzentrisch an beiden Seiten (außen und innen in der radialen Richtung des Rahmenkörpers 34) der mehreren Vorsprungsteile 38 ausgebildet. Darüber hinaus sind die Nut 40a und die Nut 40b durch mehrere entlang der radialen Richtung des Rahmenkörpers 34 ausgebildete Nuten 40c miteinander gekoppelt. Die Haltekomponente 36 ist mit einer Ansaugquelle 44 über einen im Inneren des Rahmenkörpers 34 ausgebildeten (nicht dargestellten) Strömungspfad und ein Ventil 42a verbunden. Darüber hinaus sind die Nuten 40a, 40b und 40c über einen im Inneren des Rahmenkörpers 34 ausgebildeten (nicht dargestellten) Strömungspfad und ein Ventil 42b mit der Ansaugquelle 44 verbunden. Die Ansaugquelle 44 ist durch einen Ejektor oder dergleichen ausgestaltet.
  • Der Wafer 11 ist so über dem Einspanntisch 32 angeordnet, dass der Verstärkungsteil 21 die obere Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 überlappt. Dadurch wird der Verstärkungsteil 21 des Wafers 11 von den mehreren Vorsprungsteilen 38 mit Hilfe des Haftbandes 23 getragen. 7A ist eine Schnittansicht, die den über dem Einspanntisch 32 angeordneten Wafer 11 darstellt. Indessen sind in 7A der Einfachheit halber nur die Formen des Wafers 11, des Haftband 23, des Rahmens 25 und des Einspanntisches 32 im Schnitt dargestellt.
  • Wenn die Ventile 42a und 42b in dem Zustand, in dem der Wafer 11 über dem Einspanntisch 32 angeordnet ist, geöffnet werden, wirkt ein Unterdruck der Ansaugquelle 44 auf die Haltekomponente 36 und die Nuten 40a und 40b, und der Wafer 11 wird angesaugt und durch den Einspanntisch 32 mit Hilfe des Haftbandes 23 gehalten. 7B ist eine Schnittdarstellung, die den vom Einspanntisch 32 angesaugten Wafer 11 darstellt. Der Bereich, der an der Innenseite des Vertiefungsteils 19 des Wafers 11 im Haftband 23 angehaftet ist, wird von der Haltekomponente 36 angesaugt und wird von dem Vertiefungsteil 19 abgezogen, um mit der Ansaugoberfläche 36a in Kontakt zu kommen. Außerdem wird der am Verstärkungsteil 21 angehaftete Bereich im Haftband 23 von den Nuten 40a und 40b angesaugt und vom Verstärkungsteil 21 abgezogen, um mit der oberen Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 in Kontakt zu kommen.
  • Wie in 6 dargestellt, werden die periodischen Vertiefungen und Vorsprünge ringförmig durch die mehreren Vorsprungsteile 38 an der Seite der oberen Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 ausgebildet. Wenn also veranlasst wird, dass der Unterdruck auf die Nuten 40a und 40b einwirkt, wird der an dem Verstärkungsteil 21 im Haftband 23 angehaftete Bereich entlang der oberen Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 und der Vorsprungsteile 38 verformt und geht in einen welligen Zustand über. Darüber hinaus wird der Bereich, der nicht von den Vorsprungsteilen 38 im Verstärkungsteil 21 getragen wird, durch das Haftband 23 zur Seite der oberen Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 gezogen und bewegt sich, sodass es in den Raum zwischen den benachbarten Vorsprungsteilen 38 eintritt. Folglich wirkt eine Scherspannung auf den Verstärkungsteil 21. Das heißt, dass auf den Verstärkungsteil 21 eine äußere Kraft ausgeübt wird, indem das Haftband 23 durch den Einspanntisch 32 angesaugt wird. Wenn die äußere Kraft auf den Verstärkungsteil 21 einwirkt, werden von den im Verstärkungsteil 21 ausgebildeten Nuten 11c Risse erzeugt, die sich in der Dickenrichtung des Verstärkungsteils 21 ausbreiten. Dadurch bricht der Verstärkungsteil 21 entlang der geplanten Teilungslinien 13. Das heißt, dass die Nuten 11c als die Ausgangspunkte für ein Teilen des Verstärkungsteils 21 dienen und der ringförmige Verstärkungsteil 21 wird entlang der geplanten Teilungslinien 13 in mehrere Chips geteilt.
  • Indessen muss der Verstärkungsteil 21 im Teilungsschritt nicht unbedingt entlang aller Nuten 11c geteilt werden. Das heißt, es reicht aus, dass der Verstärkungsteil 21 in mehrere Chips mit einer vorgegebenen Größe oder kleiner geteilt wird, damit der Verstärkungsteil 21 in einem später zu beschreibenden Schritt Verstärkungsteil-Entfernungsschritt ordnungsgemäß entfernt werden kann. Obwohl das Beispiel, bei dem die Vertiefungen und Vorsprünge des Einspanntisches 32 durch die obere Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 und die Vorsprungsteile 38 ausgebildet sind, in 6 beschrieben wurde, gibt es darüber hinaus keine Beschränkung für das Ausbildungsverfahren von Vertiefungen und Vorsprüngen. Beispielsweise könnten Vertiefungen und Vorsprünge ausgebildet werden, indem mehrere Vertiefungsteile (Nuten) an der Seite der oberen Oberfläche 34a des Rahmenkörpers 34 angebracht werden. Darüber hinaus ist das Verfahren zur Ausübung einer äußeren Kraft auf den Verstärkungsteil 21 nicht auf das Ansaugen des Haftbandes 23 durch den Einspanntisch 32 beschränkt. Beispielsweise könnte eine äußere Kraft auf den Verstärkungsteil 21 ausgeübt werden, indem eine Drückkomponente gegen den Verstärkungsteil 21 in dem Zustand gedrückt wird, in dem der Wafer 11 durch einen vorgegebenen Einspanntisch gehalten wird. Darüber hinaus könnte eine äußere Kraft auf den Verstärkungsteil 21 ausgeübt werden, indem ein Aufweitband (ein Band, das durch ein Aufbringen einer äußeren aufgeweitet werden kann) als das Haftband 23 verwendet wird und an dem Aufweitband gezogen wird, um es aufzuweiten.
  • Anschließend wird der in die mehreren Chips geteilte Verstärkungsteil 21 entfernt (Verstärkungsteil-Entfernungsschritt). Im Verstärkungsteil-Entfernungsschritt werden die durch das Teilen des Verstärkungsteils 21 ausgebildeten Chips von dem Haftband 23 abgezogen und entfernt. Dies stellt den Zustand her, in dem nur die mehreren Bauelementchips 27 am Haftband 23 haften. Zum Entfernen des Verstärkungsteils 21 wird beispielsweise die Fluidzufuhreinheit 46 (siehe 6) verwendet. Die Fluidzufuhreinheit 46 weist eine Düse 48 auf, die Flüssigkeit ausstößt, und einen Arm 50, der die Düse 48 schwenkt.
  • 8A ist eine Schnittansicht, die den Wafer 11 darstellt, bei dem das Fluid 52 zum Verstärkungsteil 21 ausgestoßen wird. Im Verstärkungsteil-Entfernungsschritt wird zunächst die Düse 48 geschwenkt, um an einer Position angeordnet zu sein, die sich mit einem Bereich innerhalb des Verstärkungsteils 21 überschneidet. Dann wird das Fluid 52 aus der Düse 48 zum Verstärkungsteil 21 ausgestoßen. Dabei werden die Chips des Verstärkungsteils 21 von dem Fluid 52 abgeblasen, um vom Haftband 23 abgezogen und entfernt zu werden.
  • 8B ist eine Schnittdarstellung, die den Wafer 11, von dem der Verstärkungsteil 21 entfernt ist, darstellt. Im Fall eines Entfernens des Verstärkungsteils 21 durch das Ausstoßen des Fluids 52 ist es vorteilhaft, das Fluid 52 von der Seite der Mitte des Wafers 11 (innerhalb des Verstärkungsteils 21) zur Außenseite des Wafers 11 (außerhalb des Verstärkungsteils 21) auszustoßen. In diesem Fall werden die Chips des Verstärkungsteils 21 in der radialen Richtung des Verstärkungsteils 21 nach außen verteilt. Dadurch kann verhindert werden, dass die Chips des Verstärkungsteils 21 zur Seite der Bauelementchips 27 verteilt werden und die Bauelementchips 27 zerkratzen. Beispielsweise wird die Strahlrichtung des Fluids 52 durch ein Neigen der Düse 48 in Bezug auf die vertikale Richtung eingestellt (siehe 8A und 8B). Dann wird der Einspanntisch 32 gedreht, während das Fluid 52 aus der Düse 48 ausgestoßen wird. Dadurch wird das Fluid 52 auf den gesamten Verstärkungsteil 21 ausgestoßen und die Chips des Verstärkungsteils 21 werden nacheinander vom Haftband 23 abgezogen und abgezogen.
  • Wird der Verstärkungsteil 21 nicht geteilt und verbleibt im kontinuierlichen ringförmigen Zustand, so ist hier ein Arbeitsschritt eines vorsichtigen Haltens des Verstärkungsteils 21 und eines Anhebens des Verstärkungsteils 21 auf eine solche Weise erforderlich, dass das Auftreten eines Schwingens oder einer Positionsabweichung des Verstärkungsteils 21 vermieden wird, um den Verstärkungsteil 21 richtig zu entfernen. Daher ist ein präziser Fördermechanismus usw. zum Ausführen der Entfernung des Verstärkungsteils 21 erforderlich, und die für die Entfernung des Verstärkungsteils 21 erforderliche Arbeitszeit wird ebenfalls lang. Andererseits wird bei der vorliegenden Ausführungsform der ringförmige Verstärkungsteil 21 im Teilungsschritt in mehrere Chips geteilt. Deswegen kann der Verstärkungsteil 21 sehr leicht entfernt werden, indem im Verstärkungsteil-Entfernungsschritt nur eine mäßige äußere Kraft auf die jeweiligen Chips ausgeübt wird.
  • Indessen ist das Fluid 52, das auf den Verstärkungsteil 21 ausgestoßen wird, nicht beschränkt. Beispielsweise wird eine Flüssigkeit wie beispielsweise unter Druck gesetztes Reinwasser (Hochdruckflüssigkeit) als das Fluid 52 ausgestoßen. Darüber hinaus ist es auch möglich, eine gemischte Flüssigkeit, die eine Flüssigkeit (gereinigtes Wasser oder ähnliches) und ein Gas (Luft oder ähnliches) enthält, als Fluid 52 zu verwenden. Darüber hinaus könnten die mehreren Bauelementchips 27 mit einer Schutzfolie überzogen werden, wenn die Flüssigkeit auf den Verstärkungsteil 21 ausgestoßen wird. Beispielsweise könnte Reinwasser von der oberen Seite des Einspanntisches 32 in Richtung des Wafers 11 zugeführt werden, und die mehreren Bauelementchips 27 könnten mit einem Wasserfilm überzogen werden. Dies veranlasst die Bauelementchips 27, auch dann nicht mehr so leicht beschädigt zu werden, wenn zufällig ein Chip des Verstärkungsteils 21 zur Seite der Bauelementchips 27 verteilt wird. In diesem Fall könnte an der Reinigungseinheit 30 eine Düse angebracht sein, die dem vom Einspanntisch 32 gehaltenen Wafer 11 die Flüssigkeit (Reinwasser oder ähnliches) zum Ausbilden des Schutzfilms zuführt. Obwohl der Fall, in dem der Teilungsschritt und der im Verstärkungsteil-Entfernungsschritt unter Verwendung des in der Reinigungseinheit 30 angeordneten Einspanntisches 32 ausgeführt wird, in der obigen Beschreibung erläutert wurde, ist es auch möglich, einen anderen Einspanntisch zu verwenden, der separat von der Reinigungseinheit 30 bereitgestellt wird. Ferner könnten für den Teilungsschritt und den im Verstärkungsteil-Entfernungsschritt getrennte Einspanntische verwendet werden.
  • Wie oben beschrieben, wird bei dem Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß der vorliegenden Ausführungsform im Schneidbearbeitungsschritt der Bauelementbereich 17a in die mehreren Bauelementchips 27 geteilt. Zusätzlich werden die Nuten 11c an der Seite der vorderen Oberfläche des Verstärkungsteils 21 ausgebildet. Dann wird im Teilungsschritt eine äußere Kraft auf den Verstärkungsteil 21 ausgeübt und der Verstärkungsteil 21 wird geteilt, wobei die Nuten 11c Ursprungspunkte sind. Dadurch wird es möglich, den Verstärkungsteil 21 durch ein einfaches Verfahren wie beispielsweise ein Ausstoßen des Fluids 52 auf den geteilten Verstärkungsteil 21 leicht vom Wafer 11 zu entfernen.
  • Indessen könnten in dem oben beschriebenen Bearbeitungsverfahren eines Wafers nach einer Ausführung des Halteschrittes (siehe 4) und vor einer Ausführung des Teilungsschrittes (siehe 7A und 7B) der Bauelementbereich 17a und der Verstärkungsteil 21 getrennt werden (Trennungsschritt). Beispielsweise wird der Trennungsschritt unter Verwendung der in 3 dargestellten Schneidvorrichtung 2 vor oder nach einer Ausführung des Schneidschrittes ausgeführt (siehe 5A und 5B).
  • Konkret werden zunächst in dem Zustand, in dem der Wafer 11 vom Einspanntisch 4 gehalten wird (siehe 4), die Positionen des Einspanntisches 4 und der Schneideinheit 12 so eingestellt, dass die Schneidklinge 16 direkt über dem Umfangsteil des Bauelementbereichs 17a (dünn ausgestalteter Bereich) des Wafers 11 angeordnet ist. Dann wird die Schneideinheit 12 abgesenkt, während die Schneidklinge 16 gedreht wird, und die Schneidklinge 16 wird veranlasst, in einen Teil des Umfangsteils des Bauelementbereichs 17a zu schneiden. Das Ausmaß der Absenkung der Schneideinheit 12 zu diesem Zeitpunkt wird so festgelegt, dass das untere Ende der Schneidklinge 16 das an der unteren Oberfläche 19a des Vertiefungsteils 19 angehaftete Haftband 23 erreicht. Als nächstes wird der Einspanntisch 4 in dem Zustand, in dem die Schneidklinge 16 in den Wafer 11 schneidet, veranlasst, eine Drehung zu vollziehen, wobei die Schneidklinge 16 in Rotation gehalten wird. Dadurch wird der Wafer 11 ringförmig entlang des Außenumfangsteils des Bauelementbereichs 17a geschnitten und geteilt und wird geteilt. Infolgedessen wird der Verstärkungsteil 21 von dem Wafer 11 abgeschnitten und der Bauelementbereich 17a und der Verstärkungsteil 21 werden getrennt.
  • Wenn der oben beschriebene Trennungsschritt ausgeführt wird, bleibt zum Zeitpunkt eines Ausführens des nachfolgenden Teilungsschritts der vorstehende Teil (siehe 7A und 7B), der vom oberen Teil des Verstärkungsteils 21 zur Seite der Bauelementchips 27 vorsteht, nicht bestehen oder der vorstehende Teil wird kurz. Dies kann das Auftreten der Situation verhindern, in welcher der vorstehende Teil, der vom Haftband 23 gezogen wird, reißt und zur Seite der Bauelementchips 27 verteilt wird, wenn das Haftband 23 im Teilungsschritt angesaugt wird.
  • Außerdem könnten in dem oben beschriebenen Bearbeitungsverfahren eines Wafers nach der Ausführung des Schneidschritts (siehe 5A und 5B) und vor der Ausführung des Teilungsschritts (siehe 7A und 7B) mehrere geritzte Linien (Nuten) in dem Verstärkungsteil 21 ausgebildet werden (Ausbildungsschritt der geritzten Linien). Der Ausbildungsschritt der geritzten Linien wird unter Verwendung der Schneidvorrichtung 2 ausgeführt, an der beispielsweise eine Nut-Ausbildungseinheit (Ausbildungseinheit für eine geritzte Linie) 60 angebracht ist. 9A ist eine Draufsicht, welche die Schneidvorrichtung 2 darstellt, welche die Nut-Ausbildungseinheit 60 aufweist. 9B ist eine Schnittansicht, die die Schneidvorrichtung 2 darstellt, welche die Nut-Ausbildungseinheit 60 aufweist. In 9B ist indessen auch der Wafer 11 nach einer Ausführung des Schneidschritts dargestellt.
  • Beispielsweise ist die Nut-Ausbildungseinheit 60 an einer Seitenoberfläche des Gehäuses 14 der Schneideinheit 12 angebracht. Insbesondere weist die Nut-Ausbildungseinheit 60 eine feste Komponente 62 auf, die an der Seitenoberfläche des Gehäuses 14 befestigt ist. Die feste Komponente 62 ist in der Draufsicht L-förmig ausgebildet und ist in der X-Achsen-Richtung neben dem Gehäuse 14 angeordnet. An der Seite der unteren Oberfläche der festen Komponente 62 sind eine Schneideinrichtung 64, die geritzte Linien (Nuten) im Wafer 11 ausbildet, und eine Drückkomponente 66, die den Wafer 11 drückt, befestigt. Die Schneideinrichtung 64 und die Drückkomponente 66 sind in der Y-Achsen-Richtung nebeneinander angeordnet. Die Schneideinrichtung 64 weist am unteren Endteil einen Schneidrand 64a auf. Als der Schneidrand 64a wird beispielsweise eine Diamantschneideinrichtung verwendet. Darüber hinaus ist die Drückkomponente 66 eine kreiszylindrische Komponente, die aus einem Metall, Kunststoff oder dergleichen besteht. Die untere Oberfläche der Drückkomponente 66 ist in einer gekrümmten Oberflächenform ausgebildet und gestaltet eine Drückoberfläche 66a aus, die den Wafer 11 drückt.
  • Im Ausbildungsschritt der geritzten Linien wird zunächst die Nut-Ausbildungseinheit 60 bewegt und der Schneidrand 64a der Schneideinrichtung 64 wird mit der Seite der vorderen Oberfläche des Verstärkungsteils 21 in Kontakt gebracht. Indessen wird die Bewegung der Nut-Ausbildungseinheit 60 durch einen Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) gesteuert, der mit der Schneideinheit 12 gekoppelt ist. Dann wird die Nut-Ausbildungseinheit 60 entlang der Y-Achsen-Richtung in dem Zustand bewegt, in dem der Schneidrand 64a mit dem Verstärkungsteil 21 in Kontakt ist. Dadurch wird eine lineare geritzte Linie entlang der radialen Richtung des Verstärkungsteils 21 an der Seite der vorderen Oberfläche des Verstärkungsteils 21 ausgebildet. Als nächstes wird der Einspanntisch 4 um einen vorgegebenen Winkel gedreht und in dem Verstärkungsteil 21 wird ähnlich eine geritzte Linie ausgebildet. Durch ein Wiederholen dieses Vorgangs werden mehrere geritzte Linien entlang der radialen Richtung des Verstärkungsteils 21 ausgebildet.
  • Die geritzten Linien dienen als Ausgangspunkte für ein Teilen des Wafers 11 zusammen mit den im Verstärkungsteil 21 ausgebildeten Nuten 11c (siehe 6). Das heißt, wenn die geritzten Linien ausgebildet werden, wird es wahrscheinlicher, dass beim Teilen Risse in dem Verstärkungsteil 21 erzeugt werden(siehe 7A und 7B) und ein Teilen des Verstärkungsteils 21 wird unterstützt. Dies ermöglicht es, den Verstärkungsteil 21 sicher in mehrere Chips zu teilen.
  • Nachdem die geritzten Linien im Verstärkungsteil 21 ausgebildet sind, könnte der Verstärkungsteil 21 geteilt werden, indem die Drückkomponente 66 gegen den Verstärkungsteil 21 gedrückt wird. Insbesondere wird die Drückkomponente 66, nachdem die geritzten Linien durch die Schneideinrichtung 64 in dem Verstärkungsteil 21 ausgebildet wurden, entlang der Y-Achsen-Richtung bewegt, um direkt über dem Verstärkungsteil 21 positioniert zu werden, und wird zum Verstärkungsteil 21 abgesenkt. Dabei kommt die Drückoberfläche 66a mit dem Verstärkungsteil 21 in Kontakt und drückt den Verstärkungsteil 21 nach unten. Dadurch wird eine äußere Kraft auf den Verstärkungsteil 21 ausgeübt und der Verstärkungsteil 21 wird geteilt, wobei die geritzten Linien und die Nuten 11c (siehe 6) die Ausgangspunkte sind. Dann wird der Einspanntisch 4 bei jeder Umdrehung um einen vorgegebenen Winkel gedreht und die Ausbildung einer geritzten Linie und das Drücken des Verstärkungsteils 21 durch die Drückkomponente 66 werden wiederholt. Das heißt, der Schritt des Ausbildungsschritt der geritzten Linie und der Teilungsschritt werden abwechselnd mehrere Male ausgeführt. Dadurch bricht der Verstärkungsteil 21 nacheinander entlang der Umfangsrichtung und der Verstärkungsteil 21 wird schließlich in mehrere Chips geteilt.
  • Daneben können Strukturen, Verfahren usw. gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform mit entsprechenden Änderungen ausgeführt werden, ohne dass der Umfang des Gegenstands der vorliegenden Erfindung verlassen wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2011061137 [0004]

Claims (8)

  1. Bearbeitungsverfahren eines Wafers zum Bearbeiten des Wafers, der an einer Seite einer vorderen Oberfläche einen Bauelementbereich aufweist, in dem ein Bauelement in jedem von mehreren Bereichen ausgebildet ist, die durch mehrere geplante Teilungslinien unterteilt sind, die gitterartig so angeordnet sind, dass sie sich gegenseitig schneiden, und der einen Vertiefungsteil aufweist, der in einem Bereich ausgebildet ist, der dem Bauelementbereich an einer Seite einer hinteren Oberfläche entspricht, und der einen ringförmigen Verstärkungsteil aufweist, der den Bauelementbereich und den Vertiefungsteil an einem Umfangsteil umgibt, wobei das Bearbeitungsverfahren eines Wafers aufweist: einen Band-Anhaftschritt eines Anhaftens eines Haftbandes an der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers entlang des Vertiefungsteils und des Verstärkungsteils; einen Halteschritt eines Haltens einer unteren Oberfläche des Vertiefungsteils durch einen ersten Einspanntisch mit Hilfe des Haftbandes; einen Schneidschritt eines Schneidens des Wafers entlang der geplanten Teilungslinien durch eine Schneidklinge, um den Bauelementbereich in mehrere Bauelementchips zu teilen und Nuten an der Seite der vorderen Oberfläche des Verstärkungsteils auszubilden; und einen Teilungsschritt eines Teilens des Verstärkungsteils entlang der geplanten Teilungslinien, wobei die Nuten Ausgangspunkte sind, indem eine äußere Kraft auf den Verstärkungsteil ausgeübt wird.
  2. Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß Anspruch 1, wobei in dem Teilungsschritt durch ein Ansaugen des Haftbandes durch einen zweiten Einspanntisch, der Vertiefungen und Vorsprünge an einer Position aufweist, die dem Verstärkungsteil des Wafers in einem Zustand, in dem der Wafer durch den zweiten Einspanntisch getragen wird, entspricht, das Haftband entlang der Vertiefungen und Vorsprünge angeordnet wird, um den Verstärkungsteil zu teilen.
  3. Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß Anspruch 1 oder 2, ferner aufweisend: einen Trennungsschritt eines Trennens des Bauelementbereichs und des Verstärkungsteils durch ein ringförmiges Schneiden eines Umfangsteils des Bauelementbereichs durch die Schneidklinge nach einem Ausführen des Halteschritts und vor einem Ausführen des Teilungsschritts.
  4. Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend: einen Verstärkungsteil-Entfernungsschritt eines Entfernens des Verstärkungsteils, indem nach einem Ausführen des Teilungsschritts ein Fluid zum Verstärkungsteil ausgestoßen wird.
  5. Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß Anspruch 4, wobei das Fluid von einer zentralen Seite des Wafers zu einer Umfangsseite des Wafers ausgestoßen wird.
  6. Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß Anspruch 4 oder 5, wobei das Fluid ein gemischtes Fluid ist, das ein Gas und eine Flüssigkeit aufweist.
  7. Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß Anspruch 4 oder 5, wobei das Fluid eine Flüssigkeit ist.
  8. Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend: einen Ausbildungsschritt einer geritzten Linie eines Ausbildens von mehreren geritzten Linien in dem Verstärkungsteil entlang einer radialen Richtung des Verstärkungsteils nach einem Ausführen des Schneidschritts und vor einem Ausführen des Teilungsschritts.
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