WO2016146584A1 - Verfahren zur ablösung eines aufwachssubstrats von einer schichtenfolge - Google Patents

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Marco Englhard
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats (10) von einer Schichtenfolge (11) angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes (1) umfassend das Aufwachssubstrat (10), die auf dem Aufwachssubstrat (10) aufgebrachte Schichtenfolge (11) und einen an einer dem Aufwachssubstrat (10) abgewandten Deckfläche (11a) der Schichtenfolge (11) angebrachten Träger (13), wobei - die Schichtenfolge (11) in eine Vielzahl Bereiche (15) strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben (14) voneinander getrennt sind, und - die Trenngräben (14) miteinander verbunden sind, B) Einbringen des zumindest einen Waferverbundes (1) in ein Ätzbad (40) mit einer Ätzlösung (44) derart, dass sich die Ätzlösung (44) zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben (14) befindet, C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad (40) vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung (31, 34, 351, 352) und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (10).

Description

Beschreibung
Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge
Die Druckschrift DE 19734635 AI beschreibt ein Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats .
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein vereinfachtes Verfahren zur, insbesondere zerstörungsfreien, Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge anzugeben.
Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats angegeben. Das Verfahren eignet sich insbesondere zur
Trennung eines Aufwachssubstrats von einer auf dem
Aufwachssubstrat aufgebrachten Schichtenfolge.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zumindest ein Waferverbund bereitgestellt. Der Waferverbund weist eine Haupterstreckungsebene auf, in der er sich in lateralen Richtungen erstreckt. Senkrecht zur
Haupterstreckungsebene, in einer vertikalen Richtung, weist der Waferverbund eine Dicke auf, die klein ist gegen die maximale Erstreckung des Waferverbundes in den lateralen Richtungen.
Der Waferverbund umfasst ein Aufwachssubstrat und eine auf dem Aufwachssubstrat aufgebrachte, insbesondere zumindest teilweise epitaktisch aufgewachsene, Schichtenfolge. Die Schichtenfolge kann einen Halbleiterschichtenstapel mit einer Vielzahl von Halbleiterschichten umfassen. Insbesondere kann die Schichtenfolge zumindest eine aktive Schicht zur
Absorption und/oder zur Emission von Licht oder einen integrierten Schaltkreis aufweisen. Beispielsweise ist die Schichtenfolge zum Einsatz in einem Leuchtdiodenchip, einem Fotodiodenchip und/oder einem Solarzellenchip vorgesehen. Die Schichtenfolge kann ferner eine Opferschicht umfassen, mittels derer der Halbleiterschichtenstapel mit dem
Aufwachssubstrat verbunden sein kann.
Die Opferschicht kann selektiv zu dem
Halbleiterschichtenstapel und/oder zu dem Aufwachssubstrat ätzbar sein. Mit anderen Worten, es existiert zumindest eine Ätzlösung, die bezüglich des Materials der Opferschicht eine wesentlich höhere Ätzrate als bezüglich des Materials des Halbleiterschichtenstapels und/oder des Aufwachssubstrats aufweist. Die Opferschicht kann einen hohen Aluminium-Anteil aufweisen. Insbesondere kann die Opferschicht beispielsweise mit AlnGa]__nAs, wobei 0,6 < n < 1, bevorzugt 0,7 < n < 1, gebildet sein.
Der Waferverbund umfasst ferner einen an einer dem
Aufwachssubstrat abgewandten Deckfläche der Schichtenfolge angebrachten Träger. Beispielsweise ist der Träger mittels einer Lotschicht, die direkt an die Deckfläche und den Träger angrenzen kann, mechanisch mit der Schichtenfolge verbunden.
Der Träger kann beispielsweise mit einer Keramik, einem
Kunststoff, einem Metall und/oder einem Halbleitermaterial gebildet sein. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um einen elektrischen Anschlussträger handeln.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Schichtenfolge in eine Vielzahl Bereiche strukturiert, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben voneinander getrennt sind. Bei den Trenngräben kann es sich um Ausnehmungen in der Schichtenfolge handeln. Die Trenngräben weisen eine Breite auf, die durch die
minimale Ausdehnung der Trenngräben in zumindest einer lateralen Richtung gegeben ist. Beispielsweise beträgt die Breite wenigstens 1 ym und höchstens 1000 ym, bevorzugt wenigstens 2 ym und höchstens 200 ym und besonders bevorzugt wenigstens 5 ym und höchstens 100 ym. Entlang der vertikalen Richtung weisen die Trenngräben eine Höhe auf, die zum
Beispiel der maximalen Ausdehnung der Schichtenfolge in der vertikalen Richtung entspricht. Bei der Höhe und/oder der Breite der Trenngräben kann es sich insbesondere um deren Strukturgrößen handeln.
Die Trenngräben sind lateral miteinander verbunden. Mit anderen Worten, die Trenngräben sind zusammenhängend
ausgeführt. Insbesondere sind die Trenngräben derart
miteinander verbunden, dass sich von einem Zentrum des
Waferverbundes entlang der Trenngräben bis hin zu einer
Außenkante des Waferverbundes ein minimaler Querschnitt der Trenngräben von wenigstens 1 ym^, bevorzugt wenigstens 1000 mrn^, bevorzugt wenigstens 4 ym^ und höchstens 40 mm^ und besonders bevorzugt wenigstens 10 ym^ und höchstens 1 mm^, ergibt. Der Querschnitt ist insbesondere durch die
Strukturgrößen der Trenngräben gegeben. Beispielsweise umgeben die Trenngräben die Bereiche der
Schichtenfolge rahmenartig. Insbesondere können die durch die Trenngräben erzeugten Bereiche der Schichtenfolge den zu erzeugenden Chips, zum Beispiel den zu erzeugenden
Leuchtdiodenchips, Fotodiodenchips und/oder Solarzellenchips, entsprechen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der zumindest eine Waferverbund in ein Ätzbad mit einer Ätzlösung eingebracht. Bei dem Ätzbad kann es sich insbesondere um eine Reaktionskammer, die zumindest teilweise mit der Ätzlösung gefüllt ist, handeln. Das Ätzbad kann zusätzlich ein Gas, wie beispielsweise Luft, enthalten. Insbesondere kann ein Teil des Gases oder das gesamte Gas als Gasblasen, die sich innerhalb der Ätzlösung befinden, vorliegen. Ein
Gesamtvolumen des Ätzbads kann dann durch die Summe eines Flüssigvolumens der Ätzlösung und eines Gasvolumens des Gases gegeben sein. In einem Grenzfall kann das Ätzbad bei
Prozessbeginn vollständig mit der Ätzlösung gefüllt sein, wobei das Gesamtvolumen bei Prozessbeginn dann durch das Flüssigvolumen gegeben ist. In diesem Grenzfall ist es weiterhin möglich, dass während des Ätzprozesses Gasblasen innerhalb der Ätzlösung entstehen, wodurch ein Gasvolumen erzeugt wird.
Die Ätzlösung kann Säure, wie beispielsweise 10%ige
Flusssäure, sein. Insbesondere kann die Ätzlösung dazu geeignet sein, die Opferschicht der Schichtenfolge selektiv zu ätzen. Ein direkter Kontakt zwischen der Ätzlösung und der Opferschicht kann somit zu einer chemischen Reaktion führen, bei der die Opferschicht mit der Ätzlösung reagiert.
Insbesondere wird hierdurch die Opferschicht aufgelöst beziehungsweise von der Schichtenfolge und/oder dem
Aufwachssubstrat abgelöst. Ferner können Reaktionsgase und/oder Reaktionsprodukte entstehen. Ein „selektives Ätzen" der Opferschicht ist beispielsweise dann gegeben, wenn die Ätzlösung für das Material der Opferschicht eine Ätzrate aufweist, die wenigstens einen Faktor 10, bevorzugt einen Faktor 100 und besonders bevorzugt einen Faktor 1000, über der Ätzrate für das Material der Schichtenfolge, des
Aufwachssubstrats und/oder des Trägers liegt. Das Einbringen des Waferverbundes in das Ätzbad erfolgt derart, dass der Waferverbund zumindest bereichsweise von der Ätzlösung bedeckt ist. Ferner befindet sich die Ätzlösung zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben.
Insbesondere kann sich die Ätzlösung bereichsweise in
direktem Kontakt mit der Schichtenfolge, insbesondere der Opferschicht, befinden. Beispielsweise wird die Ätzlösung unter Ausnutzung des Kapillareffekts in die Trenngräben eingebracht. Hierbei ist es möglich, dass die Ätzlösung in die Trenngräben wie in ein dünnes Röhrchen eingesaugt wird.
Beispielsweise kann der zumindest eine Waferverbund zunächst in das noch nicht mit der Ätzlösung befüllte Ätzbad
eingebracht werden. Anschließend wird die Ätzlösung mit geeigneter Temperatur in das Ätzbad eingebracht
beziehungsweise eingesaugt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad
vorherrschenden Basisdrucks durchgeführt. Bei dem Basisdruck kann es sich insbesondere um den durchschnittlichen in dem Ätzbad vorherrschenden Druck handeln. Beispielsweise beträgt der Basisdruck wenigstens 0,01 bar und höchstens 70 bar, bevorzugt wenigstens 0,1 bar und höchstens 30 bar und
besonders bevorzugt wenigstens 0,5 bar und höchstens 5 bar.
Die Druckvariation erfolgt unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung. Bei der
Druckvariationseinrichtung kann es sich insbesondere um eine Pumpvorrichtung, wie beispielsweise eine Vakuumpumpe,
und/oder eine Volumenvariationseinrichtung, wie
beispielsweise einen Kompressor, einen Gaseinlass und/oder ein Volumenreservoir, wie beispielsweise ein Vakuumreservoir, handeln. Insbesondere kann die Druckvariationseinrichtung mehrere Komponenten, mit denen der Druck innerhalb des
Ätzbades variiert werden kann, umfassen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge umfasst dieses die folgenden Schritte:
A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes umfassend das Aufwachssubstrat , die auf dem Aufwachssubstrat aufgebrachte Schichtenfolge und einen an einer dem Aufwachssubstrat abgewandten Deckfläche der Schichtenfolge angebrachten
Träger, wobei
- die Schichtenfolge in eine Vielzahl Bereiche strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben voneinander getrennt sind, und
- die Trenngräben lateral miteinander verbunden sind,
B) Einbringen des zumindest einen Waferverbunds in ein Ätzbad mit einer Ätzlösung derart, dass sich die Ätzlösung zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben befindet,
C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad
vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung und
D) Ablösen des Aufwachssubstrats . Die Verfahrensschritte können insbesondere in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist zumindest die sich innerhalb der Trenngräben befindende
Ätzlösung die Gasblasen auf. Bei den Gasblasen kann es sich um kleine Bläschen, die aufgrund der Reaktion der
Opferschicht mit der Ätzlösung entstehen, handeln. Mit anderen Worten, die Gasblasen können Reaktionsprodukte des Ätzprozesses sein. Mittels der Druckvariation innerhalb des Ätzbades wird gezielt das Volumen der Gasblasen in den
Trenngräben geändert. Insbesondere sind die Gasblasen bei geringem Druck groß und bei hohem Druck klein gegenüber den Strukturgrößen der Trenngräben. Durch die Druckvariation wird somit ein stetiges Pulsieren von Expansion und Kompression der Gasblasen in der Lösung erzeugt. Diese Änderung des Volumens der Gasblasen erzwingt dann eine Konvektion der Ätzlösung innerhalb der Trenngräben.
Bei dem vorliegenden Verfahren wird insbesondere die Idee verfolgt, durch die Druckvariation innerhalb des Ätzbades die Durchflussgeschwindigkeit der Ätzlösung durch die Trenngräben zu erhöhen. Da es sich bei der Ätzlösung um eine nicht komprimierbare Flüssigkeit handeln kann wird hierbei
insbesondere der Druck des Gases bzw. der Gasblasen in dem Ätzbad variiert. Ohne die Verwendung der Druckvariation bei dem Ablösen eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge ist der Stofftransport der Reaktionsprodukte beziehungsweise der Reaktanden in den Trenngräben unzureichend.
Dementsprechend muss die Konvektion in den Trenngräben erzwungen werden, wobei zudem die Grenzflächenenergien aufgrund der Gasblasen zu überwinden sind. Durch die erhöhte Durchflussgeschwindigkeit kann die Ablösegeschwindigkeit erhöht werden. Mit dem hier beschriebenen Verfahren können somit nasschemische Prozesse, die durch geringe
Strukturgrößen und etwaige Gasentwicklung transportlimitiert sind, beschleunigt werden. Insbesondere kann durch die Druckvariation das Volumen der Gasblasen, die sich innerhalb der Trenngräben in der
Ätzlösung befinden, verändert werden und damit der erhöhte Durchfluss durch die Trenngräben erzeugt werden. Selbst Gasblasen, die bei kleinen Strukturgrößen durch
Kapillarkräfte eingeschlossen sind, werden durch die
Druckvariation mobilisiert, sodass nun der Transport der Ätzlösung nicht mehr behindert, sondern durch diese
erzwungene Konvektion optimiert ist. Ferner steigen die in den Trenngräben eingeschlossenen Gasblasen im Verlauf der Druckvariation durch den überlagerten hydrostatischen Druck auf und können so die Trenngräben verlassen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Druckvariation ein Wechseln zwischen einem Maximaldruck und einem Minimaldruck. Insbesondere wird zeitlich zwischen dem Maximaldruck und dem Minimaldruck gewechselt. Bevorzugt erfolgt ein mehrmaliges, zeitlich periodisches Wechseln zwischen dem Minimaldruck und dem Maximaldruck. Bei dem
Minimaldruck kann es sich um den Sättigungsdampfdruck der Ätzlösung handeln.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens
entspricht der Maximaldruck wenigstens dem 1,5-Fachen, bevorzugt wenigstens dem 2-Fachen und besonders bevorzugt wenigstens dem 10-Fachen, des Basisdrucks. Ferner entspricht der Minimaldruck höchstens dem 0,5-Fachen, bevorzugt
höchstens dem 0, 2-Fachen und besonders bevorzugt höchsten dem 0,1-Fachen, des Basisdrucks. Beispielsweise beträgt der Basisdruck 1 bar. Beispielsweise kann der Minimaldruck beziehungsweise der Maximaldruck dann 0,2 bar beziehungsweise 2 bar sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Druckvariation zeitlich periodisch mit einer
Variationsfrequenz von wenigstens 0,01 Hz, bevorzugt
wenigstens 0,1 Hz und besonders bevorzugt wenigstens 0,5 Hz, und höchstens 15 kHz, bevorzugt höchstens 10 kHz und
besonders bevorzugt höchstens 500 Hz. Beispielsweise kann mit der Variationsfrequenz zwischen dem Maximaldruck und dem Minimaldruck gewechselt werden. Insbesondere ist die
Variationsfrequenz an die niedrige Strömungsgeschwindigkeit der Ätzlösung innerhalb der Trenngräben angepasst. Alternativ oder zusätzlich kann die Variationsfrequenz an die
Beweglichkeit der Ätzlösung in den Trenngräben angepasst sein .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens
beinhaltet die Druckvariation eine Volumenvariation zwischen einem Minimalvolumen und einem Maximalvolumen um ein
Basisvolumen des Ätzbads herum. Mit anderen Worten, das
Volumen des Ätzbads, insbesondere das Gasvolumen des Ätzbads, wird, bevorzugt zeitlich periodisch, vergrößert
beziehungsweise verkleinert, um so eine Druckvariation innerhalb des Ätzbades zu erzeugen. Bei dem Basisvolumen kann es sich um das Gasvolumen des Ätzbads, bevor die
Volumenvariation begonnen wurde, handeln. Die
Volumenvariation kann insbesondere mit der
Volumenvariationseinrichtung durchgeführt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens
entspricht das Maximalvolumen wenigstens dem 5-Fachen, bevorzugt wenigstens dem 10-Fachen und besonders bevorzugt wenigstens dem 40-Fachen, des Basisvolumens und/oder das Minimalvolumen höchstens dem 0,8-Fachen, bevorzugt höchstens dem 0,5-Fachen und besonders bevorzugt höchstens dem 0,3- Fachen, des Basisvolumens.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor Schritt B) eine Pufferkammer bereitgestellt und an das Ätzbad angeschlossen und mit diesem verbunden bereitgestellt.
Beispielsweise handelt es sich bei der Pufferkammer um eine Vakuumkammer und/oder eine Überdruckkammer. Die Pufferkammer kann mittels Vakuumleitungen oder direkt mit dem Ätzbad verbunden sein. Die Pufferkammer kann insbesondere
zylinderförmig ausgebildet sein und ein Hubraumvolumen aufweisen. Das Minimalvolumen entspricht dann dem reinen Volumen des Ätzbades und der verbindenden Vakuumleitung, während das Maximalvolumen dem Volumen des Ätzbades inklusive dem verfügbaren Hubraumvolumen entspricht. Die erzeugbare Volumenvariation, das heißt die erzeugbare Differenz zwischen dem Minimalvolumen und dem Maximalvolumen, steigt mit dem Verhältnis von dem Hubraumvolumen zu dem Volumen des Ätzbades und der Vakuumleitungen. Insbesondere kann das Maximalvolumen zum Minimalvolumen ein Verhältnis von beispielsweise 10:1 aufweisen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Volumenvariation durch eine Bewegung eines in die
Pufferkammer eingebrachten Kolbens oder eines in die
Pufferkammer eingebrachten Hydraulikstempels. Insbesondere kann das Hubraumvolumen mittels des Kolbens oder des
Hydraulikstempels dem Volumen des Ätzbades hinzugeschaltet beziehungsweise von diesem entfernt werden. Durch eine periodische Bewegung des Kolbens beziehungsweise
Hydraulikstempels unter Verwendung beispielsweise einer
Kurbelwelle wird somit ein Druckwechsel mit einer
Kurbelwellenfrequenz, bei der es sich um die
Variationsfrequenz handeln kann, erzeugt. Insbesondere kann die Kurbelwellenfrequenz wenigstens 0,01 Hz, bevorzugt wenigstens 0,1 Hz und besonders bevorzugt wenigstens 1 Hz, und höchstens 15 kHz, bevorzugt höchstens 10 kHz und
besonders bevorzugt höchstens 500 Hz, betragen. Beispielsweise kann die Kurbelwellenfrequenz wenigstens im Bereich von Infraschall liegen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Pufferkammer zumindest ein Variationsventil auf. Die
Volumenvariation erfolgt durch Verschließen und/oder Öffnen des Variationsventils. Das Variationsventil kann zusätzlich oder alternativ zu dem Kolben beziehungsweise
Hydraulikstempel vorgesehen sein. Das Variationsventil kann individuell, beispielsweise mit einem Piezo, angesteuert werden. Hierdurch kann wahlweise ein zusätzlicher Überdruck oder Unterdruck beziehungsweise der Minimaldruck oder
Maximaldruck in dem Ätzbad eingestellt werden. Durch die Verwendung des Variationsventils ist es möglich, hohe
Variationsfrequenzen und hohe Volumenvariationen zu erzielen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Volumenvariation zumindest teilweise mit einem an das Ätzbad angebrachten Kompressor. Unter Verwendung des
Kompressors kann das Volumen beispielsweise vereinfacht auf das Minimalvolumen reduziert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Druckvariation zumindest teilweise durch Entfernen oder Hinzufügen von Gas und/oder Flüssigkeit aus dem
beziehungsweise in das Ätzbad. Die Druckvariation wird dann durch eine Variation der Gasmenge beziehungsweise
Flüssigkeitsmenge in dem Ätzbad erzeugt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Entfernen von Gas und/oder Flüssigkeit mit einer an das Ätzbad angeschlossenen ersten Vakuumpumpe. Ferner erfolgt das Hinzufügen von Gas und/oder Flüssigkeit mit einem an das Ätzbad angeschlossenen Gaseinlass beziehungsweise Flüssigkeitseinlass . Insbesondere ist es möglich, dass mit dem Gaseinlass Stickstoffgas in das System eingelassen wird. Die erste Vakuumpumpe kann zusätzlich ein Belüftungsventil aufweisen, durch welches bei dem Ätzprozess entstehendes Reaktionsgas abgeleitet werden kann. Hierdurch kann effektiv eine Druckvariation innerhalb des Ätzbades erzeugt werden. Ein weiterer Vorteil bei der Verwendung der ersten
Vakuumpumpe liegt darin, dass der mit einer Vakuumpumpe erreichbare minimale Druck innerhalb des Ätzbades geringer als der Sättigungsdampfdruck der Ätzlösung ist. Hierdurch ist der erreichbare Minimaldruck limitiert, sodass die Ätzlösung ohne eine Erhöhung einer Prozesstemperatur zum Sieden
gebracht werden kann. Dies ermöglicht die Erzeugung
zusätzlicher Gasblasen innerhalb der Trenngräben. Bei einer Ablösung ohne intrinsische Entwicklung von Gasblasen können auf diese Weise Gasblasen zur Steigerung der Konvektion erzeugt werden.
Besonders schnelle und starke Druckvariationen lassen sich erzeugen, wenn in dem Ätzbad neben den Reaktionsprodukten wenig oder kein zusätzliches Gasvolumen vorliegt. Dies lässt sich beispielsweise durch zusätzliches Abpumpen der
Reaktionsprodukte mit einer zweiten Vakuumpumpe und/oder der ersten Vakuumpumpe erreichen. Ferner kann bei einem geringen Gasvolumen mit einem Kolbenprozessor oder auch einem
Hydraulikstempel die Druckdifferenz präzise eingestellt und geregelt werden.
Zwischen dem Ätzbad und der ersten Vakuumpumpe kann
zusätzlich das Volumenreservoir geschaltet sein, das relativ zum Volumen des Ätzbades großvolumig ausgebildet sein kann. Hierdurch kann der Druckabfall im Ätzbad zusätzlich
beschleunigt werden. Alternativ oder zusätzlich kann über eine Belüftungsseite der ersten Vakuumpumpe komprimiertes Gas in das Ätzbad eingebracht werden, um eine Druckerhöhung zu beschleunigen, wobei das Ätzbad in diesem Fall überdruckfest ausgebildet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Ätzbad vor oder während Schritt C) in ein Ultraschallbad eingebracht. Anschließend wird eine Ultraschallstrahlung mittels dem Ultraschallbad an das Ätzbad angelegt. Durch die Ultraschallstrahlung kann die Oberflächenspannung reduziert werden, wodurch die Haftung der Gasblasen an den Wänden der Trenngräben verringert wird. Aufgrund der hohen Frequenzen der Ultraschallstrahlung im Bereich von wenigen kHz können geringe Amplituden der Strahlung eingesetzt werden. Hierbei hat sich gezeigt, dass eine normalerweise zu erwartende physikalische Zerstörung der Oberflächen der Schichtenfolge, des Trägers und/oder des Aufwachssubstrats nicht eintritt, sondern vielmehr die Bewegung der Ätzlösung in den
Trenngräben mittels Ultraschallstrahlung erhöht werden kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Ätzbad unter Verwendung eines Heizers auf eine
Prozesstemperatur erhitzt. Die Prozesstemperatur beträgt wenigstens 0 °C, bevorzugt wenigstens 20 °C und besonders bevorzugt wenigstens 40 °C, und höchstens die Temperatur am thermodynamischen kritischen Punkt der Ätzlösung. Eine
Erhöhung der Prozesstemperatur ermöglicht insbesondere eine Erhöhung des Basisdrucks. Somit kann auf einfache Weise eine höhere Druckvariation erzeugt werden, da ein höherer
Basisdruck eine höhere Amplitude ermöglicht. Zudem kann durch die erhöhte Prozesstemperatur die chemische Reaktion der Ätzlösung mit der Opferschicht beschleunigt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird während Schritt B) bis D) ein Keil zwischen das
Aufwachssubstrat und den Träger angesetzt. Insbesondere wird der Keil zwischen das Aufwachssubstrat und die Schichtenfolge angesetzt. Bei einem Keil handelt es sich insbesondere um einen Körper, bei dem zwei Seitenflächen unter einem spitzen Winkel zusammenlaufen. Ein solcher Keil dient insbesondere als Fühler für den Fortschritt des Ablöseprozesses, da bei einem fortschreitenden Ätzprozess die Eindringtiefe des Keils zwischen den Träger und das Aufwachssubstrat erhöht wird. Ferner kann der Keil aktiv ausgenutzt werden, um den
Ablöseprozess durch Aufbiegen des Waferverbundes zu
beschleunigen. Eine zusätzliche Verspannung zwischen dem Aufwachssubstrat und dem Träger, beispielsweise durch eine leichte Krümmung des Aufwachssubstrats und/oder des Trägers, kann einen Ablöseprozess weiter beschleunigen.
Es ist zudem möglich, unter Verwendung von galvanischem beziehungsweise elektrochemischem Ätzen die chemische
Reaktion zwischen der Ätzlösung und der Opferschicht zu beschleunigen oder die Selektivität des Ätzprozesses zu dem Aufwachssubstrats und/oder dem Träger zu erhöhen.
Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert .
Die Figuren 1A und 1B zeigen Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen Waferverbundes zur Durchführung eines hier beschriebenen Verfahrens. Die Figuren 2 bis 6 zeigen Ausführungsbeispiele eines
Vakuumsystems zur Durchführung eines hier beschriebenen Verfahrens.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu
betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren
Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Anhand der schematischen Schnittdarstellung der Figur 1A ist ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen
Waferverbundes 1 zur Durchführung eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Der Waferverbund 1 umfasst ein Aufwachssubstrat 10, auf das eine Schichtenfolge 11 mit einer Opferschicht 111 und einem Halbleiterschichtenstapel 112 aufgebracht ist. Die Schichtenfolge 11 weist eine dem
Aufwachssubstrat 10 abgewandte Deckfläche IIa auf. Auf der Deckfläche IIa ist ein Träger 13 aufgebracht. Bei dem Träger 13 kann es sich beispielsweise um eine Anschlussplatine und/oder eine Leiterplatte handeln. Es ist möglich, dass der Träger 13 als Material Silizium, Germanium, Saphir und/oder ein anderweitiges, bevorzugt kristallines, Material, das nicht von der Ätzlösung geätzt wird, umfasst. Ferner kann das Aufwachssubstrat 10 Silizium, Germanium, Saphir und/oder das anderweitige, nicht von der Ätzlösung geätzte, Material umfassen oder aus einem dieser Materialien bestehen.
Die Schichtenfolge 11 ist in eine Vielzahl von lateral beabstandeter Bereiche 15 strukturiert. Die Bereiche sind durch Trenngräben 14 voneinander getrennt. Die Trenngräben 14 durchdringen die Schichtenfolge 11 in der vertikalen Richtung vollständig . Anhand der schematischen Aufsicht der Figur 1B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen
Waferverbundes 1 näher erläutert. Der Waferverbund 1 weist die Vielzahl von Bereiche 15, die durch die Trenngräben 14 voneinander getrennt sind, auf. Die Trenngräben 14
umschließen die Bereiche 15 rahmenartig. Insbesondere sind die Trenngräben 14 zusammenhängend ausgebildet und mit einer Außenkante ld des Waferverbundes 1 verbunden.
Anhand der schematischen Darstellung der Figur 2 ist ein Ausführungsbeispiel eines Vakuumsystems 3 für ein hier beschriebenes Verfahren näher erläutert. Die
Druckvariationseinrichtung 3 umfasst ein Ätzbad 40. Das
Ätzbad 40 ist vorliegend rein exemplarisch in ein
Ultraschallbad 41 eingebracht, mit dem eine
Ultraschallstrahlung 42 an das Ätzbad 40 angelegt werden kann. Ferner kann das Ätzbad 40 mit einem Heizer 43 auf eine
Prozesstemperatur erhitzt werden.
Das Vakuumsystem 3 umfasst eine Vielzahl von Druckmessern 38 und Ventilen 39. Bei den Ventilen 39 kann es sich um, insbesondere chemiefeste, Absperrventile handeln. Ferner umfasst das Vakuumsystem 3 eine Vielzahl von
Vakuumverbindungen 310, deren Funktion im Folgenden näher erläutert ist.
Über einen Chemikalienzulauf 311 ist ein Chemikalienreservoir 36 mit dem Ätzbad 40 verbunden. Mit dem Chemikalienreservoir 36 kann insbesondere die Ätzlösung 44 in das Ätzbad 40 eingebracht werden.
Über die Überdruckleitung 314 ist ein Kompressor 351 und/oder ein Gaseinlass 352 mit dem Ätzbad 40 verbunden. Mit der
Überdruckleitung 314 kann ein Überdruck in dem Ätzbad 40 erzeugt werden. Beispielsweise erfolgt das Erzeugen des
Überdrucks durch Reduktion des Volumens, insbesondere eines Gasvolumens 45 (in der Figur 2 nicht gezeigt) , innerhalb des Ätzbads 40 mit dem Kompressor 351. Alternativ oder zusätzlich kann der Druck in dem Ätzbad 40 mit einem Gaseinlass 352 erhöht werden.
Ferner kann das Ätzbad 40 über eine Vakuumleitung 312 mit einem Vakuumreservoir 34 und/oder einer ersten Vakuumpumpe 31 verbunden sein. Bei der ersten Vakuumpumpe 31 kann es sich beispielsweise um eine chemiefeste Vakuumpumpe, wie eine Scrollpumpe, eine Membranpumpe oder eine Wasserstrahlpumpe, handeln. Die erste Vakuumpumpe 31 kann ferner eine Kühlfalle aufweisen, die bevorzugt eine Temperatur unterhalb der
Gefriertemperatur der Ätzlösung aufweist. Beispielsweise enthält die Kühlfalle Flüssigstickstoff oder Trockeneis. An der ersten Vakuumpumpe 31 ist zudem eine Abluft 321
angebracht. Mit der Abluft 321 können beispielsweise bei der Reaktion der Ätzlösung 44 mit der Opferschicht 111
entstehende Reaktionsgase aus dem System entfernt werden.
Bei dem Vakuumreservoir 34 kann es sich beispielsweise um ein evakuiertes Gefäß handeln, das über die Ventile 39 mit dem Ätzbad 40 verbunden werden kann, um so einen Druckabfall in dem Ätzbad 40 zu beschleunigen. Insbesondere kann in dem Vakuumreservoir 34 ein Vakuum, beispielsweise mit einem Druck von höchstens 0,5 bar, bevorzugt höchstens 0,05 bar,
herrschen .
Die erste Vakuumpumpe 31, das Vakuumreservoir 34, der
Kompressor 351 beziehungsweise der Gaseinlass 352 sind über Kontrollverbindungen 301 mit einer Druckwechselsteuerung 30 verbunden. Die Druckwechselsteuerung 30 ist insbesondere programmierbar und dient der gezielten Einstellung des Drucks in dem Ätzbad 40.
Das Vakuumsystem 3 weist ferner einen Chemikalienablauf 313 auf. An den Chemikalienablauf 313 ist ein DI-Wasserzulauf 315 angeschlossen. Der DI-Wasserzulauf 315 führt zu einer
Pumpeinheit 32, bei der es sich beispielsweise um einen
Wasserzulauf oder um eine Wasserstrahlpumpe handeln kann. Die Pumpeinheit 32 weist einen Abfluss 322 und einen Zulauf 323 auf. Der DI-Wasserzulauf 315 dient insbesondere dem Spülen des Waferverbundes 1 innerhalb des Ätzbads 40. Ferner ist das Ätzbad 40 über den Chemikalienablauf 313 mit einer zweiten Vakuumpumpe 33 verbunden. Bei der zweiten
Vakuumpumpe 33 kann es sich ebenfalls um eine chemiefeste Vakuumpumpe, wie beispielsweise eine Scrollpumpe, eine
Membranpumpe oder eine Wasserstrahlpumpe, handeln. Die zweite Vakuumpumpe 33 ist über eine Woulfesche Flasche 37, die einen Druckmesser 38 aufweist, an den Chemikalienablauf 313
angeschlossen. Über den Chemikalienablauf 313 kann die
Ätzlösung 44 aus dem Ätzbad 40 entfernt werden. Hierfür weist die zweite Vakuumpumpe 33 ebenfalls einen Abfluss 322 auf.
Das Vakuumsystem 3 kann zusätzlich ein Gasdetektor aufweisen, mit dem die entstandenen Reaktionsgase detektiert werden können. Hierdurch kann das Prozessende entsprechend bestimmt werden. Beispielsweise können die Reaktionsgase an einer Deckseite 40a des Ätzbades 40 gesammelt werden. Insbesondere kann die Deckseite 40a eine trichterförmige Kontur aufweisen, wobei am höchsten Punkt ein Messzylinder mit ablesbarer Skala angebracht ist. An der Senkhöhe des Meniskus der Skala kann die Gasmenge abgelesen werden, wenn der Flüssigkeitsspiegel sinkt .
Anhand der schematischen Darstellung der Figur 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Vakuumsystems 3 für ein hier beschriebenes Verfahren zur Ablösung eines
Aufwachssubstrats 10 näher erläutert. Die Figur 3 zeigt einen Querschnitt durch das Ätzbad 40. In dem Ätzbad 40 ist
zumindest ein Waferverbund 1 eingebracht. Ferner enthält das Ätzbad 40 die Ätzlösung 44 und ein Gas 45, bei dem es sich beispielsweise um Luft handeln kann. Ein Flüssigvolumen der Ätzlösung 44 und ein Gasvolumen des Gases 45 bilden dann zusammen ein Gesamtvolumen des Ätzbads 40. Es ist jedoch auch möglich, dass das Ätzbad 40 vollständig mit der Ätzlösung 44 gefüllt ist. Die Ätzlösung 44 kann wenigstens 80 %, bevorzugt wenigstens 90 % und besonders bevorzugt wenigstens 95 %, des Waferverbunds 1 vollständig.
An einer Deckseite 40a des Ätzbades 40 befinden sich zwei Vakuumanschlüsse, wobei über Schraubdichtungen 403 jeweilige Vakuumverbindungen 310 mit dem Ätzbad 40 verbunden sind.
Insbesondere kann die Deckseite 40a des Ätzbades 40 einen Deckel aufweisen. An der linken Seite der Deckseite 40a des Ätzbades 40 ist die Vakuumleitung 312 angebracht, die über ein Ventil 39 mit dem Ätzbad 40 verbunden ist, dargestellt. An die Vakuumleitung 312 ist die erste Vakuumpumpe 31 (in der Figur 3 nicht näher dargestellt) angebracht. Über die Vakuumleitung 312 kann mit der ersten Vakuumpumpe 31 der Druck innerhalb des Ätzbads 40 verringert werden. An der rechten Seite der Deckseite 40a des Ätzbades 40 ist die Überdruckleitung 314 angebracht, die mit dem Kompressor 351 und/oder dem Gaseinlass 352 verbunden ist (in der Figur 3 nicht näher dargestellt) . Mit dem Kompressor 351
beziehungsweise dem Gaseinlass 352 kann über die
Überdruckleitung 314 der Druck innerhalb des Ätzbades 40 erhöht werden.
In der Figur 3 ist ferner schematisch die Auswirkung der Druckvariation mittels der Vakuumleitung 312 und der
Überdruckleitung 314 dargestellt. Insbesondere wird eine bevorzugte Bewegungsrichtung 21 der Ätzlösung 44 in dem
Waferverbund 1 erzeugt.
In den beiden Vergrößerungen 2, 2' der Figur 3 ist jeweils ein Teil des in das Ätzbad 40 eingebrachten Waferverbundes 1 dargestellt. Der Waferverbund 1 enthält die Trenngräben 14, innerhalb derer die Ätzlösung 44 eingebracht ist. Zusätzlich weisen die Trenngräben 14 Gasblasen 20 auf. Beispielsweise können die Gasblasen 20 durch die chemische Reaktion der Ätzlösung 44 mit der nicht näher dargestellten Opferschicht 111 der Schichtenfolge 11 erzeugt worden sein. Die linke Vergrößerung 2 zeigt die Gasblasen 20 bei einem hohen Druck, insbesondere dem Maximaldruck. Das Volumen der Gasblasen 20 ist bei einem hohen Druck klein. Die rechte Vergrößerung 2' zeigt die Gasblasen 20 bei einem niedrigeren Druck,
insbesondere dem Minimaldruck. Aufgrund der Reduktion des Druckes erhöht sich das Volumen der Gasblasen 20 und es entsteht eine Konvektion 22. Durch diese Konvektion 22 wird eine Bewegung der Gasblasen 20 innerhalb der Trenngräben erzeugt .
Anhand der schematischen Darstellungen der Figur 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines für ein hier beschriebenes Verfahren verwendeten Vakuumsystems 3 näher erläutert. Das gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht dem der Figur 3, wobei weitere technische Komponenten wie folgt vorhanden sind. Mehrere Waferverbunde 1, sogenannte Horden, sind mittels einer Waferhalterung 47 in das Ätzbad 40 innerhalb der Ätzlösung 44 eingebracht. Zum Verschließen des Ätzbades 40 dienen Schraubklemmen 401 und Abdichtungen 402. Ferner ist innerhalb des Ätzbads 40 eine Spritzwasserdüse 317
vorgesehen. Die Spritzwasserdüse 317 kann beispielsweise mit dem DI-Wasserzulauf 315 (in der Figur 4 nicht dargestellt) verbunden sein. Mit der Spritzwasserdüse 317 ist es
beispielsweise möglich, den Waferverbund 1 nach dem Verfahren zu reinigen und/oder abzuspülen, sodass möglicherweise auf dem Waferverbund 1 vorhandene Ätzlösung 44 von diesem
entfernt wird.
Anhand der schematischen Darstellung der Figur 5A ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Vakuumsystems 3 für ein hier beschriebenes Verfahren näher erläutert. Im Gegensatz zu dem Vakuumsystem 3 der Figur 4 umfasst das Vakuumsystem 3 der Figur 5A zusätzlich eine Pufferkammer 50, die seitlich an das Ätzbad 40 angebracht ist. In dem Ausführungsbeispiel der Figur 5A koppelt das Volumen der Pufferkammer 50 direkt an die Ätzlösung 44, also an das Flüssigvolumen, an. Die
Pufferkammer 50 ist vorliegend eine zylinderförmige Kammer, die im Inneren einen Hydraulikstempel 51 beziehungsweise einen Kolben 51 aufweist. Mittels einem Drehgelenk 52 und einem Dreharm 53 kann der Kolben 51 beziehungsweise der Hydraulikstempel 51 derart bewegt werden, dass ein Hubraumvolumen der Pufferkammer 50 dem Volumen des Ätzbads 40 hinzugeschaltet beziehungsweise von diesem entfernt werden kann. Hierdurch ist es möglich, das Volumen innerhalb des Ätzbades 40 zu variieren und somit eine Druckvariation innerhalb des Ätzbades 40 zu erzeugen. Die Pufferkammer 50 kann zusätzliche Variationsventile aufweisen (in der Figur 5A nicht näher dargestellt) , die individuell gesteuert werden können, um so wahlweise Über- beziehungsweise Unterdruck in dem Ätzbad 40 zu erzeugen.
Anhand der schematischen Darstellung der Figur 5B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Vakuumsystems 3 für ein hier beschriebenes Verfahren näher erläutert. Im Gegensatz zu dem Vakuumsystem 3 der Figur 5A ist die Pufferkammer 50 an der Deckseite 40a des Ätzbads 40 angebracht und grenzt damit an das Gas 45 an. Die Pufferkammer 50 koppelt in dem
gezeigten Ausführungsbeispiel somit an das Gasvolumen des Gases 45 an.
Es ist ferner möglich (nicht in den Figuren gezeigt) , dass die Pufferkammer 50 derart an das Ätzbad 40 angebracht ist, dass das Volumen der Pufferkammer 50 gleichzeitig mit dem Gas 45 und der Ätzlösung 44 in Kontakt steht.
Anhand der schematischen Aufsicht der Figur 6 ist ein
weiteres Ausführungsbeispiel eines Vakuumsystems 3 zur
Durchführung eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Gezeigt ist eine Aufsicht auf das Ätzbad 40.
Hierbei sind die Anschlüsse für die Spritzwasserdüse 317, sowie die Anschlüsse für den Chemikalienzulauf 311, die
Vakuumleitung 312, den Chemikalienablauf 313, die
Überdruckleitung 314 und den DI-Wasserzulauf 315 dargestellt. Im Gegensatz zu einem alternativen Verfahren, bei dem die Bewegung der Ätzlösung durch ein von außen angelegtes
Druckgefälle und nicht eine Druckvariation erhöht wird, entfällt bei dem vorliegenden Verfahren ein Abdichten des Waferverbundes 1. Anstatt somit jeden Waferverbund mit
Vakuumdichtungen zu versehen, kann vorliegend einfach im Hordenmaßstab und damit massenfertigungstauglich prozessiert werden .
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldung DE 102015104147.2, deren
Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der
Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugs zeichenliste :
I Waferverbund
ld Außenkante
10 Aufwachssubstrat
II Schichtenfolge
IIa Deckfläche
III Opferschicht
112 Halbleiterschichtenstapel 13 Träger
14 Trenngräben
15 Bereiche
2, 2' Vergrößerung
20 Gasblasen
21 Bewegungsrichtung
22 Konvektion
3 Vakuumsystem
30 Druckwechselsteuerung
301 Kontrollverbindungen
31 erste Vakuumpumpe
32 Pumpeinheit
33 zweite Vakuumpumpe
34 Vakuumreservoir
351 Kompressor
352 Gaseinlass
36 Chemikalienreservoir
37 Woulf'sche Flasche
38 Druckmesser
39 Ventil
310 Vakuumverbindung
311 Chemikalienzulauf 312 Vakuumleitung
313 Chemikalienablauf
314 Überdruckleitung
315 DI-Wasserzulauf
317 Spritzwasserdüse
321 Abluft
322 Abfluss
323 Zulauf 40 Ätzbad
40a Deckseite des Ätzbades
401 Schraubklemme
402 Abdichtung
403 Schraubdichtung
41 Ultraschallbad
42 Ultraschallstrahlung
43 Heizer
44 Ätzlösung
45 Gas
47 Waferhalterung
50 Pufferkammer
51 Hydraulikstempel/Kolben
52 Drehgelenk
53 Dreharm

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats (10) von einer Schichtenfolge (11) umfassend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes (1) umfassend das Aufwachssubstrat (10), die auf dem Aufwachssubstrat (10) aufgebrachte Schichtenfolge (11) und einen an einer dem
Aufwachssubstrat (10) abgewandten Deckfläche (IIa) der
Schichtenfolge (11) angebrachten Träger (13), wobei
- die Schichtenfolge (11) in eine Vielzahl Bereiche (15) strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben (14) voneinander getrennt sind, und
- die Trenngräben (14) miteinander verbunden sind,
B) Einbringen des zumindest einen Waferverbundes (1) in ein Ätzbad (40) mit einer Ätzlösung (44) derart, dass sich die Ätzlösung (44) zumindest bereichsweise innerhalb der
Trenngräben (14) befindet,
C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad (40) vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung (31, 34, 351, 352) und
D) Ablösen des Aufwachssubstrats (10) .
2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
wobei zumindest die sich innerhalb der Trenngräben (14) befindende Ätzlösung (44) Gasblasen (20) aufweist, wobei die Druckvariation eine Änderung des Volumens der Gasblasen (20) und damit eine Konvektion (22) der Ätzlösung (44) innerhalb der Trenngräben (14) hervorruft.
3. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei die Druckvariation ein zeitliches Wechseln zwischen einem Maximaldruck, der wenigstens dem 1,5-Fachen, bevorzugt dem 2-Fachen des Basisdrucks entspricht, und einem Minimaldruck, der höchstens dem 0,5-Fachen, bevorzugt
höchstens dem 0, 2-Fachen, des Basisdrucks entspricht,
umfasst .
4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei die Druckvariation zeitlich periodisch mit einer
Variationsfrequenz von wenigstens 0,01 Hz und höchstens 15 kHz erfolgt.
5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei die Druckvariation eine Volumenvariation zwischen einem Minimalvolumen und einem Maximalvolumen um ein Basisvolumen des Ätzbades herum beinhaltet, wobei das Maximalvolumen wenigstens dem 1,5-Fachen, bevorzugt wenigstens dem 3-Fachen, und/oder das Minimalvolumen höchstens dem 0,8-Fachen,
bevorzugt höchstens dem 0,5-Fachen, des Basisvolumens
entspricht .
6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei vor Schritt B) eine an das Ätzbad (40) angeschlossene und mit diesem verbundene Pufferkammer (50) bereitgestellt wird und die Volumenvariation durch eine Bewegung eines in die Pufferkammer (50) eingebrachten Kolbens oder
Hydraulikstempels (51) erfolgt.
7. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei vor Schritt B) eine an das Ätzbad (40) angeschlossene und mit diesem verbundene Pufferkammer (50) mit zumindest einem Variationsventil bereitgestellt wird und die
Volumenvariation durch Verschließen und/oder Öffnen des
Variationsventils erfolgt.
8. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei die Volumenvariation zumindest teilweise mit einem an das Ätzbad (40) angebrachten Kompressor (351) erfolgt.
9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei die Druckvariation zumindest teilweise durch Entfernen oder Hinzufügen von Gas und/oder Flüssigkeit in
beziehungsweise aus dem Ätzbad (40) erfolgt.
10. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
wobei das Entfernen mit einer an das Ätzbad (40)
angeschlossenen ersten Vakuumpumpe (31) erfolgt und das
Hinzufügen mit einem an das Ätzbad (40) angeschlossenen
Gaseinlass (352) erfolgt.
11. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei das Ätzbad (40) vor oder während Schritt C) in ein Ultraschallbad (41) eingebracht wird und eine
Ultraschallschallstrahlung (42) an das Ätzbad (40) angelegt wird.
12. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei das Ätzbad (40) unter Verwendung eines Heizers (43) auf eine Prozesstemperatur erhitzt wird, die wenigstens 40 °C, bevorzugt wenigstens 80 °C, und höchstens die Temperatur am thermodynamischen kritischen Punkt der Ätzlösung (44) beträgt .
13. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei während Schritt B) bis D) ein Keil zwischen das
Aufwachssubstrat (10) und den Träger (13) angesetzt wird.
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