DE102014004574A1

DE102014004574A1 - Verfahren zur Herstellung von Festkörperschichten mittels lokaler Modifikation von Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaften einer mehrschichtigen Anordnung

Info

Publication number: DE102014004574A1
Application number: DE102014004574.9A
Authority: DE
Inventors: Christian Beyer
Original assignee: Siltectra GmbH
Current assignee: Siltectra GmbH
Priority date: 2014-03-28
Filing date: 2014-03-28
Publication date: 2015-10-01

Abstract

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von mindestens einer Festkörperschicht. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Festkörpers (2) zum Abtrennen der mindestens einen Festkörperschicht (4), wobei die Festkörperschicht (4) durch die Erzeugung eines Risses innerhalb des Festkörpers (2) vom Festkörper (2) abgetrennt wird, zumindest mittelbares Anordnen von mindestens einer Aufnahmeschicht (10) an dem Festkörper (2) zum Halten der Festkörperschicht (4), wobei die Aufnahmeschicht (10) derart an dem Festkörper (2) angeordnet wird, dass zwischen der Aufnahmeschicht (10) und dem Festkörper (2) eine Kraftübertragungsverbindung erzeugt wird, wobei die Kraftübertagungsverbindung zur Erzeugung von definierten lokalen Kraftübertragungsspannungen in dem Festkörper (2) zur Beeinflussung des Rissverlaufs in Abhängigkeit vom Ort gezielt eingestellt wird, und thermisches Beaufschlagen der Aufnahmeschicht (10) zum, insbesondere mechanischen, Erzeugen der definierten lokalen Spannungen in dem Festkörper (2), wobei sich durch die definierten lokalen Kraftübertragungsspannungen der Riss in dem Festkörper (2) ausbreitet.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von mindestens einer Festkörperschicht gemäß dem Gegenstand von Anspruch 1 und auf einen mittels dieses Verfahrens hergestellten Wafer (Anspruch 11).
In vielen technischen Bereichen (z. B. Mikroelektronik- oder Photovoltaiktechnologie) werden Materialien, wie z. B. Silizium, Germanium oder Saphir, häufig in der Form dünner Scheiben und Platten (so genannte Wafer) gebraucht. Standardmäßig werden solche Wafer derzeit durch Sägen aus einem Ingot hergestellt, wobei relativ große Materialverluste (”kerf-loss”) entstehen. Da das verwendete Ausgangsmaterial oft sehr teuer ist, gibt es starke Bestrebungen, solche Wafers mit weniger Materialaufwand und damit effizienter und kostengünstiger herzustellen.
Beispielsweise gehen mit den derzeit üblichen Verfahren allein bei der Herstellung von Siliziumwafern für Solarzellen fast 50% des eingesetzten Materials als ”kerf-loss” verloren. Weltweit gesehen entspricht dies einem jährlichen Verlust von über 2 Milliarden Euro. Da die Kosten des Wafers den größten Anteil an den Kosten der fertigen Solarzelle ausmachen (über 40%), könnten durch entsprechende Verbesserungen der Waferherstellung die Kosten von Solarzellen signifikant reduziert werden.
Besonders attraktiv für eine solche Waferherstellung ohne kerf-loss (”kerf-free wafering”) erscheinen Verfahren, die auf das herkömmliche Sägen verzichten und z. B. durch Einsatz von temperaturinduzierten Spannungen direkt dünne Wafer von einem dickeren Werkstück abspalten können. Dazu gehören insbesondere Verfahren, wie sie z. B. in PCT/US2008/012140 und PCT/EP2009/067539 beschrieben sind, wo zum Erzeugen dieser Spannungen eine auf das Werkstück aufgetragene Polymerschicht verwendet wird.
Die Polymerschicht weist bei den erwähnten Verfahren einen im Vergleich zum Werkstück um ungefähr zwei Größenordnungen höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf. Außerdem kann durch Ausnutzen eines Glasübergangs ein relativ hoher Elastizitätsmodul in der Polymerschicht erreicht werden, so dass im Schichtsystem Polymerschicht-Werkstück durch Abkühlen genügend große Spannungen induziert werden können, um die Abspaltung von Wafer vom Werkstück zu ermöglichen.
Beim Abspalten eines Wafers vom Werkstück haftet bei den erwähnten Verfahren jeweils auf einer Seite des Wafers noch Polymer an. Der Wafer krümmt sich dabei sehr stark in Richtung dieser Polymerschicht, was ein kontrolliertes Abspalten erschwert, und z. B. zu Dickenschwankungen des abgespaltenen Wafers führen kann. Außerdem erschwert die starke Krümmung die weitere Verarbeitung und kann sogar zum Zerbrechen des Wafers führen.
Bei Verwendung der Verfahren nach bisherigem Stand der Technik weisen die hergestellten Wafer üblicherweise jeweils größere Dickenschwankungen auf, wobei die räumliche Dickenverteilung häufig ein Muster mit vierzähliger Symmetrie zeigt. Die totale Dickenschwankung über den ganzen Wafer gesehen (”total thickness variation”, TTV) beträgt bei Verwendung der bisherigen Verfahren häufig mehr als 100% der mittleren Waferdicke (ein Wafer von bspw. 100 Mikrometer mittlerer Dicke, der z. B. an seiner dünnsten Stelle 50 Mikrometer dick und an seiner dicksten Stelle 170 Mikrometer dick ist, hat ein TTV von 170 – 50 = 120 Mikrometer, was relativ zu seiner mittleren Dicke einer totalen Dickenschwankung von 120% entspricht). Wafer mit solch starken Dickenschwankungen sind für viele Anwendungen nicht geeignet. Außerdem liegen bei den am häufigsten auftretenden vierzähligen Dickenverteilungsmustern die Bereiche mit den größten Schwankungen unglücklicherweise in der Mitte des Wafers, wo sie am meisten stören.
Außerdem entstehen beim Verfahren nach aktuellem Stand der Technik während der Bruchpropagation beim Abspalten selbst unerwünschte Oszillationen in den beteiligten Schichtsystemen, die den Verlauf der Bruchfront ungünstig beeinflussen und insbesondere zu signifikanten Dickenschwankungen des abgespaltenen Wafers führen können.
Die Anbindung der Polymerschicht an die Halbleiteroberfläche erfolgt dabei über eine vorwiegend homogen aufzubringende Opfer/Schadschicht. Die Opfer/Schadschicht wird dabei entweder mittels eines Rotationsverdampfers oder mittels eines Dip-Verfahren erzeugt. Beide Verfahren zeichnen sich durch die vorwiegend homogene Verteilung der Opfer/Schadschicht auf dem zu splittenden Wafer aus. Da die Beschichtung in zwei Arbeitsschritten ausgeführt wird, kann es im Randbereich der Waferoberfläche oder aber im Bereich der Vakuumfixierung (Waferoberfläche mittig) zu einer Störung des Opfer/Schadschichtaufbaus kommen, was ungewünschte Auswirkungen auf den TTV haben kann.
Es ist somit die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Festkörperschichten bereitzustellen, das die kostengünstige Herstellung von Festkörperplatten bzw. Wafern mit einer gleichmäßigen Dicke ermöglicht, insbesondere mit einem TTV von weniger als 120 Mikrometer.
Die zuvor genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zum Herstellen von mindestens einer Festkörperschicht gelöst. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst bevorzugt mindestens die Schritte des Bereitstellens eines Festkörpers zum Abtrennen der mindestens einen Festkörperschicht, wobei die Festkörperschicht durch die Erzeugung eines Risses innerhalb des Festkörpers vom Festkörper abgetrennt wird, des zumindest mittelbares Anordnens von mindestens einer Aufnahmeschicht an dem Festkörper zum Halten der Festkörperschicht und zum Ausbilden eines Schichtaufbaus, wobei die Aufnahmeschicht derart an dem Festkörper angeordnet wird, dass zwischen der Aufnahmeschicht und dem Festkörper eine Kraftübertragungsverbindung erzeugt wird, wobei die Kraftübertagungsverbindung zur Erzeugung von definierten lokalen Kraftübertragungsspannungen in dem Festkörper zur Beeinflussung des Rissverlaufs in Abhängigkeit vom Ort mittels einer Behandlung einer Oberfläche von zumindest einer der den Schichtaufbau bildenden Schichten gezielt eingestellt wird, und des thermischen Beaufschlagens der Aufnahmeschicht zum, insbesondere mechanischen, Erzeugen der definierten lokalen Kraftübertragungsspannungen in dem Festkörper, wobei sich durch die definierten lokalen Kraftübertragungsspannungen der Riss in dem Festkörper ausbreitet und/oder ausgelöst wird.
Diese Lösung ist vorteilhaft da entweder eine gezielte inhomogene Verteilung der Kraftübertragung oder aber eine deutlich homogenere Verteilung der Kraftübertragung von der Aufnahmeschicht auf den Festkörper geschaffen wird und so eine asymmetrische oder aber deutlich homogenere symmetrische Kraftübertragungsverbindung, insbesondere durch eine homogenere Haftungsverteilung, insbesondere auf der Festkörperoberfläche bzw. auf der Waferoberfläche, reproduzierbar in dem System erzeugt wird. Bevorzugt wird somit eine gezielte inhomogene Verteilung einer Zwischenschicht, insbesondere einer Opfer/Schadschicht, oder aber eine deutlich homogenere Verteilung einer Zwischenschicht, insbesondere einer Opfer/Schadschicht, auf der Halbleiteroberfläche generiert und so eine asymmetrische oder aber deutlich homogenere symmetrische Haftungsverteilung auf der Waferoberfläche reproduzierbar in das System eingebracht. Die Zwischenschicht kann hierbei zum Beispiel durch einen Primer gebildet bzw. erzeugt werden. Ein Primer kann hierbei z. B. ein Übergangsmetallalkoholat mit niedermolekularen Alkylalkoxysilanen und Alkylsiloxanen sein.
Die thermische Beaufschlagung stellt bevorzugt ein Abkühlen der Aufnahmeschicht auf oder unter die Umgebungstemperatur und bevorzugt unter 10°C und besonders bevorzugt unter 0°C und weiter bevorzugt unter –10°C dar. Die Abkühlung der bevorzugt als Polymerschicht ausgebildeten Aufnahmeschicht erfolgt höchst bevorzugt derart, dass zumindest ein Teil der Aufnahmeschicht, die bevorzugt PDMS aufweist oder daraus besteht, einen Glasübergang vollzieht. Die Abkühlung kann hierbei eine Abkühlung auf unter –100°C sein, die z. B. mittels flüssigen Stickstoffs bewirkbar ist. Dies ist vorteilhaft, da sich die Aufnahmeschicht in Abhängigkeit von der Temperaturveränderung zusammenzieht, insbesondere einen Glasübergang erfährt, und die dabei entstehenden Kräfte auf den Festkörper überträgt, wodurch mechanische Spannungen in dem Festkörper erzeugbar sind, die zum Auslösen eines Risses und/oder zur Rissausbreitung führen.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind Gegenstand der nachfolgenden Beschreibung und/oder der Unteransprüche.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Kraftübertragungsverbindung durch die Erzeugung von mindestens einer lokal variierenden Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft, insbesondere eines Kraftschlusses oder der Haftung, zwischen den die Kraftübertragungsverbindung ermöglichenden Schichten, insbesondere dem Festkörper und der Aufnahmeschicht, definiert eingestellt oder die Kraftübertragungsverbindung wird durch die Erzeugung von mindestens einer homogenen Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft, insbesondere eines Kraftschlusses oder der Haftung, zwischen den die Kraftübertragungsverbindung ermöglichenden Schichten, insbesondere dem Festkörper und der Aufnahmeschicht, definiert eingestellt wird.
So können z. B. bei einem Festkörper, insbesondere aus einem Halbleitermaterial, wie z. B. Silicium, symmetrische und/oder asymmetrische Strukturen in die neu generierten Oberfläche/n des Festkörpers, insbesondere in die Waferoberfläche/n, eingebracht werden und wodurch der aus der Gitterstruktur resultierenden Anisotropie entgegengewirkt wird.
Die Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaften der Kraftübertragungsverbindung werden gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch eine physikalische und/oder chemische Modifikation eines Anteils des Festkörpers, insbesondere einer Oberfläche des Festkörpers, und/oder eines Anteils, insbesondere einer Oberfläche, zumindest einer zumindest mittelbar an dem Festkörper angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht, gezielt modifiziert bzw. eingestellt bzw. behandelt, wobei die zumindest eine Zwischenschicht zwischen der Aufnahmeschicht und dem Festkörper ausgebildet wird.
Die jeweilige Oberfläche des Festkörpers, insbesondere eine Halbleiteroberfläche, wird bevorzugt gezielt an der Oberfläche oder aber an den sich anschließenden Grenzschichten bzw. Zwischenschichten, insbesondere Opferschichten, hinsichtlich der resultierenden Oberflächenstruktur physikalisch und/oder chemisch modifiziert. Somit besteht die Handlungsmöglichkeit einer gezielten ortsaufgelösten Modifizierung der Zieleigenschaft (z. B. Haftungseigenschaften) der Halbleiteroberfläche zur jeweiligen Zwischenschicht und/oder abschließend zur Aufnahmeschicht, insbesondere zu einem Polymer. Die Aufnahmeschicht wird bevorzugt durch mindestens ein Polymer gebildet, wobei das mindestens eine Polymer bzw. das sich aus mehreren Werkstoffen ergebende Polymer bevorzugt aus einem oder mehreren Duroplasten und/oder aus einem oder mehreren Elastomeren und/oder aus einem oder mehreren Thermoplasten und/oder aus einem oder mehreren thermoplastischen Elastomeren bestehen oder zumindest teilweise gebildet wird. Das Polymer weist somit bevorzugt mindestens einen Kunststoff, insbesondere mindestens ein Elastomer, insbesondere mindestens ein Silicon, insbesondere mindestens ein RTV-Silicon und/oder mindestens ein HTV-Silicon, insbesondere mindestens ein Polydimethylsiloxan (PDMS) auf oder besteht bevorzugt aus mindestens einem Kunststoff, insbesondere mindestens einem Elastomer, insbesondere mindestens einem Silicon, insbesondere mindestens einem RTV-Silicon und/oder mindestens einem HTV-Silicon, insbesondere mindestens ein Polydimethylsiloxan (PDMS). Die Aufnahmeschicht besteht somit bevorzugt aus Polydimethylsiloxane (PDMS) oder weist Polydimethylsiloxane (PDMS) auf.
Der Festkörper weist bevorzugt ein Material oder eine Materialkombination aus einer der Hauptgruppen 3, 4 und 5 des Periodensystems der Elemente auf, wie z. B. Si, SiC, SiGe, Ga, GaN, GaP, GaAs, Ge, GaAs, InP, GaN, Al₂O₃ (Saphir), AlN. Besonders bevorzugt weist der Festkörper eine Kombination aus in der dritten und fünften Gruppe des Periodensystems vorkommenden Elementen auf. Denkbare Materialien oder Materialkombinationen sind dabei z. B. Galliumarsenid, Silizium, Siliziumcarbid, etc. Weiterhin kann der Festkörper eine Keramik (z. B. Al₂O₃ – Alumiumoxid) aufweisen oder aus einer Keramik bestehen, bevorzugte Keramiken sind dabei z. B. Perovskitkeramiken (wie z. B. Pb-, O-, Ti/Zr-haltige Keramiken) im Allgemeinen und Blei-Magnesium-Niobate, Bariumtitanat, Lithiumtitanat, Yttrium-Aluminium-Granat, insbesondere Yttrium-Aluminium-Granat Kristalle für Festkörperlaseranwendungen, SAW-Keramiken (surface acoustic wave), wie z. B. Lithiumniobat, Galliumorthophosphat, Quartz, Calziumtitanat, etc. im Speziellen. Der Festkörper weist somit bevorzugt ein Halbleitermaterial oder ein Keramikmaterial auf bzw. besonders bevorzugt besteht der Festkörper aus mindestens einem Halbleitermaterial oder einem Keramikmaterial. Es ist weiterhin denkbar, dass der Festkörper ein transparentes Material aufweist oder teilweise aus einem transparenten Material, wie z. B. Saphir, besteht bzw. gefertigt ist. Weitere Materialien, die hierbei als Festkörpermaterial alleine oder in Kombination mit einem anderen Material in Frage kommen, sind z. B. „wide band gap”-Materialien, InAlSb, Hochtemperatursupraleiter, insbesondere seltene Erden Cuprate (z. B. YBa2Cu3O7). Es ist zusätzlich oder alternativ denkbar, dass der Festkörper eine Photomaske ist, wobei als Photomaskenmaterial im vorliegenden Fall bevorzugt jedes zum Anmeldetag bekannte Photomaskenmaterial und besonders bevorzugt Kombinationen daraus verwendet werden können.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft zumindest der Grad der Haftung zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht und/oder eine Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft ist zumindest der Grad der Haftung zwischen dem Festkörper und einer zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht und/oder eine Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft ist zumindest der Grad der Haftung zwischen der Aufnahmeschicht und einer zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht und/oder eine Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft ist zumindest der Grad der Haftung zwischen zumindest zweier zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht angeordneten oder erzeugten Zwischenschichten.
Mindestens oder genau eine Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft wird gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch mindestens eine Materialeigenschaft des Festkörpers und/oder der Aufnahmeschicht und/oder einer zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht erzeugten oder angeordneten Zwischenschicht vorgegeben, wobei die Materialeigenschaft bevorzugt die Dichte und/oder die Steifigkeit und/oder die Temperatur und/oder die Rauheit und/oder die Zugfestigkeit ist. Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da z. B. in Abhängigkeit von dem Material des Festkörpers, von dem Material der Zwischenschicht/en, von der Festkörpergröße, von der Rissführungsvariante, etc. eine oder mehrere besonders geeignete Materialeigenschaften modifiziert werden können.
Der Grad der, insbesondere lokal, zu modifizierenden Leit-Stütz-Struktur Eigenschaften der Kraftübertragungsverbindung wird gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung für mindestens einen Anteil des Festkörpers, insbesondere einer Oberfläche des Festkörpers, und/oder für mindestens einen Anteil, insbesondere einer Oberfläche, zumindest einer zumindest mittelbar an dem Festkörper angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht mittels einer Eigenschaftsanalyse, insbesondere einer spezifischen Oberflächenstrukturanalyse, bestimmt. Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da bevorzugt eine, insbesondere optische, Erfassung der zu splitenden Festkörperoberfläche, insbesondere Waferoberfläche, vor dem Aufbringen einer oder mehrere Zwischenschichten, insbesondere Opfer/Schadschicht/en, durchgeführt wird. Nach diesem Prozessschritt, d. h. bevorzugt nach einer Profilanalyse der Oberfläche des Festkörpers, erfolgt bevorzugt in Abhängigkeit von der zu erwartenden Oberflächengrundstruktur (z. B. Windmühle) die Übertragung einer zusätzlichen Asymmetrie in Form einer lokal eingestellten Kraftübertragungsverbindung bzw. in Form einer Gradientenhaftung. Dies ist vorteilhaft, da z. B. die bei Profilanalysen, insbesondere bei Tests, nach dem Splitten feststellbaren zusätzlichen Muster auf der Oberfläche der erzeugten Festkörperschicht, die sich aus der teilweise Inhomogenität der erzeugten Zwischenschicht ergeben, die z. B. als Folge der Beschichtung des Festkörpers mit der Zusatzschicht, insbesondere mit einer Opfer-/Schadschicht, entstehen, methodisch zur Strukturierung der neu zu erzeugenden Festkörperschichtoberfläche, insbesondere einer Waferoberfläche, genutzt werden. Es können somit beim Split bzw. bei der Rissausbreitung Strukturen auf die neu generierten Waferoberflächen übertragenen werden, wodurch die erzeugten Oberflächeneigenschaften gezielt beeinflusst werden könne, woraus sich eine Verbesserung des TTV der erzeugten Festkörperschicht ergibt.
Im vereinfachten Fall wird bevorzugt eine „erfahrungsbedingte” gemittelte Oberflächenstruktureigenschaft je nach Festkörpermaterial, insbesondere Halbleitermaterial, ermittelt bzw. festgelegt, was einem gemittelten Produkteigenschaftsprofile entspricht.
Zur Bestimmung der lokal zu modifizierenden Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaften wird gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine spezifische Oberflächenstrukturanalyse von zumindest einem Teil des Festkörpers durchgeführt, wobei Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaftsdaten erzeugt werden, die zumindest teilweise die durch die Oberflächenanalyse gewonnenen Informationen abbilden.
Im erweiterten Fall erfolgt in einem ersten Schritt bevorzugt eine spezifische Oberflächenstrukturanalyse eines jeden einzelnen Festkörpers, insbesondere Halbleiterwafers. Das individuelle Oberflächenprofil wird in einem zweiten Schritt bevorzugt erfasst und zur Weiterverarbeitung in einem Datamatrixcode überführt und gespeichert. Dies ist vorteilhaft, da so ein individuelles Produkteigenschaftsprofile bzw. Produkteigenschaftsvektoren bestimmbar sind. Die ermittelten Merkmale (z. B. Rz) können in entsprechenden Merkmalsvektoren zusammengefasst werden und so auf vorteilhafte Weise zu einer Zustandsbeschreibung beitragen bzw. verwendet werden.
Die an den Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft/en vorzunehmenden Modifikationen werden gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch eine Verarbeitung der Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaftsdaten mit Verfahrenseigenschaftsdaten und/oder mit Oberflächenstrukturprognosedaten ermittelt, wobei die Verfahrenseigenschaftsdaten zumindest Informationen zur Rissauslösung, Rissführung und/oder Rissausbreitung umfassen und wobei die Oberflächenstrukturprognosedaten Informationen zur prognostizierten Oberflächenstruktur der abgetrennten Festkörperschicht umfassen.
Bevorzugt können je nach Verfahrensführung (Verfahrenseigenschaften z. B. freier Split, geführter Split, Rissführung, u. a.) die notwendig werdenden Verfahrensprofile erfasst werden (sich ergebende Oberflächenstruktur z. B. Windmühlenstruktur) und mit den zuvor bestimmten Produkteigenschaftsprofilen kombiniert und weiter gezielt modifiziert werden. Die verschiedenen Vektoren können in einer Merkmalsmatrix zusammengefasst werden und für eine folgende Mustererkennung und Eingruppierung in unterschiedliche Klassen, wie z. B. erfahrungsbedingte, gemittelte Produkteigenschaften, herangezogen werden. Dies führt zu einer Erleichterung der sich anschließenden Modifizierung der Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft/en, insbesondere einer Plasmabehandlung, da so eine Klassifizierung und Zustandsidentifikation im Produktionsprozess ermöglicht wird. Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da das resultierende Eigenschaftsprofil mittels geeigneter Technik (z. B. ortsaufgelöste Plasmabehandlung) spezifisch für jeden Festkörper, insbesondere Halbleiterwafer, oder aber als gemittelte „erfahrungsbedingte” Profileigenschaft auf der Festkörperoberfläche, insbesondere auf einer Waferoberfläche, aufgebracht werden kann. Somit ist es möglich neben den üblichen Symmetrien aus dem Kristallgitter auch gezielt Asymmetrien in die zu splittende Oberfläche einzubringen. Dies ermöglicht eine positive Beeinflussung der Oberflächeneigenschaften der neuen resultierenden Festkörperschichtoberfläche, insbesondere der erzeugten Halbleiteroberflächen (z. B. Bow: Durchbiegung in der Scheibenmitte gemessen, TTV: Total Thickness Variation, Keiligkeit (dmax – dmin))
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Modifikation der Leit-Stützstruktur-Eigenschaft/en durch eine Oberflächenbehandlung bzw. -modifikation einer zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht ausgebildeten Oberfläche bewirkt und/oder die Modifikation der Leit-Stützstruktur-Eigenschaft/en wird durch eine Oberflächenbehandlung der zwischen dem Festkörper und einer zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht ausgebildeten Oberfläche bewirkt und/oder die Modifikation der Leit-Stützstruktur-Eigenschaft/en wird durch eine Oberflächenbehandlung der zwischen der Aufnahmeschicht und einer zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht bewirkt und/oder die Modifikation der Leit-Stützstruktur-Eigenschaft/en wird durch eine Oberflächenbehandlung der zwischen zumindest zweier zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht angeordneten oder erzeugten Zwischenschichten ausgebildeten Oberfläche bewirkt.
Die Oberflächenbehandlung bzw. -modifikation umfasst gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die zumindest abschnittsweise Beaufschlagung der zu behandelnden Oberfläche durch eine Koronabehandlung und/oder durch eine Flammbehandlung und/oder durch eine Behandung mittels elektrischer Barriereentladung und/oder durch Fluorierung und/oder durch Ozonierung und/oder durch Eximerbestahlung und/oder durch Offsetdruckmaschinen und/oder durch eine Behandlung mit einem Plasma, wobei bevorzugt einzelne oder mehrere physikalische Parameter, wie die Art des Plasmas, der Spurabstand bei der Plasmabehandlung, die Düsenart, der Düsenabstand und/oder die Dauer der Plasmabehandlung, variiert werden bzw. variierbar sind.
Bevorzugt wird eine Plasmavorbehandlung bzw. Plasmabehandlung nur zu einer Reinigung und besonders bevorzugt alternativ oder sich anschließend zu einer Homogenisierung der Oberflächenspezies herangezogen (z. B. Hydrophobierung u. a.).
Mittels einer gezielten individuellen Plasmabehandlung ist eine ortsaufgelöste Variation der Haftung erzeugbar bzw. einstellbar, um so die gewünschten Strukturen, d. h. die sich durch die Rissausbreitung ergebende Oberflächenstruktur der abgetrennten Festkörperschicht und/oder des verbliebenen Anteils des Festkörpers, teilweise vorzubestimmen bzw. positiv zu verändern.
Der Prozess der Plasmaoberflächenvorbehandlung bzw. der Plasmaoberflächenbehandlung ist vorteilhaft da er eine größere Einflussnahme gestattet, um die gewünschte differenzierte Haftung bzw. Kraftübertragung auch auf großen Flächen in einer definierten symmetrischen oder aber asymmetrischen Form aufzubringen. Hierbei kann durch Prozessvariation gezielt, insbesondere lokal, eine geänderte Adhäsion oder Kohäsion eingestellt werden. In Abhängigkeit der Ausgangseigenschaften der unterschiedlichen Festkörpermaterialien, insbesondere Halbleitermaterialien, können Schichten aufgebracht und durch weitere graduelle Prozessgase (Sauerstoff, u. a.) die gewünschten Zusatzschicht/en, insbesondere Opfer/Schadschichten, modifiziert werden (hydrophob, hydrophil, Benetzung etc.). Dies führt auf vorteilhafte Weise zu einer ortaufgelösten angepassten graduellen Haftung bzw. ortaufgelöst angepassten oder eingestellten Kraftübertragungsverbindung.
Wie bereits beschrieben können unterschiedliche physikalische Parameter während der Plasmabehandlung zum Einsatz kommen (z. B. Art des Plasmas, Spurabstand bei der Plasmabehandlung, Düsenart, Düsenabstand, Dauer der Plasmabehandlung). Zusätzlich zu diesen Einflussparametern kann durch eine gezielte Beimischung von graduellen Prozessgasen wie z. B. Stickstoff, Sauerstoff, Wasserstoff, SiH₄, Si(EtO)₄ oder Me₃SiOSiMe₃ (u. a.) eine größere Bandbreite der notwendigen Oberflächeneigenschaften herbeigeführt werden. Diese resultieren bevorzugt aus neuen chemischen Oberflächenspezies, die sich auf der Halbleiteroberfläche und/oder den sich anschließenden Opferschichten abscheiden und so eine unterschiedlich strukturierte ortsaufgelöste Oberflächenmorphologie ermöglichen. Dies führt zu den gewünschten Zielprofilen, wie zum Beispiel unterschiedliche ortsaufgelöste Adhäsions- und Kohäsionseigenschaften, der Halbleiteroberflächen und/oder den sich anschließenden Opferschichten.
Eine Korona-Behandlung ist ein elektrochemisches Verfahren zur Oberflächenbehandlung bzw. -modifikation von Kunststoffen. Hierbei wird die Oberfläche einer elektrischen Hochspannungs-Entladung ausgesetzt. Eine Koronabehandlung wird z. B. zur Haftvermittlung bei Kunststoffen, Folien u. a. (PE, PP) verwendet.
Bei einer Flammenbehandlung kommt vor allem eine oberflächennahe Oxidation der jeweiligen Verbindungen zum Tragen. Im Wesentlichen erfolgen Oxidationsprozesse, durch die je nach Material und Versuchsbedingungen verschiedene polare funktionelle Gruppen gebildet werden (z. B. Oxide, Alkohole, Aldehyde, Carbonsäuren, Ester, Ether, Peroxide).
Eine Behandlung durch dielektrische Barriereentladung (DBE, Wechselspannungs-Gasentladung, dieelectric barrier discharge, auch DBD Behandlung) ist einem Niedertemperaturplasma bzw. einer Glimmentladung (z. B. GDMS) ähnlich. Bei der DBE-Behandlung wird die Oberfläche mit uni- oder bipolaren Pulsen mit Pulsdauern von wenigen Mikrosekunden bis hinunter zu einigen zehn Nanosekunden und Amplituden im einstelligen Kilovoltbereich beaufschlagt. Eine dielektrische Barriereentladung ist vorteilhaft, da hierbei keine metallischen Elektroden im Entladungsraum und somit keine metallischen Verunreinigungen oder Elektrodenverschleiß zu erwarten sind.
Weitere Vorteile der dielektrische Barriereentladung können je nach Anwendung z. B. sein, dass sie eine hohe Effizienz aufweist, da an den Elektroden keine Ladungsträger aus- oder eintreten müssen (Wegfall des Kathodenfalls, keine Glühemission nötig) oder dass die dielektrischen Oberflächen bei niedrigen Temperaturen modifiziert und chemisch aktiviert werden können. Die Oberflächenmodifikation erfolgt dabei bevorzugt durch eine Wechselwirkung und Reaktion der Oberflächenspezies durch ein Ionenbombardement und der Einwirkung der Ultraviolettstrahlung auf die Oberflächenspezies (z. B. 80 nm–350 nm, inkohärentes Licht UV und VUV, durch Leistungs-Hochfrequenzgeneratoren). Die dielektrische Barriereentladung findet z. B. Anwendung zur in situ Herstellung von Ozon in der Trink-/Abwasseraufbereitung, wobei durch das Ozon eine Ozonierung des Wassers erfolgt. Analog hierzu erfolgt bei einer erfindungsgemäßen Oberflächenbehandlung oder -modifikation mittels Ozonierung eine Beaufschlagung der zu behandelnden Oberfläche mittels Ozon.
Eine Oberflächenbehandlung bzw. -modifikation mittels Halogenierung, insbesondere Fluorierung, bewirkt die Überführung eines Elementes oder einer Verbindung in ein Halogenid. Durch die Fluorierung erfolgt somit die Einführung von Fluor in bevorzugt organische Verbindungen mit Hilfe von Fluorierungsmitteln.
Eine Oberflächenbehandlung bzw. -modifikation mittels einer UV-Behandlung erfolgt bevorzugt durch eine Eximer Bestrahlung, Eine Eximerbestrahlung erfolgt durch die Verwendung von mindestens einem Excimerlaser. Eximerlaser sind Gaslaser, die elektromagnetische Strahlung im ultravioletten Wellenlängenbereich erzeugen können. Eine hierbei erfolgende Gasentladung wird somit durch ein elektromagnetisches Hochfrequenzfeld hervorgerufen. Deshalb werden auch keine Elektroden bei der Gasentladung benötigt. Die erzeugte UV. Strahlung, liegt bevorzugt in einem Wellenlängenbereich zwischen 120 nm und 380 nm.
Eine weitere zusätzliche oder alternative Behandlungsvariante zur Oberflächenbehandlung bzw. -modifikation stellt das Bedrucken, insbesondere das Offsetdrucken, der zu behandelnden Oberfläche dar. Bevorzugt wird dabei mittels Offsetdruckmaschinen ein mechanisches Aufbringen von Mustern zur iterativen Oberflächenbehandlung bewirkt.
Die Erfindung kann sich ferner auf einen Wafer beziehen, der nach einem der zuvor genannten Verfahren hergestellt wird.
Die Verwendung der Wörter „im Wesentlichen” definiert bevorzugt in allen Fällen, in denen diese Wörter im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendet werden eine Abweichung im Bereich von 1%–30%, insbesondere von 1%–20%, insbesondere von 1%–10%, insbesondere von 1%–5%, insbesondere von 1%–2%, von der Festlegung, die ohne die Verwendung dieser Wörter gegeben wäre.
Weitere Vorteile, Ziele und Eigenschaften der vorliegenden Erfindung werden anhand nachfolgender Beschreibung anliegender Zeichnungen erläutert, in welchen beispielhaft die erfindungsgemäße Waferherstellung dargestellt ist. Bauteile oder Elemente der erfindungsgemäßen Waferherstellung, welche in den Figuren wenigstens im Wesentlichen hinsichtlich ihrer Funktion übereinstimmen, können hierbei mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sein, wobei diese Bauteile oder Elemente nicht in allen Figuren beziffert oder erläutert sein müssen.
Darin zeigt:
1a schematisch einen ersten verfahrensgemäßen Schichtaufbau des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens;
1b schematisch einen zweiten verfahrensgemäßen Schichtaufbau des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens; und
2 schematisch ein Verfahren zum Erzeugen von Festkörperschichten mit einem verbesserten TTV.
1a zeigt einen Festkörper 2, an dem eine Aufnahmeschicht 10, insbesondere eine Polymerschicht, angeordnet oder erzeugt ist. Das Bezugszeichen 3 kennzeichnet eine bevorzugte Ablöseebene bzw. Rissebene innerhalb des Festkörpers 2, entlang der die zu erzeugende Festkörperschicht 4 von dem Festkörper 2 abgespalten bzw. abgetrennt wird.
1b lässt sich ein weiterer bevorzugter Schichtaufbau des vorliegenden erfindungsgemäßen Verfahrens entnehmen. Gemäß dieser Darstellung ist zwischen der Festkörperschicht 2 und der Aufnahmeschicht 10 noch eine Zwischenschicht 12 angeordnet oder erzeugt. Die Zwischenschicht 12 besteht hierbei besonders bevorzugt aus einem Material, das vom Material des Festkörpers 2 und vom Material der Aufnahmeschicht 10 verschieden ist. Die Zwischenschicht 12 kann bevorzugt die Funktion einer Opferschicht übernehmen.
Weiterhin ist vorstellbar, dass alternativ oder zusätzlich zur Zwischenschicht 12 mindestens, genau oder maximal mehrere, insbesondere eine, zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben, acht, neun, zehn, fünfzehn, zwanzig, fünfundzwanzig, weitere Schichten zwischen der Aufnahmeschicht 10 und der Festkörperschicht 2 angeordnet und/oder erzeugt werden.
Besonders bevorzugt wird der Festkörper 2, insbesondere ein Wafer, mittels einer Behandlungseinrichtung, insbesondere einer Plasmabehandlungseinrichtung, behandelt. Auf die behandelte Oberfläche des Festkörpers 2 wird bevorzugt ein Primer, ein Kleber zum Fixieren der Aufnahmeschicht 10 auf dem Primer und die Aufnahmeschicht 10 aufgebracht.
Alternativ ist denkbar, dass auf dem Festkörper 2 ein Primer aufgetragen wird, wobei der Primer bevorzugt mittels der Behandlungseinrichtung, insbesondere einer Plasmabehandlungseinrichtung, behandelt wird. Es ist jedoch ebenfalls denkbar, dass der Primer gezielt zur Erzeugung einer bestimmten Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft aufgebracht wird und keine Behandlung, insbesondere keine Plasmabehandlung, erfährt. Auf dem Primer wird bevorzugt wiederum der Kleber zum Ankleben der Aufnahmeschicht 10 aufgetragen.
In 2 ist gezeigt, wie durch das erfindungsgemäße Verfahren eine Verbesserung des TTVs der zu erzeugenden Festkörperschicht 4 bewirkt wird.
Zwischen der Aufbringung der Aufnahmeschicht 10 auf den Festkörper 2 bzw. zwischen der Aufbringung der Aufnahmeschicht 10 auf den aus dem Festkörper 2 und mindestens einer Zwischenschicht 12 bestehenden Schichtverbund und der zur Rissauslösung erforderlichen thermischen Beaufschlagungder Aufnahmeschicht 10 erfolgen bevorzugt die bei den Schritten B (20, 22, 24) und C (26) schematisch dargestellten Bestimmungen, um die beispielhaft unter D (28) dargestellten verbesserten Zieleigenschaften der Festkörperschicht 4 zu erhalten.
In Schritt A wird zunächst ein entweder unbeschichteter Festkörper 2 oder ein mit einer oder mehreren Schichten 12 versehener Festkörper 2 ausgewählt. Im Schritt B erfolgt die Erfassung oder Bestimmung von bevorzugt mindestens einer und bevorzugt von mehreren einen Rissverlauf beeinflussenden Eigenschaften. Eine erste Eigenschaft kann hierbei bevorzugt eine Produkteigenschaft 20, insbesondere die gemittelte Rauhtiefe (Rz), sein. Zusätzlich oder alternativ kann eine Struktureigenschaft 22, insbesondere die sich auf der Festkörperschicht 4 durch die Abspaltung ergebende Oberflächenform bzw. Gitterform, sein. Zusätzlich oder alternativ zu einer oder mehreren dieser Eigenschaften 20, 22 kann eine oder mehrere Verfahrenseigenschaften 24, insbesondere die Rissführung, erfasst werden.
Aus der oder aus den erfassten Eigenschaften 20, 22 und/oder 24 wird bevorzugt ein Profil bestimmt, das durch eine Modifikation mindestens einer Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft, insbesondere durch eine Plasmabehandlung einer Oberfläche des Festkörpers 2 oder einer Oberfläche einer auf dem Festkörper 2 aufgebrachten bzw. erzeugten Zwischenschicht 12, erzeugt wird.
Das erzeugte Profil wird somit bevorzugt derart ausgebildet, dass zwischen der Aufnahmeschicht 10 und dem Festkörper 2 eine Kraftübertragungsverbindung erzeugt wird, wobei die Kraftübertagungsverbindung zur Erzeugung von definierten lokalen Kraftübertragungsspannungen in dem Festkörper 2 zur Beeinflussung des Rissverlaufs in Abhängigkeit vom Ort gezielt eingestellt wird. Die Kraftübertragungsverbindung wird somit bevorzugt durch die Erzeugung von mindestens einer lokal variierenden Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft, insbesondere der Haftung, zwischen den die Kraftübertragungsverbindung ermöglichenden Schichten, insbesondere dem Festkörper 2 und der Aufnahmeschicht 10, definiert eingestellt. Alternativ ist jedoch denkbar, dass die Kraftübertragungsverbindung durch die Erzeugung von mindestens einer homogenen Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft, insbesondere der Haftung, zwischen den die Kraftübertragungsverbindung ermöglichenden Schichten, insbesondere dem Festkörper 2 und der Aufnahmeschicht 10, definiert eingestellt wird.
Bezugszeichenliste

2: Festkörper
3: Rissebene
4: Festkörperschicht
10: Aufnahmeschicht
12: Zwischenschicht
20: Bestimmung der Produkteigenschaften
22: Bestimmung der Struktureigenschaften
24: Bestimmung der Verfahrenseigenschaften
26: Modifizieren von Leit-Stütz-Struktur Eigenschaften
28: Zieleigenschaften

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

US 2008/012140 [0004]
EP 2009/067539 [0004]

Claims

Verfahren zum Herstellen von mindestens einer Festkörperschicht (4), mindestens umfassend die Schritte: Bereitstellen eines Festkörpers (2) zum Abtrennen der mindestens einen Festkörperschicht (4), wobei die Festkörperschicht (4) durch die Erzeugung eines Risses innerhalb des Festkörpers (2) vom Festkörper (2) abgetrennt wird, zumindest mittelbares Anordnen von mindestens einer Aufnahmeschicht (10) an dem Festkörper (2) zum Halten der Festkörperschicht (4) und zum Ausbilden eines Schichtaufbaus, wobei die Aufnahmeschicht (10) derart an dem Festkörper (2) angeordnet wird, dass zwischen der Aufnahmeschicht (10) und dem Festkörper (2) eine Kraftübertragungsverbindung erzeugt wird, wobei die Kraftübertagungsverbindung zur Erzeugung von definierten lokalen Kraftübertragungsspannungen in dem Festkörper (2) zur Beeinflussung des Rissverlaufs in Abhängigkeit vom Ort mittels einer Behandlung einer Oberfläche von zumindest einer der den Schichtaufbau bildenden Schichten gezielt eingestellt wird, und thermisches Beaufschlagen der Aufnahmeschicht (10) zum, insbesondere mechanischen, Erzeugen der definierten lokalen Kraftübertragungsspannungen in dem Festkörper (2), wobei sich durch die definierten lokalen Kraftübertragungsspannungen der Riss in dem Festkörper (2) ausbreitet.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kraftübertragungsverbindung durch die Erzeugung von mindestens einer lokal variierenden Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft, insbesondere eines Kraftschlusses oder der Haftung, zwischen den die Kraftübertragungsverbindung ermöglichenden Schichten, insbesondere dem Festkörper (2) und der Aufnahmeschicht (10), definiert eingestellt wird oder die Kraftübertragungsverbindung durch die Erzeugung von mindestens einer homogenen Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft, insbesondere eines Kraftschlusses oder der Haftung, zwischen den die Kraftübertragungsverbindung ermöglichenden Schichten, insbesondere dem Festkörper (2) und der Aufnahmeschicht (10), definiert eingestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaften der Kraftübertragungsverbindung durch eine physikalische und/oder chemische Modifikation eines Anteils des Festkörpers (2), insbesondere einer Oberfläche des Festkörpers (2), und/oder eines Anteils, insbesondere einer Oberfläche, zumindest einer zumindest mittelbar an dem Festkörper (2) angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht (12) gezielt eingestellt werden, wobei die zumindest eine Zwischenschicht (12) zwischen der Aufnahmeschicht (10) und dem Festkörper (2) ausgebildet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Zwischenschicht (12) vorgesehen ist, welche zwischen dem Festkörper (2) und der Aufnahmeschicht (10) erzeugt oder angeordnet ist und eine Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft durch eine Materialeigenschaft des Festkörpers (2) und/oder der Aufnahmeschicht (10) und/oder der Zwischenschicht (12) vorgegeben wird, wobei die Materialeigenschaften bevorzugt die Dichte und/oder die Steifigkeit und/oder die Temperatur und/oder die Rauheit und/oder die Zugfestigkeit ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Grad der lokal zu modifizierenden Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft/en der Kraftübertragungsverbindung für mindestens einen Anteil des Festkörpers (2), insbesondere einer Oberfläche des Festkörpers (2), und/oder für mindestens einen Anteil, insbesondere einer Oberfläche, zumindest einer zumindest mittelbar an dem Festkörper (2) angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht (12) mittels einer Eigenschaftsanalyse, insbesondere einer spezifischen Oberflächenstrukturanalyse, bestimmt wird.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bestimmung der lokal zu modifizierenden Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft/en eine spezifische Oberflächenstrukturanalyse (20) von zumindest einem Teil des Festkörpers (2) durchgeführt wird, wobei Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaftsdaten erzeugt werden, die zumindest teilweise die durch die Oberflächenanalyse gewonnenen Informationen abbilden.
Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die an den Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft/en vorzunehmenden Modifikationen durch eine Verarbeitung der Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaftsdaten mit Verfahrenseigenschaftsdaten (24) und/oder mit Oberflächenstrukturprognosedaten (22) ermittelt werden, wobei die Verfahrenseigenschaftsdaten (24) zumindest Informationen zur Rissauslösung, Rissführung und/oder Rissausbreitung umfassen und wobei die Oberflächenstrukturprognosedaten (22) Informationen zur prognostizierten Oberflächenstruktur der abgetrennten Festkörperschicht (4) umfassen.
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Modifikation der Leit-Stützstruktur-Eigenschaften durch eine Oberflächenbehandlung einer zwischen dem Festkörper (2) und der Aufnahmeschicht (10) ausgebildeten Oberfläche bewirkt wird und/oder die Modifikation der Leit-Stützstruktur-Eigenschaften durch eine Oberflächenbehandlung der zwischen dem Festkörper (2) und einer zwischen dem Festkörper (2) und der Aufnahmeschicht (10) angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht (12) ausgebildeten Oberfläche bewirkt wird und/oder die Modifikation der Leit-Stützstruktur-Eigenschaften durch eine Oberflächenbehandlung der zwischen der Aufnahmeschicht (10) und einer zwischen dem Festkörper (2) und der Aufnahmeschicht (10) angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht (12) bewirkt wird und/oder die Modifikation der Leit-Stützstruktur-Eigenschaften durch eine Oberflächenbehandlung der zwischen zumindest zweier zwischen dem Festkörper (2) und der Aufnahmeschicht (10) angeordneten oder erzeugten Zwischenschichten (12) ausgebildeten Oberfläche bewirkt wird.
Verfahren nach Anspruch 3 bis 8 dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenmodifikation die zumindest abschnittsweise Beaufschlagung der zu behandelnden Oberfläche durch eine Koronabehandlung und/oder durch eine Flammbehandlung und/oder durch eine Behandung mittels elektrischer Barriereentladung und/oder durch Halogenierung, insbesondere Fluorierung, und/oder durch Ozonierung und/oder durch Eximerbestahlung und/oder durch Drucken, insbesondere durch Offsetdruck, und/oder durch eine Behandlung mit einem Plasma umfasst, wobei bevorzugt einzelne oder mehrere physikalische Parameter, wie die Art des Plasmas, der Spurabstand bei der Plasmabehandlung, die Düsenart, der Düsenabstand und/oder die Dauer der Plasmabehandlung, variiert werden.
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft zumindest der Grad der Haftung zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht ist und/oder eine Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft zumindest der Grad der Haftung zwischen dem Festkörper und einer zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht ist und/oder eine Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft zumindest der Grad der Haftung zwischen der Aufnahmeschicht und einer zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht angeordneten oder erzeugten Zwischenschicht ist und/oder eine Leit-Stütz-Struktur-Eigenschaft zumindest der Grad der Haftung zwischen zumindest zweier zwischen dem Festkörper und der Aufnahmeschicht angeordneten oder erzeugten Zwischenschichten ist.
Wafer, hergestellt nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10.