JP2012506637A - 繰返し高圧・低圧洗浄ステップを含む遠隔プラズマ洗浄プロセス - Google Patents
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Abstract
基板処理チャンバ中に配置された基板を処理した後で、基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去する遠隔プラズマプロセス。一実施形態では、基板が基板処理チャンバから外に移送され、フッ素含有エッチャントガスの流れが遠隔プラズマ源の中へ導入され、そこで反応種が形成される。遠隔プラズマ源から基板処理チャンバへの反応種の連続的な流れが発生され、一方では、高圧力洗浄ステップと低圧力洗浄ステップのサイクルが繰り返される。高圧力洗浄ステップ中に、基板処理チャンバ内の圧力が４〜１５トルの範囲に維持されている間、反応種は基板処理チャンバの中へ流される。低圧力洗浄ステップ中に、高圧力洗浄ステップで到達された高圧力の少なくとも５０パーセントだけ基板処理チャンバの圧力を減少させながら、反応種が基板処理チャンバの中へ流される。
Description
関連出願の相互参照
この出願は、２００８年１０月２２日に出願された米国特許仮出願第６１／１０７，６３４号の優先権を主張する。出願第６１／１０７，６３４号は、本明細書で参照してその全体が本明細書に組み込まれる。
この出願は、２００８年１０月２２日に出願された米国特許仮出願第６１／１０７，６３４号の優先権を主張する。出願第６１／１０７，６３４号は、本明細書で参照してその全体が本明細書に組み込まれる。
現代の半導体デバイスの製造において主要なステップの１つは、シリコン酸化物層などの層を基板またはウェーハ上に形成することである。よく知られているように、そのような層は、化学気相成長法（ＣＶＤ）によって堆積されることがある。従来の熱ＣＶＤプロセスでは、反応ガスが基板表面に供給され、そこで熱誘起化学反応が起こって所望の膜を形成する。従来のプラズマＣＶＤプロセスでは、制御されたプラズマが、例えば無線周波（ＲＦ）エネルギーまたはマイクロ波エネルギーを使用して形成されて、反応ガス中の反応種を分解および／または高エネルギー化して所望の膜を生成する。
そのようなＣＶＤプロセスの間に、処理チャンバの壁のような領域に不要な堆積も起こる。この産業ではよく知られているように、チャンバ壁の内側に蓄積した不要な堆積材料を現場チャンバ洗浄作業で除去するのが一般的である。一般的なチャンバ洗浄技術は、フッ素などのエッチャントガスを使用してチャンバ壁および他の領域から堆積材料を除去することを含む。いくつかのプロセスでは、エッチャントガスがチャンバの中に導入され、さらに、エッチャントガスが堆積材料と反応してチャンバ壁から堆積材料を除去するようにプラズマが形成される。そのような洗浄処置は、一般的に、堆積ステップと堆積ステップの間にウェーハごとに、またはｎ枚のウェーハごとに行われる。
いくつかの半導体製造は現場プラズマ洗浄の代替として遠隔プラズマ洗浄プロセスを用い、エッチャントプラズマがマイクロ波プラズマシステム、トロイダルプラズマ発生器または同様なデバイスのような高密度プラズマ源によって基板処理チャンバから遠く離れたところで発生される遠隔プラズマ洗浄処置が用いられることがある。エッチャントプラズマからの解離種は、次に、基板処理チャンバに輸送され、そこで、望まれていない堆積物蓄積と反応してその堆積物蓄積をエッチング除去することができる。遠隔プラズマ洗浄処置は、現場プラズマ洗浄よりも「よりソフトな」エッチングを実現するので、すなわちプラズマがチャンバ構成要素と接触しないためにチャンバ構成要素に対するイオン衝撃および／または物理的損傷がより少ないので、時には、製造業者によって使用されることもある。
本発明の実施形態は、例えば基板の上に材料層を堆積させることによって基板が基板処理チャンバ中で処理された後で、その基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去する技術に関する。いくつかの以前に使用された遠隔プラズマ洗浄プロセスの１つの問題は、洗浄プロセスの間に発生される反応性フッ素種がチャンバの内側からエッチングされたシリコンと再結合して、洗浄プロセスの効率を害する四フッ化珪素（ＳｉＦ４）の気相副生成物を形成することであった。特に、ＳｉＦ４は、洗浄プロセスの間に発生される酸素種と気相で反応してＳｉＯ２粒子を形成することができる。本発明の実施形態は、洗浄プロセスの間にチャンバ圧力を高圧力レベルと低圧力レベルの間で周期的に循環させることによってＳｉＦ４の気相副生成物がポンプ排気される遠隔プラズマ洗浄プロセスに関する。
一実施形態に従って、基板が基板処理チャンバから外に移送された後で、フッ素含有エッチャントガスの流れが、遠隔プラズマ源の中へ導入され、反応種が遠隔プラズマ源中で形成される。遠隔プラズマ源から基板処理チャンバへの反応種の連続的な流れが生成され、一方では、基板処理チャンバ内で高圧力洗浄ステップと低圧力洗浄ステップのサイクルが繰り返される。高圧力洗浄ステップの間に、そのチャンバ内の圧力が４〜１５トルの範囲に維持されている間ずっと反応種は基板処理チャンバの中へ流されている。低圧力洗浄ステップの間に、高圧力洗浄ステップで到達された高圧力の少なくとも５０パーセントだけチャンバの圧力を下げながら、反応種は基板処理チャンバの中へ流される。いくつかの実施形態は、高圧力洗浄ステップと低圧力洗浄ステップのサイクルを少なくとも４回繰り返す。
いくつかの実施形態では、高圧力ステップの間、チャンバ圧力は４〜１５トルの範囲にあり、低圧力ステップの間、チャンバ圧力は０．５〜４トルの範囲にある。いくつかの他の実施形態では、高圧力ステップでのチャンバ圧力は、５〜８トルの範囲にあり、低圧力ステップでは０．５〜２．５トルの範囲にある。いくつかの実施形態では、フッ素含有エッチャントガスは三フッ化窒素であり、その三フッ化窒素は、高圧力ステップの間、少なくとも毎分４リットルの率で遠隔プラズマ源の中へ導入される。
他の実施形態では、本発明のプロセスは、基板を基板処理チャンバから外に移送することと、その後で、（ａ）基板処理チャンバに流体で結合されている遠隔プラズマ源の中へフッ素含有エッチャントガスを流し、エッチャントガスから反応種を形成し、さらに反応種を基板処理チャンバの中へ輸送し、さらに、（ｂ）フッ素含有エッチャントガスを遠隔プラズマチャンバの中へ連続的に流し、かつ反応種を基板処理チャンバの中へ連続的に輸送しながら、基板処理チャンバ内の圧力を第１の範囲内の高圧力と第２の範囲内の低圧力の間で、高圧力と低圧力の少なくとも２サイクルにわたって循環させることによって、不要な堆積物蓄積を除去することと、を含み、高圧力は低圧力よりも高い。
本発明のこれらおよび他の実施形態は、その有利点および特徴と共に、以下の本文および添付の図に関連してより詳細に説明される。
本発明の実施形態は、例えば基板の上にシリコン酸化物または同様な材料の層を堆積させることによって基板が基板処理チャンバ中で処理された後で、基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去する技術に関する。フッ素は、遠隔プラズマ洗浄プロセスで一般に使用されるエッチャント種であり、三フッ化窒素（ＮＦ３）は、そのようなプロセスでの一般的なフッ素供給源である。反応性エッチャント種の供給源として使用されるようなフッ素含有と、ドープまたはアンドープシリコン酸化物、シリコン窒化物または同様なものなどのシリコン含有材料とがチャンバの内側から除去される遠隔プラズマ洗浄の間に、洗浄プロセスで発生される反応性フッ素種は、チャンバの内側からエッチングされたシリコンと再結合して、洗浄プロセスの効率を害するＳｉＦ４気相副生成物を形成する。ＳｉＦ４は、洗浄プロセスの間に発生される酸素種と気相で反応してＳｉＯ２粒子を形成することができる。本発明の実施形態は、洗浄プロセスの間中チャンバ圧力を高圧力レベルと低圧力レベルの間で周期的に循環させることによって、チャンバおよび／または排気前配管内のＳｉＦ４の累積を最小限にする。
標準的な一様な圧力の遠隔プラズマチャンバ洗浄の間に、ＳｉＦ４の分圧は、最初のうち時間の経過と共に大きくなり、遂にはピークか安定状態かに達し、それから、シリコン含有材料がほとんど除去されたような洗浄の終わり近くで低下する。この洗浄の間に、チャンバ内でのフッ素とシリコン含有材料の間の反応が逆方向に動いてシリコン酸化物または他のシリコン含有粒子を形成するほど十分な大きさに、ＳｉＦ４の分圧が、達するのを防ぐことが望ましい。本発明の実施形態では、低圧力サイクルの間に、過剰なＳｉＦ４はチャンバおよび／または前配管から外にポンプ排気され、それによってＳｉＦ４の分圧を低くし、さらに粒子形成の可能性を低くする。本発明の実施形態は、多くの異なる遠隔プラズマ洗浄プロセスに有用であるが、フッ素含有ガスの大流量、例えば毎分３．０リットル以上の流量が遠隔プラズマ発生器の中へ流されるプロセスで、特に有用である。そのような大流量プロセスは、より少ない流量の洗浄プロセスに比べてチャンバの実効洗浄率を高めるために、対応する多量の解離反応種を発生させてチャンバの中へ輸送する。
図１は、本発明の一実施形態に従ったステップを図示する流れ図である。図１に示されるように、基板堆積プロセスまたは他の型の基板処理ステップ（ステップ２）が基板処理チャンバ中で起こった後で、基板はチャンバから外に移送される（ステップ４）。次に、随意の現場プラズマ加熱ステップが達成され（ステップ６）、このステップでは、プラズマは、基板処理チャンバ内でアルゴンのような不活性ガスから形成される。プラズマは、基板処理チャンバを、遠隔プラズマ洗浄プロセスより前の先行基板処理作業（例えば、堆積ステップ）の温度より上の温度に加熱する。
いったんチャンバが適切な温度に加熱されると、現場プラズマは消され、基板処理チャンバに流体で結合されている遠隔プラズマチャンバの中でプラズマが発生される（ステップ８）。一実施形態では、ＮＦ３を遠隔プラズマチャンバの中へ導入する前に、アルゴンまたは同様な不活性ガスの初期の流れで遠隔プラズマが引き起こされる。それから、ＮＦ３が遠隔プラズマチャンバの中へ導入されるにつれて、アルゴンの流量は減少される。例として、遠隔プラズマは、３０００ｓｃｃｍのアルゴンの流れで引き起こされることがあり、この３０００ｓｃｃｍのアルゴンは、ＮＦ３が１０００ｓｃｃｍの初期流量で遠隔プラズマチャンバの中へ導入されそれから１５００ｓｃｃｍの流れに増やされるときに、１０００ｓｃｃｍにそれから５００ｓｃｃｍに次第に減少される。一実施形態では、遠隔プラズマ起動ステップは、主洗浄ステップで使用される洗浄パワーの４０〜７０パーセントの範囲の洗浄パワーを使用する。チャンバ内のいくつかの不要な堆積材料蓄積は、ステップ８で除去されるが、洗浄プロセスの大部分は、以下で述べられるようにステップ１０〜１６の間に起こる。
次に、ＮＦ３の流量は、最初の高圧力遠隔プラズマ洗浄ステップ（ステップ１２）の間に高められる。一実施形態では、高圧力遠隔プラズマ洗浄ステップ１２は、ＮＦ３を８０００〜１４０００ｓｃｃｍの範囲の流量で遠隔プラズマチャンバの中へ導入し、基板処理チャンバ内の圧力を４〜１５トルの範囲に設定する。より大きなＮＦ３流量およびより高いチャンバ圧力は、一般に、より高い洗浄率に等しいが、チャンバ圧力が高すぎると、洗浄一様性が悪くなることがある。したがって、本発明のいくつかの実施形態は、ステップ１２の間中、５〜８トルの範囲のチャンバ圧力を設定している。いくつかの実施形態では、スロットルバルブを適切な設定で使用することによって、圧力は、所望のレベルに維持される。また、高圧力での逆流を防ぐために、例えば２５〜６０ｓｃｃｍの範囲の小さなアルゴン流が、遠隔プラズマユニットをバイパスしてプロセスガスノズルを通して直接チャンバの中へ導入されることがある。
高圧力遠隔プラズマ洗浄ステップ１２の間に、洗浄反応によるＳｉＦ４副生成物がチャンバ内に蓄積し、したがってＳｉＦ４の分圧は大きくなる。本発明の実施形態は、ＮＦ３の流量を下げることおよび／またはスロットルバルブを完全に開くことの一方または両方によってチャンバ圧力を下げて洗浄ステップ１２によるガス副生成物の除去を加速することによって、ＳｉＦ４分圧を下げる（ステップ１４）。いくつかの実施形態では、ＮＦ３流量は、ステップ１２の間のＮＦ３流量の２０〜５０パーセントの範囲に落とされ、いくつかの実施形態では、ステップ１２の終わりでのチャンバ圧力は、ステップ１０の間に到達された高圧力の１０〜５０パーセントの範囲である。
一般に、ステップ１２での圧力をできるだけ速く、できるだけ低い圧力レベルに下げることが望ましい。下げられたチャンバ圧力レベルで、洗浄効率は一時的に落ちる。ステップ１２は、時間ベースか圧力ベースかのどちらかで終点指定されることがある。すなわち、いくつかの実施形態では、下げられた圧力の洗浄ステップ１２は、Ｘ秒後に停止されるが、他の実施形態では、圧力がＸトルに落ちると直ちに停止される。一実施形態では、ステップ１２は、４〜８秒の範囲の選ばれた期間後に終点指定される。他の実施形態では、ステップ１２は、０．５〜４トルの範囲の選ばれた圧力に達すると直ぐに終点指定される。さらに他の実施形態では、ステップ１２は、０．５〜２．５トルの範囲の選ばれた圧力に達すると直ぐに終点指定される。全体的な高洗浄効率を維持するために、本発明の実施形態は、ステップ１０に比べてステップ１２の継続時間を最小限にする。いくつかの実施形態では、ステップ１２の継続時間は、ステップ１０の継続時間の１０〜３３パーセントの範囲にある。
ステップ１２の後で、ステップ１０とステップ１２の高圧力サイクルと低圧力サイクルが、所望の程度のチャンバ洗浄が起こるまで１回または複数回繰り返される（ステップ１４）。いくつかの実施形態では、ステップ１０および１２は少なくとも４回繰り返される。いくつかの実施形態では、洗浄プロセスは、ステップ１４の後で完了する。他の実施形態では、米国特許第７，１５９，５９７号に述べられているようにチャンバを効果的に洗浄するために必要な洗浄ガスの量を下げるために拡散支配洗浄（ステップ１６）の期間を可能にするように、ＮＦ３の流量はステップ１０の流量から落とされ、チャンバ圧力は、ステップ１０のレベルとステップ１２で到達された最低レベルとの間のどこかの下げられたレベルに設定される。米国特許第７，１５９，５９７号は、これによって参照してその全体が組み込まれる。留意されたいことであるが、図１は、ステップ１６がステップ１２の後に起こることを示しているが、いくつかの実施形態では、ステップ１０の最終サイクルの直ぐ後に拡散支配洗浄ステップ１６が続く。例えば、特定の一実施形態では、洗浄シーケンスは、ステップ２、４、６、８、１０、１２、１０、１２、１０、１２、１０、１２、１０、１６であることがある。
図２Ａは、本発明の特定の一実施形態に従ったチャンバ圧力の経時的な変化を例示するグラフであり、チャンバ圧力はおおよそ９トルと２トルの間で循環されている。図２Ａに示されるように、この特定の洗浄プロセスは、６つの低圧力サイクル１２で分離された対応する数の高圧力サイクル１０を含んでいる。図２Ａは、各ステップ１２の継続時間が、各ステップ１０の継続時間よりも相当に短いことを示している。洗浄プロセスの終わり近くで、チャンバ圧力は、洗浄ステップ１６に従って、延長された時間の間ずっとおおよそ６トルの下げられたレベルに設定されている。
図２Ｂは、当業者には知られているＦＴＩＲ技術によって測定されるようなＳｉＦ４放出を図示するグラフであり、このグラフは、図２Ａに図示されたプロセスの間中にどんなに多くのＳｉＦ４がチャンバ中にあるかを表している。線１８の傾きは、ステップ１０および１２の繰返しプロセスの間の、チャンバが洗浄されている率を示す。本発明をさらに理解し評価するために、ここで図３Ａおよび３Ｂが参照され、図３Ａおよび３Ｂは、図２Ａおよび２Ｂのグラフとそれぞれ同様なグラフであり以前から知られている洗浄プロセスを表し、この洗浄プロセスでは、最初の延長された長さの高レベル圧力洗浄ステップ２０（図３Ａ）が、図２Ａに示されたプロセスのステップ１６にほぼ対応する下げられたレベルの洗浄ステップ２２より前に行われている。図３Ｂでは、線２８の傾きは、ステップ２０の間にチャンバが洗浄される率を表している。
図３Ｂを図２Ｂと比較すると、線１８の傾きは、線２８の傾きよりも大きく、このことは、本発明の技術に従って遠隔洗浄プロセスの間にチャンバ圧力を高から低に循環させることが、単に洗浄圧力をより高いレベルに保つよりも高い洗浄効率をもたらすことを意味している。図４Ａおよび４Ｂは、さらに、以前から知られている洗浄プロセスに比べて本発明の実施形態のより高い洗浄効率を証明している。図４Ａおよび４Ｂの各々に、高圧力ステップの間ＮＦ３の流量が毎分１２リットルに設定された３つの別個の洗浄プロセスの経時的な洗浄率が示されている。３つのプロセスには、ステップ２２の圧力が９トル（図４Ａ、プロセス３０）か６トル（図４Ｂ、プロセス４０）かのどちらかである、図３Ａに示されたプロセスと同様な第１の以前から知られているプロセスと、ステップ１０の圧力が９トル（図４Ａ、プロセス３２）か６トル（図４Ｂ、プロセス４２）かのどちらかでありさらにステップ１０と１２が３０秒ごとに繰り返される図２Ａのプロセスと同様な第２のプロセスと、ステップ１０の圧力が９トル（図４Ａ、プロセス３４）か６トル（図４Ｂ、プロセス４４）かのどちらかでありさらにステップ１０と１２が１５秒ごとに繰り返される図２Ａのプロセスと同様な第２のプロセスとがある。プロセス３２および３４の洗浄率をプロセス３０の洗浄率と比較し、さらにプロセス４２および４４の洗浄率をプロセス４０の洗浄率と比較することから明らかなように、全ての例で、本発明の技術に従って行われた洗浄プロセスが、依然から知られている洗浄プロセスよりも高い洗浄効率であった。
本発明の利益のさらなる証明は、図５Ａと図５Ｂの比較で示され、これらの図は、チャンバの様々な場所での洗浄率を表している。とりわけ、図５Ａおよび５Ｂのデータを発生させるために、１０個の別個のシリコン酸化物クーポンが、基板処理チャンバ内の図に書込みされた位置に配置され（位置１は、チャンバのスリットバルブの近くである）、図２Ａの洗浄プロセスと同様な本発明の技術に従った洗浄プロセス（図５Ａ）と、図２Ｂの洗浄プロセスと同様な以前から知られている洗浄プロセス（図５Ｂ）とに同一時間の間ずっとさらされた。それから、シリコン酸化物クーポンの厚さが各洗浄プロセスの完了後に測定されて、チャンバの様々な場所のクーポンからどんなに多くのシリコン酸化物が除去されたかが決定され、実際に除去された量が図５Ａおよび５Ｂに示されている。図５Ａと５Ｂで同じ場所で除去された材料の量を比較することによって、各チャンバ場所で、図５Ａに関連した洗浄率が、図５Ｂに図示されたチャンバの対応する場所に関連した洗浄率よりも大きいことが示される。
チャンバが、遠隔で解離された反応種を、チャンバと流体でつながっている遠隔プラズマ源からチャンバの中へ輸送する機能を有するという条件で、本発明の実施形態は、いろいろな基板処理チャンバを使用して実現可能である。その上、随意のステップ６（図１）が用いられる場合には、チャンバは、チャンバ内にエッチャントプラズマ（現場プラズマ）を形成することによってチャンバ内に反応性エッチング種を生成する能力を有する必要がある。本発明の方法のいくつかの実施形態が実施されることがある誘導‐結合ＨＤＰ‐ＣＶＤチャンバの例が、以下で明らかにされる。理解されるべきことであるが、以下のチャンバの説明は、熱ＣＶＤチャンバおよび、とりわけＰＥＣＶＤチャンバおよびＥＣＲ‐ＨＤＰチャンバなどの他のプラズマチャンバを含めていろいろな他の堆積チャンバで、本発明の技術が、使用可能であるように、ただ例示する目的だけのためである。
図６は、本発明に従ったチャンバ洗浄技術が用いられることがある高密度プラズマ化学気相成長（ＨＤＰ‐ＣＶＤ）システム１００の単純化された断面図である。ＣＶＤシステム１００は、とりわけ、チャンバ本体１０２、基板支持台１０４（例えば、静電気チャック）、ガスノズル１０６、１０８、チャンバドーム１１０、遠隔プラズマ洗浄システム１１２、および真空システム１１４を含む。チャンバ本体１０２、チャンバドーム１１０および基板支持台１０４が組み合わさって処理領域１１６を画定し、この処理領域１１６に、化学気相成長作業などの基板処理作業の間、基板１１８が位置付けされている。便宜上、本発明に直接関係のないシステム１００の数多くの特徴は、図６から省略されており、本明細書では議論されない。例えば、システム１００は、処理ガスをガスノズル１０６、１０８に送り出すガス分配システム１２０並びに、チャンバの中に導入された処理ガスからチャンバ内でプラズマを形成するためのエネルギーを供給するようにチャンバに結合されている供給源およびバイアスプラズマシステム（示されていない）を含む。
真空システム１１４は、チャンバ１０２の下部を形成し、チャンバを真空システムに接合する本体部材１２６、およびスロットル本体１２８を含み、スロットル本体１２８は、３枚羽根スロットルバルブ１３０を収納し、ゲートバルブ１３２およびターボ分子ポンプ１３４に取り付けられており、ターボ分子ポンプ１３４は、基板処理作業の間、約１ｍトルくらいのチャンバ圧力の精密で安定した制御を可能にする。ゲートバルブ１３２は、スロットル本体１２８および処理領域１１６からポンプ１３４を分離することができる。
真空システム１１４は、また、追加の分離バルブ１４０および１４２、終点検出器１４４、追加のスロットルバルブ１４６、および粗引きポンプ１４８を含む。基板処理作業の間、分離バルブ１４０は閉じているが、ゲートバルブ１３２および分離バルブ１４２は開いている。ガスは、ポート１５２およびガス導管１５０ａを通して前配管１５０の中へ排気される。基板処理作業の間、圧力はスロットルバルブ１３０によって制御される。チャンバ洗浄作業の間、ゲートバルブ１３２および分離バルブ１４２は閉じているが、バルブ１４０は開いている。洗浄ガスは、ポート１５４およびガス導管１５０ｂを通して前配管１５０の中へ排気される。チャンバ洗浄作業の間、圧力はスロットルバルブ１４６によって制御される。ガス導管１５０ａおよび１５０ｂは、ガス前配管１５０の一部である。
チャンバ本体１０２、本体部材１２６、およびスロットル本体１２８は、一体化容器を形成するように互いに溶接されている。ポート１５４は、チャンバ１００のほぼ同じ高さにある３つのポートのうちの１つである。他の２つのポートは、ポート１５４の左および右に９０度のところにあり、したがって図６に示されていない。前述の３つのポートの各々は、ゲートバルブ１３２およびターボ分子ポンプ１３４の上流（基板処理およびチャンバ洗浄作業の間にチャンバの中へ入るまたはチャンバから外へ出るガス流に対して）にある。本発明のいくつかの実施形態では、示されていないポートは、一般に、圧力ゲージのようなデバイスまたはヘリウムガスのパージをチャンバ１００に結合するために使用される。しかし、さらに大きなポンプ排気容量が利用される実施形態では、これらの追加のポートは、適切な取付け具およびバルブを使って前配管に直接結合されて、チャンバ洗浄作業の間ポート１５４を通る経路に加えて前配管に至るガス流路を実現し、それによって、チャンバ洗浄作業の間のチャンバ１００のポンプ排気容量を高める。そのような前配管構成のさらなる詳細は、２００９年５月１４日に米国特許出願公開第２００９／０１２０４６４号として公開された米国特許出願第１２／２６５，６４１号に述べられており、この出願は、参照して本明細書に組み込まれる。
本発明のいくつかの実施形態を完全に説明したが、本発明の多くの他の同等物または代替実施形態が当業者に明らかであろう。例えば、本発明は、ＣＶＤチャンバの洗浄に関して説明されたが、適切な場合には、エッチングチャンバを含めて他の型のチャンバを洗浄するためにも使用可能である。また、上で明らかにされた例全てがエッチャントガスとしてＮＦ３を使用したが、他のエッチャントガスが他の実施形態で使用されることがある。そのようなものとして、上の説明は、例示的であり限定的でない。これらの同等物および／または代替物は、本発明の範囲内に含まれることが意図される。
Claims (15)
- 基板処理チャンバ中に配置された基板を処理した後で、前記基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去するプロセスであって、
前記基板を前記基板処理チャンバから外に移送することと、
（ａ）前記基板処理チャンバに流体で結合されている遠隔プラズマ源の中へフッ素含有エッチャントガスを流して、前記エッチャントガスから反応種を形成し、前記反応種を前記基板処理チャンバの中へ輸送し、
（ｂ）前記フッ素含有エッチャントガスを前記遠隔プラズマチャンバの中へ連続的に流し、かつ前記反応種を前記基板処理チャンバの中へ連続的に輸送しながら、前記基板処理チャンバ内の圧力を第１の範囲内の高圧力と第２の範囲内の低圧力の間で、高圧力と低圧力の少なくとも２サイクルにわたって循環させる、
ことによって、前記不要な堆積物蓄積を除去することと、
を含み、前記高圧力が前記低圧力よりも高いプロセス。 - 前記高圧力が、１５トル未満であり、前記低圧力が、前記高圧力の５０パーセント以下である、請求項１に記載のプロセス。
- 前記高圧力が、４〜１５トルの範囲にあり、前記低圧力が、０．５〜４トルの範囲にある、請求項１に記載のプロセス。
- 前記高圧力が、５〜８トルの範囲にあり、前記低圧力が、０．５〜２．５トルの範囲にある、請求項１に記載のプロセス。
- 前記基板処理チャンバ内の圧力が、前記高圧力サイクル中に前記第１の範囲内にあるとき、前記遠隔プラズマ源の中への前記フッ素含有ガスの流量が、少なくとも毎分４リットルである、請求項２に記載のプロセス。
- 前記フッ素含有エッチャントガスが、三フッ化窒素を含む、請求項１に記載のプロセス。
- 各低圧力サイクルの継続時間が、前記先行する高圧力ステップの継続時間の１０〜３３パーセントの範囲にある、請求項１に記載のプロセス。
- 前記エッチャントガスを前記遠隔プラズマ源の中へ流すより前に、不活性ガスから形成された現場プラズマで前記基板を加熱することをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
- 前記プロセス中に、前記高圧力ステップおよび低圧力ステップを少なくとも４回繰り返す、請求項１に記載のプロセス。
- 基板処理チャンバ中に配置された基板を処理した後で、前記基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去するプロセスであって、
前記基板を前記基板処理チャンバから外に移送することと、
前記基板処理チャンバに流体で結合されている遠隔プラズマ源の中へフッ素含有エッチャントガスを流して、前記エッチャントガスから反応種を形成することと、
（ｉ）前記基板処理チャンバ内の圧力を４〜１５トルの範囲に維持している間、前記反応種を前記基板処理チャンバの中へ流す高圧力洗浄ステップと、
（ｉｉ）前記高圧力洗浄ステップで到達した高圧力の少なくとも５０パーセントだけ前記基板処理チャンバの圧力を減少させながら、前記反応種を前記基板処理チャンバの中へ流す低圧力洗浄ステップと、
のサイクルを複数回繰り返しながら、前記遠隔プラズマ源から前記基板処理チャンバへの前記反応種の連続的な流れを維持することと、
を含むプロセス。 - 前記高圧力が、５〜８トルの範囲にあり、前記低圧力が、０．５〜２．５トルの範囲にある、請求項１０に記載のプロセス。
- 前記基板処理チャンバ内の圧力が、前記高圧力サイクル中に前記第１の範囲内にあるとき、前記遠隔プラズマ源の中への前記フッ素含有ガスの流量が、少なくとも毎分４リットルである。
- 前記フッ素含有エッチャントガスが、三フッ化窒素を含む、請求項１０に記載のプロセス。
- 前記高圧力ステップと低圧力ステップが、前記プロセス中に、少なくとも４回繰り返される、請求項１０に記載のプロセス。
- 前記低圧力が、前記高圧力の１０〜５０パーセントの範囲にあり、前記高圧力洗浄ステップの継続時間の１０〜３３パーセントの範囲の継続時間を有する、請求項１０に記載のプロセス。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140038312A (ko) * | 2012-09-20 | 2014-03-28 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
| JP2022045355A (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-18 | ユ－ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理装置及び基板処理装置の運用方法 |
Families Citing this family (310)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| KR20120034341A (ko) * | 2010-10-01 | 2012-04-12 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치의 세정방법 |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| CN102867773B (zh) * | 2011-07-06 | 2015-08-05 | 中国科学院微电子研究所 | 降低hdpcvd缺陷的方法 |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| KR102069183B1 (ko) * | 2012-03-20 | 2020-01-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 라디칼을 운반하기 위한 배열체 및 방법 |
| US8940099B2 (en) | 2012-04-02 | 2015-01-27 | Illinois Tool Works Inc. | Reflow oven and methods of treating surfaces of the reflow oven |
| US9170051B2 (en) | 2012-04-02 | 2015-10-27 | Illinois Tool Works Inc. | Reflow oven and methods of treating surfaces of the reflow oven |
| CN103374710B (zh) * | 2012-04-28 | 2015-12-16 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 反应腔的清洗方法、反应腔的清洗系统 |
| CN103388127B (zh) * | 2012-05-10 | 2016-04-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗方法 |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US9589770B2 (en) * | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9484191B2 (en) * | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| TWI600786B (zh) | 2013-05-01 | 2017-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於腔室清潔或預清潔製程之鈷移除 |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US9478408B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-10-25 | Lam Research Corporation | Systems and methods for removing particles from a substrate processing chamber using RF plasma cycling and purging |
| US10081869B2 (en) | 2014-06-10 | 2018-09-25 | Lam Research Corporation | Defect control in RF plasma substrate processing systems using DC bias voltage during movement of substrates |
| US10047438B2 (en) | 2014-06-10 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Defect control and stability of DC bias in RF plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas |
| US10192717B2 (en) | 2014-07-21 | 2019-01-29 | Applied Materials, Inc. | Conditioning remote plasma source for enhanced performance having repeatable etch and deposition rates |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| WO2016171845A1 (en) * | 2015-04-23 | 2016-10-27 | Applied Materials, Inc. | In-situ etch rate determination for chamber clean endpoint |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| TWI593473B (zh) * | 2015-10-28 | 2017-08-01 | 漢辰科技股份有限公司 | 清潔靜電吸盤的方法 |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US9981293B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-05-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10858727B2 (en) | 2016-08-19 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | High density, low stress amorphous carbon film, and process and equipment for its deposition |
| KR102613349B1 (ko) | 2016-08-25 | 2023-12-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법 |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| CN106373851B (zh) * | 2016-10-24 | 2018-06-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种优化晶圆环状缺陷的方法 |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| SG11202009406RA (en) | 2018-04-09 | 2020-10-29 | Applied Materials Inc | Carbon hard masks for patterning applications and methods related thereto |
| TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| KR20210090279A (ko) * | 2018-12-07 | 2021-07-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 컴포넌트, 컴포넌트를 제조하는 방법, 및 컴포넌트를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
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| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| JP2021019198A (ja) | 2019-07-19 | 2021-02-15 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法 |
| CN112309815B (zh) * | 2019-07-26 | 2023-07-28 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 生产led外延片的mocvd系统维护保养后的恢复方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
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| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
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| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US20230230820A1 (en) * | 2020-07-01 | 2023-07-20 | Lam Research Corporation | Intermittent stagnant flow |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| CN111850510A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-30 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 用于pecvd设备的原位清洗方法及对应的pecvd设备 |
| TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| CN112813415A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 拓荆科技股份有限公司 | 腔体内的清洁方法 |
| CN114752918A (zh) * | 2021-01-08 | 2022-07-15 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种腔室的清洗方法 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085418A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-03-30 | Applied Materials Inc | 処理チャンバのための遠隔式プラズマクリーニング方法 |
| JP2007284793A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Asm Japan Kk | 炭素質膜のセルフクリーニング方法 |
Family Cites Families (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4138306A (en) | 1976-08-31 | 1979-02-06 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Apparatus for the treatment of semiconductors |
| US4563367A (en) | 1984-05-29 | 1986-01-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for high rate deposition and etching |
| US5000113A (en) | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| US5158644A (en) | 1986-12-19 | 1992-10-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
| US4960488A (en) * | 1986-12-19 | 1990-10-02 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
| US4913929A (en) | 1987-04-21 | 1990-04-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Thermal/microwave remote plasma multiprocessing reactor and method of use |
| DE3725358A1 (de) | 1987-07-30 | 1989-02-09 | Telog Systems Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur oberflaechenbehandlung von materialien |
| JPH0732137B2 (ja) | 1988-02-29 | 1995-04-10 | 東京エレクトロン東北株式会社 | 熱処理炉 |
| JPH02125876A (ja) | 1988-11-01 | 1990-05-14 | Fujitsu Ltd | Ｃｖｄ装置の排気機構 |
| US4988644A (en) | 1989-05-23 | 1991-01-29 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching semiconductor materials using a remote plasma generator |
| DE4132559A1 (de) | 1991-09-30 | 1993-04-08 | Siemens Ag | Verfahren zur in-situ-reinigung von abscheidekammern durch plasmaaetzen |
| EP0537950B1 (en) | 1991-10-17 | 1997-04-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor |
| EP0552491B1 (en) | 1992-01-24 | 1998-07-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch process and plasma processing reactor |
| JP3502096B2 (ja) | 1992-06-22 | 2004-03-02 | ラム リサーチ コーポレイション | プラズマ処理装置内の残留物を除去するためのプラズマクリーニング方法 |
| US5770098A (en) | 1993-03-19 | 1998-06-23 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Etching process |
| US5662770A (en) | 1993-04-16 | 1997-09-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for improving etch uniformity in remote source plasma reactors with powered wafer chucks |
| US5350480A (en) | 1993-07-23 | 1994-09-27 | Aspect International, Inc. | Surface cleaning and conditioning using hot neutral gas beam array |
| JPH0786242A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5403434A (en) | 1994-01-06 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer |
| EP0697467A1 (en) | 1994-07-21 | 1996-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a deposition chamber |
| US5698469A (en) | 1994-09-26 | 1997-12-16 | Endgate Corporation | Method of making a hybrid circuit with a chip having active devices with extra-chip interconnections |
| US5688357A (en) | 1995-02-15 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor |
| TW283250B (en) | 1995-07-10 | 1996-08-11 | Watkins Johnson Co | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
| TW294820B (en) | 1995-07-10 | 1997-01-01 | Watkins Johnson Co | Gas distribution apparatus |
| JP3862305B2 (ja) | 1995-10-23 | 2006-12-27 | 松下電器産業株式会社 | 不純物の導入方法及びその装置、並びに半導体装置の製造方法 |
| US6170428B1 (en) | 1996-07-15 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
| US5788778A (en) | 1996-09-16 | 1998-08-04 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source |
| US5939831A (en) | 1996-11-13 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications |
| US5812403A (en) | 1996-11-13 | 1998-09-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaning surfaces in a substrate processing system |
| US5844195A (en) | 1996-11-18 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source |
| US6055927A (en) | 1997-01-14 | 2000-05-02 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology |
| US5843239A (en) | 1997-03-03 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Two-step process for cleaning a substrate processing chamber |
| US6039834A (en) | 1997-03-05 | 2000-03-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source |
| US6125859A (en) | 1997-03-05 | 2000-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method for improved cleaning of substrate processing systems |
| US6109206A (en) | 1997-05-29 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source for chamber cleaning |
| US6079426A (en) * | 1997-07-02 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for determining the endpoint in a plasma cleaning process |
| US8075789B1 (en) | 1997-07-11 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning source having reduced reactivity with a substrate processing chamber |
| US6379575B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Treatment of etching chambers using activated cleaning gas |
| TW452606B (en) | 1997-12-05 | 2001-09-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Method for cleaning inside of chamber using RF plasma |
| US6060400A (en) | 1998-03-26 | 2000-05-09 | The Research Foundation Of State University Of New York | Highly selective chemical dry etching of silicon nitride over silicon and silicon dioxide |
| US6148832A (en) | 1998-09-02 | 2000-11-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for in-situ cleaning of polysilicon-coated quartz furnaces |
| US6374831B1 (en) * | 1999-02-04 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Accelerated plasma clean |
| US20020033183A1 (en) | 1999-05-29 | 2002-03-21 | Sheng Sun | Method and apparatus for enhanced chamber cleaning |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| KR100467082B1 (ko) | 2000-03-02 | 2005-01-24 | 주성엔지니어링(주) | 반도체소자 제조장치 및 그 클리닝방법 |
| US6329297B1 (en) | 2000-04-21 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dilute remote plasma clean |
| US6387207B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber |
| US6418874B1 (en) | 2000-05-25 | 2002-07-16 | Applied Materials, Inc. | Toroidal plasma source for plasma processing |
| US6835278B2 (en) | 2000-07-07 | 2004-12-28 | Mattson Technology Inc. | Systems and methods for remote plasma clean |
| US6450117B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Directing a flow of gas in a substrate processing chamber |
| US6584987B1 (en) | 2001-03-16 | 2003-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for improved cleaning in HDP-CVD process with reduced NF3 usage |
| US7159597B2 (en) * | 2001-06-01 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Multistep remote plasma clean process |
| US20040045577A1 (en) * | 2002-09-10 | 2004-03-11 | Bing Ji | Cleaning of processing chambers with dilute NF3 plasmas |
| US20050258137A1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-11-24 | Sawin Herbert H | Remote chamber methods for removing surface deposits |
| US20060266288A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Applied Materials, Inc. | High plasma utilization for remote plasma clean |
| US20090090382A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Asm Japan K.K. | Method of self-cleaning of carbon-based film |
| US7964040B2 (en) | 2007-11-08 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Multi-port pumping system for substrate processing chambers |
-
2009
- 2009-07-23 US US12/508,381 patent/US7967913B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-07 WO PCT/US2009/059878 patent/WO2010047953A2/en active Application Filing
- 2009-10-07 KR KR1020117011608A patent/KR101146063B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-10-07 CN CN2009801522114A patent/CN102265387A/zh active Pending
- 2009-10-07 JP JP2011533219A patent/JP2012506637A/ja active Pending
- 2009-10-22 TW TW098135817A patent/TW201023235A/zh unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085418A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-03-30 | Applied Materials Inc | 処理チャンバのための遠隔式プラズマクリーニング方法 |
| JP2007284793A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Asm Japan Kk | 炭素質膜のセルフクリーニング方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140038312A (ko) * | 2012-09-20 | 2014-03-28 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
| KR101630016B1 (ko) * | 2012-09-20 | 2016-06-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
| US9653326B2 (en) | 2012-09-20 | 2017-05-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of cleaning, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
| JP2022045355A (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-18 | ユ－ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理装置及び基板処理装置の運用方法 |
| JP7288702B2 (ja) | 2020-09-08 | 2023-06-08 | ユ－ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理装置及び基板処理装置の運用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102265387A (zh) | 2011-11-30 |
| WO2010047953A3 (en) | 2010-06-17 |
| US20100095979A1 (en) | 2010-04-22 |
| WO2010047953A2 (en) | 2010-04-29 |
| US7967913B2 (en) | 2011-06-28 |
| KR101146063B1 (ko) | 2012-05-14 |
| KR20110084265A (ko) | 2011-07-21 |
| TW201023235A (en) | 2010-06-16 |
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| US6843858B2 (en) | Method of cleaning a semiconductor processing chamber | |
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| US20090004877A1 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
| US20080268644A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus | |
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