JP2012248882A - 改良高電圧キャパシタ - Google Patents
改良高電圧キャパシタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012248882A JP2012248882A JP2012179900A JP2012179900A JP2012248882A JP 2012248882 A JP2012248882 A JP 2012248882A JP 2012179900 A JP2012179900 A JP 2012179900A JP 2012179900 A JP2012179900 A JP 2012179900A JP 2012248882 A JP2012248882 A JP 2012248882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- shield
- layers
- ceramic capacitor
- active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title abstract description 53
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- -1 generally Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
【課題】高耐破壊電圧をもち、弧絡の発生を最小限に抑えたキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】積層セラミックコンポーネントの製造方法において、複数の電極層及び誘電体層でセラミックキャパシタ本体を形成し、複数の前記電極層が、複数の能動電極の複数層及び複数のシールド電極の複数層を構成して、そして、第一の能動電極と第二の能動電極とを互いに交互に配置した前記能動電極の複数層を構成し、シールド電極の複数層が、上部内部電極シールド及びそれに対向する下部内部電極シールドを有し、前記上部内部電極シールド及び対向する前記下部内部電極シールドが前記能動電極に対面して存在し、且つ、それぞれの前記電極シールドが、対応する前記外部端子に向かって内向きに延長して、さらに付加的なシールド作用を提供するために、複数の前記能動電極に対向する両側部に複数の側部シールドの複数層をさらに構成する。
【選択図】図6
【解決手段】積層セラミックコンポーネントの製造方法において、複数の電極層及び誘電体層でセラミックキャパシタ本体を形成し、複数の前記電極層が、複数の能動電極の複数層及び複数のシールド電極の複数層を構成して、そして、第一の能動電極と第二の能動電極とを互いに交互に配置した前記能動電極の複数層を構成し、シールド電極の複数層が、上部内部電極シールド及びそれに対向する下部内部電極シールドを有し、前記上部内部電極シールド及び対向する前記下部内部電極シールドが前記能動電極に対面して存在し、且つ、それぞれの前記電極シールドが、対応する前記外部端子に向かって内向きに延長して、さらに付加的なシールド作用を提供するために、複数の前記能動電極に対向する両側部に複数の側部シールドの複数層をさらに構成する。
【選択図】図6
Description
積層セラミックキャパシタの場合、一般に、セラミック誘電体材料層と導電性電極層とを交互に有する。各種の誘電体材料が使用でき、また各種の物理的構成が使用されてきている。高電圧性能のキャパシタは、ここ何年もの間、“直列設計”を利用して製造されている。直列の設計の場合、図1に独立した浮動電極について示すように、浮動電極と、両側の端子に接続した電極との間に電荷を蓄積する。これは、電極が異なる端子に交互に接続し、電荷をこれら電極間に蓄積する、図2に示す標準キャパシタ設計に匹敵するものである。これら設計のキャパシタンスは、次式によって与えられる。
C=∈o∈rAN/T
ただし、Cはキャパシタンス、単位F、
∈oは自由空間の誘電率=8.854×10−12Fm−1、
∈rはセラミック材料の誘電率、材料依存無次元定数、
Aは電極の実効重なり面積、単位m2、
Nは電極数−1、
Тは層分離セラミックの焼成有効厚さである。
ただし、Cはキャパシタンス、単位F、
∈oは自由空間の誘電率=8.854×10−12Fm−1、
∈rはセラミック材料の誘電率、材料依存無次元定数、
Aは電極の実効重なり面積、単位m2、
Nは電極数−1、
Тは層分離セラミックの焼成有効厚さである。
ところが、直列設計の場合、実効重なり面積はかなり減少する。直列設計は、電極に作用する内部電圧が独立した浮動電極について半減する作用効果がある。さらに、浮動電極を分離し、一層当たりの浮動電極を2つ以上にすると、内部電圧を下げることが可能になるが、実効重なり面積が狭くなり、キャパシタンスが低くなる。図3に、27ロットのケースサイズ1812MLCC,47nF±10%標準設計および同数のケースサイズ1812、22nF±10%の独立した浮動電極直列設計に関する平均破壊電圧(n=50)を示す。いずれの場合も、電極を分離する焼成有効厚さは0.0023インチ、58μmで、全厚さは、標準設計では0.051±0.003インチ(1.30±0.08mm)、そして直列キャパシタでは0.068±0.003インチ(1.73±0.08mm)である。これら1812ケースサイズキャパシタの場合、長さ寸法および幅寸法はそれぞれ0.177±0.010インチ(4.50±0.25mm)および0.126±0.008インチ(3.20±0.20mm)であった。図4および図5にそれぞれ1812標準設計および独立した電極直列設計の横断面を示す。
これらMLCCの耐内部電圧性に加えて、これらパーツがキャパシタ端子からの弧絡に対しても耐性をもっていることが重要である。McLarneyを発明者とするUSP4,731,697には、レーザートリミング加工を必要とする弧絡を未然に防止するために、周縁部を誘電体層で被覆した表面電極が開示されている。ここで注意すべきは、露出電極が腐食しがちなことである。また、露出電極の特性が湿度などの環境要因によって大きな影響を受け、キャパシタの利用用途が制限されることである。
Duvaを発明者とするUSP6,627,509には、積層セラミックキャパシタの表面にパラポリキシリレンコーティングを被覆した後、余分な材料を端子からトリミング加工することによって、表面耐フラッシュオーバー性キャパシタを製造する方法が開示されている。この場合、キャパシタのコーティングコストが高く、さらに、コーティングが回路基盤組み立てプロセスに対処できない場合もある上に、衛星などの一部の電子用途の場合、有機物のコーティングが存在すると、ガス放出があるため利用用途が制限される。
以上説明したように、従来から、高耐破壊電圧をもち、弧絡の発生を最小限に抑えたキャパシタを製造するために多くの試みがあったにもかかわらず、依然として問題が存在している。必要なのは、改良高電圧キャパシタである。
従って、本発明の第1の目的、特徴または作用効果は、従来技術を改良することである。
本発明の第2の目的、特徴または作用効果は、耐弧絡性の積層セラミックキャパシタを提供することである。
本発明の第3の目的、特徴または作用効果は、大気中での破壊電圧の高い積層セラミックキャパシタを提供することである。
本発明の第4の目的、特徴または作用効果は、高いキャパシタンスを保持する設計の積層セラミックキャパシタを提供することである。
本発明の第5の目的、特徴または作用効果は、キャパシタを電子回路に組み込んださいに、弧絡を原因とする望ましくない問題が発生することを最小限に抑えることである。
本発明の第6の目的、特徴または作用効果は、高い耐電圧性をもつ上に、回路を小型化できるようにケースサイズをより小さくしたキャパシタを提供することである。
本発明の第7の目的、特徴または作用効果は、効率よくかつ経済的に製造できる改良キャパシタを提供することである。
本発明のこれら、および/または他の目的、特徴または作用効果のうち一つかそれ以上については、以下の説明および特許請求の範囲の記載から明らかになるはずである。
本発明の第1態様によれば、本発明は、積層セラミックキャパシタコンポーネントを提供するものである。キャパシタコンポーネントは、対向端部をもち、かつ複数の電極層および誘電体層からなるセラミックキャパシタ本体を有する。キャパシタコンポーネントは、さらに、第1外部端子および第2外部端子をセラミックキャパシタ本体に取り付ける。また、キャパシタコンポーネントは、セラミックキャパシタ本体内に複数の内部能動電極を交互に有し、複数の内部能動電極のうち第1電極がセラミックキャパシタ本体の一端から内向きに延長するとともに、次の内部能動電極がセラミックキャパシタ本体の対向端部から内向きに延長するように構成する。また、複数の内部電極シールドをセラミックキャパシタ本体内に設けることによって、耐弧絡性を高くするように構成する。複数の内部電極シールドは、上部の内部電極シールドとこれに対向する下部内部電極シールドからなり、そして上部内部電極シールドおよび対向する下部内部電極シールドが、複数の内部能動電極の両側に存在し、かつ各内部電極シールドが、対応する外部端子に向かって、あるいはこれを超えて内向きに延長し、これによってシールド作用を確保するように構成する。さらに、側部シールドを設ける。各側部シールドは、キャパシタ本体の一端から内向きに延長する。この場合、側部シールドは、能動電極をさらにシールドし、これによって能動電極および端子間の耐弧絡性を高くするように構成する。
本発明の第2態様によれば、本発明は、改良高電圧特性を実現する積層セラミックキャパシタコンポーネントを提供するものである。キャパシタは、対向端部をもち、かつ複数の電極層および誘電体層からなるセラミックキャパシタ本体を有する。第1外部端子および第2外部端子をセラミックキャパシタ本体に取り付ける。複数の電極層は、第1端子に向かって、あるいはこれを超えて内向きに延長する電極シールドをもつ上部層、第2端子に向かって、あるいはこれを超えて内向きに延長する電極シールドをもつ下部層、およびセラミックキャパシタ本体の交互端部から内向きに延長する複数の交互層の能動電極からなる。交互層の能動電極はそれぞれ側部シールドを有する。
本発明の第3態様によれば、本発明は、積層セラミックコンポーネントの製造方法を提供するものである。本発明の製造方法では、複数の電極層および誘電体層からセラミックキャパシタ本体を形成し、セラミックキャパシタ本体の対向端部に第1外部端子および第2外部端子を取り付ける。複数の電極層は、能動電極層およびシールド電極層からなり、能動電極層を交互に構成し、複数の能動電極層のうち第1能動電極層がセラミックキャパシタ本体の一端から内向きに延長するとともに、次の内部能動電極層がセラミックキャパシタ本体の対向端部から内向きに延長するように構成する。電極シールド層は、上部内部電極シールドおよび対向する下部内部電極シールドからなり、上部内部電極シールドおよび対向する下部内部電極シールドが複数の能動電極の対向側部に存在し、各電極シールドが対応する外部端子に向かって、あるいはこれを超えて内向きに延長して、シールド作用を実現するように構成する。また、能動電極層は、能動電極の対向側部において側部シールド層をもち、これによって付加的なシールド作用を実現する。
本発明の新規な内部電極の構成により、大気中において非常に高い耐電圧破壊性を示す、耐弧絡性積層セラミックキャパシタを実現できる。さらに、高いキャパシタンスを保持できる。本発明を理解しやすくするために、3つの設計構成例およびMLCC性能のそれぞれを説明し、次に、各実施例のより詳しい説明を図面について行う。設計構成例およびMLCC性能について、以下の実施例によって説明する。
実施例1
製造MLCCX7R材料系C−153を使用して、標準ケースサイズ1206キャパシタ設計構成例を製造した。
製造MLCCX7R材料系C−153を使用して、標準ケースサイズ1206キャパシタ設計構成例を製造した。
実施例2
製造MLCCX7R材料系C−153を使用し、シールド電極を上下層としたケースサイズ1206キャパシタ設計構成例を製造した。これらシールド電極は、逆極性の端子と内部電極との間に、あるいは逆極性の端子間のキャパシタの上面または底面間に弧絡が発生することを防止することを目的とする。このため、必要なのは、下の能動電極が逆極性をもつ場合にのみ一つのシールド電極を存在させることである。なお、キャパシタの上下部の端子領域両者をシールドすることによって異なる値のキャパシタを製造する過程で、異なる数の電極に対してスクリーンを変更する必要がないため、生産性が向上する。
製造MLCCX7R材料系C−153を使用し、シールド電極を上下層としたケースサイズ1206キャパシタ設計構成例を製造した。これらシールド電極は、逆極性の端子と内部電極との間に、あるいは逆極性の端子間のキャパシタの上面または底面間に弧絡が発生することを防止することを目的とする。このため、必要なのは、下の能動電極が逆極性をもつ場合にのみ一つのシールド電極を存在させることである。なお、キャパシタの上下部の端子領域両者をシールドすることによって異なる値のキャパシタを製造する過程で、異なる数の電極に対してスクリーンを変更する必要がないため、生産性が向上する。
実施例3
製造MLCCX7R材料系C−153を使用し、上下のシールド電極に加えて、能動電極の両側に側部シールド電極を設けた、ケースサイズ1206キャパシタ設計構成例を製造した。これら側部シールド電極は、逆極性の端子と異なる内部電極との間に、あるいは逆極性の端子間のキャパシタの側部間に弧絡が発生することを防止することを目的とする。上下の側部シールド電極については、各側部に2つの側部シールド電極を使用したが、必要なのは、逆極性の端子に対して各層の側部に一つの側部シールド電極を設けることである。各側部に2つの側部シールド電極を設けると、電極積層体の位置合わせを正確に確認できる。
製造MLCCX7R材料系C−153を使用し、上下のシールド電極に加えて、能動電極の両側に側部シールド電極を設けた、ケースサイズ1206キャパシタ設計構成例を製造した。これら側部シールド電極は、逆極性の端子と異なる内部電極との間に、あるいは逆極性の端子間のキャパシタの側部間に弧絡が発生することを防止することを目的とする。上下の側部シールド電極については、各側部に2つの側部シールド電極を使用したが、必要なのは、逆極性の端子に対して各層の側部に一つの側部シールド電極を設けることである。各側部に2つの側部シールド電極を設けると、電極積層体の位置合わせを正確に確認できる。
以上の3実施例の設計構成および電極パターンを図6に示す。これら実施例では、銀ペーストを焼成した厚膜からなる端子を使用し、これら端子の上にニッケル、次にスズを使用してメッキ処理した。各パーツを1000V Hi−Potでスクリーン処理し、IR検査した。図7に示すように、平均キャパシタンス(n=100)および寸法(n=5)を測定した。
図7から理解できるように、電極数−1(N)は、3実施例でほぼ同じで、27±1である。また、層分離セラミックの焼成有効厚さ(T)も3実施例で同じであり、すべてのキャパシタを製造するために同じセラミック材料系を使用しているため、誘電率(∈r)は同じである。キャパシタンスに影響する唯一の変数は、従って、電極の実効重なり面積(A)である。実施例3の場合、側部シールドが存在するため、実効重なり面積は小さい。実施例1、2、3の実際の横断面を、図12Aおよび図12B(実施例1)、図13Aおよび図13B(実施例2)、図14Aおよび図14B(実施例3)に示す。
EIA198−2−Eの方法103に従って500V/sのランプ速度で電圧を印加することによって実施例1、2、3の50個のキャパシタをサンプルとして故障率を試験した。結果を図11に示す。試験に使用した試験装置は、Associated Research 7512DT HiPotであった。図11のデータは、弧絡および/または物理的破壊を含む絶縁破壊電圧レベルを表す。IR試験後、実施例1の絶縁抵抗(IR)故障率は13/50であり、実施例2および3はそれぞれ48/50および50/50IR故障率で、実施例3の場合、弧絡による故障は発生していなかった。また、電圧を印加して繰り返し弧絡を発生させると、最終的にIR故障が発生することを理解することが重要である。
同様に理解できるように、実施例1〜3の中では実施例3が、平均破壊電圧が最も高く>2.5kVである。実施例3の1206ケースサイズキャパシタの破壊電圧およびキャパシタンスは、従来技術に関して説明した1812 1000V定格の独立した浮動電極直列キャパシタと同様である。従って、実施例3のキャパシタを用いると、高電圧に対処する必要がある回路をかなり小型化することができる。
図1に、従来のキャパシタ設計例を示す。図1において、キャパシタ10は、キャパシタ本体16の両端に第1端子12およびこれに対向する第2端子14をもつ。図示のように、浮動電極18を設ける。図2に、別な従来のキャパシタ設計例を示す。図2では、浮動電極の代わりに、電極を交互に配設する。図3に、直列設計例と標準設計例との比較を示す。特に、図3には、27ロットのケースサイズ1812MLCC、47nF±10%標準設計例および同数のケースサイズ1812、22nF±10%の独立した浮動電極直列設計例に関する平均破壊電圧(n=50)を示す。いずれの場合も、電極を分離する焼成有効厚さは0.0023インチ、58μmで、全厚さは、標準設計例では0.051±0.003インチ(1.30±0.08mm)、そして直列キャパシタでは0.068±0.003インチ(1.73±0.08mm)である。これら1812ケースサイズキャパシタの場合、長さ寸法および幅寸法はそれぞれ0.177±0.010インチ(4.50±0.25mm)および0.126±0.008インチ(3.20±0.20mm)であった。図4A〜4Bおよび図5A〜5Bにそれぞれ1812標準設計例および独立した電極直列設計例の横断面を示す。
図6は、3つの異なるキャパシタ設計例を示す表である。第1実施例は、比較を目的とした標準設計例である。第2実施例は、上下シールドを使用した本発明の一実施態様である。第3実施例は、上下シールドだけでなく、側部シールドを使用した本発明の別な実施態様である。
図6に示すように、標準設計例では、キャパシタの焼成有効厚さは0.0020インチ、即ち51μmである。標準設計例は、26個の能動電極からなる。上下シールド設計例でも、キャパシタの焼成有効厚さは0.0020インチ、即ち51μmである。上下および側部シールド設計例の場合、キャパシタの焼成有効厚さは0.0020インチ、即ち51μmである。上下および側部シールド設計例は、28個の能動電極からなる。
図6には、各種の設計例に対処できる電極レイアウトも示す。標準設計によれば、第1電極20を設け、これに対して第2電極22を互い違いに設ける。第3電極24については、第1電極20と位置を合わせ、また第4電極26については、第2電極22と位置を合わせる。電極を互い違いに配置するこの交互パターンが、第2電極から最後から一つ手前の電極N−1、そして最後の電極30まで続く。
上下シールド設計例では、第1電極層は、第1上部シールド32および第2上部シールド34、そして第1下部シールド36および第2下部シールド38を有する。特に留意すべきは、第1上部シールド32と第2下部シールド38のみが能動であり、他のシールドについては別に設ける必要はないことである。第1上部シールド32および第2下部シールド38は逆極性の端子からの弧絡の発生を防止するために必要であり、そしてシールド34、36は製造上の都合から配置する。
上下シールドおよび側部シールド実施態様では、第1上部シールド32および第2上部シールド34だけでなく第1下部シールド36および第2下部シールド38を設ける。各能動電極について、側部シールド40、42、44、46、48、50、52、54、56、58、60、62、64、66、68、および70が存在する。側部シールド40、42、52、54、56、58、68、および70は逆極性の端子から発生する弧絡から内側能動電極を保護するために必要であるが、他の側部シールドについては、パーツ内の電極位置合わせを試験するために設ける。
図6の設計例については、さらに、図8A〜図10Bに示す。図8Aは実施例1(標準設計例)の横断面を示す側面図であり、そして図8Bは実施例1の横断面を示す端面図である。図8Aに示す積層セラミックキャパシタコンポーネント48は、積層セラミックキャパシタコンポーネント16の対向端部に第1端子12および第2端子14がある。セラミックキャパシタ本体の内部能動電極は交互に配設し、第1内部能動電極20が、セラミックキャパシタ本体の対向端部の端子に向かって内向きにセラミックキャパシタ本体の一端から延長するように構成する。次の内部能動電極22については、セラミック本体の対向端部の端子に向かって内向きにセラミックキャパシタ本体の対向端部から延長するように構成する。図8Bの横断面を示す端面図は、電極を示している。
図9Aは実施例2(上下シールド)の横断面を示す側面図であり、そして図9Bは実施例2の横断面を示す端面図である。図9Aにおいて、積層セラミックキャパシタコンポーネントは50で示す。なお、セラミックキャパシタ本体内に内部電極シールドが存在するため、端子と内部電極との間に耐弧絡性を確保できる。図示の内部電極シールドは、上部内部電極シールド32および対向する下部内部電極シールド38を有する。上部内部電極シールド32および対向する下部内部電極シールド38は、積層セラミックキャパシタ本体16の対向側に存在する。各内部電極シールド32、38は、対応する端子12、14に向かって、あるいはこれを超えて内向きに延長し、これによってシールド作用を確保する。既に説明したように、別に構造体34、36を設けてあるが、これらは、端子の極性による実際のシールド作用を与えるものではないため、設ける必要はない。いずれも、製造上の都合により設けるものである。
図10Aは実施例3(上下シールドおよび側部シールド)の横断面を示す側面図であり、そして図10Bは実施例3の横断面を示す端面図である。図10Aの積層セラミックキャパシタ60は上部シールド32およびこれに対向する下部シールド38だけでなく、側部シールドを有する。側部シールドの最良の形態は、キャパシタの横断面図である図10Bに示してある。この実施例における側部シールドは、横断面の深さに依存する。なお、側部シールドは40、42、48、および50で示す。
図7は、標準設計例と本発明の2つの設計例との比較を示す表であり、図6のキャパシタ設計例の平均キャパシタンスおよび寸法を示す表である。
図11に、実施例1、2、および3の破壊電圧を示す。なお、図11に示すように、上下シールド実施態様(実施例2)は、標準設計例(実施例1)と比較して、破壊電圧が高い。上下シールドおよび側部シールド実施態様(実施例3)は、破壊電圧がさらに高い。即ち、本発明は、1,000V、1,500V、2,000V、2,500V以上の、場合によっては3,000V以上の破壊電圧をもつ積層セラミックキャパシタを製造するために使用できる。
以上、改良高電圧キャパシタについて説明してきた。本発明は、以上説明してきた具体的な実施態様に制限を受けるものではない。例えば、本発明は、使用する誘電体のタイプ、使用する導体のタイプ、サイズ、寸法、パッケージ化方法などにおいて広いオプションをもつものである。
10:キャパシタ、
12:第1端子、
14:第2端子、
16:キャパシタ本体、
20:第1電極、
22:第2電極、
24:第3電極、
26:第4電極、
30:最後の電極、
32:第1シールド、
34:第2シールド、
40、42、44、46、48、50、52、54、56、58、60、62、64、6
6、68、70:側部シールド。
12:第1端子、
14:第2端子、
16:キャパシタ本体、
20:第1電極、
22:第2電極、
24:第3電極、
26:第4電極、
30:最後の電極、
32:第1シールド、
34:第2シールド、
40、42、44、46、48、50、52、54、56、58、60、62、64、6
6、68、70:側部シールド。
Claims (9)
- 積層セラミックコンポーネントの製造方法において、
複数の電極層及び誘電体層でセラミックキャパシタ本体を形成し、
前記セラミックキャパシタ本体の対向端部に第1及び第2外部端子を取り付け、
破壊電圧の高電圧化を補うために前記セラミックキャパシタ本体をコーティングし、
複数の前記電極層が、複数の能動電極の複数層及び複数のシールド電極の複数層を構成して、そして、
前記セラミックキャパシタ本体の一端から内向きに延長する複数の第一の能動電極、および、前記セラミックキャパシタ本体の対向端部から内向きに延長して内側に複数の第二の能動電極があり、前記第一の能動電極と前記第二の能動電極とを互いに交互に配置した前記能動電極の複数層を構成し、
前記シールド電極の複数層が、上部内部電極シールド及びそれに対向する下部内部電極シールドを有し、
前記上部内部電極シールド及び対向する前記下部内部電極シールドが前記能動電極に対面して存在し、且つ、それぞれの前記電極シールドが、シールド作用を提供するために、対応する前記外部端子に向かって内向きに延長して、
付加的なシールド作用を提供するために、複数の前記能動電極の複数層が、複数の前記能動電極に対向する両側部に複数の側部シールドの複数層をさらに構成することを特徴とする製造方法。
- 前記コーティングが、前記セラミックキャパシタ本体の外表面にポリイミドを埋設する請求項1に記載の製造方法。
- 前記コーティングが、回転塗布である請求項1に記載の製造方法。
- 積層セラミックコンポーネントの製造方法において、
複数の電極層及び誘電体層でセラミックキャパシタ本体を形成し、
前記セラミックキャパシタ本体の対向端部に第1及び第2外部端子を取り付け、
前記セラミックキャパシタ本体をコーティングして、
複数の前記電極層が、複数の能動電極の複数層及び複数のシールド電極の複数層を構成して、そして、
前記セラミックキャパシタ本体の一端から内向きに延長する複数の第一の能動電極、および、前記セラミックキャパシタ本体の対向端部から内向きに延長して内側に複数の第二の能動電極があり、前記第一の能動電極と前記第二の能動電極とを互いに交互に配置した前記能動電極の複数層を構成し、
シールド作用を提供するために、複数の前記能動電極の複数層が、複数の前記能動電極に対向する両側部に複数の側部シールドの複数層をさらに構成することを特徴とする製造方法。
- 前記コーティングが、前記セラミックキャパシタ本体の外表面にポリイミドを埋設する請求項4に記載の製造方法。
- 前記コーティングが、回転塗布である請求項4に記載の製造方法。
- 積層セラミックコンポーネントの製造方法において、
複数の電極層及び誘電体層でセラミックキャパシタ本体を形成し、
前記セラミックキャパシタ本体の対向端部に第1及び第2外部端子を取り付け、
破壊電圧の高電圧化を補うために前記セラミックキャパシタ本体をコーティングして、
複数の前記電極層が、複数の能動電極の複数層及び複数のシールド電極の複数層を構成して、そして、
前記セラミックキャパシタ本体の一端から内向きに延長する複数の第一の能動電極、および、前記セラミックキャパシタ本体の対向端部から内向きに延長して内側に複数の第二の能動電極があり、前記第一の能動電極と前記第二の能動電極とを互いに交互に配置した前記能動電極の複数層を構成し、
前記シールド電極の複数層が、上部内部電極シールド及びそれに対向する下部内部電極シールドを有し、
前記上部内部電極シールド及び対向する前記下部内部電極シールドが、前記能動電極に対面して存在し、且つ、それぞれの前記電極シールドが、シールド作用を提供するために、対応する前記外部端子に向かって内向きに延長して、
付加的なシールド作用を提供するために、前記複数の能動電極の複数層が、複数の側部シールドをさらに構成することを特徴とする製造方法。
- 積層セラミックコンポーネントの製造方法において、
複数の電極層及び誘電体層でセラミックキャパシタ本体を形成し、
前記セラミックキャパシタ本体の対向端部に第1及び第2外部端子を取り付け、
破壊電圧の高電圧化を補うために前記セラミックキャパシタ本体をコーティングして、
複数の前記電極層が、複数の能動電極及び複数のシールド電極を構成して、そして、
前記セラミックキャパシタ本体の一端から内向きに延長する複数の第一の能動電極、および、前記セラミックキャパシタ本体の対向端部から内向きに延長した複数の第二の能動電極であり、前記第一の能動電極と前記第二の能動電極とを互いに交互に配置した前記能動電極を構成し、
シールド作用を提供するために、前記複数の能動電極の複数層が、複数の側部シールドをさらに構成することを特徴とする製造方法。
- 積層セラミックコンポーネントの製造方法において、
複数の電極層及び誘電体層でセラミックキャパシタ本体を形成し、
前記セラミックキャパシタ本体の対向端部に第1及び第2外部端子を取り付け、
破壊電圧の高電圧化を補うために前記セラミックキャパシタ本体をコーティングして、 そして、
前記セラミックキャパシタ本体の一端から内向きに延長する複数の第一の能動電極、および、前記セラミックキャパシタ本体の対向端部から内向きに延長して内側に複数の第二の能動電極があり、前記第一の能動電極と前記第二の能動電極とを互いに交互に配置した複数の能動電極層を含む複数の電極層を構成し、
付加的なシールド作用を提供するために、前記能動電極層が、複数の側部シールドをさらに構成することを特徴とする製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/359,711 US7336475B2 (en) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | High voltage capacitors |
US11/359,711 | 2006-02-22 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012060772A Division JP2012142596A (ja) | 2006-02-22 | 2012-03-16 | 改良高電圧キャパシタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012248882A true JP2012248882A (ja) | 2012-12-13 |
Family
ID=38427954
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008556297A Expired - Fee Related JP5043046B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-06-15 | 改良高電圧キャパシタ |
JP2012060772A Pending JP2012142596A (ja) | 2006-02-22 | 2012-03-16 | 改良高電圧キャパシタ |
JP2012179900A Pending JP2012248882A (ja) | 2006-02-22 | 2012-08-14 | 改良高電圧キャパシタ |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008556297A Expired - Fee Related JP5043046B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-06-15 | 改良高電圧キャパシタ |
JP2012060772A Pending JP2012142596A (ja) | 2006-02-22 | 2012-03-16 | 改良高電圧キャパシタ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7336475B2 (ja) |
EP (1) | EP1987524A4 (ja) |
JP (3) | JP5043046B2 (ja) |
KR (1) | KR100991311B1 (ja) |
CN (2) | CN101523528B (ja) |
HK (1) | HK1136084A1 (ja) |
TW (1) | TWI319884B (ja) |
WO (1) | WO2007117257A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10999545B2 (en) | 2014-12-18 | 2021-05-04 | Sony Corporation | Solid-state image sensor, imaging device, and electronic device |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8238075B2 (en) * | 2006-02-22 | 2012-08-07 | Vishay Sprague, Inc. | High voltage capacitors |
US7336475B2 (en) * | 2006-02-22 | 2008-02-26 | Vishay Vitramon, Inc. | High voltage capacitors |
DE102007044453A1 (de) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
US7545626B1 (en) | 2008-03-12 | 2009-06-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor |
EP2107578B1 (en) * | 2008-03-31 | 2016-05-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd | Multi-layer ceramic capacitor |
US8125762B2 (en) * | 2008-08-11 | 2012-02-28 | Vishay Sprague, Inc. | High voltage capacitors |
US20100188799A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Avx Corporation | Controlled esr low inductance capacitor |
CN102473522A (zh) | 2009-07-01 | 2012-05-23 | 凯米特电子公司 | 具有高电压容量的高电容多层 |
TWI478186B (zh) * | 2009-08-11 | 2015-03-21 | Hermes Epitek Corp | 耐高壓電極結構及其製造方法 |
JP2011151224A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP5672162B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2015-02-18 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
DE102011010611A1 (de) | 2011-02-08 | 2012-08-09 | Epcos Ag | Elektrisches Keramikbauelement mit elektrischer Abschirmung |
TW201234394A (en) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | Yageo Corp | Multi-layer varistor component |
CN102543429A (zh) * | 2012-03-01 | 2012-07-04 | 广东风华邦科电子有限公司 | 一种高压陶瓷电容器 |
KR101761936B1 (ko) * | 2012-03-13 | 2017-07-26 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 |
DE112013001679B4 (de) | 2012-03-26 | 2023-03-09 | Kemet Electronics Corporation | Asymmetrischer Hochspannungskondensator |
DE102012104033A1 (de) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | Epcos Ag | Keramischer Vielschichtkondensator |
JP2014027255A (ja) | 2012-06-22 | 2014-02-06 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品及びセラミック電子装置 |
KR101452049B1 (ko) * | 2012-11-09 | 2014-10-22 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터, 적층 세라믹 커패시터의 회로 기판 실장 구조 및 적층 세라믹 커패시터의 포장체 |
JP6459717B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-01-30 | Tdk株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
TWI580141B (zh) * | 2016-04-27 | 2017-04-21 | Inpaq Technology Co Ltd | 積層式電子衝擊保護電磁干擾濾波元件及其製造方法 |
US10410794B2 (en) * | 2016-07-11 | 2019-09-10 | Kemet Electronics Corporation | Multilayer ceramic structure |
CN111886663B (zh) | 2018-03-06 | 2022-11-04 | 京瓷Avx元器件公司 | 具有超宽带性能的多层陶瓷电容器 |
CN114709075A (zh) * | 2018-03-06 | 2022-07-05 | 京瓷Avx元器件公司 | 具有超宽带性能的多层陶瓷电容器 |
JP7437871B2 (ja) * | 2018-08-23 | 2024-02-26 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
US11195656B2 (en) | 2019-01-28 | 2021-12-07 | Avx Corporation | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance |
US11361907B2 (en) | 2019-01-28 | 2022-06-14 | KYOCERA AVX Components Corporation | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance |
US11270842B2 (en) | 2019-01-28 | 2022-03-08 | KYOCERA AVX Components Corporation | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance |
WO2020159809A1 (en) | 2019-01-28 | 2020-08-06 | Avx Corporation | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance |
US11211201B2 (en) | 2019-01-28 | 2021-12-28 | Avx Corporation | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance |
US11705280B2 (en) | 2019-04-25 | 2023-07-18 | KYOCERA AVX Components Corporation | Multilayer capacitor having open mode electrode configuration and flexible terminations |
KR20190116128A (ko) * | 2019-07-05 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
US11670453B2 (en) * | 2020-07-20 | 2023-06-06 | Knowles UK Limited | Electrical component having layered structure with improved breakdown performance |
KR102594641B1 (ko) * | 2020-12-09 | 2023-10-26 | 삼화콘덴서공업주식회사 | Eos 강화형 적층 세라믹 콘덴서 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3683469A (en) * | 1970-08-14 | 1972-08-15 | Zenith Radio Corp | Method of fabricating multilayer ceramic capacitors |
FR2452169A1 (fr) * | 1979-03-23 | 1980-10-17 | Europ Composants Electron | Condensateur ceramique de puissance |
US4731697A (en) * | 1987-05-05 | 1988-03-15 | Avx Corporation | Arc resistant trimable ceramic capacitor |
JPH01281717A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-13 | Murata Mfg Co Ltd | Cr複合部品 |
US4918570A (en) * | 1988-12-20 | 1990-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and its production method |
JP2874380B2 (ja) * | 1991-03-28 | 1999-03-24 | 三菱マテリアル株式会社 | チップ型積層セラミックコンデンサ |
US5657199A (en) * | 1992-10-21 | 1997-08-12 | Devoe; Daniel F. | Close physical mounting of leaded amplifier/receivers to through holes in monolithic, buried-substrate, multiple capacitors simultaneous with electrical connection to dual capacitors otherwise transpiring, particularly for hearing aid filters |
JPH07169649A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Tdk Corp | 積層貫通型コンデンサアレイ |
DE4425815C1 (de) * | 1994-07-21 | 1995-08-17 | Demetron Gmbh | Edelmetallhaltige Resinatpaste zur Herstellung von keramischen Vielschichtkondensatoren |
MY120414A (en) * | 1995-10-03 | 2005-10-31 | Tdk Corp | Multilayer ceramic capacitor |
JPH09180956A (ja) * | 1995-10-03 | 1997-07-11 | Tdk Corp | 積層型セラミックコンデンサ |
JPH09129476A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
JP2000106322A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JP3463161B2 (ja) * | 1998-10-26 | 2003-11-05 | Tdk株式会社 | 積層セラミックチップコンデンサ |
JP3548821B2 (ja) * | 1999-05-10 | 2004-07-28 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ、ならびにこれを用いた電子装置および高周波回路 |
US6515842B1 (en) * | 2000-03-30 | 2003-02-04 | Avx Corporation | Multiple array and method of making a multiple array |
WO2001080256A1 (fr) * | 2000-04-14 | 2001-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Corps stratifie, condensateur, composant electronique, procede et dispositif de fabrication dudit corps stratifie, dudit condensateur et dudit composant electronique |
JP2001358032A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ型電子部品 |
DE10120517B4 (de) * | 2001-04-26 | 2013-06-06 | Epcos Ag | Elektrischer Vielschicht-Kaltleiter und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6760215B2 (en) * | 2001-05-25 | 2004-07-06 | Daniel F. Devoe | Capacitor with high voltage breakdown threshold |
US6627509B2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-09-30 | Delaware Capital Formation, Inc. | Surface flashover resistant capacitors and method for producing same |
CN1459811A (zh) * | 2002-05-22 | 2003-12-03 | 松下电器产业株式会社 | 陶瓷层压器件、通信设备和制造陶瓷层压器件的方法 |
JP2004111608A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JP2004186344A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Kyocera Corp | セラミック積層体及びその製法 |
JP4093188B2 (ja) * | 2003-05-27 | 2008-06-04 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品とその実装構造および実装方法 |
US6940707B2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Differential capacitor, differential antenna element, and differential resonator |
US6842327B1 (en) * | 2003-08-05 | 2005-01-11 | Impinj, Inc. | High-voltage CMOS-compatible capacitors |
JP2005136132A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
US6903918B1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-06-07 | Texas Instruments Incorporated | Shielded planar capacitor |
US7206187B2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-04-17 | Kyocera Corporation | Ceramic electronic component and its manufacturing method |
TWI399765B (zh) * | 2005-01-31 | 2013-06-21 | Tdk Corp | 積層電子零件 |
US7336475B2 (en) * | 2006-02-22 | 2008-02-26 | Vishay Vitramon, Inc. | High voltage capacitors |
-
2006
- 2006-02-22 US US11/359,711 patent/US7336475B2/en active Active - Reinstated
- 2006-06-15 CN CN2006800461162A patent/CN101523528B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-15 EP EP06851267.2A patent/EP1987524A4/en not_active Withdrawn
- 2006-06-15 KR KR1020087014831A patent/KR100991311B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-06-15 CN CN2011103107488A patent/CN102509611A/zh active Pending
- 2006-06-15 JP JP2008556297A patent/JP5043046B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-15 WO PCT/US2006/023338 patent/WO2007117257A1/en active Search and Examination
- 2006-06-20 TW TW095122013A patent/TWI319884B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-08-11 US US12/189,499 patent/US7715173B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-03-02 HK HK10102224.2A patent/HK1136084A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-16 JP JP2012060772A patent/JP2012142596A/ja active Pending
- 2012-08-14 JP JP2012179900A patent/JP2012248882A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10999545B2 (en) | 2014-12-18 | 2021-05-04 | Sony Corporation | Solid-state image sensor, imaging device, and electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102509611A (zh) | 2012-06-20 |
HK1136084A1 (en) | 2010-06-18 |
TWI319884B (en) | 2010-01-21 |
US20090052112A1 (en) | 2009-02-26 |
JP2012142596A (ja) | 2012-07-26 |
CN101523528B (zh) | 2011-12-07 |
KR100991311B1 (ko) | 2010-11-01 |
KR20080081928A (ko) | 2008-09-10 |
US7336475B2 (en) | 2008-02-26 |
US7715173B2 (en) | 2010-05-11 |
TW200733157A (en) | 2007-09-01 |
JP5043046B2 (ja) | 2012-10-10 |
CN101523528A (zh) | 2009-09-02 |
US20070195484A1 (en) | 2007-08-23 |
JP2009527919A (ja) | 2009-07-30 |
EP1987524A4 (en) | 2013-10-30 |
EP1987524A1 (en) | 2008-11-05 |
WO2007117257A1 (en) | 2007-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5043046B2 (ja) | 改良高電圧キャパシタ | |
US8238075B2 (en) | High voltage capacitors | |
US9087648B2 (en) | Asymmetric high voltage capacitor | |
US8125762B2 (en) | High voltage capacitors | |
KR20180009997A (ko) | 커패시터 및 그 실장 기판 | |
CN102473522A (zh) | 具有高电压容量的高电容多层 | |
JP5733836B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
KR101963283B1 (ko) | 커패시터 부품 | |
KR20160044338A (ko) | 칩 부품 | |
JP2021044592A (ja) | 積層型キャパシタ | |
KR20180070866A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
KR20150019732A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판 | |
KR20140128099A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 실장 기판 | |
US11017953B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component | |
KR20180068911A (ko) | 커패시터 및 그 실장 기판 | |
CN112151273A (zh) | 多层陶瓷电子组件 | |
KR20190044034A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 | |
KR102004784B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 그 실장기판 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131224 |