CN1459811A - 陶瓷层压器件、通信设备和制造陶瓷层压器件的方法 - Google Patents

陶瓷层压器件、通信设备和制造陶瓷层压器件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1459811A
CN1459811A CN03136233.8A CN03136233A CN1459811A CN 1459811 A CN1459811 A CN 1459811A CN 03136233 A CN03136233 A CN 03136233A CN 1459811 A CN1459811 A CN 1459811A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic layer
electrode
inner body
layered product
voltage device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN03136233.8A
Other languages
English (en)
Inventor
前川智哉
繁村广志
谷口文彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1459811A publication Critical patent/CN1459811A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20336—Comb or interdigital filters
    • H01P1/20345—Multilayer filters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3298—Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/62—Forming laminates or joined articles comprising holes, channels or other types of openings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24893—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including particulate material
    • Y10T428/24909—Free metal or mineral containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

近年来，由于人们致力于使高频无线设备(例如便携式电话)小型化，陶瓷层压器件成为关注的焦点。但是，对于传统陶瓷层压器件，很难在保持良好高频特性的同时保证可靠性。本发明提供了一种陶瓷层压器件，包括强化电极40，其形成在层压体1内，层压体1中层叠了多个陶瓷层4、多个内电极2和夹层通孔3，其未与内电极2和夹层通孔3电连接，但是与陶瓷层4机械相连。

Description

陶瓷层压器件、通信设备和制造陶瓷层压器件的方法
技术领域
本发明涉及一种用于高频无线电设备(例如便携式电话)的陶瓷层压器件、通信设备以及制造陶瓷层压器件的方法。
背景技术
近年来，由于人们致力于使高频无线电设备(例如便携式电话)小型化，陶瓷层压器件成为关注的焦点。
下面将参照图13说明一种传统的用于高频无线电设备的陶瓷层压器件(例如日本专利公开号10-303068)的构造。
顺带提一下，日本专利公开号10-303068所披露的内容在此全部并入作为参考。
图13是传统陶瓷层压器件的示意性透视图。
传统陶瓷层压器件具有陶瓷层61和电极图形62交替层叠的结构。
固定在层压体63中的电极图形62构成高频电路，并通过夹层通孔64相互电连接。
另外，在层压体63的顶表面和底表面制成了屏蔽电极65a、65b以将其与外界屏蔽。
另外，在层压体63的右端面和左端面上制成了末端电极66a、66b以及接线端电极67a、67b，末端电极66a、66b与屏蔽电极65a、65b电连接，从而形成接地接线端，接线端电极67a、67b形成输入/输出接线端，从而能够从/向外界输入/输出电信号。
具有上述构造的传统陶瓷层压器件被安装在印刷电路板上，方法是将接地电极(未示出)焊接在末端电极66a、66b上，并将设在印刷电路板上的高频信号电极(未示出)焊接在接线端电极67a、67b上。
但是，在传统陶瓷层压器件的这种构造中，用作陶瓷层61的低温烧结陶瓷通常具有较小的耐折度。这使陶瓷层61、末端电极66a和66b以及接线端电极67a和67b之间通过烧结的连接强度变低。
结果，在将其安装在印刷电路板上后进行可靠性测试(尤其是坠落测试)时，(1)层压体63可能会从印刷电路板上脱落，或者(2)印刷电路板、末端电极66a和66b以及接线端电极67a和67b之间的接合处可能出现裂缝。
另外，对于传统陶瓷层压器件，当半导体元件(半导体裸片)、(声表面波)SAW滤波器、分立元件等被焊接在形成在层压体63上的屏蔽电极65b上时，焊料接点可以会被削弱。
因此，对于传统陶瓷层压器件，很难在保持良好高频特性的同时保证可靠性。
本发明着眼于解决上述现有技术问题，本发明的目的是提供一种陶瓷层压器件、通信设备和制造陶瓷层压器件的方法，其能够在保持良好高频特性的同时保证可靠性。
发明内容
本发明提供了一种陶瓷层压器件，包括在层压体内形成的内部零件，层压体中层叠了多个陶瓷层和多个电极层，其中所述内部零件未与所述电极层电连接，但与所述陶瓷层机械连接。
陶瓷层压器件中所述内部零件是大体与所述陶瓷层平行设置的单个或多个平面型内部零件。
陶瓷层压器件还包括在所述层压体的上侧和/或下侧上形成的屏蔽电极，其中所述平面型内部零件与所述屏蔽电极具有相同形状。
陶瓷层压器件还包括在所述层压体的上侧和/或下侧上形成的屏蔽电极，其中所述平面型内部零件与所述屏蔽电极具有不同形状。
陶瓷层压器件还包括在所述层压体的上侧和/或下侧上形成的屏蔽电极，其中所述内部零件是单个或多个立体内部零件，所述立体内部零件在粘贴了所述屏蔽电极的所述陶瓷层的至少所述屏蔽电极侧的平面上大体与所述陶瓷层垂直设置。
陶瓷层压器件还包括在所述层压体的上侧和/或下侧上形成的屏蔽电极，其中所述内部零件是：(i)所述平面型内部零件，和(ii)单个或多个立体内部零件，所述立体内部零件在所述屏蔽电极与所述平面型内部零件之间的陶瓷层中大体与所述陶瓷层垂直设置。
陶瓷层压器件中设置了多个所述平面型内部零件，在所述平面型内部零件之间的所述陶瓷层中设置了立体内部零件中的至少某一些。
所述立体内部零件是用导电性软膏或电介质软膏填充的通孔。
本发明提供了一种陶瓷层压器件，包括：在层压体侧面上形成的侧电极，层压体中层叠了多个陶瓷层和多个电极层；和形成在所述层压体内的内部零件，其未与所述电极层电连接，但与所述侧电极机械连接。
陶瓷层压器件中所述侧电极是在所述层压体的端面上制成的接线端电极，用于向/从外界输入/输出电信号，并且所述内部零件是平面型内部零件，其与所述接线端电极的全部或部分机械相连并大体与所述陶瓷层平行设置。
陶瓷层压器件还包括在所述层压体上侧制成的上侧屏蔽电极，和在所述层压体下侧制成的下侧屏蔽电极，其中所述侧电极是在所述层压体端面上形成的末端电极，用于将所述上侧屏蔽电极与所述下侧屏蔽电极电相连，并且所述内部零件是平面型内部零件，其与所述末端电极的全部或部分机械相连并大体平行于所述陶瓷层设置。
陶瓷层压器件中半导体元件和/或SAW滤波器安装在所述层压体的上侧。
陶瓷层压器件中所述层压体包括滤波器。
陶瓷层压器件中所述滤波器具有双工器的功能，所述双工器具有用于发射信号的发射滤波器和用于接收信号的接收滤波器。
本发明提供了一种通信设备，包括通信电路，其利用信号的发射和/或接收进行通信；和在所述通信过程中根据上述陶瓷层压器件进行滤波。
本发明提供了一种制造陶瓷层压器件的方法，包括内部零件形成步骤，在所述层压体中形成所述内部零件，方式是所述内部零件未与所述电极层电连接，但与所述陶瓷层机械连接。
本发明提供了一种制造陶瓷层压器件的方法，包括内部零件形成步骤，在所述层压体中形成所述内部零件，方式是所述内部零件未与所述电极层电连接，但与所述侧电极机械连接。
附图说明
图1是根据本发明实施方案1的陶瓷层压器件的示意性透视图；
图2是根据本发明实施方案2的陶瓷层压器件的分解透视图；
图3是根据本发明实施方案3的陶瓷层压器件的分解透视图；
图4是根据本发明实施方案的陶瓷层压器件的截面图；
图5是根据本发明实施方案的陶瓷层压器件的截面图；
图6是根据本发明实施方案4的陶瓷层压器件的示意性透视图；
图7是根据本发明实施方案的陶瓷层压器件的截面图；
图8是根据本发明实施方案5的陶瓷层压器件的截面图；
图9是根据本发明实施方案6的陶瓷层压器件的截面图；
图10是根据本发明实施方案7的陶瓷层压器件的分解透视图；
图11是根据本发明实施方案8的陶瓷层压器件的透视图；
图12是根据本发明实施方案9的W-CDMA便携式电话的框图；
图13是传统陶瓷层压器件的示意性透视图。
附图标记
1层压体
2内电极
3夹层通孔
4陶瓷层
5a、5b屏蔽电极
6a、6b末端电极
7a、7b接线端电极
8通孔
11层压体
12内电极
13夹层通孔
14a至14g陶瓷层
15a、15b屏蔽电极
16第一通孔
17第一通路连接电极
18第二通孔
19第二通路连接电极
21层压体
22陶瓷层
23第三通孔
24屏蔽电极
25第三通路连接电极
31陶瓷层
32电极图形
33夹层通孔
34a、34b屏蔽电极
35a至35d末端电极
36a、36b末端电极
37a、37b接线端电极
38第一内电极
39第二内电极
41层压体
42半导体元件
43SAW滤波器
44PIN二极管
45片形电容器
46片形电阻
51基带部分
52发射电路部分
53接收电路部分
54天线
55双工器
61陶瓷层
62电极图形
63层压体
64夹层通孔
65a、65b屏蔽电极
66a、66b末端电极
67a、67b接线端电极
具体实施方式
下面将结合附图详细说明本发明的优选实施方案。
(实施方案1)
下面将参照图1说明根据本实施方案的陶瓷层压器件的结构和运转。
附带提一下，在说明本实施方案的陶瓷层压器件的结构和运转的同时，也将对制造本发明的陶瓷层压器件的方法进行说明(对于其他实施方案同样如此)。
图1是根据本发明实施方案1的陶瓷层压器件的示意性透视图。
本实施方案的陶瓷层压器件具有层压体1。
构成高频电路的内电极2固定在层压体1中。
内电极2通过多个夹层通孔3相互电连接。
在层压体1内形成的每个层电极图形是通过丝网印刷制成的，例如可以使用主要由银或铜组成的导电性软膏。
通过使用主要由银或铜组成的导电性软膏填充穿过陶瓷层4的孔并且将它们烧结，而形成多个夹层通孔3，其中陶瓷层4构成层压体1。
在层压体1的顶表面和底表面上制成了屏蔽电极5a、5b以将其与外界屏蔽。
在层压体1的右端面和左端面上制成了末端电极6a、6b以及接线端电极7a、7b，末端电极6a、6b与屏蔽电极5a、5b电连接，从而形成接地接线端，接线端电极7a、7b形成输入/输出接线端，从而能够从/向外界输入/输出电信号。
在陶瓷层4的层压体1的底部附近可以看到本实施方案的陶瓷层压器件的特征。
更明确地，在陶瓷层4的层压体1的底层的顶表面上放置了强化电极40，用于增强与正在其上的层的接触。
这样，可以提高构成层压体1的陶瓷层4的连接强度，并且通过包括坠落测试在内的可靠性测试可以证明，根据本实施方案的结构具有优良的耐应力性和可靠性。
(I)附带提一下，用于陶瓷层的电介质材料的实例包括：低相关介电常数陶瓷材料，例如Al-Mg-Si-Gd-O基(相关介电常数＝7.5)；高相关介电常数陶瓷材料，例如Bi-Ca-Nb-O基(相关介电常数＝58)；或玻璃陶瓷。但是，虽然可以使用任何满足要求的电特性的陶瓷材料，但尽可能地优选使用具有较大耐折度的陶瓷材料。
另外，对于各个陶瓷层还可以使用具有不同介电常数的陶瓷材料。但是，当使用具有不同介电常数的陶瓷材料时，由于在烧结过程中热膨胀系数不同，有可能发生热变形。因此，优选地陶瓷材料相对层压方向(例如按照材料A、材料B、材料C、材料B、材料A的顺序)对称放置。
附带提一下，陶瓷层4相当于本发明的陶瓷层，包括内电极2和夹层通孔3的装置相当于本发明的电极层，层压体1相当于本发明的层压体，强化电极40相当于本发明的平面型内部零件。
(实施方案2)
下面将参照图2说明根据本实施方案的陶瓷层压器件的构造和运转。
图2是根据本发明实施方案2的陶瓷层压器件的分解透视图。
本实施方案的陶瓷层压器件具有层压体，其在6个陶瓷层31的表面上制成电极图形32。
电极图形32通过夹层通孔33电连接。
在层压体的顶表面和底表面制成了屏蔽电极34a、34b以将其与外界屏蔽。
在层压体的右端面和左端面上制成了末端电极35a至35d和36a、36b以及接线端电极37a、37b，末端电极35a至35d和36a、36b与屏蔽电极34a、34b电连接，从而形成接地接线端，接线端电极37a、37b形成输入/输出接线端，从而能够从/向外界输入/输出电信号。
在陶瓷层31的层压体的底部附近可以看到本实施方案的陶瓷层压器件的特征。
更明确地，在陶瓷层31的层压体1的底层的顶表面上放置了强化电极40a，用于增强与正在其上的层的接触。强化电极40a与屏蔽电极34a、34b具有相同形状。
这样，可以提高构成层压体的陶瓷层31的连接强度，并且通过包括坠落测试在内的可靠性测试可以证明，根据本实施方案的结构具有优良的耐应力性和可靠性。
(I)附带提一下，除此之外，对于电极的数量、外形和厚度也能获得相同的效果。
附带提一下，陶瓷层31相当于本发明的陶瓷层，包括电极图形32和夹层通孔33的装置相当于本发明的电极层，屏蔽电极34a、34b相当于本发明的屏蔽电极，强化电极40相当于本发明的平面型内部零件。
(实施方案3)
下面将参照图3说明根据本实施方案的陶瓷层压器件的构造和运转。
图3是根据本发明实施方案3的陶瓷层压器件的分解透视图。
在陶瓷层31的层压体的底部附近可以看到本实施方案的陶瓷层压器件的特征(其余的构造与上述实施方案2陶瓷层压器件相同，因此省略详细说明)。
更明确地，在陶瓷层31的层压体的底层的顶表面上放置了强化电极40b和40c，用于增强与正在其上的层的接触。强化电极40b和40c与屏蔽电极34a、34b具有不同形状。
这样，可以提高构成层压体的陶瓷层31的连接强度，并且通过包括坠落测试在内的可靠性测试可以证明，根据本实施方案的结构具有优良的耐应力性和可靠性。
(I)附带提一下，在上述实施方案1至3中，放置强化电极的陶瓷层的数量为1，但是该数量不局限于1，可以具有两个或多个陶瓷层(参看图4和图5)。
但是，增加放置这种强化电极的陶瓷层的数量具有缩短上屏蔽电极与下屏蔽电极之间的电距离的趋势。
例如，在图4中，由于放置了强化电极40d和40e，屏蔽电极34a和34b之间的电磁波距离变为距离X。另外，在图5中，由于放置了强化电极40g和40f，屏蔽电极34a和34b之间的电磁波距离变为距离Y。
由于这个原因，当放置强化电极的陶瓷层的数量过多时，在层压体内部形成的高频电路的特性恶化。因此，优选地，放置强化电极的陶瓷层的数量不能过多。
但是，如在上述实施方案3所述的情况中，当强化电极具有与屏蔽电极不同的形状时，在强化电极中心提供间隙(即没有进行电极印刷的位置)将防止上屏蔽电极与下屏蔽电极之间的电距离缩短。
当然，如在上述实施方案2所述的情况中，当强化电极具有与屏蔽电极相同的形状时，其优势是制造过程较简单。
(II)另外，当强化电极相对层压方向对称放置时，在烧结过程中不会因热膨胀系数的不同而发生热变形，因此可以获得优选效果(参看图5)。
附带提一下，陶瓷层31相当于本发明的陶瓷层，包括电极图形32和夹层通孔33的装置相当于本发明的电极层，屏蔽电极34a、34b相当于本发明的屏蔽电极，强化电极40b、40c相当于本发明的平面型内部零件。
(实施方案4)
下面将参照图6说明根据本实施方案的陶瓷层压器件的构造和运转。
图6是根据本发明实施方案4的陶瓷层压器件的透视图。
在层压体1之下形成的屏蔽电极5a附近可以看到本实施方案的陶瓷层压器件的特征(其余的构造与上述实施方案1的陶瓷层压器件相同，因此省略详细说明)。
特别地，在陶瓷层4的层压体1底部的层中设置了多个通孔8，其一端机械地与在层压体1下侧上制成的屏蔽电极5a相连，其另一端电路断开。
通孔8是通过用导电性软膏(或电介质软膏)填充穿过陶瓷层4(其构成层压体1)的孔并进行烧结形成的。通孔8是用来确保陶瓷层4与屏蔽电极5a之间的接触的。
这样，可以提高构成层压体1的陶瓷层4的连接强度，并且通过包括坠落测试在内的可靠性测试可以证明，根据本实施方案的结构具有优良的耐应力性和可靠性。
更明确地，在可靠性测试中，不会发生从印刷电路板脱落、末端电极6a、6b和接线端电极7a、7b破裂，也不会发生层压体1破裂。
本实施方案的层压体1的实际制造的原型的尺寸为长8.5mm×宽48.5mm×高2.0mm。
在层压体1下侧的屏蔽电极5a中，15个长度为140μm的通孔8实际上等距设置，其中通孔8的一端与屏蔽电极5a相连，另一端电路断开。
5个本实施方案的层压体1和5个传统层压体等距焊接在印刷电路板上。
随后，在进行坠落测试时，大多数传统层压体都具有缺陷，例如层压体从印刷电路板上脱落或者破裂，但是5个本实施方案的层压体1中没有一个发生这种缺陷。
因此可以观察到，可靠性得到了彻底的改善，并且获得了足够的效果。
附带提一下，陶瓷层4相当于本发明的陶瓷层，包括内电极2和夹层通孔3的装置相当于本发明的电极层，层压体1相当于本发明的层压体，屏蔽电极5a、5b相当于本发明的屏蔽电极，通孔8相当于陶瓷层中设置的通孔，本发明的屏蔽电极粘贴在陶瓷层上。
(实施方案5)
下面将参照图8说明根据本实施方案的陶瓷层压器件的构造和运转。
图8是根据本发明实施方案5的陶瓷层压器件的截面图。
本实施方案的陶瓷层压器件具有层压体11。
构成高频电路的内电极12固定在层压体11中。
内电极12通过多个夹层通孔13相互电连接。
夹层通孔13是通过用主要由银或铜组成的导电性软膏填充穿过陶瓷层14a至14g(其构成层压体11)的孔并进行烧结形成的。
在层压体11的顶表面和底表面上制成了屏蔽电极15a、15b以将其与外界屏蔽。
如在实施方案1的情况相同，在层压体11的端面上制成了接线端电极(未示出)和末端电极(未示出)。
在底部的第一陶瓷层14a上侧放置了平面型第一通路连接电极17，其不充当电路元件。
在第二陶瓷层14b上侧放置了平面型第二通路连接电极19，其不充当电路元件。
在层压体11底部的第一陶瓷层14a设置了多个第一通孔16，其使在层压体11的下侧上制成的屏蔽电极15a与第一通路连接电极17机械相连。
在第一通路连接电极顶部的第二陶瓷层14b设置了多个第二通孔18，其使第一通路连接电极17与第二通路连接电极19机械相连。
第一通孔16是通过用导电性软膏(或电介质软膏)填充穿过陶瓷层(其构成层压体11)的孔并进行烧结形成的。第一通孔16是用来确保第一通路连接电极17与屏蔽电极15a之间的接触的。
第二通孔18是通过用导电性软膏(或电介质软膏)填充穿过陶瓷层(其构成层压体11)的孔并进行烧结形成的。第二通孔18是用来确保第二通路连接电极19与第一通路连接电极17之间的接触的。
这样，可以提高陶瓷层14a、14b和屏蔽电极15a的连接强度，并且通过包括坠落测试在内的可靠性测试可以证明，根据本实施方案的结构具有优良的耐应力性和可靠性。
(I)附带提一下，在本实施方案中，改善连接强度的通路连接电极的数量为2，但是该数量不局限于2，通路连接电极的数量可以为1、3或更多(参看图7)。
但是，增加通路连接电极的数量具有缩短上屏蔽电极与下屏蔽电极之间的电距离的趋势。
例如，在图7中，由于放置了通路连接电极17a，屏蔽电极15a和15b之间的电磁波距离变为距离Z。
由于这个原因，当通路连接电极的数量过多时，在层压体内部形成的高频电路的特性恶化。因此，优选地，通路连接电极的数量不能过多。
(II)另外，当通路连接电极相对层压方向对称放置时，在烧结过程中不会因热膨胀系数的不同而发生热变形，因此可以获得优选效果。
附带提一下，陶瓷层14a至14g相当于本发明的陶瓷层，包括内电极12和夹层通孔13的装置相当于本发明的电极层，层压体11相当于本发明的层压体，屏蔽电极15a、15b相当于本发明的屏蔽电极，第一通路连接电极17和第二通路连接电极19相当于本发明的平面型内部零件，第一通孔16相当于本发明的屏蔽电极与平面型内部零件之间的陶瓷层中设置的通孔，第二通孔18相当于本发明多个平面型内部零件之间的陶瓷层中设置的通孔(在陶瓷层14a至14g中至少某些通孔设置在第一通路连接电极17与第二通路连接电极19之间的陶瓷层14b中)。
(实施方案6)
下面将参照图9说明根据本实施方案的陶瓷层压器件的构造和运转。
图9是根据本发明实施方案6的陶瓷层压器件的截面图。
在层压体21上部附近可以看到本实施方案的陶瓷层压器件的特征(其余的构造与上述实施方案5的陶瓷层压器件相同，因此省略详细说明)。
更明确地，在位于顶部的陶瓷层22下侧还放置了平面型第三通路连接电极25，其不充当电路元件。
在位于层压体21顶部的陶瓷层22中还设置了多个第三通孔23，其将在层压体21上侧制成的屏蔽电极24与第三通路连接电极25机械连接。
第三通孔23是通过用导电性软膏(或电介质软膏)填充穿过陶瓷层(其构成层压体21)的孔并进行烧结形成的。第三通孔23是用来确保第三通路连接电极25与屏蔽电极24之间的接触的。
这样，可以提供具有极好可靠性的陶瓷层压器件。
更明确地，当半导体元件、半导体封装、SAW滤波器和分立元件安装在层压体21上时，可以增强陶瓷层22和其上的屏蔽电极24之间的连接强度。在半导体元件的情况下，可以使用堆叠撞击连接方法(stack bumpmethod/SSB)作为安装方法。
附带提一下，陶瓷层22相当于本发明的陶瓷层，层压体21相当于本发明的层压体，屏蔽电极24相当于本发明的屏蔽电极，第三通路连接电极25相当于本发明的平面型内部零件，第三通孔23相当于本发明的屏蔽电极与平面型内部零件之间的陶瓷层中设置的通孔。
(实施方案7)
下面将参照图10说明根据本实施方案的陶瓷层压器件的构造和运转。
图10是根据本发明实施方案7的陶瓷层压器件的分解透视图。
在多个陶瓷层31表面的附近可以看到本实施方案的陶瓷层压器件的特征(其余的构造与上述实施方案2陶瓷层压器件相同，因此省略详细说明)。
更明确地，在多个陶瓷层31的表面上放置了不作为电路元件的第一内电极38(为了易于理解，用具有圆形拐角的矩形表示)。第一内电极38大体垂直于接线端电极37a、37b设置(接线端电极37a、37b形成输入/输出接线端，从而能够从/向外界输入/输出电信号)并且机械地与接线端电极37a、37b连接。
在多个陶瓷层31的表面上放置了不作为电路元件的第二内电极39(为了易于理解，用具有圆形拐角的矩形表示)。第二内电极39大体垂直于末端电极36b设置(末端电极36b连接屏蔽电极34a、34b)并与末端电极36b机械相连。
因此，第一内电极38与接线端电极37a、37b之间的连接和第二内电极39与末端电极36b之间连接的数量大量增加。这极大地增加了层压体与由接线端电极37a、37b和末端电极36b等组成的外部电极之间的连接强度。
这样，通过包括坠落测试在内的可靠性测试可以证明，根据本实施方案的结构具有优良的可靠性，并且提供了具有高耐应力性的陶瓷层压器件。
本实施方案的层压体的实际制造的原型的尺寸为长8.5mm×宽48.5mm×高2.0mm。
8个第一内电极38与在层压体的表面上形成的接线端电极37a、37b连接。
当接线端电极37a、37b的宽度为1.0mm并且宽度为0.5mm的第一内电极38连接上时，不会发生缺陷，例如在坠落实验过程中从印刷电路板上脱落或破裂等。
因此，可以确信其可以极大地改善可靠性并获得充分的效果。
附带提一下，陶瓷层31相当于本发明的陶瓷层，包括电极图形32和夹层通孔33的装置相当于本发明的电极层，接线端电极37a、37b相当于本发明的接线端电极，第一内电极38相当于本发明的与接线端电极相连的平面型内部零件，屏蔽电极34b相当于本发明的上侧屏蔽电极，屏蔽电极34a相当于本发明的下侧屏蔽电极，末端电极35a至35d和36a、36b相当于本发明的末端电极，第二内电极39相当于本发明的与末端电极相连的平面型内部零件。
(实施方案8)
下面将参照图11说明根据本实施方案的陶瓷层压器件的构造和运转。
图11是根据本发明实施方案8的陶瓷层压器件的透视图。
在本实施方案的陶瓷层压器件的层压体41上侧安装了半导体元件42、SAW滤波器43、PIN二极管44、片形电容器45和片形电阻46。
更具体地，例如，半导体元件42是诸如低噪音放大电路等的晶体管，其安装在层压体41的表面上，并与在层压体41内制成的高频电路通过在层压体41表面上制成的连接电极电连接。这里，高频电路是层压滤波器等。
诸如半导体元件42等的电路元件可以与诸如在层压体41内和表面上制成的电容器和电感器等电路元件联合使用。因此，本发明有助于使具有更复杂功能的便携式电话小型化。
将上述根据本发明的第1至7实施方案的陶瓷层压器件用作层压体41能够提供高可靠性的陶瓷层压器件。此外，也可以提高制造阶段的成品率。
附带提一下，层压体41相当于本发明的层压体，包括半导体元件42的电路相当于本发明的半导体元件，SAW滤波器43相当于本发明的SAW滤波器。
(实施方案9)
下面将参照图12说明根据本实施方案的W-CDMA(宽带码分多址)便携式电话的构造和运转。
图12是根据本发明实施方案9的陶瓷层压器件的框图。
对于本发明的W-CDMA便携式电话，使用了上述实施方案的陶瓷层压器件。
从基带部分51输出的信号输入至发射电路部分52并以发射频率作为信号输出。
在另一方面，从天线54引入的具有接收频率的信号输入至接收电路部分53，在接收电路部分53中从具有接收频率的信号转换为具有基带部分51频率的信号，并输出至基带部分51。
双工器55具有区分发射信号和接收信号的功能。
使用上述实施方案的陶瓷层压器件能够实现高可靠性的便携式电话。
(I)附带提一下，本实施方案使用用于W-CDMA便携式电话的双工器，但是也可以使用用于其他便携式电话系统的双工器，例如GSM系统(全球移动通信系统/Global System for Mobile Communication)和PDC(个人数字单元/Personal Digital Cellular)系统。
(II)另外，陶瓷层压器件还可以具有双工器之外的其他功能。
附带提一下，双工器55相当于本发明的双工器，包括基带部分51、发射电路部分52和接收电路部分53的装置相当于本发明的通信电路。
到此为止已经详细说明了实施方案1至9。
附带提一下，例如，根据本发明实施方案4的设有屏蔽电极的陶瓷层设置有用导电性软膏(或电介质软膏)填充的穿透通孔8，但是本发明并不局限于此，至少在屏蔽电极平面上设置的通孔也能起到相同效果(这种通孔可以穿透或不穿透陶瓷层)。简言之，只要满足至少设有大体垂直于屏蔽电极平面上的陶瓷层的立体内部零件，则可以使用设有本发明的屏蔽电极的任何陶瓷层。
另外，例如，在根据本发明实施方案4中，设有通孔的陶瓷层是制成在层压体下侧的屏蔽电极5a，但是陶瓷层并不局限于此，只要满足至少其设有在层压体的上侧和/或下侧上制成的屏蔽电极，则可以使用任何陶瓷层。
另外，例如，在根据本发明实施方案7中，与接线端电极相连的平面型内部零件是与接线端电极37a、37b相连的第一内电极38，但是平面型内部零件并不局限于此。简言之，只要满足其与接线端电极的全部或部分机械相连，则可以使用任何平面型内部零件。
另外，例如，在根据本发明实施方案7中，与末端电极相连的平面型内部零件是与末端电极36b相连的第二内电极39，但是平面型内部零件并不局限于此。简言之，只要满足其与末端电极的全部或部分机械相连，则可以使用任何平面型内部零件。
因此，通过直接连接(1)电极、(2)通孔和制成在层压体内的(3)屏蔽电极、接线端电极和末端电极(其构成陶瓷层压器件)，可以增强层压体与外部电极之间的连接强度。
于是，可以提供具有安全的可靠性的陶瓷层压器件，这一点得到了从坠落测试等各种可靠性测试的良好结果的支持，能够保证从印刷电路板上脱落和层压体中的破裂不会发生。
从上述说明中可以看出，本发明的优点是提供了一种陶瓷层压器件，能够在保持良好高频特性的同时保证可靠性。

Claims (17)

1.一种陶瓷层压器件，包括在层压体内形成的内部零件，层压体中层叠了多个陶瓷层和多个电极层，
其中所述内部零件未与所述电极层电连接，但与所述陶瓷层机械连接。
2.根据权利要求1所述的陶瓷层压器件，其中所述内部零件是大体与所述陶瓷层平行设置的单个或多个平面型内部零件。
3.根据权利要求2所述的陶瓷层压器件，还包括在所述层压体的上侧和/或下侧上形成的屏蔽电极，
其中所述平面型内部零件与所述屏蔽电极具有相同形状。
4.根据权利要求2所述的陶瓷层压器件，还包括在所述层压体的上侧和/或下侧上形成的屏蔽电极，
其中所述平面型内部零件与所述屏蔽电极具有不同形状。
5.根据权利要求1所述的陶瓷层压器件，还包括在所述层压体的上侧和/或下侧上形成的屏蔽电极，
其中所述内部零件是单个或多个立体内部零件，所述立体内部零件在粘贴了所述屏蔽电极的所述陶瓷层的至少所述屏蔽电极侧的平面上大体与所述陶瓷层垂直设置。
6.根据权利要求2所述的陶瓷层压器件，还包括在所述层压体的上侧和/或下侧上形成的屏蔽电极，
其中所述内部零件是：(i)所述平面型内部零件，和(ii)单个或多个立体内部零件，所述立体内部零件在所述屏蔽电极与所述平面型内部零件之间的陶瓷层中大体与所述陶瓷层垂直设置。
7.根据权利要求6所述的陶瓷层压器件，其中设置了多个所述平面型内部零件，
在所述平面型内部零件之间的所述陶瓷层中设置了立体内部零件中的至少某一些。
8.根据权利要求5至7中任何一个所述的陶瓷层压器件，其所述立体内部零件是用导电性软膏或电介质软膏填充的通孔。
9.一种陶瓷层压器件，包括：
在层压体侧面上形成的侧电极，层压体中层叠了多个陶瓷层和多个电极层；和
形成在所述层压体内的内部零件，其未与所述电极层电连接，但与所述侧电极机械连接。
10.根据权利要求9所述的陶瓷层压器件，
其中所述侧电极是在所述层压体的端面上制成的接线端电极，用于向/从外界输入/输出电信号，并且
所述内部零件是平面型内部零件，其与所述接线端电极的全部或部分机械相连并大体与所述陶瓷层平行设置。
11.根据权利要求9所述的陶瓷层压器件，还包括在所述层压体上侧制成的上侧屏蔽电极，和在所述层压体下侧制成的下侧屏蔽电极，
其中所述侧电极是在所述层压体端面上形成的末端电极，用于将所述上侧屏蔽电极与所述下侧屏蔽电极电相连，并且
所述内部零件是平面型内部零件，其与所述末端电极的全部或部分机械相连并大体平行于所述陶瓷层设置。
12.根据权利要求1或9所述的陶瓷层压器件，其中半导体元件和/或声表面波滤波器安装在所述层压体的上侧。
13.根据权利要求1或9所述的陶瓷层压器件，其中所述层压体包括滤波器。
14.根据权利要求13所述的陶瓷层压器件，其中所述滤波器具有双工器的功能，所述双工器具有用于发射信号的发射滤波器和用于接收信号的接收滤波器。
15.一种通信设备，包括
通信电路，其利用信号的发射和/或接收进行通信；和
在所述通信过程中根据权利要求1或9的陶瓷层压器件进行滤波。
16.一种制造根据权利要求1的陶瓷层压器件的方法，包括内部零件形成步骤，在所述层压体中形成所述内部零件，方式是所述内部零件未与所述电极层电连接，但与所述陶瓷层机械连接。
17.一种制造根据权利要求9的陶瓷层压器件的方法，包括内部零件形成步骤，在所述层压体中形成所述内部零件，方式是所述内部零件未与所述电极层电连接，但与所述侧电极机械连接。
CN03136233.8A 2002-05-22 2003-05-19 陶瓷层压器件、通信设备和制造陶瓷层压器件的方法 Pending CN1459811A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002148220 2002-05-22
JP2002148220 2002-05-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1459811A true CN1459811A (zh) 2003-12-03

Family

ID=29545226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN03136233.8A Pending CN1459811A (zh) 2002-05-22 2003-05-19 陶瓷层压器件、通信设备和制造陶瓷层压器件的方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7193862B2 (zh)
CN (1) CN1459811A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103380537A (zh) * 2011-02-08 2013-10-30 日立化成株式会社 电磁耦合结构、多层传输线路板、电磁耦合结构的制造方法以及多层传输线路板的制造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005008698A1 (ja) * 2003-07-22 2005-01-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. 表面実装型部品
US7932471B2 (en) * 2005-08-05 2011-04-26 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Capacitor for incorporation in wiring board, wiring board, method of manufacturing wiring board, and ceramic chip for embedment
US8238075B2 (en) * 2006-02-22 2012-08-07 Vishay Sprague, Inc. High voltage capacitors
US7336475B2 (en) * 2006-02-22 2008-02-26 Vishay Vitramon, Inc. High voltage capacitors
JP4438864B2 (ja) * 2007-12-28 2010-03-24 株式会社村田製作所 基板及びこれを備えた電子装置
WO2009148001A1 (en) * 2008-06-06 2009-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4687757B2 (ja) * 2008-07-22 2011-05-25 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
WO2010032611A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5892415A (en) * 1995-11-20 1999-04-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laminated resonator and laminated band pass filter using same
DE69729030T2 (de) * 1996-07-15 2004-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Dielektrische Mehrschichtvorrichtung und dazugehöriges Herstellungsverfahren
DE69727353T2 (de) * 1996-10-18 2004-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Dielektrisches laminiertes Filter und Übertragungsvorrichtung
JPH10303068A (ja) 1997-04-25 1998-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合積層セラミック部品
US6570469B2 (en) * 2000-06-27 2003-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer ceramic device including two ceramic layers with multilayer circuit patterns that can support semiconductor and saw chips
JP3680713B2 (ja) * 2000-07-21 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103380537A (zh) * 2011-02-08 2013-10-30 日立化成株式会社 电磁耦合结构、多层传输线路板、电磁耦合结构的制造方法以及多层传输线路板的制造方法
US9397381B2 (en) 2011-02-08 2016-07-19 Hitachi Chemical Company, Ltd. Electromagnetic coupling structure, multilayered transmission line plate, method for producing electromagnetic coupling structure, and method for producing multilayered transmission line plate
CN103380537B (zh) * 2011-02-08 2016-10-05 日立化成株式会社 电磁耦合结构、多层传输线路板、电磁耦合结构的制造方法以及多层传输线路板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7193862B2 (en) 2007-03-20
US20040055693A1 (en) 2004-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1190113C (zh) 陶瓷叠层器件
CN1099769C (zh) 滤波器装置和在其中使用该滤波器装置的双频段无线系统
CN1242661C (zh) 制造多层陶瓷基板的方法
CN1314058C (zh) 叠层陶瓷电子元件及其生产方法
CN1249848C (zh) 复合高频组件及具有该复合高频组件的通信设备
CN1226803C (zh) 射频（rf）器件和采用它的通信装置
CN1263193C (zh) 叠层介电滤波器
CN1320778C (zh) 高频开关模块
CN1265666C (zh) 表面声波滤波单元、表面声波滤波器和应用这类器件的通信装置
CN1717156A (zh) 电子部件的安装方法、半导体模块及半导体器件
CN1670978A (zh) 电子装置的制造方法
CN1606234A (zh) 高频模块及通信设备
CN1650425A (zh) 半导体器件和电子设备
CN1512525A (zh) 电容器和电容器内置电路基板及其制造方法
CN1801645A (zh) 高频模块
CN1661740A (zh) 通路导体用导电性糊和用其的陶瓷配线板及其制造方法
CN1925721A (zh) 布线基板、陶瓷电容器
CN1261005C (zh) 布线基板、半导体器件及其制造方法、电路板和电子仪器
CN1481189A (zh) 高频器件
CN1783710A (zh) 高频模块
CN1472805A (zh) 电路元件，电路元件组件，电路元件内置模块及其制造方法
CN1167184C (zh) 高频振荡电路
CN1873935A (zh) 配线基板的制造方法及半导体器件的制造方法
CN1399367A (zh) 电介质装置
CN1722414A (zh) 半导体器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication