CN1801645A - 高频模块 - Google Patents

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Abstract

高频模块设有层叠基板。在层叠基板的内部设有处理接收信号的接收系统双工器和处理发送信号的发送系统双工器。在层叠基板的内部，接收系统双工器与发送系统双工器被配置在相互不同的2个区域。在层叠基板的内部2个区域之间接地的导体部，以在电磁上分离接收系统双工器与发送系统双工器。导体部由多个导通孔构成。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及被用于例如无线LAN(局域网)用的通信装置的高频模块。
背景技术
近年，作为可简单构地筑网络的技术，使用电波构成LAN的无线LAN备受注目。在该无线LAN中，如作为频带使用2.4GHz带的IEEE802.11b和作为频带使用5GHz带的IEEE802.11a及IEEE802.11g那样，存在着多个规格。因此，作为无线LAN用的通信装置，期待能够对应于多个规格的装置。
可是，在无线LAN用的通信装置中，被连接至天线、处理高频信号的电路部分(以下称为高频电路部)被内藏在例如卡型的附件中。另外，也希望将无线LAN用的通信装置搭载到便携电话机等的移动体通信设备中。出于这些原因，要求高频电路部分的小型化。
已知在便携电话机等的移动体通信设备中，有将可对应于多个频带的高频电路部分模块化后的产品。例如，在特开2003-152588号公报中，记载有包含2个双工器和1个开关电路的模块。在该模块中，开关电路对于1个天线转换并连接2个双工器中的的一方。各双工器分离不同频带的2个信号。
另外，在特开2003-298305号公报、特开平9-36604号公报及特开平9-261110号公报中，记载有模块化后的开关电路。
再有，在特开2001-136045号公报及特开2001-119209号公报中，记载有包含分离发送信号和接收信号的双工器的模块。该模块有2个带通滤波器，它们由在层叠多个绝缘层和多个电感器导体和多个电容器导体构成的层叠体中的电感器导体和电容器导体构成。另外，在特开2001-136045号公报及特开2001-119209号公报中，记载有使构成一方的带通滤波器的电感器导体的轴线与构成另一方的带通滤波器的电感器导体的轴线正交的技术。还有，在特开2001-136045号公报以及特开2001-119209号公报中，作为适用上述技术的模块的另一例提出了双工器。在特开2001-136045号公报及特开2001-119209号公报中，记载了组合例如低通滤波器和高通滤波器而构成双工器的内容。
在记载于特开2003-152588号公报、特开2001-136045号公报及特开2001-119209号公报的各模块中，在层叠体的内部配置了处理发送信号的发送系统电路和处理接收信号的接收系统电路。因此，在这样的模块中，存在发送系统电路与接收系统电路之间发生电磁耦合的情况。一旦发生这样的耦合，发送信号就会从发送系统电路向接收系统电路泄漏，或接收信号从接收系统电路向发送系统电路泄漏，产生发送系统电路与接收系统电路之间的隔离程度降低的问题。
上述问题，模块越是小型化就会越显著。因而，该问题妨碍了模块的小型化。
再者，在特开2003-298305号公报中，记载有将2个开关的接地部配置在2个开关之间的技术。另外，在特开平9-36604号公报及特开平9-261110号公报中，记载有将两个系统的开关电路对称配置的技术。但是，在这些技术中，不能防止连接至开关电路的发送系统电路和接收系统电路之间的电磁耦合来改善隔离。
发明内容
本发明的目的在于提供这样的高频模块，该模块可以处理发送信号和接收信号，同时可以提高处理发送信号的发送系统电路与处理接收信号的接收系统电路之间的隔离，并可以小型化。
本发明的高频模块中设有：
包含被交替层叠的电介质层与导体层的层叠基板；
被设置在层叠基板内部的、处理发送信号的发送系统电路；
被设置在层叠基板内部的、处理接收信号的接收系统电路。
在层叠基板内部，发送系统电路与接收系统电路配置在相互不同的区域。本发明的高频模块还在层叠基板的内部设有导体部，配置在配置发送系统电路的区域与配置接收系统电路的区域之间，同时被连接到地，电磁上分离发送系统电路与接收系统电路。
在本发明的高频模块中，用被配置在配置发送系统电路的区域与配置接收系统电路的区域之间的导体部，电磁上分离发送系统电路与接收系统电路。
本发明的高频模块中，发送系统电路与接收系统电路配置在与层叠基板的层叠方向正交的方向上相互分离的区域上，导体部也可用形成在配置了发送系统电路的区域与配置了接收系统电路的区域之间的多个电介质层上的、同时被被连接到地的多个导通孔来构成。在这种情况下，导体层包含配置在比配置了发送系统电路与接收系统电路的各区域更接近于层叠基板的层叠方向一侧的面的位置上的、被连接到地的接地用导体层，多个导通孔也可连接至接地用导体层。
另外，本发明的高频模块中，发送系统电路和接收系统电路配置在层叠基板的层叠方向上相互分离的区域上，导体部也可用配置在配置了发送系统电路的区域与配置了接收系统电路的区域之间的、被连接到地的导体层构成。
又，在本发明的高频模块中，发送系统电路与接收系统电路被连接至用以将发送系统电路与接收系统电路中的任意一个连接到天线的开关电路，发送系统电路是分离将第1频带中的发送信号与比第1频带更高频一侧的第2频带中的发送信号隔离的发送系统双工器；接收系统电路也可以是将分离第1频带中的接收信号与第2频带中的接收信号隔离的接收系统双工器。
发送系统双工器设有：第1至第3端口；设置在第1端口与第2端口之间的、使第1频带中的发送信号通过的第1发送用带通滤波器；被设置在第1端口与第3端口之间，使第2频带中的发送信号通过的第2发送用带通滤波器；第1端口也可以连接至开关电路。另外，接收系统双工器设有：第1至第3端口；设置在第1端口与第2端口之间的、使第1频带中的接收信号通过的第1接收用带通滤波器；设置在第1端口与第3端口之间的、使第2频带中的接收信号通过的第2接收用带通滤波器，第1端口也可连接至开关电路。
各带通滤波器也可以用谐振电路构成。另外，各谐振电路也可以包含由导体层构成的分布参数线路。
另外，各谐振电路也可包含具有用导体层构成的电感的传送线路。而且，包含在第1发送用带通过滤波器中的谐振电路上的传送线路的纵向与包含在第2发送用带通滤波器中的谐振电路上的传送线路的纵向也可以正交。另外，包含在第1接收用带通滤波器中的谐振电路上的传送线路的纵向与包含在第2接收用带通滤波器中的谐振电路上的传送线路的纵向也可以正交。
又，在本发明的高频模块中，层叠基板也可以是低温同时烧成陶瓷多层基板。在这种情况下，在层叠基板上也可以内藏构成发送系统双工器及接收系统双工器的多个电感元件及电容元件。另外，高频模块中还设有开关电路，该开关电路用由GaAs化合物半导体制造的场效应晶体管构成，也可以搭载在层叠基板上。另外，高频模块中还设有：用以将开关电路连接至天线的天线端子；用以将发送系统双工器连接至外部电路的2个发送信号端子；用以将接收系统双工器连接至外部电路的2个接收信号端子；被连接到地的接地端子；各端子也可形成在层叠基板的外周面上。
在本发明的高频模块中，在层叠基板的内部，用配置在配置了发送系统电路的区域与配置了接收系统电路的区域之间的导体部电磁上分离发送系统电路与接收系统电路。因而，依据本发明，可以处理发送信号和接收信号，同时可以改善处理发送信号的电路与处理接收信号的电路之间的隔离，并能够实现可小型化的高频模块。
在本发明的高频模块中，发送系统电路与接收系统电路配置在与层叠基板的层叠方向正交的方向上相互分离的区域上，导体部也可以用形成在配置了发送系统电路的区域与配置了接收系统电路的区域之间的多个电介质层中的、被连接到地的多个导通孔来构成。在这种情况下，可以减小起因于导体部的寄生电容，同时可以将高频模块更加小型化。
在本发明的高频模块中，发送系统电路也可以是发送系统双工器，接收系统电路也可以是接收系统双工器。在这种情况下，发送系统双工器可设有第1发送用带通滤波器与第2发送用带通滤波器，接收系统双工器可设有第1接收用带通滤波器与第2接收用带通滤波器。在这种情况下，可以减少设置在连接至高频模块的电路中的滤波器的数量，或缓和对设置在连接至高频模块的电路中的滤波器所要求的条件。
另外，在本发明的高频模块中，各带通滤波器也可用谐振电路来构成。在这种情况下，构成带通滤波器的元件数量减少，且带通滤波器的特性的调整变得容易。
又，在本发明的高频模块中，各谐振电路也可以包含用导体层所构成的分布参数线路。在这种情况下，在带通滤波器的通频带以外的频率区域需大的衰减，且在通频带与通频带以外的频率区域的边界附近的插入损失需陡峭变化的特性时，比起仅用集总参数元件构成带通滤波器的情况来，可以将高频模块更加小型化，并容易实现带通滤波器的所要求的特性。
另外，在本发明的高频模块中，各谐振电路也可以包含用导体层所构成的具有电感的传送线路。而且，包含在第1发送用带通滤波器中的谐振电路上的传送线路的纵向与包含在第2传送用带通滤波器中的谐振电路上的传送线路的纵向也可以正交。另外，包含在第1接收用带通滤波器中的谐振电路上的传送线路的纵向与包含在第2接收用带通滤波器中的谐振电路上的传送线路的纵向也可以正交。在这种情况下，可以防止第1发送用带通滤波器与第2发送用带通滤波器之间的电磁干扰，以及第1接收用带通滤波器与第2接收用带通滤波器之间发生电磁干扰。
本发明的其它目的、特征及利益通过以下的说明想必会充分明白。
附图说明
图1是表示本发明第1实施例的高频模块的电路图。
图2是表示本发明第1实施例的高频模块的外观的透视图。
图3是表示本发明第1实施例的高频模块的平面图。
图4是表示一例利用本发明第1实施例的高频模块的无线LAN用通信装置中的高频电路部的结构的的方框图。
图5是表示图3所示的层叠基板中第1层电介质层的上面的平面图。
图6是表示图3所示的层叠基板中第2层电介质层的上面的平面图。
图7是表示图3所示的层叠基板中第3层电介质层的上面的平面图。
图8是表示图3所示的层叠基板中第4层电介质层的上面的平面图。
图9是表示图3所示的层叠基板中第5层电介质层的上面的平面图。
图10是表示图3所示的层叠基板中第6层电介质层的上面的平面图。
图11是表示图3所示的层叠基板中第7层电介质层的上面的平面图。
图12是表示图3所示的层叠基板中第8层电介质层的上面的平面图。
图13是表示图3所示的层叠基板中第9层电介质层的上面的平面图。
图14是表示图3所示的层叠基板中第10层电介质层的上面的平面图。
图15是表示图3所示的层叠基板中第11层电介质层的上面的平面图。
图16是表示图3所示的层叠基板中第12层电介质层的上面的平面图。
图17是表示图3所示的层叠基板中第13层电介质层的上面的平面图。
图18是表示图3所示的层叠基板中第14层电介质层的上面的平面图。
图19是表示图3所示的层叠基板中第15层电介质层的上面的平面图。
图20是表示图3所示的层叠基板中第16层电介质层的上面的平面图。
图21是表示图3所示的层叠基板中第17层电介质层的上面的平面图。
图22是表示图3所示的层叠基板中第18层电介质层的上面的平面图。
图23是表示图3所示的层叠基板中第19层电介质层的上面的平面图。
图24是表示图3所示的层叠基板中第19层电介质层及其下面的导体层的平面图。
图25是表示在图3所示的层叠基板的内部配置形成第1接收信号、第2接收信号、第1发送信号及第2发送信号的各路径的元件的区域的说明图。
图26是用以表示本发明第1实施例中的导体部的高频模块的剖面图。
图27是表示本发明的第2实施例的高频模块中的层叠基板的上面的平面图。
图28是表示本发明第2实施例的高频模块的剖面图。
图29是表示本发明第2实施例中的导体部的平面图。
具体实施方式
[第1实施例]
下面，参照附图就本发明的实施例进行说明。首先，就有关本发明的第1实施例的高频模块进行说明。有关本发明的高频模块是被用于无线LAN用的通信装置，处理第1频带中的接收信号及发送信号，和比第1频带更高频一侧的第2频带中的接收信号及发送信号的模块。第1频带是例如IEEE802.11b中所使用的2.4GHz频带。第2频带是例如IEEE801.11a和IEEE802.11g中所使用的5GHz频带。另外，有关本实施例的高频模块是能够对应于分集的模块。
图1是表示本实施例的高频模块的电路图。本实施例的高频模块1中设有：连接至各自不同的天线101、102的2个天线端子ANT1、ANT2；输出第1频带中的接收信号(以下称为第1接收信号)的第1接收信号端子RX1；输出第2频带中的接收信号(以下称为第2接收信号)的第2接收信号端子RX2；输入第1频带中的发送信号(以下称为第1发送信号)的第1发送信号端子TX1；输入第2频带中的发送信号(以下称为第2发送信号)的第2发送信号端子TX2；输入各自控制信号VC1、VC2的控制端子CT1、CT2。控制端子CT1、CT2分别通过设置在高频模块1的外部的电容器103、104接地。接收信号端子RX1、RX2，发送信号端子TX1、TX2及控制端子CT1、CT2连接至外部电路。
高频模块1中还设有：连接至天线端子ANT1、ANT2的开关电路10；连接至接收信号端子RX1、RX2及开关电路10的第1双工器11；连接至发送信号端子TX1、TX2及开关电路10的第2双工器12。
高频模块1中还设有电容器13、14、15、16。电容器13串联插入在开关电路10与天线端子ANT1之间的信号路径上。电容器14串联插入在开关电路10与天线端子ANT2之间的信号路径上。电容器15串联插入在开关电路10与双工器11之间的信号路径上。电容器16串联插入在开关电路10与双工器12之间的信号路径上。电容器13、14、15、16都是阻止起因于控制信号VC1、VC2的直流的通过的电容。
开关电路10有6个端口P1～P6。端口P1通过电容器13连接至天线端子ANT1。端口P2通过电容器14连接至天线端子ANT2。端口P3通过电容器15连接至双工器11。端口P4通过电容器16连接至双工器12。端口P5、P6分别连接至控制端子CT1、CT2。
开关电路10还设有各自选择导通状态与非导通状态的4个开关SW1～SW4。各开关SW1～SW4各自用由例如GaAs化合物半导体制造的场效应晶体管构成。开关SW1的一端连接至端口P1，开关SW1的另一端连接至端口P3。开关SW2的一端连接至端口P2，开关SW2的另一端连接至端口P3。开关SW3的一端连接至端口P2，开关SW3的另一端连接至端口P4。开关SW4的一端连接至端口P1，开关SW4的另一端连接至端口P4。
开关SW1与开关SW3在输入至端口P5的控制信号VC1处于高电平时成为导通状态，在控制信号VC1处于低电平时成为非导通状态。开关SW2和开关SW4在输入至端口P6的控制信号VC2处于高电平时成为导通状态，在控制信号VC2处于低电平时成为非导通状态。因而，当控制信号VC1处于高电平，控制信号VC2处于低电平时，端口P1和P3被连接，端口P2和P4被连接。这时，双工器11被连接至天线端子ANT1，双工器12被连接至天线端子ANT2。另一方面，当控制信号VC1处于低电平，控制信号VC2处于高电平时，端口P1和端口P4被连接，端口P2和端口P3被连接。这时，双工器11被连接至天线端子ANT2，双工器12被连接至天线端子ANT1。这样，开关电路10将双工器11、12的任意一个连接到天线端子ANT1、ANT2中的任意一个上。
双工器11有3个端口P11～P13。端口P11通过电容器15连接到开关电路10的端口P3上，端口P12连接至接收信号端子RX1上。端口P13连接至接收信号端子RX2上。
双工器11还设有：2个带通滤波器(以下记为BPF)20、30；低通滤波器(以下记为LPF)40；电感器81；电容器82、83、84。BPF20的一端通过电感器81连接至端口P11。BPF20的另一端通过电容器82连接至端口P12。BPF30的一端通过电容器83连接至端口P11。BPF30的另一端通过电容器84连接至LPF40的一端。LBF40的另一端连接至端口P13。BPF20对应于本发明中的第1接收用带通滤波器，BPF30对应于本发明中的第2接收用带通滤波器。
BPF20设有包含电感的传送线路21、24和电容器22、23、25。传送线路21及电容器22、23的各一端通过电感81连接至端口P11。传送线路21及电容器22的各另一端被接地。传送线路24及电容器25的各一端被连接至电容器23的另一端，同时通过电容器82连接至端口P12。传送线路24及电容器25的各另一端接地。传送线路21和电容器22构成并联谐振电路。传送线路24和电容器25构成另一并联谐振电路。这样，BPF20由2个并联谐振电路构成。
BPF30设有包含电感的传送线路31、34和电容器32、33、35。传送线路31及电容器32、33的各一端通过电容器83连接至端口P11。传送线路31及电容器32的各另一端接地。传送线路34及电容器35的各一端连接至电容器33的另一端，同时通过电容器84连接至LPF40。传送线路34及电容器35的各另一端接地。传送线路31和电容器32构成并联谐振电路。传送线路34和电容器35构成另一并联谐振电路。这样，BPF30由2个并联谐振电路构成。
LPF40设有电感器41、电容器42、43、44。电感器41及电容器42、43的各一端通过电容器84连接至BPF30。电感器41及电容器43的各另一端连接至端口P13。电容器42的另一端接地。电容器44的一端连接至端口P13，电容器44的另一端接地。
BPF20使第1频带内频率的信号通过，遮断第1频带外频率的信号。于是，BPF20使输入至天线端子ANT1或天线端子ANT2且通过了开关电路10的第1接收信号通过，并送至接收信号端子RX1。电感器81及电容器82改善包含BPF20的第1接收信号路径中的通过特性。
BPF30使第2频带内频率的信号通过，遮断第2频带外频率的信号。LPF40使第2频带内频率的信号及比第2频带更低频一侧频率的信号通过，遮断比第2频带更高频一侧频率的信号。于是，BPF30及BPF40使输入至天线端子ANT1或天线端子ANT2且通过了开关电路10的第2接收信号通过，并送至接收信号端子RX2。电容器83、84改善包含BPF30及LPF40的第2接收信号路径中的通过特性。
双工器12有3个端口P21～P23。端口P21通过电容器16连接至开关电路10的端口P4上。端口P22连接至发送信号端子TX1。端口P23连接至发送信号端子TX2。
双工器12还有：2个BPF50、60；LPF70；电感器91；以及电容器92、93、94。BPF50的一端通过电感器91连接至端口P21。BPF50的另一端通过电容器92连接至端口P22。BPF60的一端通过电容器93连接至端口P21。BPF60的另一端通过电容器94连接至LPF70的一端。LPF70的另一端连接至端口P23。BPF50对应于本发明中的第1发送用带通滤波器，BPF60对应于本发明中的第2发送用带通滤波器。
BPF50设有包含电感的传送线路51、54以及电容器52、53、55。传送线路51及电容器52、53的各一端通过电感器91连接至端口P21。传送线路51和电容器52的各另一端接地。传送线路54和电容器55的各一端连接至电容器53的另一端，同时通过电容器92连接至端口P22。传送线路54和电容器55的各另一端接地。传送线路51和电容器52构成并联谐振电路。传送线路54和电容55构成另一并联谐振电路。这样，BPF50由2个谐振电路构成。
BPF60设有包含电感的传送线路61、64以及电容器62、63、65。传送线路61和电容器62、63的各一端通过电容器93连接至端口P21。传送线路61和电容器62的各另一端接地。传送线路64和电容器65的各一端连接至电容器63的另一端，同时通过电容器94被连接至LPF70。传送线路64和电容器65的各另一端接地。传送线路61和电容器62构成并联谐振电路。传送线路64和电容器65构成另一并联谐振电路。这样，BPF60由2个并联谐振电路构成。
LPF70设有电感器71和电容器72、73、74。电感器71和电容器72、73的各一端通过电容器94连接至BPF60。电感器71和电容器73的各另一端连接至端口P23。电容器72的另一端接地。电容器74的一端连接至端口P23，电容器74的另一端接地。
BPF50使第1频带内的频率的信号通过，遮断第1频带外的频率的信号。于是，BPF50使被输入至发送信号端子TX1的第1发送信号通过并送至开关电路10。电感器91和电容器92改善包含BPF50的第1发送信号路径的通过特性。
BPF60使第2频带内的频率的信号通过，遮断第2频带外的频率的信号。LPF70使第2频带内的频率的信号和比第2频带更低频一侧的频率的信号通过，遮断比第2频带更高频一侧的频率的信号。于是，BPF60及LPF70使被输入至发送信号端子TX2的第2发送信号通过并送至开关电路10。电容器93、94改善包含BPF60及LPF70的第2发送信号路径的通过特性。
在高频模块1中，被输入至天线端子ANT1或天线端子ANT2的第1接收信号，通过开关电路10和BPF20后被送至接收信号端子RX1。另外，被输入至天线端子ANT1或天线端子ANT2的第2接收信号，通过开关电路10、BPF30及LPF40后被送至接收信号端子RX2。另外，被输入至发送信号端子TX1的第1发送信号通过BPF50及开关电路10后被送至天线端子ANT1或ANT2。另外，输入至发送信号端子TX2的第2发送信号，通过LPF70、BPF60及开关电路10后被送至天线端子ANT1或天线端子ANT2。
下面，参照图2及图3，就高频模块1的结构进行说明。图2是表示高频模块1外观的透视图。图3是高频模块1的平面图。如图2及图3所示，高频模块1中设有将高频模块1的上述各元件一体化的层叠基板200。层叠基板200含有交替层叠的电介质层和导体层。高频模块1中的电路由层叠基板200的内部或表面上的导体层和搭载在层叠基板200的上面的元件构成。这里，作为一例，图1中的开关电路10及电容器13～16为搭载在层叠基板200上的部件。开关电路10具有1个部件的形态。层叠基板200由例如低温同时烧成陶瓷多层基板构成。
在层叠基板200的上面、下面及侧面设有上述各端子ANT1、ANT2、RX1、RX2、TX1、TX2、CT1、TC2；6个接地端子G1～G6；端子NC1、NC2。接地端子G1～G6被连接到地。端子NC1、NC2既不连接到层叠基板200的内部的导体层，也不连接到外部电路。
双工器11、12设置在层叠基板200的内部。双工器11是进行分离第1接收信号与第2接收信号的隔离处理的电路，对应于本发明中的接收系统双工器及接收系统电路。双工器12是进行分离第1发送信号与第2发送信号的隔离处理的电路，对应于本发明中的发送系统双工器及发送系统电路。
下面，参照图4，就一例利用本实施例的高频模块1的无线LAN用的通信装置中的高频电路部的结构进行说明。图4所示的高频电路部中设有：高频模块1；连接至该高频模块1的2个天线101、102。
高频电路部中还设有：其输入端被连接至高频模块1的接收信号端子RX1的低噪声放大器111；其一端被连接至低噪声放大器111的输出端的BPF112；其不平衡端子被连接至BPF112的另一端的平衡-不平衡转换器113。由接收信号端子RX1输出的第1接收信号经低噪声放大器111放大后通过BPF112，由平衡-不平衡转换器113变换成平衡信号，由平衡-不平衡转换器113的2个平衡端子输出。
高频电路部中还设有：其输入端连接至高频模块1的接收信号端子RX2的低噪声放大器114；其一端连接至低噪声放大器114的输出端的BPF115；不平衡端子被连接至BPF115的另一端的平衡-不平衡转换器116。由接收信号端子RX2所输出的第2接收信号经低噪声放大器放大后通过BPF115，由平衡-不平衡转换器116变换成平衡信号，由平衡-不平衡转换器116的2个平衡端子输出。
高频电路部中还设有：其输出端连接至高频模块1的发送信号端子TX1的功率放大器121；其一端连接至功率放大器121的输入端的BPF122；不平衡端子连接至BPF122的另一端的平衡-不平衡转换器123。对应于第1发送信号的平衡信号被输入至平衡-不平衡转换器123的2个平衡端子，由平衡-不平衡转换器123变换成不平衡信号，通过BPF122，经功率放大器121放大后作为第1发送信号传送给发送信号端子TX1。
高频电路部中还设有：其输出端连接至高频模块1的发送信号端子TX2的功率放大器124；其一端连接至功率放大器124的输入端的BPF125；不平衡端子被连接至BPF125的另一端的平衡-不平衡转换器126。对应于第2发送信号的平衡信号，被输入至平衡-不平衡转换器126的2个平衡端子，由平衡-不平衡转换器126变换成不平衡信号后通过BPF125，经功率放大器124放大，之后作为第2发送信号传送给发送信号端子TX2。
再者，高频电路部的结构不局限于图4所示的结构，可以有种种变更。例如，高频电路部也可以是不含平衡-不平衡转换器113、116的、将通过BPF112、115的信号以不平衡信号直接输出的结构。另外，低噪声放大器111与BPF112的位置关系以及低噪声放大器114与BPF115的位置关系，也可以分别与图4所示的位置关系相反。另外，也可以设置低通滤波器或高通滤波器来代替BPF112、115、122、125。
下面，参照图5至图24，就一例层叠基板200的结构进行说明。图5至图23分别表示从上面起第1层至第19层(最下层)的电介质层的上面。图24表示从上面起第19层的电介质层及其下的导体层。图5至图23中，圆圈表示导通孔。
在图5所示的第1层电介质层201的上面，形成构成各端子ANT1、ANT2、RX1、RX2、TX1、TX2、CT1、CT2、G1～G6、NC1、NC2的导体层。在电介质层201的上面还形成：连接电容器13的导体层301、302；连接电容器14的导体层401、402；连接电容器15的导体层303、304；连接电容器16的导体层403、404。在电介质层201的上面还形成：连接开关电路10的各端口P1～P6的6个导体层221～226；被连接到地的导体层230。
在图6所示的第2层电介质层202的上面，形成导体层231、232、311～314、411～414。导体层231连接至端子G1。导体层232连接至端子G4。
导体层311连接至端子ANT1。在导体层311上，通过在电介质层201中形成的导通孔，连接图5所示的导体层301。在导体层312上，通过在电介质层201中形成的2个导通孔，连接图5所示的导体层221、302。导体层313连接至端子CT1。在导体层313上，通过在电介质层201中形成的导通孔连接图5所示的导体层225。在导体层314上，通过在电介质层201中形成的2个导通孔连接图5所示的导体层223、304。
导体层411连接至端子ANT2。在导体层411上，通过在电介质层201中形成的导通孔连接图5所示的导体层401。在导体层412上，通过在电介质层201中形成的2个导通孔连接图5所示的导体层222、402。导体层413连接至端子CT2。在导体层413上，通过在电介质层201中形成的导通孔连接图5所示的导体层226。在导体层414上，通过在电介质层201中形成的2个导通孔连接图5所示的导体层224、404。
在图7所示的第3层电介质层203的上面，形成接地用导体层233、234。导体层233连接至端子G1。在导体层233上，通过在电介质层202中形成的导通孔连接图6所示的导体层231。导体层234连接在端子G2～G6。在导体层234上，通过在电介质层202中形成的导通孔连接图6所示的导体层232。另外，在导体层234上，通过在电介质层201、202中形成的导通孔连接图5所示的导体层230。
在图8所示的第4层的电介质层204的上面，形成接地用导体层235、导体层316、416及电感器用导体层317、417。导体层235连接至端子G1及端子G4。在导体层235上，通过在电介质层203中形成的多个导通孔连接图7所示的导体层233、234。
在导体层316上，通过在电介质层201～203中形成的导通孔连接图5所示的导体层303。导体层317的一端部连接至端子RX2。导体层317构成图1中的电感器41。
在导体层416上，通过在电介质层201～203中形成的导通孔连接图5所示的导体层403。导体层417的一端部连接至端子TX2。导体层417构成图1中的电感器71。
在图9所示的第5层电介质层205的上面，形成电容器用导体层319、419。导体层319连接至端子G2。导体层319构成图1中的电容器32、35、42的各一部分。导体层419连接至端子G6。导体层419构成图1中的电容器62、65、72的各一部分。
在图10所示的第6层的电质层206的上面，形成电容器用导体层321、322、323、421、422、423。
导体层321与图9所示的导体层319一同构成图1中的电容器32。导体层322与图9所示的导体层319一同构成图1中的电容器35。导体层323与图9所示的导体层319一同构成图1中的电容器42，同时构成图1中的电容器43的一部分。在导体层323上，通过在电介质层204、205中形成的导通孔连接图8所示的导体层317。
导体层421与图9所示的导体层419一同构成图1中的电容器62。导体层422与图9所示的导体层419一同构成图1中的电容器65。导体层423与图9所示的导体层419一同构成图1中的电容器72，同时构成图1中的电容器73的一部分。在导体层423上，通过在电介质层204、205中形成的导通孔连接图8所示的导体层417。
在图11所示的第7层的电介质层207的上面，形成接地用导体层236及电容器用导体层324、325、326、424、425、426。导体层236连接至端子G1及端子G4。在导体层236上，通过在电介质层204～206中形成的导通孔连接图8所示的导体层235。
在导体层324上，通过在电介质层201～206中形成的导通孔连接图5所示的导体层303。在导体层325上，通过在电介质层206中形成的导通孔连接图10所示的导体层323。导体层326连接至端子RX2。导体层324、325分别构成图1中的电容器83、84的各一部分。导体层326与图10所示的导体层323一同构成图1中的电容器43。
在导体层424上，通过在电介质层201～206中形成的导通孔连接图5所示的导体层403。在导体层425上，通过在电介质层206中形成的导通孔连接图10所示的导体层423。导体层426连接至端子TX2。导体层424、425分别构成图1中的电容器93、94的各一部分。导体层426与图10所示的导体层423一同构成图1中的电容器73。
在图12所示的第8层的电介质层208的上面，形成电容器用导体层328、329、428、429。
在导体层328上，通过在电介质层206、207中形成的导通孔连接图10所示的导体层321。在导体层329上，通过在电介质层206、207中形成的导通孔连接图10所示的导体层322。导体层328与图11所示的导体层324一同构成图1中的电容器83。导体层329与图11所示的导体层325一同构成图1中的电容器84。
在导体层428上，通过在电介质层206、207中形成的导通孔连接图10所示的导体层421。在导体层429上，通过在电介质层206、207中形成的导通孔连接图10所示的导体层422。导体层428与图11所示的导体层424一同构成图1中的电容器93。导体层429与图11所示的导体层425一同构成图1中的电容器94。
在图13所示的第9层的电介质层209的上面，形成接地用导体层237～241和电容器用导体层331、332、431、432。在导体层237～241上，通过在电介质层207、208中形成的导通孔连接图11所示的导体层236。
在导体层331上，通过在电介质层208中形成的导通孔连接图12所示的导体层328。在导体层332上，通过在电介质层208中形成的导通孔连接图12所示的导体层329。导体层331、332构成图1中的电容器33。
在导体层431上，通过在电介质层208中形成的导通孔连接图12所示的导体层428。在导体层432上，通过在电介质层208中形成的导通孔连接图12所示的导体层429。导体层431、432构成图1中的电容器63。
在图14所示的第10层的电介质层210的上面，形成导体层334、335、336、337、434、435、436、437。
在导体层334上，通过在电介质层208、209中形成的导通孔连接图12所示的导体层328。在导体层335上，通过在电介质层208、209中形成的导通孔连接图12所示的导体层329。另外，在导体层335上，通过在电介质层203～209中形成的导通孔连接图7所示的导体层234。在导体层336上，通过在电介质层203～209中形成的导通孔连接图7所示的导体层234。导体层337连接至端子G 3。导体层334、335、336、337分别构成图1中的传送线路31、34、21、24。另外，用导体层334、335、336、337构成的传送线路31、34、21、24，成为分布参数线路。在本实施例中，BPF20中的谐振电路所包含的传送线路21、24(导体层336、337)的纵向与BPF 30中的谐振电路所包含的传送线路31、34(导体层334、335)的纵向正交。
在导体层434上，通过在电介质层208、209中形成的导通孔连接图12所示的导体层428。在导体层435上，通过在电介质层208、209中形成的导通孔连接图12所示的导体层429。另外，在导体层435上，通过在电介质层203～209中形成的导通孔连接图7所示的导体层234。在导体层436上，通过在电介质层203～209中形成的导通孔连接图7所示的导体层234。导体层437连接至端子G5。导体层434、435、436、437分别构成图1中的传送线路61、64、51、54。另外，用导体层434、435、436、437构成的传送线路61、64、51、54，成为分布参数线路。在本实施例中，BPF50中的谐振电路所包含的传送线路51、54(导体层436、437)的纵向与BPF60中的谐振电路所包含的传送线路61、64(导体层434、435)的纵向正交。
在图15所示的第11层的电介质层211的上面，形成接地用导体层242和电感器用导体层339、439。在导体层242上，通过在电介质层209、210中形成的导通孔连接图13所示的导体层237～241。
在导体层339上，通过在电介质层204～210中形成的导通孔连接图8所示的导体层316。导体层339构成图1中的电感器81的一部分。在导体层439上，通过在电介质层204～210中形成的导通孔连接图8所示的导体层416。导体层439构成图1中的电感器91的一部分。
在图16所示的第12层的电介质层212的上面，形成电感器用导体层340、440。在导体层340上，通过在电介质层211中形成的导通孔连接图15所示的导体层339。导体层340构成图1中的电感器81的一部分。在导体层440上，通过在电介质层211中形成的导通孔连接图15所示的导体层439。导体层440构成图1中电感器91的一部分。
在图17所示的第13层的电介质层213的上面，形成电感器用导体层341、441。在导体层341上，通过在电介质层212中形成的导通孔连接图16所示的导体层340。图1中的电感器81由导体层339～341构成。在导体层441上，通过在电介质层212中形成的导通孔连接图16所示的导体层440。图1中的电感器91由导体层439～441构成。
在图18所示的第14层的电介质层214的上面，形成电容器用导体层343、344、443、444。导体层343连接至端子RX2。导体层343构成图1中的电容器44的一部分。导体层344连接至端子RX1。导体层344构成图1中的电容器82的一部分。导体层443连接至端子TX2。导体层443构成图1中的电容器74的一部分。导体层444连接至端子TX1。导体层444构成图1中的电容器92的一部分。
在图19所示的第15层的电介质层215的上面，形成接地用导体层243、导体层346、446及电容器用导体层347、447。在导体层243上，通过在电介质层211～214中形成的导通孔连接图15所示的导体层242。
在导体层346上，通过在电介质层210～214中形成的导通孔连接图14所示的导体层336。另外，在导体层346上，通过在电介质层213、214中形成的导通孔连接图17所示的导体层341。在导体层347上，通过在电介质层210～214中形成的导通孔连接图14所示的导体层337。导体层347与图18所示的导体层344一同构成电容器82。
在导体层446上，通过在电介质层210～214中形成的导通孔连接图14所示的导体层436。另外，在导体层446上，通过在电介质层213、214中形成的导通孔连接图17所示的导体层441。在导体层447上，通过在电介质层210～214中形成的导通孔连接图14所示的导体层437。导体层447与图18所示的导体层444一同构成电容器92。
在图20所示的第16层电介质层216的上面，形成电容器用导体层349、350、351、449、450、451。
导体层349连接至端子G2、G3。导体层349与图18所示的导体层343一同构成图1中的电容器44。在导体层350上，通过在电介质层215中形成的导通孔连接图19所示的导体层346。在导体层351上，通过在电介质层215中形成的导通孔连接图19所示的导体层347。导体层350、351构成图1中的电容器23。
导体层449连接至端子G5、G6。导体层449与图18所示的导体层443一同构成图1中的电容器74。在导体层450上，通过在电介质层215中形成的导通孔连接图19所示的导体层446。在导体层451上，通过在电介质层215中形成的导通孔连接图19所示的导体层447。导体层450、451构成图1中的电容器53。
在图21所示的第17层电介质层217的上面，形成电容器用导体层353、354、453、454。
在导体层353上，通过在电介质层216中形成的导通孔连接图20所示的导体层350。导体层353构成图1中的电容器22的一部分。在导体层354上，通过在电介质层216中形成的导通孔连接图20所示的导体层351。导体层354构成图1中电容器25的一部分。
在导体层453上，通过在电介质层216中形成的导通孔连接图20所示的导体层450。导体层453结构图1中的电容器52的一部分。在导体层454上，通过在电介质层216中形成的导通孔连接图20所示的导体层451。导体层454构成图1中的电容器55的一部分。
在图22所示的第18层的电介质层218的上面，形成接地用导体层244。导体层244连接至端子G1～G6。导体层244与图21中的导体层353一同构成图1中的电容器22。另外，导体层244与图21中的导体层354一同构成图1中的电容器25。
在导体层244上，通过在电介质层215～217中形成的导通孔连接图19所示的导体层243。另外，在导体层244上，通过在电介质层210～217中形成的导通孔连接图14所示的导体层334、434。在电介质层218中形成连接至导体层244的8个导通孔。
在图23所示的第19层的电介质层219中，形成连接至在电介质层218中形成的8个导通孔的8个导通孔。
如图24所示，在电介质层219的下面，形成构成各端子ANT1、ANT2、RX1、RX2、TX1、TX2、CT1、CT2、G1～G6、NC1、NC2的导体层以及接地用导体层245。在导体层245上，通过在电介质层218、219中形成的导通孔连接图22所示的导体层244。
图25表示在层叠基板200的内部，配置形成第1接收信号、第2接收信号、第1发送信号和第2发送信号的各路径的元件的区域。在图25中，标记251表示形成第1接收信号的路径的元件的配置区域。标记252表示形成第2接收信号的路径的元件的配置区域。标记261表示形成第1发送信号的路径的元件的配置区域。标记262表示形成第2发送信号的路径的元件的配置区域。
如图25所示，在本实施例中，在层叠基板200的内部，形成第1和第2接收信号的路径的元件的配置区域251、252相互分离，形成第1和第2发送信号的路径的元件的配置区域261、262相互分离。
另外，形成第1及第2接收信号的路径的元件的配置区域251、252与形成第1及第2发送信号的路径的元件的配置区域261、262相互分离。再者，在区域251、252与区域261、262之间设置接地的导体部270。导体部270由接地用导体层235～243和与它们连接的导通孔构成。
另外，在层叠基板200的内部，作为接收系统电路的双工器11配置在由区域251、252合并成的区域250上，作为发送系统电路的双工器12配置由区域261、262合并成的区域260上。这样，在本实施例中，在层叠基板200的内部，双工器11、12被配置在相互不同的区域250、260上。而且，在层叠基板200的内部，在区域250、260之间配置导体部270。该导体部270通过接地端子G1～G6被连接到地，在电磁上分离双工器11、12。
另外，在本实施例中，双工器11、12配置在正交于层叠基板200的层叠方向的方向上相互分离的区域250、260上。而且，导体部270形成在区域250、260之间多个电介质层中，同时用连接到地的多个导通孔构成。
图26是表示导体部270的高频模块1的剖面图。再者，图26表示图5中A-A线位置的剖面。另外，在图26所示的层叠基板200的内部，全部涂黑的矩形部分表示导通孔，水平方向延伸的直线表示导体层。
另外，层叠基板200包含接地用导体层244，该导体层配置在比配置了双工器11、12的各区域250、260更靠近层叠基板200的层叠方向的一侧的面(下面)的位置上，同时被连接到地的。构成导体部270的多个导通孔连接在接地用导体层244上。
下面，就有关本实施例的高频模块1的效果进行说明。在本实施例中，在层叠基板200的内部，用配置在双工器11的配置区域250与双工器12的配置区域260之间的导体部270在电磁上分离双工器11、12。因此，依据本实施例，在层叠基板200内，可以防止接收信号从双工器11向双工器12泄漏，或防止发送信号从双工器12向向双工器11泄漏。因而，依据本实施例，可以提高双工器11与双工器12之间的隔离。另外，由于这个原因，依据本实施例，可以在层叠基板200的内部高密度构成双工器11、12，结果，可将高频模块更加小型化。
另外，在本实施例中，双工器11、12配置在正交于层叠基板200的层叠方向的方向上相互分离的区域250、260上，导体部270由形成在区域250、260之间的多个电介质层中的、接地的多个导通孔构成。这样，用多个导通孔构成的导体部270是如图26所示的带状。因此，依据本实施例，与将区域250、260用面积大的板状的导体部来电磁上分离的情况相比，可以减小起因于导体部270的寄生电容。另外，由于这个原因，依据本实施例，在层叠基板200的内部，可以高密度构成双工器11、12，结果，可将高频模块更加小型化。
又，在本实施例的高频模块1中，双工器11设有BPF20、30，双工器12设有BPF50、60。也可以不用BPF，而用高通滤波器及低通滤波器来构成双工器11、12。但是，在这种情况下，在被连接至高频模块1的电路中需多个滤波器，又会对设置在连接至高频模块1的电路中的滤波器所要求的条件变得严格。对此，依据本实施例，通过用BPF构成双工器11、12，可以减少被设置在被连接至高频模块1的电路中的滤波器的数量，又可缓和对设置在连接至高频模块1的电路中的滤波器所要求的条件。
又，各BPF20、30、50、60用谐振电路构成。BPF也可以组合高通滤波器和低通滤波器来构成。但是，在这种情况下，构成BPF的元件数量增多，BPF的特性的调整也变得困难。对此，依据本实施例，由于各BPF20、30、50、60用谐振电路构成，构成BPF20、30、50、60的元件数量减少，且BPF20、30、50、60的特性的调整变得容易。
又，开关电路10和双工器11、12用层叠基板200一体化。于是，可以减小高频模块1的实装面积。例如，若将2个长3.2mm、宽1.6mm尺寸的单体的双工器和长3.0mm、宽3.0mm尺寸的单体开关实装到基板上来构成高频模块，包含底座在内的高频模块的实装面积约为23mm2。与此相比，本实施例中，包含底座的高频模块1的实装面积约为16mm2。因而，依据本实施例，比起将2个单体的双工器和单体的开关实装到基板上来构成高频模块的情况来，可以减少实装面积约30％。
又，依据本实施例，比起将2个单体的双工器和单体的开关实装到基板上构成高频模块的情况来，减少了用于部件实装的工序数量，可以降低实装需要的成本。
因此，依据本实施例，可以实现用于无线LAN用的通信装置的、能够处理多个频带的发送信号与接收信号的且可小型化的高频模块1。
另外，有关本实施例的无线LAN用的高频模块1主要被搭载于笔记本型个人计算机等需小型化或薄形化的设备中。因此，高频模块的尺寸理想值是在长5mm以下，宽4mm以下，高2mm以下。
又，高频模块1设有2个天线端子ANT1、ANT2，开关电路10将双工器11、12中的任意一个连接到天线端子ANT1、ANT2中的任意一个上。因而，依据本实施例，能够实现对应于分集的高频模块1。
又，在高频模块1中，将构成元件一体化的基板是包含由电介质层和导体层交替层叠成的层叠基板200，构成BPF20、30、50、60的谐振电路由电介质层和导体层构成。于是，依据本实施例，可以将高频模块1更加小型化。
又，在本实施例中，各谐振电路包含用导体层构成的分布参数线路。因此，依据本实施例，得到以下的效果。在无线LAN用的高频电路部上，作为各路径中的通过特性，有要求通频带以外的频率区域中的衰减大的倾向。为了满足这个要求，BPF20、30、50、60的插入损失的频率特性在通频带和通频带以外的频率区域之间的边界附近，希望插入损失是陡峭变化的特性。如果将这样的特性仅用由集总参数元件构成的BPF来实现，则滤波器的级数必须多。若如此，则构成BPF的元件的数量增多。其结果，高频模块的小型化变得困难，由于调整的元件数量多，实现BPF的所要求特性变得困难。对此，如本实施例所示，在构成BPF20、30、50、60的谐振电路包含分布参数线路的情况下，比起将BPF仅用集总参数元件构成的情况来，可以减少元件的数量，同时用以实现所要求的特性的调整变得容易。因而，依据本实施例，可以将高频模块更加小型化，同时可以容易地实现BPF20、30、50、60的所要求特性。
又，在本实施例中，各谐振电路包含具有用导体层构成的电感器的传送线路。BPF20中的谐振电路所包含的传送线路21、24(导体层336、337)的纵向与BPF30中的谐振电路所包含的传送线路31、34(导体层334、335)的纵向相互正交。于是，可以防止在传送线路21、24(导体层336、337)与传送线路31、34(导体层334、335)之间的电磁耦合的发生，其结果，可以防止在BPF20与BPF30之间发生电磁干扰。
同样，BPF50中的谐振电路所包含的传送线路51、54(导体层436、437)的纵向与BPF60中的谐振电路所包含的传送线路61、64(导体层434、435)的纵向相互正交。于是，可以防止在传送线路51、54(导体层436、437)与传送线路61、64(导体层434、435)之间的电磁耦合的发生，其结果，可以防止在BPF50与BPF60之间的电磁干扰的发生。
另外，如图25所示，在本实施例中，在层叠基板200的内部，形成第1及第2接收信号的路径的元件的配置区域251、252被相互分离。于是，依据本实施例，可以防止在第1接收信号的路径与第2接收信号的路径之间发生电磁干扰。
同样，在层叠基板200的内部，形成第1及第2发送信号路径的元件的配置区域261、262被相互分离。于是，依据本实施例，可以防止在第1发送信号的路径与第2发送信号的路径之间发生电磁干扰。
另外，在本实施例中，开关电路10被搭载在层叠基板200上，层叠基板200的导体层包含被配置在开关电路10与全部的谐振电路之间且同时被连接到地的接地用导体层233、234(参照图7)。于是，依据本实施例，可以防止开关电路10与双工器11、12之间发生电磁干扰。
又，在本实施例中，双工器11设有串联连接在BPF30上使第2频带中的接收信号通过的LPF40。另外，双工器12设有串联连接在BPF60上使第2频带中的发送信号通过的LPF70。在BPF30、60中，如果谐振电路的级数多，则可以使第2频带外的插入损失增加，但也会增加第2频带中的插入损失。与此形成对比，依据本实施例，在第2频带中的接收信号及发送信号的各路径中，可以一边抑制第2频带中的插入损失的增加，一边使比第2频带更高频一侧的插入损失增加。
再者，在本实施例中，作为层叠基板200，电介质层可以使用采用树脂、陶瓷或两者复合而成的材料等。但是，作为层叠基板200，最好使用高频特性优良的低温同时烧成陶瓷多层基板。而且，在采用该低温同时烧成陶瓷多层基板的层叠基板200中，如用图5至24说明过的那样，最好至少内藏构成双工器11、12的多个电感元件(具有电感的传送线路及电感器)以及电容器元件(电容器)。再者，开关电路10用由GaAs化合物半导体制造的场效应晶体管构成，如图2所示，最好被搭载在用低温同时烧成陶瓷多层基板的层叠基板上。另外，如图2所示，在采用低温同时烧成陶瓷多层基板的层叠基板200的外周面上，最好设置，其中包括：用以将开关电路10连接至天线的天线端子ANT1、ANT2；用以将双工器11、12连接至外部电路的接收信号端子RX1、RX2及发送信号端子TX1、TX2；控制端子CT1、CT2；被连接到地的接地端子G1～G6。
[第2实施例]
下面，参照图27至图29，就本发明的第2实施例的高频模块进行说明。图27是表示本实施例的高频模块1中的层叠基板的上面的平面图。图28是本实施例的高频模块1的剖面图。再者，图28表示在图27中B-B线位置的剖面。图29是表示本实施例中的导体部的平面图。
在图28中，标记501所示区域表示在层叠基板200的内部配置作为接收系统电路的双工器11的区域。另外，标记502所示区域表示在层叠基板200的内部配置作为发送系统电路的双工器12的区域。如图28所示，在本实施例中，双工器11、12配置在层叠基板200的层叠方向上相互分离的区域上。再者，图28中，双工器11的配置区域501设在双工器12的配置区域502的上侧，而也可以与此相反。
另外，层叠基板200含有设在双工器11的配置区域501与双工器12的配置区域502之间的导体层503。如图29所示，导体层503通过接地端子G1～G6接地，这样就在电磁上分离了双工器11、12。这样，在本实施例中，电磁上分离双工器11、12的导体部由导体层503构成。
如图28所示，设置在层叠基板200的上面的导体层303经由导通孔511连接到区域501内的导体层512上。另外，设置在层叠基板200的上面的导体层403经由导通孔513连接到区域502内的导体层514上。
本实施例中的层叠基板200的结构，例如如下面所述。首先，形成在配置在第1层至第3层的电介质层201～203的各层上面的导体层及电介质层201～203中的导通孔的配置与图5至图7相同。在第3层的电介质层203的下面，配置区域501。在区域501上配置的构成双工器11的多个导体层及多个导通孔的配置与例如图8至图23中的左半部分相同。另外，在区域502上配置的构成双工器12的多个导体层及多个导通孔的配置与例如图8至图23中的右半部分相同。
本实施例中的其他结构与第1实施例相同。本实施例的高频模块1的作用及效果，除了第1实施例中因导体部270为带状而产生的作用和效果以外，其余与第1实施例相同。
再者，本发明不限定于上述实施例，可以有种种的变更。例如，设置1个天线端子代替2个天线端子ANT1、ANT2，也可以设置将双工器11、12中的任意一个选择性地连接到1个天线端子上的开关电路来代替开关电路10。
根据以上的说明，显然可以获知实施本发明的种种形态和变形例。因而，在以下的权利要求的范围的均等的范围内，尽管是上述优选实施例以外的实施方式，也能够实施本发明。

Claims (10)

1.一种高频模块，设有：
包含被交替层叠的电介质层和导体层的层叠基板；
设于所述层叠基板内部的、处理发送信号的发送系统电路；
设于所述层叠基板内部的、处理接收信号的接收系统电路；
其特征在于：
在所述层叠基板的内部，所述发送系统电路与接收系统电路配置在彼此不同的区域；
所述高频模块中，还在所述层叠基板的内部设有在电磁上分离所述发送系统电路和接收系统电路的导体部，该导体部设在配置了所述发送系统电路的区域与配置了接收系统电路的区域之间并连接到地。
2.如权利要求1所述的高频模块，其特征在于：
所述发送系统电路和接收系统电路，配置于在与所述层叠基板的层叠方向正交的方向上相互分离的区域上；
所述导体部由在配置了所述发送系统电路的区域与配置了接收系统电路的区域之间的多个电介质层中形成的、同时被连接到地的多个导通孔构成。
3.如权利要求2所述的高频模块，其特征在于：
所述导体层包含设在比配置了所述发送系统电路和接收系统电路的各区域更靠近所述层叠基板的层叠方向一侧的面的位置上的、同时被连接到地的接地用导体层，所述多个导通孔被连接在所述接地用导体层上。
4.如权利要求1所述的高频模块，其特征在于：
所述发送系统电路和接收系统电路配置于在所述层叠基板的层叠方向上相互分离的区域；
所述导体部由设于在配置了所述发送系统电路的区域与配置了接收系统电路的区域之间的、同时被连接到地的导体层构成。
5.如权利要求1所述的高频模块，其特征在于：
所述发送系统电路和接收系统电路连接在用以将所述发送系统电路和接收系统电路中的任意一个连接到天线的连接开关电路上；
所述发送系统电路是将第1频带中的发送信号和比所述第1频带更高频一侧的第2频带中的发送信号分离的发送系统双工器；
所述接收系统电路是将第1频带中的接收信号和所述第2频带中的接收信号分离的接收系统双工器。
6.如权利要求5所述的高频模块，其特征在于：
所述发送系统双工器设有：第1至第3端口；设于第1端口与第2端口之间、使第1频带中的发送信号通过的第1发送用带通滤波器；以及设于第1端口与第3端口之间、使第2频带中的发送信号通过的第2发送用带通波器，第1端口被连接至所述开关电路，
所述接收系统双工器设有：第1至第3端口；设于第1端口与第2端口之间、使第1频带中的接收信号通过的第1接收用带通滤波器；以及设于第1端口与第3端口之间、使第2频带中的接收信号通过的第2接收用带通滤波器，第1端口被连接至所述开关电路。
7.如权利要求6所述的高频模块，其特征在于：所述各带通滤波器用谐振电路来构成。
8.如权种要求7所述的高频模块，其特征在于：所述各谐振电路包含用所述导体层构成的分布参数线路。
9.如权利要求7所述的高频模块，其特征在于：
所述各谐振电路包含设有用所述导体层构成的电感的传送线路；
所述第1发送用带通滤波器中的谐振电路所包含的所述传送线路的纵向与所述第2发送用带通滤波器中的谐振电路所包含的所述传送线路的纵向正交；
所述第1接收用带通滤波器中的谐振电路所包含的所述传送线路的纵向与所述第2接收用带通滤波器中的谐振电路所包含的所述传送线路的纵向正交。
10.如权利要求5所述的高频模块，其特征在于：
所述层叠基板是低温同时烧成陶瓷多层基板；
在所述层叠基板内设有构成所述发送系统双工器和接收系统双工器的多个电感元件及电容元件；
所述高频模块还设有所述开关电路，所述开关电路由用GaAs化合物半导体制造的场效应晶体管构成，搭载在所述层叠基板上；
高频模块中还设有：用以将所述开关电路连接到天线的天线端子；用以将所述发送系统双工器连接到外部电路的2个发送信号端子；用以将所述接收系统双工器连接到外部电路的2个接收信号端子；以及被连接到地的接地端子，所述各端子形成在所述层叠基板的外周面上。
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