JP2012199343A - 受光素子、光受信器及び光受信モジュール - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 84
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 250
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 196
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 158
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 99
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 439
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 88
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 49
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 12
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/1121—Devices with Schottky gate
- H01L31/1123—Devices with Schottky gate the device being a photo MESFET
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
【解決手段】本実施例における受光素子は、信号光を伝播させるコアと、前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層とを有する。
【選択図】図6
Description
図4に示したように、受光素子300では、信号光は導波路部311においてコア312を伝播し、光検出部301において吸収層303に直接入射する。入射した信号光はそのまま、吸収層303の、信号光が入射する端部の近傍の領域において吸収される。
尚、図1ないし図4に示した2つの受光素子の一例が、以下の特許文献及び非特許文献に開示されている。
[1−1.受光素子600の構造]
図6は、本発明の第1実施例に係る受光素子600の構造の一例を示す斜視図であり、受光素子600の要部のみを示した図である。図7は、図6のB1−B2の破線で示した断面における受光素子600の断面図であり、光検出部601と導波路部611の境界領域の近傍を示した図である。
図8は、受光素子600の光検出部601において発生するフォトキャリア密度分布のシミュレーション結果の一例を示す図である。縦軸はフォトキャリアの密度を示し、一定の値に基づいて規格化された密度を示す。横軸は光検出部601のPD内部位置を示す。
図9は、受光素子600の光検出部601における量子効率のシミュレーション結果の一例を示す図である。縦軸は量子効率を示す。横軸は光検出部601のPD内部位置を示す。
図10は、受光素子1000の構造の一例を示す斜視図であり、受光素子1000の要部のみを示した図である。図10に示した受光素子1000の構造は、図6に示した受光素子600の構造の1つの具体例であり、受光素子600の各層の構成例を具体的に示したものである。図11は、図10のB3−B4の破線で示した断面における受光素子1000の断面図であり、光検出部1001と導波路部1011の境界領域の近傍を示したものである。図12(A)は、図10のB5−B6の破線で示した断面における受光素子1000の断面図であり、メサ構造の近傍を示したものである。図12(B)は、図10のB7−B8の破線で示した断面における受光素子1000の断面図であり、メサ構造の近傍を示したものである。
図13ないし図17は、図10ないし図12に示した受光素子1000の製造工程の一例を示す図である。各図において、上側の図は、基板の上方から見たときの平面図であり、受光素子1000の要部を示した図である。下側の図は、各平面図の破線で示した断面で見たときの断面図であり、光検出部1001と導波路部1011の境界領域の近傍を示したものである。以下、図13ないし図17を用いて受光素子1000の製造方法の一例を説明する。
図18は、本発明の第2実施例に係る受光素子1800の構造の一例を示す図であり、第1実施例に係る受光素子600の図7に示した断面に対応する断面を示す図である。図18に示した受光素子1800は、図6に示した受光素子600と、コアの厚さが異なっているが、その他の部分については同様である。尚、受光素子1800の斜視図については、図6に示した受光素子600の斜視図と、コアの厚さが異なっている点を除いて同様であるので、図示を省略している。
[3−1.受光素子1900の構造]
図19は、本発明の第3実施例に係る受光素子1900の構造の一例を示す図であり、第1実施例に係る受光素子600の図7に示した断面に対応する断面を示す図である。図19に示した受光素子1900は、図6に示した受光素子600と、コアの厚さが異なっているが、その他の部分については同様である。尚、受光素子1900の斜視図については、図6に示した受光素子600の斜視図と、コアの厚さが異なっている点を除いて同様であるので、図示を省略している。
図20は、受光素子1900の光検出部1901において発生するフォトキャリア密度分布のシミュレーション結果の一例を示す図である。縦軸はフォトキャリアの密度を示し、一定の値に基づいて規格化された強度を示す。横軸は光検出部1901のPD内部位置を示す。
コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さが異なる場合において、光検出部におけるフォトキャリア密度分布の比較を行う。
次に、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さをコア1912全体の厚さの25%とした場合(図20の分布曲線(d))を例にとって、受光素子1900と受光素子600について、光検出部におけるフォトキャリア密度分布の比較を行う。
図21は、本発明の第4実施例に係る受光素子2100の構造の一例を示す図であり、第1実施例に係る受光素子600の図7に示した断面に対応する断面を示す図である。図21に示した受光素子2100は、図19に示した受光素子1900と、基板とコアの間にバッファ層が形成されている点で異なっているが、その他の部分については同様である。尚、受光素子2100の斜視図については、図19に示した受光素子1900の場合と同様に、図示を省略している。
図22は、本発明の第5実施例に係る光受信器2200の構成の一例を示す図である。
[6.第6実施例]
図23は、本発明の第6実施例に係る光受信モジュール2300の構成の一例を示す図である。
(付記1)
信号光を伝播させるコアと、
前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、
前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層と、
を有することを特徴とする受光素子。
(付記2)
前記コアと前記第1半導体層は前記コアの延在方向に沿って隣接するように接続されていることを特徴とする付記1記載の受光素子。
(付記3)
前記コアの上面は、前記第1半導体層の底面よりも、前記基板から離れた位置にあり、前記コアの底面は、前記第1半導体層の上面よりも、前記基板に近い位置にあることを特徴とする付記1又は2記載の受光素子。
(付記4)
前記吸収層の屈折率は、前記第1半導体層の屈折率よりも高いことを特徴とする付記1ないし3のいずれか一つ記載の受光素子。
(付記5)
前記第1半導体層の屈折率は、前記コアの屈折率よりも高いことを特徴とする付記1ないし4のいずれか一つに記載の受光素子。
(付記6)
前記コアの上面は、前記第1半導体層の上面よりも、前記基板に近い位置にあることを特徴とする付記1ないし5のいずれか一つ記載の受光素子。
(付記7)
前記コアの厚さは、前記第1半導体層の厚さより小さいことを特徴とする付記6記載の受光素子。
(付記8)
前記コアの上面は、前記第1半導体層の上面よりも、前記基板から離れた位置にあり、かつ、前記吸収層の上面よりも前記基板に近い位置にあることを特徴とする付記1ないし5のいずれか一つ記載の受光素子。
(付記9)
前記第1半導体層の厚さは、前記コアの厚さの半分以上であることを特徴とする付記8記載の受光素子。
(付記10)
前記コアの底面は、前記第1半導体層の底面よりも、前記基板から離れた位置にあり、かつ、前記第1の半導体層の上面よりも、前記基板に近い位置にあることを特徴とする付記1ないし5のいずれか一つに記載の受光素子。
(付記11)
前記コアと前記基板の間にバッファ層をさらに有することを特徴とする付記10記載の受光素子。
(付記12)
前記第1半導体層の厚さは、前記コアの厚さの半分以上であることを特徴とする付記10記載の受光素子。
(付記13)
前記第1半導体層、前記吸収層及び前記第2半導体層はPIN型のフォトダイオードを構成することを特徴とする付記1ないし13のいずれか一つ記載の受光素子。
(付記14)
前記コアと前記第1半導体層は、同一基板上に設けられていることを特徴とする付記1ないし13のいずれか一つ記載の受光素子。
(付記15)
前記コアの上に形成された第3半導体層をさらに含むことを特徴とする付記1ないし14のいずれか一つ記載の受光素子。
(付記16)
基板の第1領域に設けられ、複数の入射光を伝播させる第1導波路部と、
前記基板の第2領域に設けられ、前記複数の入射光が入射され、前記複数の入射光に基づいて複数の出射光を生成する第2導波路部と、
前記基板の第3領域に設けられ、前記複数の出射光を伝搬させる複数の導波路を含む第3導波路部と、
前記基板の第4領域に設けられ、前記複数の導波路より前記複数の出射光が入射される複数の光検出素子を含む光検出部と
を有する光受信器であって、
前記複数の導波路の各々は、
対応する前記出射光を伝播させるコアを含み、
前記複数の光検出素子の各々は、
対応する前記コアから、対応する前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、
前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層と、
を含むことを特徴とする光受信器。
(付記17)
前記複数の入射光は信号光と参照光を含み、
前記第2導波路部は、前記信号光と前記参照光を干渉させることにより、前記複数の出射光を生成する多モード干渉導波路を含むことを特徴とする付記16記載の光受信器。
(付記18)
複数の入射光が入射され、前記複数の入射光を検出して前記複数の入射光に応じた複数の電気信号を出力する複数の光受信器と、
前記複数の電気信号が入力され、前記複数の電気信号を増幅する複数の増幅器と
を有する光受信モジュールであって、
前記複数の光受信器の各々は、
基板の第1領域に形成され、前記複数の入射光を伝播させる第1導波路部と、
前記基板の第2領域に形成され、前記複数の入射光が入射され、前記複数の入射光に基づいて複数の出射光を生成する第2導波路部と、
前記基板の第3領域に形成され、前記複数の出射光を伝搬させる複数の導波路を含む第3導波路部と、
前記基板の第4領域に形成され、前記複数の導波路より前記複数の出射光が入射される複数の光検出素子を含む光検出部と
を有し、
前記複数の導波路の各々は、
対応する前記出射光を伝播させるコアを含み、
前記複数の光検出素子の各々は、
対応する前記コアから、対応する前記コアの延在方向より前記出射光を受光する第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層が受光した前記出射光を吸収する吸収層と、
前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層と
を含むことを特徴とする光受信モジュール。
101 光検出部
102 半導体層
103 吸収層
104 上部クラッド層
105 p型コンタクト層
111 導波路部
112 コア
113 凸部
114 基板
300 受光素子
301 光検出部
302 n型半導体層
303 吸収層
304 上部クラッド層
305 p型コンタクト層
311 導波路部
312 コア
313 上部クラッド層
314 基板
600 受光素子
601 光検出部
602 n型半導体層
603 i型吸収層
604 p型上部クラッド層
605 p型コンタクト層
611 導波路部
612 コア
613 上部クラッド層
614 基板
1000 受光素子
1001 光検出部
1002 n−InGaAsP半導体層
1003 i−InGaAs吸収層
1004 p−InPクラッド層
1005 p型コンタクト層
1011 導波路部
1012 i−InGaAsPコア層
1013 i−InPクラッド層
1014 SI−InP基板
1015 p側電極
1016 n側電極
1017 パッシベーション膜
1301 SI−InP基板
1302 n−InGaAsP膜
1303 i−InGaAs膜
1304 p−InP膜
1305 p−InGaAs/InGaAsP積層膜
1401 マスク
1501 i−InGaAsP膜
1502 i−InP膜1502
1800 受光素子
1801 光検出部
1802 n型半導体層
1803 i型吸収層
1804 p型上部クラッド層
1805 p型コンタクト層
1811 導波路部
1812 コア
1813 上部クラッド層
1814 基板
1900 受光素子
1901 光検出部
1902 n型半導体層
1903 i型吸収層
1904 p型上部クラッド層
1905 p型コンタクト層
1911 導波路部
1912 コア
1913 上部クラッド層
1914 基板
2100 受光素子
2101 光検出部
2102 n型半導体層
2103 i型吸収層
2104 p型上部クラッド層
2105 p型コンタクト層
2111 導波路部
2112 コア
2113 上部クラッド層
2114 基板
2200 光受信器
2201 光検出部
2202 PD接続導波路部
2203 MMI導波路部
2204 入力導波路部
2205〜2208 フォトダイオード(PD)素子
2209〜2212 接続導波路
2213 4×4MMI導波路
2214、2215 入力導波路
2300 光受信モジュール
2301、2302 光コヒーレントレシーバ
2303〜2306 トランスインピーダンス増幅器(TIA)
2307、2308 偏光分離素子(PBS)、
2309〜2314 レンズ
2315、2316 ミラー
2317、2318 光ファイバケーブル
Claims (10)
- 信号光を伝播させるコアと、
前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、
前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層と、
を有することを特徴とする受光素子。 - 前記コアと前記第1半導体層は前記コアの延在方向に沿って隣接するように接続されていることを特徴とする請求項1記載の受光素子。
- 前記吸収層の屈折率は、前記第1半導体層の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項1又は2記載の受光素子。
- 前記コアの上面は、前記第1半導体層の上面よりも、前記基板に近い位置にあることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項記載の受光素子。
- 前記コアの上面は、前記第1半導体層の上面よりも、前記基板から離れた位置にあり、かつ、前記吸収層の上面よりも前記基板に近い位置にあることを特徴とすることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項記載の受光素子。
- 前記第1半導体層の厚さは、前記コアの厚さの半分以上であることを特徴とする請求項5記載の受光素子。
- 前記コアの底面は、前記第1半導体層の底面よりも、前記基板から離れた位置にあり、かつ、前記第1の半導体層の上面よりも、前記基板に近い位置にあることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項記載の受光素子。
- 前記コアと前記基板の間にバッファ層をさらに有することを特徴とする請求項7記載の受光素子。
- 基板の第1領域に設けられ、複数の入射光を伝播させる第1導波路部と、
前記基板の第2領域に設けられ、前記複数の入射光が入射され、前記複数の入射光に基づいて複数の出射光を生成する第2導波路部と、
前記基板の第3領域に設けられ、前記複数の出射光を伝搬させる複数の導波路を含む第3導波路部と、
前記基板の第4領域に設けられ、それぞれ、前記複数の導波路より前記複数の出射光が入射される複数の光検出素子を含む光検出部と
を有する光受信器であって、
前記複数の導波路の各々は、
対応する前記出射光を伝播させるコアを含み、
前記複数の光検出素子の各々は、
対応する前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層が受光した前記出射光を吸収する吸収層と、
前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層と
を含むことを特徴とする光受信器。 - 複数の入射光が入射され、前記複数の入射光を検出して前記複数の入射光に応じた複数の電気信号を出力する複数の光受信器と、
前記複数の電気信号が入力され、前記複数の電気信号を増幅する複数の増幅器と
を有する光受信モジュールであって、
前記複数の光受信器の各々は、
基板の第1領域に形成され、前記複数の入射光を伝播させる第1導波路部と、
前記基板の第2領域に形成され、前記複数の入射光が入射され、前記複数の入射光に基づいて複数の出射光を生成する第2導波路部と、
前記基板の第3領域に形成され、前記複数の出射光を伝搬させる複数の導波路を含む第3導波路部と、
前記基板の第4領域に形成され、前記複数の導波路より前記複数の出射光が入射される複数の光検出素子を含む光検出部と
を有し、
前記複数の導波路の各々は、
対応する前記出射光を伝播させるコアを含み、
前記複数の光検出素子の各々は、
対応する前記コアから、前記コアの延在方向より前記出射光を受光する第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層が受光した前記出射光を吸収する吸収層と、
前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層と
を含むことを特徴とする光受信モジュール。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011061842A JP5742344B2 (ja) | 2011-03-20 | 2011-03-20 | 受光素子、光受信器及び光受信モジュール |
US13/402,114 US8710614B2 (en) | 2011-03-20 | 2012-02-22 | Light receiving element with offset absorbing layer |
CN201210065346.0A CN102694054B (zh) | 2011-03-20 | 2012-03-09 | 光接收元件、光接收装置以及光接收模块 |
US14/192,118 US8860164B2 (en) | 2011-03-20 | 2014-02-27 | Light receiving device |
US14/323,565 US9147781B2 (en) | 2011-03-20 | 2014-07-03 | Light receiving element with offset absorbing layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011061842A JP5742344B2 (ja) | 2011-03-20 | 2011-03-20 | 受光素子、光受信器及び光受信モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012199343A true JP2012199343A (ja) | 2012-10-18 |
JP5742344B2 JP5742344B2 (ja) | 2015-07-01 |
Family
ID=46827806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011061842A Active JP5742344B2 (ja) | 2011-03-20 | 2011-03-20 | 受光素子、光受信器及び光受信モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8710614B2 (ja) |
JP (1) | JP5742344B2 (ja) |
CN (1) | CN102694054B (ja) |
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-
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- 2012-02-22 US US13/402,114 patent/US8710614B2/en active Active
- 2012-03-09 CN CN201210065346.0A patent/CN102694054B/zh active Active
-
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US20120235265A1 (en) | 2012-09-20 |
JP5742344B2 (ja) | 2015-07-01 |
CN102694054B (zh) | 2015-08-12 |
US8710614B2 (en) | 2014-04-29 |
US8860164B2 (en) | 2014-10-14 |
US20140175589A1 (en) | 2014-06-26 |
CN102694054A (zh) | 2012-09-26 |
US9147781B2 (en) | 2015-09-29 |
US20140312445A1 (en) | 2014-10-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140620 |
|
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|
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|
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