JP2012195028A - 不揮発性コンフィギュレーションメモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態の不揮発性コンフィギュレーションメモリは、ゲートに出力ノードD12が接続され、ソースに第1の電圧が印加され、ドレインに出力ノードD11が接続されるトランジスタM11と、ゲートに出力ノードD11が接続され、ソースに第1の電圧が印加され、ドレインに出力ノードD12が接続されるトランジスタM12と、制御ゲートにワード線WL11が接続され、ソースに第1の電圧よりも低い第2の電圧が印加され、ドレインに出力ノードD11が接続され、記憶層に不揮発的に記憶されるデータにより閾値が変化するトランジスタF11と、制御ゲートにワード線WL12が接続され、ソースに第2の電圧が印加され、ドレインに出力ノードがD12接続され、記憶層に不揮発的に記憶されるデータにより閾値が変化するトランジスタF12とを備える。
【選択図】図1
Description
実施形態の不揮発性コンフィギュレーションメモリは、2個のインバーターがクロスカップルされた揮発性メモリセル(SRAMセル)において、これらインバーターのうちの少なくとも1個を、1個のPチャネルFET(Field Effect Transistor)と1個の不揮発性メモリ(例えば、フラッシュメモリ)とにより構成するものである。これにより、メモリセルからの出力信号をフルスイングさせることができ、低消費電力な不揮発性コンフィギュレーションメモリを実現する。
第1の実施例は、不揮発性コンフィギュレーションメモリに関する。
第2の実施例も、不揮発性コンフィギュレーションメモリに関する。
第3の実施例は、上述の第1及び第2の実施例に係わる不揮発性コンフィギュレーションメモリの適用例に関する。
第4の実施例は、複数の不揮発性コンフィギュレーションメモリ(メモリセル)をアレー状に配置したときのレイアウト及び動作方法に関する。
実施形態によれば、低消費電力及び小面積の不揮発性コンフィギュレーションメモリを実現できる。
Claims (11)
- 第1及び第2の出力ノードと、
ゲートに前記第2の出力ノードが接続され、ソースに第1の電圧が印加され、ドレインに前記第1の出力ノードが接続される第1のPチャネルFETと、
ゲートに前記第1の出力ノードが接続され、ソースに前記第1の電圧が印加され、ドレインに前記第2の出力ノードが接続される第2のPチャネルFETと、
制御ゲートに第1のワード線が接続され、ソースに前記第1の電圧よりも低い第2の電圧が印加され、ドレインに前記第1の出力ノードが接続され、記憶層に不揮発的に記憶されるデータにより閾値が変化する第1のNチャネルFETと、
制御ゲートに第2のワード線が接続され、ソースに前記第2の電圧が印加され、ドレインに前記第2の出力ノードが接続され、記憶層に不揮発的に記憶されるデータにより閾値が変化する第2のNチャネルFETと
を具備する不揮発性コンフィギュレーションメモリ。 - 前記第1及び第2のワード線のうちの1つに書き込み電圧を印加することにより、前記第1及び第2のNチャネルFETの記憶層に相補データを書き込む制御回路をさらに具備する請求項1に記載の不揮発性コンフィギュレーションメモリ。
- 前記第1及び第2のNチャネルFETが形成されるP型ウェルをさらに具備し、前記P型ウェルに第3の電圧が印加される請求項1又は2に記載の不揮発性コンフィギュレーションメモリ。
- 第1及び第2の出力ノードと、
ゲートに前記第2の出力ノードが接続され、ソースに第1の電圧が印加され、ドレインに前記第1の出力ノードが接続される第1のPチャネルFETと、
ゲートに前記第1の出力ノードが接続され、ソースに前記第1の電圧が印加され、ドレインに前記第2の出力ノードが接続される第2のPチャネルFETと、
制御ゲートにワード線が接続され、ソースに前記第1の電圧よりも低い第2の電圧が印加され、ドレインに前記第1の出力ノードが接続され、記憶層に不揮発的に記憶されるデータにより閾値が変化する第1のNチャネルFETと、
ゲートに前記第1の出力ノードが接続され、ソースに前記第1の電圧よりも低い第3の電圧が印加され、ドレインに前記第2の出力ノードが接続される第2のNチャネルFETと
を具備する不揮発性コンフィギュレーションメモリ。 - 前記ワード線に書き込み電圧を印加することにより、前記第1のNチャネルFETの記憶層にデータを書き込む制御回路をさらに具備する請求項4に記載の不揮発性コンフィギュレーションメモリ。
- 前記第1のNチャネルFETが形成されるP型ウェルをさらに具備し、前記P型ウェルに第4の電圧が印加される請求項4又は5に記載の不揮発性コンフィギュレーションメモリ。
- 前記第1及び第2の出力ノードの間に接続され、両者の電圧をイコライズするFETをさらに具備する請求項1乃至6のいずれか1項に記載の不揮発性コンフィギュレーションメモリ。
- 請求項1に記載の不揮発性コンフィギュレーションメモリと、
前記第1及び第2のワード線に読み出し電圧を印加することにより、前記第1及び第2のNチャネルFETに不揮発的に記憶されたデータを読み出し、これを前記第1及び第2のPチャネルFET及び前記第1及び第2のNチャネルFETからなるメモリセルに揮発的に記憶する制御回路と、
前記メモリセルのデータに基づいて複数の入力信号のうちの1つを選択的に出力する選択回路と
を具備する不揮発性マルチプレクサ。 - 請求項4に記載の不揮発性コンフィギュレーションメモリと、
前記ワード線に読み出し電圧を印加することにより、前記第1のNチャネルFETに不揮発的に記憶されたデータを読み出し、これを前記第1及び第2のPチャネルFET及び前記第1及び第2のNチャネルFETからなるメモリセルに揮発的に記憶する制御回路と、
前記メモリセルのデータに基づいて複数の入力信号のうちの1つを選択的に出力する選択回路と
を具備する不揮発性マルチプレクサ。 - 請求項1又は4に記載の不揮発性コンフィギュレーションメモリを、選択情報を保持するメモリとして用いるルックアップテーブル。
- 請求項1又は4に記載の不揮発性コンフィギュレーションメモリを、選択情報を保持するメモリとして用いるFPGA。
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