JP6979084B2 - 長いデバイス寿命のためのデュアルパワーレール・カスコードドライバ及びその構成方法 - Google Patents
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Description
10:ワード線ドライバ回路
11:ワード線
20:ビット線ドライバ回路
21:ビット線
30:メモリセル・アレイ
31:メモリセル
100:ドライバ
300:レベルシフタ
311:ストレージキャパシタ
312:アクセスデバイス
Claims (20)
- アクセスデバイスの長いデバイス寿命のためのデュアルパワーレール・カスコードドライバを構成方法する方法であって、前記方法は、
第1の電圧を、第2のpチャネル電界効果トランジスタ(FET)と直列接続した第1のpチャネルFETのソースに印加することと、
前記第1の電圧より低い第2の電圧を、第4のpチャネルFETと直列接続した第3のpチャネルFETのソースに印加することと、
前記第1の電圧及び前記第2の電圧より低い第3の電圧を、第1のnチャネルFETと直列接続した第2のnチャネルFETのソースに印加することと、
を含み、
前記第2のpチャネルFETのドレイン、前記第4のpチャネルFETのドレイン、及び前記第1のnチャネルFETのドレインは、出力信号を出力するための出力端子を含む接続点において互いに接続しており、
前記第1の電圧、前記第2の電圧、及び前記第3の電圧のうちの1つを、前記第1のpチャネルFET、前記第3のpチャネルFET、前記第4のpチャネルFET、及び前記第2のnチャネルFETの対応するゲートに入力された入力信号に基づいて、前記出力端子から出力すること、
を含む、方法。 - 前記第2の電圧と前記第3の電圧との間の差動電圧以下の電圧を、前記第1のpチャネルFET、前記第2のpチャネルFET、前記第3のpチャネルFET、前記第4のpチャネルFET、前記第1のnチャネルFET、及び前記第2のnチャネルFETの対応するゲート−to−ソース及び対応するゲート−to−ドレインに常時印加すること、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第2のpチャネルFET、前記第4のpチャネルFET、及び前記第1のnチャネルFETは、印加電圧が前記第2の電圧と前記第3の電圧との間の差動電圧を常時超えることを防止するための、カスコードデバイスである、請求項2に記載の方法。
- 固定電圧を、前記第2のpチャネルFETのゲート及び前記第1のnチャネルFETのゲートにそれぞれ印加すること、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記出力端子から出力される前記第1の電圧に基づいて、
前記第1のpチャネルFETをONに設定し、
前記第3のpチャネルFETをONに設定し、
前記第4のpチャネルFETをONに設定し、
前記第2のnチャネルFETをOFFに設定する、
請求項1に記載の方法。 - 前記出力端子から出力される前記第2の電圧に基づいて、
前記第1のpチャネルFETをOFFに設定し、
前記第3のpチャネルFETをONに設定し、
前記第4のpチャネルFETをONに設定し、
前記第2のnチャネルFETをOFFに設定する、
請求項1に記載の方法。 - 前記出力端子から出力される前記第3の電圧に基づいて、
前記第1のpチャネルFETをOFFに設定し、
前記第3のpチャネルFETをOFFに設定し、
前記第4のpチャネルFETをOFFに設定し、
前記第2のnチャネルFETをONに設定する、
請求項1に記載の方法。 - アクセスデバイスの長いデバイス寿命のためのデュアルパワーレール・カスコードドライバであって、前記ドライバは、
直列接続した第1のpチャネル電界効果トランジスタ(FET)及び第2のpチャネルFETと、
直列接続した第3のpチャネルFET及び第4のpチャネルFETと、
直列接続した第1のnチャネルFET及び第2のnチャネルFETと、
前記第2のpチャネルFETのドレイン、前記第4のpチャネルFETのドレイン、及び前記第1のnチャネルFETのドレインが互いに接続した接続点である、出力信号を出力するための出力端子と、
を含み、
第1の電圧が、前記第1のpチャネルFETのソースに印加され、
前記第1の電圧より低い第2の電圧が、前記第3のpチャネルFETのソースに印加され、
前記第1の電圧及び前記第2の電圧より低い第3の電圧が、前記第2のnチャネルFETのソースに印加され、
前記第1の電圧、前記第2の電圧、及び前記第3の電圧のうち1つが、前記第1のpチャネルFET、前記第3のpチャネルFET、前記第4のpチャネルFET、及び前記第2のnチャネルFETの対応するゲートに入力された入力信号に基づいて、前記出力端子から出力される、ドライバ。 - 前記第2の電圧と前記第3の電圧との間の差動電圧以下の電圧が、前記第1のpチャネルFET、前記第2のpチャネルFET、前記第3のpチャネルFET、前記第4のpチャネルFET、前記第1のnチャネルFET、及び前記第2のnチャネルFETの対応するゲート−to−ソース及び対応するゲート−to−ドレインに常時印加される、請求項8に記載のドライバ。
- 前記第2のpチャネルFET、前記第4のpチャネルFET、及び前記第1のnチャネルFETは、印加電圧が前記第2の電圧と前記第3の電圧との間の差動電圧を常時超えることを防止するための、カスコードデバイスである、請求項9に記載のドライバ。
- 前記第2のpチャネルFETのゲート及び前記第1のnチャネルFETのゲートにそれぞれ固定電圧が印加される、請求項8に記載のドライバ。
- 前記出力端子から出力される前記第1の電圧に基づいて、前記第1のpチャネルFETがONに設定され、前記第3のpチャネルFETがONに設定され、前記第4のpチャネルFETがONに設定され、前記第2のnチャネルFETがOFFに設定される、請求項8に記載のドライバ。
- 前記出力端子から出力される前記第2の電圧に基づいて、前記第1のpチャネルFETがOFFに設定され、前記第3のpチャネルFETがONに設定され、前記第4のpチャネルFETがONに設定され、前記第2のnチャネルFETがOFFに設定される、請求項8に記載のドライバ。
- 前記出力端子から出力される前記第3の電圧に基づいて、前記第1のpチャネルFETがOFFに設定され、前記第3のpチャネルFETがOFFに設定され、前記第4のpチャネルFETがOFFに設定され、前記第2のnチャネルFETがONに設定される、請求項8に記載のドライバ。
- メモリデバイスであって、
動的ランダムアクセスメモリ(DRAM)を含む前記メモリデバイス内に配置された複数のメモリであって、前記複数のメモリ内の各メモリが、少なくとも1つのアクセス電界効果トランジスタ(FET)と、ストレージキャパシタとを含む、複数のメモリと、
前記複数のメモリ内の各メモリのゲートに結合された、前記複数のメモリを駆動するためのドライバと、
を含み、
前記ドライバは、
直列接続した第1のpチャネル電界効果トランジスタ(FET)及び第2のpチャネルFETと、
直列接続した第3のpチャネルFET及び第4のpチャネルFETと、
直列接続した第1のnチャネルFET及び第2のnチャネルFETと、
前記第2のpチャネルFETのドレイン、前記第4のpチャネルFETのドレイン、及び前記第1のnチャネルFETのドレインが互いに接続した接続点である、出力信号を出力するための出力端子と、
を含み、
第1の電圧が、前記第1のpチャネルFETのソースに印加され、
前記第1の電圧より低い第2の電圧が、前記第3のpチャネルFETのソースに印加され、
前記第1の電圧及び前記第2の電圧より低い第3の電圧が、前記第2のnチャネルFETのソースに印加され、
前記第1の電圧、前記第2の電圧、及び前記第3の電圧のうち1つが、前記第1のpチャネルFET、前記第3のpチャネルFET、前記第4のpチャネルFET、及び前記第2のnチャネルFETの対応するゲートに入力された入力信号に基づいて前記出力端子から出力される、
メモリデバイス。 - フラッシュメモリ内に配置された複数のメモリをさらに含み、前記複数のメモリ内の各メモリは、浮遊ゲートを設けた少なくとも1つのアクセス電界効果トランジスタ(FET)を含む、請求項15に記載のメモリデバイス。
- 強誘電体ランダムアクセスメモリ(FeRAM)内に配置された複数のメモリをさらに含み、前記複数のメモリ内の各メモリは、少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、強誘電体材料膜とを含む、請求項15に記載のメモリデバイス。
- 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)内に配置された複数のメモリをさらに含み、前記複数のメモリ内の各メモリは、少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、トンネル磁気抵抗膜とを含む、請求項15に記載のメモリデバイス。
- 相変化メモリ(PCM)内に配置された複数のメモリをさらに含み、前記複数のメモリ内の各メモリは、少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、相変化膜とを含む、請求項15に記載のメモリデバイス。
- 抵抗型ランダムアクセスメモリ(RRAM)内に配置された複数のメモリをさらに含み、前記複数のメモリ内の各メモリは、少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、強く相関した電子系材料とを含む、請求項15に記載のメモリデバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/617,000 US10360958B2 (en) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | Dual power rail cascode driver |
US15/617,000 | 2017-06-08 | ||
PCT/IB2018/054020 WO2018224963A1 (en) | 2017-06-08 | 2018-06-05 | Dual power rail cascode driver |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020522835A JP2020522835A (ja) | 2020-07-30 |
JP6979084B2 true JP6979084B2 (ja) | 2021-12-08 |
Family
ID=64562683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019566312A Active JP6979084B2 (ja) | 2017-06-08 | 2018-06-05 | 長いデバイス寿命のためのデュアルパワーレール・カスコードドライバ及びその構成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10360958B2 (ja) |
JP (1) | JP6979084B2 (ja) |
CN (1) | CN110663184B (ja) |
DE (1) | DE112018001411B4 (ja) |
GB (1) | GB2576681B (ja) |
WO (1) | WO2018224963A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11854647B2 (en) * | 2021-07-29 | 2023-12-26 | Micron Technology, Inc. | Voltage level shifter transition time reduction |
CN115910143B (zh) * | 2021-08-20 | 2024-06-21 | 长鑫存储技术有限公司 | 驱动电路、存储设备及驱动电路控制方法 |
CN115910144B (zh) * | 2021-08-20 | 2024-06-21 | 长鑫存储技术有限公司 | 驱动电路、存储设备及驱动电路控制方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH566092A5 (en) * | 1972-06-26 | 1975-08-29 | Centre Electron Horloger | Logical circuit with DC power input - uses cascade of logical gates each consisting of two N type and two P type transistors |
US4191899A (en) * | 1977-06-29 | 1980-03-04 | International Business Machines Corporation | Voltage variable integrated circuit capacitor and bootstrap driver circuit |
JP3693002B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2005-09-07 | ソニー株式会社 | 強誘電体型不揮発性半導体メモリから構成されたデジタル−アナログ変換器、及び、デジタルデータをアナログデータに変換する方法 |
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JP2007102977A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
KR101159045B1 (ko) | 2006-05-04 | 2012-06-25 | 삼성전자주식회사 | 레귤레이티드 캐스코드 회로 및 이를 구비하는 증폭기 |
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US8233324B2 (en) | 2010-03-25 | 2012-07-31 | Sandisk Il Ltd. | Simultaneous multi-state read or verify in non-volatile storage |
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TW201234778A (en) | 2011-02-01 | 2012-08-16 | Raydium Semiconductor Corp | Level shifter |
KR101920885B1 (ko) | 2011-09-29 | 2018-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
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CN104639149B (zh) | 2013-11-11 | 2018-03-30 | 京微雅格(北京)科技有限公司 | 三模高速的电平向上转换电路 |
US9025403B1 (en) | 2013-12-06 | 2015-05-05 | International Business Machines Corporation | Dynamic cascode-managed high-voltage word-line driver circuit |
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US9800246B2 (en) | 2015-09-18 | 2017-10-24 | Qualcomm Incorporated | Level shifter applicable to low voltage domain to high voltage domain conversion |
-
2017
- 2017-06-08 US US15/617,000 patent/US10360958B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-06-05 DE DE112018001411.8T patent/DE112018001411B4/de active Active
- 2018-06-05 CN CN201880033010.1A patent/CN110663184B/zh active Active
- 2018-06-05 WO PCT/IB2018/054020 patent/WO2018224963A1/en active Application Filing
- 2018-06-05 GB GB1918614.7A patent/GB2576681B/en active Active
- 2018-06-05 JP JP2019566312A patent/JP6979084B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110663184A (zh) | 2020-01-07 |
CN110663184B (zh) | 2023-04-28 |
GB2576681B (en) | 2020-06-17 |
JP2020522835A (ja) | 2020-07-30 |
US10360958B2 (en) | 2019-07-23 |
DE112018001411T5 (de) | 2019-12-05 |
DE112018001411B4 (de) | 2021-09-23 |
WO2018224963A1 (en) | 2018-12-13 |
GB201918614D0 (en) | 2020-01-29 |
GB2576681A (en) | 2020-02-26 |
US20180358062A1 (en) | 2018-12-13 |
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