JP5629075B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 72
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 101100163833 Arabidopsis thaliana ARP6 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/173—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
- H03K19/1731—Optimisation thereof
- H03K19/1732—Optimisation thereof by limitation or reduction of the pin/gate ratio
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
- H03K19/018507—Interface arrangements
- H03K19/018521—Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
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- H—ELECTRICITY
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/173—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
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Description
不揮発性記憶素子に記憶された情報は、読み出し信号により読み出され、読み出された情報は、ラッチ回路に記憶される。
また、本発明は、外部端子と、前記外部端子に接続され、第1の電圧で動作させる不揮発性回路と前記第1の動作電圧よりも絶対値で低い第2の動作電圧で動作させる内部回路と、前記外部端子と前記内部回路との間に接続される抵抗素子と、前記抵抗素子と前記内部回路との間の第1のノードに接続され、制御信号で導通と非導通が制御される分圧素子と、を備え、前記第1の電圧を前記外部端子に入力し、前記不揮発性回路を動作させる時、前記制御信号によって前記分圧素子を導通させ、前記抵抗素子と前記分圧素子により、前記第1のノードを前記第1の電圧よりも低い電圧に制御する、ことを特徴とする半導体装置である。
図1は、第1実施形態における半導体装置1の構成を示す回路図である。半導体装置1は、外部端子10と、モード外部端子15と、電気ヒューズ回路20(第1回路)と、モード設定回路30と、内部回路40(第2回路)と、保護素子ESDと、抵抗素子R1と、分圧素子T1とを具備している。
また、電気ヒューズ回路20は、正電圧端子VPPSVTと負電圧端子VBBSVTとの電位差が、例えば、6[V]の高電圧を印加することによりデータを書き込むことが可能な素子を備える回路である。半導体装置1では、負電圧端子VBBSVTが接地されているので、正電圧端子VPPSVTに印加する電圧によりデータの書き込みが行われる。電気ヒューズ回路20に情報を書き込む際に印加する高電圧(第1電圧)は、内部回路40の電源電圧(第2電圧)、及び内部回路40に含まれるトランジスタの耐圧よりも高い電圧である。
また、モード設定回路30は、制御信号CONT[0]を分圧素子T1に出力し、分圧素子T1の導通と非導通とを切替え、制御信号CONT[1:3]を電気ヒューズ回路20に出力して、書き込み動作又は読み出し動作を制御する。
PチャネルMOSトランジスタ412は、ソースに電源電圧が印加され、ドレインがNチャネルMOSトランジスタ411のドレインに接続され、ゲートが抵抗素子R1に接続されている。NチャネルMOSトランジスタ411は、ソースが接地され、ゲートがPチャネルMOSトランジスタ412のゲートと共に抵抗素子R1に接続されている。また、PチャネルMOSトランジスタ412及びNチャネルMOSトランジスタ411の互いのドレインを接続する接続点から、初段回路41に続く回路に信号が出力される。
抵抗素子R1は、一端がノードN2を介して外部端子10に接続され、他端が内部回路40に接続されている。
分圧素子T1は、NチャネルMOSトランジスタにより構成され、当該NチャネルMOSトランジスタのドレインが抵抗素子R1と内部回路40とを接続する配線上のノードN1(第1ノード)に接続され、ソースが接地され、ゲートにモード設定回路30が出力する制御信号CONT[0]が印加される。
PチャネルMOSトランジスタQ1は、ソースが正電圧端子VPPSVTに接続され、ドレインがPチャネルMOSトランジスタQ2のソースに接続され、ゲートが制御信号CONT[1]に接続されている。PチャネルMOSトランジスタQ2は、ドレインが接地され、ゲートが制御信号CONT[2]に接続されている。
PチャネルMOSトランジスタQ3は、ドレインがPチャネルMOSトランジスタQ1のドレイン、及びPチャネルMOSトランジスタQ2のソースに接続点J1を介して接続され、ソースが出力端子JUDGEに接続され、ゲートが制御信号CONT[3]が接続されている。
例えば、電気ヒューズ21がNチャネルMOSトランジスタにより構成されるMOSトランジスタ型電気ヒューズの場合、ドレインとソースとが負電圧端子VBBSVTに接続され、ゲートが接続点J1に接続され、ゲート酸化膜を誘電体層として容量が形成される。電気ヒューズ21に高電圧を印加することにより、ソース及びドレインと、ゲートとの間に高電界が生じ、ゲート酸化膜に流れるリーク電流が印加される電圧に応じて増加してブレークダウンが生じる。このブレークダウンにより、ゲート酸化膜が破壊されて電流パスが形成される。電流パスが形成されたことにより、電気ヒューズ21の端子間の抵抗値は、絶縁状態とみなせる程に非常に高い値から、数百kΩから数百Ω程度まで低下して通電状態となる。このように、電気ヒューズ21は、絶縁状態と通電状態と2つの状態を取り得るので情報を記憶する素子として用いられている。
1.電気ヒューズ回路20にデータを書き込む場合(書き込みモード)
2.電気ヒューズ回路20のデータを読み出す場合(読み出しモード)
3.内部回路40を駆動する場合(通常モード)
モード設定回路30は、モード外部端子15から電気ヒューズ回路20にデータを書き込む動作を示す信号が入力されると、H(High)レベルの制御信号CONT[0]、L(Low)レベルの制御信号CONT[1]、Hレベルの制御信号CONT[2]、及びHレベルの制御信号CONT[3]を出力する。以下、制御信号CONT[0:3]の信号レベルをCONT[0]からCONT[3]の順に左から(H,L,H,H)と示す。また、Hレベルの信号は電源電圧を有し、Lレベルの信号は接地電圧を有する。
これにより、分圧素子T1及びPチャネルMOSトランジスタQ1は導通状態となり、PチャネルMOSトランジスタQ2及びQ3は非導通状態となる。このとき、外部端子10に高電圧を印加すると、電気ヒューズ回路20を動作させることができる。具体的には、電気ヒューズ21のNチャネルMOSトランジスタのゲート酸化膜が破壊される不可逆的変化が生じてデータが記憶される。
V2=V1−r1×I1 …… (1)
この電圧V2が初段回路41のトランジスタ411及び412の耐圧電圧以下となる抵抗値r1の抵抗素子を選択することにより、内部回路40の初段回路41を破壊することなく、内部回路40の初段回路41の耐圧電圧よりも高い電圧を外部端子10に印加することができる。
モード設定回路30は、モード外部端子15から電気ヒューズ回路20に記憶されているデータを読み出す動作を示す信号が入力されると、制御信号CONT[0:3]=(−,L,H,L)を出力する。このとき、制御信号CONT[0]の信号レベルは、HレベルとLレベルとのどちらでもよい。
なお、モード設定回路30は、デフォルトとして、電源起動後に読み出しモードを示す制御信号CONT[0:3]の制御と設定することも可能である。つまり、電源投入時、モード外部端子15からの信号を待たずに、読み出しモードを示す制御信号CONT[0:3]を出力する。この場合、モード外部端子15から入力される信号に応じて、書き込みモードを示す制御信号CONT[0:3]と、通常モードを示す制御信号CONT[0:3]とを切り替えて出力する。
このとき、外部端子10に内部回路40において用いられる電源電圧が印加されると、接続点J1に接続された電気ヒューズ21の端子の電圧は、電源電圧にプリチャージされる。PチャネルMOSトランジスタQ3が通電状態なので、出力端子JUDGEの電圧も、接続点J1の電圧と一致する。
電気ヒューズ21が絶縁状態とみなせる程の高い抵抗値を維持したままであれば、出力端子JUDGEの電圧は、予め定めた時間が低下しても低下せず、プリチャージされた電源電圧が維持される。一方、電気ヒューズ21が導通状態の場合、接続点J1の電圧は、時間の経過と共に電気ヒューズ21の抵抗値に比例して低下する。
したがって、制御信号CONT[1]をHレベルに変化させてから予め定めた時間が経過した後に、出力端子JUDGEの電圧がプリチャージレベルであるか否かを検出することにより、電気ヒューズ回路20に記憶されている情報を読み出すことができる。
モード設定回路30は、モード外部端子15から内部回路40を動作させることを示す信号が入力されると、制御信号CONT[0:3]=(L,H,−,−)を出力する。このとき制御信号CONT[2]及びCONT[3]の信号レベルは、HレベルとLレベルとのどちらでもよい。このとき、分圧素子T1は、非導通状態になる。
これにより、外部端子10から入力される信号は、ほとんど低下することなく内部回路40に入力される。
なお、モード設定回路30は、デフォルトとして、読み出しモードの終了後に通常モードを示す制御信号CONT[0:3]の制御と設定することも可能である。つまり、読み出しモードの終了後に、モード外部端子15からの信号を待たずに、通常モードを示す制御信号CONT[0:3]を出力する。
なお、本実施形態では、初段回路41としてインバータ回路を用いたが、これにかかわらず、外部端子10から印加される信号をトランジスタのゲートに入力して、内部回路40に当該信号が直接入力伝搬することを防ぐ回路であればバッファ回路などでもよい。
図3は、第2実施形態における半導体装置2の構成を示す回路図である。半導体装置2は、図1に示した第1実施形態の半導体装置1の変形例であり、外部端子10と電気ヒューズ回路20との間に補償容量T2を設けた点が異なる。半導体装置2は、補償容量T2の構成を除いて第1実施形態の半導体装置1と同じ構成であるので、該当箇所には同じ符号(10、15、20、30、40、41、411、412、ESD、R1、T1)を付して、その説明を省略する。
補償容量T2は、NチャネルMOSトランジスタにより構成されている。当該NチャネルMOSトランジスタは、ソース及びドレインが接続され、それぞれに電源電圧が印加され、ゲートが電気ヒューズ回路20の正電圧端子VPPSVTと、抵抗素子R1の一端との間に接続されている。
通常動作のときには、外部端子10から入力される信号の電圧が0[V]〜1.5[V]であるので、補償容量T2のNチャネルMOSトランジスタはオフとなり、補償容量T2の容量が減少して外部端子10の負荷容量を減少させ、内部回路40の動作に与える影響を抑えることができる。一方、電気ヒューズ回路20にデータを書き込むとき、外部端子10から6[V]の信号が入力されると、補償容量T2のNチャネルMOSトランジスタはオンとなり、容量が増加して補償容量として動作する。
なお、補償容量T2の容量は、補償容量T2を構成するNチャネルMOSトランジスタのゲート面積と比例して増加するので、ゲート面積により調節する。
図4は、第3実施形態における半導体装置3の構成を示す回路図である。半導体装置3は、図3に示した第2実施形態の半導体装置2の変形例であり、外部端子10と補償容量T2との間にスイッチング素子T3を設けた点が異なる。半導体装置3は、スイッチング素子T3の構成を除いて第2実施形態の半導体装置2と同じ構成であるので、該当箇所には同じ符号(10、15、20、30、40、41、411、412、ESD、R1、T1、T2)を付して、その説明を省略する。
スイッチング素子T3は、PチャネルMOSトランジスタにより構成されている。このPチャネルMOSトランジスタは、ドレインが抵抗素子R1の一端に接続され、ソースが補償容量T2のゲート、及び電気ヒューズ回路20の正電圧端子VPPSVTに接続され、ゲートに電源電圧が印加されている。
内部回路40を動作させる通常動作において外部端子10に0[V]〜1.5[V]の信号が印加されるとき、スイッチング素子T3は、オフになる。これにより、補償容量T2及び電気ヒューズ回路20が有する容量が外部端子10から切り離されて外部端子10の負荷容量を減少させることができ、内部回路40の動作に与える影響を抑えることができる。
なお、本実施形態の半導体装置3において、補償容量T2を設けずにスイッチング素子T3により電気ヒューズ回路20の容量のみを切り離す構成としてもよい。
図5は、第4実施形態における半導体装置4の構成を示す回路図である。半導体装置4は、外部端子11、12と、モード外部端子15と、電気ヒューズ回路20(第1回路)と、モード設定回路30と、内部回路50(第2回路)と、保護素子ESD1、ESD2と、抵抗素子R1、R2と、分圧素子T1、T4と、インバータ60と、補償容量T2、T5と、スイッチング素子T3、T6とを具備している。
モード設定回路30は、第1実施形態と同じ構成を有し、制御信号CONT[0]を分圧素子T1とインバータ60とに出力し、制御信号CONT[1:3]を電気ヒューズ回路20に出力する。モード設定回路30が出力する制御信号CONT[0:3]は、第1実施形態と同じである。
初段回路51は、NチャネルMOSトランジスタ511と、PチャネルMOSトランジスタ512とを有し、トランジスタ511、512がインバータを形成し、当該インバータの出力信号は、内部回路50の内部信号として用いられる。初段回路52は、初段回路51と同様に、NチャネルMOSトランジスタ521と、PチャネルMOSトランジスタ522とを有し、トランジスタ521、522がインバータを形成し、当該インバータの出力信号は、内部回路50の内部信号として用いられる。
保護素子ESD2は、NチャネルMOSトランジスタにより構成される。NチャネルMOSトランジスタは、ソース及びゲートが接地され、ドレインが外部端子12と抵抗素子R2とを接続する配線上のノードN4に接続されている。抵抗素子R2は、一端が外部端子12に接続され、他端が内部回路50に接続されている。
分圧素子T4は、PチャネルMOSトランジスタにより構成され、当該PチャネルMOSトランジスタのドレインが抵抗素子R2と内部回路50とを接続する配線上のノードN3に接続され、ソースが接地され、ゲートにモード設定回路30から出力される制御信号CONT[0]がインバータ60を介して印加される。
補償容量T5は、PチャネルMOSトランジスタにより構成され、当該PチャネルMOSトランジスタのソースとドレインとが接続されると共に、それぞれに電源電圧が印加され、ゲートが電気ヒューズ回路20の負電圧端子VBBSVTに接続されている。
スイッチング素子T6は、NチャネルMOSトランジスタにより構成され、当該NチャネルMOSトランジスタのドレインが抵抗素子R2の一端に接続され、ソースが補償容量T5のゲート、及び電気ヒューズ回路20の正電圧端子VBBSVTに接続され、ゲートが接地されている。
このとき、外部端子11に電源電圧より高い高電圧、例えば、3[V]を印加し、外部端子12に接地電圧より低い低電圧、例えば、−3[V]印加すると、正電圧端子VPPSVTと負電圧端子VBBSVTとの電位差が6[V]となり電気ヒューズ回路20が動作する。すなわち、電気ヒューズ21のゲート酸化膜が破壊されてデータが記憶される。
その結果、書き込みモードにおいて外部端子11、12から入力する信号の電圧の絶対値を小さくすることができるので、電圧降下に用いる抵抗素子R1、R2の抵抗値を小さくすることができ、通常動作において、外部端子11、12から入力された信号の減衰を抑えて内部回路40の動作に与える影響を低減することができる。
なお、本実施形態では、抵抗素子R2及び分圧素子T2により構成される回路を、抵抗素子R1及び分圧素子T1により構成される回路と組み合わせて用いる例を示したが、これに関わらず、組み合わせずに用いてもよい。
図6は、第5実施形態における半導体装置5の構成を示す回路図である。半導体装置5は、図1に示した第1実施形態の半導体装置1の変形例であり、分圧素子T1を構成するNチャネルMOSトランジスタのゲートとソースとを接続する抵抗素子R3を設けた点が半導体装置1と異なる。半導体装置5は、抵抗素子R3の構成を除いて第1実施形態の半導体装置1と同じ構成であるので、該当箇所には同じ符号(10、15、20、30、40、41、411、412、ESD、R1、T1)を付して、その説明を省略する。
抵抗素子R3は、一端が分圧素子T1のNチャネルMOSトランジスタのソースに接続され、他端が分圧素子T1のNチャネルMOSトランジスタのゲートに接続されている。
ここで、抵抗素子R3の抵抗値は、制御信号CONT[0]がHレベルのとき、分圧素子T1のNチャネルMOSトランジスタが導通状態となる値である。
半導体装置5は、上述のように分圧素子T1が動作することで、内部回路40をESD破壊から保護することができる。
更に、トランジスタは、電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor; FET)であってもバイポーラ型トランジスタであっても良い。MOS(Metal Oxide Semiconductor)以外にもMIS(Metal-Insulator Semiconductor)、TFT(Thin Film Transistor)等の様々なFETに適用できる。トランジスタ等の様々なFETに適用できる。FET以外のトランジスタであっても良い。また、Nチャンネル型のトランジスタ又はNMOSトランジスタは、第1導電型のトランジスタ、Pチャンネル型のトランジスタ又はPMOSトランジスタは、第2導電型のトランジスタの代表例である。更に、P型の半導体基板に限らず、N型の半導体基板であっても良いし、SOI(Silicon on Insulator)構造の半導体基板であっても、それ以外の半導体基板であっても良い。
また、本願はCPU(Central Processing Unit)、MCU(Micro Control Unit)、DSP(Digital Signal Processor)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、ASSP(Application Specific Standard Circuit)、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、SRAM(Static Random Access Memory)、不揮発性記憶装置(例えばFlashメモリ)等の半導体装置全般に、本願発明が適用できる。
10、11、12…外部端子
15…モード外部端子
20…電気ヒューズ回路
30…モード設定回路
40、50…内部回路
41、51、52…初段回路
60…インバータ
411、511、521…NチャネルMOSトランジスタ
412、512、522…PチャネルMOSトランジスタ
ESD、ESD1、ESD2…保護素子
Q1、Q2、Q3…PチャネルMOSトランジスタ
R1、R2、R3…抵抗素子
T1、T4…分圧素子
T2、T5…補償容量
T3、T6…スイッチング素子
Claims (12)
- 外部端子に接続され、該外部端子から入力される第1電圧で動作する第1回路と、
前記外部端子に抵抗素子を介して接続され、前記第1電圧より絶対値が小さい第2電圧で動作する第2回路と、
前記抵抗素子と前記第2回路との間の第1ノードに一端を接続され、他端を接地され、制御信号により導通と非導通とのいずれか一方が選択される分圧素子と、を具備し、
前記分圧素子は、前記第1電圧が前記外部端子に印加され前記第1回路を動作させる場合、前記制御信号により導通状態が選択される
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1ノードは、前記第2回路が備えるトランジスタのゲートに接続される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記外部端子と前記第1回路とを接続する第1配線において、前記外部端子と前記抵抗素子との間の第2ノードと前記第1回路との間に一端を接続され、他端に電源電圧を印加される容量素子、を具備する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 前記容量素子は、MOS容量素子であり、前記外部端子に前記第1電圧が印加されると容量が増加する
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第1配線において、前記第2ノードに一端を接続され、他端を前記容量素子の一端に接続されたスイッチング素子を具備し、
前記スイッチング素子は、前記外部端子に前記第1電圧が印加されると、導通状態となる
ことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第1回路は、MOSトランジスタ型電気ヒューズを備える記憶回路である
ことを特徴とする請求項1から請求項5いずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記分圧素子は、MOSトランジスタである
ことを特徴とする請求項1から請求項6いずれか1項に記載の半導体装置。 - 第1外部端子及び第2外部端子に接続され、該第1外部端子と該第2外部端子との間の電圧が第1電圧のとき動作する第1回路と、
前記第1外部端子及び前記第2外部端子にそれぞれ抵抗素子を介して接続され、前記第1電圧より絶対値が小さい第2電圧で動作する第2回路と、
2つの前記抵抗素子それぞれと前記第2回路との間のノードに一端を接続され、他端を接地され、制御信号により導通と非導通とのいずれか一方が選択される2つの分圧素子と、を具備し、
前記2つの分圧素子は、前記第1外部端子と前記第2外部端子との間の電圧が前記第1電圧の場合、前記制御信号により導通状態が選択される
ことを特徴とする半導体装置。 - 外部端子と、
前記外部端子に接続され、第1の電圧で動作させる不揮発性回路と前記第1の動作電圧よりも絶対値で低い第2の動作電圧で動作させる内部回路と、
前記外部端子と前記内部回路との間に接続される抵抗素子と、
前記抵抗素子と前記内部回路との間の第1のノードに一端を接続され、他端を接地され、制御信号で導通と非導通が制御される分圧素子と、を備え、
前記第1の電圧を前記外部端子に入力し、前記不揮発性回路を動作させる時、前記制御信号によって前記分圧素子を導通させ、前記抵抗素子と前記分圧素子により、前記第1のノードを前記第1の電圧よりも低い電圧に制御する、ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1のノードは、前記内部回路が備えるトランジスタのゲートに接続される
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。 - 前記分圧素子は、MOSトランジスタである
ことを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の半導体装置。 - 前記MOSトランジスタは、前記第1のノードと接地との間に接続され、前記MOSトランジスタの制御電極に前記制御信号が入力されるとともに前記制御電極は第2の抵抗を介して前記接地に接続されていることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009214508A JP5629075B2 (ja) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | 半導体装置 |
US12/880,730 US8299845B2 (en) | 2009-09-16 | 2010-09-13 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009214508A JP5629075B2 (ja) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011066129A JP2011066129A (ja) | 2011-03-31 |
JP5629075B2 true JP5629075B2 (ja) | 2014-11-19 |
Family
ID=43729900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009214508A Expired - Fee Related JP5629075B2 (ja) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8299845B2 (ja) |
JP (1) | JP5629075B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101240256B1 (ko) * | 2011-03-28 | 2013-03-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 집적회로 |
CN103703555A (zh) * | 2011-08-03 | 2014-04-02 | 日立汽车系统株式会社 | 传感装置 |
JP6702087B2 (ja) | 2016-08-25 | 2020-05-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
CN108242251B (zh) * | 2016-12-23 | 2019-08-16 | 联华电子股份有限公司 | 动态随机存取存储器 |
CN114142848A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-03-04 | 上海格易电子有限公司 | 芯片接口电路和芯片 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5056061A (en) * | 1989-12-20 | 1991-10-08 | N. A. Philips Corporation | Circuit for encoding identification information on circuit dice using fet capacitors |
JPH05267464A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH06232349A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
US5552743A (en) * | 1994-09-27 | 1996-09-03 | Micron Technology, Inc. | Thin film transistor redundancy structure |
JP4248658B2 (ja) * | 1999-02-12 | 2009-04-02 | セイコーインスツル株式会社 | フューズトリミング回路 |
JP2006073553A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nec Electronics Corp | ヒューズトリミング回路 |
JP2006294903A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Nec Electronics Corp | ヒューズトリミング回路 |
KR100673002B1 (ko) * | 2005-04-26 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터의 누설전류 패스를 이용한 이-퓨즈 회로 |
JP2007116045A (ja) | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
JP5262082B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2013-08-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体集積回路 |
JP2011009332A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
-
2009
- 2009-09-16 JP JP2009214508A patent/JP5629075B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-13 US US12/880,730 patent/US8299845B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8299845B2 (en) | 2012-10-30 |
US20110063017A1 (en) | 2011-03-17 |
JP2011066129A (ja) | 2011-03-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141003 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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