JP2012176895A - シリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリカガラスルツボの製造では、中空状のモールドを回転させながらモールド内にシリカ粉を供給してシリカ粉層を形成し、シリカ粉層を加熱溶融してシリカガラス層を形成する。シリカ粉層を形成する工程は、ルツボの上端から当該上端よりも下方の第1の中間位置までの範囲に属するルツボ上部に相当するモールド内の所定の位置に第1のシリカ粉を供給する工程と、第1の中間位置からルツボの下端までの範囲に属するルツボ下部に相当するモールド内の位置に第2のシリカ粉を供給する工程と、第1及び第2のシリカ粉に覆われたモールドの内面に第3のシリカ粉を供給する工程とを含み、第1のシリカ粉の粒度分布は第2のシリカ粉の粒度分布よりも広く且つより多くの微粉を含む。
【選択図】図2
Description
ルツボ底部10Bが平底の場合には、底部10Bが平坦或いは極めて緩やかな湾曲面をなし、湾曲部10Cの曲率は非常に大きい。特に限定されるものではないが、平底の場合、底部10Bは、Z軸と直交するXY平面に対するルツボ壁面の接線傾斜角が30度以下となる領域として定義することができる。
口径812mmのシリカガラスルツボサンプルA1を用意した。シリカガラスルツボサンプルA1のサイズは、直径812mm、高さ500mmであった。また、ルツボの肉厚は側壁部で18mm、湾曲部で20mmm、底部で18mmであり、側壁部の透明シリカガラス層12の厚さは1.0mmとした。
実施例1によるシリカガラスルツボサンプルA1と同一形状を有するサンプルB1を用意した。サンプルB1は回転モールド法によって製造したが、実施例1と異なり、第1の不透明シリカガラス部分11aの原料には粒径が100μm以上300μm未満のものを60%含む天然シリカ粉を用い、第2の不透明シリカガラス部分11bの原料には、粒径が200μm以上400μm未満のものを60%含む天然シリカ粉を用いた。さらに、透明シリカガラス層12の原料として、粒径が250μm以上450μm未満のものを60%含む合成シリカ粉を用いた。その後、このシリカガラスルツボA2を用いてシリコン単結晶インゴットの引き上げを行い、使用後のルツボの変形の確認及びシリコン単結晶化率を求めた。その結果を表1に示す。
10A ルツボの側壁部
10B ルツボの底部
10C ルツボの湾曲部
11 不透明シリカガラス層
11a 第1の不透明シリカガラス部分
11b 第2の不透明シリカガラス部分
11c 第3の不透明シリカガラス部分
12 透明シリカガラス層
13a 第1のシリカ粉
13b 第2のシリカ粉
13c 第3のシリカ粉
14 カーボンモールド
14a 通気孔
15 アーク電極
20 シリカガラスルツボ
h0 ルツボ全高
h1 ルツボ上部の高さ
h2 ルツボ下部の高さ
h3 ルツボ中間部の高さ
P0 ルツボの上端
P11 ルツボの第1の中間位置
P12 ルツボの第2の中間位置
P2 ルツボの下端
Claims (5)
- 側壁部、湾曲部及び底部を有するシリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボの製造方法であって、
前記シリカガラスルツボの外形に合わせた内面を有する中空状のモールドを回転させながら前記モールド内にシリカ粉を供給し、前記モールドの内面に沿ったシリカ粉層を形成する工程と、
前記シリカ粉層を加熱して前記シリカ粉を溶融することによりシリカガラス層を形成する工程とを備え、
前記シリカ粉層を形成する工程は、
ルツボの上端から当該上端よりも下方の第1の中間位置までの範囲に属するルツボ上部に相当する前記モールド内の所定の位置に第1のシリカ粉を供給する工程と、
前記第1の中間位置からルツボの下端までの範囲、又は前記第1の中間位置よりも下方の第2の中間位置からルツボの下端までの範囲に属するルツボ下部に相当する前記モールド内の所定の位置に第2のシリカ粉を供給する工程と、
前記第1及び第2のシリカ粉に覆われた前記モールドの内面に第3のシリカ粉を供給する工程とを含み、
第1のシリカ粉の粒度分布は第2のシリカ粉の粒度分布よりも広く且つより多くの微粉を含むことを特徴とするシリカガラスルツボの製造方法。 - 第1のシリカ粉は、粒径が50μm以上250μm未満のものを60%以上含む天然シリカ粉であり、
第2のシリカ粉は、粒径が150μm以上350μm未満のものを60%以上含む天然シリカ粉であることを特徴とする請求項1に記載のシリカガラスルツボの製造方法。 - 第1のシリカ粉の粒度分布は、50μm未満が5%〜20%、50μm以上250μm未満が60%〜80%、250μm以上が20%以下であり、
第2のシリカ粉の粒度分布は、150μm未満が20%以下、150μm以上350μm未満が60%〜80%、350μm以上が10%〜20%であることを特徴とする請求項2に記載のシリカガラスルツボの製造方法。 - 前記第3のシリカ粉は、粒径が200μm以上400μm未満のものを50%以上含む合成シリカ粉であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリカガラスルツボの製造方法。
- 前記シリカ粉層を加熱して前記シリカ粉を溶融する際、前記モールドに設けられた通気孔から加熱中のシリカ粉を脱気することによりルツボの内表面側に透明シリカガラス層を形成する工程と、
前記脱気ための減圧を弱め又は停止することによりルツボの外表面側に不透明シリカガラス層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリカガラスルツボの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015062872A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 株式会社日本触媒 | 固体微粒子の製造方法 |
JP2020023411A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 株式会社Sumco | 石英ガラスルツボおよび石英ガラスルツボの製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4922355B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2012-04-25 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
CN103374755A (zh) * | 2012-04-28 | 2013-10-30 | 洛阳高科钼钨材料有限公司 | 非整体式坩埚 |
EP2835452A4 (en) * | 2013-04-08 | 2016-02-24 | Shinetsu Quartz Prod | SILICON DIOXIDE TIP FOR PULLING A SILICONE INCRISTAL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
CN105849320B (zh) * | 2013-12-28 | 2018-07-06 | 胜高股份有限公司 | 石英玻璃坩埚及其制造方法 |
JP5925348B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2016-05-25 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
JP6162848B2 (ja) * | 2016-04-19 | 2017-07-12 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
JP7141844B2 (ja) * | 2018-04-06 | 2022-09-26 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスるつぼの製造方法 |
CN109537046A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-29 | 邢台晶龙新能源有限责任公司 | 一种大热场单晶炉 |
JP7163265B2 (ja) * | 2019-10-31 | 2022-10-31 | クアーズテック株式会社 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
CN114197060A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-03-18 | 上海康碳复合材料科技有限公司 | 一种碳碳复合材料整体埚托、直筒埚邦及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06329493A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-11-29 | Mitsubishi Material Kuootsu Kk | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JPH08253333A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-10-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラス質ルツボ |
JP2002326889A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8801535A (nl) | 1987-09-04 | 1989-04-03 | Nl Omroepproduktie Bedrijf | Verbindingsorgaan voor elektrische, informatie bevattende signalen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
US4935046A (en) * | 1987-12-03 | 1990-06-19 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor |
JPH0692276B2 (ja) | 1988-02-03 | 1994-11-16 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JPH01261293A (ja) | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JPH068237B2 (ja) | 1988-04-28 | 1994-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JPH0781498B2 (ja) | 1988-08-29 | 1995-08-30 | 大豊建設株式会社 | 多連形トンネルの築造方法 |
JP2714860B2 (ja) * | 1989-07-28 | 1998-02-16 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体巣結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
US5976247A (en) | 1995-06-14 | 1999-11-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance |
JPH10203893A (ja) | 1997-01-20 | 1998-08-04 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 高強度石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
JP3717151B2 (ja) | 2000-03-13 | 2005-11-16 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法 |
JP4086283B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-05-14 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
KR100774606B1 (ko) * | 2003-05-01 | 2007-11-09 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정 인상용 석영유리 도가니 및 그 제조방법 |
FR2858611B1 (fr) * | 2003-08-07 | 2006-11-24 | Saint Gobain Ct Recherches | Procede de fabrication d'une piece en silice amorphe frittee, moule et barbotine mis en oeuvre dans ce procede |
JP2005330157A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリカガラスルツボ |
EP2251460B1 (en) | 2008-02-29 | 2017-01-18 | Japan Super Quartz Corporation | Silica crucible for pulling silicon single crystal |
-
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- 2010-09-07 TW TW099130206A patent/TWI418669B/zh active
-
2012
- 2012-06-15 JP JP2012135814A patent/JP5459804B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06329493A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-11-29 | Mitsubishi Material Kuootsu Kk | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JPH08253333A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-10-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラス質ルツボ |
JP2002326889A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015062872A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 株式会社日本触媒 | 固体微粒子の製造方法 |
JP2020023411A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 株式会社Sumco | 石英ガラスルツボおよび石英ガラスルツボの製造方法 |
JP7150250B2 (ja) | 2018-08-07 | 2022-10-11 | 株式会社Sumco | 石英ガラスルツボおよび石英ガラスルツボの製造方法 |
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