JP2012141160A5 - - Google Patents
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本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
第1の形態に係る機能素子は、第1基板と、前記第1基板上に設けられ、且つ、素子部を有する第2基板と、を備え、前記第1基板と前記第2基板との間には内部空間が設けられ、前記第1基板および前記第2基板の互いに対向する面の少なくとも一方には、前記内部空間と外部とを連通する溝が設けられていることを特徴とする。
第2の形態に係る機能素子は、前記第1基板上には、前記第2基板を覆うようにリッドが接合され、前記溝は、封止部材により封止されていることを特徴とする。
第3の形態に係る機能素子は、前記溝には、前記素子部と接続されている配線が設けられていることを特徴とする。
第4の形態に係る機能素子は、前記第1基板は、シリコンを含むガラス材料からなり、前記第2基板は、半導体材料からなり、前記第1基板と前記第2基板とは、陽極接合により接合されていることを特徴とする。
第5の形態に係る機能素子は、前記素子部は、可動部と、前記可動部を支持している支持部と、前記第1基板側に接続している固定電極指と、を有し、前記可動部は、前記固定電極指に対向している可動電極指と、前記可動部と前記支持部を接続している可撓部と、を含むことを特徴とする。
第1の形態に係る機能素子の製造方法は、第1基板と第2基板とを用意し、前記第1基板および前記第2基板の少なくとも一方の面に溝を形成する工程と、前記第1基板上に前記第2基板を接合し、前記第1基板と前記第2基板との間に内部空間を形成し、前記溝により前記内部空間を通気させる工程と、前記第2基板に素子部を形成する工程と、前記第2基板を覆うようにリッドを前記第1基板に接合すると共に、封止部材により前記溝を封止する工程と、を備えたことを特徴とする。
第2の形態に係る機能素子の製造方法は、第1基板と第2基板とを用意し、前記第2基板に貫通孔を形成する工程と、前記第1基板上に前記第2基板を接合し、前記第1基板と前記第2基板との間に内部空間を形成し、前記貫通孔により前記内部空間を通気させる工程と、前記第2基板の前記貫通孔を含む領域をエッチングで抜いて素子部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
第1の形態に係る物理量センサーは、第1の形態乃至第5の形態のいずれか1の形態の機能素子を有することを特徴とする。
第1の形態に係る電子機器は、第1の形態乃至第5の形態のいずれか1の形態の機能素子を有することを特徴とする。
第1の形態に係る機能素子は、第1基板と、前記第1基板上に設けられ、且つ、素子部を有する第2基板と、を備え、前記第1基板と前記第2基板との間には内部空間が設けられ、前記第1基板および前記第2基板の互いに対向する面の少なくとも一方には、前記内部空間と外部とを連通する溝が設けられていることを特徴とする。
第2の形態に係る機能素子は、前記第1基板上には、前記第2基板を覆うようにリッドが接合され、前記溝は、封止部材により封止されていることを特徴とする。
第3の形態に係る機能素子は、前記溝には、前記素子部と接続されている配線が設けられていることを特徴とする。
第4の形態に係る機能素子は、前記第1基板は、シリコンを含むガラス材料からなり、前記第2基板は、半導体材料からなり、前記第1基板と前記第2基板とは、陽極接合により接合されていることを特徴とする。
第5の形態に係る機能素子は、前記素子部は、可動部と、前記可動部を支持している支持部と、前記第1基板側に接続している固定電極指と、を有し、前記可動部は、前記固定電極指に対向している可動電極指と、前記可動部と前記支持部を接続している可撓部と、を含むことを特徴とする。
第1の形態に係る機能素子の製造方法は、第1基板と第2基板とを用意し、前記第1基板および前記第2基板の少なくとも一方の面に溝を形成する工程と、前記第1基板上に前記第2基板を接合し、前記第1基板と前記第2基板との間に内部空間を形成し、前記溝により前記内部空間を通気させる工程と、前記第2基板に素子部を形成する工程と、前記第2基板を覆うようにリッドを前記第1基板に接合すると共に、封止部材により前記溝を封止する工程と、を備えたことを特徴とする。
第2の形態に係る機能素子の製造方法は、第1基板と第2基板とを用意し、前記第2基板に貫通孔を形成する工程と、前記第1基板上に前記第2基板を接合し、前記第1基板と前記第2基板との間に内部空間を形成し、前記貫通孔により前記内部空間を通気させる工程と、前記第2基板の前記貫通孔を含む領域をエッチングで抜いて素子部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
第1の形態に係る物理量センサーは、第1の形態乃至第5の形態のいずれか1の形態の機能素子を有することを特徴とする。
第1の形態に係る電子機器は、第1の形態乃至第5の形態のいずれか1の形態の機能素子を有することを特徴とする。
Claims (9)
- 第1基板と、
前記第1基板上に設けられ、且つ、素子部を有する第2基板と、
を備え、
前記第1基板と前記第2基板との間には内部空間が設けられ、
前記第1基板および前記第2基板の互いに対向する面の少なくとも一方には、前記内部空間と外部とを連通する溝が設けられていることを特徴とする機能素子。 - 前記第1基板上には、前記第2基板を覆うようにリッドが接合され、
前記溝は、封止部材により封止されていることを特徴とする請求項1に記載の機能素子。 - 前記溝には、前記素子部と接続されている配線が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の機能素子。
- 前記第1基板は、シリコンを含むガラス材料からなり、
前記第2基板は、半導体材料からなり、
前記第1基板と前記第2基板とは、陽極接合により接合されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の機能素子。 - 前記素子部は、
可動部と、
前記可動部を支持している支持部と、
前記第1基板側に接続している固定電極指と、を有し、
前記可動部は、
前記固定電極指に対向している可動電極指と、
前記可動部と前記支持部を接続している可撓部と、を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の機能素子。 - 第1基板と第2基板とを用意し、前記第1基板および前記第2基板の少なくとも一方の面に溝を形成する工程と、
前記第1基板上に前記第2基板を接合し、前記第1基板と前記第2基板との間に内部空間を形成し、前記溝により前記内部空間を通気させる工程と、
前記第2基板に素子部を形成する工程と、
前記第2基板を覆うようにリッドを前記第1基板に接合すると共に、封止部材により前記溝を封止する工程と、
を備えたことを特徴とする機能素子の製造方法。 - 第1基板と第2基板とを用意し、前記第2基板に貫通孔を形成する工程と、
前記第1基板上に前記第2基板を接合し、前記第1基板と前記第2基板との間に内部空間を形成し、前記貫通孔により前記内部空間を通気させる工程と、
前記第2基板の前記貫通孔を含む領域をエッチングで抜いて素子部を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする機能素子の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の機能素子を有することを特徴とする物理量センサー。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の機能素子を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010292289A JP5622105B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010292289A JP5622105B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014198831A Division JP5743121B2 (ja) | 2014-09-29 | 2014-09-29 | 機能素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012141160A JP2012141160A (ja) | 2012-07-26 |
JP2012141160A5 true JP2012141160A5 (ja) | 2014-02-13 |
JP5622105B2 JP5622105B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=46677593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010292289A Expired - Fee Related JP5622105B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5622105B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5783201B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2015-09-24 | 株式会社デンソー | 容量式物理量センサ |
JP5900398B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2016-04-06 | 株式会社デンソー | 加速度センサ |
JP5783222B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2015-09-24 | 株式会社デンソー | 加速度センサ |
WO2014156119A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 株式会社デンソー | 物理量センサ |
JP6150056B2 (ja) | 2013-07-24 | 2017-06-21 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、電子機器、および移動体 |
JP6485260B2 (ja) * | 2015-07-10 | 2019-03-20 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 |
JP6606601B2 (ja) * | 2016-04-18 | 2019-11-13 | 株式会社日立製作所 | 加速度センサ |
JP2018148137A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体 |
CN112041688B (zh) * | 2018-04-24 | 2022-05-24 | 株式会社电装 | 半导体装置的制造方法 |
JP6897703B2 (ja) * | 2018-04-24 | 2021-07-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP7052625B2 (ja) * | 2018-08-02 | 2022-04-12 | セイコーエプソン株式会社 | 時計用部品、ムーブメント、時計および時計用部品の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0829448A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-02-02 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2003098026A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量型圧力センサの製造方法及び静電容量型圧力センサ |
JP2006201022A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Seiko Instruments Inc | 力学量センサ及び電子機器並びに力学量センサの製造方法 |
-
2010
- 2010-12-28 JP JP2010292289A patent/JP5622105B2/ja not_active Expired - Fee Related
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