JP2012094683A - ワイドバンドギャップ半導体装置 - Google Patents
ワイドバンドギャップ半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012094683A JP2012094683A JP2010240612A JP2010240612A JP2012094683A JP 2012094683 A JP2012094683 A JP 2012094683A JP 2010240612 A JP2010240612 A JP 2010240612A JP 2010240612 A JP2010240612 A JP 2010240612A JP 2012094683 A JP2012094683 A JP 2012094683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wide band
- conductivity type
- region
- gap semiconductor
- band gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 29
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 24
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N bromo(trimethyl)silane Chemical group C[Si](C)(C)Br IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05567—Disposition the external layer being at least partially embedded in the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
- H01L29/8725—Schottky diodes of the trench MOS barrier type [TMBS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Abstract
【解決手段】第1導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板と、半導体基板上に形成された第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜と、半導体堆積膜上に形成され、半導体堆積膜との間でショットキー界面領域を構成する金属膜8と、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜の金属膜周辺部に対応する領域に形成された第2導電型の領域4,5とを含み、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜における該ショットキー界面領域は、第2導電型の領域に囲まれて複数個の周期的な島領域を構成する。
【選択図】図2
Description
理想的な整流特性を有するダイオードは逆方向電圧を印加したときに電流は流れず、順方向電圧の印加に対しては抵抗を有しない。しかし、一般的に製造されるダイオードは逆方向電圧を印加すると微量の電流(リーク電流)が流れ、順方向にはいくらかの抵抗(オン抵抗)を有する。ショットキー界面を有する装置、例えばショットキーバリアダイオードはショットキーバリアハイトが大きいとリーク電流を抑えて耐圧を上げることができるが、オン抵抗が大きくなる。逆にショットキーバリアハイトが小さいとオン抵抗が小さくなるが、リーク電流が大きくなる。
(1)第1導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板と、該第1導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板上に形成された第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜と、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜上に形成され、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜との間でショットキー界面領域を構成する金属膜と、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜の金属膜周辺部に対応する領域に形成された第2導電型の領域とを含み、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜における該ショットキー界面領域は、第2導電型の領域に囲まれて複数個の周期的な島領域を構成していることを特徴とするワイドバンドギャップ半導体装置。
(2)上記金属膜と上記島領域との接触面積をS1、上記第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜の不純物濃度をN1、上記金属膜と上記第2導電型の領域との接触面積をS2、上記第2導電型の領域の不純物濃度をN2とした場合、S2×N2≧S1×N1を満たすことを特徴とする(1)に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
(3)上記島領域の形状は、正多角形であることを特徴とする(1)又は(2)に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
(4)上記島領域の形状は、円形であることを特徴とする(1)又は(2)に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
(5)上記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素であることを特徴とする(1)ないし(4)のいずれかに記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
(6)上記ワイドバンドギャップ半導体は、窒化ガリウムであることを特徴とする(1)ないし(4)のいずれかに記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
しかし、第2導電型の領域をストライプ状ではなく、第1導電型の領域を囲む形にすることにより、四方から第1導電型の領域を空乏化することができる。このため、同じ面積の第1導電型の領域を空乏化するための電圧が低くなるためリーク電流が抑えられる効果や、第1導電型の不純物濃度を上げてオン抵抗の低減する効果が期待できる。
図1は、本発明に係る第一実施形態であるSiC−JBSダイオードの断面図である。1×1018cm−3の窒素がドーピングされた厚さ300μmの(0001)面を有する高濃度n型SiC基板1表面上に、1.8×1016cm−3の窒素がドーピングされた厚さ6μmのn型のSiC堆積膜2を持ち、高濃度にリンをドーピングされたチャンネルストッパー3、高濃度のアルミニウムがドーピングされたp型不純物領域4、さらに電界を分散させるための、アルミニウムがドーピングされたp型不純物領域5が電界緩和領域となるp型不純物領域4から、周囲に1.5μm間隔で6本持ち、裏面にオーミック電極6、0.5μmの厚さの酸化シリコンで形成された層間絶縁膜である7、アルミニウムで形成された電極パッド9をもつショットキーバリアダイオードである。ここで、ショットキー電極8は、たとえばチタンシリサイドと炭化チタンからなり、ショットキー電極8はp型不純物領域4と4μm重なっている。
ショットキー電極8の下で窒素がドープされたn型層領域の最長部が3μmの正方形の形状で配置されアルミニウムがドーピングされた幅2μmのp型の領域で囲まれている島領域が周期的に配置されている。このことから、リーク電流とオン抵抗が抑えられたJBSダイオードを提供することができる。
図3Aにおいて、1×1018cm−3の窒素がドーピングされた厚さ300μmの(0001)面を有する高濃度n型基板1表面上には、1.8×1016cm−3の窒素がドーピングされた厚さ6μmの低濃度n型堆積膜2が堆積される。
本発明の第二実施形態について説明する。図6は、第二実施形態として示したSiCショットキーバリアダイオードのレイアウト図の一例である。本実施形態は、島領域の形状を第1実施形態に対して変更したものであり、その他に関しては、第一実施形態と同様である。
図6において、ショットキー電極8の下に最長部が3μmの正六角形の形状で配置されアルミニウムがドーピングされた幅2μmのp型の領域で囲まれている島領域が周期的に配置されている。
本発明の第三実施形態について説明する。図7は、第三実施形態として示したSiCショットキーバリアダイオードのマスクレイアウト図の一例である。本実施形態は、島領域の形状を第1実施形態に対して変更したものであり、その他に関しては、第一、二実施形態と同様である。
図7において、ショットキー電極8の下に直径が3μmの円形の形状で配置されアルミニウムがドーピングされた幅2μmのp型の領域で囲まれている島領域が周期的に配置されている。
2 低濃度n型SiC堆積膜
3 チャンネルストッパー
4 p型不純物領域(終端)
5 p型不純物領域(FLR)
6 オーミック電極
7 層間絶縁膜
8 ショットキー電極
9 電極パッド
10 パッシベーション膜
11 ボンディングワイヤー
12 p型不純物領域(JBS)
Claims (6)
- 第1導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板と、該第1導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板上に形成された第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜と、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜上に形成され、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜との間でショットキー界面領域を構成する金属膜と、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜の金属膜周辺部に対応する領域に形成された第2導電型の領域とを含み、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜における該ショットキー界面領域は、第2導電型の領域に囲まれて複数個の周期的な島領域を構成していることを特徴とするワイドバンドギャップ半導体装置。
- 上記金属膜と上記島領域との接触面積をS1、上記第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜の不純物濃度をN1、上記金属膜と上記第2導電型の領域との接触面積をS2、上記第2導電型の領域の不純物濃度をN2とした場合、S2×N2≧S1×N1を満たすことを特徴とする請求項1に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
- 上記島領域の形状は、正多角形であることを特徴とする請求項1又は2に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
- 上記島領域の形状は、円形であることを特徴とする請求項1又は2に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
- 上記ワイドバンドギャップ半導体は、SiCであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
- 上記ワイドバンドギャップ半導体は、窒化ガリウムであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010240612A JP2012094683A (ja) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010240612A JP2012094683A (ja) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015121187A Division JP2015207780A (ja) | 2015-06-16 | 2015-06-16 | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012094683A true JP2012094683A (ja) | 2012-05-17 |
Family
ID=46387702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010240612A Pending JP2012094683A (ja) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012094683A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014110310A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 窒化物系化合物半導体装置およびその製造方法 |
WO2015033463A1 (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-12 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法、電力変換装置、3相モータシステム、自動車、ならびに鉄道車両 |
KR101518905B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2015-05-11 | 현대자동차 주식회사 | 쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조 방법 |
CN105226102A (zh) * | 2014-06-25 | 2016-01-06 | 辛纳普蒂克斯显像装置合同会社 | 结势垒肖特基二极管及其制造方法 |
JP2017055009A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9825123B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-11-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Schottky barrier diode and method for manufacturing the same |
JP2018032794A (ja) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
CN113471301A (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-01 | 比亚迪半导体股份有限公司 | 一种沟槽肖特基二极管及其制备方法 |
US11862672B2 (en) | 2012-03-12 | 2024-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000252478A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Hitachi Ltd | ショットキーバリアダイオード |
JP2002314098A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2006352006A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 整流素子およびその製造方法 |
JP2009016603A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Denso Corp | ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 |
JP2010040857A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2010
- 2010-10-27 JP JP2010240612A patent/JP2012094683A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000252478A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Hitachi Ltd | ショットキーバリアダイオード |
JP2002314098A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2006352006A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 整流素子およびその製造方法 |
JP2009016603A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Denso Corp | ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 |
JP2010040857A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11862672B2 (en) | 2012-03-12 | 2024-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
JP2014110310A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 窒化物系化合物半導体装置およびその製造方法 |
US9711600B2 (en) | 2013-09-09 | 2017-07-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle |
WO2015033463A1 (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-12 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法、電力変換装置、3相モータシステム、自動車、ならびに鉄道車両 |
KR101518905B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2015-05-11 | 현대자동차 주식회사 | 쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조 방법 |
CN104752522A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 现代自动车株式会社 | 肖特基势垒二极管及其制造方法 |
US9287415B2 (en) | 2013-12-30 | 2016-03-15 | Hyundai Motor Company | Schottky barrier diode and method of manufacturing the same |
CN105226102B (zh) * | 2014-06-25 | 2019-05-31 | 辛纳普蒂克斯日本合同会社 | 结势垒肖特基二极管及其制造方法 |
JP2016009794A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | シナプティクス・ディスプレイ・デバイス合同会社 | ジャンクションバリアショットキーダイオード及びその製造方法 |
CN105226102A (zh) * | 2014-06-25 | 2016-01-06 | 辛纳普蒂克斯显像装置合同会社 | 结势垒肖特基二极管及其制造方法 |
US9825123B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-11-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Schottky barrier diode and method for manufacturing the same |
CN106531813A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-22 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
JP2017055009A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2018032794A (ja) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
CN113471301A (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-01 | 比亚迪半导体股份有限公司 | 一种沟槽肖特基二极管及其制备方法 |
CN113471301B (zh) * | 2020-03-31 | 2023-10-17 | 比亚迪半导体股份有限公司 | 一种沟槽肖特基二极管及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2013121532A1 (ja) | ワイドバンドギャップ半導体装置 | |
JP2012094683A (ja) | ワイドバンドギャップ半導体装置 | |
JP2015207780A (ja) | ワイドバンドギャップ半導体装置 | |
CN102683430B (zh) | 肖特基势垒二极管 | |
JP6053103B2 (ja) | ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法 | |
US20080083966A1 (en) | Schottky barrier semiconductor device | |
JP6206862B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP5940500B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5943819B2 (ja) | 半導体素子、半導体装置 | |
JP2016208030A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
US20150357482A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2009123914A (ja) | 逆耐圧を有するスイッチング用半導体装置 | |
JP2012129299A (ja) | 異種材料接合型ダイオード及びその製造方法 | |
WO2015008385A1 (ja) | パワーモジュール | |
JP6384944B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
KR20140035594A (ko) | 쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조 방법 | |
JP2012059823A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5682102B2 (ja) | 逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置 | |
JP2017112193A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2012227419A (ja) | ワイドギャップ半導体装置 | |
JP2015029099A (ja) | 窒化ガリウム系ダイオード及びその製造方法 | |
JP2012094889A (ja) | 半導体装置 | |
US11869944B2 (en) | Scalable MPS device based on SiC | |
CN215988778U (zh) | 一种肖特基二极管 | |
CN114335146B (zh) | 一种半导体结构及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20121026 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20121026 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140829 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141023 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150317 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150616 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150623 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20151002 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20151005 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20151005 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160902 |