JP2012094235A - 半導体メモリ素子の内部電圧発生器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】温度の変化に比例して電流量が変化するPTAT電流を生成するためのPTAT電流生成器と、前記PTAT電流と同じ内部電流を生成し、前記内部電流に応答して内部電圧を生成するための電流制御回路と、前記内部電圧の電位レベルを一定のレベルに調節するためのオフセット回路と、を含む。
【選択図】図4
Description
120 内部電圧生成器、
121 電流制御回路、
122 オフセット回路、
123 OPアンプ
Claims (24)
- 温度の変化に比例して電流量が変化するPTAT電流を生成するためのPTAT(Proportional to Absolute Temperature)電流生成器と、
前記PTAT電流と同じ内部電流を生成し、前記内部電流に応答して内部電圧を生成するための電流制御回路と、
前記内部電圧の電位レベルを一定のレベルに調節するためのオフセット回路と、
を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の内部電圧発生器。 - 前記PTAT電流生成器は、サイズが互いに異なる二つのBJTトランジスタを含み、
前記二つのBJTトランジスタの温度によるパス電流量を互いに比べて前記PTAT電流を生成することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。 - 前記電流制御回路は、電源電圧と出力端との間に並列連結された多数のトランジスタとを含み、
前記多数のトランジスタは、前記PTAT電流に応答して前記出力端に印加される前記内部電流を生成することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。 - 前記電流制御回路は、前記多数のトランジスタそれぞれと前記出力端の間に連結されて、多数の選択信号に応答してそれぞれスイッチング動作する多数のスイッチ素子をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記多数のトランジスタは、サイズが互いに異なることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記オフセット回路は、前記オフセット回路の内部ノードから出力されるフィードバック電圧と温度の変化に関係のない基準電圧を比較して生成されたオフセット電圧を前記内部電圧が出力される出力端に印加するための比較器を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記オフセット回路は、前記多数の選択信号に応答して前記出力端と前記内部ノードのと間の抵抗値を制御して前記フィードバック電圧を調節することを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 温度の変化に比例して電流量が変化するPTAT電流を生成するためのPTAT電流生成器と、
温度の変化に反比例して電流量が変化するCTAT電流を生成するためのCTAT(Complementary to Absolute Temperature )電流生成器と、
制御信号に応答して前記PTAT電流と前記CTAT電流のうちいずれか一つを選択して出力するための選択回路と、
前記選択回路によって選択された前記PTAT電流または前記CTAT電流をコピーして内部電流を生成し、前記内部電流を出力端の抵抗に印加して内部電圧を生成するための電流制御回路と、
前記コピーした電流量によって前記出力端のオフセット電圧を調節して前記内部電圧の電位レベルを調節するためのオフセット回路と、
を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の内部電圧発生器。 - 前記PTAT電流生成器はサイズがお互いに違う二つのBJTトランジスタを含んで、前記二つのBJTトランジスタの温度によるパス電流量をお互いに比べて前記PTAT電流を生成することを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記電流制御回路は、電源電圧と前記出力端の間に並列連結された多数のトランジスタを含み、
前記多数のトランジスタは前記PTAT電流またはCTAT電流に応答して前記出力端に印加される内部電流を生成することを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。 - 前記電流制御回路は、前記多数のトランジスタそれぞれと前記出力端との間に連結されて、多数の選択信号に応答してそれぞれスイッチング動作する多数のスイッチ素子をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記多数のトランジスタは、サイズが互いに異なることを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記オフセット回路は、前記オフセット回路の内部ノードから出力されるフィードバック電圧と温度の変化に関係のない基準電圧とを比較して前記オフセット電圧を調節するための比較器を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記オフセット回路は、前記多数の選択信号に応答して前記出力端と前記内部ノードとの間の抵抗値を制御して前記フィードバック電圧を調節することを特徴とする請求項13に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 温度の変化に反比例して電流量が変化するCTAT電流を生成するためのCTAT電流生成器と、
前記CTAT電流をコピーして内部電流を生成し、前記内部電流を出力端の抵抗に印加して前記温度の変化に応じて変化する温度補償電圧を生成するための温度補償電圧生成器と、
前記温度補償電圧を第1出力電圧に出力してステップ電圧を第2出力電圧に出力するか、前記温度補償電圧を前記第2出力電圧に出力して前記ステップ電圧を前記第1出力電圧に出力するための電圧制御回路と、
前記第1出力電圧及び前記第2出力電圧の電位に応じてCTAT電流の特性またはPTAT特性を持つ内部電圧を生成する内部電圧発生器と、
を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の内部電圧発生器。 - 前記温度補償電圧生成器は、前記CTAT電流をコピーして内部電流を生成して、前記内部電流を出力端の抵抗に印加して前記温度補償電圧を生成するための電流制御回路と、
前記コピーした電流量によって前記出力端に印加されるオフセット電圧を調節して前記温度補償電圧を一定に維持するためのオフセット回路と、
を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。 - 前記電流制御回路は、電源電圧と前記出力端との間に並列連結された多数のトランジスタを含み、
前記多数のトランジスタは、前記CTAT電流に応答して前記出力端に印加される内部電流を生成することを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。 - 前記電流制御回路は、前記多数のトランジスタそれぞれと前記出力端との間に連結されて、多数の選択信号に応答してそれぞれスイッチング動作する多数のスイッチ素子をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記多数のトランジスタは、サイズが互いに異なることを特徴とする請求項17に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記オフセット回路は、前記オフセット回路の内部ノードから出力されるフィードバック電圧と温度の変化に関係のない基準電圧を比較して前記オフセット電圧を調節するための比較器を含むことを特徴とする請求項18に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記オフセット回路は、前記多数の選択信号に応答して前記出力端と前記内部ノードとの間の抵抗値を制御して前記フィードバック電圧を調節することを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記電圧制御回路は、制御信号に応答して前記温度補償電圧を前記第1出力電圧または前記第2出力電圧に伝送するための第1選択回路と、
前記ステップ電圧を生成するための電圧制御器と、
前記制御信号に応答して前記ステップ電圧を前記第2出力電圧または前記第1出力電圧に伝送するための第2選択回路と、
を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。 - 前記電圧制御器は、電圧加算器または電圧減算器で構成されることを特徴とする請求項22に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
- 前記内部電圧生成器は、前記第1出力電圧を正端子に入力してもらい、前記第2出力電圧を負端子に入力してもらって、これを比較増幅して前記内部電圧を生成するためのOPアンプを含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ素子の内部電圧発生器。
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---|---|---|---|---|
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US9030884B2 (en) * | 2011-04-06 | 2015-05-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for pre-charging data lines in a memory cell array |
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KR102033790B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2019-11-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 온도센서 |
US20160179113A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Sandisk Technologies Inc. | Temperature Independent Reference Current Generation For Calibration |
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US10151644B2 (en) * | 2015-03-13 | 2018-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Combination current generator configured to selectively generate one of a PTAT and a CTAT current |
KR102374841B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2022-03-16 | 삼성전자주식회사 | 가변 전압 발생 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
CA3031736A1 (en) | 2015-07-29 | 2017-02-02 | Circuit Seed, Llc | Complementary current field-effect transistor devices and amplifiers |
CN108141180A (zh) | 2015-07-30 | 2018-06-08 | 电路种子有限责任公司 | 基于互补电流场效应晶体管装置的低噪声跨阻抗放大器 |
CN108140614A (zh) * | 2015-07-30 | 2018-06-08 | 电路种子有限责任公司 | 基于互补电流场效应晶体管装置的参考产生器和电流源晶体管 |
US10491177B2 (en) | 2015-07-30 | 2019-11-26 | Circuit Seed, Llc | Multi-stage and feed forward compensated complementary current field effect transistor amplifiers |
KR102373545B1 (ko) * | 2015-11-23 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 온도 계수에 기초하여 기준 전압을 생성하는 회로 및 방법 |
WO2017105554A1 (en) | 2015-12-14 | 2017-06-22 | Circuit Seed, Llc | Super-saturation current field effect transistor and trans-impedance mos device |
KR102656168B1 (ko) * | 2016-07-06 | 2024-04-11 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치와 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US10510393B2 (en) | 2017-09-15 | 2019-12-17 | Samsung Electronics Co., Ltd | Resistive memory device including reference cell and operating method thereof |
US11114154B2 (en) * | 2019-12-17 | 2021-09-07 | Arm Limited | Voltage retention techniques |
KR20220036432A (ko) | 2020-09-15 | 2022-03-23 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 이의 제어 방법 |
GB202107532D0 (en) * | 2021-05-27 | 2021-07-14 | Ams Sensors Singapore Pte Ltd | Circuit for device temperature protection |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1145125A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-16 | Toshiba Corp | 基準電圧発生回路および基準電流発生回路 |
JP2001035177A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | 電圧発生回路 |
JP2007192718A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 温度センサ |
JP2007323799A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Hynix Semiconductor Inc | 温度依存性を有する内部電源発生装置 |
JP2008071245A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基準電流生成装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519662A (en) * | 1993-12-03 | 1996-05-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device |
US5946334A (en) * | 1996-03-27 | 1999-08-31 | Ricoh Company, Inc. | Semiconductor laser control system |
US5835420A (en) * | 1997-06-27 | 1998-11-10 | Aplus Flash Technology, Inc. | Node-precise voltage regulation for a MOS memory system |
US6906502B2 (en) * | 2002-11-14 | 2005-06-14 | Fyre Storm, Inc. | Method for regulating an output voltage of a power coverter |
KR100674974B1 (ko) | 2005-05-25 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 감지 온도를 조절할 수 있는 반도체 온도 센서 |
KR20100069819A (ko) | 2008-12-17 | 2010-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 기준 전압 발생장치 |
-
2010
- 2010-10-26 KR KR1020100104858A patent/KR20120043522A/ko active IP Right Grant
-
2011
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1145125A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-16 | Toshiba Corp | 基準電圧発生回路および基準電流発生回路 |
JP2001035177A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | 電圧発生回路 |
JP2007192718A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 温度センサ |
JP2007323799A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Hynix Semiconductor Inc | 温度依存性を有する内部電源発生装置 |
JP2008071245A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基準電流生成装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180024373A (ko) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 보정 기능을 가지는 온도 센서 회로 |
KR101889766B1 (ko) | 2016-08-30 | 2018-08-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 보정 기능을 가지는 온도 센서 회로 |
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