JP2012087077A - 光学活性シクロヘキセン誘導体の製造方法、光学活性シクロヘキセン誘導体、並びにそれを用いた光学活性シクロヘキサジエン誘導体の製造方法及び光学活性シクロヘキサジエン誘導体 - Google Patents
光学活性シクロヘキセン誘導体の製造方法、光学活性シクロヘキセン誘導体、並びにそれを用いた光学活性シクロヘキサジエン誘導体の製造方法及び光学活性シクロヘキサジエン誘導体 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】医薬、農薬、電子材料等の合成中間体として有用な、シクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する光学活性なシクロヘキセン誘導体を、高収率および高純度で、更に簡便な操作で製造できる方法を提供する。
【解決手段】含フッ素炭化水素を有するオレフィン類（１）とジエン類（２）を、四塩化スズ、四塩化チタン、三塩化鉄、塩化アルミニウム等のルイス酸の存在下、光学活性オキサザボロリジン誘導体等の不斉源を共存させて不斉ディールス・アルダー反応を行い、シクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する光学活性なシクロヘキセン誘導体を得る（式中、Ｒ１とＲ２の少なくともいずれか一方は含フッ素炭化水素基である）。
【選択図】なし
【解決手段】含フッ素炭化水素を有するオレフィン類（１）とジエン類（２）を、四塩化スズ、四塩化チタン、三塩化鉄、塩化アルミニウム等のルイス酸の存在下、光学活性オキサザボロリジン誘導体等の不斉源を共存させて不斉ディールス・アルダー反応を行い、シクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する光学活性なシクロヘキセン誘導体を得る（式中、Ｒ１とＲ２の少なくともいずれか一方は含フッ素炭化水素基である）。
【選択図】なし
Description
本発明は、医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用な光学活性なシクロヘキセン誘導体、特にシクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する光学活性なシクロヘキセン誘導体の製造方法、及びそれにより得られた新規な光学活性なシクロヘキセン誘導体、更には、該光学活性なシクロヘキセン誘導体を用いた光学活性シクロヘキサジエン誘導体の製造方法及びそれにより得られた新規な光学活性シクロヘキサジエン誘導体に関する。
含フッ素炭化水素基を有するラセミのシクロヘキセン誘導体を製造する方法としては、以下の方法が知られている。
（１）β−フルオロアルキル−α，β−不飽和ケトンとジエンのディールス・アルダー反応を用いる方法（非特許文献１）。
（２）（Ｚ）−４，４，４−トリフルオロブテン酸エステルとフランのディールス・アルダー反応を用いる方法（非特許文献２）。
（３）１，１，１−トリフルオロ−２−ペンテン−４−オンとシクロペンタジエンのディールス・アルダー反応を用いる方法（非特許文献３）。
（４）フルオロクロトン酸誘導体とシクロペンタジエンのディールス・アルダー反応を用いる方法（非特許文献４）。
（１）β−フルオロアルキル−α，β−不飽和ケトンとジエンのディールス・アルダー反応を用いる方法（非特許文献１）。
（２）（Ｚ）−４，４，４−トリフルオロブテン酸エステルとフランのディールス・アルダー反応を用いる方法（非特許文献２）。
（３）１，１，１−トリフルオロ−２−ペンテン−４−オンとシクロペンタジエンのディールス・アルダー反応を用いる方法（非特許文献３）。
（４）フルオロクロトン酸誘導体とシクロペンタジエンのディールス・アルダー反応を用いる方法（非特許文献４）。
一方、光学活性オキサザボロリジン誘導体とルイス酸を用いる不斉ディールス・アルダー反応としては、以下の方法が知られている。
（５）下式（１２）で示された光学活性オキサザボロリジン誘導体とルイス酸を用いる不斉ディールス・アルダー反応（非特許文献５）
（５）下式（１２）で示された光学活性オキサザボロリジン誘導体とルイス酸を用いる不斉ディールス・アルダー反応（非特許文献５）
（６）２−フルオロヘプテン−１−エン−３−オンをジエノフィルとして、上記式（１２）で示された光学活性オキサザボロリジン誘導体とルイス酸を用いる不斉ディールス・アルダー反応（非特許文献６）
（７）下式（１３）で示された光学活性オキサザボロリジン誘導体とルイス酸を用いる不斉ディールス・アルダー反応（非特許文献７）
（７）下式（１３）で示された光学活性オキサザボロリジン誘導体とルイス酸を用いる不斉ディールス・アルダー反応（非特許文献７）
ラングロワ（Ｌａｎｇｌｏｉｓ）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００６年、第７１巻、２７３５〜２７３９頁。
ワクセルマン（Ｗａｋｓｅｌｍａｎ），Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ １、１９９０年、１２８１−１２８７頁。
生越、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９８６年、第５１巻、２３６６〜２３６８頁。
ウェスラー（Ｗｅｓｓｅｌｅｒ）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９７３年、第３８巻、６３２〜６３６頁。
山本、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００５年、第４４巻、１４８４〜１４８７頁。
柴富、山本、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２０１０年、第１３２巻、５６２５〜５６２７頁。
コーリー（Ｃｏｒｅｙ）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００７年、第１２９巻、１４９８〜１４９９頁。
しかしながら、上記（１）〜（４）の含フッ素炭化水素基を有するシクロヘキセン誘導体を製造する方法はすべてラセミ体の製造法であり、光学活性体は製造できない。
また、上記（５）〜（７）の不斉ディールス・アルダー反応では、含フッ素炭化水素基を有するオレフィン類を用いた反応は全く報告されていない。
これらの従来技術が示すとおり、シクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する光学活性なシクロヘキセン誘導体は、医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用であるにもかかわらず、不斉炭素上への立体選択的な含フッ素炭化水素基の導入法は限られており、これまで、不斉ディールス・アルダー反応により、含フッ素炭化水素基を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体を製造する方法は全く知られていなかった。
また、上記（５）〜（７）の不斉ディールス・アルダー反応では、含フッ素炭化水素基を有するオレフィン類を用いた反応は全く報告されていない。
これらの従来技術が示すとおり、シクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する光学活性なシクロヘキセン誘導体は、医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用であるにもかかわらず、不斉炭素上への立体選択的な含フッ素炭化水素基の導入法は限られており、これまで、不斉ディールス・アルダー反応により、含フッ素炭化水素基を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体を製造する方法は全く知られていなかった。
従って、本発明は、医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用な光学活性なシクロヘキセン誘導体を製造する方法を提供するものである。特に本発明は、シクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する光学活性なシクロヘキセン誘導体の製造方法を提供するものであり、更に、医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用な新規な光学活性シクロヘキセン誘導体を提供するものである。
本発明は、更に、上記新規な光学活性シクロヘキセン誘導体を用いた光学活性シクロヘキサジエン誘導体の製造方法、及びそれにより得られた抗インフルエンザウィルス薬などの中間体として有用な新規な光学活性シクロヘキサジエン誘導体を提供するものである。
本発明は、更に、上記新規な光学活性シクロヘキセン誘導体を用いた光学活性シクロヘキサジエン誘導体の製造方法、及びそれにより得られた抗インフルエンザウィルス薬などの中間体として有用な新規な光学活性シクロヘキサジエン誘導体を提供するものである。
すなわち、本発明は以下の発明を提供する。
＜１＞ 下式（１）に示す含フッ素炭化水素基を有するオレフィン類と下式（２）に示すジエン類を触媒量の不斉源の存在下、ルイス酸を用いて不斉ディールス・アルダー反応を行うことを特徴とする下式（３）に示す光学活性なシクロヘキセン誘導体の製造方法。
＜１＞ 下式（１）に示す含フッ素炭化水素基を有するオレフィン類と下式（２）に示すジエン類を触媒量の不斉源の存在下、ルイス酸を用いて不斉ディールス・アルダー反応を行うことを特徴とする下式（３）に示す光学活性なシクロヘキセン誘導体の製造方法。
Ｒ１及びＲ２は、同じであっても異なっていてもよいが、それぞれ含フッ素炭化水素基、水素原子、フッ素原子またはアルキル基を表す。ただし、Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれか一方は含フッ素炭化水素基である。
Ｒ３及びＲ６は、それぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基もしくは保護されたアミノ基であるか、または、Ｒ３とＲ６がアルキレン基、エーテル結合（−Ｏ−）、チオエーテル結合（−Ｓ−）もしくはアミン（−Ｎ（Ｑ）−）により互いに結合して環を形成していても良い。ただし、Ｑはアルキル基、アルアルキル基、アリール基、またはアミノ基の保護基を表し、−は単結合を表す。
Ｒ４及びＲ５はそれぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基または保護されたアミノ基を表す。
Ｚはアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル基、アリールアミノカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基またはホルミル基を表す。
Ｒ３及びＲ６は、それぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基もしくは保護されたアミノ基であるか、または、Ｒ３とＲ６がアルキレン基、エーテル結合（−Ｏ−）、チオエーテル結合（−Ｓ−）もしくはアミン（−Ｎ（Ｑ）−）により互いに結合して環を形成していても良い。ただし、Ｑはアルキル基、アルアルキル基、アリール基、またはアミノ基の保護基を表し、−は単結合を表す。
Ｒ４及びＲ５はそれぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基または保護されたアミノ基を表す。
Ｚはアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル基、アリールアミノカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基またはホルミル基を表す。
＜２＞ Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれか一方が、炭素原子６個以下のフッ化アルキル基である、上記＜１＞に記載の製造方法。
＜３＞ Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれか一方が、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基またはフルオロメチル基である、上記＜１＞または＜２＞に記載の製造方法。
＜４＞ Ｚが、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基またはホルミル基である、上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の製造方法。
＜５＞ Ｒ３及びＲ６が互いに結合し、−Ｘ−（ＣＨ２）ｎ−で表される環を形成している、上記＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の製造方法。（ただし、−Ｘ−は−ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、または−Ｎ（Ｑ）−を表す。ここで、Ｑはアルキル基、アルアルキル基、アリール基、またはアミノ基の保護基を表し、ｎは０または１を表し、−は単結合を表す。）
＜３＞ Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれか一方が、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基またはフルオロメチル基である、上記＜１＞または＜２＞に記載の製造方法。
＜４＞ Ｚが、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基またはホルミル基である、上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の製造方法。
＜５＞ Ｒ３及びＲ６が互いに結合し、−Ｘ−（ＣＨ２）ｎ−で表される環を形成している、上記＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の製造方法。（ただし、−Ｘ−は−ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、または−Ｎ（Ｑ）−を表す。ここで、Ｑはアルキル基、アルアルキル基、アリール基、またはアミノ基の保護基を表し、ｎは０または１を表し、−は単結合を表す。）
＜６＞ 上記不斉源が光学活性化合物であることを特徴とする、上記＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の製造方法。
＜７＞ 上記光学活性化合物が下式（４）で示される光学活性オキサザボロリジン誘導体であることを特徴とする、上記＜６＞に記載の製造方法。
＜７＞ 上記光学活性化合物が下式（４）で示される光学活性オキサザボロリジン誘導体であることを特徴とする、上記＜６＞に記載の製造方法。
Ｒ７は、アルキル基、アリール基もしくはアルアルキル基を表すか、または、アルキレン基であってＲ８と結合して環を形成してもよい。
Ｒ８は、アルアルキル基、アルキル基、アリール基もしくは水素原子を表すか、または、アルキレン基であってＲ７と結合して環を形成していてもよい。
Ｒ９は、アリール基、アルアルキル基またはアルキル基を表す。
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれアリール基を表す。
Ｒ８は、アルアルキル基、アルキル基、アリール基もしくは水素原子を表すか、または、アルキレン基であってＲ７と結合して環を形成していてもよい。
Ｒ９は、アリール基、アルアルキル基またはアルキル基を表す。
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれアリール基を表す。
＜８＞ Ｒ７がアルキル基であることを特徴とする、上記＜７＞に記載の製造方法。
＜９＞ 上記ルイス酸が四塩化スズ、四塩化チタン、三塩化鉄、塩化アルミニウムまたは臭化アルミニウムであることを特徴とする、上記＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載の製造方法。
＜９＞ 上記ルイス酸が四塩化スズ、四塩化チタン、三塩化鉄、塩化アルミニウムまたは臭化アルミニウムであることを特徴とする、上記＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載の製造方法。
＜１０＞ 下式（５）または（６）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体。
Ｒ１０は、炭素数１〜４のアルキル基または水素原子を表す。Ｙは−ＣＨ２−または−Ｏ−を表す。ｍは１〜３の整数を表す。
＜１１＞ 下式（７）または（８）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体。
＜１１＞ 下式（７）または（８）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体。
Ｒ１０は、炭素数１〜４のアルキル基または水素原子を表す。Ｙは−ＣＨ２−または−Ｏ−を表す。ｍは１〜３の整数を表す。
＜１２＞ 下式（９）または（１０）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体。
＜１２＞ 下式（９）または（１０）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体。
Ｒ１０は、炭素数１〜４のアルキル基または水素原子を表す。Ｙは−ＣＨ２−または−Ｏ−を表す。ｍは１〜３の整数を表す。
＜１３＞ 上記式（９）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体に塩基を作用させることを特徴とする下式（１１）で示す光学活性シクロヘキサジエン誘導体の製造方法。
＜１３＞ 上記式（９）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体に塩基を作用させることを特徴とする下式（１１）で示す光学活性シクロヘキサジエン誘導体の製造方法。
Ｒ１０は、炭素数１〜４のアルキル基または水素原子を表す。Ｙは−ＣＨ２−または−Ｏ−を表す。ｍは１〜３の整数を表す。
＜１４＞ 上記式（１１）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキサジエン誘導体。
＜１４＞ 上記式（１１）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキサジエン誘導体。
本発明によれば、医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用な光学活性なシクロヘキセン誘導体を高収率、高純度、高光学純度で、かつ簡便な操作で製造できる。特にシクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する光学活性なシクロヘキセン誘導体の製造方法として有用である。
そして、本発明の製造方法により、医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用な、シクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する、新規な光学活性なシクロヘキセン誘導体を得ることができる。
更に、上記新規な光学活性なシクロヘキサン誘導体から簡便な方法で光学活性シクロヘキサジエン誘導体を製造することができる。またこれにより、抗インフルエンザウィルス薬などの中間体として有用な、新規な光学活性シクロヘキサジエン誘導体を得ることができる。
そして、本発明の製造方法により、医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用な、シクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する、新規な光学活性なシクロヘキセン誘導体を得ることができる。
更に、上記新規な光学活性なシクロヘキサン誘導体から簡便な方法で光学活性シクロヘキサジエン誘導体を製造することができる。またこれにより、抗インフルエンザウィルス薬などの中間体として有用な、新規な光学活性シクロヘキサジエン誘導体を得ることができる。
本発明の光学活性なシクロヘキセン誘導体の製造は、以下の工程により実施できる。含フッ素炭化水素基を有するオレフィン類とジエン類を触媒量の不斉源の存在下、ルイス酸を用いて不斉ディールス・アルダー反応を行うことにより、目的とする光学活性なシクロヘキセン誘導体を、高収率、高純度および高光学純度で得ることができる。
本明細書において、アルキル基の水素原子が置換された基を、置換アルキル基とも記す。他の基においても同様である。また、「低級有機基」とは炭素原子６個以下の有機基をいう。低級有機基の炭素数は４以下が好ましい。
「アルキル基」は、非置換または置換アルキル基をいう。置換アルキル基の置換基としては、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ基、アシルアミノ基、ハロゲン原子などが挙げられる。
アルキル基は、直鎖であっても分岐であってもよい。アルキル基は特に記載しないかぎり炭素数が１〜６である低級アルキル基が好ましい。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
アルキル基は、直鎖であっても分岐であってもよい。アルキル基は特に記載しないかぎり炭素数が１〜６である低級アルキル基が好ましい。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
「アルコキシ基」は、炭素数が１〜６である低級アルコキシ基が好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ基が特に好ましい。アルコキシ基は直鎖であっても分岐であってもよい。アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子をいう。
「含フッ素炭化水素基」とは、１価の炭化水素基の一ないし複数の水素原子がフッ素原子で置換された基を表す。炭化水素基としては脂肪族および芳香族の炭化水素基が含まれる。
「含フッ素炭化水素基」とは、１価の炭化水素基の一ないし複数の水素原子がフッ素原子で置換された基を表す。炭化水素基としては脂肪族および芳香族の炭化水素基が含まれる。
「アリール基」とは、１価の芳香族炭化水素基であり、非置換または置換アリール基をいう。芳香環としてベンゼン環またはナフタレン環を有することが好ましい。特にフェニル基が好ましい。
置換アリール基としては、アリール基中の水素原子の１個以上が、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化（低級アルキル）基等で置換された基が好ましく、置換位置は特に限定されない。具体的には、メチル基、エチル基、メトキシ基、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基が挙げられる。置換アリール基としては、置換フェニル基が好ましく、ハロフェニル基（たとえばクロロフェニル基、フルオロフェニル基、ブロモフェニル基、ジフルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基等）、（ハロゲン化低級アルキル）置換フェニル基（たとえばトリフルオロメチルフェニル基、ビス（トリフルオロメチル）フェニル基等）、（低級アルコキシ）フェニル基（たとえばメトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基等）、トリル基等が挙げられる。
置換アリール基としては、アリール基中の水素原子の１個以上が、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化（低級アルキル）基等で置換された基が好ましく、置換位置は特に限定されない。具体的には、メチル基、エチル基、メトキシ基、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基が挙げられる。置換アリール基としては、置換フェニル基が好ましく、ハロフェニル基（たとえばクロロフェニル基、フルオロフェニル基、ブロモフェニル基、ジフルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基等）、（ハロゲン化低級アルキル）置換フェニル基（たとえばトリフルオロメチルフェニル基、ビス（トリフルオロメチル）フェニル基等）、（低級アルコキシ）フェニル基（たとえばメトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基等）、トリル基等が挙げられる。
「アルコキシカルボニル基」とは、非置換または置換アルコキシカルボニル基をいう。置換アルコキシカルボニル基とはアルコキシの水素が置換されたアルコキシカルボニル基を意味する。置換基としては特に限定されないが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、ベンジルオキシ基、アリール基等が挙げられる。
「アルキルカルボニル基」とは、非置換または置換アルキルカルボニル基をいう。置換アルキルカルボニル基とはアルキル基の水素が置換されたアルキルカルボニル基を意味する。置換基としては特に限定されないが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、ベンジルオキシ基、アリール基、アルコキシカルボニル基、シアノ基等が挙げられる。
「アミノ基の保護基」とは、一般にアミノ基の保護基として用いられる基をいう。具体的には、アルコキシカルボニル基、ベンジロキシカルボニル基、アシル基、ベンジル基、トリチル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基等が挙げられる。
「保護されたアミノ基」とは、上記「アミノ基の保護基」で保護されたアミノ基をいう。具体的には、アルコキシカルボニルアミノ基、ベンジロキシカルボニルアミノ基、アシルアミノ基、ベンジルアミノ基、トリチルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基等が挙げられる。
「保護されたアミノ基」とは、上記「アミノ基の保護基」で保護されたアミノ基をいう。具体的には、アルコキシカルボニルアミノ基、ベンジロキシカルボニルアミノ基、アシルアミノ基、ベンジルアミノ基、トリチルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基等が挙げられる。
「シロキシ基」とは、アルキル基、アリール基、水素原子、またはアルコキシ基が結合したシロキシ基をいう。トリオルガノシロキシ基が好ましく、具体的にはトリメチルシロキシ基、ｔ−ブチルジメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる。
式（１）で表されるオレフィン類としては、以下の化合物が好ましい。
Ｒ１及びＲ２は、同じであっても異なっていてもよいが、それぞれ含フッ素炭化水素基、水素原子、フッ素原子またはアルキル基を表す。ただし、Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれか一方は含フッ素炭化水素基である。
Ｒ１、Ｒ２としては、含フッ素炭化水素基または水素原子が好ましい。ただし、Ｒ１が水素原子の場合はＲ２は含フッ素炭化水素基でなければならず、Ｒ２が水素原子の場合はＲ１は含フッ素炭化水素基でなければならない。含フッ素炭化水素基としては、低級フッ化アルキル基が好ましく、具体的にはトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、テトラフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基などが挙げられ、特にトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロメチル基が好ましく、とりわけトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｒ１及びＲ２は、同じであっても異なっていてもよいが、それぞれ含フッ素炭化水素基、水素原子、フッ素原子またはアルキル基を表す。ただし、Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれか一方は含フッ素炭化水素基である。
Ｒ１、Ｒ２としては、含フッ素炭化水素基または水素原子が好ましい。ただし、Ｒ１が水素原子の場合はＲ２は含フッ素炭化水素基でなければならず、Ｒ２が水素原子の場合はＲ１は含フッ素炭化水素基でなければならない。含フッ素炭化水素基としては、低級フッ化アルキル基が好ましく、具体的にはトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、テトラフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基などが挙げられ、特にトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロメチル基が好ましく、とりわけトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｚはアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル基、アリールアミノカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基またはホルミル基を表す。Ｚとしては、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、またはホルミル基が好ましい。特にアルコキシカルボニル基が好ましい。
アルコキシカルボニル基としては、具体的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、トリフルオロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等が挙げられ、特にエトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニル基が好ましい。
アルキルカルボニル基としては、低級アルキルカルボニル基が好ましく、具体的にはメチルカルボニル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基等が挙げられる。
式（２）で表されるジエン類としては、以下の化合物が好ましい。
Ｒ３及びＲ６は、それぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基もしくは保護されたアミノ基であるか、または、Ｒ３とＲ６がアルキレン基、エーテル結合（−Ｏ−）、チオエーテル結合（−Ｓ−）もしくはアミン（−Ｎ（Ｑ）−）により互いに結合して環を形成していても良い。ただし、Ｑはアルキル基、アルアルキル基、アリール基、またはアミノ基の保護基を表す。−は単結合を表す。
Ｒ３及びＲ６は、それぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基もしくは保護されたアミノ基であるか、または、Ｒ３とＲ６がアルキレン基、エーテル結合（−Ｏ−）、チオエーテル結合（−Ｓ−）もしくはアミン（−Ｎ（Ｑ）−）により互いに結合して環を形成していても良い。ただし、Ｑはアルキル基、アルアルキル基、アリール基、またはアミノ基の保護基を表す。−は単結合を表す。
Ｒ３及びＲ６は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、シロキシ基もしくは保護されたアミノ基であるか、またはＲ３とＲ６がアルキレン基、エーテル結合（−Ｏ−）もしくはチオエーテル結合（−Ｓ−）で互いに結合して環を形成していることが好ましい。特に、Ｒ３及びＲ６のいずれかが水素原子であるか、またはＲ３とＲ６がアルキレン基、エーテル結合（−Ｏ−）もしくはチオエーテル結合（−Ｓ−）で互いに結合して環を形成していることが好ましい。
ここで、アルキル基は低級アルキル基が好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては低級アルコキシ基が好ましく、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、またはｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
シロキシ基としては、トリオルガノシロキシ基が好ましく、特にトリメチルシロキシ基、t−ブチルジメチルシロキシ基が好ましい。
保護されたアミノ基としては、ベンジルアミノ基、アセチルアミノ基、ベンジロキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。
アルキレン基は炭素数１又は２のアルキレン基が好ましい。
アルコキシ基としては低級アルコキシ基が好ましく、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、またはｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
シロキシ基としては、トリオルガノシロキシ基が好ましく、特にトリメチルシロキシ基、t−ブチルジメチルシロキシ基が好ましい。
保護されたアミノ基としては、ベンジルアミノ基、アセチルアミノ基、ベンジロキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。
アルキレン基は炭素数１又は２のアルキレン基が好ましい。
Ｒ４及びＲ５は、それぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基または保護されたアミノ基（例えば、アルキルアミノ基、アシルアミノ基等）を表す。
Ｒ４及びＲ５は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはシロキシ基であることが好ましい。特に、Ｒ４及びＲ５のいずれかが水素原子であることが好ましい。
アルキル基としては低級アルキル基が好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては低級アルコキシ基が好ましく、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、またはｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
シロキシ基としては、トリオルガノシロキシ基が好ましく、特にトリメチルシロキシ基、t−ブチルジメチルシロキシ基が好ましい。
アルキル基としては低級アルキル基が好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては低級アルコキシ基が好ましく、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、またはｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
シロキシ基としては、トリオルガノシロキシ基が好ましく、特にトリメチルシロキシ基、t−ブチルジメチルシロキシ基が好ましい。
本発明の不斉ディールス・アルダー反応においては、溶媒を用いてもよい。
溶媒は、１種からなる溶媒であっても２種以上の混合溶媒であってもよい。
溶媒としては、たとえば、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメトキシエタン等のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン、等のアミド類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、１，１，２，２−テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類等が挙げられる。
溶媒は、１種からなる溶媒であっても２種以上の混合溶媒であってもよい。
溶媒としては、たとえば、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメトキシエタン等のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン、等のアミド類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、１，１，２，２−テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類等が挙げられる。
溶媒は、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、１，１，２，２−テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、またはベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、これらの混合溶媒が好ましい。特にジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、１，１，２，２−テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類が好ましく、とりわけジクロロメタンが好ましい。
有機溶媒の量は、通常、基質であるジエン類に対して１〜２００倍質量を用いるのが好ましい。特に５〜５０倍質量を用いるのが好ましい。
有機溶媒の量は、通常、基質であるジエン類に対して１〜２００倍質量を用いるのが好ましい。特に５〜５０倍質量を用いるのが好ましい。
オレフィン類の量は、通常、基質であるジエン類に対して１〜１００倍モルが好ましい。特に２〜１０倍モルが好ましい。
ルイス酸としては、特に限定されず、公知のルイス酸を広く用いることができる。具体的には、四塩化スズ、四塩化チタン、三塩化鉄、三臭化鉄、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、塩化ジエチルアルミニウム、二塩化エチルアルミニウム、三フッ化アルミニウム、三塩化シクロペンタジエニルチタン、二塩化ジシクロペンタジエニルチタン、四塩化ジルコニウム、三塩化シクロペンタジエニルジルコニウム、二塩化ジシクロペンタジエニルジルコニウム、四塩化ハフニウム、三塩化シクロペンタジエニルハフニウム、二塩化ジシクロペンタジエニルハフニウム、トリメチルシリルトリフラート、二塩化スズ、スズ（ＩＩ）トリフラート、スカンジウム（ＩＩＩ）トリフラート、スカンジウム（ＩＩＩ）トリフリルイミド、スカンジウム（ＩＩＩ）トリフリルメチド、イットリビウム（ＩＩＩ）トリフラート、ビスマス（ＩＩＩ）トリフラート、ビスマス（ＩＩＩ）トリフリルイミド、ビスマス（ＩＩＩ）トリフリルメチド、三塩化ガリウム、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素、トリス（３，５−ビス（トリフルオロメチル））フェニルホウ素、トリス（３，５−ビス（ペルフルオロデシル）フェニル）ホウ素などを用いることができる。
四塩化スズ、四塩化チタン、三塩化鉄、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、塩化ジエチルアルミニウム、二塩化エチルアルミニウム、三塩化シクロペンタジエニルチタン、スカンジウム（ＩＩＩ）トリフラート等が好ましく、四塩化スズ、四塩化チタン、三塩化鉄、塩化アルミニウム、または臭化アルミニウムが特に好ましく、とりわけ四塩化スズが好ましい。
ルイス酸の量としては、基質であるジエン類に対して、０．０００１〜１倍モルが好ましく、０．００１〜０．５倍モルが特に好ましい。
不斉源としては、広く公知の不斉配位子、光学活性化合物を用いることができる。特に、光学活性オキサザボロリジン誘導体が好ましい。
光学活性オキサザボロリジン誘導体としては、種々の誘導体が知られている。たとえば、前述の式（１２）、（１３）で示されるもののほか、上記式（４）で示される誘導体、下式（１４）〜（１７）で示される誘導体等が知られている。
光学活性オキサザボロリジン誘導体としては、種々の誘導体が知られている。たとえば、前述の式（１２）、（１３）で示されるもののほか、上記式（４）で示される誘導体、下式（１４）〜（１７）で示される誘導体等が知られている。
光学活性オキサザボロリジン誘導体としては、式（４）または式（１３）で示される光学活性オキサザボロリジン誘導体が好ましく、特に、式（４）で示される光学活性オキサザボロリジン誘導体が好ましい。
更に、式（４）で表される光学活性オキサザボロリジン誘導体としては、以下の光学活性オキサザボロリジン誘導体が好ましい。
Ｒ７は、アルキル基、アリール基もしくはアルアルキル基を表すか、または、アルキレン基であってＲ８と結合して環を形成してもよい。
アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基が好ましい。
アリール基としては、フェニル基が好ましい。
アルアルキル基としては、ベンジル基が好ましい。
アルキレン基であって、Ｒ７がＲ８と結合して環を形成する場合、アルキレン基はプロピレンが好ましい。
特に好ましいＲ７は、アルキル基であり、とりわけイソプロピル基が好ましい。
Ｒ７は、アルキル基、アリール基もしくはアルアルキル基を表すか、または、アルキレン基であってＲ８と結合して環を形成してもよい。
アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基が好ましい。
アリール基としては、フェニル基が好ましい。
アルアルキル基としては、ベンジル基が好ましい。
アルキレン基であって、Ｒ７がＲ８と結合して環を形成する場合、アルキレン基はプロピレンが好ましい。
特に好ましいＲ７は、アルキル基であり、とりわけイソプロピル基が好ましい。
Ｒ８は、アルアルキル基、アルキル基、アリール基もしくは水素原子を表すか、または、アルキレン基であってＲ７と結合して環を形成していてもよい。
アルアルキル基としては、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、ベンジル基が好ましい。
アルキル基としては、直鎖アルキル基が好ましく、オクチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ノニル基が挙げられる。
アリール基としてはフェニル基が好ましい。
アルキレン基であって、Ｒ７がＲ８と結合して環を形成する場合、アルキレン基はプロピレンが好ましい。
特に好ましいＲ８は、アルアルキル基であり、とりわけ１−ナフチルメチル基が好ましい。
アルアルキル基としては、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、ベンジル基が好ましい。
アルキル基としては、直鎖アルキル基が好ましく、オクチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ノニル基が挙げられる。
アリール基としてはフェニル基が好ましい。
アルキレン基であって、Ｒ７がＲ８と結合して環を形成する場合、アルキレン基はプロピレンが好ましい。
特に好ましいＲ８は、アルアルキル基であり、とりわけ１−ナフチルメチル基が好ましい。
Ｒ９は、アリール基、アルアルキル基またはアルキル基を表す。
アリール基としては、フェニル基、２−トリル基、３−トリル基、４−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、２−（トリフルオロメチル）フェニル基、３−（トリフルオロメチル）フェニル基、４−（トリフルオロメチル）フェニル基、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基等が挙げられる。
アルアルキル基としては、ベンジル基が挙げられる。
アルキル基としては、ｎ−ブチル基、メチル基、エチル基等が挙げられる。
好ましいＲ９は、フェニル基または２−トリル基であり、とりわけフェニル基が好ましい。
アリール基としては、フェニル基、２−トリル基、３−トリル基、４−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、２−（トリフルオロメチル）フェニル基、３−（トリフルオロメチル）フェニル基、４−（トリフルオロメチル）フェニル基、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基等が挙げられる。
アルアルキル基としては、ベンジル基が挙げられる。
アルキル基としては、ｎ−ブチル基、メチル基、エチル基等が挙げられる。
好ましいＲ９は、フェニル基または２−トリル基であり、とりわけフェニル基が好ましい。
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれアリール基を表す。Ａｒ１及びＡｒ２は、同一であっても異なっていても良いが、同一であることが好ましい。
アリール基としては、フェニル基、２−トリル基、３−トリル基、４−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、２−（トリフルオロメチル）フェニル基、３−（トリフルオロメチル）フェニル基、４−（トリフルオロメチル）フェニル基、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基等が挙げられる。
好ましいＡｒ１及びＡｒ２は、それぞれフェニル基または３，５−ジメトキシフェニル基であり、とりわけフェニル基が好ましい。
アリール基としては、フェニル基、２−トリル基、３−トリル基、４−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、２−（トリフルオロメチル）フェニル基、３−（トリフルオロメチル）フェニル基、４−（トリフルオロメチル）フェニル基、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基等が挙げられる。
好ましいＡｒ１及びＡｒ２は、それぞれフェニル基または３，５−ジメトキシフェニル基であり、とりわけフェニル基が好ましい。
光学活性オキサザボロリジン誘導体の量としては、ルイス酸に対して、０．１〜１０倍モルが好ましく、特に、０．５〜２倍モルが好ましく、とりわけ０．９〜１．１倍モルが好ましい。
不斉ディールス・アルダー反応の反応温度としては、−１２０〜＋２０℃が好ましく、−１００〜０℃が特に好ましい。とりわけ−８０〜−５０℃が特に好ましい。また、不斉ディールス・アルダー反応の反応圧力としては、１〜１００ａｔｍが好ましく、とりわけ１〜５ａｔｍが好ましい。
更に、本発明の製造方法によれば、式（５）〜（１０）で示される絶対構造を有する、新規な光学活性なシクロヘキセン誘導体を得ることができる。
式（５）〜（１０）において、好ましいＲ１０は炭素数１〜４のアルキル基または水素原子であり、特に炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。炭素数１〜４のアルキル基としては、エチル基、メチル基が好ましい。
式（５）〜（１０）において、好ましいＲ１０は炭素数１〜４のアルキル基または水素原子であり、特に炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。炭素数１〜４のアルキル基としては、エチル基、メチル基が好ましい。
本発明の製造方法で得られる光学活性シクロヘキセン誘導体は、農薬、医薬、電子材料等の種々の光学活性中間体として有用である。
たとえば、式（９）で示され光学活性なシクロヘキセン誘導体に塩基を作用させることにより、上記式（１１）で示す光学活性シクロヘキサジエン誘導体を製造することができる。式（１１）におけるＲ１０の好ましい基は上記と同様である。
上記式（１１）の製造方法に関しては、以下の条件が好ましい。
たとえば、式（９）で示され光学活性なシクロヘキセン誘導体に塩基を作用させることにより、上記式（１１）で示す光学活性シクロヘキサジエン誘導体を製造することができる。式（１１）におけるＲ１０の好ましい基は上記と同様である。
上記式（１１）の製造方法に関しては、以下の条件が好ましい。
塩基としては、種々の公知の塩基が用いられる。塩基としては、アルカリ金属アミド類、有機リチウム類、アルカリ金属アルコキシド、アルカリ金属水酸化物、３級アミン等が挙げられる。好ましくは、アルカリ金属アミド類が用いられ、具体的には、リチウムヘキサメチルジシラジド、リチウムジイソプロピルアミド、リチウム２，２，６，６−テトラメチルピペラジド、ナトリウムヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラジドなどが挙げられ、チウムヘキサメチルジシラジド、リチウムジイソプロピルアミド等が好ましい。
溶媒としては、非反応性の溶媒が用いられる。通常、エーテル系溶媒、炭化水素系溶媒、またはこれらの混合溶媒が用いられる。好ましくはエーテル系溶媒が用いられ、具体的には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジグライム、１，４−ジオキサン、ｔ−ブチルメチルエーテルなどが挙げられ、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン等が好ましい。
反応温度としては、−１００〜＋２０℃が好ましく、−８０〜０℃が特に好ましい。
溶媒としては、非反応性の溶媒が用いられる。通常、エーテル系溶媒、炭化水素系溶媒、またはこれらの混合溶媒が用いられる。好ましくはエーテル系溶媒が用いられ、具体的には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジグライム、１，４−ジオキサン、ｔ−ブチルメチルエーテルなどが挙げられ、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン等が好ましい。
反応温度としては、−１００〜＋２０℃が好ましく、−８０〜０℃が特に好ましい。
式（１１）で示す光学活性シクロヘキサジエン誘導体は、トリフルオロメチル基を有するシキミ酸誘導体であり、抗インフルエンザウィルス薬などの中間体として非常に有用である。
以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されない。化合物の構造は、公知のデータと比較することにより決定した。
純度は、ガスクロマトグラフィー（GC）により測定した。
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルは４００ＭＨｚの装置を用いて測定し、内部標準にテトラメチルシランを用いた。１９Ｆ−ＮＭＲスペクトルは３７６ＭＨｚの装置を用いて測定し、内部標準にトリクロロフルオロメタンを用いた。ケミカルシフトはｐｐｍで示し、ｓはシングレット、ｔはトリプレット、ｍはマルチプレットであることを示し、カップリング定数（Ｊ）の単位はＨｚである。
純度は、ガスクロマトグラフィー（GC）により測定した。
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルは４００ＭＨｚの装置を用いて測定し、内部標準にテトラメチルシランを用いた。１９Ｆ−ＮＭＲスペクトルは３７６ＭＨｚの装置を用いて測定し、内部標準にトリクロロフルオロメタンを用いた。ケミカルシフトはｐｐｍで示し、ｓはシングレット、ｔはトリプレット、ｍはマルチプレットであることを示し、カップリング定数（Ｊ）の単位はＨｚである。
実施例１〔ethyl 3-(trifluoromethyl)bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylateの合成〕
乾燥したシュレンクフラスコにアルゴン雰囲気で０．１Ｍ （４Ｓ）−４−（１−メチルエチル）−３−（１−ナフタレニルメチル）−２，５，５−トリフェニル−１，３，２−オキサザボロリジンの０．１Ｍジクロロメタン溶液にジクロロメタン０．４ｍｌを加え、−７８℃に冷却した。この溶液に四塩化スズの１．０Ｍジクロロメタン溶液を加え、−７８℃で１５分間攪拌した。この溶液に（Ｅ）−４，４，４−トリフルオロ−２‐ブテン酸エチル ２９．３ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）とシクロペンタジエン ６６ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を加えた。−７８℃で８時間攪拌したのち、トリエチルアミン １０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）を加え、室温まで昇温した。飽和重そう水 １５ｍｌを加え、ジクロロメタン １５ｍｌで３回抽出した。抽出液を合わせて無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：エーテル ３０：１）で精製し、表題化合物（エキソ体） ２５．７ｍｇ、収率６３％、光学純度９９％ｅｅ、および表題化合物（エンド体） ７．２ｍｇ、収率１９％、光学純度 ９９％ｅｅを得た。
乾燥したシュレンクフラスコにアルゴン雰囲気で０．１Ｍ （４Ｓ）−４−（１−メチルエチル）−３−（１−ナフタレニルメチル）−２，５，５−トリフェニル−１，３，２−オキサザボロリジンの０．１Ｍジクロロメタン溶液にジクロロメタン０．４ｍｌを加え、−７８℃に冷却した。この溶液に四塩化スズの１．０Ｍジクロロメタン溶液を加え、−７８℃で１５分間攪拌した。この溶液に（Ｅ）−４，４，４−トリフルオロ−２‐ブテン酸エチル ２９．３ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）とシクロペンタジエン ６６ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を加えた。−７８℃で８時間攪拌したのち、トリエチルアミン １０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）を加え、室温まで昇温した。飽和重そう水 １５ｍｌを加え、ジクロロメタン １５ｍｌで３回抽出した。抽出液を合わせて無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：エーテル ３０：１）で精製し、表題化合物（エキソ体） ２５．７ｍｇ、収率６３％、光学純度９９％ｅｅ、および表題化合物（エンド体） ７．２ｍｇ、収率１９％、光学純度 ９９％ｅｅを得た。
エキソ体: 1H NMR (CDCl3) δ6.30-6.28 (m, 1H), 6.15-6.12 (m, 1H), 4.19 (q, 2H, J = 7.2 Hz), 3.27-3.18 (m, 1H), 3.18 (s, 1H), 3.11 (s, 1H), 2.34-2.32 (m, 1H), 1.58 (dd, 2H, J = 9.2, 7.2 Hz), 1.29 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -66.7 (d, J = 9.0 Hz).
エンド体：1H NMR (CDCl3) δ 6.35-6.32 (m, 1H), 6.09-6.07 (m, 1H), 4.16-4.10 (m, 2H), 3.29 (s, 1H), 3.07 (s, 1H), 3.02-3.00 (m, 1H) 2.57-2.48 (m, 1H), 1.73-1.48 (m, 2H), 1.25 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -68.0 (d, J = 10.1 Hz).
光学純度はガスクロマトグラフィー（chiral beta DEX 120, ８０℃）で分析した。エキソ体：６０．２分、光学異性体：５２．０分、エンド体：５７．２分、光学異性体：５６．２分。
エンド体：1H NMR (CDCl3) δ 6.35-6.32 (m, 1H), 6.09-6.07 (m, 1H), 4.16-4.10 (m, 2H), 3.29 (s, 1H), 3.07 (s, 1H), 3.02-3.00 (m, 1H) 2.57-2.48 (m, 1H), 1.73-1.48 (m, 2H), 1.25 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -68.0 (d, J = 10.1 Hz).
光学純度はガスクロマトグラフィー（chiral beta DEX 120, ８０℃）で分析した。エキソ体：６０．２分、光学異性体：５２．０分、エンド体：５７．２分、光学異性体：５６．２分。
実施例２〔ethyl 3-(trifluoromethyl)-7-oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylateの合成〕
（Ｅ）−４，４，４−トリフルオロ−２‐ブテン酸エチル ２９．３ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）とフラン ６１ｍｇ（０．９ｍｍｏｌ）を用い、０．１Ｍ （４Ｓ）−４−（１−メチルエチル）−３−（１−ナフタレニルメチル）−２，５，５−トリフェニル−１，３，２−オキサザボロリジンと四塩化スズをそれぞれ基質に対して３０ｍｏｌ％用いて、例１と同様にして、表題化合物 ３８．５ｍｇをエキソ体／エンド体 ７６：２４の混合物として得た。エキソ体：光学純度９９％ｅｅ、エンド体：光学純度９９％ｅｅ
（Ｅ）−４，４，４−トリフルオロ−２‐ブテン酸エチル ２９．３ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）とフラン ６１ｍｇ（０．９ｍｍｏｌ）を用い、０．１Ｍ （４Ｓ）−４−（１−メチルエチル）−３−（１−ナフタレニルメチル）−２，５，５−トリフェニル−１，３，２−オキサザボロリジンと四塩化スズをそれぞれ基質に対して３０ｍｏｌ％用いて、例１と同様にして、表題化合物 ３８．５ｍｇをエキソ体／エンド体 ７６：２４の混合物として得た。エキソ体：光学純度９９％ｅｅ、エンド体：光学純度９９％ｅｅ
エキソ体: 1H NMR (CDCl3) δ 6.59-6.57 (m, 1H), 6.43-6.41 (m, 1H), 5.27-5.14 (m, 2H), 4.24 (q, 2H, J = 7.6 Hz), 3.49-3.40 (m, 1H), 2.53 (d, 1H, J = 4.8 Hz), 1.31 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -65.5 (d, J = 9.0 Hz).
エンド体: 1H NMR (CDCl3) δ 6.55 (dd, 1H, J = 5.6, 2.4 Hz), 6.39-6.37 (m, 1H), 5.27-5.14 (m, 2H), 4.19-4.11 (m, 2H), 3.21 (t, 1H, J = 4.8 Hz), 2.73-2.65 (m, 1H), 1.27 (t, 3H, J = 7.2 Hz);19F NMR (CDCl3) δ -68.6 (d, J = 9.5 Hz)。
光学純度はガスクロマトグラフィー（chiral beta DEX ３２５, ９０℃）で分析した。エキソ体：３７．０分、光学異性体：３９．１分、エンド体：４２．５分、光学異性体：３８．６分。
エンド体: 1H NMR (CDCl3) δ 6.55 (dd, 1H, J = 5.6, 2.4 Hz), 6.39-6.37 (m, 1H), 5.27-5.14 (m, 2H), 4.19-4.11 (m, 2H), 3.21 (t, 1H, J = 4.8 Hz), 2.73-2.65 (m, 1H), 1.27 (t, 3H, J = 7.2 Hz);19F NMR (CDCl3) δ -68.6 (d, J = 9.5 Hz)。
光学純度はガスクロマトグラフィー（chiral beta DEX ３２５, ９０℃）で分析した。エキソ体：３７．０分、光学異性体：３９．１分、エンド体：４２．５分、光学異性体：３８．６分。
実施例３〔ethyl 3-(difluoromethyl)bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylateの合成〕
（Ｅ）−４，４−ジフルオロ−２‐ブテン酸エチル ２８ｍｇ（０．１９ｍｍｏｌ）とシクロペンタジエン ６２ｍｇ（０．９３ｍｍｏｌ）を用い、０．１Ｍ （４Ｓ）−４−（１−メチルエチル）−３−（１−ナフタレニルメチル）−２，５，５−トリフェニル−１，３，２−オキサザボロリジンと四塩化スズをそれぞれ基質に対して１０ｍｏｌ％用いて、例１と同様にして、表題化合物 ３６．３ｍｇをエキソ体／エンド体 ５７：４３の混合物として得た。エキソ体：光学純度９９％ｅｅ、エンド体：光学純度９９％ｅｅ
（Ｅ）−４，４−ジフルオロ−２‐ブテン酸エチル ２８ｍｇ（０．１９ｍｍｏｌ）とシクロペンタジエン ６２ｍｇ（０．９３ｍｍｏｌ）を用い、０．１Ｍ （４Ｓ）−４−（１−メチルエチル）−３−（１−ナフタレニルメチル）−２，５，５−トリフェニル−１，３，２−オキサザボロリジンと四塩化スズをそれぞれ基質に対して１０ｍｏｌ％用いて、例１と同様にして、表題化合物 ３６．３ｍｇをエキソ体／エンド体 ５７：４３の混合物として得た。エキソ体：光学純度９９％ｅｅ、エンド体：光学純度９９％ｅｅ
エキソ体: 1H NMR (CDCl3) δ 6.32-6.30 (m, 1H), 6.17-6.15 (m, 1H), 5.25 (dd, 1H, J= 57.0, 8.2 Hz), 4.18 (q, 2H, J = 7.2 Hz), 3.10 (s, 1H), 3.06 (s, 1H) 2.98-2.88 (m, 1H), 2.13 (t, 3H, J = 4.8 Hz), 1.72-1.46 (m, 1H), 1.28 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -114.3 (dd, J = 282.0, 56.4 Hz) , -119.9 (dd, J = 282.0, 56.4 Hz)。
エンド体: 1H NMR (CDCl3) δ 6.32-6.30 (m, 1H), 6.09-6.07 (m, 1H), 5.85 (dd, 1H, J= 56.4, 4.6 Hz), 4.15-4.07 (m, 2H), 3.26 (s, 1H), 2.98 (s, 1H) 2.89(dd, 1H, J = 5.2, 3.6 Hz), 2.31-2.20 (m, 1H), 1.24 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -117.6 (ddd, J = 280.1, 57.2, 16.9 Hz), -119.3 (ddd, J = 280.1, 57.2, 14.7 Hz)。
光学純度はガスクロマトグラフィー（chiral beta DEX ３２５, １００℃）で分析した。エキソ体：３７．２分、光学異性体：３６．１分、エンド体：４０．７分、光学異性体：４１．６分。
エンド体: 1H NMR (CDCl3) δ 6.32-6.30 (m, 1H), 6.09-6.07 (m, 1H), 5.85 (dd, 1H, J= 56.4, 4.6 Hz), 4.15-4.07 (m, 2H), 3.26 (s, 1H), 2.98 (s, 1H) 2.89(dd, 1H, J = 5.2, 3.6 Hz), 2.31-2.20 (m, 1H), 1.24 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -117.6 (ddd, J = 280.1, 57.2, 16.9 Hz), -119.3 (ddd, J = 280.1, 57.2, 14.7 Hz)。
光学純度はガスクロマトグラフィー（chiral beta DEX ３２５, １００℃）で分析した。エキソ体：３７．２分、光学異性体：３６．１分、エンド体：４０．７分、光学異性体：４１．６分。
実施例４〔ethyl 3-(difluoromethyl)-7-oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylateの合成〕
（Ｅ）−４，４−ジフルオロ−２‐ブテン酸エチル ２８ｍｇ（０．１９ｍｍｏｌ）とフラン ６４ｍｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を用い、０．１Ｍ （４Ｓ）−４−（１−メチルエチル）−３−（１−ナフタレニルメチル）−２，５，５−トリフェニル−１，３，２−オキサザボロリジンと四塩化スズをそれぞれ基質に対して３０ｍｏｌ％用いて、例１と同様にして、表題化合物 ４０．３ｍｇをエキソ体／エンド体 ５３：４７の混合物として得た。エンド体：光学純度９９％ｅｅ
（Ｅ）−４，４−ジフルオロ−２‐ブテン酸エチル ２８ｍｇ（０．１９ｍｍｏｌ）とフラン ６４ｍｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を用い、０．１Ｍ （４Ｓ）−４−（１−メチルエチル）−３−（１−ナフタレニルメチル）−２，５，５−トリフェニル−１，３，２−オキサザボロリジンと四塩化スズをそれぞれ基質に対して３０ｍｏｌ％用いて、例１と同様にして、表題化合物 ４０．３ｍｇをエキソ体／エンド体 ５３：４７の混合物として得た。エンド体：光学純度９９％ｅｅ
エキソ体: 1H NMR (CDCl3) δ 6.57 (dd, 1H, J = 6.0, 2.0 Hz), 6.47-6.45 (m, 1H), 5.38 (dd, 1H, J = 56.8, 7.6 Hz), 5.23 (s, 1H), 5.10-5.09 (m, 1H), 4.22 (q, 2H, J= 7.2 Hz) 3.22-3.12 (m, 1H), 2.34-2.33 (m, 1H), 1.30 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -115.2 (ddd, J = 292.9, 57.2, 11.2 Hz), -117.5 (ddd, J = 291.8, 56.1, 12.3 Hz).
エンド体: 1H NMR (CDCl3) δ 6.51 (dd, 1H, J = 6.0, 2.0 Hz), 6.36 (dd, 1H, J = 6.0, 1.6 Hz), 5.74 (dd, 1H, J = 56.4, 6.8 Hz), 5.23-5.22 (m, 1H), 5.03 (s, 1H), 4.16-4.10 (m, 2H) 3.03-3.00 (m, 1H), 2.51-2.42 (m, 1H), 1.25 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -116.6 (ddd, J = 283.9, 57.5, 13.9 Hz), -120.3 (ddd, J = 282.8, 56.0, 10.5 Hz)。
光学純度はガスクロマトグラフィー（chiral beta DEX ３２５, １１０℃）で分析した。エンド体：２９．４分、光学異性体：３３．３分。
エンド体: 1H NMR (CDCl3) δ 6.51 (dd, 1H, J = 6.0, 2.0 Hz), 6.36 (dd, 1H, J = 6.0, 1.6 Hz), 5.74 (dd, 1H, J = 56.4, 6.8 Hz), 5.23-5.22 (m, 1H), 5.03 (s, 1H), 4.16-4.10 (m, 2H) 3.03-3.00 (m, 1H), 2.51-2.42 (m, 1H), 1.25 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -116.6 (ddd, J = 283.9, 57.5, 13.9 Hz), -120.3 (ddd, J = 282.8, 56.0, 10.5 Hz)。
光学純度はガスクロマトグラフィー（chiral beta DEX ３２５, １１０℃）で分析した。エンド体：２９．４分、光学異性体：３３．３分。
実施例５〔ethyl 3-(trifluoromethyl)-7-oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylateの合成〕
（Ｚ）−４，４，４−トリフルオロ−２‐ブテン酸エチル ２８．８ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）とフラン ５７．３ｍｇ（０．８４ｍｍｏｌ）を用い、０．１Ｍ （４Ｓ）−４−（１−メチルエチル）−３−（１−ナフタレニルメチル）−２，５，５−トリフェニル−１，３，２−オキサザボロリジンと四塩化スズをそれぞれ基質に対して３０ｍｏｌ％用いて、例１と同様にして２４時間反応し、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル ８：１）で精製し、表題化合物（エンド体）２０．６ｍｇ（収率５１％、光学純度９９％ｅｅ）を得た。
（Ｚ）−４，４，４−トリフルオロ−２‐ブテン酸エチル ２８．８ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）とフラン ５７．３ｍｇ（０．８４ｍｍｏｌ）を用い、０．１Ｍ （４Ｓ）−４−（１−メチルエチル）−３−（１−ナフタレニルメチル）−２，５，５−トリフェニル−１，３，２−オキサザボロリジンと四塩化スズをそれぞれ基質に対して３０ｍｏｌ％用いて、例１と同様にして２４時間反応し、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル ８：１）で精製し、表題化合物（エンド体）２０．６ｍｇ（収率５１％、光学純度９９％ｅｅ）を得た。
1H NMR (CDCl3) δ 6.79 (dd, 1H, J = 6.0, 2.0 Hz), 6.42-6.39 (m, 1H), 5.15-5.09 (m, 2H), 4.18-4.05 (m, 2H), 3.44-3.30 (m, 2H), 1.23 (t, 3H, J = 7.6 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -61.3 (d, J = 9.0 Hz).
光学純度はガスクロマトグラフィー（chiral beta DEX 325, １１０℃）で分析した。目的物：２４．７分、光学異性体：２７．３分。
光学純度はガスクロマトグラフィー（chiral beta DEX 325, １１０℃）で分析した。目的物：２４．７分、光学異性体：２７．３分。
実施例６〔ethyl 5-hydroxy-6-(trifluoromethyl)cyclohexa-1,3-dienecarboxylateの合成〕
実施例５で得られたethyl 3-(trifluoromethyl)-7-oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylate ３３ｍｇ（０．１４ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン０．８ｍｌに溶解し、１．０Ｍリチウムヘキサメチルジシラジドのテトラヒドロフラン溶液 ０．１９ｍｌ（０．１９ｍｍｏｌ）を−７８℃で加えた。０℃に昇温し、０．５時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水 ２０ｍｌを加え、ジクロロメタン ２０ｍｌで３回抽出した。抽出液を合わせて無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン：酢酸エチル １０：１）で精製し、表題化合物 １９．４ｍｇを得た（収率５８％）。
実施例５で得られたethyl 3-(trifluoromethyl)-7-oxabicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylate ３３ｍｇ（０．１４ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン０．８ｍｌに溶解し、１．０Ｍリチウムヘキサメチルジシラジドのテトラヒドロフラン溶液 ０．１９ｍｌ（０．１９ｍｍｏｌ）を−７８℃で加えた。０℃に昇温し、０．５時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水 ２０ｍｌを加え、ジクロロメタン ２０ｍｌで３回抽出した。抽出液を合わせて無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン：酢酸エチル １０：１）で精製し、表題化合物 １９．４ｍｇを得た（収率５８％）。
1H NMR (CDCl3) δ 7.36 (t, 1H, J = 3.6 Hz), 6.34-6.32 (m, 2H), 4.51 (br s, 1H), 4.35-4.21 (m, 2H), 3.92 (q, 1H, J = 9.6 Hz), 1.74 (br d, 1H, J= 8.8 Hz), 1.33 (t, 3H, J = 7.2 Hz); 19F NMR (CDCl3) δ -159.6 (m).
本発明によれば、医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用な光学活性なシクロヘキセン誘導体を高収率、高純度、高光学純度で、かつ簡便な操作で製造できる。特にシクロヘキセン骨格に含フッ素炭化水素を置換基として有する光学活性なシクロヘキセン誘導体の製造方法として有用である。
また、本発明の製造方法によれば、特殊な設備、装置、操作が不要であり、簡便な操作で光学活性なシクロヘキセン誘導体を高収率、高純度で製造できる。よって、本発明の製造方法は、工業的方法として有用である。
そして、本発明の製造方法により、新規で有用な光学活性なシンクロヘキセン誘導体を得ることができ、更に、かかる新規な光学活性なシクロヘキセン誘導体を中間体として用いることにより、抗インフルエンザウィルス薬などの中間体として有用な新規な光学活性シクロヘキサジエン誘導体を簡便に製造することができる。
また、本発明の製造方法によれば、特殊な設備、装置、操作が不要であり、簡便な操作で光学活性なシクロヘキセン誘導体を高収率、高純度で製造できる。よって、本発明の製造方法は、工業的方法として有用である。
そして、本発明の製造方法により、新規で有用な光学活性なシンクロヘキセン誘導体を得ることができ、更に、かかる新規な光学活性なシクロヘキセン誘導体を中間体として用いることにより、抗インフルエンザウィルス薬などの中間体として有用な新規な光学活性シクロヘキサジエン誘導体を簡便に製造することができる。
Claims (14)
- 下式（１）に示す含フッ素炭化水素基を有するオレフィン類と下式（２）に示すジエン類を触媒量の不斉源の存在下、ルイス酸を用いて不斉ディールス・アルダー反応を行うことを特徴とする下式（３）に示す光学活性なシクロヘキセン誘導体の製造方法。
Ｒ３及びＲ６は、それぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基もしくは保護されたアミノ基であるか、または、Ｒ３とＲ６がアルキレン基、エーテル結合（−Ｏ−）、チオエーテル結合（−Ｓ−）もしくはアミン（−Ｎ（Ｑ）−）により互いに結合して環を形成していても良い。ただし、Ｑはアルキル基、アルアルキル基、アリール基、またはアミノ基の保護基を表し、−は単結合を表す。
Ｒ４及びＲ５はそれぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基または保護されたアミノ基を表す。
Ｚはアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、カルバモイル基、アルキルアミノカルボニル基、アリールアミノカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基またはホルミル基を表す。 - Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれか一方が、炭素原子６個以下のフッ化アルキル基である、請求項１に記載の製造方法。
- Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれか一方が、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基またはフルオロメチル基である、請求項１または２に記載の製造方法。
- Ｚが、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基またはホルミル基である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の製造方法。
- Ｒ３及びＲ６が互いに結合し、−Ｘ−（ＣＨ２）ｎ−で表される環を形成している、請求項１〜４のいずれか１つに記載の製造方法。（ただし、−Ｘ−は−ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、または−Ｎ（Ｑ）−を表す。ここで、Ｑはアルキル基、アルアルキル基、アリール基、またはアミノ基の保護基を表し、ｎは０または１を表し、−は単結合を表す。）
- 上記不斉源が光学活性化合物であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の製造方法。
- 上記光学活性化合物が下式（４）で示される光学活性オキサザボロリジン誘導体であることを特徴とする、請求項６に記載の製造方法。
Ｒ８は、アルアルキル基、アルキル基、アリール基もしくは水素原子を表すか、または、アルキレン基であってＲ７と結合して環を形成していてもよい。
Ｒ９は、アリール基、アルアルキル基またはアルキル基を表す。
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれアリール基を表す。 - Ｒ７がアルキル基であることを特徴とする、請求項７に記載の製造方法。
- 上記ルイス酸が四塩化スズ、四塩化チタン、三塩化鉄、塩化アルミニウムまたは臭化アルミニウムであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載の製造方法。
- 下式（５）または（６）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体。
- 下式（７）または（８）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体。
- 下式（９）または（１０）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体。
- 下式（９）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキセン誘導体に塩基を作用させることを特徴とする下式（１１）で示す光学活性シクロヘキサジエン誘導体の製造方法。
- 下式（１１）で示される絶対構造を有する光学活性なシクロヘキサジエン誘導体。
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