JP2001247557A - ５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルの製造方法 - Google Patents
５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルの製造方法Info
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- JP2001247557A JP2001247557A JP2000342017A JP2000342017A JP2001247557A JP 2001247557 A JP2001247557 A JP 2001247557A JP 2000342017 A JP2000342017 A JP 2000342017A JP 2000342017 A JP2000342017 A JP 2000342017A JP 2001247557 A JP2001247557 A JP 2001247557A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルを安価
に、工業的に有利に、効率的に大量に供給しうる製造方
法を提供する。 【解決手段】 下記スキームで示される５−オキシ−７
−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３
−カルボン酸エステル（Ｘ）の製造方法。 【化１】
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルを安価
に、工業的に有利に、効率的に大量に供給しうる製造方
法を提供する。 【解決手段】 下記スキームで示される５−オキシ−７
−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３
−カルボン酸エステル（Ｘ）の製造方法。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、５−オキシ−７−
オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−
カルボン酸エステルの製造方法に関する。本発明で得ら
れる５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘ
プト−３−エン−３−カルボン酸エステル、例えば、エ
チル （１β，５α，６β）−５−（１−エチルプロポ
キシ）−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３
−エン−３−カルボキシレートは、下記式で示されるＧ
Ｓ４１０４
オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−
カルボン酸エステルの製造方法に関する。本発明で得ら
れる５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘ
プト−３−エン−３−カルボン酸エステル、例えば、エ
チル （１β，５α，６β）−５−（１−エチルプロポ
キシ）−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３
−エン−３−カルボキシレートは、下記式で示されるＧ
Ｓ４１０４
【０００２】
【化５０】
【０００３】の合成中間体として有用であり、ＧＳ４１
０４はインフルエンザウイルスの表面に存在するノイラ
ミニダーゼを阻害して、ウイルスの増殖を妨げる作用を
有する新しいインフルエンザ治療薬および予防薬（以
下、抗インフルエンザ薬と総称する）として開発が進め
られている化合物である［ジャーナル・オブ・オーガニ
ック・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）第６３
巻、４５４５頁（１９９８年）；オーガニック・プロセ
ス・リサーチ・アンド・ディベロップメント（Ｏｒｇａ
ｎｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ＆ Ｄｅ
ｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）第３巻、２６６頁（１９９９年）
参照］。
０４はインフルエンザウイルスの表面に存在するノイラ
ミニダーゼを阻害して、ウイルスの増殖を妨げる作用を
有する新しいインフルエンザ治療薬および予防薬（以
下、抗インフルエンザ薬と総称する）として開発が進め
られている化合物である［ジャーナル・オブ・オーガニ
ック・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）第６３
巻、４５４５頁（１９９８年）；オーガニック・プロセ
ス・リサーチ・アンド・ディベロップメント（Ｏｒｇａ
ｎｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ＆ Ｄｅ
ｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）第３巻、２６６頁（１９９９年）
参照］。
【０００４】
【従来の技術】５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．
１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステル、
例えば、エチル （１β，５α，６β）−５−（１−エ
チルプロポキシ）−７−オキサビシクロ［４．１．０］
ヘプト−３−エン−３−カルボキシレートの従来の合成
法としては、シキミ酸を出発原料とした合成法［ジャー
ナル・オブ・オーガニック・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．）第６３巻、４５４５頁（１９９８
年）；オーガニック・プロセス・リサーチ・アンド・デ
ィベロップメント（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓ
Ｒｅｓｅａｒｃｈ ＆Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）第３
巻、２６６頁（１９９９年）；国際公開ＷＯ９９／１４
１８５号公報；国際公開ＷＯ９８／０７６８５号公報参
照］、およびキナ酸を出発原料とした合成法［オーガニ
ック・プロセス・リサーチ・アンド・ディベロップメン
ト（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈ ＆ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）第３巻、２６６頁
（１９９９年）参照］などが知られている。
１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステル、
例えば、エチル （１β，５α，６β）−５−（１−エ
チルプロポキシ）−７−オキサビシクロ［４．１．０］
ヘプト−３−エン−３−カルボキシレートの従来の合成
法としては、シキミ酸を出発原料とした合成法［ジャー
ナル・オブ・オーガニック・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．）第６３巻、４５４５頁（１９９８
年）；オーガニック・プロセス・リサーチ・アンド・デ
ィベロップメント（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓ
Ｒｅｓｅａｒｃｈ ＆Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）第３
巻、２６６頁（１９９９年）；国際公開ＷＯ９９／１４
１８５号公報；国際公開ＷＯ９８／０７６８５号公報参
照］、およびキナ酸を出発原料とした合成法［オーガニ
ック・プロセス・リサーチ・アンド・ディベロップメン
ト（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈ ＆ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）第３巻、２６６頁
（１９９９年）参照］などが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】エチル （１β，５
α，６β）−５−（１−エチルプロポキシ）−７−オキ
サビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カル
ボキシレートの従来の合成法で出発原料として用いられ
るシキミ酸またはキナ酸は、生産量が少なく高価であ
る。周知のとおり、インフルエンザは世界的に大流行す
るため、抗インフルエンザ薬には安価でかつ大量に供給
可能であることが要求される。したがって上記製造方法
は、抗インフルエンザ薬として開発中のＧＳ４１０４の
中間体の製造法としては工業的な観点からは必ずしも有
利とは言えず、安価にかつ大量に製造可能な合成法が求
められている。
α，６β）−５−（１−エチルプロポキシ）−７−オキ
サビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カル
ボキシレートの従来の合成法で出発原料として用いられ
るシキミ酸またはキナ酸は、生産量が少なく高価であ
る。周知のとおり、インフルエンザは世界的に大流行す
るため、抗インフルエンザ薬には安価でかつ大量に供給
可能であることが要求される。したがって上記製造方法
は、抗インフルエンザ薬として開発中のＧＳ４１０４の
中間体の製造法としては工業的な観点からは必ずしも有
利とは言えず、安価にかつ大量に製造可能な合成法が求
められている。
【０００６】しかして、本発明の目的は、抗インフルエ
ンザ薬として開発が進められているＧＳ４１０４の合成
中間体として有用な、エチル （１β，５α，６β）−
５−（１−エチルプロポキシ）−７−オキサビシクロ
［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボキシレー
トのような、５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．
１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルを
安価に、工業的に有利に、効率的に大量に供給しうる製
造方法を提供することにある。
ンザ薬として開発が進められているＧＳ４１０４の合成
中間体として有用な、エチル （１β，５α，６β）−
５−（１−エチルプロポキシ）−７−オキサビシクロ
［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボキシレー
トのような、５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．
１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルを
安価に、工業的に有利に、効率的に大量に供給しうる製
造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目的は、（１）一般式（Ｉ）
目的は、（１）一般式（Ｉ）
【０００８】
【化５１】
【０００９】（式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示
される２−ハロゲノ−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，３−カルボラクトン（以下、ハロラ
クトン（Ｉ）と略称する）に塩基を作用させ、次いで置
換基を有していてもよいハロゲン化アルキル、置換基を
有していてもよいハロゲン化シクロアルキル、置換基を
有していてもよいハロゲン化アルケニル、置換基を有し
ていてもよいハロゲン化アリールまたは置換基を有して
いてもよいハロゲン化アラルキルと反応させて、一般式
（ＩＩＩ）
される２−ハロゲノ−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，３−カルボラクトン（以下、ハロラ
クトン（Ｉ）と略称する）に塩基を作用させ、次いで置
換基を有していてもよいハロゲン化アルキル、置換基を
有していてもよいハロゲン化シクロアルキル、置換基を
有していてもよいハロゲン化アルケニル、置換基を有し
ていてもよいハロゲン化アリールまたは置換基を有して
いてもよいハロゲン化アラルキルと反応させて、一般式
（ＩＩＩ）
【００１０】
【化５２】
【００１１】（式中、Ｒ1は置換基を有していてもよい
アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を
有していてもよいアリール基または置換基を有していて
もよいアラルキル基を表す。）で示される２，３−エポ
キシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５
−カルボン酸エステル（以下、エポキシエステル（ＩＩ
Ｉ）と略称する）を得、得られたエポキシエステル（Ｉ
ＩＩ）に塩基を作用させて、一般式（ＩＶ）
アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を
有していてもよいアリール基または置換基を有していて
もよいアラルキル基を表す。）で示される２，３−エポ
キシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５
−カルボン酸エステル（以下、エポキシエステル（ＩＩ
Ｉ）と略称する）を得、得られたエポキシエステル（Ｉ
ＩＩ）に塩基を作用させて、一般式（ＩＶ）
【００１２】
【化５３】
【００１３】（式中、Ｒ1は前記定義のとおりであ
る。）で示される５−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ
［４．１．０］ヘプト−２−エン−３−カルボン酸エス
テル（以下、オキサビシクロヘプト−２−エン（ＩＶ）
と略称する）を得、得られたオキサビシクロヘプト−２
−エン（ＩＶ）の水酸基を保護して、一般式（Ｖ）
る。）で示される５−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ
［４．１．０］ヘプト−２−エン−３−カルボン酸エス
テル（以下、オキサビシクロヘプト−２−エン（ＩＶ）
と略称する）を得、得られたオキサビシクロヘプト−２
−エン（ＩＶ）の水酸基を保護して、一般式（Ｖ）
【００１４】
【化５４】
【００１５】（式中、Ｒ1は前記定義のとおりであり、
Ｒ2は水酸基の保護基を表す。）で示される５−オキシ
−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−２−エン
−３−カルボン酸エステル（以下、オキサビシクロヘプ
ト−２−エン（Ｖ）と略称する）を得、得られたオキサ
ビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）と一般式（ＶＩ）
Ｒ2は水酸基の保護基を表す。）で示される５−オキシ
−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−２−エン
−３−カルボン酸エステル（以下、オキサビシクロヘプ
ト−２−エン（Ｖ）と略称する）を得、得られたオキサ
ビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）と一般式（ＶＩ）
【００１６】
【化５５】
【００１７】（式中、Ｒ3は置換基を有していてもよい
アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を
有していてもよいアリール基または置換基を有していて
もよいアラルキル基を表す。）で示されるアルコール
（以下、アルコール（ＶＩ）と略称する）を、ルイス酸
の存在下で反応させて、一般式（ＶＩＩ）
アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を
有していてもよいアリール基または置換基を有していて
もよいアラルキル基を表す。）で示されるアルコール
（以下、アルコール（ＶＩ）と略称する）を、ルイス酸
の存在下で反応させて、一般式（ＶＩＩ）
【００１８】
【化５６】
【００１９】（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義の
とおりである。）で示される４−ヒドロキシ−３，５−
ジオキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸エステ
ル（以下、シクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）と略称す
る）を得、得られたシクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）
に塩基の存在下でスルホニル化剤を作用させて、一般式
（ＶＩＩＩ）
とおりである。）で示される４−ヒドロキシ−３，５−
ジオキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸エステ
ル（以下、シクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）と略称す
る）を得、得られたシクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）
に塩基の存在下でスルホニル化剤を作用させて、一般式
（ＶＩＩＩ）
【００２０】
【化５７】
【００２１】（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義の
とおりであり、Ａは有機スルホニル基を表す。）で示さ
れる３，５−ジオキシ−４−スルホニルオキシ−１−シ
クロヘキセン−１−カルボン酸エステル（以下、シクロ
ヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）と略称する）を得、得ら
れたシクロヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）のＲ2を脱離
させて、一般式（ＩＸ）
とおりであり、Ａは有機スルホニル基を表す。）で示さ
れる３，５−ジオキシ−４−スルホニルオキシ−１−シ
クロヘキセン−１−カルボン酸エステル（以下、シクロ
ヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）と略称する）を得、得ら
れたシクロヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）のＲ2を脱離
させて、一般式（ＩＸ）
【００２２】
【化５８】
【００２３】（式中、Ａ、Ｒ1およびＲ3は前記定義のと
おりである。）で示される５−ヒドロキシ−３−オキシ
−４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カ
ルボン酸エステル（以下、ヒドロキシエステル（ＩＸ）
と略称する）を得、得られたヒドロキシエステル（Ｉ
Ｘ）に塩基を作用させることを特徴とする、一般式
（Ｘ）
おりである。）で示される５−ヒドロキシ−３−オキシ
−４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カ
ルボン酸エステル（以下、ヒドロキシエステル（ＩＸ）
と略称する）を得、得られたヒドロキシエステル（Ｉ
Ｘ）に塩基を作用させることを特徴とする、一般式
（Ｘ）
【００２４】
【化５９】
【００２５】（式中、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおり
である。）で示される５−オキシ−７−オキサビシクロ
［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エス
テル（以下、５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．
１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステル
（Ｘ）と略称する）の製造方法、（２）ハロラクトン
（Ｉ）に塩基を作用させて、一般式（ＩＩ）
である。）で示される５−オキシ−７−オキサビシクロ
［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エス
テル（以下、５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．
１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステル
（Ｘ）と略称する）の製造方法、（２）ハロラクトン
（Ｉ）に塩基を作用させて、一般式（ＩＩ）
【００２６】
【化６０】
【００２７】で示される２，３−エポキシ−７−オキサ
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸（以
下、エポキシカルボン酸（ＩＩ）と略称する）を得、得
られたエポキシカルボン酸（ＩＩ）にエステル化剤を作
用させてエポキシエステル（ＩＩＩ）を得、得られたエ
ポキシエステル（ＩＩＩ）に塩基を作用させてオキサビ
シクロヘプト−２−エン（ＩＶ）を得、得られたオキサ
ビシクロヘプト−２−エン（ＩＶ）の水酸基を保護して
オキサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）を得、得られた
オキサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）とアルコール
（ＶＩ）をルイス酸の存在下で反応させてシクロヘキセ
ンエステル（ＶＩＩ）を得、得られたシクロヘキセンエ
ステル（ＶＩＩ）に塩基の存在下でスルホニル化剤を作
用させてシクロヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）を得、得
られたシクロヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）のＲ2を脱
離させてヒドロキシエステル（ＩＸ）を得、得られたヒ
ドロキシエステル（ＩＸ）に塩基を作用させることを特
徴とする、５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステル（Ｘ）
の製造方法、（３）ハロラクトン（Ｉ）に塩基を作用さ
せることを特徴とする、エポキシカルボン酸（ＩＩ）の
製造方法、（４）一般式（ＩＩ−１）
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸（以
下、エポキシカルボン酸（ＩＩ）と略称する）を得、得
られたエポキシカルボン酸（ＩＩ）にエステル化剤を作
用させてエポキシエステル（ＩＩＩ）を得、得られたエ
ポキシエステル（ＩＩＩ）に塩基を作用させてオキサビ
シクロヘプト−２−エン（ＩＶ）を得、得られたオキサ
ビシクロヘプト−２−エン（ＩＶ）の水酸基を保護して
オキサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）を得、得られた
オキサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）とアルコール
（ＶＩ）をルイス酸の存在下で反応させてシクロヘキセ
ンエステル（ＶＩＩ）を得、得られたシクロヘキセンエ
ステル（ＶＩＩ）に塩基の存在下でスルホニル化剤を作
用させてシクロヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）を得、得
られたシクロヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）のＲ2を脱
離させてヒドロキシエステル（ＩＸ）を得、得られたヒ
ドロキシエステル（ＩＸ）に塩基を作用させることを特
徴とする、５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステル（Ｘ）
の製造方法、（３）ハロラクトン（Ｉ）に塩基を作用さ
せることを特徴とする、エポキシカルボン酸（ＩＩ）の
製造方法、（４）一般式（ＩＩ−１）
【００２８】
【化６１】
【００２９】または一般式（ＩＩ−２）
【００３０】
【化６２】
【００３１】で示される２，３−エポキシ−７−オキサ
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸にエ
ステル化剤を作用させることを特徴とする、一般式（Ｉ
ＩＩ−１）
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸にエ
ステル化剤を作用させることを特徴とする、一般式（Ｉ
ＩＩ−１）
【００３２】
【化６３】
【００３３】（式中、Ｒ1は前記定義のとおりであ
る。）または一般式（ＩＩＩ−２）
る。）または一般式（ＩＩＩ−２）
【００３４】
【化６４】
【００３５】（式中、Ｒ1は前記定義のとおりであ
る。）で示される２，３−エポキシ−７−オキサビシク
ロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸エステルの
製造方法、（５）ハロラクトン（Ｉ）に塩基を作用さ
せ、次いで置換基を有していてもよいハロゲン化アルキ
ル、置換基を有していてもよいハロゲン化シクロアルキ
ル、置換基を有していてもよいハロゲン化アルケニル、
置換基を有していてもよいハロゲン化アリールまたは置
換基を有していてもよいハロゲン化アラルキルと反応さ
せることを特徴とする、エポキシエステル（ＩＩＩ）の
製造方法、（６）エポキシエステル（ＩＩＩ）に塩基を
作用させることを特徴とする、オキサビシクロヘプト−
２−エン（ＩＶ）の製造方法、（７）オキサビシクロヘ
プト−２−エン（ＩＶ）の水酸基を保護してオキサビシ
クロヘプト−２−エン（Ｖ）を得、得られたオキサビシ
クロヘプト−２−エン（Ｖ）とアルコール（ＶＩ）をル
イス酸の存在下で反応させることを特徴とする、シクロ
ヘキセンエステル（ＶＩＩ）の製造方法、（８）オキサ
ビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）とアルコール（ＶＩ）
をルイス酸の存在下で反応させることを特徴とする、シ
クロヘキセンエステル（ＶＩＩ）の製造方法、（９）シ
クロヘキセンエステル（ＶＩＩ）に塩基の存在下でスル
ホニル化剤を作用させてシクロヘキセンエステル（ＶＩ
ＩＩ）を得、得られたシクロヘキセンエステル（ＶＩＩ
Ｉ）のＲ2を脱離させてヒドロキシエステル（ＩＸ）を
得、得らたヒドロキシエステル（ＩＸ）に塩基を作用さ
せることを特徴とする、５−オキシ−７−オキサビシク
ロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エ
ステル（Ｘ）の製造方法、（１０）シクロヘキセンエス
テル（ＶＩＩＩ）のＲ2 を脱離させてヒドロキシエステ
ル（ＩＸ）を得、得られたヒドロキシエステル（ＩＸ）
に塩基を作用させることを特徴とする、５−オキシ−７
−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３
−カルボン酸エステル（Ｘ）の製造方法、（１１）ヒド
ロキシエステル（ＩＸ）に塩基を作用させることを特徴
とする、５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステル（Ｘ）
の製造方法、（１２）一般式（ＸＩ−１）
る。）で示される２，３−エポキシ−７−オキサビシク
ロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸エステルの
製造方法、（５）ハロラクトン（Ｉ）に塩基を作用さ
せ、次いで置換基を有していてもよいハロゲン化アルキ
ル、置換基を有していてもよいハロゲン化シクロアルキ
ル、置換基を有していてもよいハロゲン化アルケニル、
置換基を有していてもよいハロゲン化アリールまたは置
換基を有していてもよいハロゲン化アラルキルと反応さ
せることを特徴とする、エポキシエステル（ＩＩＩ）の
製造方法、（６）エポキシエステル（ＩＩＩ）に塩基を
作用させることを特徴とする、オキサビシクロヘプト−
２−エン（ＩＶ）の製造方法、（７）オキサビシクロヘ
プト−２−エン（ＩＶ）の水酸基を保護してオキサビシ
クロヘプト−２−エン（Ｖ）を得、得られたオキサビシ
クロヘプト−２−エン（Ｖ）とアルコール（ＶＩ）をル
イス酸の存在下で反応させることを特徴とする、シクロ
ヘキセンエステル（ＶＩＩ）の製造方法、（８）オキサ
ビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）とアルコール（ＶＩ）
をルイス酸の存在下で反応させることを特徴とする、シ
クロヘキセンエステル（ＶＩＩ）の製造方法、（９）シ
クロヘキセンエステル（ＶＩＩ）に塩基の存在下でスル
ホニル化剤を作用させてシクロヘキセンエステル（ＶＩ
ＩＩ）を得、得られたシクロヘキセンエステル（ＶＩＩ
Ｉ）のＲ2を脱離させてヒドロキシエステル（ＩＸ）を
得、得らたヒドロキシエステル（ＩＸ）に塩基を作用さ
せることを特徴とする、５−オキシ−７−オキサビシク
ロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エ
ステル（Ｘ）の製造方法、（１０）シクロヘキセンエス
テル（ＶＩＩＩ）のＲ2 を脱離させてヒドロキシエステ
ル（ＩＸ）を得、得られたヒドロキシエステル（ＩＸ）
に塩基を作用させることを特徴とする、５−オキシ−７
−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３
−カルボン酸エステル（Ｘ）の製造方法、（１１）ヒド
ロキシエステル（ＩＸ）に塩基を作用させることを特徴
とする、５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステル（Ｘ）
の製造方法、（１２）一般式（ＸＩ−１）
【００３６】
【化６５】
【００３７】（式中、Ｒ4は水素原子、置換基を有して
いてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシク
ロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル
基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有
していてもよいアラルキル基またはカルボン酸塩を形成
できる金属を表す。）または一般式（ＸＩ−２）
いてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシク
ロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル
基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有
していてもよいアラルキル基またはカルボン酸塩を形成
できる金属を表す。）または一般式（ＸＩ−２）
【００３８】
【化６６】
【００３９】（式中、Ｒ4は前記定義のとおりであ
る。）で示されるエンド−２，３−エポキシ−７−オキ
サビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５−カル
ボン酸誘導体、および（１３）一般式（ＸＩＩ−１）
る。）で示されるエンド−２，３−エポキシ−７−オキ
サビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５−カル
ボン酸誘導体、および（１３）一般式（ＸＩＩ−１）
【００４０】
【化６７】
【００４１】（式中、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおり
であり、Ｒ5およびＲ6は独立して水素原子、置換基を有
していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい
シクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニ
ル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を
有していてもよいアラルキル基、水酸基の保護基または
有機スルホニル基を表す。）または一般式（ＸＩＩ−
２）
であり、Ｒ5およびＲ6は独立して水素原子、置換基を有
していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい
シクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニ
ル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を
有していてもよいアラルキル基、水酸基の保護基または
有機スルホニル基を表す。）または一般式（ＸＩＩ−
２）
【００４２】
【化６８】
【００４３】（式中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ5およびＲ6は前記定
義のとおりである。）で示される３，４，５−トリオキ
シ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸誘導体、を提
供することにより達成される。
義のとおりである。）で示される３，４，５−トリオキ
シ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸誘導体、を提
供することにより達成される。
【００４４】
【発明の実施の形態】上記一般式中のＲ1、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5およびＲ6、並びに後記一般式（ＸＩＩＩ）中のＲ7
が表すアルキル基としては、直鎖または分枝鎖のアルキ
ル基であって、好ましくは炭素数１〜１０、より好まし
くは炭素数１〜６であり、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基な
どが挙げられる。これらのアルキル基は置換基を有して
いてもよく、かかる置換基としては、例えばメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などの好ま
しくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜６の
アルコキシル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子など
のハロゲン原子；シアノ基、ニトロ基などが挙げられ
る。
Ｒ5およびＲ6、並びに後記一般式（ＸＩＩＩ）中のＲ7
が表すアルキル基としては、直鎖または分枝鎖のアルキ
ル基であって、好ましくは炭素数１〜１０、より好まし
くは炭素数１〜６であり、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基な
どが挙げられる。これらのアルキル基は置換基を有して
いてもよく、かかる置換基としては、例えばメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などの好ま
しくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜６の
アルコキシル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子など
のハロゲン原子；シアノ基、ニトロ基などが挙げられ
る。
【００４５】上記一般式中のＲ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5および
Ｒ6、並びに後記一般式（ＸＩＩＩ）中のＲ7が表すシク
ロアルキル基としては、好ましくは炭素数３〜８のシク
ロアルキル基であり、例えばシクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロオクチル基などが挙げられる。
Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が表すアリール基と
しては、好ましくは炭素数６〜１０のアリール基であ
り、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。Ｒ1、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が表すアラルキル基とし
ては、アルキル部分として好ましくは炭素数１〜６のア
ルキル基を有し、アリール部分として前記定義の１〜３
個のアリール基を有するアラルキル基であり、例えばベ
ンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル
基、フェネチル基などが挙げられる。これらのシクロア
ルキル基、アリール基およびアラルキル基はそれぞれ置
換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例え
ばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、
ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基など
の好ましくは炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などの好ましく
は炭素数１〜６のアルコキシル基；フッ素原子、塩素原
子、臭素原子などのハロゲン原子；シアノ基、ニトロ基
などが挙げられる。Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7
が表すアルケニル基としては、直鎖または分枝鎖のアル
ケニル基であって、好ましくは炭素数２〜１０、より好
ましくは炭素数２〜６であり、例えばアリル基、イソプ
ロペニル基、２−メチルアリル基などが挙げられる。こ
れらのアルケニル基は置換基を有していてもよく、かか
る置換基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基などの好ましくは炭素数１〜６
のアルコキシル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子な
どのハロゲン原子；シアノ基、ニトロ基などが挙げられ
る。
Ｒ6、並びに後記一般式（ＸＩＩＩ）中のＲ7が表すシク
ロアルキル基としては、好ましくは炭素数３〜８のシク
ロアルキル基であり、例えばシクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロオクチル基などが挙げられる。
Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が表すアリール基と
しては、好ましくは炭素数６〜１０のアリール基であ
り、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。Ｒ1、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が表すアラルキル基とし
ては、アルキル部分として好ましくは炭素数１〜６のア
ルキル基を有し、アリール部分として前記定義の１〜３
個のアリール基を有するアラルキル基であり、例えばベ
ンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル
基、フェネチル基などが挙げられる。これらのシクロア
ルキル基、アリール基およびアラルキル基はそれぞれ置
換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例え
ばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、
ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基など
の好ましくは炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などの好ましく
は炭素数１〜６のアルコキシル基；フッ素原子、塩素原
子、臭素原子などのハロゲン原子；シアノ基、ニトロ基
などが挙げられる。Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7
が表すアルケニル基としては、直鎖または分枝鎖のアル
ケニル基であって、好ましくは炭素数２〜１０、より好
ましくは炭素数２〜６であり、例えばアリル基、イソプ
ロペニル基、２−メチルアリル基などが挙げられる。こ
れらのアルケニル基は置換基を有していてもよく、かか
る置換基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基などの好ましくは炭素数１〜６
のアルコキシル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子な
どのハロゲン原子；シアノ基、ニトロ基などが挙げられ
る。
【００４６】上記一般式中のＲ2、Ｒ5およびＲ6が表す
水酸基の保護基としては、水酸基を保護する目的のため
に通常用いられる保護基であれば特に制限はなく、例え
ばホルミル基、アセチル基、クロロアセチル基、トリク
ロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、メトキシア
セチル基、トリフェニルメトキシアセチル基、プロピオ
ニル基、ブチリル基、ベンゾイル基などのアシル基；ト
リメチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピル
ジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル
基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基などの三置換
シリル基；ベンジル基、２，４，６−トリメチルベンジ
ル基、ｐ−メトキシベンジル基、３，５−ジメトキシベ
ンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル
基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｏ
−ブロモベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、２，４−
ジクロロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−クロ
ロ−ｐ−アシロキシベンジル基、９−アントリルメチル
基、ジフェニルメチル基、フェニル（ｏ−ニトロフェニ
ル）メチル基、ジ（２−ピリジル）メチル基、４−ピリ
ジルメチル基、トリフェニルメチル基などのアラルキル
基などが挙げられる。
水酸基の保護基としては、水酸基を保護する目的のため
に通常用いられる保護基であれば特に制限はなく、例え
ばホルミル基、アセチル基、クロロアセチル基、トリク
ロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、メトキシア
セチル基、トリフェニルメトキシアセチル基、プロピオ
ニル基、ブチリル基、ベンゾイル基などのアシル基；ト
リメチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピル
ジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル
基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基などの三置換
シリル基；ベンジル基、２，４，６−トリメチルベンジ
ル基、ｐ−メトキシベンジル基、３，５−ジメトキシベ
ンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル
基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｏ
−ブロモベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、２，４−
ジクロロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−クロ
ロ−ｐ−アシロキシベンジル基、９−アントリルメチル
基、ジフェニルメチル基、フェニル（ｏ−ニトロフェニ
ル）メチル基、ジ（２−ピリジル）メチル基、４−ピリ
ジルメチル基、トリフェニルメチル基などのアラルキル
基などが挙げられる。
【００４７】上記一般式中のＲ4が表すカルボン酸塩を
形成できる金属としては、カルボン酸と塩を形成する金
属であれば特に制限はなく、例えばリチウム、ナトリウ
ム、カリウムなどのアルカリ金属；マグネシウム、カル
シウムなどのアルカリ土類金属；鉄、ニッケル、パラジ
ウム、銅などの遷移金属などが挙げられる。
形成できる金属としては、カルボン酸と塩を形成する金
属であれば特に制限はなく、例えばリチウム、ナトリウ
ム、カリウムなどのアルカリ金属；マグネシウム、カル
シウムなどのアルカリ土類金属；鉄、ニッケル、パラジ
ウム、銅などの遷移金属などが挙げられる。
【００４８】上記一般式中のＡ、Ｒ5およびＲ6が表す有
機スルホニル基は、有機基が結合したスルホニル基であ
れば特に制限はなく、置換基を有していてもよいアルキ
ルスルホニル基、置換基を有していてもよいアリールス
ルホニル基、置換基を有していてもよいアラルキルスル
ホニル基などが挙げられる。アルキルスルホニル基のア
ルキル部分は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基で
ある。アリールスルホニル基のアリール部分としてはフ
ェニル基が挙げられる。アラルキルスルホニル基のアリ
ール部分としてはフェニル基が挙げられ、アルキル部分
は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。アル
キルスルホニル基は、置換基を有していてもよく、かか
る置換基としては、アルコキシル基（好ましくは炭素数
１〜６のアルコキシル基）、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基などが挙げられる。アリールスルホニル基およ
びアラルキルスルホニル基は、それらの芳香族環上に置
換基を有していてもよく、かかる置換基としては、アル
キル基（好ましくは炭素数１〜６のアルキル基）、アル
コキシル基（好ましくは炭素数１〜６のアルコキシル
基）、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基などが挙げら
れる。Ａ、Ｒ5およびＲ6が表す有機スルホニル基として
は、例えばメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、
ベンゼンスルホニル基、トルエンスルホニル基、ｐ−メ
トキシベンゼンスルホニル基、２，４，６−トリメチル
ベンゼンスルホニル基、ベンジルスルホニル基、ｐ−メ
チルベンジルスルホニル基、トリフルオロメタンスルホ
ニル基などが挙げられる。
機スルホニル基は、有機基が結合したスルホニル基であ
れば特に制限はなく、置換基を有していてもよいアルキ
ルスルホニル基、置換基を有していてもよいアリールス
ルホニル基、置換基を有していてもよいアラルキルスル
ホニル基などが挙げられる。アルキルスルホニル基のア
ルキル部分は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基で
ある。アリールスルホニル基のアリール部分としてはフ
ェニル基が挙げられる。アラルキルスルホニル基のアリ
ール部分としてはフェニル基が挙げられ、アルキル部分
は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。アル
キルスルホニル基は、置換基を有していてもよく、かか
る置換基としては、アルコキシル基（好ましくは炭素数
１〜６のアルコキシル基）、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基などが挙げられる。アリールスルホニル基およ
びアラルキルスルホニル基は、それらの芳香族環上に置
換基を有していてもよく、かかる置換基としては、アル
キル基（好ましくは炭素数１〜６のアルキル基）、アル
コキシル基（好ましくは炭素数１〜６のアルコキシル
基）、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基などが挙げら
れる。Ａ、Ｒ5およびＲ6が表す有機スルホニル基として
は、例えばメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、
ベンゼンスルホニル基、トルエンスルホニル基、ｐ−メ
トキシベンゼンスルホニル基、２，４，６−トリメチル
ベンゼンスルホニル基、ベンジルスルホニル基、ｐ−メ
チルベンジルスルホニル基、トリフルオロメタンスルホ
ニル基などが挙げられる。
【００４９】上記一般式中のＸが表すハロゲン原子とし
ては、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子、フッ素原子が
挙げられる。
ては、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子、フッ素原子が
挙げられる。
【００５０】本発明の５−オキシ−７−オキサビシクロ
［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エス
テル（Ｘ）の製造方法は、下記のスキームで示される。
［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エス
テル（Ｘ）の製造方法は、下記のスキームで示される。
【００５１】
【化６９】
【００５２】（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＡは前記定
義のとおりである。） 以下、各工程について説明する。
義のとおりである。） 以下、各工程について説明する。
【００５３】（ａ）：ハロラクトン（Ｉ）に塩基を作用
させてエポキシカルボン酸（ＩＩ）を得る工程
させてエポキシカルボン酸（ＩＩ）を得る工程
【００５４】塩基としては、例えば水酸化リチウム、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の
水酸化物が挙げられる。これらの中でも水酸化カリウム
が好ましい。塩基の使用量はハロラクトン（Ｉ）１モル
に対して２〜１００モルの範囲が好ましく、２〜２０モ
ルの範囲がより好ましい。
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の
水酸化物が挙げられる。これらの中でも水酸化カリウム
が好ましい。塩基の使用量はハロラクトン（Ｉ）１モル
に対して２〜１００モルの範囲が好ましく、２〜２０モ
ルの範囲がより好ましい。
【００５５】反応は、溶媒の存在下で行うのが好まし
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさない
限り特に制限はなく、例えば水；メタノール、エタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール
などのアルコール；アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ンなどの非プロトン性極性溶媒；アルコールと非プロト
ン性極性溶媒または水と非プロトン性極性溶媒の混合液
などが挙げられる。溶媒の使用量については、特に制限
はないが、通常ハロラクトン（Ｉ）に対して１〜１００
重量倍の範囲が好ましく、１〜５０重量倍の範囲がより
好ましい。
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさない
限り特に制限はなく、例えば水；メタノール、エタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール
などのアルコール；アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ンなどの非プロトン性極性溶媒；アルコールと非プロト
ン性極性溶媒または水と非プロトン性極性溶媒の混合液
などが挙げられる。溶媒の使用量については、特に制限
はないが、通常ハロラクトン（Ｉ）に対して１〜１００
重量倍の範囲が好ましく、１〜５０重量倍の範囲がより
好ましい。
【００５６】反応温度は、−２０〜１５０℃の範囲が好
ましく、１０〜１００℃の範囲がより好ましい。反応時
間は、ハロラクトン（Ｉ）、塩基および溶媒の種類や使
用量によって変動しうるが、通常１〜１２時間の範囲で
ある。
ましく、１０〜１００℃の範囲がより好ましい。反応時
間は、ハロラクトン（Ｉ）、塩基および溶媒の種類や使
用量によって変動しうるが、通常１〜１２時間の範囲で
ある。
【００５７】反応は、例えば塩基を溶媒に溶解して所定
温度とし、この溶液にハロラクトン（Ｉ）を添加して攪
拌することで行う。
温度とし、この溶液にハロラクトン（Ｉ）を添加して攪
拌することで行う。
【００５８】このようにして得られたエポキシカルボン
酸（ＩＩ）は、有機化合物の単離・精製において通常行
われる方法により単離・精製することができる。例えば
反応混合物を塩酸、硫酸などの水溶液にあけ、ジクロロ
メタンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテルなどのエーテル、酢酸メチル、
酢酸エチルなどのエステルなどで抽出し、抽出液を濃縮
して得られる濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーなどにより精製する。
酸（ＩＩ）は、有機化合物の単離・精製において通常行
われる方法により単離・精製することができる。例えば
反応混合物を塩酸、硫酸などの水溶液にあけ、ジクロロ
メタンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテルなどのエーテル、酢酸メチル、
酢酸エチルなどのエステルなどで抽出し、抽出液を濃縮
して得られる濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーなどにより精製する。
【００５９】（ｂ）：エポキシカルボン酸（ＩＩ）にエ
ステル化剤を作用させてエポキシエステル（ＩＩＩ）を
得る工程
ステル化剤を作用させてエポキシエステル（ＩＩＩ）を
得る工程
【００６０】エステル化剤としては、エポキシエステル
（ＩＩＩ）中の−ＣＯ2Ｒ1を形成できるエステル化剤で
あり、例えばオルトぎ酸メチル、オルトぎ酸エチル、オ
ルトぎ酸プロピル、オルトぎ酸ブチルなどのオルトぎ酸
アルキル；オルトぎ酸シクロプロピル、オルトぎ酸シク
ロヘキシルなどのオルトぎ酸シクロアルキル；オルトぎ
酸アリルなどのオルトぎ酸アルケニル；オルトぎ酸フェ
ニルなどのオルトぎ酸アリール；オルトぎ酸ベンジルな
どのオルトぎ酸アラルキル；オルト酢酸メチル、オルト
酢酸エチル、オルト酢酸プロピル、オルト酢酸ブチルな
どのオルト酢酸アルキル；オルト酢酸シクロプロピル、
オルト酢酸シクロヘキシルなどのオルト酢酸シクロアル
キル；オルト酢酸アリルなどのオルト酢酸アルケニル；
オルト酢酸フェニルなどのオルト酢酸アリール；オルト
酢酸ベンジルなどのオルト酢酸アラルキル、などが挙げ
られる。これらは、上記のＲ1の各基について説明した
ような置換基を有していてもよい。エステル化剤の使用
量は、エポキシカルボン酸（ＩＩ）１モルに対して１〜
２０モルの範囲が好ましく、１〜１０モルの範囲がより
好ましい。
（ＩＩＩ）中の−ＣＯ2Ｒ1を形成できるエステル化剤で
あり、例えばオルトぎ酸メチル、オルトぎ酸エチル、オ
ルトぎ酸プロピル、オルトぎ酸ブチルなどのオルトぎ酸
アルキル；オルトぎ酸シクロプロピル、オルトぎ酸シク
ロヘキシルなどのオルトぎ酸シクロアルキル；オルトぎ
酸アリルなどのオルトぎ酸アルケニル；オルトぎ酸フェ
ニルなどのオルトぎ酸アリール；オルトぎ酸ベンジルな
どのオルトぎ酸アラルキル；オルト酢酸メチル、オルト
酢酸エチル、オルト酢酸プロピル、オルト酢酸ブチルな
どのオルト酢酸アルキル；オルト酢酸シクロプロピル、
オルト酢酸シクロヘキシルなどのオルト酢酸シクロアル
キル；オルト酢酸アリルなどのオルト酢酸アルケニル；
オルト酢酸フェニルなどのオルト酢酸アリール；オルト
酢酸ベンジルなどのオルト酢酸アラルキル、などが挙げ
られる。これらは、上記のＲ1の各基について説明した
ような置換基を有していてもよい。エステル化剤の使用
量は、エポキシカルボン酸（ＩＩ）１モルに対して１〜
２０モルの範囲が好ましく、１〜１０モルの範囲がより
好ましい。
【００６１】反応は、溶媒の存在下または非存在下に行
うことができる。使用する溶媒としては、反応に悪影響
を及ぼさない限り特に制限はなく、例えばオクタン、デ
カンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシ
レン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；ジイソプロピ
ルエーテル、ジオキサンなどのエーテルなどが挙げられ
る。溶媒を用いる場合、その使用量に特に制限はない
が、通常エポキシカルボン酸（ＩＩ）に対して１〜１０
重量倍の範囲が好ましく、１〜３重量倍の範囲がより好
ましい。
うことができる。使用する溶媒としては、反応に悪影響
を及ぼさない限り特に制限はなく、例えばオクタン、デ
カンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシ
レン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；ジイソプロピ
ルエーテル、ジオキサンなどのエーテルなどが挙げられ
る。溶媒を用いる場合、その使用量に特に制限はない
が、通常エポキシカルボン酸（ＩＩ）に対して１〜１０
重量倍の範囲が好ましく、１〜３重量倍の範囲がより好
ましい。
【００６２】反応温度は、８０〜１８０℃の範囲が好ま
しく、１２０〜１６０℃の範囲がより好ましい。反応時
間は、エポキシカルボン酸（ＩＩ）、エステル化剤およ
び溶媒の種類や使用量によって変動しうるが、通常１〜
６時間の範囲である。
しく、１２０〜１６０℃の範囲がより好ましい。反応時
間は、エポキシカルボン酸（ＩＩ）、エステル化剤およ
び溶媒の種類や使用量によって変動しうるが、通常１〜
６時間の範囲である。
【００６３】反応は、例えばエポキシカルボン酸（Ｉ
Ｉ）とエステル化剤および必要に応じて溶媒を混合し
て、所定温度で攪拌することで行う。
Ｉ）とエステル化剤および必要に応じて溶媒を混合し
て、所定温度で攪拌することで行う。
【００６４】このようにして得られたエポキシエステル
（ＩＩＩ）は、有機化合物の単離・精製において通常行
われる方法により単離・精製することができる。例えば
反応混合物を水にあけ、ヘキサン、ヘプタン、オクタン
などの脂肪族炭化水素、ジクロロメタンなどのハロゲン
化炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ルなどのエーテルなどで抽出し、抽出液を濃縮して得ら
れる濃縮物を蒸留、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーなどにより精製する。
（ＩＩＩ）は、有機化合物の単離・精製において通常行
われる方法により単離・精製することができる。例えば
反応混合物を水にあけ、ヘキサン、ヘプタン、オクタン
などの脂肪族炭化水素、ジクロロメタンなどのハロゲン
化炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ルなどのエーテルなどで抽出し、抽出液を濃縮して得ら
れる濃縮物を蒸留、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーなどにより精製する。
【００６５】（ｃ）：ハロラクトン（Ｉ）に塩基を作用
させ、次いでアルキル化剤として置換基を有していても
よいハロゲン化アルキル、置換基を有していてもよいハ
ロゲン化シクロアルキル、置換基を有していてもよいハ
ロゲン化アルケニル、置換基を有していてもよいハロゲ
ン化アリールまたは置換基を有していてもよいハロゲン
化アラルキルと反応させてエポキシエステル（ＩＩＩ）
を得る工程
させ、次いでアルキル化剤として置換基を有していても
よいハロゲン化アルキル、置換基を有していてもよいハ
ロゲン化シクロアルキル、置換基を有していてもよいハ
ロゲン化アルケニル、置換基を有していてもよいハロゲ
ン化アリールまたは置換基を有していてもよいハロゲン
化アラルキルと反応させてエポキシエステル（ＩＩＩ）
を得る工程
【００６６】本工程は、ハロラクトン（Ｉ）に塩基を作
用させて、エポキシカルボン酸（ＩＩ）を系内で生成さ
せ、この生成したエポキシカルボン酸（ＩＩ）を単離せ
ずに次段階の反応を行って、エポキシエステル（ＩＩ
Ｉ）をワンポットで得る工程である。
用させて、エポキシカルボン酸（ＩＩ）を系内で生成さ
せ、この生成したエポキシカルボン酸（ＩＩ）を単離せ
ずに次段階の反応を行って、エポキシエステル（ＩＩ
Ｉ）をワンポットで得る工程である。
【００６７】塩基としては、例えば水酸化リチウム、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の
水酸化物が挙げられる。これらの中でも水酸化カリウム
が好ましい。塩基の使用量はハロラクトン（Ｉ）１モル
に対して２〜１００モルの範囲が好ましく、２〜２０モ
ルの範囲がより好ましい。
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の
水酸化物が挙げられる。これらの中でも水酸化カリウム
が好ましい。塩基の使用量はハロラクトン（Ｉ）１モル
に対して２〜１００モルの範囲が好ましく、２〜２０モ
ルの範囲がより好ましい。
【００６８】アルキル化剤としては、エポキシエステル
（ＩＩＩ）中の−ＣＯ2Ｒ1を形成できるアルキル化剤で
あり、例えばヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ヨウ化ブチ
ル、ヨウ化オクチル、臭化メチル、臭化エチル、臭化ブ
チル、臭化オクチル、塩化メチル、塩化エチル、塩化ブ
チル、塩化オクチルなどのハロゲン化アルキル；ヨウ化
シクロプロピル、ヨウ化シクロペンチル、ヨウ化シクロ
ヘキシル、臭化シクロプロピル、臭化シクロペンチル、
臭化シクロヘキシル、塩化シクロプロピル、塩化シクロ
ペンチル、塩化シクロヘキシルなどのハロゲン化シクロ
アルキル；ヨウ化アリル、臭化アリル、塩化アリルなど
のハロゲン化アルケニル；ヨウ化フェニル、臭化フェニ
ル、塩化フェニルなどのハロゲン化アリール；ヨウ化ベ
ンジル、臭化ベンジル、塩化ベンジルなどのハロゲン化
アラルキルなどが挙げられる。これらは、上記のＲ1の
各基について説明したような置換基を有していてもよ
い。上述のハロゲン化アルキル、ハロゲン化シクロアル
キル、ハロゲン化アルケニル、ハロゲン化アリールまた
はハロゲン化アラルキルの使用量は、ハロラクトン
（Ｉ）１モルに対して１〜２０モルの範囲が好ましく、
１〜１０モルの範囲がより好ましい。
（ＩＩＩ）中の−ＣＯ2Ｒ1を形成できるアルキル化剤で
あり、例えばヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ヨウ化ブチ
ル、ヨウ化オクチル、臭化メチル、臭化エチル、臭化ブ
チル、臭化オクチル、塩化メチル、塩化エチル、塩化ブ
チル、塩化オクチルなどのハロゲン化アルキル；ヨウ化
シクロプロピル、ヨウ化シクロペンチル、ヨウ化シクロ
ヘキシル、臭化シクロプロピル、臭化シクロペンチル、
臭化シクロヘキシル、塩化シクロプロピル、塩化シクロ
ペンチル、塩化シクロヘキシルなどのハロゲン化シクロ
アルキル；ヨウ化アリル、臭化アリル、塩化アリルなど
のハロゲン化アルケニル；ヨウ化フェニル、臭化フェニ
ル、塩化フェニルなどのハロゲン化アリール；ヨウ化ベ
ンジル、臭化ベンジル、塩化ベンジルなどのハロゲン化
アラルキルなどが挙げられる。これらは、上記のＲ1の
各基について説明したような置換基を有していてもよ
い。上述のハロゲン化アルキル、ハロゲン化シクロアル
キル、ハロゲン化アルケニル、ハロゲン化アリールまた
はハロゲン化アラルキルの使用量は、ハロラクトン
（Ｉ）１モルに対して１〜２０モルの範囲が好ましく、
１〜１０モルの範囲がより好ましい。
【００６９】反応は、溶媒の存在下で行うのが好まし
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさない
限り特に制限はなく、例えば水；メタノール、エタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール
などのアルコール；アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ンなどの非プロトン性極性溶媒；アルコールと非プロト
ン性極性溶媒または水と非プロトン性極性溶媒の混合液
などが挙げられる。溶媒の使用量については、特に制限
はないが、通常ハロラクトン（Ｉ）に対して１〜１００
重量倍の範囲が好ましく、１〜５０重量倍の範囲がより
好ましい。
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさない
限り特に制限はなく、例えば水；メタノール、エタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール
などのアルコール；アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ンなどの非プロトン性極性溶媒；アルコールと非プロト
ン性極性溶媒または水と非プロトン性極性溶媒の混合液
などが挙げられる。溶媒の使用量については、特に制限
はないが、通常ハロラクトン（Ｉ）に対して１〜１００
重量倍の範囲が好ましく、１〜５０重量倍の範囲がより
好ましい。
【００７０】反応温度は、−２０〜１５０℃の範囲が好
ましく、１０〜８０℃の範囲がより好ましい。反応時間
は、ハロラクトン（Ｉ）、塩基、上述のハロゲン化アル
キル、ハロゲン化シクロアルキル、ハロゲン化アルケニ
ル、ハロゲン化アリールまたはハロゲン化アラルキル、
および溶媒の種類や使用量によって変動しうるが、通常
１〜１２時間の範囲である。
ましく、１０〜８０℃の範囲がより好ましい。反応時間
は、ハロラクトン（Ｉ）、塩基、上述のハロゲン化アル
キル、ハロゲン化シクロアルキル、ハロゲン化アルケニ
ル、ハロゲン化アリールまたはハロゲン化アラルキル、
および溶媒の種類や使用量によって変動しうるが、通常
１〜１２時間の範囲である。
【００７１】反応は、例えば塩基を溶媒に溶解して所定
温度とし、この溶液にハロラクトン（Ｉ）を添加してエ
ポキシカルボン酸（ＩＩ）を系内で生成させ、次いで上
述のハロゲン化アルキル、ハロゲン化シクロアルキル、
ハロゲン化アルケニル、ハロゲン化アリールまたはハロ
ゲン化アラルキルを添加して攪拌することで行う。
温度とし、この溶液にハロラクトン（Ｉ）を添加してエ
ポキシカルボン酸（ＩＩ）を系内で生成させ、次いで上
述のハロゲン化アルキル、ハロゲン化シクロアルキル、
ハロゲン化アルケニル、ハロゲン化アリールまたはハロ
ゲン化アラルキルを添加して攪拌することで行う。
【００７２】このようにして得られたエポキシエステル
（ＩＩＩ）は、有機化合物の単離・精製において通常行
われる方法により単離・精製することができる。例えば
反応混合物を水にあけ、ヘキサン、ヘプタン、オクタン
などの脂肪族炭化水素、ジクロロメタンなどのハロゲン
化炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ルなどのエーテル、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエス
テルなどで抽出し、抽出液を濃縮して得られる濃縮物を
蒸留、シリカゲルカラムクロマトグラフィーなどにより
精製する。
（ＩＩＩ）は、有機化合物の単離・精製において通常行
われる方法により単離・精製することができる。例えば
反応混合物を水にあけ、ヘキサン、ヘプタン、オクタン
などの脂肪族炭化水素、ジクロロメタンなどのハロゲン
化炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ルなどのエーテル、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエス
テルなどで抽出し、抽出液を濃縮して得られる濃縮物を
蒸留、シリカゲルカラムクロマトグラフィーなどにより
精製する。
【００７３】（ｄ）：エポキシエステル（ＩＩＩ）に塩
基を作用させてオキサビシクロヘプト−２−エン（Ｉ
Ｖ）を得る工程
基を作用させてオキサビシクロヘプト−２−エン（Ｉ
Ｖ）を得る工程
【００７４】塩基としては、例えばナトリウムメトキシ
ド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリ
ウムエトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カ
リウムｔｅｒｔ−ブトキシドなどのアルカリ金属のアル
コキシド；ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムビス
（トリメチルシリル）アミド、ナトリウムビス（トリメ
チルシリル）アミド、カリウムビス（トリメチルシリ
ル）アミド、リチウムヘキサメチルジシラザンのような
アルカリ金属有機塩基などが挙げられる。これらの中で
もリチウムビス（トリメチルシリル）アミドやリチウム
ヘキサメチルジシラザンが特に好ましい。塩基の使用量
はエポキシエステル（ＩＩＩ）１モルに対して１〜２０
モルの範囲が好ましく、１〜５モルの範囲がより好まし
い。
ド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリ
ウムエトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カ
リウムｔｅｒｔ−ブトキシドなどのアルカリ金属のアル
コキシド；ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムビス
（トリメチルシリル）アミド、ナトリウムビス（トリメ
チルシリル）アミド、カリウムビス（トリメチルシリ
ル）アミド、リチウムヘキサメチルジシラザンのような
アルカリ金属有機塩基などが挙げられる。これらの中で
もリチウムビス（トリメチルシリル）アミドやリチウム
ヘキサメチルジシラザンが特に好ましい。塩基の使用量
はエポキシエステル（ＩＩＩ）１モルに対して１〜２０
モルの範囲が好ましく、１〜５モルの範囲がより好まし
い。
【００７５】反応は、溶媒の存在下で行うことが好まし
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を与えない限
り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどのエーテルなどが挙げられる。溶媒の使用
量に特に制限はないが、通常エポキシエステル（ＩＩ
Ｉ）に対して１〜１００重量倍の範囲が好ましく、１〜
３０重量倍の範囲がより好ましい。
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を与えない限
り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどのエーテルなどが挙げられる。溶媒の使用
量に特に制限はないが、通常エポキシエステル（ＩＩ
Ｉ）に対して１〜１００重量倍の範囲が好ましく、１〜
３０重量倍の範囲がより好ましい。
【００７６】反応温度は、−１００〜２５℃の範囲が好
ましく、−７０〜０℃の範囲がより好ましい。反応時間
は、エポキシエステル（ＩＩＩ）、塩基および溶媒の種
類や使用量によって変動しうるが、通常０．５〜１０時
間の範囲である。
ましく、−７０〜０℃の範囲がより好ましい。反応時間
は、エポキシエステル（ＩＩＩ）、塩基および溶媒の種
類や使用量によって変動しうるが、通常０．５〜１０時
間の範囲である。
【００７７】反応は、例えば塩基を溶媒に溶解して所定
温度とし、この溶液にエポキシエステル（ＩＩＩ）を添
加して攪拌することで行う。
温度とし、この溶液にエポキシエステル（ＩＩＩ）を添
加して攪拌することで行う。
【００７８】このようにして得られたオキサビシクロヘ
プト−２−エン（ＩＶ）は、有機化合物の単離・精製に
おいて通常行われる方法により単離・精製することがで
きる。例えば反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの脂
肪族炭化水素、トルエンなどの芳香族炭化水素、ジクロ
ロメタンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出
し、抽出液を濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーなどにより精製する。
プト−２−エン（ＩＶ）は、有機化合物の単離・精製に
おいて通常行われる方法により単離・精製することがで
きる。例えば反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの脂
肪族炭化水素、トルエンなどの芳香族炭化水素、ジクロ
ロメタンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出
し、抽出液を濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーなどにより精製する。
【００７９】（ｅ）：オキサビシクロヘプト−２−エン
（ＩＶ）の水酸基を保護してオキサビシクロヘプト−２
−エン（Ｖ）を得る工程
（ＩＶ）の水酸基を保護してオキサビシクロヘプト−２
−エン（Ｖ）を得る工程
【００８０】水酸基の保護基としては、水酸基の保護に
際して通常用いられる保護基を使用することができる。
これらの保護基の中でも、次工程（ｆ）でのシクロヘキ
センエステル（ＶＩＩ）を製造する反応条件および後述
する工程（ｇ）でのシクロヘキセンエステル（ＶＩＩ
Ｉ）を製造する反応条件で安定であり、かつ後述する工
程（ｈ）で本保護基を脱離させる際に、ヒドロキシエス
テル（ＩＸ）の他の部分を損なうことなく速やかに脱離
できるものが特に好ましい。このような水酸基の保護基
としては、例えばホルミル基、アセチル基、トリフルオ
ロアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ベンゾイ
ル基などのアシル基が挙げられ、これらの中でもアセチ
ル基が特に好ましい。これらの水酸基の保護基は公知の
方法（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎ，“Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ
Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓ
ｉｓ，”Ｊｏｈｎ−Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ，１９８１，ｐｐ１０−７２）によって導入
することができる。
際して通常用いられる保護基を使用することができる。
これらの保護基の中でも、次工程（ｆ）でのシクロヘキ
センエステル（ＶＩＩ）を製造する反応条件および後述
する工程（ｇ）でのシクロヘキセンエステル（ＶＩＩ
Ｉ）を製造する反応条件で安定であり、かつ後述する工
程（ｈ）で本保護基を脱離させる際に、ヒドロキシエス
テル（ＩＸ）の他の部分を損なうことなく速やかに脱離
できるものが特に好ましい。このような水酸基の保護基
としては、例えばホルミル基、アセチル基、トリフルオ
ロアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ベンゾイ
ル基などのアシル基が挙げられ、これらの中でもアセチ
ル基が特に好ましい。これらの水酸基の保護基は公知の
方法（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎ，“Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ
Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓ
ｉｓ，”Ｊｏｈｎ−Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ，１９８１，ｐｐ１０−７２）によって導入
することができる。
【００８１】反応は、溶媒の存在下で行うことが好まし
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を与えない限
り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどのエーテルなどが挙げられる。溶媒の使用
量に特に制限はないが、通常オキサビシクロヘプト−２
−エン（ＩＶ）に対して１〜１００重量倍の範囲が好ま
しく、１〜１０重量倍の範囲がより好ましい。
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を与えない限
り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどのエーテルなどが挙げられる。溶媒の使用
量に特に制限はないが、通常オキサビシクロヘプト−２
−エン（ＩＶ）に対して１〜１００重量倍の範囲が好ま
しく、１〜１０重量倍の範囲がより好ましい。
【００８２】例えばアセチル基の導入は、オキサビシク
ロヘプト−２−エン（ＩＶ）１モルに対して無水酢酸を
１〜１０モルの範囲、好ましくは１〜３モルの範囲の量
で用い、トリエチルアミン、ピリジン、コリジン、ルチ
ジン、４−ジメチルアミノピリジンなどのアミン；水素
化ナトリウム、水素化カリウムなどのアルカリ金属の水
素化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ
金属の炭酸塩などの塩基を、オキサビシクロヘプト−２
−エン（ＩＶ）１モルに対して１〜１０モルの範囲、好
ましくは１〜３モルの範囲の量で共存させて反応させる
ことで行う。なお、この場合、オキサビシクロヘプト−
２−エン（ＩＶ）の代わりにエポキシエステル（ＩＩ
Ｉ）を原料として用いて、前記した（ｄ）の工程と本工
程の反応を一段階で行うことも可能である。
ロヘプト−２−エン（ＩＶ）１モルに対して無水酢酸を
１〜１０モルの範囲、好ましくは１〜３モルの範囲の量
で用い、トリエチルアミン、ピリジン、コリジン、ルチ
ジン、４−ジメチルアミノピリジンなどのアミン；水素
化ナトリウム、水素化カリウムなどのアルカリ金属の水
素化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ
金属の炭酸塩などの塩基を、オキサビシクロヘプト−２
−エン（ＩＶ）１モルに対して１〜１０モルの範囲、好
ましくは１〜３モルの範囲の量で共存させて反応させる
ことで行う。なお、この場合、オキサビシクロヘプト−
２−エン（ＩＶ）の代わりにエポキシエステル（ＩＩ
Ｉ）を原料として用いて、前記した（ｄ）の工程と本工
程の反応を一段階で行うことも可能である。
【００８３】このようにして得られたオキサビシクロヘ
プト−２−エン（Ｖ）は、有機化合物の単離・精製にお
いて通常行われる方法により単離・精製することができ
る。例えば反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの脂肪
族炭化水素；トルエンなどの芳香族炭化水素；ジクロロ
メタンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出し、
抽出液を濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーなどにより精製する。
プト−２−エン（Ｖ）は、有機化合物の単離・精製にお
いて通常行われる方法により単離・精製することができ
る。例えば反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの脂肪
族炭化水素；トルエンなどの芳香族炭化水素；ジクロロ
メタンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出し、
抽出液を濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーなどにより精製する。
【００８４】（ｆ）：オキサビシクロヘプト−２−エン
（Ｖ）とアルコール（ＶＩ）をルイス酸の存在下で反応
させてシクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）を得る工程
（Ｖ）とアルコール（ＶＩ）をルイス酸の存在下で反応
させてシクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）を得る工程
【００８５】アルコール（ＶＩ）としては、シクロヘキ
センエステル（ＶＩＩ）中の−ＯＲ 3を形成できるアル
コールであり、例えばメタノール、エタノール、１−プ
ロパノール、１−オクタノール、イソプロパノール、２
−ブタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールな
どの一級または二級アルキルアルコール；シクロペンタ
ノール、シクロヘキサノールなどの二級アルコールなど
のシクロアルキルアルコール；アリルアルコールなどの
アルケニルアルコール；フェノール、ナフトールなどの
アリールアルコール；ベンジルアルコールなどのアラル
キルアルコールが挙げられる。これらは、上記のＲ3の
各基について説明したような置換基を有していてもよ
い。これらの中でも、アルコール（ＶＩ）として３−ペ
ンタノールを用いるのが、ＧＳ４１０４の合成中間体で
ある、エチル （１β，５α，６β）−５−（１−エチ
ルプロポキシ）−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘ
プト−３−エン−３−カルボキシレートを合成する観点
から特に好ましい。アルコール（ＶＩ）の使用量は、オ
キサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）１モルに対して１
〜２００モルの範囲が好ましく、１〜１００モルの範囲
がより好ましい。
センエステル（ＶＩＩ）中の−ＯＲ 3を形成できるアル
コールであり、例えばメタノール、エタノール、１−プ
ロパノール、１−オクタノール、イソプロパノール、２
−ブタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノールな
どの一級または二級アルキルアルコール；シクロペンタ
ノール、シクロヘキサノールなどの二級アルコールなど
のシクロアルキルアルコール；アリルアルコールなどの
アルケニルアルコール；フェノール、ナフトールなどの
アリールアルコール；ベンジルアルコールなどのアラル
キルアルコールが挙げられる。これらは、上記のＲ3の
各基について説明したような置換基を有していてもよ
い。これらの中でも、アルコール（ＶＩ）として３−ペ
ンタノールを用いるのが、ＧＳ４１０４の合成中間体で
ある、エチル （１β，５α，６β）−５−（１−エチ
ルプロポキシ）−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘ
プト−３−エン−３−カルボキシレートを合成する観点
から特に好ましい。アルコール（ＶＩ）の使用量は、オ
キサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）１モルに対して１
〜２００モルの範囲が好ましく、１〜１００モルの範囲
がより好ましい。
【００８６】ルイス酸としては、例えば三フッ化ホウ素
−エーテラート、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、ヨウ化
亜鉛、四塩化チタンなどが挙げられる。ルイス酸の使用
量は、オキサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）１モルに
対して０．１〜３０モルの範囲が好ましく、１〜１０モ
ルの範囲がより好ましい。
−エーテラート、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、ヨウ化
亜鉛、四塩化チタンなどが挙げられる。ルイス酸の使用
量は、オキサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）１モルに
対して０．１〜３０モルの範囲が好ましく、１〜１０モ
ルの範囲がより好ましい。
【００８７】反応は、溶媒の存在下または非存在下に行
うことができる。使用する溶媒としては、反応に悪影響
を与えない限り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプ
タン、オクタンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トル
エン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；ジ
エチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル；ジクロロメタ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタ
ンなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。溶媒を
使用する場合、その使用量に特に制限はないが、通常オ
キサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）に対して１〜１０
０重量倍の範囲が好ましく、１〜１０重量倍の範囲がよ
り好ましい。
うことができる。使用する溶媒としては、反応に悪影響
を与えない限り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプ
タン、オクタンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トル
エン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；ジ
エチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル；ジクロロメタ
ン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタ
ンなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。溶媒を
使用する場合、その使用量に特に制限はないが、通常オ
キサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）に対して１〜１０
０重量倍の範囲が好ましく、１〜１０重量倍の範囲がよ
り好ましい。
【００８８】反応温度は、０〜１００℃の範囲が好まし
く、１０〜８０℃の範囲がより好ましい。反応時間は、
オキサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）、アルコール
（ＶＩ）、ルイス酸および溶媒の種類や使用量によって
変動しうるが、通常０．５〜１０時間の範囲である。
く、１０〜８０℃の範囲がより好ましい。反応時間は、
オキサビシクロヘプト−２−エン（Ｖ）、アルコール
（ＶＩ）、ルイス酸および溶媒の種類や使用量によって
変動しうるが、通常０．５〜１０時間の範囲である。
【００８９】反応は、例えばオキサビシクロヘプト−２
−エン（Ｖ）、アルコール（ＶＩ）、ルイス酸および必
要に応じて溶媒を混合し、所定温度で攪拌することで行
う。
−エン（Ｖ）、アルコール（ＶＩ）、ルイス酸および必
要に応じて溶媒を混合し、所定温度で攪拌することで行
う。
【００９０】このようにして得られたシクロヘキセンエ
ステル（ＶＩＩ）は、有機化合物の単離・精製において
通常行われる方法により単離・精製することができる。
例えば反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの脂肪族炭
化水素；トルエンなどの芳香族炭化水素；ジクロロメタ
ンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、ジイ
ソプロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出し、抽出
液を濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーなどにより精製する。
ステル（ＶＩＩ）は、有機化合物の単離・精製において
通常行われる方法により単離・精製することができる。
例えば反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの脂肪族炭
化水素；トルエンなどの芳香族炭化水素；ジクロロメタ
ンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、ジイ
ソプロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出し、抽出
液を濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーなどにより精製する。
【００９１】（ｇ）：シクロヘキセンエステル（ＶＩ
Ｉ）に塩基の存在下でスルホニル化剤を作用させシクロ
ヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）を得る工程
Ｉ）に塩基の存在下でスルホニル化剤を作用させシクロ
ヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）を得る工程
【００９２】塩基としては、例えばトリメチルアミン、
トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルア
ミン、トリオクチルアミン、ピリジン、コリジン、ルチ
ジンなどの３級アミン；水素化ナトリウム、水素化カリ
ウムなどのアルカリ金属の水素化物；炭酸ナトリウム、
炭酸カリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩などが挙げら
れる。これらの中でもトリエチルアミン、ピリジン、ル
チジンが好ましい。塩基の使用量は、シクロヘキセンエ
ステル（ＶＩＩ）１モルに対して１〜１０モルの範囲が
好ましく、１〜５モルの範囲がより好ましい。
トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルア
ミン、トリオクチルアミン、ピリジン、コリジン、ルチ
ジンなどの３級アミン；水素化ナトリウム、水素化カリ
ウムなどのアルカリ金属の水素化物；炭酸ナトリウム、
炭酸カリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩などが挙げら
れる。これらの中でもトリエチルアミン、ピリジン、ル
チジンが好ましい。塩基の使用量は、シクロヘキセンエ
ステル（ＶＩＩ）１モルに対して１〜１０モルの範囲が
好ましく、１〜５モルの範囲がより好ましい。
【００９３】スルホニル化剤としては、例えばメタンス
ルホニルクロリド、メタンスルホニルフルオリド、エタ
ンスルホニルクロリド、エタンスルホニルブロミド、ト
リフルオロメタンスルホニルクロリドなどの置換基を有
していてもよいアルキルスルホニルハライド；ベンゼン
スルホニルクロリド、ベンゼンスルホニルブロミド、ベ
ンゼンスルホニルフルオリド、トルエンスルホニルクロ
リド、トルエンスルホニルブロミド、トルエンスルホニ
ルフルオリド、ｐ−メトキシベンゼンスルホニルクロリ
ド、２，４，６−トリメチルベンゼンスルホニルクロリ
ドなどの置換基を有していてもよいアリールスルホニル
ハライド；ベンジルスルホニルクロリド、ｐ−メチルベ
ンジルスルホニルクロリドなどの置換基を有していても
よいアラルキルスルホニルハライドなどの有機スルホニ
ルハライドや、メタンスルホン酸無水物、トリフルオロ
メタンスルホン酸無水物などの置換基を有していてもよ
いアルキルスルホン酸無水物；ｐ−トルエンスルホン酸
無水物などの置換基を有していてもよいアリールスルホ
ン酸無水物；ベンジルスルホン酸無水物などの置換基を
有していてもよいアラルキルスルホン酸無水物などの有
機スルホン酸無水物などが挙げられる。スルホニル化剤
の使用量は、シクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）１モル
に対して１〜１０モルの範囲が好ましく、１〜５モルの
範囲がより好ましい。
ルホニルクロリド、メタンスルホニルフルオリド、エタ
ンスルホニルクロリド、エタンスルホニルブロミド、ト
リフルオロメタンスルホニルクロリドなどの置換基を有
していてもよいアルキルスルホニルハライド；ベンゼン
スルホニルクロリド、ベンゼンスルホニルブロミド、ベ
ンゼンスルホニルフルオリド、トルエンスルホニルクロ
リド、トルエンスルホニルブロミド、トルエンスルホニ
ルフルオリド、ｐ−メトキシベンゼンスルホニルクロリ
ド、２，４，６−トリメチルベンゼンスルホニルクロリ
ドなどの置換基を有していてもよいアリールスルホニル
ハライド；ベンジルスルホニルクロリド、ｐ−メチルベ
ンジルスルホニルクロリドなどの置換基を有していても
よいアラルキルスルホニルハライドなどの有機スルホニ
ルハライドや、メタンスルホン酸無水物、トリフルオロ
メタンスルホン酸無水物などの置換基を有していてもよ
いアルキルスルホン酸無水物；ｐ−トルエンスルホン酸
無水物などの置換基を有していてもよいアリールスルホ
ン酸無水物；ベンジルスルホン酸無水物などの置換基を
有していてもよいアラルキルスルホン酸無水物などの有
機スルホン酸無水物などが挙げられる。スルホニル化剤
の使用量は、シクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）１モル
に対して１〜１０モルの範囲が好ましく、１〜５モルの
範囲がより好ましい。
【００９４】反応は、溶媒の存在下に行うのが好まし
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を与えない限
り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどのエーテル；ジクロロメタン、クロロホル
ム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲ
ン化炭化水素などが挙げられる。溶媒の使用量に特に制
限はないが、通常シクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）に
対して１〜１００重量倍の範囲が好ましく、１〜１０重
量倍の範囲がより好ましい。
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を与えない限
り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンなどのエーテル；ジクロロメタン、クロロホル
ム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲ
ン化炭化水素などが挙げられる。溶媒の使用量に特に制
限はないが、通常シクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）に
対して１〜１００重量倍の範囲が好ましく、１〜１０重
量倍の範囲がより好ましい。
【００９５】反応温度は、−２０〜５０℃の範囲が好ま
しく、１０〜３０℃の範囲がより好ましい。反応時間
は、シクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）、塩基、スルホ
ニル化剤および溶媒の種類や使用量によって変動しうる
が、通常０．５〜１０時間の範囲である。
しく、１０〜３０℃の範囲がより好ましい。反応時間
は、シクロヘキセンエステル（ＶＩＩ）、塩基、スルホ
ニル化剤および溶媒の種類や使用量によって変動しうる
が、通常０．５〜１０時間の範囲である。
【００９６】反応は、例えばシクロヘキセンエステル
（ＶＩＩ）および塩基を溶媒に溶解して所定温度とし、
この溶液にスルホニル化剤を添加して攪拌することで行
う。
（ＶＩＩ）および塩基を溶媒に溶解して所定温度とし、
この溶液にスルホニル化剤を添加して攪拌することで行
う。
【００９７】このようにして得られたシクロヘキセンエ
ステル（ＶＩＩＩ）は、有機化合物の単離・精製におい
て通常行われる方法により単離・精製することができ
る。例えば反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの脂肪
族炭化水素；トルエンなどの芳香族炭化水素；ジクロロ
メタンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出し、
抽出液を濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーなどにより精製する。
ステル（ＶＩＩＩ）は、有機化合物の単離・精製におい
て通常行われる方法により単離・精製することができ
る。例えば反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの脂肪
族炭化水素；トルエンなどの芳香族炭化水素；ジクロロ
メタンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出し、
抽出液を濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーなどにより精製する。
【００９８】（ｈ）：シクロヘキセンエステル（ＶＩＩ
Ｉ）のＲ2を脱離させてヒドロキシエステル（ＩＸ）を
得る工程
Ｉ）のＲ2を脱離させてヒドロキシエステル（ＩＸ）を
得る工程
【００９９】シクロヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）のＲ
2で示される水酸基の保護基の脱離は、公知の方法
（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎ，“Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒ
ｏｕｐｓｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉ
ｓ，”Ｊｏｈｎ−Ｗｉｌｅｙ ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙ
ｏｒｋ，１９８１，ｐｐ１０−７２）によって行うこと
ができる。
2で示される水酸基の保護基の脱離は、公知の方法
（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎ，“Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒ
ｏｕｐｓｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉ
ｓ，”Ｊｏｈｎ−Ｗｉｌｅｙ ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙ
ｏｒｋ，１９８１，ｐｐ１０−７２）によって行うこと
ができる。
【０１００】反応は、溶媒の存在下で行うことが好まし
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を与えない限
り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；メタノール、エ
タノール、プロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタ
ノールなどのアルコール；ジエチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど
のエーテルなどが挙げられる。溶媒の使用量に特に制限
はないが、通常シクロヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）に
対して１〜１００重量倍の範囲が好ましく、１〜１０重
量倍の範囲がより好ましい。
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を与えない限
り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；メタノール、エ
タノール、プロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタ
ノールなどのアルコール；ジエチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど
のエーテルなどが挙げられる。溶媒の使用量に特に制限
はないが、通常シクロヘキセンエステル（ＶＩＩＩ）に
対して１〜１００重量倍の範囲が好ましく、１〜１０重
量倍の範囲がより好ましい。
【０１０１】このようにして得られたヒドロキシエステ
ル（ＩＸ）は、有機化合物の単離・精製において通常行
われる方法により単離・精製することができる。例えば
反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの脂肪族炭化水
素；トルエンなどの芳香族炭化水素；ジクロロメタンな
どのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出し、抽出液を
濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーなどにより精製する。
ル（ＩＸ）は、有機化合物の単離・精製において通常行
われる方法により単離・精製することができる。例えば
反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの脂肪族炭化水
素；トルエンなどの芳香族炭化水素；ジクロロメタンな
どのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出し、抽出液を
濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーなどにより精製する。
【０１０２】なお、Ｒ2で示される水酸基の保護基がア
セチル基のようなアシル基の場合、その脱離はメタノー
ル、エタノールなどのアルコールを溶媒とし、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩を塩
基として用いて行うことができ、かかる場合には次の工
程（ｉ）で述べるヒドロキシエステル（ＩＸ）に塩基を
作用させる反応を同時に行い、一段階の反応で５−オキ
シ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エ
ン−３−カルボン酸エステル（Ｘ）を得ることができ
る。
セチル基のようなアシル基の場合、その脱離はメタノー
ル、エタノールなどのアルコールを溶媒とし、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩を塩
基として用いて行うことができ、かかる場合には次の工
程（ｉ）で述べるヒドロキシエステル（ＩＸ）に塩基を
作用させる反応を同時に行い、一段階の反応で５−オキ
シ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エ
ン−３−カルボン酸エステル（Ｘ）を得ることができ
る。
【０１０３】（ｉ）ヒドロキシエステル（ＩＸ）に塩基
を作用させて５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．
１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステル
（Ｘ）を得る工程
を作用させて５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．
１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステル
（Ｘ）を得る工程
【０１０４】塩基としては、例えばトリメチルアミン、
トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルア
ミン、トリオクチルアミン、ピリジン、コリジン、ルチ
ジンなどの３級アミン；水素化ナトリウム、水素化カリ
ウムなどのアルカリ金属の水素化物；炭酸ナトリウム、
炭酸カリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩などが挙げら
れる。塩基の使用量はヒドロキシエステル（ＩＸ）１モ
ルに対して１〜１０モルの範囲が好ましく、１〜５モル
の範囲がより好ましい。
トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルア
ミン、トリオクチルアミン、ピリジン、コリジン、ルチ
ジンなどの３級アミン；水素化ナトリウム、水素化カリ
ウムなどのアルカリ金属の水素化物；炭酸ナトリウム、
炭酸カリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩などが挙げら
れる。塩基の使用量はヒドロキシエステル（ＩＸ）１モ
ルに対して１〜１０モルの範囲が好ましく、１〜５モル
の範囲がより好ましい。
【０１０５】反応は、溶媒の存在下で行うことが好まし
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を与えない限
り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；メタノール、エ
タノール、プロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタ
ノールなどのアルコール；ジエチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど
のエーテルなどが挙げられる。溶媒の使用量に特に制限
はないが、通常ヒドロキシエステル（ＩＸ）に対して１
〜１００重量倍の範囲が好ましく、１〜１０重量倍の範
囲がより好ましい。
い。使用する溶媒としては、反応に悪影響を与えない限
り特に制限はなく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレンなどの芳香族炭化水素；メタノール、エ
タノール、プロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタ
ノールなどのアルコール；ジエチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど
のエーテルなどが挙げられる。溶媒の使用量に特に制限
はないが、通常ヒドロキシエステル（ＩＸ）に対して１
〜１００重量倍の範囲が好ましく、１〜１０重量倍の範
囲がより好ましい。
【０１０６】反応温度は、−２０〜５０℃の範囲が好ま
しく、１０〜３０℃の範囲がより好ましい。反応時間
は、ヒドロキシエステル（ＩＸ）、塩基および溶媒の種
類や使用量によって変動しうるが、通常０．５〜１０時
間の範囲である。
しく、１０〜３０℃の範囲がより好ましい。反応時間
は、ヒドロキシエステル（ＩＸ）、塩基および溶媒の種
類や使用量によって変動しうるが、通常０．５〜１０時
間の範囲である。
【０１０７】反応は、例えばヒドロキシエステル（Ｉ
Ｘ）を溶媒に溶解して所定温度とし、塩基を添加して攪
拌することで行う。
Ｘ）を溶媒に溶解して所定温度とし、塩基を添加して攪
拌することで行う。
【０１０８】このようにして得られた５−オキシ−７−
オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−
カルボン酸エステル（Ｘ）は、有機化合物の単離・精製
において通常行われる方法により単離・精製することが
できる。例えば反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの
脂肪族炭化水素；トルエンなどの芳香族炭化水素；ジク
ロロメタンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出
し、抽出液を濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーなどにより精製する。
オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−
カルボン酸エステル（Ｘ）は、有機化合物の単離・精製
において通常行われる方法により単離・精製することが
できる。例えば反応混合物を水にあけ、ヘキサンなどの
脂肪族炭化水素；トルエンなどの芳香族炭化水素；ジク
ロロメタンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテルなどのエーテルなどで抽出
し、抽出液を濃縮して得られる濃縮物を蒸留、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーなどにより精製する。
【０１０９】なお、本発明の出発物質であるハロラクト
ン（Ｉ）は、後記参考例１〜４に示すように、フランと
一般式（ＸＩＩＩ）
ン（Ｉ）は、後記参考例１〜４に示すように、フランと
一般式（ＸＩＩＩ）
【０１１０】
【化７０】
【０１１１】（式中、Ｒ7は置換基を有していてもよい
アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を
有していてもよいアリール基または置換基を有していて
もよいアラルキル基を表す。）で示されるアクリル酸エ
ステルを、ヨウ化亜鉛、塩化亜鉛、四塩化チタンなどの
ルイス酸の存在下でディールスアルダー反応を行い［テ
トラヘドロン レターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ），２３巻，５２９９頁（１９８２年）参
照］、得られた化合物に水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムなどの強塩基を作用させてカルボン酸に変換し、次
いで炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどの塩基
の存在下にヨウ素、臭素などのハロゲンを反応させるこ
とにより製造することができる［ジャーナル・ケミカル
・ソサイエティー・ケミカル・コミニケーション（Ｊ．
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．）、４０
６頁（１９９２年）参照］。
アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を
有していてもよいアリール基または置換基を有していて
もよいアラルキル基を表す。）で示されるアクリル酸エ
ステルを、ヨウ化亜鉛、塩化亜鉛、四塩化チタンなどの
ルイス酸の存在下でディールスアルダー反応を行い［テ
トラヘドロン レターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ），２３巻，５２９９頁（１９８２年）参
照］、得られた化合物に水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムなどの強塩基を作用させてカルボン酸に変換し、次
いで炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどの塩基
の存在下にヨウ素、臭素などのハロゲンを反応させるこ
とにより製造することができる［ジャーナル・ケミカル
・ソサイエティー・ケミカル・コミニケーション（Ｊ．
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．）、４０
６頁（１９９２年）参照］。
【０１１２】本発明の方法で得られる５−オキシ−７−
オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−
カルボン酸エステル（Ｘ）、例えば、エチル （１β，
５α，６β）−５−（１−エチルプロポキシ）−７−オ
キサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カ
ルボキシレートから、ジャーナル・オブ・オーガニック
・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）第６３巻、
第４５４５頁（１９９８年）に記載の方法に従ってＧＳ
４１０４を合成することができる。
オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−
カルボン酸エステル（Ｘ）、例えば、エチル （１β，
５α，６β）−５−（１−エチルプロポキシ）−７−オ
キサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カ
ルボキシレートから、ジャーナル・オブ・オーガニック
・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）第６３巻、
第４５４５頁（１９９８年）に記載の方法に従ってＧＳ
４１０４を合成することができる。
【０１１３】本発明の方法において、一般式（ＸＩ−
１）
１）
【０１１４】
【化７１】
【０１１５】（式中、Ｒ4は水素原子、置換基を有して
いてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシク
ロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル
基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有
していてもよいアラルキル基またはカルボン酸塩を形成
できる金属を表す。）または一般式（ＸＩ−２）
いてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシク
ロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル
基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有
していてもよいアラルキル基またはカルボン酸塩を形成
できる金属を表す。）または一般式（ＸＩ−２）
【０１１６】
【化７２】
【０１１７】（式中、Ｒ4は前記定義のとおりであ
る。）で示されるエンド−２，３−エポキシ−７−オキ
サビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５−カル
ボン酸誘導体は、重要な中間体である。ここで、一般式
（ＸＩ−１）、一般式（ＸＩ−２）の化合物は、Ｒ4が
水素原子の時、それぞれ上述の一般式（ＩＩ−１）、一
般式（ＩＩ−２）の化合物となり、Ｒ4がＲ1の時、それ
ぞれ上述の一般式（ＩＩＩ−１）、一般式（ＩＩＩ−
２）の化合物となる。
る。）で示されるエンド−２，３−エポキシ−７−オキ
サビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５−カル
ボン酸誘導体は、重要な中間体である。ここで、一般式
（ＸＩ−１）、一般式（ＸＩ−２）の化合物は、Ｒ4が
水素原子の時、それぞれ上述の一般式（ＩＩ−１）、一
般式（ＩＩ−２）の化合物となり、Ｒ4がＲ1の時、それ
ぞれ上述の一般式（ＩＩＩ−１）、一般式（ＩＩＩ−
２）の化合物となる。
【０１１８】また、本発明の方法において、一般式（Ｘ
ＩＩ−１）
ＩＩ−１）
【０１１９】
【化７３】
【０１２０】（式中、Ｒ1およびＲ3は独立して置換基を
有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよ
いシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケ
ニル基、置換基を有していてもよいアリール基または置
換基を有していてもよいアラルキル基を表し、Ｒ5およ
びＲ6は独立して水素原子、置換基を有していてもよい
アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を
有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよ
いアラルキル基、水酸基の保護基または有機スルホニル
基を表す。）または一般式（ＸＩＩ−２）
有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよ
いシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケ
ニル基、置換基を有していてもよいアリール基または置
換基を有していてもよいアラルキル基を表し、Ｒ5およ
びＲ6は独立して水素原子、置換基を有していてもよい
アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を
有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよ
いアラルキル基、水酸基の保護基または有機スルホニル
基を表す。）または一般式（ＸＩＩ−２）
【０１２１】
【化７４】
【０１２２】（式中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ5およびＲ6は前記定
義のとおりである。）で示される３，４，５−トリオキ
シ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸誘導体も、重
要な中間体である。ここで、一般式（ＸＩＩ−１）、一
般式（ＸＩＩ−２）の化合物は、Ｒ5がＲ2でかつＲ6が
水素原子の時、それぞれ、一般式（ＸＩＩ−１）、（Ｘ
ＩＩ−２）と同じ立体配置を有するシクロヘキセンエス
テル（ＶＩＩ）に相当し、Ｒ5がＲ2でかつＲ6がＡの
時、それぞれ、一般式（ＸＩＩ−１）、（ＸＩＩ−２）
と同じ立体配置を有するシクロヘキセンエステル（ＶＩ
ＩＩ）に相当し、Ｒ5が水素原子でかつＲ6がＡの時、そ
れぞれ、一般式（ＸＩＩ−１）、（ＸＩＩ−２）と同じ
立体配置を有するヒドロキシエステル（ＩＸ）に相当す
る。
義のとおりである。）で示される３，４，５−トリオキ
シ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸誘導体も、重
要な中間体である。ここで、一般式（ＸＩＩ−１）、一
般式（ＸＩＩ−２）の化合物は、Ｒ5がＲ2でかつＲ6が
水素原子の時、それぞれ、一般式（ＸＩＩ−１）、（Ｘ
ＩＩ−２）と同じ立体配置を有するシクロヘキセンエス
テル（ＶＩＩ）に相当し、Ｒ5がＲ2でかつＲ6がＡの
時、それぞれ、一般式（ＸＩＩ−１）、（ＸＩＩ−２）
と同じ立体配置を有するシクロヘキセンエステル（ＶＩ
ＩＩ）に相当し、Ｒ5が水素原子でかつＲ6がＡの時、そ
れぞれ、一般式（ＸＩＩ−１）、（ＸＩＩ−２）と同じ
立体配置を有するヒドロキシエステル（ＩＸ）に相当す
る。
【０１２３】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はかかる実施例に限定されるものではな
い。
るが、本発明はかかる実施例に限定されるものではな
い。
【０１２４】参考例１：メチル ７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン−エンド−５−カルボ
キシレートの合成 フラン１０ｍｌ（１４２ｍｍｏｌ）にアクリル酸メチル
９．０ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）を加え、−１０℃に冷却
した。この溶液に、四塩化チタンをジクロロメタンに溶
解させた溶液４０ｍｌ（１ｍｏｌ／ｌ、４０ｍｍｏｌ）
を−１０℃で４５分間かけて滴下し、−１０℃で２時間
攪拌した。反応液を、冷却した飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液中にゆっくり注ぎ、３０分間攪拌した。析出した
不純物をろ別し、有機層、水層を分離し、水層を更にジ
クロロメタン５０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせ
て無水硫酸ナトリウムで乾燥した後溶媒を留去した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：１０）により精製し、メチル ７−
オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−エン
ド−５−カルボキシレート５．９５ｇ（３８．６ｍｍｏ
ｌ，収率３８．６％）、メチル ７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン−エキソ−５−カルボ
キシレート２．５５ｇ（１６．６ｍｍｏｌ，収率１６．
６％）を得た。なお、エンド体とエキソ体の生成比は
７：３であった。
［２．２．１］ヘプト−２−エン−エンド−５−カルボ
キシレートの合成 フラン１０ｍｌ（１４２ｍｍｏｌ）にアクリル酸メチル
９．０ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）を加え、−１０℃に冷却
した。この溶液に、四塩化チタンをジクロロメタンに溶
解させた溶液４０ｍｌ（１ｍｏｌ／ｌ、４０ｍｍｏｌ）
を−１０℃で４５分間かけて滴下し、−１０℃で２時間
攪拌した。反応液を、冷却した飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液中にゆっくり注ぎ、３０分間攪拌した。析出した
不純物をろ別し、有機層、水層を分離し、水層を更にジ
クロロメタン５０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせ
て無水硫酸ナトリウムで乾燥した後溶媒を留去した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：１０）により精製し、メチル ７−
オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−エン
ド−５−カルボキシレート５．９５ｇ（３８．６ｍｍｏ
ｌ，収率３８．６％）、メチル ７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン−エキソ−５−カルボ
キシレート２．５５ｇ（１６．６ｍｍｏｌ，収率１６．
６％）を得た。なお、エンド体とエキソ体の生成比は
７：３であった。
【０１２５】1Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）： エンド体：δ＝６．４６−６．４３（１Ｈ，ｍ），６．
２５−６．２２（１Ｈ，ｍ），５．１８−５．１６（１
Ｈ，ｍ），５．０３−５．０１（１Ｈ，ｍ），３．６５
（３Ｈ，ｓ），３．１８−３．０５（１Ｈ，ｍ），２．
１８−２．０２（１Ｈ，ｍ），１．６８−１．５２（１
Ｈ，ｍ） エキソ体：δ＝６．４２−６．３２（２Ｈ，ｍ），５．
１９（１Ｈ，ｓ），５．０８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．５Ｈ
ｚ），３．７３（３Ｈ，ｓ），２．５０−２．４０（１
Ｈ，ｍ），２．２５−２．１５（１Ｈ，ｍ），１．６３
−１．５５（１Ｈ，ｍ）
２５−６．２２（１Ｈ，ｍ），５．１８−５．１６（１
Ｈ，ｍ），５．０３−５．０１（１Ｈ，ｍ），３．６５
（３Ｈ，ｓ），３．１８−３．０５（１Ｈ，ｍ），２．
１８−２．０２（１Ｈ，ｍ），１．６８−１．５２（１
Ｈ，ｍ） エキソ体：δ＝６．４２−６．３２（２Ｈ，ｍ），５．
１９（１Ｈ，ｓ），５．０８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．５Ｈ
ｚ），３．７３（３Ｈ，ｓ），２．５０−２．４０（１
Ｈ，ｍ），２．２５−２．１５（１Ｈ，ｍ），１．６３
−１．５５（１Ｈ，ｍ）
【０１２６】参考例２：７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプト−２−エン−エンド−５−カルボン酸の合成 参考例１の方法で得られたメチル ７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン−エンド−５−カルボ
キシレート５０．５ｇ（３２８ｍｍｏｌ）を５℃に冷却
し、水酸化ナトリウム２０．３ｇ（５０７ｍｍｏｌ）を
蒸留水１８２ｍｌに溶解した水溶液を１５分間かけて滴
下した。滴下後、反応液を３０分間かけて室温まで昇温
し、室温で２時間攪拌した。反応液に６規定塩酸１４０
ｍｌを加えてｐＨ＜１とし、クロロホルム１００ｍｌで
４回抽出した。有機層を合わせて無水硫酸ナトリウムで
乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）によ
り精製し、目的物４０．２ｇ（２８７ｍｍｏｌ，収率８
７．５％）を得た。
１］ヘプト−２−エン−エンド−５−カルボン酸の合成 参考例１の方法で得られたメチル ７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−２−エン−エンド−５−カルボ
キシレート５０．５ｇ（３２８ｍｍｏｌ）を５℃に冷却
し、水酸化ナトリウム２０．３ｇ（５０７ｍｍｏｌ）を
蒸留水１８２ｍｌに溶解した水溶液を１５分間かけて滴
下した。滴下後、反応液を３０分間かけて室温まで昇温
し、室温で２時間攪拌した。反応液に６規定塩酸１４０
ｍｌを加えてｐＨ＜１とし、クロロホルム１００ｍｌで
４回抽出した。有機層を合わせて無水硫酸ナトリウムで
乾燥後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）によ
り精製し、目的物４０．２ｇ（２８７ｍｍｏｌ，収率８
７．５％）を得た。
【０１２７】1Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝７．
１２−７．０３（１Ｈ，ｍ），６．３１−６．１８（２
Ｈ，ｍ），４．４５−４．３２（１Ｈ，ｍ），４．２３
（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．００−２．８５
（１Ｈ，ｍ），２．７１−２．５４（１Ｈ，ｍ），１．
５８（１Ｈ，ｓ），１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈ
ｚ）
１２−７．０３（１Ｈ，ｍ），６．３１−６．１８（２
Ｈ，ｍ），４．４５−４．３２（１Ｈ，ｍ），４．２３
（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．００−２．８５
（１Ｈ，ｍ），２．７１−２．５４（１Ｈ，ｍ），１．
５８（１Ｈ，ｓ），１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈ
ｚ）
【０１２８】参考例３：エキソ−２−ヨード−７−オキ
サビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５，３−
カルボラクトンの合成 参考例２で得られた７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン−エンド−５−カルボン酸１．４０ｇ
（１０．０ｍｍｏｌ）、ヨウ素５．１ｇ（２０ｍｍｏ
ｌ）およびヨウ化ナトリウム１５ｇ（０．１ｍｏｌ）を
５％炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍｌに溶解し、室温
で１２時間攪拌した。反応液に１０％チオ硫酸ナトリウ
ム水溶液を赤色が消失するまで加えた。反応液をジクロ
ロメタンで抽出し飽和食塩水２０ｍｌで洗浄した後、無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣を再
結晶（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）により精製
し、目的物２．４７ｇ（９．２６ｍｍｏｌ，収率９２．
６％）を得た。
サビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５，３−
カルボラクトンの合成 参考例２で得られた７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン−エンド−５−カルボン酸１．４０ｇ
（１０．０ｍｍｏｌ）、ヨウ素５．１ｇ（２０ｍｍｏ
ｌ）およびヨウ化ナトリウム１５ｇ（０．１ｍｏｌ）を
５％炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍｌに溶解し、室温
で１２時間攪拌した。反応液に１０％チオ硫酸ナトリウ
ム水溶液を赤色が消失するまで加えた。反応液をジクロ
ロメタンで抽出し飽和食塩水２０ｍｌで洗浄した後、無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣を再
結晶（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）により精製
し、目的物２．４７ｇ（９．２６ｍｍｏｌ，収率９２．
６％）を得た。
【０１２９】ＩＲ（ｎｅａｔ）：３０２０，１７９５，
１４４８，１３４８，１３２１，１２１５，１１８４，
１０２４ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝５．３９（１Ｈ，
ｔ，Ｊ＝４．５Ｈｚ），５．１３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．
５Ｈｚ），４．８２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．５Ｈｚ），
３．９４（１Ｈ，ｓ），２．８０−２．７５（１Ｈ，
ｍ），２．２２−２．１６（２Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：２６６（Ｍ+），１３９［（Ｍ−
Ｉ）+］，１２７，１１１，８３ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ7Ｈ7Ｏ3Ｉ（Ｍ+）：
２６５．９４４０ Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝２６５．９４４５
１４４８，１３４８，１３２１，１２１５，１１８４，
１０２４ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝５．３９（１Ｈ，
ｔ，Ｊ＝４．５Ｈｚ），５．１３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．
５Ｈｚ），４．８２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．５Ｈｚ），
３．９４（１Ｈ，ｓ），２．８０−２．７５（１Ｈ，
ｍ），２．２２−２．１６（２Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：２６６（Ｍ+），１３９［（Ｍ−
Ｉ）+］，１２７，１１１，８３ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ7Ｈ7Ｏ3Ｉ（Ｍ+）：
２６５．９４４０ Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝２６５．９４４５
【０１３０】参考例４：エキソ−２−ブロモ−７−オキ
サビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５，３−
カルボラクトンの合成 参考例２で得られた７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン−エンド−５−カルボン酸５．００ｇ
（３５．７ｍｍｏｌ）を水３２ｇに溶解し、炭酸水素ナ
トリウム３．００ｇ（３５．７ｍｍｏｌ）を発泡に注意
しながら少しずつ加えた。発泡がなくなってから、臭素
５．７０ｇ（３５．７ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下し、
室温で２時間攪拌した。反応液を酢酸エチルで抽出し、
飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液１００ｍｌで洗浄した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残
渣を再結晶（酢酸エチル）により精製し、目的物７．０
０ｇ（３２．０ｍｍｏｌ，収率８９．６％）を得た。
サビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５，３−
カルボラクトンの合成 参考例２で得られた７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプト−２−エン−エンド−５−カルボン酸５．００ｇ
（３５．７ｍｍｏｌ）を水３２ｇに溶解し、炭酸水素ナ
トリウム３．００ｇ（３５．７ｍｍｏｌ）を発泡に注意
しながら少しずつ加えた。発泡がなくなってから、臭素
５．７０ｇ（３５．７ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下し、
室温で２時間攪拌した。反応液を酢酸エチルで抽出し、
飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液１００ｍｌで洗浄した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残
渣を再結晶（酢酸エチル）により精製し、目的物７．０
０ｇ（３２．０ｍｍｏｌ，収率８９．６％）を得た。
【０１３１】1Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ）：δ＝５．
４３（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），４．９７（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），４．７８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．
０Ｈｚ），３．９４（１Ｈ，ｓ），２．８１−２．７５
（１Ｈ，ｍ），２．０８−２．３７（２Ｈ，ｍ）
４３（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），４．９７（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），４．７８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．
０Ｈｚ），３．９４（１Ｈ，ｓ），２．８１−２．７５
（１Ｈ，ｍ），２．０８−２．３７（２Ｈ，ｍ）
【０１３２】実施例１：エンド−２，３−エポキシ−７
−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５
−カルボン酸の合成 水酸化カリウム０．６３ｇ（１１．２２ｍｍｏｌ）をメ
タノール２．５ｍｌとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１
７．５ｍｌの混合液に溶解させ、この溶液に参考例３で
得られたエキソ−２−ヨード−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−エンド−５，３−カルボラク
トン０．５ｇ（１．８７ｍｍｏｌ）を加え室温で２．５
時間攪拌した。反応液に３％塩酸水溶液１５ｍｌを加え
て中和し、ジクロロメタンで抽出し、有機層を飽和食塩
水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を
留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）により精製し、目的
物０．２９２ｇ（１．８６ｍｍｏｌ，収率９９．７％）
を得た。
−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５
−カルボン酸の合成 水酸化カリウム０．６３ｇ（１１．２２ｍｍｏｌ）をメ
タノール２．５ｍｌとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１
７．５ｍｌの混合液に溶解させ、この溶液に参考例３で
得られたエキソ−２−ヨード−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−エンド−５，３−カルボラク
トン０．５ｇ（１．８７ｍｍｏｌ）を加え室温で２．５
時間攪拌した。反応液に３％塩酸水溶液１５ｍｌを加え
て中和し、ジクロロメタンで抽出し、有機層を飽和食塩
水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を
留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）により精製し、目的
物０．２９２ｇ（１．８６ｍｍｏｌ，収率９９．７％）
を得た。
【０１３３】ＩＲ（ｎｅａｔ）：３０２０，２９７４，
２６２７，１７０７，１４２１，１３０４，１２４８，
１２１５ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝９．４０−８．１
０（１Ｈ，ｂｓ），４．７２−４．６９（１Ｈ，ｍ），
４．５５−４．５２（１Ｈ，ｍ），４．１５−４．１３
（１Ｈ，ｍ），４．０６−４．０３（１Ｈ，ｍ），３．
０２−２．９４（１Ｈ，ｍ），２．１３−１．９２（１
Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：１５６（Ｍ+），１３９，１２７，
１１０，９９ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ7Ｈ8Ｏ4（Ｍ+）：１
５６．０４２３、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１５６．０４２
１
２６２７，１７０７，１４２１，１３０４，１２４８，
１２１５ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝９．４０−８．１
０（１Ｈ，ｂｓ），４．７２−４．６９（１Ｈ，ｍ），
４．５５−４．５２（１Ｈ，ｍ），４．１５−４．１３
（１Ｈ，ｍ），４．０６−４．０３（１Ｈ，ｍ），３．
０２−２．９４（１Ｈ，ｍ），２．１３−１．９２（１
Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：１５６（Ｍ+），１３９，１２７，
１１０，９９ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ7Ｈ8Ｏ4（Ｍ+）：１
５６．０４２３、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１５６．０４２
１
【０１３４】実施例２：エンド−２，３−エポキシ−７
−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５
−カルボン酸の合成 水酸化カリウム１．５５ｇ（２３．９ｍｍｏｌ）を水
３．５ｇに溶解させ、この溶液に参考例４で得られたエ
キソ−２−ブロモ−７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−エンド−５，３−カルボラクトン２．５ｇ
（１１．４ｍｍｏｌ）を加え８０℃で３時間攪拌した。
反応液に０．５Ｍ硫酸水溶液１４ｍｌを加えて酸性と
し、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：１）により精製し、目的物１．６４
ｇ（１０．５ｍｍｏｌ，収率９２．１％）を得た。
−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５
−カルボン酸の合成 水酸化カリウム１．５５ｇ（２３．９ｍｍｏｌ）を水
３．５ｇに溶解させ、この溶液に参考例４で得られたエ
キソ−２−ブロモ−７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−エンド−５，３−カルボラクトン２．５ｇ
（１１．４ｍｍｏｌ）を加え８０℃で３時間攪拌した。
反応液に０．５Ｍ硫酸水溶液１４ｍｌを加えて酸性と
し、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：１）により精製し、目的物１．６４
ｇ（１０．５ｍｍｏｌ，収率９２．１％）を得た。
【０１３５】ＩＲ（ｎｅａｔ）：３０２０，２９７４，
２６２７，１７０７，１４２１，１３０４，１２４８，
１２１５ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝９．４０−８．１
０（１Ｈ，ｂｓ），４．７２−４．６９（１Ｈ，ｍ），
４．５５−４．５２（１Ｈ，ｍ），４．１５−４．１３
（１Ｈ，ｍ），４．０６−４．０３（１Ｈ，ｍ），３．
０２−２．９４（１Ｈ，ｍ），２．１３−１．９２（１
Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：１５６（Ｍ+），１３９，１２７，
１１０，９９ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ7Ｈ8Ｏ4（Ｍ+）：１
５６．０４２３、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１５６．０４２
１
２６２７，１７０７，１４２１，１３０４，１２４８，
１２１５ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝９．４０−８．１
０（１Ｈ，ｂｓ），４．７２−４．６９（１Ｈ，ｍ），
４．５５−４．５２（１Ｈ，ｍ），４．１５−４．１３
（１Ｈ，ｍ），４．０６−４．０３（１Ｈ，ｍ），３．
０２−２．９４（１Ｈ，ｍ），２．１３−１．９２（１
Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：１５６（Ｍ+），１３９，１２７，
１１０，９９ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ7Ｈ8Ｏ4（Ｍ+）：１
５６．０４２３、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１５６．０４２
１
【０１３６】実施例３：エチル エンド−２，３−エポ
キシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エ
ンド−５−カルボキシレートの合成 実施例１で得られたエンド−２，３−エポキシ−７−オ
キサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５−カ
ルボン酸０．１４６ｇ（０．９３２ｍｍｏｌ）にオルト
酢酸トリエチル０．７６ｇ（４．６６ｍｍｏｌ）を加
え、１４０℃で３時間攪拌した。反応液を濃縮し、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー (酢酸エチル：
ヘキサン＝１：５）により精製し、目的物０．１７１ｇ
（０．９２７ｍｍｏｌ，収率９９．４％）を得た。
キシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エ
ンド−５−カルボキシレートの合成 実施例１で得られたエンド−２，３−エポキシ−７−オ
キサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エンド−５−カ
ルボン酸０．１４６ｇ（０．９３２ｍｍｏｌ）にオルト
酢酸トリエチル０．７６ｇ（４．６６ｍｍｏｌ）を加
え、１４０℃で３時間攪拌した。反応液を濃縮し、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー (酢酸エチル：
ヘキサン＝１：５）により精製し、目的物０．１７１ｇ
（０．９２７ｍｍｏｌ，収率９９．４％）を得た。
【０１３７】ＩＲ（ｎｅａｔ）：２９８２，１７３２，
１４５０，１３６９，１３３４，１２９８，１２１９，
１０４１ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝４．７０−４．６
８（１Ｈ，ｍ），４．５２−４．５０（１Ｈ，ｍ），
４．２０（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．１２−
４．０９（１Ｈ，ｍ），４．０３−４．００（１Ｈ，
ｍ），２．９５−２．８２（１Ｈ，ｍ），２．１１−
１．９６（１Ｈ，ｍ），１．２９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．
２Ｈｚ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：１８４（Ｍ+），１６６，１５５，
１３９，１２７，１１０，９９ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ9Ｈ12Ｏ4（Ｍ+）：
１８４．０７３６、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１８４．０７
３６
１４５０，１３６９，１３３４，１２９８，１２１９，
１０４１ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝４．７０−４．６
８（１Ｈ，ｍ），４．５２−４．５０（１Ｈ，ｍ），
４．２０（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．１２−
４．０９（１Ｈ，ｍ），４．０３−４．００（１Ｈ，
ｍ），２．９５−２．８２（１Ｈ，ｍ），２．１１−
１．９６（１Ｈ，ｍ），１．２９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．
２Ｈｚ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：１８４（Ｍ+），１６６，１５５，
１３９，１２７，１１０，９９ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ9Ｈ12Ｏ4（Ｍ+）：
１８４．０７３６、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１８４．０７
３６
【０１３８】実施例４：エチル エンド−２，３−エポ
キシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エ
ンド−５−カルボキシレートの合成 水酸化カリウム０．３７ｇ（５．６１ｍｍｏｌ）をメタ
ノール２．５ｍｌとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１
７．５ｍｌの混合液に溶解させた後、参考例３で得られ
たエキソ−２−ヨード−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−エンド−５，３−カルボラクトン０．５
ｇ（１．８７ｍｍｏｌ）を加え室温で３時間攪拌した。
メタノールを留去し、反応液にヨウ化エチル０．９６ｇ
（６．１７ｍｍｏｌ）を加え室温で６時間攪拌した。反
応液に１Ｎ塩酸水溶液５０ｍｌを加え、酢酸エチル（２
０ｍｌで８回）で抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：５）により精製し、目的物０．３３
ｇ（１．７９ｍｍｏｌ，収率９５．９％）を得た。
キシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−エ
ンド−５−カルボキシレートの合成 水酸化カリウム０．３７ｇ（５．６１ｍｍｏｌ）をメタ
ノール２．５ｍｌとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１
７．５ｍｌの混合液に溶解させた後、参考例３で得られ
たエキソ−２−ヨード−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−エンド−５，３−カルボラクトン０．５
ｇ（１．８７ｍｍｏｌ）を加え室温で３時間攪拌した。
メタノールを留去し、反応液にヨウ化エチル０．９６ｇ
（６．１７ｍｍｏｌ）を加え室温で６時間攪拌した。反
応液に１Ｎ塩酸水溶液５０ｍｌを加え、酢酸エチル（２
０ｍｌで８回）で抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：５）により精製し、目的物０．３３
ｇ（１．７９ｍｍｏｌ，収率９５．９％）を得た。
【０１３９】ＩＲ（ｎｅａｔ）：２９８２，１７３２，
１４５０，１３６９，１３３４，１２９８，１２１９，
１０４１ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝４．７０−４．６
８（１Ｈ，ｍ），４．５２−４．５０（１Ｈ，ｍ），
４．２０（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．１２−
４．０９（１Ｈ，ｍ），４．０３−４．００（１Ｈ，
ｍ），２．９５−２．８２（１Ｈ，ｍ），２．１１−
１．９６（１Ｈ，ｍ），１．２９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．
２Ｈｚ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：１８４（Ｍ+），１６６，１５５，
１３９，１２７，１１０，９９ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ9Ｈ12Ｏ4（Ｍ+）：
１８４．０７３６、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１８４．０７
３６
１４５０，１３６９，１３３４，１２９８，１２１９，
１０４１ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝４．７０−４．６
８（１Ｈ，ｍ），４．５２−４．５０（１Ｈ，ｍ），
４．２０（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．１２−
４．０９（１Ｈ，ｍ），４．０３−４．００（１Ｈ，
ｍ），２．９５−２．８２（１Ｈ，ｍ），２．１１−
１．９６（１Ｈ，ｍ），１．２９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．
２Ｈｚ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：１８４（Ｍ+），１６６，１５５，
１３９，１２７，１１０，９９ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ9Ｈ12Ｏ4（Ｍ+）：
１８４．０７３６、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１８４．０７
３６
【０１４０】実施例５：エチル （１α，５α，６α）
−５−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］
ヘプト−２−エン−３−カルボキシレートの合成 リチウムヘキサメチルジシラザンのテトラヒドロフラン
溶液０．３２ｍｌ（１．０ｍｏｌ／ｌ、０．３２ｍｍｏ
ｌ）にテトラヒドロフラン１ｍｌを加え、−７８℃に冷
却した。この溶液に、実施例３で得られたエチル エン
ド−２，３−エポキシ−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−エンド−５−カルボキシレート５３ｍｇ
（０．２８７ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１ｍｌに
溶解したものを滴下し、滴下終了後−１０℃で１時間攪
拌した。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液５ｍｌを
加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を飽和食塩水
５ｍｌで洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶
媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）により精製し、
目的物５１．７ｍｇ（０．２８ｍｍｏｌ，収率９７．５
％）を得た。
−５−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］
ヘプト−２−エン−３−カルボキシレートの合成 リチウムヘキサメチルジシラザンのテトラヒドロフラン
溶液０．３２ｍｌ（１．０ｍｏｌ／ｌ、０．３２ｍｍｏ
ｌ）にテトラヒドロフラン１ｍｌを加え、−７８℃に冷
却した。この溶液に、実施例３で得られたエチル エン
ド−２，３−エポキシ−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−エンド−５−カルボキシレート５３ｍｇ
（０．２８７ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１ｍｌに
溶解したものを滴下し、滴下終了後−１０℃で１時間攪
拌した。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液５ｍｌを
加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を飽和食塩水
５ｍｌで洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶
媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）により精製し、
目的物５１．７ｍｇ（０．２８ｍｍｏｌ，収率９７．５
％）を得た。
【０１４１】ＩＲ（ｎｅａｔ）：３４４５，２９８４，
２９３５，１７１２，１６４５，１４１７，１３８６，
１３６７，１２６３，１２０７ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝７．１６−７．１
３（１Ｈ，ｍ），４．５７−４．５５（１Ｈ，ｍ），
４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．５９−
３．５８（１Ｈ，ｍ），３．５０−３．４７（１Ｈ，
ｍ），２．８６−２．７９（１Ｈ，ｍ），２．３７−
２．２２（１Ｈ，ｍ），１．３０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．
２Ｈｚ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：１６６［（Ｍ−Ｈ2Ｏ）+］，１５
５，１３８，１２１，１１０，９７ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ9Ｈ10Ｏ3［（Ｍ−Ｈ
2Ｏ）+］：１６６．０６３０、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１
６６．０６４５
２９３５，１７１２，１６４５，１４１７，１３８６，
１３６７，１２６３，１２０７ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝７．１６−７．１
３（１Ｈ，ｍ），４．５７−４．５５（１Ｈ，ｍ），
４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．５９−
３．５８（１Ｈ，ｍ），３．５０−３．４７（１Ｈ，
ｍ），２．８６−２．７９（１Ｈ，ｍ），２．３７−
２．２２（１Ｈ，ｍ），１．３０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．
２Ｈｚ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：１６６［（Ｍ−Ｈ2Ｏ）+］，１５
５，１３８，１２１，１１０，９７ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ9Ｈ10Ｏ3［（Ｍ−Ｈ
2Ｏ）+］：１６６．０６３０、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１
６６．０６４５
【０１４２】実施例６：エチル （１α，５α，６α）
−５−アセトキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］
ヘプト−２−エン−３−カルボキシレートの合成 実施例５で得られたエチル （１α，５α，６α）−５
−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプ
ト−２−エン−３−カルボキシレート１５ｍｇ（０．０
８１ｍｍｏｌ）をジクロロメタン０．５ｍｌに溶解し、
無水酢酸１２．４ｍｇ（０．１２２ｍｍｏｌ）、トリエ
チルアミン１２．４ｍｇ（０．１２２ｍｍｏｌ）および
４−ジメチルアミノピリジン１ｍｇ（０．００８ｍｍｏ
ｌ）を加え、室温で３０分間攪拌した。反応終了後、溶
媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）により精製し、
目的物１５．６ｍｇ（０．０６９ｍｍｏｌ，収率８５．
１％）を得た。
−５−アセトキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］
ヘプト−２−エン−３−カルボキシレートの合成 実施例５で得られたエチル （１α，５α，６α）−５
−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプ
ト−２−エン−３−カルボキシレート１５ｍｇ（０．０
８１ｍｍｏｌ）をジクロロメタン０．５ｍｌに溶解し、
無水酢酸１２．４ｍｇ（０．１２２ｍｍｏｌ）、トリエ
チルアミン１２．４ｍｇ（０．１２２ｍｍｏｌ）および
４−ジメチルアミノピリジン１ｍｇ（０．００８ｍｍｏ
ｌ）を加え、室温で３０分間攪拌した。反応終了後、溶
媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）により精製し、
目的物１５．６ｍｇ（０．０６９ｍｍｏｌ，収率８５．
１％）を得た。
【０１４３】ＩＲ（ｎｅａｔ）：２９８４，１７３８，
１７１４，１６４９，１４２５，１３６９，１２６１，
１２０５，１０９７，１０２８ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝７．１８−７．１
２（１Ｈ，ｍ），５．６７−５．６０（１Ｈ，ｍ），
４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．６３−
３．６０（１Ｈ，ｍ），３．５２−３．４９（１Ｈ，
ｍ），２．７６−２．８５（１Ｈ，ｍ），２．４１−
２．２９（１Ｈ，ｍ），２．０４（３Ｈ，ｓ），１．３
１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）
１７１４，１６４９，１４２５，１３６９，１２６１，
１２０５，１０９７，１０２８ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝７．１８−７．１
２（１Ｈ，ｍ），５．６７−５．６０（１Ｈ，ｍ），
４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．６３−
３．６０（１Ｈ，ｍ），３．５２−３．４９（１Ｈ，
ｍ），２．７６−２．８５（１Ｈ，ｍ），２．４１−
２．２９（１Ｈ，ｍ），２．０４（３Ｈ，ｓ），１．３
１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）
【０１４４】実施例７：エチル （１α，５α，６α）
−５−アセトキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］
ヘプト−２−エン−３−カルボキシレートの合成 １．０ｍｏｌ／ｌリチウムヘキサメチルジシラザンのテ
トラヒドロフラン溶液１１ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）を−３
０℃に冷却した。ここに、実施例３で得られたエチル
エンド−２，３−エポキシ−７−オキサビシクロ［２．
２．１］ヘプタン−エンド−５−カルボキシレート１．
８４ｇ（１０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５ｍｌに
溶解させたものを滴下し、滴下終了後−３０℃で１時間
攪拌した。反応液に無水酢酸１．３２８ｇ（１３ｍｍｏ
ｌ）を加え、室温まで昇温し３時間攪拌した。室温で反
応液に飽和塩化アンモニウム水溶液３０ｍｌを加え、酢
酸エチル５０ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：
５）により精製し、目的物１．８０８ｍｇ（０．８０ｍ
ｍｏｌ，収率８０．０％）を得た。
−５−アセトキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］
ヘプト−２−エン−３−カルボキシレートの合成 １．０ｍｏｌ／ｌリチウムヘキサメチルジシラザンのテ
トラヒドロフラン溶液１１ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）を−３
０℃に冷却した。ここに、実施例３で得られたエチル
エンド−２，３−エポキシ−７−オキサビシクロ［２．
２．１］ヘプタン−エンド−５−カルボキシレート１．
８４ｇ（１０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５ｍｌに
溶解させたものを滴下し、滴下終了後−３０℃で１時間
攪拌した。反応液に無水酢酸１．３２８ｇ（１３ｍｍｏ
ｌ）を加え、室温まで昇温し３時間攪拌した。室温で反
応液に飽和塩化アンモニウム水溶液３０ｍｌを加え、酢
酸エチル５０ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：
５）により精製し、目的物１．８０８ｍｇ（０．８０ｍ
ｍｏｌ，収率８０．０％）を得た。
【０１４５】ＩＲ（ｎｅａｔ）：２９８４，１７３８，
１７１４，１６４９，１４２５，１３６９，１２６１，
１２０５，１０９７，１０２８ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝７．１８−７．１
２（１Ｈ，ｍ），５．６７−５．６０（１Ｈ，ｍ），
４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．６３−
３．６０（１Ｈ，ｍ），３．５２−３．４９（１Ｈ，
ｍ），２．７６−２．８５（１Ｈ，ｍ），２．４１−
２．２９（１Ｈ，ｍ），２．０４（３Ｈ，ｓ），１．３
１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）
１７１４，１６４９，１４２５，１３６９，１２６１，
１２０５，１０９７，１０２８ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝７．１８−７．１
２（１Ｈ，ｍ），５．６７−５．６０（１Ｈ，ｍ），
４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．６３−
３．６０（１Ｈ，ｍ），３．５２−３．４９（１Ｈ，
ｍ），２．７６−２．８５（１Ｈ，ｍ），２．４１−
２．２９（１Ｈ，ｍ），２．０４（３Ｈ，ｓ），１．３
１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）
【０１４６】実施例８：エチル （３α，４β，５α）
−３−（１−エチルプロポキシ）−４−ヒドロキシ−５
−アセトキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボキシレ
ートの合成 実施例７で得られたエチル （１α，５α，６α）−５
−アセトキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプ
ト−２−エン−３−カルボキシレート９１ｍｇ（０．４
０ｍｍｏｌ）を３−ペンタノール１．３５ｍｌに溶解
し、室温で三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体６３ｍ
ｇ（０．４４ｍｍｏｌ）を加え室温で１．５時間攪拌
後、飽和炭酸水素ナトリウム５ｍｌを加えた。反応液を
ジクロロメタンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：４）により精製し、目的物１０２ｍ
ｇ（０．３２５ｍｍｏｌ，収率８１．２％）を得た。
−３−（１−エチルプロポキシ）−４−ヒドロキシ−５
−アセトキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボキシレ
ートの合成 実施例７で得られたエチル （１α，５α，６α）−５
−アセトキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプ
ト−２−エン−３−カルボキシレート９１ｍｇ（０．４
０ｍｍｏｌ）を３−ペンタノール１．３５ｍｌに溶解
し、室温で三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体６３ｍ
ｇ（０．４４ｍｍｏｌ）を加え室温で１．５時間攪拌
後、飽和炭酸水素ナトリウム５ｍｌを加えた。反応液を
ジクロロメタンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：４）により精製し、目的物１０２ｍ
ｇ（０．３２５ｍｍｏｌ，収率８１．２％）を得た。
【０１４７】ＩＲ（ｎｅａｔ）：３５０８，２９６６，
２９３７，２８７８，１７１８，１６５７，１４６４，
１３６９，１２３６，１０８２，１０３７ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝６．７７−６．７
５（１Ｈ，ｍ），５．０７−４．９６（１Ｈ，ｍ），
４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．１３−
４．０５（１Ｈ，ｍ），３．８３−３．７５（１Ｈ，
ｍ），３．５２−３．４５（１Ｈ，ｍ），３．０１−
２．９０（１Ｈ，ｍ），２．３５−２．２１（１Ｈ，
ｍ），２．１２（３Ｈ，ｓ），１．６１−１．５５（４
Ｈ，ｍ），１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），
０．９７−０．９１（６Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：３１４（Ｍ+），２７２，２５４，
２２７，２１２，１８５，１３９，１１１，９６ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ16Ｈ26Ｏ6（Ｍ+）：
３１４．１７２９、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝３１４．１７
２７
２９３７，２８７８，１７１８，１６５７，１４６４，
１３６９，１２３６，１０８２，１０３７ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝６．７７−６．７
５（１Ｈ，ｍ），５．０７−４．９６（１Ｈ，ｍ），
４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．１３−
４．０５（１Ｈ，ｍ），３．８３−３．７５（１Ｈ，
ｍ），３．５２−３．４５（１Ｈ，ｍ），３．０１−
２．９０（１Ｈ，ｍ），２．３５−２．２１（１Ｈ，
ｍ），２．１２（３Ｈ，ｓ），１．６１−１．５５（４
Ｈ，ｍ），１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），
０．９７−０．９１（６Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：３１４（Ｍ+），２７２，２５４，
２２７，２１２，１８５，１３９，１１１，９６ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ16Ｈ26Ｏ6（Ｍ+）：
３１４．１７２９、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝３１４．１７
２７
【０１４８】実施例９：エチル （３α，４β，５α）
−３−（１−エチルプロポキシ）−４−メタンスルホニ
ルオキシ−５−アセトキシ−１−シクロヘキセン−１−
カルボキシレートの合成 実施例８で得られたエチル （３α，４β，５α）−３
−（１−エチルプロポキシ）−４−ヒドロキシ−５−ア
セトキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボキシレート
１１ｍｇ（０．０３４ｍｍｏｌ）をジクロロメタン０．
１ｍｌに溶解し、トリエチルアミン５ｍｇ（０．０５１
ｍｍｏｌ）を加え室温で５分間攪拌した。この反応液を
０℃に冷却し、メタンスルホニルクロリド６ｍｇ（０．
０５１ｍｍｏｌ）を加え室温で１時間攪拌した。反応液
をジクロロメタン２０ｍｌで希釈し、飽和炭酸水素ナト
リウム２０ｍｌおよび飽和食塩水１０ｍｌで洗浄した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：５）により精製し、目的物１３ｍｇ
（０．０３３ｍｍｏｌ，収率９７．３％）を得た。
−３−（１−エチルプロポキシ）−４−メタンスルホニ
ルオキシ−５−アセトキシ−１−シクロヘキセン−１−
カルボキシレートの合成 実施例８で得られたエチル （３α，４β，５α）−３
−（１−エチルプロポキシ）−４−ヒドロキシ−５−ア
セトキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボキシレート
１１ｍｇ（０．０３４ｍｍｏｌ）をジクロロメタン０．
１ｍｌに溶解し、トリエチルアミン５ｍｇ（０．０５１
ｍｍｏｌ）を加え室温で５分間攪拌した。この反応液を
０℃に冷却し、メタンスルホニルクロリド６ｍｇ（０．
０５１ｍｍｏｌ）を加え室温で１時間攪拌した。反応液
をジクロロメタン２０ｍｌで希釈し、飽和炭酸水素ナト
リウム２０ｍｌおよび飽和食塩水１０ｍｌで洗浄した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：５）により精製し、目的物１３ｍｇ
（０．０３３ｍｍｏｌ，収率９７．３％）を得た。
【０１４９】ＩＲ（ｎｅａｔ）：２９６８，２９４１，
２８７９，１７５１，１７１８，１６５７，１４６４，
１３５８，１２３８，１１７８，１０６０ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝６．７７−６．７
５（１Ｈ，ｍ），５．２１−５．１１（１Ｈ，ｍ），
４．８１−４．７２（１Ｈ，ｍ），４．３４−４．２８
（１Ｈ，ｍ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈ
ｚ），３．４８−３．３８（１Ｈ，ｍ），３．０８（３
Ｈ，ｓ），２．９８−２．９０（１Ｈ，ｍ），２．５０
−２．３８（１Ｈ，ｍ），１．６１−１．５５（４Ｈ，
ｍ），１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），０．９
６−０．８８（６Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：３９２（Ｍ+），３６３［（Ｍ−Ｃ
Ｈ2ＣＨ3）+］，３０５［（Ｍ−ＯＣ5Ｈ10）+］，２６
３，２４５，２１７，１９９，１８４，１７３ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ17Ｈ28Ｏ8Ｓ
（Ｍ+）：３９２．１５０５、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝３
９２．１５０８
２８７９，１７５１，１７１８，１６５７，１４６４，
１３５８，１２３８，１１７８，１０６０ｃｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝６．７７−６．７
５（１Ｈ，ｍ），５．２１−５．１１（１Ｈ，ｍ），
４．８１−４．７２（１Ｈ，ｍ），４．３４−４．２８
（１Ｈ，ｍ），４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈ
ｚ），３．４８−３．３８（１Ｈ，ｍ），３．０８（３
Ｈ，ｓ），２．９８−２．９０（１Ｈ，ｍ），２．５０
−２．３８（１Ｈ，ｍ），１．６１−１．５５（４Ｈ，
ｍ），１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），０．９
６−０．８８（６Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：３９２（Ｍ+），３６３［（Ｍ−Ｃ
Ｈ2ＣＨ3）+］，３０５［（Ｍ−ＯＣ5Ｈ10）+］，２６
３，２４５，２１７，１９９，１８４，１７３ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ17Ｈ28Ｏ8Ｓ
（Ｍ+）：３９２．１５０５、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝３
９２．１５０８
【０１５０】実施例１０：エチル （１β，５α，６
β）−５−（１−エチルプロポキシ）−７−オキサビシ
クロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボキシ
レートの合成 実施例９で得られたエチル （３α，４β，５α）−３
−（１−エチルプロポキシ）−４−メタンスルホニルオ
キシ−５−アセトキシ−１−シクロヘキセン−１−カル
ボキシレート３４ｍｇ（０．０８６ｍｍｏｌ）をエタノ
ール３ｍｌに溶解し、室温で炭酸カリウム６０ｍｇ
（０．０４３ｍｍｏｌ）を加え室温で３時間攪拌後、飽
和塩化アンモニウム水溶液５ｍｌを加え、ジクロロメタ
ンで抽出した。有機層を飽和食塩水５ｍｌで洗浄した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：５）により精製し、目的物２１．７
ｍｇ（０．０８５ｍｍｏｌ，収率９８．５％）を得た。
β）−５−（１−エチルプロポキシ）−７−オキサビシ
クロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボキシ
レートの合成 実施例９で得られたエチル （３α，４β，５α）−３
−（１−エチルプロポキシ）−４−メタンスルホニルオ
キシ−５−アセトキシ−１−シクロヘキセン−１−カル
ボキシレート３４ｍｇ（０．０８６ｍｍｏｌ）をエタノ
ール３ｍｌに溶解し、室温で炭酸カリウム６０ｍｇ
（０．０４３ｍｍｏｌ）を加え室温で３時間攪拌後、飽
和塩化アンモニウム水溶液５ｍｌを加え、ジクロロメタ
ンで抽出した。有機層を飽和食塩水５ｍｌで洗浄した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：５）により精製し、目的物２１．７
ｍｇ（０．０８５ｍｍｏｌ，収率９８．５％）を得た。
【０１５１】ＩＲ（ｎｅａｔ）：１７１２，１２９０，
１２５３，１２１７，１０９１，１０７０，１０５１ｃ
ｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝６．７２−６．７
２（１Ｈ，ｍ），４．３９−４．３７（１Ｈ，ｍ），
４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．５１−
３．４５（３Ｈ，ｍ），３．０９−３．００（１Ｈ，
ｍ），２．４５−２．３６（１Ｈ，ｍ），１．６２−
１．５４（４Ｈ，ｍ），１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．
２Ｈｚ），１．０１−０．９３（６Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：２３６［（Ｍ−Ｈ2Ｏ）+］，２２
５，２０９，１９１，１６７，１５１，１３８，１２
１，１１０ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ14Ｈ20Ｏ3［（Ｍ−
Ｈ2Ｏ）+］：２３６．１４１３、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝
２３６．１４２２
１２５３，１２１７，１０９１，１０７０，１０５１ｃ
ｍ-1 1 Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ）：δ＝６．７２−６．７
２（１Ｈ，ｍ），４．３９−４．３７（１Ｈ，ｍ），
４．２１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），３．５１−
３．４５（３Ｈ，ｍ），３．０９−３．００（１Ｈ，
ｍ），２．４５−２．３６（１Ｈ，ｍ），１．６２−
１．５４（４Ｈ，ｍ），１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．
２Ｈｚ），１．０１−０．９３（６Ｈ，ｍ） ＥＩＭＳ ｍ／ｚ：２３６［（Ｍ−Ｈ2Ｏ）+］，２２
５，２０９，１９１，１６７，１５１，１３８，１２
１，１１０ ＨＲＭＳ ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ14Ｈ20Ｏ3［（Ｍ−
Ｈ2Ｏ）+］：２３６．１４１３、Ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝
２３６．１４２２
【０１５２】
【発明の効果】本発明によれば、抗インフルエンザ薬と
して開発が進められているＧＳ４１０４の合成中間体と
して有用な、エチル （１β，５α，６β）−５−（１
−エチルプロポキシ）−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボキシレートのよう
な、５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘ
プト−３−エン−３−カルボン酸エステルを安価に、工
業的に有利に、効率的に大量に製造することができる。
本発明の方法におけるハロラクトン（Ｉ）は、安価な原
料から合成することができる。したがって本発明の方法
によれば、高価な原料を用いることなく、安価な原料か
ら５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプ
ト−３−エン−３−カルボン酸エステルを製造すること
ができる。本発明の方法は、５−オキシ−７−オキサビ
シクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン
酸エステルを工業的に大量に製造するために適してい
る。
して開発が進められているＧＳ４１０４の合成中間体と
して有用な、エチル （１β，５α，６β）−５−（１
−エチルプロポキシ）−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボキシレートのよう
な、５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘ
プト−３−エン−３−カルボン酸エステルを安価に、工
業的に有利に、効率的に大量に製造することができる。
本発明の方法におけるハロラクトン（Ｉ）は、安価な原
料から合成することができる。したがって本発明の方法
によれば、高価な原料を用いることなく、安価な原料か
ら５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプ
ト−３−エン−３−カルボン酸エステルを製造すること
ができる。本発明の方法は、５−オキシ−７−オキサビ
シクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン
酸エステルを工業的に大量に製造するために適してい
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 493/18 Ｃ０７Ｄ 493/18 // Ｃ０７Ｍ 7:00 Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 桑山 知也 岡山県倉敷市酒津2045−１ 株式会社クラ レ内 (72)発明者 杉岡 尚 岡山県倉敷市酒津2045−１ 株式会社クラ レ内 (72)発明者 清水 和哉 岡山県倉敷市酒津2045−１ 株式会社クラ レ内 (72)発明者 金平 浩一 岡山県倉敷市酒津2045−１ 株式会社クラ レ内 Ｆターム(参考） 4C048 AA04 BB01 BC05 BC20 CC01 UU03 XX02 4C071 AA03 BB02 CC12 DD08 EE02 FF14 HH28 KK02 KK08 LL07 4H006 AA01 AA02 AB29 AB84 AC41 AC61 BA67 BJ20 BP20 BT14 BT22
Claims (13)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される２−ハ
ロゲノ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−
５，３−カルボラクトンに塩基を作用させ、次いで置換
基を有していてもよいハロゲン化アルキル、置換基を有
していてもよいハロゲン化シクロアルキル、置換基を有
していてもよいハロゲン化アルケニル、置換基を有して
いてもよいハロゲン化アリールまたは置換基を有してい
てもよいハロゲン化アラルキルと反応させて、一般式
（ＩＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表す。）で示される２，３−エポキシ−７−オ
キサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸
エステルを得、得られた２，３−エポキシ−７−オキサ
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸エス
テルに塩基を作用させて、一般式（ＩＶ） 【化３】 （式中、Ｒ1は前記定義のとおりである。）で示される
５−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘ
プト−２−エン−３−カルボン酸エステルを得、得られ
た５−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］
ヘプト−２−エン−３−カルボン酸エステルの水酸基を
保護して、一般式（Ｖ） 【化４】 （式中、Ｒ1は前記定義のとおりであり、Ｒ2は水酸基の
保護基を表す。）で示される５−オキシ−７−オキサビ
シクロ［４．１．０］ヘプト−２−エン−３−カルボン
酸エステルを得、得られた５−オキシ−７−オキサビシ
クロ［４．１．０］ヘプト−２−エン−３−カルボン酸
エステルと一般式（ＶＩ） 【化５】 （式中、Ｒ3は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表す。）で示されるアルコールを、ルイス酸の
存在下で反応させて、一般式（ＶＩＩ） 【化６】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される４−ヒドロキシ−３，５−ジオキシ−
１−シクロヘキセン−１−カルボン酸エステルを得、得
られた４−ヒドロキシ−３，５−ジオキシ−１−シクロ
ヘキセン−１−カルボン酸エステルに塩基の存在下でス
ルホニル化剤を作用させて、一般式（ＶＩＩＩ） 【化７】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義のとおりであ
り、Ａは有機スルホニル基を表す。）で示される３，５
−ジオキシ−４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセ
ン−１−カルボン酸エステルを得、得られた３，５−ジ
オキシ−４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−
１−カルボン酸エステルのＲ2を脱離させて、一般式
（ＩＸ） 【化８】 （式中、Ａ、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される５−ヒドロキシ−３−オキシ−４−ス
ルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸
エステルを得、得られた５−ヒドロキシ−３−オキシ−
４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カル
ボン酸エステルに塩基を作用させることを特徴とする、
一般式（Ｘ） 【化９】 （式中、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおりである。）で
示される５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルの製造
方法。 - 【請求項２】 一般式（Ｉ） 【化１０】 （式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される２−ハ
ロゲノ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−
５，３−カルボラクトンに塩基を作用させて、一般式
（ＩＩ） 【化１１】 で示される２，３−エポキシ−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸を得、得られ
た２，３−エポキシ−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５−カルボン酸にエステル化剤を作用さ
せて、一般式（ＩＩＩ） 【化１２】 （式中、Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表す。）で示される２，３−エポキシ−７−オ
キサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸
エステルを得、得られた２，３−エポキシ−７−オキサ
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸エス
テルに塩基を作用させて、一般式（ＩＶ） 【化１３】 （式中、Ｒ1は前記定義のとおりである。）で示される
５−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘ
プト−２−エン−３−カルボン酸エステルを得、得られ
た５−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］
ヘプト−２−エン−３−カルボン酸エステルの水酸基を
保護して、一般式（Ｖ） 【化１４】 （式中、Ｒ1は前記定義のとおりであり、Ｒ2は水酸基の
保護基を表す。）で示される５−オキシ−７−オキサビ
シクロ［４．１．０］ヘプト−２−エン−３−カルボン
酸エステルを得、得られた５−オキシ−７−オキサビシ
クロ［４．１．０］ヘプト−２−エン−３−カルボン酸
エステルと一般式（ＶＩ） 【化１５】 （式中、Ｒ3は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表す。）で示されるアルコールを、ルイス酸の
存在下で反応させて、一般式（ＶＩＩ） 【化１６】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される４−ヒドロキシ−３，５−ジオキシ−
１−シクロヘキセン−１−カルボン酸エステルを得、得
られた４−ヒドロキシ−３，５−ジオキシ−１−シクロ
ヘキセン−１−カルボン酸エステルに塩基の存在下でス
ルホニル化剤を作用させて、一般式（ＶＩＩＩ） 【化１７】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義のとおりであ
り、Ａは有機スルホニル基を表す。）で示される３，５
−ジオキシ−４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセ
ン−１−カルボン酸エステルを得、得られた３，５−ジ
オキシ−４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−
１−カルボン酸エステルのＲ2を脱離させて、一般式
（ＩＸ） 【化１８】 （式中、Ａ、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される５−ヒドロキシ−３−オキシ−４−ス
ルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸
エステルを得、得られた５−ヒドロキシ−３−オキシ−
４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カル
ボン酸エステルに塩基を作用させることを特徴とする、
一般式（Ｘ） 【化１９】 （式中、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおりである。）で
示される５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルの製造
方法。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ） 【化２０】 （式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される２−ハ
ロゲノ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−
５，３−カルボラクトンに塩基を作用させることを特徴
とする、一般式（ＩＩ） 【化２１】 で示される２，３−エポキシ−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸の製造方法。 - 【請求項４】 一般式（ＩＩ−１） 【化２２】 または一般式（ＩＩ−２） 【化２３】 で示される２，３−エポキシ−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸にエステル化
剤を作用させることを特徴とする、一般式（ＩＩＩ−
１） 【化２４】 （式中、Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表す。）または一般式（ＩＩＩ−２） 【化２５】 （式中、Ｒ1は前記定義のとおりである。）で示される
２，３−エポキシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−５−カルボン酸エステルの製造方法。 - 【請求項５】 一般式（Ｉ） 【化２６】 （式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される２−ハ
ロゲノ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−
５，３−カルボラクトンに塩基を作用させ、次いで置換
基を有していてもよいハロゲン化アルキル、置換基を有
していてもよいハロゲン化シクロアルキル、置換基を有
していてもよいハロゲン化アルケニル、置換基を有して
いてもよいハロゲン化アリールまたは置換基を有してい
てもよいハロゲン化アラルキルと反応させることを特徴
とする、一般式（ＩＩＩ） 【化２７】 （式中、Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表す。）で示される２，３−エポキシ−７−オ
キサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸
エステルの製造方法。 - 【請求項６】 一般式（ＩＩＩ） 【化２８】 （式中、Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表す。）で示される２，３−エポキシ−７−オ
キサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸
エステルに塩基を作用させることを特徴とする、一般式
（ＩＶ） 【化２９】 （式中、Ｒ1は前記定義のとおりである。）で示される
５−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘ
プト−２−エン−３−カルボン酸エステルの製造方法。 - 【請求項７】 一般式（ＩＶ） 【化３０】 （式中、Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表す。）で示される５−ヒドロキシ−７−オキ
サビシクロ［４．１．０］ヘプト−２−エン−３−カル
ボン酸エステルの水酸基を保護して、一般式（Ｖ） 【化３１】 （式中、Ｒ1は前記定義のとおりであり、Ｒ2は水酸基の
保護基を表す。）で示される５−オキシ−７−オキサビ
シクロ［４．１．０］ヘプト−２−エン−３−カルボン
酸エステルを得、得られた５−オキシ−７−オキサビシ
クロ［４．１．０］ヘプト−２−エン−３−カルボン酸
エステルと一般式（ＶＩ） 【化３２】 （式中、Ｒ3は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表す。）で示されるアルコールを、ルイス酸の
存在下で反応させることを特徴とする、一般式（ＶＩ
Ｉ） 【化３３】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される４−ヒドロキシ−３，５−ジオキシ−
１−シクロヘキセン−１−カルボン酸エステルの製造方
法。 - 【請求項８】 一般式（Ｖ） 【化３４】 （式中、Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表し、Ｒ 2は水酸基の保護基を表す。）で示さ
れる５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘ
プト−２−エン−３−カルボン酸エステルと一般式（Ｖ
Ｉ） 【化３５】 （式中、Ｒ3は置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を
有していてもよいアルケニル基、置換基を有していても
よいアリール基または置換基を有していてもよいアラル
キル基を表す。）で示されるアルコールを、ルイス酸の
存在下で反応させることを特徴とする、一般式（ＶＩ
Ｉ） 【化３６】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される４−ヒドロキシ−３，５−ジオキシ−
１−シクロヘキセン−１−カルボン酸エステルの製造方
法。 - 【請求項９】 一般式（ＶＩＩ） 【化３７】 （式中、Ｒ1およびＲ3は独立して置換基を有していても
よいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアル
キル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換
基を有していてもよいアリール基または置換基を有して
いてもよいアラルキル基を表し、Ｒ2は水酸基の保護基
を表す。）で示される４−ヒドロキシ−３，５−ジオキ
シ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸エステルに、
塩基の存在下でスルホニル化剤を作用させて、一般式
（ＶＩＩＩ） 【化３８】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義のとおりであ
り、Ａは有機スルホニル基を表す。）で示される３，５
−ジオキシ−４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセ
ン−１−カルボン酸エステルを得、得られた３，５−ジ
オキシ−４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−
１−カルボン酸エステルのＲ2 を脱離させて、一般式
（ＩＸ） 【化３９】 （式中、Ａ、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される５−ヒドロキシ−３−オキシ−４−ス
ルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸
エステルを得、得られた５−ヒドロキシ−３−オキシ−
４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カル
ボン酸エステルに塩基を作用させることを特徴とする、
一般式（Ｘ） 【化４０】 （式中、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおりである。）で
示される５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルの製造
方法。 - 【請求項１０】 一般式（ＶＩＩＩ） 【化４１】 （式中、Ｒ1およびＲ3は独立して置換基を有していても
よいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアル
キル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換
基を有していてもよいアリール基または置換基を有して
いてもよいアラルキル基を表し、Ｒ2は水酸基の保護基
を表し、Ａは有機スルホニル基を表す。）で示される
３，５−ジオキシ−４−スルホニルオキシ−１−シクロ
ヘキセン−１−カルボン酸エステルのＲ2を脱離させ
て、一般式（ＩＸ） 【化４２】 （式中、Ａ、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される５−ヒドロキシ−３−オキシ−４−ス
ルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボン酸
エステルを得、得られた５−ヒドロキシ−３−オキシ−
４−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カル
ボン酸エステルに塩基を作用させることを特徴とする、
一般式（Ｘ） 【化４３】 （式中、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおりである。）で
示される５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルの製造
方法。 - 【請求項１１】 一般式（ＩＸ） 【化４４】 （式中、Ｒ1およびＲ3は独立して置換基を有していても
よいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアル
キル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換
基を有していてもよいアリール基または置換基を有して
いてもよいアラルキル基を表し、Ａは有機スルホニル基
を表す。）で示される５−ヒドロキシ−３−オキシ−４
−スルホニルオキシ−１−シクロヘキセン−１−カルボ
ン酸エステルに塩基を作用させることを特徴とする、一
般式（Ｘ） 【化４５】 （式中、Ｒ1およびＲ3は前記定義のとおりである。）で
示される５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．
０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルの製造
方法。 - 【請求項１２】 一般式（ＸＩ−１） 【化４６】 （式中、Ｒ4は水素原子、置換基を有していてもよいア
ルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を
有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよ
いアラルキル基またはカルボン酸塩を形成できる金属を
表す。）または一般式（ＸＩ−２） 【化４７】 （式中、Ｒ4は前記定義のとおりである。）で示される
エンド−２，３−エポキシ−７−オキサビシクロ［２．
２．１］ヘプタン−エンド−５−カルボン酸誘導体。 - 【請求項１３】 一般式（ＸＩＩ−１） 【化４８】 （式中、Ｒ1およびＲ3は独立して置換基を有していても
よいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアル
キル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換
基を有していてもよいアリール基または置換基を有して
いてもよいアラルキル基を表し、Ｒ5およびＲ6は独立し
て水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置
換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有
していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよ
いアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル
基、水酸基の保護基または有機スルホニル基を表す。）
または一般式（ＸＩＩ−２） 【化４９】 （式中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ5およびＲ6は前記定義のとおりで
ある。）で示される３，４，５−トリオキシ−１−シク
ロヘキセン−１−カルボン酸誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000342017A JP2001247557A (ja) | 1999-12-27 | 2000-11-09 | ５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-371400 | 1999-12-27 | ||
| JP37140099 | 1999-12-27 | ||
| JP2000342017A JP2001247557A (ja) | 1999-12-27 | 2000-11-09 | ５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001247557A true JP2001247557A (ja) | 2001-09-11 |
Family
ID=26582318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000342017A Pending JP2001247557A (ja) | 1999-12-27 | 2000-11-09 | ５−オキシ−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプト−３−エン−３−カルボン酸エステルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001247557A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532704A (ja) * | 2000-05-12 | 2003-11-05 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | スルホニルベンゾイルグアニジニウム塩を製造するための方法 |
| JP2010126468A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Toyota Central R&D Labs Inc | スルホンアミド化合物の製造方法 |
| JP2012087077A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Toyohashi Univ Of Technology | 光学活性シクロヘキセン誘導体の製造方法、光学活性シクロヘキセン誘導体、並びにそれを用いた光学活性シクロヘキサジエン誘導体の製造方法及び光学活性シクロヘキサジエン誘導体 |
-
2000
- 2000-11-09 JP JP2000342017A patent/JP2001247557A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532704A (ja) * | 2000-05-12 | 2003-11-05 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | スルホニルベンゾイルグアニジニウム塩を製造するための方法 |
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| JP2012087077A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Toyohashi Univ Of Technology | 光学活性シクロヘキセン誘導体の製造方法、光学活性シクロヘキセン誘導体、並びにそれを用いた光学活性シクロヘキサジエン誘導体の製造方法及び光学活性シクロヘキサジエン誘導体 |
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