JP2012084706A - 不揮発性メモリ素子及び不揮発性メモリ素子群、並びに、これらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性メモリ素子群は、(A)第1絶縁層21、(B)第1の凹部24、及び、第1の凹部24と連通し、第1の凹部24よりも幅の広い第2の凹部25を有し、第1絶縁層21上に設けられた第2絶縁層22、(C)第1絶縁層21内に設けられ、頂面が第1の凹部24の底部に露出した複数の電極31、(D)第1の凹部24及び第2の凹部25の側壁から底部に亙り形成された情報記憶層40、並びに、(E)第2の凹部25内の情報記憶層40によって囲まれた空間を充填した導電材料層32を備えている。
【選択図】 図1
Description
(A)第1絶縁層、
(B)第1の凹部、及び、第1の凹部と連通し、第1の凹部よりも幅の広い第2の凹部を有し、第1絶縁層上に設けられた第2絶縁層、
(C)第1絶縁層内に設けられ、頂面が第1の凹部の底部に露出した複数の電極、
(D)第1の凹部及び第2の凹部の側壁から底部に亙り形成された情報記憶層、並びに、
(E)第2の凹部内の情報記憶層によって囲まれた空間を充填した導電材料層、
を備えている。
(A)第1絶縁層、
(B)凹部を有し、第1絶縁層上に設けられた第2絶縁層、
(C)第1絶縁層内に設けられ、頂面が凹部の底部に露出した複数の電極、
(D)凹部の側壁から底部に亙り形成された情報記憶層、並びに、
(E)凹部内の情報記憶層によって囲まれた空間を充填した導電材料層から成る配線、
を備えている。
(A)第1絶縁層、
(B)凹部を有し、第1絶縁層上に設けられた第2絶縁層、
(C)第1絶縁層内に設けられ、頂面が凹部の底部に露出した電極、
(D)凹部の側壁から底部に亙り形成された情報記憶層、並びに、
(E)凹部内の情報記憶層によって囲まれた空間を充填した導電材料層、
を備えている。
(a)第1絶縁層内に、頂面が第1絶縁層の頂面と同一面内にある電極を、複数、形成した後、
(b)第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、次いで、底部に電極が露出した第1の凹部、及び、第1の凹部と連通し、第1の凹部よりも幅の広い第2の凹部を第2絶縁層に形成し、その後、
(c)第2絶縁層の頂面上、第1の凹部及び第2の凹部の側壁から底部に亙り、情報記憶層を形成し、次いで、
(d)全面に導電材料層を形成し、その後、
(e)第2絶縁層の頂面上の導電材料層及び情報記憶層を除去し、以て、情報記憶層が埋め込まれた第1の凹部、並びに、情報記憶層及び導電材料層が埋め込まれた第2の凹部を得る、
各工程を備えている。
(a)第1絶縁層内に、頂面が第1絶縁層の頂面と同一面内にある電極を、複数、形成した後、
(b)第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、次いで、底部に電極が露出した凹部を第2絶縁層に形成し、その後、
(c)第2絶縁層の頂面上、及び、凹部の側壁から底部に亙り、情報記憶層を形成し、次いで、
(d)全面に導電材料層を形成し、その後、
(e)第2絶縁層の頂面上の導電材料層及び情報記憶層を除去し、以て、凹部内の情報記憶層によって囲まれた空間を充填した導電材料層から成る配線を得る、
各工程を備えている。
(a)第1絶縁層内に、頂面が第1絶縁層の頂面と同一面内にある電極を形成した後、
(b)第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、次いで、底部に電極が露出した凹部を第2絶縁層に形成し、その後、
(c)第2絶縁層の頂面上、及び、凹部の側壁から底部に亙り、情報記憶層を形成し、次いで、
(d)全面に導電材料層を形成し、その後、
(e)第2絶縁層の頂面上の導電材料層及び情報記憶層を除去し、以て、凹部内の情報記憶層によって囲まれた空間を充填した導電材料層を得る、
各工程を備えている。
1.本発明の不揮発性メモリ素子及び不揮発性メモリ素子群、並びに、これらの製造方法、全般に関する説明
2.実施例1(本発明の第1の態様に係る不揮発性メモリ素子群及びその製造方法)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(実施例1の別の変形)
5.実施例4(本発明の第2の態様に係る不揮発性メモリ素子群及びその製造方法、並びに、本発明の不揮発性メモリ素子及びその製造方法)、その他
本発明の第1の態様又は第2の態様に係る不揮発性メモリ素子群若しくはその製造方法においては、N個の電極が設けられており;電極、情報記憶層及び導電材料層(あるいは配線)から不揮発性メモリ素子が構成され;N個の不揮発性メモリ素子から構成されている形態とすることができる。
工程(e)に引き続き、全面に第3絶縁層を形成し、次いで、第3絶縁層上に、コンタクトプラグを介して導電材料層に接続された配線を形成する形態とすることができるし、あるいは又、
前記工程(b)において、隣接する不揮発性メモリ素子群における第2の凹部を結ぶ凹部連結部を第2絶縁層に形成し、
前記工程(c)において、凹部連結部の側壁から底部に亙り情報記憶層延在部を形成し、
前記工程(e)において、第2絶縁層の頂面上の導電材料層及び情報記憶層を除去し、以て、情報記憶層が埋め込まれた第1の凹部、情報記憶層及び導電材料層が埋め込まれた第2の凹部、並びに、情報記憶層延在部及び導電材料層延在部が埋め込まれた凹部連結部を得、
第2の凹部及び凹部連結部を充填した導電材料層及び導電材料層延在部によって配線が構成される形態とすることができる。
第1絶縁層は、選択用トランジスタを覆っており、
電極は、電気的に接続されており、あるいは又、電極は、第1絶縁層に設けられた接続孔(あるいは接続孔とランディングパッド部や下層配線)を介して選択用トランジスタに電気的に接続されている。
(A)第1絶縁層21、
(B)第1の凹部24、及び、第1の凹部24と連通し、第1の凹部24よりも幅の広い第2の凹部25を有し、第1絶縁層21上に設けられた第2絶縁層22、
(C)第1絶縁層21内に設けられ、頂面が第1の凹部24の底部に露出した複数の電極(下部電極)31、
(D)第1の凹部24及び第2の凹部25の側壁から底部に亙り形成された情報記憶層40、並びに、
(E)第2の凹部25内の情報記憶層40によって囲まれた空間27を充填した導電材料層32、
を備えている。
導電材料層32に正電位(プラス電位)を印加すると共に、電極31に負電位(マイナス電位)又はゼロ電位を印加すると、イオン源層42から金属原子がイオン化して高抵抗層41内を拡散していき、電極側で電子と結合して析出したり、あるいは、高抵抗層41の内部に拡散した状態で留まる。その結果、高抵抗層41の内部に金属原子を多量に含む電流パスが形成され、若しくは、高抵抗層41の内部に金属原子による欠陥が多数形成され、高抵抗層41の抵抗値が低くなる。このとき、イオン源層42の抵抗値は、高抵抗層41の情報(データ)記録前の抵抗値に比べて元々低いので、高抵抗層41の抵抗値が低くなることにより、不揮発性メモリ素子全体の抵抗値も低くなる。つまり、不揮発性メモリ素子がオン状態(導通状態)となる。このときの不揮発性メモリ素子全体の抵抗が書込み抵抗となる。
導電材料層32に負電位を印加すると共に、電極31に正電位又はゼロ電位を印加すると、高抵抗層41内に形成されていた電流パス、あるいは、不純物準位を構成する金属原子がイオン化して、高抵抗層41内を移動してイオン源層42へと戻る。その結果、高抵抗層41内から電流パス若しくは欠陥が消滅して、高抵抗層41の抵抗値が高くなる。このとき、イオン源層42の抵抗値は元々低いので、高抵抗層41の抵抗値が高くなることにより、不揮発性メモリ素子全体の抵抗値も高くなる。つまり、不揮発性メモリ素子がオフ状態(非導通状態)となる。このときの不揮発性メモリ素子全体の抵抗が消去抵抗となる。
書き込まれた情報の読み出しを行うには、例えば、導電材料層32に正電位を印加すると共に、電極31に負電位又はゼロ電位を印加する。但し、導電材料層32に印加する正電位の値を、情報の書き込み時における導電材料層32に印加する正電位の値よりも低くする。これによって、不揮発性メモリ素子の抵抗値の高低を調べることができ、不揮発性メモリ素子に記憶された情報を読み出すことができる。尚、抵抗値の読み出しができるのであれば、正電位の印加は、導電材料32に限定されるものではなく、電極31であってもよい。
先ず、第1絶縁層21内に、頂面が第1絶縁層21の頂面と同一面内にある電極31を、複数、形成する。具体的には、先ず、周知の方法に基づき、シリコン半導体基板10に素子分離領域11を形成し、素子分離領域11によって囲まれたシリコン半導体基板10の部分に、ゲート酸化膜13、ゲート電極12、ソース/ドレイン領域14A,14Bから成る選択用トランジスタTRを形成する。次いで、CVD法に基づき第1絶縁層の下層21Aを形成し、ソース/ドレイン領域14Aの上方の第1絶縁層の下層21Aの部分にタングステンプラグ15を形成し、更には、第1絶縁層の下層21A上にセンス線16を形成する。その後、CVD法に基づき第1絶縁層の上層21Bを全面に形成し、ソース/ドレイン領域14Bの上方の第1絶縁層21の部分にタングステンプラグから成る電極31を形成する。こうして、SiO2から成る第1絶縁層21で覆われた選択用トランジスタTRを得ることができる(以上は、図2を参照)。
その後、第1絶縁層21上に、CVD法に基づきSiO2から成る第2絶縁層22を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、底部に電極が露出した第1の凹部24、及び、第1の凹部24と連通し、第1の凹部24よりも幅の広い第2の凹部25を第2絶縁層22に形成する。尚、実施例1にあっては、隣接する不揮発性メモリ素子群における第2の凹部25を結ぶ凹部連結部26を、併せて、第2絶縁層22に形成する。こうして、図6の(A)、(B)及び(C)に示す状態を得ることができる。尚、電極31の頂面を極薄く酸化して、第1の凹部24の形成時、電極31の頂面に発生したダメージの回復を、例えば、400゜Cの加熱処理に基づき、図ってもよい。
次に、第2絶縁層22の頂面上、第1の凹部24及び第2の凹部25の側壁から底部に亙り、情報記憶層40を形成する。尚、実施例1にあっては、併せて、凹部連結部26の側壁から底部に亙り、情報記憶層延在部40Aを形成する。具体的には、厚さ3nmのガドリニウム(Gd)酸化物から成る高抵抗層41、厚さ10nmのCu及びTeを含むイオン源層42を、順次、スパッタリング法にて形成する。こうして、図7の(A)、(B)及び(C)に示す状態を得ることができる。尚、第1の凹部24は、第2の凹部25及び凹部連結部26よりも幅が狭い。第1の凹部24、第2の凹部25及び凹部連結部26の深さ及び幅を適切に設計することで、第1の凹部24は情報記憶層40で埋め込まれ、第2の凹部25及び凹部連結部26にあっては、これらの側壁から底部に亙り、情報記憶層40及び情報記憶層延在部40Aが形成され、しかも、第2の凹部25内には、情報記憶層40によって囲まれた空間27が形成され、凹部連結部26内には、情報記憶層延在部40Aによって囲まれた空間28が形成された状態を得ることができる。
その後、スパッタリング法に基づき、タングステン(W)あるいはチタン(Ti)から成る導電材料層32を全面に形成する。このとき、併せて、導電材料層延在部32Aも形成される。
次いで、第2絶縁層22の頂面上の導電材料層32及び情報記憶層40(更には、導電材料層延在部32A及び情報記憶層延在部40A)を、例えば、化学的/機械的研磨法(CMP法)に基づき除去する。こうして、ダマシン法に基づき、情報記憶層40が埋め込まれた第1の凹部24、並びに、情報記憶層40及び導電材料層32が埋め込まれた第2の凹部25を得ることができる(図1の(A)、(B)及び(C)参照)。更には、情報記憶層延在部40A及び導電材料層延在部32Aが埋め込まれた凹部連結部26を得ることができる。そして、第2の凹部25及び凹部連結部26を充填した導電材料層32及び導電材料層延在部32Aによって構成された配線33を得ることができる。
先ず、実施例1の[工程−100]〜[工程−140]を実行する。但し、実施例1と異なり、凹部連結部26、導電材料層延在部32A及び情報記憶層延在部40Aの形成は不要である。こうして、図4の(B)に示す構造を得ることができる。
次いで、全面に、SiO2から成る第3絶縁層23をCVD法に基づき形成する。その後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、導電材料層32の上方の第3絶縁層23に開口部を形成し、次いで、開口部を含む全面に、配線材料層をスパッタリング法に基づき形成し、更に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、配線材料層をパターニングすることで、第3絶縁層23上に、コンタクトプラグ35を介して導電材料層32に接続された配線34を形成することができる。
(A)第1絶縁層21、
(B)凹部54を有し、第1絶縁層21上に設けられた第2絶縁層22、
(C)第1絶縁層22内に設けられ、頂面が凹部54の底部に露出した複数の電極(下部電極)31、
(D)凹部54の側壁から底部に亙り形成された情報記憶層40、並びに、
(E)凹部54内の情報記憶層40によって囲まれた空間57を充填した導電材料層32から成る配線36、
を備えている。
(A)第1絶縁層21、
(B)凹部54を有し、第1絶縁層21上に設けられた第2絶縁層22、
(C)第1絶縁層21内に設けられ、頂面が凹部54の底部に露出した電極31、
(D)凹部54の側壁から底部に亙り形成された情報記憶層40、並びに、
(E)凹部54内の情報記憶層40によって囲まれた空間57を充填した導電材料層32、
を備えている。
先ず、実質的に、実施例1の[工程−100]と同様にして、第1絶縁層21内に、頂面が第1絶縁層21の頂面と同一面内にある電極31を、(複数、)形成する。
その後、実質的に、実施例1の[工程−110]と同様にして、第1絶縁層21上に、CVD法に基づきSiNから成る第2絶縁層22を形成し、次いで、底部に電極31が露出した凹部54を第2絶縁層22に形成する。こうして、図8の(A)、(B)及び(C)に示す状態を得ることができる。
次に、実質的に、実施例1の[工程−120]と同様にして、第2絶縁層22の頂面上、及び、凹部54の側壁から底部に亙り、情報記憶層40を形成する。こうして、図9の(A)、(B)及び(C)に示す状態を得ることができる。尚、凹部54の深さ及び幅を適切に設計することで、凹部54の側壁から底部に亙り、情報記憶層40が形成され、しかも、凹部54内には、情報記憶層40によって囲まれた空間57が形成された状態を得ることができる。
その後、実質的に、実施例1の[工程−130]と同様にして、スパッタリング法に基づき導電材料層32を全面に形成する。
次いで、実質的に、実施例1の[工程−140]と同様にして、第2絶縁層22の頂面上の導電材料層32及び情報記憶層40を、例えば、化学的/機械的研磨法(CMP法)に基づき除去する。こうして、ダマシン法に基づき、情報記憶層40及び導電材料層32が埋め込まれた凹部54を得ることができる(図5の(A)、(B)及び(C)参照)。そして、凹部54内の情報記憶層40によって囲まれた空間57を充填した導電材料層32を得ることができるし、導電材料層32から成る配線36を得ることができる。
Claims (19)
- (A)第1絶縁層、
(B)第1の凹部、及び、第1の凹部と連通し、第1の凹部よりも幅の広い第2の凹部を有し、第1絶縁層上に設けられた第2絶縁層、
(C)第1絶縁層内に設けられ、頂面が第1の凹部の底部に露出した複数の電極、
(D)第1の凹部及び第2の凹部の側壁から底部に亙り形成された情報記憶層、並びに、
(E)第2の凹部内の情報記憶層によって囲まれた空間を充填した導電材料層、
を備えた不揮発性メモリ素子群。 - N個の電極が設けられており、
電極、情報記憶層及び導電材料層から不揮発性メモリ素子が構成され、
N個の不揮発性メモリ素子から構成されている請求項1に記載の不揮発性メモリ素子群。 - 全面に第3絶縁層が形成されており、
第3絶縁層上には、コンタクトプラグを介して導電材料層に接続された配線が形成されている請求項1又は請求項2に記載の不揮発性メモリ素子群。 - 隣接する不揮発性メモリ素子群における第2の凹部を結ぶ凹部連結部が第2絶縁層に設けられており、
凹部連結部の側壁から底部に亙り、情報記憶層延在部が形成されており、
凹部連結部内の情報記憶層延在部によって囲まれた空間は、導電材料層延在部によって充填されており、
第2の凹部及び凹部連結部を充填した導電材料層及び導電材料層延在部によって配線が構成されている請求項1又は請求項2に記載の不揮発性メモリ素子群。 - (A)第1絶縁層、
(B)凹部を有し、第1絶縁層上に設けられた第2絶縁層、
(C)第1絶縁層内に設けられ、頂面が凹部の底部に露出した複数の電極、
(D)凹部の側壁から底部に亙り形成された情報記憶層、並びに、
(E)凹部内の情報記憶層によって囲まれた空間を充填した導電材料層から成る配線、
を備えた不揮発性メモリ素子群。 - N個の電極が設けられており、
電極、情報記憶層及び配線から不揮発性メモリ素子が構成され、
N個の不揮発性メモリ素子から構成されている請求項5に記載の不揮発性メモリ素子群。 - 情報記憶層は、電気抵抗値が変化することで情報を記憶する抵抗変化層から成る請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の不揮発性メモリ素子群。
- 抵抗変化層は、高抵抗層及びイオン源層の積層構造を有する請求項7に記載の不揮発性メモリ素子群。
- イオン源層には、テルル、硫黄及びセレンから成る群から選択された少なくとも1種類の元素と、銅、ジルコニウム及びアルミニウムから成る群から選択された少なくとも1種類の元素が含まれ、高抵抗層は、メモリ素子に所定の電圧を印加したとき、銅、ジルコニウム及びアルミニウムから成る群から選択された少なくとも1種類の元素が高抵抗層に拡散することでその抵抗値が低くなる請求項8に記載の不揮発性メモリ素子群。
- (A)第1絶縁層、
(B)凹部を有し、第1絶縁層上に設けられた第2絶縁層、
(C)第1絶縁層内に設けられ、頂面が凹部の底部に露出した電極、
(D)凹部の側壁から底部に亙り形成された情報記憶層、並びに、
(E)凹部内の情報記憶層によって囲まれた空間を充填した導電材料層、
を備えた不揮発性メモリ素子。 - 情報記憶層は、電気抵抗値が変化することで情報を記憶する抵抗変化層から成る請求項10に記載の不揮発性メモリ素子。
- 抵抗変化層は、高抵抗層及びイオン源層の積層構造を有する請求項11に記載の不揮発性メモリ素子。
- (a)第1絶縁層内に、頂面が第1絶縁層の頂面と同一面内にある電極を、複数、形成した後、
(b)第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、次いで、底部に電極が露出した第1の凹部、及び、第1の凹部と連通し、第1の凹部よりも幅の広い第2の凹部を第2絶縁層に形成し、その後、
(c)第2絶縁層の頂面上、第1の凹部及び第2の凹部の側壁から底部に亙り、情報記憶層を形成し、次いで、
(d)全面に導電材料層を形成し、その後、
(e)第2絶縁層の頂面上の導電材料層及び情報記憶層を除去し、以て、情報記憶層が埋め込まれた第1の凹部、並びに、情報記憶層及び導電材料層が埋め込まれた第2の凹部を得る、
各工程を備えた不揮発性メモリ素子群の製造方法。 - N個の電極が設けられており、
電極、情報記憶層及び導電材料層から不揮発性メモリ素子が構成され、
N個の不揮発性メモリ素子から構成されている請求項13に記載の不揮発性メモリ素子群の製造方法。 - 工程(e)に引き続き、全面に第3絶縁層を形成し、次いで、第3絶縁層上に、コンタクトプラグを介して導電材料層に接続された配線を形成する請求項13又は請求項14に記載の不揮発性メモリ素子群の製造方法。
- 前記工程(b)において、隣接する不揮発性メモリ素子群における第2の凹部を結ぶ凹部連結部を第2絶縁層に形成し、
前記工程(c)において、凹部連結部の側壁から底部に亙り情報記憶層延在部を形成し、
前記工程(e)において、第2絶縁層の頂面上の導電材料層及び情報記憶層を除去し、以て、情報記憶層が埋め込まれた第1の凹部、情報記憶層及び導電材料層が埋め込まれた第2の凹部、並びに、情報記憶層延在部及び導電材料層延在部が埋め込まれた凹部連結部を得、
第2の凹部及び凹部連結部を充填した導電材料層及び導電材料層延在部によって配線が構成される請求項13又は請求項14に記載の不揮発性メモリ素子群の製造方法。 - (a)第1絶縁層内に、頂面が第1絶縁層の頂面と同一面内にある電極を、複数、形成した後、
(b)第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、次いで、底部に電極が露出した凹部を第2絶縁層に形成し、その後、
(c)第2絶縁層の頂面上、及び、凹部の側壁から底部に亙り、情報記憶層を形成し、次いで、
(d)全面に導電材料層を形成し、その後、
(e)第2絶縁層の頂面上の導電材料層及び情報記憶層を除去し、以て、凹部内の情報記憶層によって囲まれた空間を充填した導電材料層から成る配線を得る、
各工程を備えた不揮発性メモリ素子群の製造方法。 - N個の電極が設けられており、
電極、情報記憶層及び配線から不揮発性メモリ素子が構成され、
N個の不揮発性メモリ素子から構成されている請求項17に記載の不揮発性メモリ素子群の製造方法。 - (a)第1絶縁層内に、頂面が第1絶縁層の頂面と同一面内にある電極を形成した後、
(b)第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、次いで、底部に電極が露出した凹部を第2絶縁層に形成し、その後、
(c)第2絶縁層の頂面上、及び、凹部の側壁から底部に亙り、情報記憶層を形成し、次いで、
(d)全面に導電材料層を形成し、その後、
(e)第2絶縁層の頂面上の導電材料層及び情報記憶層を除去し、以て、凹部内の情報記憶層によって囲まれた空間を充填した導電材料層を得る、
各工程を備えた不揮発性メモリ素子の製造方法。
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KR101671860B1 (ko) * | 2015-07-20 | 2016-11-03 | 서울대학교산학협력단 | 터널링 절연막이 삽입된 저항성 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이와 그 제조방법 |
CN109509736A (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 晨星半导体股份有限公司 | 电路板及芯片封装体 |
JP2019160981A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気記憶装置 |
CN112002801B (zh) * | 2020-07-20 | 2021-09-07 | 厦门半导体工业技术研发有限公司 | 半导体器件和半导体器件的制造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006179778A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007067403A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Ovonyx Inc | 相変化メモリセルにおける相変化層の成形方法 |
JP2008153375A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Sony Corp | 記憶素子及び記憶装置 |
JP2008306011A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2009043758A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Sony Corp | 記憶素子および記憶装置 |
US20090242868A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2010027753A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 |
JP2010153868A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Imec | 抵抗スイッチングメモリデバイスの製造方法およびそのデバイス |
JP2010177393A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Sony Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2010212541A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
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US7067865B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-06-27 | Macronix International Co., Ltd. | High density chalcogenide memory cells |
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KR20100082604A (ko) * | 2009-01-09 | 2010-07-19 | 삼성전자주식회사 | 가변저항 메모리 장치 및 그의 형성 방법 |
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Patent Citations (11)
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JP2006179778A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007067403A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Ovonyx Inc | 相変化メモリセルにおける相変化層の成形方法 |
JP2008153375A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Sony Corp | 記憶素子及び記憶装置 |
JP2008306011A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2009043758A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Sony Corp | 記憶素子および記憶装置 |
US20090242868A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2009246085A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010027753A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 |
JP2010153868A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Imec | 抵抗スイッチングメモリデバイスの製造方法およびそのデバイス |
JP2010177393A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Sony Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2010212541A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
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