JP2012072498A - 高純度マンガンからなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した高純度マンガンからなる薄膜 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明はＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法並びにこれによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供する。
【解決手段】 Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。
【選択図】 図１
【解決手段】 Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。
【選択図】 図１
Description
本発明は、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等（以下、特に記載しない限り、「ガス成分」と記載する。）を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造方法並びに高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜に関する。
最近、磁性材料、磁気記録材料、高弾性材料、半導体材料等に高純度クロム、マンガン等の高純度金属が使用されるようになってきたが、これらの粗金属には、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有されている。したがって、上記のような用途に使用する場合には、このような不純物を含有する粗金属から該ガス成分等を減少させることが要求される。
例えば、高純度クロムを製造する方法として、通常６価の粗クロムを電解精製して高純度クロムを得る方法や水素や炭素等の還元剤あるいは脱硫剤を添加して高純度化する方法が提案されているが、６価の粗クロムは有毒であり取扱いに危険が伴うという問題があり、また還元剤及び脱硫剤を使用する方法は工程が煩雑となりコスト高となる欠点があった。
例えば、高純度クロムを製造する方法として、通常６価の粗クロムを電解精製して高純度クロムを得る方法や水素や炭素等の還元剤あるいは脱硫剤を添加して高純度化する方法が提案されているが、６価の粗クロムは有毒であり取扱いに危険が伴うという問題があり、また還元剤及び脱硫剤を使用する方法は工程が煩雑となりコスト高となる欠点があった。
このようなことから、安全にかつ低コストで製造できる方法の検討がなされてきた。そこでクロム等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用して、高周波溶解炉を使用して真空蒸留を行った。しかし、クロム等を真空蒸留する場合、２０００°Ｃ程度まで高温に加熱する必要がある。
溶解する坩堝を２０００°Ｃに上げるためには、坩堝材料や溶解装置を耐熱性に優れた特別なものを使用しなければならず、また坩堝材料からの汚染の問題もあり、かえってコスト高になるという問題があり、高周波溶解炉を使用して真空蒸留する高純度化は断念せざるを得なかった。
溶解する坩堝を２０００°Ｃに上げるためには、坩堝材料や溶解装置を耐熱性に優れた特別なものを使用しなければならず、また坩堝材料からの汚染の問題もあり、かえってコスト高になるという問題があり、高周波溶解炉を使用して真空蒸留する高純度化は断念せざるを得なかった。
以上から、本発明はＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法を提供するものであり、さらに、これによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供するものである。
本発明は、
１．Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。
２．上記１記載の高純度金属からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いてスパッタリングにより形成した薄膜。
に関する。
１．Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。
２．上記１記載の高純度金属からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いてスパッタリングにより形成した薄膜。
に関する。
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、電子ビームによりクロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用し、高純度化を目的とするクロム、マンガン等の金属を選択的に蒸発・凝縮させて該ガス成分を大幅に減少させ、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法を提供するものであり、さらに、これによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供することができるという優れた効果を有する。
また、これによって得られた高純度ターゲットは、薄膜の電気・磁気的特性又は化学的特性を改善するだけでなく、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクル等の発生が減少するという著しい特長を有する。
また、これによって得られた高純度ターゲットは、薄膜の電気・磁気的特性又は化学的特性を改善するだけでなく、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクル等の発生が減少するという著しい特長を有する。
本発明の一例について、図を使用して説明する。図１は本発明に使用する電子ビーム溶解装置の断面概念説明図であり、銅製等の水冷坩堝１に精製前のＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属２を導入する。
坩堝１の上部に凝縮容器３を設置する。凝縮容器３の材料としては、鉄、ステンレス、グラファイト等の材料を使用することができる。しかし、特に汚染物質が存在しない限り、特に上記材料に制限される必要がなく、他の材料を使用することもできる。該凝縮容器３の一部には粗金属２に電子ビーム４等を照射する窓５が開けられている。
電子ビーム溶解装置の真空度は１×１０−２〜１×１０−５ｍｍＨｇ程度に維持する。電子ビームによる溶解は０．１Ａ〜１０Ａで実施する。なお、この電子ビーム溶解の出力は、溶解蒸発させ精製する金属の種類等に応じて適宜制御することができ、必ずしも上記に制限される必要はない。
坩堝１の上部に凝縮容器３を設置する。凝縮容器３の材料としては、鉄、ステンレス、グラファイト等の材料を使用することができる。しかし、特に汚染物質が存在しない限り、特に上記材料に制限される必要がなく、他の材料を使用することもできる。該凝縮容器３の一部には粗金属２に電子ビーム４等を照射する窓５が開けられている。
電子ビーム溶解装置の真空度は１×１０−２〜１×１０−５ｍｍＨｇ程度に維持する。電子ビームによる溶解は０．１Ａ〜１０Ａで実施する。なお、この電子ビーム溶解の出力は、溶解蒸発させ精製する金属の種類等に応じて適宜制御することができ、必ずしも上記に制限される必要はない。
電子ビーム４の粗金属２への照射により、電子ビームスポットに金属の溶融プールが形成されるが、クロムやマンガン等の金属は蒸気圧が極めて高いので直ちに蒸発し、主として１５００°Ｃ以下に保持された凝縮容器３の天井や側壁に金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属６が付着する。この凝縮容器３の保持温度は高純度化する粗原料金属材料によって、適宜調節する。
上記のように、蒸気圧が極めて高いクロム、マンガン等の金属は直ちに蒸発するので、粗原料を保持する坩堝は上記のように、銅製等の水冷坩堝１を使用することができる。したがって、高周波溶解等で使用するような高耐熱性の坩堝材料を使用する必要はない。
そして、粗原料中に含まれる酸化クロム、二酸化マンガンやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝１内に残存し、また揮発するガス成分は凝縮容器３外に排出される。
以上の結果、凝縮容器３の天井や側壁に付着した金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属６は蒸気圧の差異から優先的かつ選択的に、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度クロム、金属マンガン等の金属が得られる。
なお、凝縮容器３の坩堝に近い側壁にはスプラッシュによる低純度の物質が付着する場合があるが、その場合にはその部分は回収高純度クロム、高純度マンガン等の金属から除外する必要がある。
上記のように、蒸気圧が極めて高いクロム、マンガン等の金属は直ちに蒸発するので、粗原料を保持する坩堝は上記のように、銅製等の水冷坩堝１を使用することができる。したがって、高周波溶解等で使用するような高耐熱性の坩堝材料を使用する必要はない。
そして、粗原料中に含まれる酸化クロム、二酸化マンガンやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝１内に残存し、また揮発するガス成分は凝縮容器３外に排出される。
以上の結果、凝縮容器３の天井や側壁に付着した金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属６は蒸気圧の差異から優先的かつ選択的に、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度クロム、金属マンガン等の金属が得られる。
なお、凝縮容器３の坩堝に近い側壁にはスプラッシュによる低純度の物質が付着する場合があるが、その場合にはその部分は回収高純度クロム、高純度マンガン等の金属から除外する必要がある。
この凝縮容器３の天井や側壁に付着した金属クロム、金属マンガン等の金属６は電子ビーム溶解後、冷却して取り外す。この金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属６は容易に剥がすことができる。このようにして得たＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下である高純度クロム、金属マンガン等の蒸留金属を、真空溶解、鋳造等の工程を経て電子部品等に使用するクロム、マンガン等の薄膜を形成するスパッタリングターゲットに加工することができる。
このような高純度ターゲットは薄膜の特性を改善するだけでなく、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクル等の発生が減少するという著しい特長を有する。
以上については、主としてクロム及びマンガンの高純度化について説明したが、本発明の電子ビームによる精製によるＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の除去、すなわちクロムやマンガンと同様に蒸気圧の高いＣａ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｅ、Ｎｉ、Ｓｉ等の金属の精製に有効である。
このような高純度ターゲットは薄膜の特性を改善するだけでなく、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクル等の発生が減少するという著しい特長を有する。
以上については、主としてクロム及びマンガンの高純度化について説明したが、本発明の電子ビームによる精製によるＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の除去、すなわちクロムやマンガンと同様に蒸気圧の高いＣａ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｅ、Ｎｉ、Ｓｉ等の金属の精製に有効である。
次に、実施例に基づいて説明する。なお、これらは本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明はこれらに制限されるものではない。
（実施例１）
図１に示すような電子ビーム溶解装置を使用し、銅製の水冷坩堝に精製前のＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する３Ｎレベルの粗クロム（原料）５ｋｇを導入した。この原料の化学分析値を表１に示す。
坩堝の上部に位置する凝縮容器の材料としては、純鉄を使用した。該凝縮容器の一部に開口した窓から原料粗クロムに電子ビームを照射した。電子ビーム溶解装置の真空度は１〜２×１０−４ｍｍＨｇ（≒１．３３〜２．６６×１０−２Ｐａ）に維持した。電子ビームによる溶解を１．２Ａで１時間、実施した。
（実施例１）
図１に示すような電子ビーム溶解装置を使用し、銅製の水冷坩堝に精製前のＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する３Ｎレベルの粗クロム（原料）５ｋｇを導入した。この原料の化学分析値を表１に示す。
坩堝の上部に位置する凝縮容器の材料としては、純鉄を使用した。該凝縮容器の一部に開口した窓から原料粗クロムに電子ビームを照射した。電子ビーム溶解装置の真空度は１〜２×１０−４ｍｍＨｇ（≒１．３３〜２．６６×１０−２Ｐａ）に維持した。電子ビームによる溶解を１．２Ａで１時間、実施した。
粗クロム原料への電子ビーム照射により、電子ビームスポットに金属クロムの溶融プールが形成されたが、その範囲は小さく、クロムは直ちに蒸発し、１５００°Ｃ以下に保持された凝縮容器の天井や側壁に金属クロムが付着した。
上記のように、金属クロムは蒸気圧が極めて高く直ちに蒸発するので、原料を保持する銅製の水冷坩堝が溶損や破壊することは全くなかった。
そして、粗原料中に含まれる酸化クロムやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝内に残存した。またその他の揮発したガス成分は凝縮容器外に排出された。
凝縮容器の天井や側壁に付着した金属クロムは蒸気圧の差異から、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度クロムが約１ｋｇ得られた。
上記のように、金属クロムは蒸気圧が極めて高く直ちに蒸発するので、原料を保持する銅製の水冷坩堝が溶損や破壊することは全くなかった。
そして、粗原料中に含まれる酸化クロムやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝内に残存した。またその他の揮発したガス成分は凝縮容器外に排出された。
凝縮容器の天井や側壁に付着した金属クロムは蒸気圧の差異から、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度クロムが約１ｋｇ得られた。
電子ビーム溶解後冷却し、凝縮容器の天井や側壁に付着した金属クロムを剥がした。この剥離は極めて容易であった。
このようにして得た金属クロムの化学分析により測定した。その結果を同様に表１に示す。表１に示すように、酸素の低減が著しく、またＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の総量は２００ｐｐｍ以下の４Ｎレベル以上の高純度クロムが得られた。
このようにして得た高純度クロムを、真空溶解、鋳造等の工程を経てスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、３Ｎレベルの粗クロムに比べ、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクルの発生が著しく減少した。
このようにして得た金属クロムの化学分析により測定した。その結果を同様に表１に示す。表１に示すように、酸素の低減が著しく、またＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の総量は２００ｐｐｍ以下の４Ｎレベル以上の高純度クロムが得られた。
このようにして得た高純度クロムを、真空溶解、鋳造等の工程を経てスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、３Ｎレベルの粗クロムに比べ、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクルの発生が著しく減少した。
（実施例２）
実施例１と同様に、図１に示すような電子ビーム溶解装置を使用し、銅製の水冷坩堝に精製前のＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗マンガン（原料）５ｋｇを導入した。この原料の化学分析値を表２に示す。
実施例１と同様に、坩堝の上部に位置する凝縮容器の材料として純鉄を使用した。該凝縮容器の一部に開口した窓から原料粗マンガンに電子ビームを照射した。電子ビーム溶解装置の真空度は１〜２×１０−４ｍｍＨｇ（≒１．３３〜２．６６×１０−２Ｐａ）に維持した。電子ビームによる溶解を１．２Ａで１時間、実施した。
実施例１と同様に、図１に示すような電子ビーム溶解装置を使用し、銅製の水冷坩堝に精製前のＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗マンガン（原料）５ｋｇを導入した。この原料の化学分析値を表２に示す。
実施例１と同様に、坩堝の上部に位置する凝縮容器の材料として純鉄を使用した。該凝縮容器の一部に開口した窓から原料粗マンガンに電子ビームを照射した。電子ビーム溶解装置の真空度は１〜２×１０−４ｍｍＨｇ（≒１．３３〜２．６６×１０−２Ｐａ）に維持した。電子ビームによる溶解を１．２Ａで１時間、実施した。
粗マンガン原料への電子ビーム照射により、電子ビームスポットに金属マンガンの溶融プールが形成されたが、その範囲は小さく、マンガンは直ちに蒸発し、１５００°Ｃ 以下に保持された凝縮容器の天井や側壁に金属マンガンが付着した。実施例１と同様に、金属マンガンは蒸気圧が極めて高く直ちに蒸発するので、原料を保持する銅製の水冷坩堝が溶損や破壊することは全くなかった。
そして、粗原料中に含まれる二酸化マンガンやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝内に残存した。またその他の揮発したガス成分は凝縮容器外に排出された。凝縮容器の天井や側壁に付着した金属マンガンは蒸気圧の差異から、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で１００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度マンガンが約１ｋｇ得られた。
そして、粗原料中に含まれる二酸化マンガンやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝内に残存した。またその他の揮発したガス成分は凝縮容器外に排出された。凝縮容器の天井や側壁に付着した金属マンガンは蒸気圧の差異から、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で１００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度マンガンが約１ｋｇ得られた。
電子ビーム溶解後冷却し、凝縮容器の天井や側壁に付着した金属マンガンを剥がした。実施例１と同様に、この剥離は極めて容易であった。
このようにして得た金属マンガンの化学分析により測定した。その結果を、同様に表２に示す。表２に示すように、酸素の低減が著しく、またＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の総量は１００ｐｐｍ以下の４Ｎレベル以上の高純度マンガンが得られた。
実施例１と同様に、このようにして得た高純度マンガンを、真空溶解、鋳造等の工程を経てスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、粗マンガンに比べ、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクルの発生が著しく減少した。
このようにして得た金属マンガンの化学分析により測定した。その結果を、同様に表２に示す。表２に示すように、酸素の低減が著しく、またＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の総量は１００ｐｐｍ以下の４Ｎレベル以上の高純度マンガンが得られた。
実施例１と同様に、このようにして得た高純度マンガンを、真空溶解、鋳造等の工程を経てスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、粗マンガンに比べ、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクルの発生が著しく減少した。
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、電子ビームによりクロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用し、高純度化を目的とするクロム、マンガン等の金属を選択的に蒸発・凝縮させて該ガス成分を大幅に減少させ、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法を提供するものであり、さらに、これによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供することができる。
１ 坩堝
２ 粗金属
３ 凝縮容器
４ 電子ビーム
５ 窓
６ 金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属
２ 粗金属
３ 凝縮容器
４ 電子ビーム
５ 窓
６ 金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属
本発明は、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等（以下、特に記載しない限り、「ガス成分」と記載する。）を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度マンガン、高純度マンガンからなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した高純度マンガンからなる薄膜に関する。
最近、磁性材料、磁気記録材料、高弾性材料、半導体材料等に高純度クロム、マンガン等の高純度金属が使用されるようになってきたが、これらの粗金属には、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有されている。したがって、上記のような用途に使用する場合には、このような不純物を含有する粗金属から該ガス成分等を減少させることが要求される。
例えば、高純度クロムを製造する方法として、通常６価の粗クロムを電解精製して高純度クロムを得る方法や水素や炭素等の還元剤あるいは脱硫剤を添加して高純度化する方法が提案されているが、６価の粗クロムは有毒であり取扱いに危険が伴うという問題があり、また還元剤及び脱硫剤を使用する方法は工程が煩雑となりコスト高となる欠点があった。
例えば、高純度クロムを製造する方法として、通常６価の粗クロムを電解精製して高純度クロムを得る方法や水素や炭素等の還元剤あるいは脱硫剤を添加して高純度化する方法が提案されているが、６価の粗クロムは有毒であり取扱いに危険が伴うという問題があり、また還元剤及び脱硫剤を使用する方法は工程が煩雑となりコスト高となる欠点があった。
このようなことから、安全にかつ低コストで製造できる方法の検討がなされてきた。そこでクロム等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用して、高周波溶解炉を使用して真空蒸留を行った。しかし、クロム等を真空蒸留する場合、２０００°Ｃ程度まで高温に加熱する必要がある。
溶解する坩堝を２０００°Ｃに上げるためには、坩堝材料や溶解装置を耐熱性に優れた特別なものを使用しなければならず、また坩堝材料からの汚染の問題もあり、かえってコスト高になるという問題があり、高周波溶解炉を使用して真空蒸留する高純度化は断念せざるを得なかった。
溶解する坩堝を２０００°Ｃに上げるためには、坩堝材料や溶解装置を耐熱性に優れた特別なものを使用しなければならず、また坩堝材料からの汚染の問題もあり、かえってコスト高になるという問題があり、高周波溶解炉を使用して真空蒸留する高純度化は断念せざるを得なかった。
以上から、本発明はＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法を提供するものであり、さらに、これによって得られた高純度マンガン、高純度マンガンからなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した高純度マンガンからなる薄膜を提供するものである。
本発明は、
１．Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であり、かつ各ガス成分の内、Ｎ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｈ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｆ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｓ＜１０ｗｔｐｐｍであることを特徴とする高純度マンガンからなるスパッタリングターゲット
２．上記１記載の高純度マンガンからなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成した高純度マンガンからなる薄膜、に関する。
１．Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であり、かつ各ガス成分の内、Ｎ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｈ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｆ＜１０ｗｔｐｐｍ、Ｓ＜１０ｗｔｐｐｍであることを特徴とする高純度マンガンからなるスパッタリングターゲット
２．上記１記載の高純度マンガンからなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより形成した高純度マンガンからなる薄膜、に関する。
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、電子ビームによりマンガンの金属特有の蒸気圧が高いことを利用し、高純度化を目的とするマンガンを選択的に蒸発・凝縮させて該ガス成分を大幅に減少させ、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法を提供するものであり、さらに、これによって得られた高純度マンガン、高純度マンガンからなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した高純度マンガンからなる薄膜を提供することができるという優れた効果を有する。
また、これによって得られた高純度ターゲットは、薄膜の電気・磁気的特性又は化学的特性を改善するだけでなく、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクル等の発生が減少するという著しい特長を有する。
また、これによって得られた高純度ターゲットは、薄膜の電気・磁気的特性又は化学的特性を改善するだけでなく、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクル等の発生が減少するという著しい特長を有する。
本発明の一例について、図を使用して説明する。図１は本発明に使用する電子ビーム溶解装置の断面概念説明図であり、銅製等の水冷坩堝１に精製前のＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属２を導入する。
坩堝１の上部に凝縮容器３を設置する。凝縮容器３の材料としては、鉄、ステンレス、グラファイト等の材料を使用することができる。しかし、特に汚染物質が存在しない限り、特に上記材料に制限される必要がなく、他の材料を使用することもできる。該凝縮容器３の一部には粗金属２に電子ビーム４等を照射する窓５が開けられている。
電子ビーム溶解装置の真空度は１×１０−２〜１×１０−５ｍｍＨｇ程度に維持する。電子ビームによる溶解は０．１Ａ〜１０Ａで実施する。なお、この電子ビーム溶解の出力は、溶解蒸発させ精製する金属の種類等に応じて適宜制御することができ、必ずしも上記に制限される必要はない。
坩堝１の上部に凝縮容器３を設置する。凝縮容器３の材料としては、鉄、ステンレス、グラファイト等の材料を使用することができる。しかし、特に汚染物質が存在しない限り、特に上記材料に制限される必要がなく、他の材料を使用することもできる。該凝縮容器３の一部には粗金属２に電子ビーム４等を照射する窓５が開けられている。
電子ビーム溶解装置の真空度は１×１０−２〜１×１０−５ｍｍＨｇ程度に維持する。電子ビームによる溶解は０．１Ａ〜１０Ａで実施する。なお、この電子ビーム溶解の出力は、溶解蒸発させ精製する金属の種類等に応じて適宜制御することができ、必ずしも上記に制限される必要はない。
電子ビーム４の粗金属２への照射により、電子ビームスポットに金属の溶融プールが形成されるが、マンガンは蒸気圧が極めて高いので直ちに蒸発し、主として１５００°Ｃ以下に保持された凝縮容器３の天井や側壁に金属マンガンの蒸留金属６が付着する。この凝縮容器３の保持温度は高純度化する粗原料金属材料によって、適宜調節する。
上記のように、蒸気圧が極めて高いマンガンは直ちに蒸発するので、粗原料を保持する坩堝は上記のように、銅製等の水冷坩堝１を使用することができる。したがって、高周波溶解等で使用するような高耐熱性の坩堝材料を使用する必要はない。
そして、粗原料中に含まれる酸化クロム、二酸化マンガンやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝１内に残存し、また揮発するガス成分は凝縮容器３外に排出される。
以上の結果、凝縮容器３の天井や側壁に付着した金属マンガンは蒸気圧の差異から優先的かつ選択的に、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度マンガンが得られる。
なお、凝縮容器３の坩堝に近い側壁にはスプラッシュによる低純度の物質が付着する場合があるが、その場合にはその部分は回収高純度マンガンから除外する必要がある。
上記のように、蒸気圧が極めて高いマンガンは直ちに蒸発するので、粗原料を保持する坩堝は上記のように、銅製等の水冷坩堝１を使用することができる。したがって、高周波溶解等で使用するような高耐熱性の坩堝材料を使用する必要はない。
そして、粗原料中に含まれる酸化クロム、二酸化マンガンやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝１内に残存し、また揮発するガス成分は凝縮容器３外に排出される。
以上の結果、凝縮容器３の天井や側壁に付着した金属マンガンは蒸気圧の差異から優先的かつ選択的に、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度マンガンが得られる。
なお、凝縮容器３の坩堝に近い側壁にはスプラッシュによる低純度の物質が付着する場合があるが、その場合にはその部分は回収高純度マンガンから除外する必要がある。
この凝縮容器３の天井や側壁に付着した金属マンガン６は電子ビーム溶解後、冷却して取り外す。この金属マンガンの蒸留金属６は容易に剥がすことができる。このようにして得たＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下である高純度マンガンの蒸留金属を、真空溶解、鋳造等の工程を経て電子部品等に使用するマンガンの薄膜を形成するスパッタリングターゲットに加工することができる。
このような高純度ターゲットは薄膜の特性を改善するだけでなく、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクル等の発生が減少するという著しい特長を有する。
以上については、主としてマンガンの高純度化について説明したが、本発明の電子ビームによる精製によるＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の除去、すなわちマンガンと同様に蒸気圧の高いＣｒ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｅ、Ｎｉ、Ｓｉ等の金属の精製に有効である。
このような高純度ターゲットは薄膜の特性を改善するだけでなく、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクル等の発生が減少するという著しい特長を有する。
以上については、主としてマンガンの高純度化について説明したが、本発明の電子ビームによる精製によるＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の除去、すなわちマンガンと同様に蒸気圧の高いＣｒ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｅ、Ｎｉ、Ｓｉ等の金属の精製に有効である。
次に、実施例に基づいて説明する。なお、これらは本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明はこれらに制限されるものではない。
（参考例１）
図１に示すような電子ビーム溶解装置を使用し、銅製の水冷坩堝に精製前のＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する３Ｎレベルの粗クロム（原料）５ｋｇを導入した。この原料の化学分析値を表１に示す。
坩堝の上部に位置する凝縮容器の材料としては、純鉄を使用した。該凝縮容器の一部に開口した窓から原料粗クロムに電子ビームを照射した。電子ビーム溶解装置の真空度は１〜２×１０−４ｍｍＨｇ（≒１．３３〜２．６６×１０−２Ｐａ）に維持した。電子ビームによる溶解を１．２Ａで１時間、実施した。
（参考例１）
図１に示すような電子ビーム溶解装置を使用し、銅製の水冷坩堝に精製前のＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する３Ｎレベルの粗クロム（原料）５ｋｇを導入した。この原料の化学分析値を表１に示す。
坩堝の上部に位置する凝縮容器の材料としては、純鉄を使用した。該凝縮容器の一部に開口した窓から原料粗クロムに電子ビームを照射した。電子ビーム溶解装置の真空度は１〜２×１０−４ｍｍＨｇ（≒１．３３〜２．６６×１０−２Ｐａ）に維持した。電子ビームによる溶解を１．２Ａで１時間、実施した。
粗クロム原料への電子ビーム照射により、電子ビームスポットに金属クロムの溶融プールが形成されたが、その範囲は小さく、クロムは直ちに蒸発し、１５００°Ｃ以下に保持された凝縮容器の天井や側壁に金属クロムが付着した。
上記のように、金属クロムは蒸気圧が極めて高く直ちに蒸発するので、原料を保持する銅製の水冷坩堝が溶損や破壊することは全くなかった。
そして、粗原料中に含まれる酸化クロムやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝内に残存した。またその他の揮発したガス成分は凝縮容器外に排出された。
凝縮容器の天井や側壁に付着した金属クロムは蒸気圧の差異から、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度クロムが約１ｋｇ得られた。
上記のように、金属クロムは蒸気圧が極めて高く直ちに蒸発するので、原料を保持する銅製の水冷坩堝が溶損や破壊することは全くなかった。
そして、粗原料中に含まれる酸化クロムやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝内に残存した。またその他の揮発したガス成分は凝縮容器外に排出された。
凝縮容器の天井や側壁に付着した金属クロムは蒸気圧の差異から、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度クロムが約１ｋｇ得られた。
電子ビーム溶解後冷却し、凝縮容器の天井や側壁に付着した金属クロムを剥がした。この剥離は極めて容易であった。
このようにして得た金属クロムの化学分析により測定した。その結果を同様に表１に示す。表１に示すように、酸素の低減が著しく、またＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の総量は２００ｐｐｍ以下の４Ｎレベル以上の高純度クロムが得られた。
このようにして得た高純度クロムを、真空溶解、鋳造等の工程を経てスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、３Ｎレベルの粗クロムに比べ、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクルの発生が著しく減少した。
このようにして得た金属クロムの化学分析により測定した。その結果を同様に表１に示す。表１に示すように、酸素の低減が著しく、またＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の総量は２００ｐｐｍ以下の４Ｎレベル以上の高純度クロムが得られた。
このようにして得た高純度クロムを、真空溶解、鋳造等の工程を経てスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、３Ｎレベルの粗クロムに比べ、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクルの発生が著しく減少した。
（実施例１）
参考例１と同様に、図１に示すような電子ビーム溶解装置を使用し、銅製の水冷坩堝に精製前のＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗マンガン（原料）５ｋｇを導入した。この原料の化学分析値を表２に示す。
参考例１と同様に、坩堝の上部に位置する凝縮容器の材料として純鉄を使用した。該凝縮容器の一部に開口した窓から原料粗マンガンに電子ビームを照射した。電子ビーム溶解装置の真空度は１〜２×１０−４ｍｍＨｇ（≒１．３３〜２．６６×１０−２Ｐａ）に維持した。電子ビームによる溶解を１．２Ａで１時間、実施した。
参考例１と同様に、図１に示すような電子ビーム溶解装置を使用し、銅製の水冷坩堝に精製前のＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗マンガン（原料）５ｋｇを導入した。この原料の化学分析値を表２に示す。
参考例１と同様に、坩堝の上部に位置する凝縮容器の材料として純鉄を使用した。該凝縮容器の一部に開口した窓から原料粗マンガンに電子ビームを照射した。電子ビーム溶解装置の真空度は１〜２×１０−４ｍｍＨｇ（≒１．３３〜２．６６×１０−２Ｐａ）に維持した。電子ビームによる溶解を１．２Ａで１時間、実施した。
粗マンガン原料への電子ビーム照射により、電子ビームスポットに金属マンガンの溶融プールが形成されたが、その範囲は小さく、マンガンは直ちに蒸発し、１５００°Ｃ 以下に保持された凝縮容器の天井や側壁に金属マンガンが付着した。実施例１と同様に、金属マンガンは蒸気圧が極めて高く直ちに蒸発するので、原料を保持する銅製の水冷坩堝が溶損や破壊することは全くなかった。
そして、粗原料中に含まれる二酸化マンガンやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝内に残存した。またその他の揮発したガス成分は凝縮容器外に排出された。凝縮容器の天井や側壁に付着した金属マンガンは蒸気圧の差異から、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で１００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度マンガンが約１ｋｇ得られた。
そして、粗原料中に含まれる二酸化マンガンやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝内に残存した。またその他の揮発したガス成分は凝縮容器外に排出された。凝縮容器の天井や側壁に付着した金属マンガンは蒸気圧の差異から、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で１００ｐｐｍ以下の極めて純度の高い５Ｎレベルの高純度マンガンが約１ｋｇ得られた。
電子ビーム溶解後冷却し、凝縮容器の天井や側壁に付着した金属マンガンを剥がした。実施例１と同様に、この剥離は極めて容易であった。
このようにして得た金属マンガンの化学分析により測定した。その結果を、同様に表２に示す。表２に示すように、酸素の低減が著しく、またＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の総量は１００ｐｐｍ以下の４Ｎレベル以上の高純度マンガンが得られた。
参考例１と同様に、このようにして得た高純度マンガンを、真空溶解、鋳造等の工程を経てスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、粗マンガンに比べ、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクルの発生が著しく減少した。
このようにして得た金属マンガンの化学分析により測定した。その結果を、同様に表２に示す。表２に示すように、酸素の低減が著しく、またＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分の総量は１００ｐｐｍ以下の４Ｎレベル以上の高純度マンガンが得られた。
参考例１と同様に、このようにして得た高純度マンガンを、真空溶解、鋳造等の工程を経てスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、粗マンガンに比べ、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクルの発生が著しく減少した。
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、電子ビームによりクロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用し、高純度化を目的とするクロム、マンガン等の金属を選択的に蒸発・凝縮させて該ガス成分を大幅に減少させ、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法を提供するものであり、さらに、これによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供することができる。
１ 坩堝
２ 粗金属
３ 凝縮容器
４ 電子ビーム
５ 窓
６ 金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属
２ 粗金属
３ 凝縮容器
４ 電子ビーム
５ 窓
６ 金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属
Claims (2)
- Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。
- 請求項１記載の高純度金属からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いてスパッタリングにより形成した薄膜。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52114512A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-26 | Sakae Tajima | High pure metallic manganese |
| JPS538309A (en) * | 1976-07-13 | 1978-01-25 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Removing method for sulfer in metalic manganese |
| JPH11152528A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-08 | Japan Energy Corp | 高純度Ｍｎ材料の製造方法及び薄膜形成用高純度Ｍｎ材料 |
| JPH11264070A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Japan Energy Corp | 磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲット、磁性薄膜および磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2000144305A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Japan Energy Corp | 薄膜形成用高純度鉄材料及びその製造方法 |
| JP2001335923A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
| JP2002285373A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Osaka Asahi Metal Mfg Co Ltd | 高純度マンガンの製造方法 |
-
2011
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52114512A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-26 | Sakae Tajima | High pure metallic manganese |
| JPS538309A (en) * | 1976-07-13 | 1978-01-25 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Removing method for sulfer in metalic manganese |
| JPH11152528A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-08 | Japan Energy Corp | 高純度Ｍｎ材料の製造方法及び薄膜形成用高純度Ｍｎ材料 |
| JPH11264070A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Japan Energy Corp | 磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲット、磁性薄膜および磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2000144305A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Japan Energy Corp | 薄膜形成用高純度鉄材料及びその製造方法 |
| JP2001335923A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
| JP2002285373A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Osaka Asahi Metal Mfg Co Ltd | 高純度マンガンの製造方法 |
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