JP2012064378A - 有機電子パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材11上に少なくとも一層の無機バリア層12を有するバリア性フィルム20を用いて有機電子デバイス10を封止する有機電子パネル30の製造方法であって、該無機バリア層を無機接着剤層15を介して貼合し、該無機接着剤層が塗布により形成されたことを特徴とする有機電子パネルの製造方法。
【選択図】図3
Description
本発明においては、有機電子デバイスとは、素子基板上に対向する二つの電極とその間に少なくとも有機機能層が形成された素子(デバイス)を指し、有機電子パネルとは、そのデバイスの少なくとも1個をバリア性フィルムで封止した素子板(パネル)を指す。
本発明に用いられるバリア性フィルムについて詳細は後述するが、バリア性フィルムは、基材上に少なくとも1層の無機バリア層を有している。本発明においては、有機電子デバイスを、無機接着剤層を介して該無機バリア層で貼合している構成を特徴とするものである。
本発明の、バリア性フィルムの無機バリア層に無機接着剤を塗布し貼合する方法の一つの形態としては、2枚のバリア性フィルムの間に有機電子デバイスを狭持し、バリア性フィルムの無機バリア層同士を無機接着剤で貼合する方法であり、もう一つの形態としては、バリア性フィルムの無機バリア層と有機電子デバイスの素子基板が有する無機バリア層とを接着剤で貼合する方法とが挙げられる。
ポリシラザンの改質処理としては、水蒸気酸化および/または加熱処理(乾燥処理を含む)、紫外線照射による改質処理等が知られている。しかしいずれの方法も、本発明のような有機電子パネル化した後のデバイスに対しては、ダメージを与えない条件で実施すことが好ましい。例えば、加熱処理や紫外線照射処理の場合は、有機電子デバイスへの熱伝導を抑える、あるいは、紫外線照射の場合は有機電子デバイスをマスクして実施することが好ましい。
本発明に用いられるバリア性フィルムは、基材上に無機バリア層を有する。無機バリア層の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法もしくはイオンプレーティング法等の物理的気相成長法(PVD)、化学的気相成長法(CVD)等の真空系を用いた原子堆積法やゾルゲル法等の塗布法を用いることができるが生産性および平滑性の観点から塗布法であることが好ましい。
本発明に係るバリア性フィルムの無機バリア層は前述のポリシラザン化合物を塗布し、改質処理によって得られたものであることが好ましい。
バリア性フィルムの基材は、無機バリア層を保持することができる有機材料で形成されたものであれば特に限定されるものではない。また、光学的透明性、耐熱性、無機層との密着性の点においては、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルムが好ましく用いることができる。基材の厚みは5〜500μm程度が好ましく、更に好ましくは25〜250μmである。本発明のバリア性フィルムは発光素子として使用する場合も鑑みて、ガラス転移温度(Tg)が100℃以上であることが好ましい。また、熱収縮率も低いことが好ましい。
本発明では、バリア性フィルムの曲げに対する応力を緩和する目的のほかに、突起等が存在する基材の粗面を平坦化し、あるいは、基材に存在する突起により透明無機バリア層に生じた凹凸やピンホールを埋めて平坦化するために、有機層を少なくとも基材と無機バリア層の間に設けてもよい。このような有機層は、たとえば感光性樹脂を含有する組成物を塗布乾燥後、硬化させて形成されることが好ましい態様である。
<バリア性フィルム1の作製>
(基材)
基材として、両面に易接着加工された125μmの厚さのポリエステルフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、テトロンO3)を、170℃で30分アニール加熱処理したものを用いた。
上記基材上に、JSR株式会社製 UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTAR Z7501を塗布、乾燥後の(平均)膜厚が6μmになるようにワイヤーバーで塗布した後、80℃、3分で乾燥後、空気雰囲気下、高圧水銀ランプを使用し、1.0J/cm2で光硬化を行い、平滑層を形成した。
〈前駆体層の形成〉
前記平滑層表面に、ケイ素化合物含有液としてパーヒドロポリシラザンを膜厚60nmとなるように濃度調整したジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカNAX120−20、(アミン触媒タイプ)と、NN120−20(無触媒タイプ)(混合比4:1)と希釈液:脱水ジブチエーテル)を用い、スピンコート(5000rpm、60秒)にて塗布後、80℃にて10分間乾燥し、ケイ素化合物を含有する前駆体膜を形成した。
その後、MDエキシマ社製のステージ可動型キセノンエキシマ照射装置MODEL:MECL−M−1−200を用いて、照射庫内の雰囲気の酸素濃度を、窒素ガスと酸素ガスを用いて0.1%に制御しながら、ステージの移動速度を10mm/秒の速さで試料を往復搬送させて、真空紫外線を照射して改質処理を行った。ピーク照度及び積算光量は、172nmに感度を持つ照度計H9535−172(浜松フォトニクス社製)を用いて測定した。
エキシマ光強度:120mW/cm2(172nm)
積算光量:2000mJ/cm2
試料と光源の距離:3mm
ステージ加熱温度:25℃(室温)
上記前駆体層の形成および改質処理を、計2度繰り返し、ケイ素系化合物の二層構成のバリア性フィルム1を作製した。(図2(b)参照)。
窒素ガス(不活性ガス)によりパージされた環境下で、素子作製サイズ(有機EL素子より四方5mmずつ大きい)に加工された鋭利なステンレス製枠を、バリア性フィルム1上に押し当てカットし、繰り抜き部分2枚をバリア膜として用い、無機バリア層を設けた面に、スペーサー粒子としてシリカ球形粒子(平均粒径30μm)を含有するエポキシ系光硬化型接着剤(スリーボンド社製、商品名:3113B)を、有機EL素子の周縁部となる領域(素子端より1mm外枠、幅2mm)にシール材として塗布して封止用フィルムを作製した。
本発明に用いられる有機EL素子の作製方法を下記に示す。
第1電極層が形成されたバリア性フィルム1の第1電極層の上に、以下に示す正孔輸送層形成用塗布液を押出し塗布機で塗布した後、乾燥し正孔輸送層を形成した。正孔輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが50nmになるように塗布した。
塗布工程は大気中、25℃相対湿度50%の環境で行った。
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製 Bytron P AI 4083)を純水で65%、メタノール5%で希釈した溶液を正孔輸送層形成用塗布液として準備した。
正孔輸送層形成用塗布液を塗布した後、製膜面に送風し、温度100℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理装置を用い温度150℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、正孔輸送層を形成した。
引き続き、正孔輸送層迄を形成したバリア性フィルム1の正孔輸送層の上に、以下に示す白色発光層形成用塗布液を押出し塗布機で塗布した後、乾燥し発光層を形成した。白色発光層形成用塗布液は乾燥後の厚みが40nmになるように塗布した。
ホスト材のH−Aを1.0gと、ドーパント材D−Aを100mg、ドーパント材D−Bを0.2mg、ドーパント材D−Cを0.2mg、100gのトルエンに溶解し白色発光層形成用塗布液として準備した。
塗布工程を窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
白色発光層形成用塗布液を塗布した後、製膜面に送風し、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、温度130℃で加熱処理を行い、発光層を形成した。
引き続き、発光層迄を形成したのち、以下に示す電子輸送層形成用塗布液を押出し塗布機で塗布した後、乾燥し電子輸送層を形成した。電子輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが30nmになるように塗布した。
塗布工程は窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、電子輸送層形成用塗布液の塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
電子輸送層はE−Aを2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール中に溶解し0.5質量%溶液とし電子輸送層形成用塗布液とした。
電子輸送層形成用塗布液を塗布した後、製膜面に送風し、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理部で温度200℃で加熱処理を行い、電子輸送層を形成した。
引き続き、形成された電子輸送層の上に電子注入層を形成した。まず、各層が形成された素子基板を減圧チャンバーに投入し、5×10−4Paまで減圧した。あらかじめ、真空チャンバーにタンタル製蒸着ボートに用意しておいたフッ化セシウムを加熱し、厚さ3nmの電子注入層を形成した。
引き続き、形成された電子注入層の上に第1電極の上に取り出し電極になる部分を除き、形成された電子注入層の上に5×10−4Paの真空下にて第2電極形成材料としてアルミニウムを使用し、取り出し電極を有するように蒸着法にて、発光面積が50mm平方になるようにマスクパターン成膜し、厚さ100nmの第2電極を積層した。
第2電極まで形成したバリア性フィルム1を、再び窒素雰囲気に移動し、規定の大きさに高エネルギーレーザーによるアブレーション加工により裁断し、有機EL素子を作製した。
作製した有機EL素子に、ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社製異方性導電フィルムDP3232S9を用いて、フレキシブルプリント基板(ベースフィルム:ポリイミド12.5μm、圧延銅箔18μm、カバーレイ:ポリイミド12.5μm、表面処理NiAuメッキ)を接続した。
サンプル1において、<有機EL素子の封止>の工程を以下のように変えて実施した。
有機ELパネル1において、<有機EL素子の封止>の工程を以下のように変えて実施した。
有機ELパネル3において、以下のバリア性フィルムを用いて作製した。
有機ELパネル1を作製後にさらに、バリア性フィルム間にポリシラザンのジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカNN120−20)を浸透させ塗布した。その後、有機EL素子部分をマスクし、上記MDエキシマ社製のステージ可動型キセノンエキシマ照射装置MODEL:MECL−M−1−200を用いて、真空紫外光を照射して2枚のバリア性フィルムを接着した。
有機ELパネル5の作製において、バリア性フィルム間にポリシラザンのジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカNAX120−20)と、有機ポリシラザン(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、MHPS)を4:1で混合した溶液を供給した以外は有機ELパネル5と同様にして有機ELパネル6を作製した。
有機ELパネル5の作製において、バリア性フィルム間にポリシラザンのジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカNAX120−20)と、アクリル樹脂(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、BR101)を4:1で混合した溶液を浸透させ塗布した以外は有機ELパネル5と同様にして有機ELパネル7を作製した。
有機ELパネル5の作製において、バリア性フィルム間にポリシラザンのジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカNAX120−20)を浸透させ塗布した以外はサンプル5と同様にして有機ELパネル8を作製した。
有機ELパネル8の作製において、シール材として、エポキシ系光硬化型接着剤に換え、アクリル樹脂(スリーボンド製3025G)を用いた以外は有機ELパネル8と同様にして有機ELパネル9を作製した。
有機ELパネル8の作製において、バリア性フィルムとして、ポリシラザン塗布・改質膜の代わりに、無機バリア層をAl2O3をスパッタリング蒸着によって100nm製膜したフィルム(水蒸気透過率:5×10−4g/m2/day)を用いた以外同様にして、有機ELパネル10を作製した。
有機ELパネル8において、バリア性フィルムとして、厚さ50μmの薄膜ガラス(水蒸気透過率:1×10−4g/m2/day以下)を用いた以外同様にして、有機ELパネル11を作製した。
有機ELパネル8において、バリア性フィルム1を以下のバリア性フィルム2に変えて実施した。
基材および平滑層の形成は、バリア性フィルム1と同様に行った。
前記、平滑層表面に、ケイ素系化合物含有液としてパーヒドロポリシラザンを60μm膜厚となるように濃度調整したジブチルエーテル溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカNAX120−20(アミン触媒タイプ)とNN120−20(無触媒タイプ)(混合比4:1)および希釈液:脱水ジブチエーテル)を用い、スピンコート(5000rpm、60秒)にて塗布後、80℃にて10分間乾燥し、ケイ素化合物を含有する前駆体膜を形成した。
エキシマ光強度:120mW/cm2(172nm)
試料と光源の距離:3mm
ステージ加熱温度:25℃(室温)
上記改質膜(無機バリア層)の表面に、UV硬化性のアクリル樹脂(Z7501)を塗布し、UV照射することにより、300nm膜厚の樹脂層(中間層)を形成した。
無機接着剤層の断面観察は、収束イオンビーム(FIB)加工装置(エスエスアイナノテクノロジー製SMI2050)を用いて、薄片を作製後、透過型電子顕微鏡(TEM 日本電子製JEM2010F)およびエネルギー分散型X線分析装置(EDX サーモノーラン製SISTEM SIX)を用いて断面観察、元素分析を行った。この結果、本実施例の構成では、バリア性フィルム表面間には接着剤層が形成され、無機元素(具体的にはSi或いはAl)が連続的に存在することを確認した。
(耐久性の評価)
上記のように作製した各有機ELパネルを、45℃90%RH環境下、1mA/cm2の電流を印加し、300時間連続発光させた後、各素子発光部をデジタル画像で撮影し、画像処理ソフトを用いて画像を二値化し、発光部と非発光部の面積比を算出し、以下のランクにより耐久性を評価した。
○:60%以上、90%未満
△:20%以上、60%未満
×:20%未満
3 第一電極
4 有機機能層
5 第二電極
6 素子基板
10 有機電子デバイス
11 基材
12、12a、12b 無機バリア層
13 中間層
14 無機接着剤層
15 無機接着剤層
16 有機接着剤層
20 封止部材
30 有機電子パネル
Claims (4)
- 基材上に少なくとも一層の無機バリア層を有するバリア性フィルムを用いて有機電子デバイスを封止する有機電子パネルの製造方法であって、該無機バリア層を無機接着剤層を介して貼合し、該無機接着剤層が塗布により形成されたことを特徴とする有機電子パネルの製造方法。
- 前記無機接着剤層がケイ素系化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電子パネルの製造方法。
- 前記無機接着剤層が、ポリシラザンを含む液体を塗布、改質処理により形成されたことを特徴とする請求項2に記載の有機電子パネルの製造方法。
- 前記無機バリア層が、ケイ素系有化合物を含むことを特徴とする請求項3に記載の有機電子パネルの製造方法。
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