JPH08236274A - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number
JPH08236274A
JPH08236274A JP7174946A JP17494695A JPH08236274A JP H08236274 A JPH08236274 A JP H08236274A JP 7174946 A JP7174946 A JP 7174946A JP 17494695 A JP17494695 A JP 17494695A JP H08236274 A JPH08236274 A JP H08236274A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polysilazane
film
ceramic
coating
derived
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7174946A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Yamada
一博 山田
Tomonori Ishikawa
智規 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tonen General Sekiyu KK
Original Assignee
Tonen Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tonen Corp filed Critical Tonen Corp
Priority to JP7174946A priority Critical patent/JPH08236274A/ja
Publication of JPH08236274A publication Critical patent/JPH08236274A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 EL素子の防湿性を高めて製品寿命を長くす
る。 【解決手段】 ポリシラザン由来のセラミックスの十分
遮断性の高さ、透明性、低温セラミック化可能性を利用
して、発光層表面、電極表面またはパッケージフィルム
の表面にコーティングする、発光体粒子を被覆する、あ
るいは封止接着剤として使用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はエレクトロルミネッ
センス素子(EL)素子に係る。
【0002】
【従来の技術】EL素子として、ベースフィルム上に表
面電極、発光層及び背面電極を積層した構造物をパッケ
ージングフィルムで密封したものが知られている。発光
層に対して少なくとも一方の発光側は光を透過させるた
めに、例えば透明ベースフィルムとITOなどの透明電
極で構成される。また発光層としてはEL発光体粒子を
有機バインダーで結着したものが用いられ、代表的な発
光体粒子は硫化亜鉛に活性剤を添加したものである。
【0003】このようなEL素子では硫化亜鉛発光体が
水分によって容易に劣化するので、パッケージングフィ
ルムにフッ素樹脂系の防湿性フィルムを用いるほか、ベ
ースフィルムとパッケージングフィルムの間、及び背面
電極とパッケージングフィルムの間にポリアミド樹脂な
どの補水層を介在させたり、発光層の背面および周囲を
覆うように絶縁層(例えば吸湿性物質としてポリアミド
と誘電体としてチタン酸バリウムを添加したポリマー
層)を設けることなどが開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く防湿対策が
取られてはいるが、発光体粒子の硫化亜鉛は水分によっ
て容易に劣化するため、いまだ防湿性が十分でなく、E
L素子の寿命が短いという問題がある。そこで、本発明
は上記の如きEL素子を実用化するにたりる防湿性を付
与したEL素子を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、ベースフィルム上に表面電極、発光層及び
背面電極を積層した構成物をパッケージフィルムで密封
して成るエレクトロルミネッセンス素子において、下記
のうち少なくとも1つにより防湿処理が施されているこ
とを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子を提供す
る。 1)発光層表面にポリシラザン由来セラミック被膜を施
す。 2)発光層中の発光体粒子をポリシラザン由来セラミッ
ク被膜で被覆する。 3)表面電極または背面電極の発光層側表面にポリシラ
ザン由来セラミック被膜を施す。 4)パッケージフィルムにポリシラザン由来セラミック
スのコーティングを施す。 5)パッケージフィルムの封止用接着剤としてポリシラ
ザンを用いてセラミック化させる。
【0006】本発明においてポリシラザンを転化して得
られるセラミックスは緻密で水分遮断性が極めて優れて
おり、しかも比較的低温でセラミックス化でき、かつ透
明であるので樹脂質基材上へのコーティングや接着が可
能である。そこで、これらの性質を利用してEL素子の
構造において防湿性に有効な各部位にこのポリシラザン
由来セラミックスを採用することにより、実用可能なE
L素子が得られた。
【0007】本発明のポリシラザン由来セラミックスの
第1の適用形態はフィルムへのコーティングである。即
ち、発光層表面または発光層と接触する電極表面にポリ
シラザン由来セラミックスコーティングを施す。あるい
はパッケージフィルムの表面にコーティングする。発光
層に適用する場合ベースフィルムが防湿性であれば必ず
しも全面を覆う必要はない。また、パッケージフィルム
へのコーティングも両面でなくても効果はある。セラミ
ックスコーティングをパッケージフィルムの外側に施す
場合には耐摩耗性の向上にも効果がある。
【0008】ポリシラザン由来セラミックスの第2の適
用形態は発光体粒子の被覆である。このようにガスバリ
ア性に優れたポリシラザン由来セラミックス膜でカプセ
ル化することにより、発光体粒子に耐湿性を直接的に付
与することができ、EL素子の長寿命化が可能となる。
また、ポリシラザン由来セラミックス膜は広範囲の波長
にわたり透明であるため、このようなカプセル化により
色相の変化や輝度の劣化が起こることはない。
【0009】ポリシラザン由来セラミックスの第3の適
用形態はパッケージフィルムの接着用である。防湿性能
が向上しない最大の理由は封止部分からの水分の侵入に
あるといわれており、封止部分の水分透過をほぼ完全に
防止することができる本発明の封止の効果は大である。
最も好ましくはこれらの2以上、特に全てにポリシラザ
ン由来セラミックスを適用する。
【0010】いずれの場合もポリシラザンを適用し、必
要に応じて加熱して、ポリシラザンをセラミックスに転
化させる。転化されて得られるセラミックスは出発ポリ
シラザンの種類、焼成条件などに依存するが、一般的に
は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素であるが、
炭化ケイ素を含むことができる。用いるポリシラザンは
一般式(I)
【0011】
【化1】
【0012】(但し、R1 ,R2 ,R3 はそれぞれ独立
に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、またはこれらの基以外でケイ素に直
結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキル
アミノ基、アルコキシ基もしくは金属原子を表わす。た
だし、R1 ,R2 ,R3 のうち少なくとも1つは水素原
子である。)で表わされる単位からなる主骨格を有す
る。
【0013】用いるポリシラザンは、分子内に少なくと
もSi−H結合、あるいはN−H結合を有するポリシラ
ザンであればよく、ポリシラザン単独は勿論のこと、ポ
リシラザンと他のポリマーとの共重合体やポリシラザン
と他の化合物との混合物でも利用できる。
【0014】用いるポリシラザンには、鎖状、環状、あ
るいは架橋構造を有するもの、あるいは分子内にこれら
複数の構造を同時に有するものがあり、これら単独でも
あるいは混合物でも利用できる。用いるポリシラザンの
代表例としては下記のようなものがあるが、これらに限
定されるものではない。
【0015】上記一般式(1)でR1 ,R2 及びR3
水素原子を有するものは、ペルヒドロポリシラザンであ
り、その製造法は、例えば特公昭63−16325号公
報、D.SeyferthらCommunicatio
n of Am.Cer.Soc.,C−13,Jan
uary 1983.に報告されている。これらの方法
で得られるものは、種々の構造を有するポリマーの混合
物であるが、基本的には分子内に鎖状部分と環状部分を
含み、
【0016】
【化2】
【0017】の化学的で表わすことができる。ペルヒド
ロポリシラザンの構造の一例を以下に示す。
【0018】
【化3】
【0019】一般式(I)でR1 及びR2 に水素原子、
3 にメチル基を有するポリシラザンの製造方法は、
D.SeyferthらPolym.Prepr.,A
m.Chem.Soc.,Div.Polym.Che
m.,25,10(1984)に報告されている。この
方法により得られるポリシラザンは、繰り返し単位が−
(SiH2 NCH3 )−の鎖状ポリマーと環状ポリマー
であり、いずれも架橋構造をもたない。
【0020】一般式(I)でR1 及びR3 に水素原子、
2 に有機基を有するポリオルガノ(ヒドロ)シラザン
の製造法は、D.SeyferthらPolym.Pr
epr.,Am.Chem.Soc.,Div.Pol
ym.Chem.,25,10(1984)、特開昭6
1−89230号公報、同62−156135号公報に
報告されている。これらの方法により得られるポリシラ
ザンには、−(R2 SiHNH)−を繰り返し単位とし
て、主として重合度が3〜5の環状構造を有するものや
(R3 SiHNH)x 〔(R2 SiH)1.5 N〕
1-X (0.4<x<1)の化学式で示される分子内に鎖
状構造と環状構造を同時に有するものがある。
【0021】一般式(I)でR1 に水素原子、R2 及び
3 に有機基を有するポリシラザン、またR1 及びR2
に有機基、R3 に水素原子を有するものは、−(R1
2 SiNR3 )−を繰り返し単位として、主に重合度が
3〜5の環状構造を有している。用いるポリシラザン
は、上記一般式(I)で表わされる単位からなる主骨格
を有するが、一般式(I)で表わされる単位は、上記に
も明らかなように環状化することがあり、その場合には
その環状部分が末端基となり、このような環状化がされ
ない場合には、主骨格の末端はR1 ,R2 ,R3 と同様
の基又は水素であることができる。
【0022】ポリオルガノ(ヒドロ)シラザンの中に
は、D.SeyferthらCommunicatio
n of Am.Cer.Soc.,C−132,Ju
ly1984.が報告されている様な分子内に架橋構造
を有するものもある。一例を下記に示す。
【0023】
【化4】
【0024】また、特開昭49−69717号に報告さ
れている様なR1 SiX3 (X:ハロゲン)のアンモニ
ア分解によって得られる架橋構造を有するポリシラザン
(R 1 Si(NH)x )、あるいはR1 SiX3 及びR
2 2 SiX2 の共アンモニア分解によって得られる下記
の構造を有するポリシラザンも出発材料として用いるこ
とができる。
【0025】
【化5】
【0026】さらに、下記の構造(式中、側鎖の金属原
子であるMは架橋をなしていてもよい)のように金属原
子を含むポリメタロシラザンも出発材料として用いるこ
とができる。
【0027】
【化6】
【0028】その他、特開昭62−195024号に報
告されているような繰り返し単位が〔(SiH2
n (NH)m 〕及び〔(SiH2 r O〕(これらの式
中、n、m、rはそれぞれ1、2または3である)で表
わされるポリシロキサザン、特開平2−84437号に
報告されているようなポリシラザンにボロン化合物を反
応させて製造する耐熱性に優れたポリボロシラザン、特
開昭63−81122号、同63−191832号、特
開平2−77427号に報告されているようなポリシラ
ザンとメタルアルコキシドとを反応させて製造するポリ
メタロシラザン、特開平1−138108号、同1−1
38107号、同1−203429号、同1−2034
30号、同4−63833号、同3−320167号に
報告されているような分子量を増加させたり(上記公報
の前4者)、耐加水分解性を向上させた(後2者)、無
機シラザン高重合体や改質ポリシラザン、特開平2−1
75726号、同5−86200号、同5−33129
3号、同3−31326号に報告されているようなポリ
シラザンに有機成分を導入した厚膜化に有利な共重合シ
ラザン、特開平5−238827号、特願平4−272
020号、同5−93275号、同5−214268
号、同5−30750号、同5−338524号に報告
されているようなポリシラザンにセラミック化を促進す
るための触媒的化合物を付加または添加したプラスチッ
クスやアルミニウムなどの金属への施工が可能で、より
低温でセラミックス化する低温セラミックス化ポリシラ
ザンなども同様に使用できる。
【0029】本発明では、さらに以下のような低温セラ
ミックス化ポリシラザンを使用することができる。例え
ば、本願出願人による特願平4−39595号明細書に
記載されているケイ素アルコキシド付加ポリシラザンが
挙げられる。この変性ポリシラザンは、上記一般式
(I)で表されるポリシラザンと、下記一般式(II) : Si(OR4 4 (II) (式中、R4 は、同一でも異なっていてもよく、水素原
子、炭素原子数1〜20個を有するアルキル基またはア
リール基を表し、少なくとも1個のR4 は上記アルキル
基またはアリール基である)で表されるケイ素アルコキ
シドを加熱反応させて得られる、アルコキシド由来ケイ
素/ポリシラザン由来ケイ素原子比が0.001〜3の
範囲内かつ数平均分子量が約200〜50万のケイ素ア
ルコキシド付加ポリシラザンである。
【0030】低温セラミックス化ポリシラザンの別の例
として、本出願人による特開平6−122852号公報
に記載されているグリシドール付加ポリシラザンが挙げ
られる。この変性ポリシラザンは、上記一般式(I)で
表されるポリシラザンとグリシドールを反応させて得ら
れる、グリシドール/ポリシラザン重量比が0.001
〜2の範囲内かつ数平均分子量が約200〜50万のグ
リシドール付加ポリシラザンである。
【0031】低温セラミックス化ポリシラザンのさらに
別の例として、本願出願人による特願平5−35604
号明細書に記載されているアセチルアセトナト錯体付加
ポリシラザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、
上記一般式(I)で表されるポリシラザンと、金属とし
てニッケル、白金、パラジウム又はアルミニウムを含む
アセチルアセトナト錯体を反応させて得られる、アセチ
ルアセトナト錯体/ポリシラザン重量比が0.0000
01〜2の範囲内かつ数平均分子量が約200〜50万
のアセチルアセトナト錯体付加ポリシラザンである。上
記の金属を含むアセチルアセトナト錯体は、アセチルア
セトン(2,4−ペンタジオン)から酸解離により生じ
た陰イオンacac- が金属原子に配位した錯体であ
り、一般に式(CH3 COCHCOCH3 n M〔式
中、Mはn価の金属を表す〕で表される。
【0032】低温セラミックス化ポリシラザンのまた別
の例として、本願出願人による特願平5−93275号
明細書に記載されている金属カルボン酸塩付加ポリシラ
ザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、上記一般
式(I)で表されるポリシラザンと、ニッケル、チタ
ン、白金、ロジウム、コバルト、鉄、ルテニウム、オス
ミウム、パラジウム、イリジウム、アルミニウムの群か
ら選択される少なくとも1種の金属を含む金属カルボン
酸塩を反応させて得られる、金属カルボン酸塩/ポリシ
ラザン重量比が0.000001〜2の範囲内かつ数平
均分子量が約200〜50万の金属カルボン酸塩付加ポ
リシラザンである。上記金属カルボン酸塩は、式(RC
OO)n M〔式中、Rは炭素原子数1〜22個の脂肪族
基又は脂環式基であり、Mは上記金属群から選択される
少なくとも1種の金属を表し、そしてnは金属Mの原子
価である〕で表される化合物である。上記金属カルボン
酸塩は無水物であっても水和物であってもよい。また、
金属カルボン酸塩/ポリシラザン重量比は好ましくは
0.001〜1、より好ましくは0.01〜0.5であ
る。金属カルボン酸塩付加ポリシラザンの調製について
は、上記特願平5−93275号明細書を参照された
い。
【0033】本発明により用いるポリシラザンは、分子
量が低すぎると、焼成時の収率が低くなり、実用的でな
い。一方分子量が高すぎると溶液の安定性が低く、健全
な膜が得られない。これらの理由から、用いるポリシラ
ザンの分子量は数平均分子量で下限は100、好ましく
は500である。また、上限は5万、好ましくは100
00である。
【0034】溶剤としては、脂肪族炭化水素、脂環式炭
化水素、芳香族炭化水素の炭化水素溶媒、ハロゲン化メ
タン、ハロゲン化エタン、ハロゲン化ベンゼン等のハロ
ゲン化炭化水素、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等の
エーテル類を使用することができる。好ましい溶媒は、
塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホル
ム、塩化エチレン、塩化エチリデン、トリクロロエタ
ン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、エチ
ルエーテル、イソプロピルエーテル、エチルブチルエー
テル、ブチルエーテル、1,2−ジオキシエタン、ジオ
キサン、ジメチルジオキサン、テトラヒドロフラン、テ
トラヒドロピラン等のエーテル類、ペンタンヘキサン、
イソヘキサン、メチルペンタン、ヘプタン、イソヘプタ
ン、オクタン、イソオクタン、シクロペンタン、メチル
シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等
の炭化水素等である。これらの溶剤を使用する場合、ポ
リシラザンの溶解度や溶剤の蒸発速度を調節するため
に、2種類以上の溶剤を混合してもよい。
【0035】溶剤の使用量(割合)は採用するコーティ
ング方法により作業性がよくなるように選択され、また
用いるポリシラザンの平均分子量、分子量分布、その構
造によって異なるので、適宜、自由に混合することがで
きる。好ましくは固形分濃度で1〜50重量%の範囲で
混合することができる。
【0036】また、本発明のコーティング用組成物にお
いて、必要に応じて適当な充填剤及び/又は増量剤を加
えることができる。充填剤の添加量はポリシラザン1重
量部に対し、0.05〜10重量部の範囲であり、特に
好ましい添加量は0.2〜3重量部の範囲である。コー
ティング用組成物には、さらに必要に応じて各種顔料、
レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、pH
調整剤、分散剤、表面改質剤、可塑剤、乾燥促進剤、流
れ止め剤、等を加えてもよい。
【0037】コーティング用組成物のフィルム、表面電
極または背面電極、発光層への適用方法は、通常実施さ
れている塗布方法、すなわちスピンコート、浸漬、ロー
ル塗り、バー塗り、刷毛塗り、スプレー塗り、フロー塗
り等が用いられる。また、発光体粒子への適用方法は発
光体粒子(粉末)にスプレードライヤーなどを用いてス
プレー塗布するとか浸漬法によるほか、発光層形成時の
有機バインダとして用いることもできる。封止剤への適
用方法は、パッケージフィルム間の接着部に封止剤を塗
布し圧着する。このような方法でコーティングまたは被
覆し、充分乾燥させた後、加熱・焼成する。この焼成に
よってポリシラザンが架橋、縮合、あるいは、焼成雰囲
気によっては酸化、加水分解して硬化し、強靱な被覆を
形成する。
【0038】上記焼成条件はポリシラザンの分子量や構
造などによって異なる。焼成温度は一般のポリシラザン
では通常400℃以上が好ましいが、より低温でセラミ
ックス化するタイプのポリシラザンでは、例えば130
〜350℃あるいはそれ以下でもよい。昇温速度は特に
限定しないが、5〜20℃/分の緩やかな昇温速度が好
ましい。焼成雰囲気は酸素中、空気中あるいは不活性ガ
ス等のいずれであってもよい。空気中での焼成によりポ
リシラザンの酸化、あるいは空気中に共存する水蒸気に
よる加水分解が進行し、上記のような低い焼成温度でS
i−O結合あるいはSi−N結合を主体とする強靱な被
膜の形成が可能となる。この被膜はポリシラザンに由来
するため窒素を原子百分率で0.005〜5%含有す
る。
【0039】低温セラミックス化ポリシラザンを使用す
る場合には、上記のような方法でコーティングした後、
必須ではないが必要に応じてプラスチック基材を損なわ
ない温度、好ましくは150℃以下で加熱処理を施す。
一般に、加熱処理を150℃以上で行うと、プラスチッ
ク基材が変形したり、その強度が劣化する。
【0040】上記の温度での熱処理においてはSi−
O、Si−N、Si−H、N−Hが存在する膜が形成さ
れる。この膜はまだセラミックスへの転化が不完全であ
る。この膜を、次に述べる3つの方法,,の少な
くとも1つによって、セラミックスに転化させることが
可能である。
【0041】水蒸気雰囲気中での熱処理。 圧力は特に限定されるものではないが、1〜3気圧が現
実的に適当である。相対湿度は特に限定されるものでは
ないが、10〜100%RHが好ましい。温度は室温以
上で効果的であるが室温〜150℃が好ましい。熱処理
時間は特に限定されるものではないが10分〜30日が
現実的に適当である。
【0042】水蒸気雰囲気中での熱処理により、低温セ
ラミックス化ポリシラザンの酸化または水蒸気との加水
分解が進行するので、上記のような低い加熱温度で、実
質的にSiO2 からなる緻密な膜の形成が可能となる。
但し、このSiO2 膜はポリシラザンに由来するため窒
素を原子百分率で0.005〜5%含有する。この窒素
含有量が5%よりも多いと膜のセラミックス化が不十分
となり所期の効果(例えば紫外線防止性や硬度)が得ら
れない。一方、窒素含有量を0.005%よりも少なく
することは困難である。好ましい窒素含有量は原子百分
率で0.1〜3%である。
【0043】触媒を含有した蒸留水中に浸す。 触媒としては、酸、塩基が好ましく、その種類について
は特に限定されないが、例えば、トリエチルアミン、ジ
エチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールア
ミン、トリエタノールアミン、n−エキシルアミン、n
−ブチルアミン、ジ−n−ブチルアミン、トリ−n−ブ
チルアミン、グアニジン、ピグアニン、イミダゾール、
1,8−ジアザビシクロー〔5,4,0〕−7−ウンデ
セン、1,4−ジアザビシクロ−〔2,2,2〕−オク
タン等のアミン類;水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化リチウム、ピリジン、アンモニア水等のアル
カリ類;リン酸等の無機酸類;氷酢酸、無水酢酸、プロ
ピオン酸、無水プロピオン酸のような低級モノカルボン
酸、又はその無水物、シュウ酸、フマル酸、マレイン
酸、コハク酸のような低級ジカルボン酸又はその無水
物、トリクロロ酢酸等の有機酸類、過塩素酸、塩酸、硝
酸、硫酸、スルホン酸、パラトルエンスルホン酸、三フ
ッ化ホウ素及びその電気供与体との錯体、等;SnCl
4 、ZnCl2 、FeCl3 、AlCl3 、SbC
3 、TiCl4 などのルイス酸及びその錯体等を使用
することができる。好ましい触媒は塩酸である。触媒の
含有割合としては0.01〜50重量%、好ましくは1
〜10重量%である。保持温度としては室温から沸点ま
での温度にわたって有効である。保持時間としては特に
限定されるものではないが10分〜30日が現実的に適
当である。
【0044】触媒を含有した蒸留水中に浸すことによ
り、低温セラミックス化ポリシラザンの酸化あるいは水
との加水分解が、触媒の存在により更に加速され、上記
のような低い加熱温度で、実質的にSiO2 からなる緻
密な膜の形成が可能となる。但し、先に記載したよう
に、このSiO2 膜はポリシラザンに由来するため窒素
を同様に原子百分率で0.005〜5%含有する。
【0045】Pd2+イオンと水と接触させる Pd2+イオンと水にポリシラザンを接触させると、おそ
らく、Pd2+イオンの還元反応時に活性化されたH2
のO(酸素)がポリシラザンと反応してポリシラザン中
のSi−H結合又はSi−N結合をSi−O結合に置換
し、同時にNH 3 、H2 を発生する反応が進行して、ポ
リシラザンを100℃以下の低温でシリカ(SiO2
に転化させることができる。
【0046】Pd2+イオンの供給方法は、予めポリシラ
ザン中にパラジウム化合物を含ませておきポリシラザン
を水又は水蒸気と接触させてもよいが、簡易にはPd2+
イオンを含む水溶液中にポリシラザンを浸漬するかその
ような水溶液をポリシラザンに吹き付ける。また、水溶
液中で金属Pdに電圧を印加してPd2+イオンを溶出さ
せることもできる。
【0047】Pd2+イオンも水もSiO2 (シリカ)に
近い組成のセラミックスを得るためにはポリシラザンの
Si−H基及びSi−N基の総和と等モル以上の量で供
給することが好ましいが、水は大過剰にすればよい。上
記の如きセラミック化方法により、セラミックコーティ
ング被覆を発光層表面、電極表面、発光体粒子表面、パ
ッケージフィルムの表面に施すか、あるいはパッケージ
フィルムの封止用接着を行なう。EL素子の組立はこれ
らのポリシラザン由来セラミックスの使用以外の点では
従来と同様でよい。
【0048】図1にその様なEL素子の例を示す。図
中、1はベースフィルム、2はITOなどの表面電極、
3は発光層、4は背面電極、5,6はパッケージフィル
ム、7は封止剤、8は発光層表面の絶縁膜(セラミック
被膜)、9は表面電極及び背面電極表面のセラミック被
膜、10はパッケージフィルムの両面のセラミック被膜
である。本発明では、これらのセラミック被膜8,9,
10、封止剤7、発光層3中の発光体粒子のセラミック
被覆の少なくとも1つにポリシラザン由来のセラミック
スを利用するものである。
【0049】
【実施例】以下の実施例及び比較例においてセラミック
由来セラミック被膜及び封止剤を除いて基本的に図1と
同様の構造のEL素子を製作した。実施例1 ベースフィルムとして厚さ75μmのPETフィルム1
上にスパッタリングで表面電極としてITO膜2を形成
した。発光層3は有機バインダとしてシアノエチルセル
ロースを用い、その中に銅ドープ硫化亜鉛を分散させ、
表面電極のITO膜2上にスクリーン印刷した。その上
に、シアノエチルセルロースにチタン酸バリウムを分散
させたものを絶縁層8として塗布した。さらに、発光層
3上にアルミニウム箔4を積層してEL素子部分を完成
した。
【0050】パッケージフィルム5,6としてPETフ
ィルムを用い、下記の如くペルヒドロポリシラザンを塗
布しセラミックス化した。東燃製ペルヒドロポリシラザ
ンType−1(PHPS−1;数平均分子量900)
の20%キシレン溶液10gに酢酸パラジウム(II)
(エヌ・イー・ケムキャット(株)製)の0.5%キシ
レン溶液4gを添加し、更にキシレンを6g加え、大気
中、20℃で3時間攪拌しながら反応を行った。
【0051】本溶液の数平均分子量はGPCにより測定
したところ961であった。この溶液をコーティング液
とし、孔径0.1μmのPTFE製フィルターで濾過
後、厚さ75μmのPETフィルムにディップコーティ
ング法で両面に塗布し、大気雰囲気下150℃で1時間
加熱処理した。
【0052】また、蒸留水に塩酸を1重量%加えた溶液
を調製し、この溶液に上記の加熱処理した塗膜を室温で
3時間浸漬処理し、室温で乾燥させた。この塗膜の厚さ
は約1μmであった。この塗膜のセラミックス化の進行
度を赤外分光分析法(IR)で評価したところ、Si−
Hに起因する吸収は認められなかった。また、940cm
-1にSi−OH、3400cm-1にO−Hに起因する吸収
が認められた。さらに、膜の密度を重量法によって測定
したところ2.1g/cm3 であった。また、膜の屈折率
をエリプソメーターによって測定したところ1.45で
あった。これらの値は溶融石英ガラスの値(密度2.2
0g/cm3 、屈折率1.46)にほぼ近いものであり、
得られた塗膜の組成が実質的にSiO2 であることが確
認された。また、塗膜中の窒素含有量を二次イオン質量
分析法(SIMS)で評価したところ、原子百分率で
0.57%であった。パッケージフィルムの封止は熱圧
着によった。
【0053】実施例2 実施例1と同様であるが、実施例1の溶液を用い、15
0℃で1時間加熱して接着を行なった。実施例3 EL素子部において、PETフィルム1上にITO膜2
を形成後、実施例1で用いたポリシラザン溶液を用いて
それと同様の操作でITO膜2を覆うポリシラザン由来
セラミック膜8を形成した。その他は実施例1と同様に
してEL素子部を作製した。パッケージフィルムとして
は厚さ150μmのポリ三フッ化塩化エチレンフィルム
を用い、熱圧着にて封止した。
【0054】実施例4 実施例1と同様であるが、発光層3には、有機バインダ
として実施例1でパッケージフィルムの被覆に用いたペ
ルヒドロポリシラザンの7%溶液を用いてその中に銅ド
ープ硫化亜鉛を分散させ、これを表面電極のITO膜2
上にスクリーン印刷した。次いで、実施例3でITO膜
上に形成したのと同様にして発光層3をペルヒドロポリ
シラザンで覆い、セラミックス化して絶縁膜8を形成し
た。このセラミックス化により絶縁膜8のみならず発光
層3中のペルヒドロポリシラザンもセラミックス化し
た。
【0055】実施例5 分子量1500〜2000、酸化物換算で20重量%の
低温硬化タイプポリシラザン(ペルヒドロポリシラザン
のキシレン溶液にプロピオン酸パラジウムを酸化触媒と
して加えたもの)を実施例1と同様にして調製した(A
液)。100℃で12時間放置することにより十分に乾
燥したEL素子用硫化亜鉛粉末((株)東芝製、平均粒
径30μm)を1kg秤量し、これに先に調製したA液
400gを加えて混濁液を作製した(B液)。
【0056】酸素濃度1%以下に窒素置換したスプレー
ドライヤー(大河原化工機(株)製)において温風温度
を150℃とし、15000rpmの速度で回転するア
トマイザーにB液を100g/分の速度で供給し、ポリ
シラザン被覆発光体粒子粉末を得た。このポリシラザン
被覆発光体粒子粉末を150℃で60分乾燥した後、9
5℃、RH80%の雰囲気で3時間処理することによ
り、EL素子用のポリシラザン由来セラミック被膜で被
覆された発光体粒子粉末のサンプルを得た。
【0057】このセラミック被覆発光体粉末を用いて常
用の方法で図1と同様の構造を有するEL素子を作製
し、60℃、90%RH、500時間の加速試験を行な
い発光輝度の変化を調べた。結果を以下に示す。
【0058】比較例 EL素子部は実施例1と同様であるが、パッケージフィ
ルムとしてポリ三フッ化塩化エチレンフィルムを用い、
熱圧着法で封止した。この様にして作製した各EL素子
において、実施例1、2はパッケージフィルム、実施例
3は表面電極(セラミック膜/ITO/PETフィル
ム)の水蒸気透過率を測定すると共に、EL素子につい
て60℃、90%RH、500時間の加速試験を行ない
発光輝度の変化を調べた。結果を下記に示す。
【0059】 水蒸気透過率 輝度の劣化率 実施例1 0.5g/m2 ・24h 3% 実施例2 0.5g/m2 ・24h 3%以下 実施例3 0.8g/m2 ・24h 3% 実施例4 ── 3%以下 実施例5 ── 3%以下 比較例 ── 15%
【0060】本発明のポリシラザン由来セラミック被膜
又は封止の効果が明らかであり、これらを組合せて使用
すればさらに水分透過防止効果が向上することは容易に
理解される。
【0061】
【発明の効果】本発明によれば、EL素子に十分な防湿
性が付与される結果、硫化亜鉛のように水分で劣化する
発光体を用いたEL素子においても十分な製品寿命が実
現され、EL素子の実用化に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従うEL素子の例の概略断面図であ
る。
【符号の説明】
1…ベースフィルム 2…表面電極 3…発光層 4…背面電極 5,6…パッケージフィルム 7…封止剤 8,9,10…セラミック被膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ベースフィルム上に表面電極、発光層及
    び背面電極を積層した構造物をパッケージフィルムで密
    封して成るエレクトロルミネッセンス素子において、下
    記のうち少なくとも1つにより防湿処理が施されている
    ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。 1)発光層表面にポリシラザン由来セラミック被膜を施
    す。 2)発光層中の発光体粒子をポリシラザン由来セラミッ
    ク被膜で被覆する。 3)表面電極または背面電極の発光層側表面にポリシラ
    ザン由来セラミック被膜を施す。 4)パッケージフィルムにポリシラザン由来セラミック
    スのコーティングを施す。 5)パッケージフィルムの封止用接着剤としてポリシラ
    ザンを用いてセラミック化させる。
JP7174946A 1994-12-28 1995-07-11 エレクトロルミネッセンス素子 Pending JPH08236274A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7174946A JPH08236274A (ja) 1994-12-28 1995-07-11 エレクトロルミネッセンス素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6-327311 1994-12-28
JP32731194 1994-12-28
JP7174946A JPH08236274A (ja) 1994-12-28 1995-07-11 エレクトロルミネッセンス素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08236274A true JPH08236274A (ja) 1996-09-13

Family

ID=26496377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7174946A Pending JPH08236274A (ja) 1994-12-28 1995-07-11 エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08236274A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001167877A (ja) * 1999-09-30 2001-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置
WO2002009478A1 (fr) * 2000-07-24 2002-01-31 Tdk Corporation Dispositif luminescent
JP2002527569A (ja) * 1998-10-13 2002-08-27 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 酸窒化物カプセル化エレクトロルミネセント蛍光体粒子
US6501014B1 (en) 1999-10-08 2002-12-31 Tdk Corporation Coated article and solar battery module
US7170087B2 (en) * 2003-08-01 2007-01-30 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki EL device and method for manufacturing the same
JP2008535177A (ja) * 2005-03-31 2008-08-28 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 外部バリア層を有する有機電子デバイス
JP2011146144A (ja) * 2010-01-12 2011-07-28 Konica Minolta Holdings Inc 発光素子
JP2012064378A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機電子パネルの製造方法
US8426876B2 (en) 1999-09-30 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
CN103222076A (zh) * 2010-11-18 2013-07-24 3M创新有限公司 包含聚硅氮烷接合层的发光二极管部件
JP2013232317A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Konica Minolta Inc 有機エレクトロニクスデバイス
JP2013232320A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Konica Minolta Inc 電子デバイスおよびその製造方法
US9368746B2 (en) 2008-12-19 2016-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Gas barrier thin film, electronic device comprising the same, and method of preparing the gas barrier thin film

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002527569A (ja) * 1998-10-13 2002-08-27 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 酸窒化物カプセル化エレクトロルミネセント蛍光体粒子
US8772766B2 (en) 1999-09-30 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
JP2001167877A (ja) * 1999-09-30 2001-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置
US8426876B2 (en) 1999-09-30 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
US9853235B2 (en) 1999-09-30 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
US6501014B1 (en) 1999-10-08 2002-12-31 Tdk Corporation Coated article and solar battery module
WO2002009478A1 (fr) * 2000-07-24 2002-01-31 Tdk Corporation Dispositif luminescent
US6781148B2 (en) 2000-07-24 2004-08-24 Tdk Corporation Light emitting device
US7170087B2 (en) * 2003-08-01 2007-01-30 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki EL device and method for manufacturing the same
JP2008535177A (ja) * 2005-03-31 2008-08-28 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 外部バリア層を有する有機電子デバイス
US9368746B2 (en) 2008-12-19 2016-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Gas barrier thin film, electronic device comprising the same, and method of preparing the gas barrier thin film
JP2011146144A (ja) * 2010-01-12 2011-07-28 Konica Minolta Holdings Inc 発光素子
JP2012064378A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機電子パネルの製造方法
CN103222076A (zh) * 2010-11-18 2013-07-24 3M创新有限公司 包含聚硅氮烷接合层的发光二极管部件
JP2013232320A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Konica Minolta Inc 電子デバイスおよびその製造方法
JP2013232317A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Konica Minolta Inc 有機エレクトロニクスデバイス

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2591863B2 (ja) 超小形電子デバイスおよび基材用コーティング
JP3666915B2 (ja) セラミックスの低温形成方法
US4749631A (en) Multilayer ceramics from silicate esters
US5336532A (en) Low temperature process for the formation of ceramic coatings
JPH0642479B2 (ja) 珪酸エステルおよび金属酸化物から多層セラミック被膜を形成する方法
US5008320A (en) Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides
JPH08236274A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JPH0642475B2 (ja) 多層セラミック被膜の形成方法
JPH01204432A (ja) 基材上にセラミックコーティングを形成する方法
WO1999003926A1 (fr) Composition alcoxysilane/polymere organique destinee a la production de fines pellicules isolantes et procede d'utilisation
JPH0642476B2 (ja) 多層セラミック低温形成方法
JPH06103689B2 (ja) 基材上にセラミックコーティングを形成する方法
JPH06299118A (ja) コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH10279362A (ja) SiO2系セラミックス膜の形成方法
KR20140087412A (ko) 가스 배리어 필름 및 그 제조방법
JP3904691B2 (ja) ポリシラザン含有組成物及びシリカ質膜の形成方法
JP3919862B2 (ja) 低誘電率シリカ質膜の形成方法及び同シリカ質膜
EP1122768A2 (en) Electrically insulating resin composition and method for forming thin film therefrom
JP3939408B2 (ja) 低誘電率シリカ質膜
JPH0612773B2 (ja) 電子デバイス用ケイ素窒素含有被膜の形成方法
JP3993330B2 (ja) SiO2系セラミックス膜の形成方法
JP4302782B2 (ja) 紫外線防止透明板の製造方法
JPH11105186A (ja) 低誘電率シリカ質膜
JP3916278B2 (ja) フェニルシリル基架橋ポリシラザン及びその製造方法
JPH0899061A (ja) SiO2 系セラミック被膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050606

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060217

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070112