JP2012060064A - ドーズデータ生成装置、露光システム、ドーズデータ生成方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

ドーズデータ生成装置、露光システム、ドーズデータ生成方法および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】近似関数にて算出したショット端でのドーズ量が発散するのを防止する。
【解決手段】計測領域R1の寸法計測データCDをショット端STより外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データを生成し、計測領域R1の寸法計測データCDおよび仮想計測領域V1〜V8の仮想データに基づいて計測領域R1および仮想計測領域V1〜V8のドーズデータを算出し、ドーズデータが算出された計測領域R1および仮想計測領域V1〜V8からショット領域K1を切り出す。
【選択図】 図1

Description

本発明の実施形態はドーズデータ生成装置、露光システム、ドーズデータ生成方法および半導体装置の製造方法に関する。
半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程では、ウェハ上で、ショット内のパターン寸法を均一にするために、ショット内での露光分布(以下、ドーズデータ)を変更することがある。
すなわち、ドーズデータを求めるために、予めドーズ量を変化させたときのパターン寸法の変化量を測定しておく。そして、ウェハ露光後にショット内の複数の箇所でパターンの寸法を計測し、各点での寸法を均一にするドーズ量を算出する。その後、ショット内全面に渡ってパターン寸法を均一にするためのドーズデータを、前記ドーズ量に基づき近似関数で表すことが一般的であるが、Kerf領域などのショット端では関数が発散し、異常なドーズ量になることがあった。
特開2007−129101号公報
本発明の一つの実施形態の目的は、ショット端でのドーズ量が発散するのを防止することが可能なドーズデータ生成装置、露光システム、ドーズデータ生成方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
実施形態のドーズデータ生成装置によれば、仮想データ生成部と、ドーズデータ算出部と、ショット領域切り出し部とが設けられている。仮想データ生成部は、ショット領域より内側の計測領域における寸法計測結果に基づくデータをショット端より外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データを生成する。ドーズデータ算出部は、前記計測領域におけるデータおよび前記仮想データに基づいて前記計測領域および前記仮想データが生成された仮想計測領域のドーズデータを算出する。ショット領域切り出し部は、前記ドーズデータが算出された計測領域および仮想計測領域からショット領域を切り出す。
図1は、第1実施形態に係るドーズデータ生成方法のフローを示す図である。 図2(a)は、計測領域におけるデータをショット外領域に折り返すことなく求めた近似曲線U1を示す図、図2(b)は、計測領域におけるデータをショット外領域に折り返して求めた近似曲線U2を示す図である。 図3は、第2実施形態に係るドーズデータ生成方法のフローを示す図である。 図4(a)は、寸法計測データの面内分布を示す図、図4(b)は、図4(a)の寸法計測データをショット外領域に折り返すことなく求めたドーズ量の面内分布を示す図、図4(c)は、図4(a)の寸法計測データをショット外領域に折り返して求めたドーズ量の面内分布を示す図である。 図5(a)は、第3実施形態に係るドーズデータ生成装置の概略構成を示すブロック図、図5(b)は、第4実施形態に係る露光方法の概略構成を示す断面図、図5(c)および図5(d)は、第5実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。 図6は、第6実施形態に係るドーズデータ生成装置の概略構成を示すブロック図である。 図7は、第7実施形態に係る寸法計測点の面内分布を示す平面図である。 図8(a)は、第7実施形態に係る寸法外挿点の面内分布を示す平面図、図8(b)は、図8(a)の一部を拡大して示す平面図である。 図9は、第7実施形態に係るドーズ量の面内分布を示す図である。 図10は、ドーズ量と寸法との関係を示す図である。
以下、実施形態に係るドーズデータ生成装置およびドーズデータ生成方法について図面を参照しながら説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係るドーズデータ生成方法のフローを示す図である。
図1(a)において、露光時のショット領域には、寸法計測データCDが得られる計測領域R1と寸法計測データが得られない非計測領域R2が存在する。この非計測領域R2は計測領域R1の周囲に存在する。なお、非計測領域R2としては、スクライブラインや位置合わせマークなどが配置されるKerf領域などを挙げることができる。この非計測領域R2には、寸法計測データを得るためのライン&スペースが配置されない。
そして、この計測領域R1の寸法計測データCDをショット端STより外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データを生成する。例えば、図1(b)に示すように、計測領域R1の寸法計測データCDを8方向にミラーリングすることにより、ショット外領域に仮想計測領域V1〜V8を生成することができる。
そして、計測領域R1の寸法計測データCDおよび仮想計測領域V1〜V8の仮想データに基づいて、計測領域R1および仮想計測領域V1〜V8内の各点について寸法が均一化されるように補正された所望のドーズ量を算出する。さらに、これら各点において算出したドーズ量を関数近似することで、計測領域R1および仮想計測領域V1〜V8全面のドーズ量(ドーズデータ)を算出することができる。
そして、図1(c)に示すように、ドーズデータが算出された計測領域R1および仮想計測領域V1〜V8からショット領域K1を切り出すことで、計測領域R1および非計測領域R2のドーズデータが得られる。
ここで、計測領域R1の寸法計測データCDをショット外領域にミラーリングして仮想データを生成し、計測領域R1に加えて仮想計測領域V1〜V8におけるデータを得た後計測領域R1および仮想計測領域V1〜V8全面に渡る近似関数を求めることにより、ショット端で近似関数が発散するのを防止することができ、ショット端でドーズ補正量に飛び値が発生するのを防止することができる。なお、以上は仮想データを生成する際の計測領域R1のデータとして寸法計測データCD自体をミラーリングする場合について説明したが、以下に示すように、寸法計測データCDに基づいて計測領域R1内の各点における所望のドーズ量を補正・算出した後、算出したドーズ量を計測領域R1における寸法計測結果に基づくデータとしてショット外領域にミラーリングすることで仮想データを生成してもよい。
図2(a)は、計測領域におけるデータをショット外領域に折り返すことなく求めた近似曲線U1を示す図、図2(b)は、計測領域におけるデータをショット外領域に折り返して求めた近似曲線U2を示す図である。
図2(a)において、計測領域での寸法計測結果に基づくデータとして補正された所望のドーズ量X1〜X6が寸法計測データに基づき得られたものとする。この時、ショット端近傍では非計測領域が存在するため、所望のドーズ量が得られない。
そして、これらの所望のドーズ量X1〜X6から近似曲線U1を求めると、ショット端近傍では近似曲線U1は単調減少または単調増大するため近似曲線U1は発散し、ショット端でドーズ量に飛び値が発生する。
一方、図2(b)において、所望のドーズ量X1、X2をショット端より外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データとしての所望のドーズ量Y1、Y2が生成される。また、所望のドーズ量X5、X6をショット端より外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データとしての所望のドーズ量Y5、Y6が生成される。
そして、これらの所望のドーズ量X1〜X6および仮想データY1、Y2、Y5、Y6から近似曲線U2を求めると、ショット端近傍で近似曲線U2が発散するのが防止され、ショット端でドーズ量に飛び値が発生するのを防止することができる。
(第2実施形態)
図3は、第2実施形態に係るドーズデータ生成方法のフローを示す図である。
図3(a)において、計測領域R1では、寸法計測データの面内分布(寸法マップ)が得られている。なお、この寸法マップは、ウェハ上に実際に形成されたパターンの寸法を実測して求めるようにしてもよいし、ウェハ上に形成されるパターンの寸法をシミュレーションして求めるようにしてもよい。
次に、図3(b)に示すように、寸法計測データをショット外にミラーリングすることで、ショット外の仮想計測領域V1〜V8に仮想データを生成する。
次に、図3(c)に示すように、計測領域R1および仮想計測領域V1〜V8から関数近似する計算領域を設定する。
次に、図3(d)に示すように、計測領域R1および仮想計測領域V1〜V8の各点における所望のドーズ量を算出した後、図3(c)において設定された計算領域内で関数近似計算を行い、ドーズデータを算出する。ドーズデータが算出された計算領域からショット領域K1を切り出すことで、計測領域R1および非計測領域R2のドーズデータが得られる。
図4(a)は、寸法計測データの面内分布を示す図、図4(b)は、図4(a)の寸法計測データをショット外領域に折り返すことなく求めたドーズ量の面内分布を示す図、図4(c)は、図4(a)の寸法計測データをショット外領域に折り返して求めたドーズ量の面内分布を示す図である。
図4(a)において、計測領域R1の寸法計測データのみからドーズ量を算出すると、ショット端のA1の部分でドーズ量に飛び値が発生している。
一方、図4(b)において、計測領域R1の寸法計測データおよび仮想計測領域V1〜V8の仮想データからドーズ量を算出すると、ショット端のA1の部分でドーズ量に飛び値が発生するのが防止される。
(第3〜第5実施形態)
図5(a)は、第3実施形態に係るドーズデータ生成装置の概略構成を示すブロック図、図5(b)は、第4実施形態に係る露光方法の概略構成を示す断面図、図5(c)および図5(d)は、第5実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図5(a)において、ドーズデータ生成装置12には、仮想データ生成部12a、ドーズデータ算出部12bおよびショット領域切り出し部12cが設けられている。仮想データ生成部12aは、寸法計測データまたは所望のドーズ量をショット端より外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データを生成することができる。ドーズデータ算出部12bは、寸法計測データおよび仮想データに基づいて寸法計測データの計測領域および仮想計測領域のドーズデータを算出することができる。ショット領域切り出し部12cは、ドーズデータが算出された計測領域および仮想計測領域からショット領域を切り出すことができる。
そして、テストウェハTW上に形成されたテストパターンTPの寸法を寸法計測装置11にて計測することで寸法計測データが得られ、仮想データ生成部12aに入力される。
そして、仮想データ生成部12aにおいて、寸法計測データまたは所望のドーズ量がショット外領域にミラーリングされることにより仮想データが生成され、ドーズデータ算出部12bに送られる。
そして、ドーズデータ算出部12bにおいて、寸法計測データおよび仮想データに基づいて寸法計測データの計測領域および仮想計測領域のドーズデータが算出され、ショット領域切り出し部12cに送られる。
そして、ショット領域切り出し部12cにおいて、ドーズデータが算出された計測領域および仮想計測領域からショット領域が切り出され、露光装置13に送られる。
図5(b)において、露光装置13には、遮光板BおよびフォトマスクMが設けられている。遮光板Bには、スリットSが設けられている。ここで、スリットSは、ウェハW上を水平にスライドさせることができる。スリットSの幅は所定の間隔で調整することができ、また、露光中にスリットSをスライドさせる速度を変更させることができ、スリットSを介して透過する光の量を変化させることができる。一方、フォトマスクMには遮光膜Hが形成されている。
また、ウェハW上には、処理層Tを介してレジスト膜Rが形成されている。なお、処理層Tは導電層であってもよいし、半導体層であってもよいし絶縁層であってもよく、処理層Tに対して行われる処理に応じて適宜選択することができる。処理層Tに対して行われる処理は、例えば、エッチング処理であってもよいし、イオン注入処理であってもよい。
そして、遮光膜Hが形成されたフォトマスクMが露光装置13に配置された上で、処理層Tを介してレジスト膜Rが形成されたウェハWが露光装置13に配置されると、遮光板Bにて露光分布が制御されながら、フォトマスクMを介してレジスト膜Rの露光が行われる。
そして、図5(c)に示すように、露光装置13にて露光が行われたレジスト膜Rの現像が行われることで、レジスト膜Rがパターニングされる。
次に、図5(d)に示すように、パターニングされたレジスト膜Rをマスクとして処理層Tのエッチングが行われることで、処理層Tがパターニングされ、例えば、配線パターン、トレンチパターンまたはコンタクトパターンなどがウェハW上に形成される。
(第6実施形態)
図6は、第6実施形態に係るドーズデータ生成装置の概略構成を示すブロック図である。
図6において、ドーズデータ生成装置には、CPUなどを含むプロセッサ1、固定的なデータを記憶するROM2、プロセッサ1に対してワークエリアなどを提供するRAM3、人間とコンピュータとの間の仲介を行うヒューマンインターフェース4、外部との通信手段を提供する通信インターフェース5、プロセッサ1を動作させるためのプログラムや各種データを記憶する外部記憶装置6を設けることができ、プロセッサ1、ROM2、RAM3、ヒューマンインターフェース4、通信インターフェース5および外部記憶装置6は、バス7を介して接続されている。
なお、外部記憶装置6としては、例えば、ハードディスクなどの磁気ディスク、DVDなどの光ディスク、USBメモリやメモリカードなどの可搬性半導体記憶装置などを用いることができる。また、ヒューマンインターフェース4としては、例えば、入力インターフェースとしてキーボードやマウスやタッチパネル、出力インターフェースとしてディスプレイやプリンタなどを用いることができる。また、通信インターフェース5としては、例えば、インターネットやLANなどに接続するためのLANカードやモデムやルータなどを用いることができる。
ここで、外部記憶装置6には、ドーズデータ算出プログラム6aがインストールされている。また、外部記憶装置6には、寸法計測データ6bを格納することができる。
そして、ドーズデータ算出プログラム6aが起動されると、プロセッサ1にて寸法計測データ6bがショット外領域にミラーリングされることにより仮想データが生成される。そして、寸法計測データ6bおよび仮想データに基づいて寸法計測データ6bの計測領域および非計測領域のドーズデータが算出される。
(第7実施形態)
図7は、第7実施形態に係る寸法計測点の面内分布を示す平面図、図8(a)は、第7実施形態に係る寸法外挿点の面内分布を示す平面図、図8(b)は、図8(a)の一部を拡大して示す平面図、図9は、第7実施形態に係るドーズ量の面内分布を示す図、図10は、ドーズ量と寸法との関係を示す図である。
図7において、計測領域R1では、M×N(M、Nは正の整数)箇所の寸法計測データPの面内分布(寸法マップ)が得られている。図7の例では、5×8箇所の寸法計測データPが得られた場合を示した。なお、この寸法マップは、ウェハ上に実際に形成されたパターンの寸法を実測して求めるようにしてもよいし、ウェハ上に形成されるパターンの寸法をシミュレーションして求めるようにしてもよい。
次に、図8に示すように、計測領域R1のa(aはM以下かつN以下の整数)個分の寸法計測データPをショット外領域Vにミラーリングすることで、ショット外領域Vに仮想データQを生成する。この時、ミラーリング元の寸法計測データPの位置とミラーリング先の仮想データQの位置とは、ショット端からの距離が等しくなるように設定することができる。
また、図10に示すように、露光装置ごとにドーズ量と寸法との関係を予め調べる。そして、図10のドーズ量と寸法との関係を参照することで、ショット外領域Vに仮想データQが付加された寸法マップから、その寸法が狙い目と一致するように各点のドーズ量を補正・算出する。
そして、図9に示すように、各点のドーズ量に基づきショット内およびショット外の全面に渡って関数近似することでドーズデータを算出した後、ショット領域K1を切り出す。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 プロセッサ、2 ROM、3 RAM、4 ヒューマンインターフェース、5 通信インターフェース、6 外部記憶装置、6a ドーズデータ算出プログラム、11 寸法計測装置、12 ドーズデータ生成装置、12a 仮想データ生成部、12b ドーズデータ算出部、12c ショット領域切り出し部、13 露光装置

Claims (5)

  1. ショット領域より内側の計測領域における寸法計測結果に基づくデータをショット端より外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データを生成する仮想データ生成部と、
    前記計測領域におけるデータおよび前記仮想データに基づいて前記計測領域および前記仮想データが生成された仮想計測領域のドーズデータを算出するドーズデータ算出部と、
    前記ドーズデータが算出された計測領域および非仮想計測領域からショット領域を切り出すショット領域切り出し部とを備えることを特徴とするドーズデータ生成装置。
  2. 前記ドーズデータ算出部は、前記計測領域および前記仮想計測領域に渡る関数近似を行うことで前記ドーズデータを算出することを特徴とする請求項1に記載のドーズデータ生成装置。
  3. ショット領域より内側の計測領域における寸法計測結果に基づくデータをショット端より外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データを生成し、前記寸法計測領域におけるデータおよび前記仮想データに基づいて前記計測領域および非計測領域のドーズデータを算出するドーズデータ生成装置と、
    前記ドーズデータ生成装置にて算出されたドーズデータに基づいて露光量を制御しながら、ウェハ上に露光を行う露光装置とを備えることを特徴とする露光システム。
  4. ショット領域より内側の計測領域における寸法計測結果に基づくデータをショット端より外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データを生成するステップと、
    前記計測領域におけるデータおよび前記仮想データに基づいて前記計測領域および非計測領域のドーズデータを算出するステップとを備えることを特徴とするドーズデータ生成方法。
  5. ショット領域より内側の計測領域における寸法計測結果に基づくデータをショット端より外側のショット外領域にミラーリングすることにより仮想データを生成するステップと、
    前記計測領域におけるデータおよび前記仮想データに基づいて前記計測領域および非計測領域のドーズデータを算出するステップと、
    前記ドーズデータに基づいて露光量を制御しながらフォトマスクを介して処理層上のレジスト膜に露光を行うことで、前記レジスト膜に潜像を形成するステップと、
    前記潜像が形成されたレジスト膜を現像することで、前記レジスト膜をパターニングするステップと、
    前記パターニングされたレジスト膜をマスクとして前記処理層を処理するステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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