JP2008046245A - マスクデータ補正方法および補正装置 - Google Patents

Abstract

【課題】下地の段差に応じてマスクデータを補正することが可能なマスクデータ補正装置を提供すること。
【解決手段】領域分割部２３は、下地の段差に応じてマスクデータを複数の領域に分割する。焦点位置設定部２４は、領域分割部２３によって分割された領域に焦点位置を設定する。光強度シミュレーション部２５は、焦点位置設定部２４によって設定された焦点位置に応じて各領域の光強度シミュレーションを行なう。そして、マスク補正部２６は、光強度シミュレーション部２５による各領域のシミュレーション結果に応じてマスクデータを補正する。したがって、下地の段差に応じてマスクデータを補正することが可能となる。
【選択図】図２

Description

本発明は、光近接補正（ＯＰＣ（Optical Proximity Correction））を用いてマスクパターンを補正する技術に関し、特に、ＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）パターンを転写する下地に段差がある場合でも、ＬＳＩパターンを精度よく転写できるようにマスクデータを補正するマスクデータ補正方法および補正装置に関する。

近年、ＬＳＩプロセスの微細化に伴い、ＬＳＩパターンをシリコン上に転写するリソグラフ工程が重要になってきている。一般に、最小線幅は転写に用いられる光の波長λ程度が限界である。そのため、転写に用いられる光源もλ＝３６５ｎｍのｉ線からλ＝２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、λ＝１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザへと変遷してきている。

現在のゲート長１００ｎｍ以下の微細パターンを転写するためには、さらに光の干渉を利用した超解像技術（ＲＥＴ（Resolution Enhancement Technology））、たとえば、ハーフトーンマスクやレベンソンマスクと呼ばれる位相関係を利用した技術が用いられている。

このような技術において、微細なパターンを転写する際、近くのパターンの光との干渉による光近接効果（ＯＰＥ（Optional Proximity Effect））と呼ばれる変調を受けて、転写用のマスクパターンをそのまま転写すると転写後の実際のパターンは変形されてしまう。このような変形は、周辺のパターン転写の光との干渉によるものであるためパターンに依存し、その結果ブリッジや断線の原因となる。

このようなＯＰＥを防ぐために、変形と逆方向にマスクパターン自体を補正するＯＰＣと呼ばれる手法が用いられている。このＯＰＣ技術においては、通常光強度シミュレーションや形状シミュレーションなどを用いた転写形状予測に基づいてマスクパターンを補正する。

従来のＯＰＣ処理フローにおいては、光強度シミュレーションと、その結果を利用したレジスト形状予測シミュレーションとが用いられる。色々なパターンを有するＯＰＣ用ＴＥＧ（Test Element Group）を、実際に作成した結果に合うようにシミュレーションパラメータを調節し、そのシミュレーション結果と所望の最終形状との差に基づいてマスクパターンを補正するのが主流となっている。

ＯＰＣはこれを利用して、パターンが細くなる箇所を太くするよう補正し、パターンが太くなる箇所を細くするよう補正する。さらに、色々なＯＰＣ用データをとるためのパターンを用い、シミュレーションで用いられるパラメータが実測値と合うようにキャリブレーションが行なわれる。

これに関連する技術として、下記の特許文献１に開示された発明がある。特許文献１に開示されたマスクパターン補正方法においては、半導体回路の回路パターン形成工程において使用するマスクパターンに対してシミュレーションベースＯＰＣとルールベースＯＰＣとを施して、マスクパターンを所望の寸法となるように補正する場合、マスクパターンに対応する補正対象となるパターンに対してシミュレーションベースＯＰＣ補正を行ない、シミュレーションベースＯＰＣ補正による補正量が十分でない領域に対して、ルールベースＯＰＣ補正を行なうものである。
特開２００４−３０２２６３号公報

上述した従来のＯＰＣにおいては、下地のシリコン基板表面が平坦であると仮定して光強度シミュレーションが行なわれる。また、ＯＰＣ用ＴＥＧも平坦なシリコン基板上に形成される。しかしながら、実際のＬＳＩチップは多層であり、段差が生じるためにＯＰＣの精度が悪化するといった問題点があった。このような問題は、特許文献１を用いたとしても解決することができない。

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、下地の段差に応じてマスクデータを補正することが可能なマスクデータ補正方法および補正装置を提供することである。

本発明のある局面に従えば、半導体チップに転写するマスクデータを補正するマスクデータ補正方法であって、下地の段差に応じてマスクデータを複数の領域に分割するステップと、分割された領域に焦点位置を設定するステップと、設定された焦点位置に応じて各領域の光強度シミュレーションを行なうステップと、各領域のシミュレーション結果に応じてマスクデータを補正するステップとを含む。

本発明の別の局面に従えば、半導体チップに転写するマスクデータを補正するマスクデータ補正方法であって、マスクデータに複数の焦点位置を設定するステップと、設定された複数の焦点位置に応じて光強度シミュレーションを行なうステップと、各焦点位置のシミュレーション結果に応じて、各焦点位置に対応するマスクデータを補正するステップと、補正された各焦点位置に対応するマスクデータの補正量を補間して、下地の段差に対応するマスクデータを作成するステップとを含む。

本発明のさらに別の局面に従えば、半導体チップに転写するマスクデータを補正するマスクデータ補正装置であって、下地の段差に応じてマスクデータを複数の領域に分割する領域分割手段と、領域分割手段によって分割された領域に焦点位置を設定する焦点位置設定手段と、焦点位置設定手段によって設定された焦点位置に応じて各領域の光強度シミュレーションを行なう第１のシミュレーション手段と、第１のシミュレーション手段による各領域のシミュレーション結果に応じてマスクデータを補正するマスク補正手段とを含む。

本発明のさらに別の局面に従えば、半導体チップに転写するマスクデータを補正するマスクデータ補正装置であって、マスクデータに複数の焦点位置を設定する焦点位置設定手段と、焦点位置設定手段によって設定された複数の焦点位置に応じて光強度シミュレーションを行なう第１のシミュレーション手段と、第１のシミュレーション手段による各焦点位置のシミュレーション結果に応じて、各焦点位置に対応するマスクデータを補正するマスク補正手段と、マスク補正手段によって補正された各焦点位置に対応するマスクデータの補正量を補間して、下地の段差に対応するマスクデータを作成する補間手段とを含む。

本発明のある局面によれば、設定された焦点位置に応じて各領域の光強度シミュレーションを行ない、各領域のシミュレーション結果に応じてマスクデータを補正するので、下地の段差に応じてマスクデータを補正することが可能となる。

本発明の別の局面によれば、補正された各焦点位置に対応するマスクデータの補正量を補間して、下地の段差に対応するマスクデータを作成するので、さらに高速にマスクデータを作成することが可能となる。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の構成例を示すブロック図である。このマスクデータ補正装置は、コンピュータ本体１、ディスプレイ装置２、ＦＤ（Flexible Disk）４が装着されるＦＤドライブ３、キーボード５、マウス６、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc-Read Only Memory）８が装着されるＣＤ−ＲＯＭ装置７、およびネットワーク通信装置９を含む。マスクデータ補正プログラムは、ＦＤ４またはＣＤ−ＲＯＭ８等の記録媒体によって供給される。マスクデータ補正プログラムがコンピュータ本体１によって実行されることによって、マスクデータの補正が行なわれる。また、マスクデータ補正プログラムは他のコンピュータより通信回線を経由し、コンピュータ本体１に供給されてもよい。

また、コンピュータ本体１は、ＣＰＵ１０、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１、ＲＡＭ（Random Access Memory）１２およびハードディスク１３を含む。ＣＰＵ１０は、ディスプレイ装置２、ＦＤドライブ３、キーボード５、マウス６、ＣＤ−ＲＯＭ装置７、ネットワーク通信装置９、ＲＯＭ１１、ＲＡＭ１２またはハードディスク１３との間でデータを入出力しながら処理を行なう。ＦＤ４またはＣＤ−ＲＯＭ８に記録されたマスクデータ補正プログラムは、ＣＰＵ１０によりＦＤドライブ３またはＣＤ−ＲＯＭ装置７を介してハードディスク１３に格納される。ＣＰＵ１０は、ハードディスク１３から適宜マスクデータ補正プログラムをＲＡＭ１２にロードして実行することによって、マスクデータの補正が行なわれる。

図２は、本発明の第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の機能的構成を示すブロック図である。このマスクデータ補正装置は、元マスクデータ２１を用いてＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）シミュレーションを行なうＣＰＭシミュレーション部２２と、ＣＭＰシミュレーション部２２によって算出された段差に応じてマスクデータを小領域に分割する領域分割部２３と、領域分割部２３によって分割された領域のそれぞれの段差に応じた焦点位置を設定する焦点位置設定部２４と、焦点位置設定部２４によって設定された焦点位置で各領域の光強度シミュレーションを行なう光強度シミュレーション部２５と、光強度シミュレーション部２５によるシミュレーション結果に応じて各領域のマスクデータを補正して、最終マスクデータ２７として出力するマスク補正部２６とを含む。

図３は、本発明の第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の処理手順を説明するためのフローチャートである。まず、ＣＭＰシミュレーション部２２は、元マスクデータ（最終的に欲しい形状）２１を受けて各層の膜厚分布を計算し、計算された膜厚分布の相対的高さから下地の段差を計算する（Ｓ１１）。

図４は、従来のＣＭＰシミュレータによるシミュレーション結果を示す図である。図４において、横軸は何層目の膜厚であるかを示しており、縦軸は各層における基準面からの膜厚（μｍ）を示している。この図から、実測値とシミュレーション結果とがほぼ一致しており、精度良く予測できていることが分かる。本実施の形態においては、従来のＣＭＰシミュレータを用いて段差を計算するものとする。

次に、領域分割部２３は、ＣＭＰシミュレーション部２２によって計算された段差に基づいて、ＬＳＩチップを段差が所定の範囲内にある領域、すなわち段差が一定と見なされる領域に分割する（Ｓ１２）。

次に、焦点位置設定部２４は、領域分割部２３によって分割された領域のそれぞれに対し、段差に応じた焦点位置を設定する（Ｓ１３）。

図５は、下地に段差がないとした場合の焦点位置を示す図である。図５（ａ）は、ＬＳＩチップに形成されるパターンの上面図であり、図５（ｂ）は、その断面図である。図５（ｂ）に示すように、下地には段差がないため焦点位置が同じとされる。

一方、図６は、下地に段差がある場合の焦点位置を示す図である。図６（ａ）は、ＬＳＩチップに形成されるパターンの上面図であり、図６（ｂ）は、その断面図である。図６（ｂ）に示すように、下地に段差があるにもかかわらず焦点位置を一定として光強度シミュレーションを行なうと、シミュレーション精度が悪くなる。

図７は、段差があるときに異なる焦点位置を設定する場合を示す図である。図６（ｂ）に示すようにＬＳＩチップに段差がある場合、領域分割部２３は、図７（ａ）に示すように段差１の領域と段差２の領域とに分割する。そして、焦点位置設定部２４は、図７（ｂ）に示すように段差１の領域に焦点位置１を設定し、段差２の領域に焦点位置２を設定する。

光強度シミュレーション部２５は、焦点位置設定部２４によって設定された焦点位置を用いて各領域の光強度シミュレーションを行ない、形状予測パターンを作成する（Ｓ１４）。そして、元パターンと形状予測パターンとを比較し、その誤差が所定値よりも大きいか否かを判定する（Ｓ１５）。

誤差が所定値よりも大きい場合（Ｓ１５，Ｙｅｓ）、マスク補正部２６は、その誤差が小さくなるようにマスクデータを補正し（Ｓ１６）、ステップＳ１４に戻って再度光強度シミュレーションを行なう。なお、ステップＳ１４〜Ｓ１６の処理は、分割されたすべての領域に対して行なうものとする。

また、誤差が所定値以下であれば（Ｓ１５，Ｎｏ）、補正後のマスクデータをその領域の最終マスクデータとする（Ｓ１７）。そして、すべての領域のマスクデータを合わせて最終マスクデータ２７として、処理を終了する。

なお、本実施の形態においては、ＣＭＰシミュレーション部２２がＬＳＩチップの段差を計算するとして説明したが、ＬＳＩチップの段差を実測し、その実測値を用いるようにしてもよい。

以上説明したように、本実施の形態におけるマスクデータ補正装置によれば、ＬＳＩチップの段差が異なる領域ごとに焦点位置を設定し、設定された焦点位置に基づいて光強度シミュレーションを行なうようにしたので、ＯＰＣ処理を精度よく行なうことが可能となった。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の構成例は、図１に示す第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の構成例と同様である。したがって、重複する構成および機能の詳細な説明は繰返さない。

第１の実施の形態においては、段差が異なる領域ごとに焦点位置を設定し、領域ごとに光強度シミュレーションを行なうものであったが、第２の実施の形態においては、予め複数の焦点位置におけるＯＰＣ処理（図形の変形度合い）を決めておき、ＣＭＰシミュレーションによって得られた段差に対応するマスク補正を、線形補間などの補間によって求めて高速化を図るものである。

図８は、本発明の第２の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の機能的構成を示すブロック図である。このマスクデータ補正装置は、元マスクデータ２１を用いてＣＭＰシミュレーションを行なうＣＰＭシミュレーション部３１と、元マスクデータ２１に対して複数の焦点位置を設定する焦点位置設定部３２と、焦点位置設定部３２によって設定された複数の焦点位置のそれぞれについて光強度シミュレーションを行なう光強度シミュレーション部３３と、光強度シミュレーション部３３によるシミュレーション結果に応じてマスクデータを補正するマスク補正部３４と、ＣＭＰシミュレーション部３１によって算出された段差に応じて、マスク補正部３４によって得られたＯＰＣ補正量に線形補間を行ない、最終マスクデータ２７を出力する線形補間部３５とを含む。

図９は、本発明の第２の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の処理手順を説明するためのフローチャートである。まず、ＣＭＰシミュレーション部３１は、元マスクデータ（最終的に欲しい形状）２１を受けて各層の膜厚分布を計算し、計算された膜厚分布の相対的高さから下地の段差を計算する（Ｓ２１）。

また、焦点位置設定部３２は、ＣＭＰシミュレーション部３１による段差の計算と並行して、複数の焦点位置を設定する（Ｓ２２）。この複数の焦点位置は、たとえば、下地の段差のとり得る値を予め設定しておき、その範囲内で均等となるように複数の段差を決め、その複数の段差に対応する焦点位置を設定するようにしてもよいし、別の方法で複数の焦点位置を設定するようにしてもよい。

光強度シミュレーション部３３は、焦点位置設定部３２によって設定された焦点位置を用いて光強度シミュレーションを行ない、形状予測パターンを作成する（Ｓ２３）。そして、元パターンと形状予測パターンとを比較し、その誤差が所定値よりも大きいか否かを判定する（Ｓ２４）。

誤差が所定値よりも大きい場合（Ｓ２４，Ｙｅｓ）、マスク補正部３４は、その誤差が小さくなるようにマスクデータを補正し（Ｓ２５）、ステップＳ２３に戻って再度光強度シミュレーションを行なう。

光強度シミュレーション部３３およびマスク補正部３４は、焦点位置設定部３２によって設定された複数の焦点位置に対してステップＳ２３〜Ｓ２５の処理を行ない、各焦点位置ごとのマスクデータを作成する（Ｓ２６）。

最後に、線形補間部３５は、ＣＭＰシミュレーション部３１によって算出された段差に対応するマスクデータを作成するために、複数の焦点位置に対応して作成されたマスクデータ（ＯＰＣ補正量）に線形補間を行ない、最終的なマスクデータ２７を作成し（Ｓ２７）、処理を終了する。

図１０は、線形補間部３５によるマスクデータの線形補間の一例を示す図である。図１０においては、焦点位置設定部３２によって５つの焦点位置が設定されており、マスク補正部３４によって補正後のマスクデータが計算されている。これらのマスクデータを線形補間することにより、ＣＭＰシミュレーション部３１によって計算された段差に対応するマスクデータを抽出する。このとき、ＬＳＩチップを段差が一定と見なされる領域に分割し、領域ごとに補間後のマスクデータを抽出し、抽出された全領域のマスクデータを合わせて最終マスクデータ２７とする。

以上説明したように、本実施の形態におけるマスクデータ補正装置によれば、予め複数の焦点位置に対応するマスクデータを計算しておき、ＣＭＰシミュレーション部３１によって計算された段差に対応するマスクデータを線形補間によって抽出するようにしたので、第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置と比較して、最終マスクデータの作成をさらに高速に行なうことが可能となった。

（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の構成例は、図１に示す第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の構成例と同様である。また、第３の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の機能的構成は、図８に示す第２の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の機能的構成と比較して、線形補間部３５の機能が異なる点のみが異なる。したがって、重複する構成および機能の詳細な説明は繰返さない。

第２の実施の形態においては、ＬＳＩチップを段差が一定と見なされる領域に分割し、領域ごとに補間したマスクデータを抽出して最終マスクデータを作成したが、本実施の形態においては、線形補間部３５が、ＬＳＩチップを領域に分割せずに段差値をそのまま用いてマスクデータの補正量を算出する。

図１１は、元パターンと、段差を一定とした場合の形状予測パターンとを示す図である。図１１（ａ）は、元パターン３１と、光強度シミュレーションによる形状予測パターン３２とを示している。元パターン３１をそのまま用いて光強度シミュレーションを行なうと、先端で細くなる形状予測パターン３２が得られる。

図１１（ｂ）は、先端が細くなるのを防ぐためにＯＰＣの補正量（変形量）によって補正された後のパターン３１，３３および３４と、そのパターンを用いた形状予測パターン３５とを示す図である。補正された後のパターンは、元パターン３１の先端でパターン３３および３４が追加され、ハンマーヘッド型のＯＰＣ補正となっている。

下端においては、横方向および縦方向に一様にａだけ線分を太くするパターン３４が追加されている。また、上端においては、縦方向にｂだけ、横方向にｃだけ線分を太くするパターン３３が追加されている。この補正後のパターンを用いて光強度シミュレーションを行うことにより、元パターン３１に近似した形状予測パターン３５が得られる。

元パターン３１の微小線分（点ｘ）に対する補正量（変形量）はｘの関数ｆ（ｘ）として与えられる。たとえば、図１１（ｂ）において、下端の補正パターン３４を追加する元パターンの部分（補正パターン３４に囲まれる線分）の微小線分ｘに対する補正量は、ｘの関数として表わすことができる。

図１２は、元パターンと、段差を考慮した場合の形状予測パターンとを示す図である。図１２（ａ）は、図１１（ａ）と同様である。図１２（ｂ）は、段差を考慮して求められたＯＰＣの補正量によって補正された後のパターン３１，３６および３７と、そのパターンを用いた形状予測パターン３８とを示す図である。

上述のように下端の補正パターン３７を追加する元のパターンの部分の微小線分に対する補正量は、ｘの関数として表わすことができる。また、段差によっても補正量が変化するので、ある焦点ＤＯＦでの変形量をａ（ＤＯＦ）とすると、微小線分ｘに対応する補正量はａ（ＤＯＦ（ｘ））と表わすことができる。したがって、下端の補正パターンを追加する元パターンの部分にわたって積分し、その部分の線分の長さＬで割ることによって次式のように補正値Ａを求めることができる。

Ａ＝∫ａ（ＤＯＦ（ｘ））ｄｘ／Ｌ ・・・（１）
また、上端の補正パターン３６は横方向および縦方向に補正値を変えてＯＰＣを行なうものであるが、同様に式（１）を用いて補正値ＢおよびＣを求めることができる。

以上の説明においては、微小線分ｘに対する補正量を積分し、線分の長さＬで平均化することにより全体の補正値を求めたが、この平均化の計算をａ（ＤＯＦ（ｘ））を用いた適当な関数により行なうようにしてもよい。また、線分に対して行なった平均化（適当な関数を用いた場合も含む）を補正パターン３６または３７に対して行なうようにしてもよい。

以上説明したように、本実施の形態おけるマスクデータ補正装置によれば、微小線分に対応する段差に応じた補正量を積分し、平均化して最終マスクパターンを算出するようにしたので、ＯＰＣ処理を精度よく行なうことが可能となった。

（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の構成例は、図１に示す第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の構成例と同様である。また、第４の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の機能的構成は、図２に示す第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の機能的構成と比較して、マスク補正部２６の機能が異なる点のみが異なる。したがって、重複する構成および機能の詳細な説明は繰返さない。

マスク補正部２６は、補正後のマスクデータを参照して、ＯＰＣ補正量が所定値以上のビアやコンタクトを抽出する。この処理は、段差によって小さく転写されるビアやコンタクトを抽出するためのものである。抽出されたビアやコンタクトは穴が空きにくいことを示しているので、マスク補正部２６は、ビアやコンタクトの数を増やすなどのパターン修正を行なう。

図１３は、ＬＳＩチップの段差によってビアまたはコンタクトが小さく転写される場合を示す図である。図１３（ａ）は、ＬＳＩチップの上面図を示しており、２つのビアまたはコンタクトが配置されている。図１３（ｂ）は、その断面図であり、段差によって右側のビアまたはコンタクトが小さく転写される。

図１４は、ビアまたはコンタクトのパターン修正の一例を示す図である。図１４（ａ）に示すように、開口特性が悪くなっているビアまたはコンタクトを含むパターンに対して、２つのビアまたはコンタクトの間に新たにビアまたはコンタクトを挿入する。

ビアまたはコンタクトの１つが不良となった場合でも、追加されたビアまたはコンタクトが正常に動作すればＬＳＩ全体として正常に動作するようになる。

以上説明したように、本実施の形態におけるマスクデータ補正装置によれば、ＯＰＣ補正量が所定値以上のビアまたはコンタクトがある場合に、パターン修正を行なうようにしたので、ビアやコンタクトの不良を防止することが可能となった。

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の構成例を示すブロック図である。 本発明の第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の機能的構成を示すブロック図である。 本発明の第１の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の処理手順を説明するためのフローチャートである。 従来のＣＭＰシミュレータによるシミュレーション結果を示す図である。 下地に段差がないとした場合の焦点位置を示す図である。 下地に段差がある場合の焦点位置を示す図である。 段差があるときに異なる焦点位置を設定する場合を示す図である。 本発明の第２の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の機能的構成を示すブロック図である。 本発明の第２の実施の形態におけるマスクデータ補正装置の処理手順を説明するためのフローチャートである。 線形補間部３５によるマスクデータの線形補間の一例を示す図である。 元パターンと、段差を一定とした場合の形状予測パターンとを示す図である。 元パターンと、段差を考慮した場合の形状予測パターンとを示す図である。 ＬＳＩチップの段差によってビアまたはコンタクトが小さく転写される場合を示す図である。 ビアまたはコンタクトのパターン修正の一例を示す図である。

符号の説明

１ コンピュータ本体、２ ディスプレイ装置、３ ＦＤドライブ、４ ＦＤ、５ キーボード、６ マウス、７ ＣＤ−ＲＯＭ装置、８ ＣＤ−ＲＯＭ、９ ネットワーク通信装置、２１ 元マスクデータ、２２，３１ ＣＰＭシミュレーション部、２３ 領域分割部、２４，３２ 焦点位置設定部、２５，３３ 光強度シミュレーション部、２６，３４ マスク補正部、２７ 最終マスクデータ、３５ 線形補間部。

Claims (12)

1. 半導体チップに転写するマスクデータを補正するマスクデータ補正方法であって、
   下地の段差に応じて前記マスクデータを複数の領域に分割するステップと、
   前記分割された領域に焦点位置を設定するステップと、
   前記設定された焦点位置に応じて各領域の光強度シミュレーションを行なうステップと、
   各領域のシミュレーション結果に応じて前記マスクデータを補正するステップとを含む、マスクデータ補正方法。
2. 半導体チップに転写するマスクデータを補正するマスクデータ補正方法であって、
   前記マスクデータに複数の焦点位置を設定するステップと、
   前記設定された複数の焦点位置に応じて光強度シミュレーションを行なうステップと、
   各焦点位置のシミュレーション結果に応じて、各焦点位置に対応するマスクデータを補正するステップと、
   前記補正された各焦点位置に対応するマスクデータの補正量を補間して、下地の段差に対応するマスクデータを作成するステップとを含む、マスクデータ補正方法。
3. 前記マスクデータを作成するステップは、下地の段差に応じて前記マスクデータを複数の領域に分割し、領域ごとにマスクデータの補正量を補間するステップを含む、請求項２記載のマスクデータ補正方法。
4. 前記マスクデータを作成するステップは、前記補正された各焦点位置に対応するマスクデータの補正量を補間し、下地の段差に応じた補間後のマスクデータの補正量を平均化するステップを含む、請求項２記載のマスクデータ補正方法。
5. 前記マスクデータ補正方法はさらに、前記下地の段差を算出するステップを含む、請求項１または２記載のマスクデータ補正方法。
6. 前記マスクデータ補正方法はさらに、マスクデータの補正量が所定値以上のビアまたはコンタクトを抽出し、ビアまたはコンタクトの数を増やすようにマスクデータを修正するステップを含む、請求項１または２記載のマスクデータ補正方法。
7. 半導体チップに転写するマスクデータを補正するマスクデータ補正装置であって、
   下地の段差に応じて前記マスクデータを複数の領域に分割する領域分割手段と、
   前記領域分割手段によって分割された領域に焦点位置を設定する焦点位置設定手段と、
   前記焦点位置設定手段によって設定された焦点位置に応じて各領域の光強度シミュレーションを行なう第１のシミュレーション手段と、
   前記第１のシミュレーション手段による各領域のシミュレーション結果に応じて前記マスクデータを補正するマスク補正手段とを含む、マスクデータ補正装置。
8. 半導体チップに転写するマスクデータを補正するマスクデータ補正装置であって、
   前記マスクデータに複数の焦点位置を設定する焦点位置設定手段と、
   前記焦点位置設定手段によって設定された複数の焦点位置に応じて光強度シミュレーションを行なう第１のシミュレーション手段と、
   前記第１のシミュレーション手段による各焦点位置のシミュレーション結果に応じて、各焦点位置に対応するマスクデータを補正するマスク補正手段と、
   前記マスク補正手段によって補正された各焦点位置に対応するマスクデータの補正量を補間して、下地の段差に対応するマスクデータを作成する補間手段とを含む、マスクデータ補正装置。
9. 前記補間手段は、下地の段差に応じて前記マスクデータを複数の領域に分割し、領域ごとにマスクデータの補正量を補間する、請求項８記載のマスクデータ補正装置。
10. 前記補間手段は、前記マスク補正手段によって補正された各焦点位置に対応するマスクデータの補正量を補間し、下地の段差に応じた補間後のマスクデータの補正量を平均化する、請求項８記載のマスクデータ補正装置。
11. 前記マスクデータ補正装置はさらに、前記下地の段差を算出する第２のシミュレーション手段を含む、請求項７または８記載のマスクデータ補正装置。
12. 前記マスクデータ補正装置はさらに、マスクデータの補正量が所定値以上のビアまたはコンタクトを抽出し、ビアまたはコンタクトの数を増やすようにマスクデータを修正する修正手段を含む、請求項７または８記載のマスクデータ補正装置。

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