JP2012054574A - コンデンサ用ニオブ、及び該ニオブ焼結体を用いたコンデンサ - Google Patents
コンデンサ用ニオブ、及び該ニオブ焼結体を用いたコンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012054574A JP2012054574A JP2011223651A JP2011223651A JP2012054574A JP 2012054574 A JP2012054574 A JP 2012054574A JP 2011223651 A JP2011223651 A JP 2011223651A JP 2011223651 A JP2011223651 A JP 2011223651A JP 2012054574 A JP2012054574 A JP 2012054574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- niobium
- capacitor
- capacitor according
- group
- main component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 194
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 166
- 239000010955 niobium Substances 0.000 title claims abstract description 166
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 32
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000004417 unsaturated alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 8
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N boranylidyneniobium Chemical compound [Nb]#B VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 claims description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 3
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 3
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 2
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 niobium halide Chemical class 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 5
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTPUNAWAGWERLA-UHFFFAOYSA-G dipotassium;heptafluoroniobium(2-) Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[K+].[Nb+5] FTPUNAWAGWERLA-UHFFFAOYSA-G 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N (2s)-2-aminopentanedioic acid;hydrochloride Chemical class Cl.OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N 0.000 description 1
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Pb] Chemical compound [Ta].[Pb] ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 1
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N ferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229940110728 nitrogen / oxygen Drugs 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/045—Alloys based on refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
【課題】ニオブを原料とする耐電圧特性特性の改良されたコンデンサ、及びその原料となるニオブを提供する。
【解決手段】コンデンサ用ニオブ製造工程にニオブのクロム含有量低減のための工程を入れ、クロム含有量が0.8質量ppm以下のコンデンサ用ニオブを得る。このコンデンサ用ニオブの焼結体を一方の電極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデンサを構成することにより、耐電圧特性特性の改良されたコンデンサを得る。
【選択図】なし
【解決手段】コンデンサ用ニオブ製造工程にニオブのクロム含有量低減のための工程を入れ、クロム含有量が0.8質量ppm以下のコンデンサ用ニオブを得る。このコンデンサ用ニオブの焼結体を一方の電極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデンサを構成することにより、耐電圧特性特性の改良されたコンデンサを得る。
【選択図】なし
Description
本発明は、耐電圧特性が良好でかつ単位体積当たりの容量が大きなコンデンサを製造できるニオブ(ニオブ粉、ニオブ造粒物、及びそれらの焼結体)、及びそのニオブ焼結体を用いたコンデンサに関する。
携帯電話やパーソナルコンピューター等の電子機器に使用されるコンデンサは小型大容量のものが望まれている。従来のコンデンサの中では、タンタルコンデンサは、大きさの割に容量が大きく、しかも性能が良好なため、好んで使用されている。このタンタルコンデンサの陽極体としてタンタル粉の焼結体が一般的に使用されている。タンタルコンデンサの容量を上げるためには、焼結体重量を増大させるか、またはタンタル粉を微細化して表面積を増加させた焼結体を用いる必要がある。
前者の焼結体重量を増加させる方法では、コンデンサの形状が必然的に増大し小型化の要求を満たさない。一方、後者のタンタル粉を微細化して表面積を増加する方法では、タンタル焼結体の細孔径が小さくなり、又焼結段階で閉鎖孔が多くなり、後工程における陰極剤の含浸が困難になる。これらの欠点を解決する研究の1つとして、タンタルより誘電率の大きい材料を用いた、粉焼結体のコンデンサが考えられている。そのような誘電率の大きい材料としてニオブがある。
ニオブは、タンタルと同族であるが、そのコンデンサ用材料としての性質は大きく異なる。例えば、タンタルでは、不純物として酸素が1万質量ppmも存在すると漏れ電流特性は大きく劣化するが、ニオブでは、そのようなことは無く、数万ppmの酸素含有量でも漏れ電流特性の劣化が少ない。
しかしながら、ニオブを原料として作製したコンデンサの耐電圧特性は、タンタルを原料として作製したコンデンサに比較して劣るものであった。
ニオブ粉に含有される不純物元素量とコンデンサ性能との関係についての先行文献は、国際公開WO00/49633号公報(特許文献1)、及び国際公開WO00/56486号公報(特許文献2)がある。前者では、鉄、ニッケル、コバルト等、特定の不純物元素含有量を100質量ppm以下とすることで、また後者では、炭素含有量40ppm〜200ppm、及び鉄,ニッケル及びクロム含有量約5ppm〜約200ppmとすることで、コンデンサの比漏れ電流値等のコンデンサ性能が良好になることが開示されている。しかし、いずれの文献にもクロム含有量とコンデンサの耐電圧特性との関係に関する開示はない。
ニオブを原料とする耐電圧特性の改良されたコンデンサ、及びその原料となるニオブを提供することである。
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、一般的に原料となるニオブに含まれる不純物(B,C,F,Na,Mg,Ca,Fe,Ni,Zn,W、Crなど)の中で、特にクロムの含有量とコンデンサの耐電圧との間に相関が見られ、クロム含有量の少ない(特に50質量ppm以下)ニオブを用いたコンデンサは顕著な耐電圧の向上が見られることを見出した。このことは、電圧印加時にコンデンサの誘電体層に一部存在する不純物元素周辺での劣化が、クロム元素周辺で特に顕著になることに起因すると考えられる。しかしながら、通常入手可能なニオブ原料は、クロム含有量が多く、そのまま用いたのでは前記特性は得られない。そこで、小型で耐電圧特性の良好なコンデンサの原料としてクロム含有量の少ないニオブの製造方法を見出し、本発明を完成させた。
本発明は、以下のコンデンサ用ニオブ、該粉体、その造粒物、その焼結体、その焼結体を用いたコンデンサ、及びそれらの製造方法に関するものである。
すなわち、本発明は、
(1)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブであって、クロム含有量が、50質量ppm以下であることを特徴とするコンデンサ用ニオブ。
(2)クロム含有量が、40質量ppm以下である前項1に記載のコンデンサ用ニオブ。
(3)クロム含有量が、5質量ppm以下である前項2に記載のコンデンサ用ニオブ。
(4)クロム含有量が、3質量ppm以下である前項3に記載のコンデンサ用ニオブ。
(5)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブ窒化物を含む前項1乃至4のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(6)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブ炭化物を含む前項1乃至4のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(7)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブホウ化物を含む前項1乃至4のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(8)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、平均粒径0.1μm〜3μmの粉末である前項1乃至7のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(9)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、造粒物であって、その平均粒径が10μm〜300μmである前項1乃至7のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(10)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブ焼結体であって、そのBET比表面積が0.5m2/g〜7m2/gである前項1乃至7のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(11)ニオブを主成分とするニオブ焼結体を一方の電極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデンサにおいて、該焼結体が前項1乃至10のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブの焼結体であるコンデンサ。
(12)コンデンサを構成する誘電体の主成分が酸化ニオブである前項11に記載のコンデンサ。
(13)他方の電極が、電解液、有機半導体、および無機半導体からなる群より選ばれる少なくとも一種である前項11または12に記載のコンデンサ。
(14)有機半導体が、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、及び下記一般式(1)または(2)
(式(1)および(2)において、R1〜R4は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜10の直鎖もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、アルコキシ基あるいはアルキルエステル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、1級、2級もしくは3級アミノ基、CF3基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれた一価基を表わす。R1とR2及びR3とR4の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と共に少なくとも1つ以上の3〜7員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成してもよい。前記環状結合鎖には、カルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノの結合を任意の位置に含んでもよい。Xは酸素、硫黄又は窒素原子を表し、R5はXが窒素原子の時のみ存在して、独立して水素又は炭素数1〜10の直鎖もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基を表す。)で表される繰り返し単位を2以上含む重合体にドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした有機半導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の有機半導体である前項13に記載のコンデンサ。
(15)導電性高分子が、下記一般式(3)
(式中、R6及びR7は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、または該アルキル基が互いに任意の位置で結合して、2つの酸素元素を含む少なくとも1つ以上の5〜7員環の飽和炭化水素の環状構造を形成する置換基を表わす。また、前記環状構造には置換されていてもよいビニレン結合を有するもの、置換されていてもよいフェニレン構造のものが含まれる。)で示される繰り返し単位を含む導電性高分子である前項14に記載のコンデンサ。
(16)有機半導体が、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンおよびこれらの置換誘導体から選ばれる少なくとも一種である前項13に記載のコンデンサ。
(17)有機または無機半導体が、電導度10-2S・cm-1 〜103S・cm-1の範囲のものである前項13に記載のコンデンサ。
(18)コンデンサ用ニオブの製造方法において、その製造工程中に、ニオブを主成分とする物質のクロム含有量を低減する工程を含むことを特徴とするコンデンサ用ニオブの製造方法。
(19)クロム含有量を低減する工程が、フッ酸、硝酸、硫酸、及び塩酸からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む液とニオブを主成分とする物質とを接触させることを含む工程である前項15に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(20)ニオブを主成分とする物質が、ニオブ窒化物を含む前項18または19に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(21)ニオブを主成分とする物質が、ニオブ炭化物を含む前項18または19に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(22)ニオブを主成分とする物質が、ニオブホウ化物を含む物質である前項18または19に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(23)ニオブを主成分とする物質が、粉末である前項18乃至22のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(24)粉末の平均粒径が、0.1μm〜3μmである前項23記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(25)ニオブを主成分とする物質が、造粒物であって、その平均粒径が10μm〜300μmである前項18乃至22のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(26)ニオブを主成分とする物質が、焼結体であって、そのBET比表面積が0.5m2/g〜7m2/gである前項18に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(27)コンデンサ用ニオブ造粒物の製造方法において、前項8に記載のコンデンサ用ニオブを造粒することを特徴とする、コンデンサ用ニオブ造粒物の製造方法。
(28)コンデンサ用ニオブ焼結体の製造方法において、前項9に記載のコンデンサ用ニオブを焼結することを特徴とする、コンデンサ用ニオブ焼結体の製造方法。
(29)前項18乃至28のいずれか1項に記載の方法で得られるコンデンサ用ニオブ。
(30)ニオブを主成分とする一方の電極と、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデンサの製造方法において、その製造工程中に、ニオブを主成分とする電極中のクロム含有量を低減させる工程を含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
(31)ニオブを主成分とするニオブ焼結体を一方の電極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデンサの製造方法において、前項18乃至28の少なくとも1項に記載の方法を製造工程として含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
(32)電解酸化により酸化ニオブを形成する前項12に記載のコンデンサの製造方法。
(33)前項30または31に記載の製造方法で得られるコンデンサ。
(34)前項11乃至17及び33のいずれか1項に記載のコンデンサを使用した電子回路。
(35)前項11乃至17及び33のいずれか1項に記載のコンデンサを使用した電子機器。
すなわち、本発明は、
(1)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブであって、クロム含有量が、50質量ppm以下であることを特徴とするコンデンサ用ニオブ。
(2)クロム含有量が、40質量ppm以下である前項1に記載のコンデンサ用ニオブ。
(3)クロム含有量が、5質量ppm以下である前項2に記載のコンデンサ用ニオブ。
(4)クロム含有量が、3質量ppm以下である前項3に記載のコンデンサ用ニオブ。
(5)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブ窒化物を含む前項1乃至4のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(6)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブ炭化物を含む前項1乃至4のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(7)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブホウ化物を含む前項1乃至4のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(8)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、平均粒径0.1μm〜3μmの粉末である前項1乃至7のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(9)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、造粒物であって、その平均粒径が10μm〜300μmである前項1乃至7のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(10)ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブ焼結体であって、そのBET比表面積が0.5m2/g〜7m2/gである前項1乃至7のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
(11)ニオブを主成分とするニオブ焼結体を一方の電極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデンサにおいて、該焼結体が前項1乃至10のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブの焼結体であるコンデンサ。
(12)コンデンサを構成する誘電体の主成分が酸化ニオブである前項11に記載のコンデンサ。
(13)他方の電極が、電解液、有機半導体、および無機半導体からなる群より選ばれる少なくとも一種である前項11または12に記載のコンデンサ。
(14)有機半導体が、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、及び下記一般式(1)または(2)
(15)導電性高分子が、下記一般式(3)
(16)有機半導体が、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンおよびこれらの置換誘導体から選ばれる少なくとも一種である前項13に記載のコンデンサ。
(17)有機または無機半導体が、電導度10-2S・cm-1 〜103S・cm-1の範囲のものである前項13に記載のコンデンサ。
(18)コンデンサ用ニオブの製造方法において、その製造工程中に、ニオブを主成分とする物質のクロム含有量を低減する工程を含むことを特徴とするコンデンサ用ニオブの製造方法。
(19)クロム含有量を低減する工程が、フッ酸、硝酸、硫酸、及び塩酸からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む液とニオブを主成分とする物質とを接触させることを含む工程である前項15に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(20)ニオブを主成分とする物質が、ニオブ窒化物を含む前項18または19に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(21)ニオブを主成分とする物質が、ニオブ炭化物を含む前項18または19に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(22)ニオブを主成分とする物質が、ニオブホウ化物を含む物質である前項18または19に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(23)ニオブを主成分とする物質が、粉末である前項18乃至22のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(24)粉末の平均粒径が、0.1μm〜3μmである前項23記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(25)ニオブを主成分とする物質が、造粒物であって、その平均粒径が10μm〜300μmである前項18乃至22のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(26)ニオブを主成分とする物質が、焼結体であって、そのBET比表面積が0.5m2/g〜7m2/gである前項18に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
(27)コンデンサ用ニオブ造粒物の製造方法において、前項8に記載のコンデンサ用ニオブを造粒することを特徴とする、コンデンサ用ニオブ造粒物の製造方法。
(28)コンデンサ用ニオブ焼結体の製造方法において、前項9に記載のコンデンサ用ニオブを焼結することを特徴とする、コンデンサ用ニオブ焼結体の製造方法。
(29)前項18乃至28のいずれか1項に記載の方法で得られるコンデンサ用ニオブ。
(30)ニオブを主成分とする一方の電極と、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデンサの製造方法において、その製造工程中に、ニオブを主成分とする電極中のクロム含有量を低減させる工程を含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
(31)ニオブを主成分とするニオブ焼結体を一方の電極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデンサの製造方法において、前項18乃至28の少なくとも1項に記載の方法を製造工程として含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
(32)電解酸化により酸化ニオブを形成する前項12に記載のコンデンサの製造方法。
(33)前項30または31に記載の製造方法で得られるコンデンサ。
(34)前項11乃至17及び33のいずれか1項に記載のコンデンサを使用した電子回路。
(35)前項11乃至17及び33のいずれか1項に記載のコンデンサを使用した電子機器。
本発明のコンデンサ用二オブをコンデンサに用いると耐電圧特性が良好なコンデンサを得ることができる。
本発明のコンデンサ用ニオブを、実施形態の1例に基づいて以下に説明する。
本発明のコンデンサ用ニオブとは、ニオブを主成分とし、コンデンサを製造するための素材となりうるものである。この実施形態には、粉体、造粒物、または焼結体が含まれる。
本発明のコンデンサ用ニオブとは、ニオブを主成分とし、コンデンサを製造するための素材となりうるものである。この実施形態には、粉体、造粒物、または焼結体が含まれる。
コンデンサ用ニオブの原料としては、例えば、ハロゲン化ニオブの水素、マグネシウム、ナトリウム等による還元、フッ化二オブカリウムのナトリウム還元、フッ化二オブカリウムのニッケル陰極上への融解塩(NaCl+KCl)電解、金属二オブインゴットの水素化粉砕、等の手段によって得られた二オブ粉を用いることができる。これらの方法によって得られた二オブ粉にはニオブ原料,還元剤及び使用機器等の環境から不純物が混入していることが十分に考えられる。
ニオブ中のクロムもこのような経路により不純物として混入し得る。クロム含有量を二オブ粉中、ニオブ造粒物、及び/または二オブ焼結体中、50質量ppm以下、好ましくは40質量ppm以下、さらに好ましくは5質量ppm以下、特に好ましくは3質量ppm以下とすることで本発明の二オブ粉、ニオブ造粒物、及び/または二オブ焼結体を得ることができる。
クロム含有量の少ないニオブを得る方法としては、クロム含有量の十分に少ない原料及び微量なクロム混入にも配慮した特別なニオブ製造装置を用いる方法や、ニオブ製造工程の途中で混入しているクロムを除去する工程を組み込む方法などがある。いずれの方法でも、クロム含有量を50質量ppm以下、好ましくは40質量ppm以下、さらに好ましくは5質量ppm以下、特に好ましくは3質量ppm以下にできる方法ならば特に限定されずにいずれも本発明に適応できる。
例えば、前述のニオブ原料や還元剤において、より純度の高いものを用い、クロムを含まない使用機器を用いてクロム混入を抑制する方法、また、前述した二オブ粉を例えばフッ酸、硝酸、硫酸、塩酸のうち少なくとも一つを含んだ酸、及びアルカリを、または前記酸、アルカリ、及び過酸化水素水を順次使用もしくは共用して洗浄する方法などの方法が挙げられる。
好ましくは酸及び過酸化水素を使用する後者の方法である。この方法は、コンデンサ用ニオブとして、組成を整えたニオブ(後述する二オブ窒化物等を含むニオブ)や、形態を整えたニオブ(粉体、造粒物、及び焼結体)にも適応できる。すなわち、この方法は、コンデンサ用ニオブの製造工程中、比較的後の工程でも使用できるため、それ以前の多くの工程では、必ずしも特別にクロム混入に注意を払った原料や装置を用いる必要はない。
本発明の前記二オブ粉の平均粒径は粉体の比表面積を増大させるために3μm以下が好ましい。これは該二オブ粉から成るコンデンサ容量はその比表面積と比例関係にあるためである。このためコンデンサ容量を増大させるためにはより表面積を増大させる、すなわち平均粒径を小さくすることが有効である。しかし、粒径が小さすぎると後工程の陰極剤の含浸が困難になってしまう。これらのことを勘案するとニオブ粉の平均粒径は0.1〜3μmが好ましい。またニオブ造粒物の平均粒径は10〜300μmが好ましい。
本発明のニオブ造粒物は、例えば、前記二オブ粉を適当な大きさに造粒して得られる。造粒方法として、従来公知の方法が採用できる。例えば、粉体を500℃〜2000℃の高温真空下に放置した後、湿式または乾式解砕する方法、アクリル樹脂やポリビニルアルコール等の適当なバインダーと粉体を混合した後解砕する方法、アクリル樹脂や樟脳、燐酸や、ホウ酸等の適当な化合物と混合した後、高温真空下に放置し、その後湿式または乾式解砕する方法等があげられる。造粒と解砕の程度によってニオブ造粒物の粒径は、任意に変更可能であるが、通常、平均粒径で10μm〜300μmのものが使用される。造粒・解砕後に分級して用いても良い。また、造粒後に造粒前の粉体を適量混合して用いても良い(本発明では、未造粒の粉体を混合した造粒物も「造粒物」と記載する)し、あるいは、複数の平均粒径を持つニオブ造粒物を適量混合して用いても良い。このようにして作製したニオブ造粒物の比表面積は、任意に変更可能であるが、通常0.5m2/g〜7m2/gのものが使用される。
また、さらに漏れ電流特性を向上させるために、本発明の二オブ粉は、二オブの一部が窒素、炭素、ホウ素の少なくとも一つと結合しているものであってもよい。窒素、炭素、ホウ素の化合物である二オブ窒化物、二オブ炭化物、二オブホウ化物のいずれを含有してもよく、またこれらのうちの2種、3種の組み合わせでもよい。その結合量の総和、すなわち窒素、炭素、ホウ素含有量の総和は二オブ粉の形状によっても変わるが、平均粒径0.1乃至3μm程度の粉で50〜200000質量ppm、好ましくは300〜20000質量ppmである。50質量ppm未満では漏れ電流特性が十分向上せず、200000質量ppmを超えると容量特性が悪化してしまう。
二オブ窒化物を形成する窒化方法は、液体窒素法、イオン窒化法、ガス窒化法等いずれかあるいはそれらの組み合わせで実施してもよい。窒素ガス雰囲気によるガス窒化処理がより簡便で容易なため好ましい。窒素ガス雰囲気によるガス窒化方法は二オブ粉を窒素雰囲気中に放置することにより行われる。窒化する雰囲気温度は2000℃以下、放置時間は数時間以内で目的とする窒素量の二オブ粉が得られる。高温で処理するほど短時間で窒化することができる。このように、窒化温度と窒化時間を制御することにより窒化量を管理することができる。
二オブ炭化物を形成する炭化方法も、ガス炭化、固相炭化、液体炭化いずれであっても、またその組み合わせであってもよい。例えば二オブ粉を炭素材やメタン等の炭素を含有する有機物と共に減圧下、2000℃以下で数分〜数10時間放置することにより行われる。
二オブホウ化物を形成するホウ化方法も、ガスホウ化、固相ホウ化いずれであってもよい。例えば二オブ粉をホウ素ペレットやホウ素源となる、トリフルオロホウ素等のハロゲン化ホウ素と共に減圧下、2000℃以下で数分〜数10時間放置することにより行われる。
本発明のコンデンサ用二オブ焼結体は、前述した二オブ粉または造粒物を焼結して製造することができる。その製造法の一例を以下に示すが、この例になんら限定されるものではない。
例えば、二オブ粉を所定の形状に加圧成形した後、10-4〜102Pa減圧下、もしくはAr等の不活性気体中で、数分〜数時間、500〜2000℃で加熱して得られる。
また、適当な形状・長さの、ニオブやタンタル等の弁作用金属からなるリードワイヤーを用意し、前述したニオブ粉の加圧成型時に該リードワイヤーの一部が成型体の内部に挿入されるように一体成型して、該リードワイヤーを前記焼結体の引き出しリードとなるように設計することもできる。このようにして作製された本発明のニオブ焼結体の比表面積は任意に変更可能であるが、通常、0.5m2/g以上で7m2/g以下のものが使用される。
こうして作製した焼結体を一方の電極とし他方の電極の間に介在した誘電体とからコンデンサを製造することができる。コンデンサの誘電体として酸化ニオブからなる誘電体があげられる。例えば、酸化ニオブからなる誘電体は、一方の電極であるニオブ焼結体を電解液中で化成することによって得られる。ニオブ電極を電解液中で化成するには通常プロトン酸水溶液、例えば、0.1質量%のリン酸水溶液または硫酸水溶液を用いて行われる。ニオブ電極を電解液中で化成して酸化ニオブからなる誘電体を得る場合、本発明のコンデンサは、電解コンデンサとなり、ニオブ側が陽極となる。
一方、本発明のコンデンサにおける他方の電極は、格別限定されるものではない。例えば、アルミ電解コンデンサ業界で公知である電解液、有機半導体および無機半導体から選ばれた少なくとも1種の化合物があげられる。
電解液の具体例としては、イソブチルトリプロピルアンモニウムテトラフルオロボレイト電解質を5質量%溶解したジメチルホルムアミドとエチレングリコールの混合溶液、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレイトを7質量%溶解したプロピレンカーボネートとエチレングリコールの混合溶液等があげられる。
有機半導体および無機半導体として、電導度10-2S・cm-1 〜103S・cm-1の範囲のものを使用すると、作製したコンデンサのインピーダンス値をより小さくすることができるため好ましい。このような特性の得られる有機半導体の具体例としては、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記一般式(1)または(2)で表される繰り返し単位を含む高分子にドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした有機半導体があげられる。
式中、R1〜R4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1乃至10の直鎖上もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、アルコキシ基あるいはアルキルエステル基、またはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、1級、2級もしくは3級アミノ基、CF3基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれた一価基を表わす。R1とR2及びR3とR4の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と共に少なくとも1つ以上の3〜7員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成してもよい。前記環状結合鎖には、カルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノの結合を任意の位置に含んでもよい。Xは酸素、硫黄又は窒素原子を表し、R5はXが窒素原子の時のみ存在して、独立して水素又は炭素数1乃至10の直鎖上もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基を表す。
さらに、本発明においては前記一般式(1)又は一般式(2)のR1〜R4は、好ましくは、それぞれ独立して水素原子、炭素数1乃至6の直鎖上もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基又はアルコキシ基を表し、R1とR2及びR3とR4は互いに結合して環状になっていてもよい。
さらに、本発明においては、前記一般式(2)で表される繰り返し単位を含む導電性高分子は、好ましくは下記一般式(3)で示される構造単位を繰り返し単位として含む導電性高分子が挙げられる。
式中、R6及びR7は、各々独立して水素原子、炭素数1乃至6の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、または該アルキル基が互いに任意の位置で結合して、2つの酸素元素を含む少なくとも1つ以上の5〜7員環の飽和炭化水素の環状構造を形成する置換基を表わす。また、前記環状構造には置換されていてもよいビニレン結合を有するもの、置換されていてもよいフェニレン構造のものが含まれる。
このような化学構造を含む導電性高分子は、分子内にポーラロンあるいはバイポーラロンを有するために荷電されており、ドーパントがドープされる。ドーパントには公知のドーパントが制限なく使用できる。
無機半導体の具体例としては、二酸化鉛または二酸化マンガンを主成分とする無機半導体、四三酸化鉄からなる無機半導体などがあげられる。このような半導体は、単独でも、または、2種以上組み合わせて使用しても良い。
さらに他方の電極が固体の場合には、その上に外部引き出しリード(例えば、リードフレーム)との電気的接触をよくするために、導電体層を設けてもよい。
導電体層としては、例えば、導電ペーストの固化、メッキ、金属蒸着、耐熱性の導電樹脂フイルムの形成等により形成することができる。導電ペーストとしては、銀ペースト、銅ペースト、アルミペースト、カーボンペースト、ニッケルペースト等が好ましいが、これらは1種を用いても2種以上を用いてもよい。2種以上を用いる場合、混合してもよく、または別々の層として重ねてもよい。導電ペーストを適用した後、空気中に放置、または加熱などで固化せしめる。メッキとしては、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、アルミメッキ等があげられる。また蒸着金属としては、アルミニウム、ニッケル、銅、銀等があげられる。
具体的には、例えば他方の電極上にカーボンペースト、銀ペーストを順次積層しエポキシ樹脂のような材料で封止してコンデンサが構成される。このコンデンサは、ニオブ焼結体と一体に焼結成型された、または後で溶接されたニオブまたはタンタルリードを有していてもよい。
また、他方の電極が液体の場合には、前記両極と誘電体から構成されたコンデンサを、例えば、他方の電極と電気的に接続した缶に収納してコンデンサが形成される。この場合、ニオブ焼結体の電極側は、前記したニオブまたはタンタルリードを介して外部に導出すると同時に、絶縁性ゴム等により、缶との絶縁がはかられるように設計される。
以上のような構成の本発明のコンデンサは、例えば、樹脂モールド、樹脂ケース、金属製の外装ケース、樹脂のディッピング、ラミネートフイルムなどの外装により各種用途のコンデンサ製品とすることができる。
また、本発明のコンデンサを用いると、同耐圧、同容量の従来のコンデンサに比べて、より小型のコンデンサ製品を得ることができる。
また、本発明のコンデンサを用いると、同耐圧、同容量の従来のコンデンサに比べて、より小型のコンデンサ製品を得ることができる。
携帯電話やコンピューター等の電子回路にはコンデンサが多用されているため、本発明のコンデンサを用いれば電子回路を従来より狭い空間に収めることができる。さらに、本発明のコンデンサを用いることにより、従来より小型の電子機器が得られる。
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体例に説明する。
なお、各例においてニオブ粉の窒素含有量は、LECO社製の窒素・酸素分析計を用いて求めた。また、Cr含有量はIPC―MSにて測定した。
なお、各例においてニオブ粉の窒素含有量は、LECO社製の窒素・酸素分析計を用いて求めた。また、Cr含有量はIPC―MSにて測定した。
作製したコンデンサの耐電圧値は、各試験例の各々30個のコンデンサに対して印加する電圧を1Vずつ順次上昇させたとき、ショートしたコンデンサの個数が5個を越えた電圧値とした。
実施例1〜7、比較例
ニオブインゴットに水素ガスを導入した後湿式解砕して得たニオブ粉(平均粒径3μm)を脱水素せずにジェットミル中、窒素雰囲気下で粉砕した。外部に取り出すことなく最初減圧下400℃に放置して脱水素し、さらに850℃に放置し解砕することによりニオブ粉を作製した。続けて300℃で窒素ガスを20分流すことにより、一部(約1600質量ppm)が窒化されたニオブ粉100gを得た。
ニオブインゴットに水素ガスを導入した後湿式解砕して得たニオブ粉(平均粒径3μm)を脱水素せずにジェットミル中、窒素雰囲気下で粉砕した。外部に取り出すことなく最初減圧下400℃に放置して脱水素し、さらに850℃に放置し解砕することによりニオブ粉を作製した。続けて300℃で窒素ガスを20分流すことにより、一部(約1600質量ppm)が窒化されたニオブ粉100gを得た。
この段階におけるニオブ粉10gを比較例とし、残り90gを硝酸と過酸化水素水の3:2混合溶液中に入れ、室温下攪拌した。攪拌1時間ごとに約10gずつ抜き出し、それらを純水洗浄した。洗浄水のpHが7になるまで十分に水洗した後、真空乾燥することにより、実施例1から7の二オブ粉各10gを得た。各二オブ粉の平均粒径、Cr含有量を表1に示す。
次いで各例の二オブ粉を用い1.8mm×3.5mm×4.5mmの大きさの成型体30個を作製した。このとき直径0.3mmニオブワイヤーを共に成型し、リードとした。これらを1250℃で7×10-3Paの真空下で焼結し焼結体を得た。各焼結体を0.1%燐酸水溶液中80℃、12Vで化成して酸化ニオブからなる誘電体層を形成した後、他方の電極材料としてポリピロール(酸化剤を過硫酸アンモニウム、ドーパントをアントラキノンスルホン酸ナトリウムとし、ドーパントの存在下、ピロールと酸化剤との反応を繰り返した)を焼結体内部の細孔に充填した。さらにカーボンペースト、銀ペーストを順に積層した後、リードフレームに搭載後エポキシ樹脂で封止してコンデンサを作製した。
各例の焼結体の比表面積はすべて1m2/gであった。作製したコンデンサの容量、耐電圧及びこの耐電圧印加時にショートしたコンデンサの個数を表2に示した。
実施例1〜6の結果から二オブ粉中のCr含有量に応じて、該二オブ粉から作製したコンデンサの耐電圧特性が良好になることがわかる。
Claims (32)
- ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブであって、クロム含有量が、0.8質量ppm以下であることを特徴とするコンデンサ用ニオブ。
- ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブ窒化物を含む請求項1に記載のコンデンサ用ニオブ。
- ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブ炭化物を含む請求項1に記載のコンデンサ用ニオブ。
- ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブホウ化物を含む請求項1に記載のコンデンサ用ニオブ。
- ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、平均粒径0.1μm〜3μmの粉末である請求項1乃至4のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
- ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、造粒物であって、その平均粒径が10μm〜300μmである請求項1乃至4のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
- ニオブを主成分とするコンデンサ用ニオブが、ニオブ焼結体であって、そのBET比表面積が0.5m2/g〜7m2/gである請求項1乃至4のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ。
- ニオブを主成分とするニオブ焼結体を一方の電極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデンサにおいて、該焼結体が請求項1乃至7のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブの焼結体であるコンデンサ。
- コンデンサを構成する誘電体の主成分が酸化ニオブである請求項8に記載のコンデンサ。
- 他方の電極が、電解液、有機半導体、および無機半導体からなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項8または9に記載のコンデンサ。
- 有機半導体が、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、及び下記一般式(1)または(2)
- 有機半導体が、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンおよびこれらの置換誘導体から選ばれる少なくとも一種である請求項10に記載のコンデンサ。
- 有機または無機半導体が、電導度10-2S・cm-1〜103S・cm-1の範囲のものである請求項10に記載のコンデンサ。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法であって、その製造工程中に、ニオブを主成分とする物質のクロム含有量を低減する工程を含むことを特徴とするコンデンサ用ニオブの製造方法。
- クロム含有量を低減する工程が、フッ酸、硝酸、硫酸、及び塩酸からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む液とニオブを主成分とする物質とを接触させることを含む工程である請求項15に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
- ニオブを主成分とする物質が、ニオブ窒化物を含む請求項15または16に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
- ニオブを主成分とする物質が、ニオブ炭化物を含む請求項15または16に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
- ニオブを主成分とする物質が、ニオブホウ化物を含む物質である請求項15または16に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
- ニオブを主成分とする物質が、粉末である請求項15乃至19のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
- 粉末の平均粒径が、0.1μm〜3μmである請求項20記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
- ニオブを主成分とする物質が、造粒物であって、その平均粒径が10μm〜300μmである請求項15乃至19のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
- ニオブを主成分とする物質が、焼結体であって、そのBET比表面積が0.5m2/g〜7m2/gである請求項15に記載のコンデンサ用ニオブの製造方法。
- 請求項5に記載のコンデンサ用ニオブを造粒することを特徴とする、コンデンサ用ニオブ造粒物の製造方法。
- 請求項6に記載のコンデンサ用ニオブを焼結することを特徴とする、コンデンサ用ニオブ焼結体の製造方法。
- 請求項15乃至25のいずれか1項に記載の方法で得られるコンデンサ用ニオブ。
- ニオブを主成分とする一方の電極と、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成された請求項8乃至14のいずれか1項に記載のコンデンサの製造方法であって、その製造工程中に、ニオブを主成分とする電極中のクロム含有量を低減させる工程を含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
- ニオブを主成分とするニオブ焼結体を一方の電極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデンサの製造方法において、請求項15乃至25の少なくとも1項に記載の方法を製造工程として含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
- 電解酸化により酸化ニオブを形成する請求項27または28に記載のコンデンサの製造方法。
- 請求項27または28に記載の製造方法で得られるコンデンサ。
- 請求項8乃至14及び30のいずれか1項に記載のコンデンサを使用した電子回路。
- 請求項8乃至14及び30のいずれか1項に記載のコンデンサを使用した電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011223651A JP5283240B2 (ja) | 2001-03-16 | 2011-10-11 | コンデンサ用ニオブ、及び該ニオブ焼結体を用いたコンデンサ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001076880 | 2001-03-16 | ||
JP2001076880 | 2001-03-16 | ||
JP2011223651A JP5283240B2 (ja) | 2001-03-16 | 2011-10-11 | コンデンサ用ニオブ、及び該ニオブ焼結体を用いたコンデンサ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008161798A Division JP5283215B2 (ja) | 2001-03-16 | 2008-06-20 | コンデンサ用ニオブの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012054574A true JP2012054574A (ja) | 2012-03-15 |
JP5283240B2 JP5283240B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=29561131
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008161798A Expired - Fee Related JP5283215B2 (ja) | 2001-03-16 | 2008-06-20 | コンデンサ用ニオブの製造方法 |
JP2011223651A Expired - Fee Related JP5283240B2 (ja) | 2001-03-16 | 2011-10-11 | コンデンサ用ニオブ、及び該ニオブ焼結体を用いたコンデンサ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008161798A Expired - Fee Related JP5283215B2 (ja) | 2001-03-16 | 2008-06-20 | コンデンサ用ニオブの製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7274552B2 (ja) |
EP (1) | EP1371074A4 (ja) |
JP (2) | JP5283215B2 (ja) |
KR (1) | KR100717158B1 (ja) |
CN (1) | CN100409385C (ja) |
AU (1) | AU2002241261B2 (ja) |
BR (1) | BRPI0208129B1 (ja) |
CA (1) | CA2440479A1 (ja) |
RU (1) | RU2269835C2 (ja) |
WO (1) | WO2002075758A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090110811A1 (en) * | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Lumimove, Inc. Dba Crosslink | Method of improving the thermal stability of electrically conductive polymer films |
DE102008026304A1 (de) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom |
US20100208413A1 (en) * | 2008-12-04 | 2010-08-19 | Lumimove, Inc., D/B/A Crosslink | Intrinsically conductive polymers |
JP5906406B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2016-04-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
CN110767465B (zh) * | 2019-09-25 | 2021-05-28 | 洛阳师范学院 | 一种基于二维碳化铌纳米复合材料超级电容器的制备方法 |
CN111254306B (zh) * | 2020-01-20 | 2021-04-16 | 郑州大学 | 一种低氧含量钼铌合金的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0215611A (ja) * | 1988-04-30 | 1990-01-19 | Bayer Ag | 固体電解質及びそれを含有する電解コンデンサー |
JPH11181505A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-07-06 | Nec Corp | 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法 |
WO1999057739A1 (en) * | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
WO2000049633A1 (fr) * | 1999-02-16 | 2000-08-24 | Showa Denko K.K. | Poudre de niobium, element fritte a base de niobium, condensateur renfermant cet element et procede de fabrication de ce condensateur |
WO2000056486A1 (en) * | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Cabot Corporation | Making niobium and other metal powders by milling |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4544403A (en) * | 1984-11-30 | 1985-10-01 | Fansteel Inc. | High charge, low leakage tantalum powders |
JPH0766901B2 (ja) * | 1985-09-03 | 1995-07-19 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製法 |
DE3820960A1 (de) * | 1988-06-22 | 1989-12-28 | Starck Hermann C Fa | Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung |
US5754394A (en) * | 1993-03-22 | 1998-05-19 | Evans Capacitor Company Incorporated | Capacitor including a cathode having a nitride coating |
JP3863232B2 (ja) * | 1996-09-27 | 2006-12-27 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサに使用するコンデンサ素子の構造及びコンデンサ素子におけるチップ体の固め成形方法 |
JP3254163B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-02-04 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
JP3451177B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2003-09-29 | 松下電器産業株式会社 | 導電性組成物の製造方法 |
US6139592A (en) * | 1997-06-19 | 2000-10-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Process and apparatus for producing organic solid electrolyte capacitor |
WO2000067936A1 (en) * | 1998-05-06 | 2000-11-16 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
US6171363B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-01-09 | H. C. Starck, Inc. | Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium |
US6344966B1 (en) * | 1998-09-08 | 2002-02-05 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
WO2000008662A1 (fr) * | 1998-08-05 | 2000-02-17 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Agglomere de niobium pour condensateur et procede de production |
DE19847012A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6515846B1 (en) | 1999-02-08 | 2003-02-04 | H.C. Starck, Inc. | Capacitor substrates made of refractory metal nitrides |
US6375704B1 (en) | 1999-05-12 | 2002-04-23 | Cabot Corporation | High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes |
TW464889B (en) * | 1999-07-15 | 2001-11-21 | Showa Denko Kk | Niobium powder, its sintered body, and capacitor comprising the same |
-
2002
- 2002-03-15 RU RU2003130069/09A patent/RU2269835C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2002-03-15 KR KR1020037012065A patent/KR100717158B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-15 CN CNB028065646A patent/CN100409385C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-15 US US10/471,728 patent/US7274552B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-15 BR BRPI0208129A patent/BRPI0208129B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2002-03-15 EP EP02707111A patent/EP1371074A4/en not_active Ceased
- 2002-03-15 AU AU2002241261A patent/AU2002241261B2/en not_active Ceased
- 2002-03-15 WO PCT/JP2002/002514 patent/WO2002075758A1/en active IP Right Grant
- 2002-03-15 CA CA002440479A patent/CA2440479A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-06-20 JP JP2008161798A patent/JP5283215B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-11 JP JP2011223651A patent/JP5283240B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0215611A (ja) * | 1988-04-30 | 1990-01-19 | Bayer Ag | 固体電解質及びそれを含有する電解コンデンサー |
JPH11181505A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-07-06 | Nec Corp | 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法 |
WO1999057739A1 (en) * | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
WO2000049633A1 (fr) * | 1999-02-16 | 2000-08-24 | Showa Denko K.K. | Poudre de niobium, element fritte a base de niobium, condensateur renfermant cet element et procede de fabrication de ce condensateur |
WO2000056486A1 (en) * | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Cabot Corporation | Making niobium and other metal powders by milling |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2002241261B2 (en) | 2005-08-04 |
BRPI0208129B1 (pt) | 2016-05-31 |
CA2440479A1 (en) | 2002-09-26 |
JP2008227549A (ja) | 2008-09-25 |
US20040079189A1 (en) | 2004-04-29 |
CN1509483A (zh) | 2004-06-30 |
EP1371074A1 (en) | 2003-12-17 |
RU2003130069A (ru) | 2005-05-27 |
KR100717158B1 (ko) | 2007-05-11 |
US7274552B2 (en) | 2007-09-25 |
RU2269835C2 (ru) | 2006-02-10 |
EP1371074A4 (en) | 2007-04-18 |
CN100409385C (zh) | 2008-08-06 |
BR0208129A (pt) | 2004-03-02 |
KR20030084999A (ko) | 2003-11-01 |
JP5283215B2 (ja) | 2013-09-04 |
WO2002075758A1 (en) | 2002-09-26 |
JP5283240B2 (ja) | 2013-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5283240B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ、及び該ニオブ焼結体を用いたコンデンサ | |
JP4809463B2 (ja) | タンタル焼結体の製造方法及びコンデンサの製造方法 | |
JP3624898B2 (ja) | ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ | |
EP1275124B1 (en) | Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body | |
JP4521849B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉と該ニオブ粉を用いた焼結体および該焼結体を用いたコンデンサ | |
KR100812687B1 (ko) | 커패시터용 니오브 분말, 그 소결체 및 소결체를 이용한커패시터 | |
JP3984519B2 (ja) | コンデンサ | |
KR20040054674A (ko) | 콘덴서 | |
KR101257278B1 (ko) | 콘덴서용 전극 | |
JP4707164B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ | |
AU2002241261A1 (en) | Niobium for capacitor and capacitor using sintered body of the niobium | |
JP5020433B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉、焼結体及びその焼結体を用いたコンデンサ | |
JP2002343687A (ja) | コンデンサ用ニオブ、及び該ニオブ焼結体を用いたコンデンサ | |
JP4647744B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ | |
WO2001081029A1 (fr) | Niobium en poudre, briquette frittee a base de niobium en poudre et condensateur | |
JP2002093666A (ja) | ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ | |
JP2010265549A (ja) | コンデンサ用ニオブ粉 | |
JP4697832B2 (ja) | ニオブ焼結体、その製造方法及びその焼結体を用いたコンデンサ | |
JP2010261106A (ja) | コンデンサ用ニオブ焼結体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120413 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120629 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130524 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5283240 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |