RU2003130069A - Ниобий для изготовления конденсатора и конденсатор, изготовленный с использованием спеченного ниобиевого продукта - Google Patents

Ниобий для изготовления конденсатора и конденсатор, изготовленный с использованием спеченного ниобиевого продукта Download PDF

Info

Publication number
RU2003130069A
RU2003130069A RU2003130069/09A RU2003130069A RU2003130069A RU 2003130069 A RU2003130069 A RU 2003130069A RU 2003130069/09 A RU2003130069/09 A RU 2003130069/09A RU 2003130069 A RU2003130069 A RU 2003130069A RU 2003130069 A RU2003130069 A RU 2003130069A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
niobium
manufacture
capacitors
capacitor
mainly
Prior art date
Application number
RU2003130069/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2269835C2 (ru
Inventor
Масааки НИШИОКА (JP)
Масааки НИШИОКА
Казуми НАИТО (JP)
Казуми НАИТО
Исао КАБЕ (JP)
Исао КАБЕ
Original Assignee
Шова Дэнко К.К. (Jp)
Шова Дэнко К.К.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шова Дэнко К.К. (Jp), Шова Дэнко К.К. filed Critical Шова Дэнко К.К. (Jp)
Publication of RU2003130069A publication Critical patent/RU2003130069A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2269835C2 publication Critical patent/RU2269835C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/022Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/025Solid electrolytes
    • H01G9/028Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045Alloys based on refractory metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C32/00Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Claims (31)

1. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, отличающийся тем, что содержание в нем хрома составляет 50 мас.ч. на млн или менее.
2. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, содержащий нитрид ниобия.
3. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, содержащий карбид ниобия.
4. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, содержащий борид ниобия.
5. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, представляющий собой порошок, который имеет средний размер частиц от 0,1 до 3 мкм.
6. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, представляющий собой гранулированный продукт на основе ниобия, имеющий средний размер частиц от 10 до 300 мкм.
7. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, представляющий собой спеченный продукт на основе ниобия, который имеет удельную поверхность, определяемую по изотермам адсорбции методом Браунауэра-Эмета-Теллера (удельная БЭТ-поверхность), которая составляет от 0,5 до 7 м2/г.
8. Конденсатор, состоящий из одного электрода, выполненного из спеченного ниобиевого продукта, в основном включающего ниобий, другого электрода и диэлектрического материала, расположенного между этими двумя электродами, причем спеченный продукт представляет собой спеченный продует из ниобия для изготовления конденсаторов согласно любому из пп.1-7 и 29-31.
9. Конденсатор по п.8, в котором основной компонент диэлектрического материала, входящего в состав конденсатора, представляет собой оксид ниобия.
10. Конденсатор по п.8 или 9, в котором другой электрод представляет собой по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из раствора электролита, органического полупроводника и неорганического полупроводника.
11. Конденсатор по п.10, согласно которому органический полупроводник представляет собой по меньшей мере один органический полупроводник, выбранный из группы, состоящей из органического полупроводника, включающего тетрамер бензопирролина и хлоранил, органического полупроводника, в основном включающего тетратиотетрацен, органического полупроводника, в основном включающего тетрацианохинодиметан, и органического полупроводника, в основном включающего электропроводящий полимер, полученный посредством введения допанта в полимер, содержащий повторяющееся звено, представленное следующими формулами (1) или (2):
Figure 00000001
Figure 00000002
(где каждый из радикалов от R1 до R4 представляет собой моновалентную группу, выбранную из группы, состоящей из атома водорода, линейной или разветвленной, насыщенной или ненасыщенной алкильной, алкокси или алкильной группы сложного эфира, содержащей от 1 до 10 атомов углерода, атома галогена, нитрогруппы, цианогруппы, первичной, вторичной или третичной аминогруппы, группы CF3, фенильной группы и замещенной фенильной группы; углеводородные цепи каждой из пар радикалов R1 и R2, и R3 и R4 могут соединяться в произвольном положении с получением бивалентной цепи для образования по меньшей мере одной 3-, 4-, 5-, 6- или 7-членной насыщенной или ненасыщенной циклической углеводородной структуры вместе с атомами углерода, замещенными радикалами R1 и R2 или радикалами R3 и R4; объединенная циклическая цепь может содержать связь с карбонилом, простой эфирной группой, сложноэфирной группой, амидной группой, сульфидной группой, сульфинилом, сульфонилом или иминогруппой в произвольном положении; Х представляет собой атом кислорода, атом серы или атом азота; R5 присутствует только в том случае, когда Х представляет собой атом азота, и каждый R5 независимо представляет собой атом водорода или линейную или разветвленную, насыщенную или ненасыщенную алкильную группу, содержащую от 1 до 10 атомов углерода).
12. Конденсатор по п.11, согласно которому электропроводящий полимер представляет собой электропроводящий полимер, содержащий повторяющееся звено, представленное следующей формулой (3):
Figure 00000003
(где R6 и R7 каждый независимо представляет собой атом водорода, линейную или разветвленную, насыщенную или ненасыщенную алкильную группу, содержащую от 1 до 6 атомов углерода, или заместитель, позволяющий образовать по меньшей мере одну 5-, 6- или 7-членную насыщенную циклическую углеводородную структуру, содержащую два кислородных фрагмента, получаемую из алкильных групп, которые сочетаются друг с другом в произвольном положении; причем циклическая структура включает структуру, содержащую виниленовую связь, которая может быть замещенной, и фениленовую структуру, которая может быть замещенной).
13. Конденсатор по п.10, в котором органический полупроводник представляет собой по меньшей мере одно соединение, выбранное из группы, состоящей из полипиррола, политиофена, полианилина и их замещенных производных.
14. Конденсатор по п.10, в котором органический или неорганический полупроводник имеет электропроводность от 10-2 до 103 См·см-1.
15. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов, отличающийся тем что он включает стадию снижения содержания хрома в веществе, в основном содержащем ниобий.
16. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15, согласно которому стадия снижения содержания хрома представляет собой стадию обработки вещества, в основном содержащего ниобий, раствором, содержащим по меньшей мере одну кислоту, выбранную из группы, состоящей из фтороводородной кислоты, азотной кислоты, серной кислоты и хлороводородной кислоты.
17. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15 или 16, согласно которому вещество, в основном содержащее ниобий, содержит нитрид ниобия.
18. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15 или 16, согласно которому вещество, в основном содержащее ниобий, содержит карбид ниобия.
19. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15 или 16, согласно которому вещество, в основном включающее ниобий, содержит борид ниобия.
20. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15, согласно которому вещество, в основном включающее ниобий, представляет собой порошок.
21. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.20, согласно которому порошок ниобия имеет средний размер частиц от 0,1 до 3 мкм.
22. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15, согласно которому вещество, в основном включающее ниобий, представляет собой гранулированный ниобиевый продукт, обладающий средним размером частиц от 10 до 300 мкм.
23. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15, согласно которому вещество, в основном включающее ниобий, представляет собой ниобиевый спеченный продукт, удельная поверхность которого, определяемая по изотермам адсорбции методом Браунауэра-Эмета-Теллера (удельная БЭТ-поверхность), составляет от 0,5 до 7 м2/г.
24. Способ изготовления конденсатора, состоящего из одного электрода, в основном включающего ниобий, другого электрода и диэлектрического материала, расположенного между этими двумя электродами, отличающийся тем, что способ включает стадию снижения содержания хрома в электроде, в основном включающем ниобий.
25. Способ изготовления конденсатора, состоящего из одного электрода, в основном включающего ниобий, другого электрода и диэлектрического материала, расположенного между этими двумя электродами, отличающийся тем, что способ включает стадию получения ниобия для изготовления конденсаторов согласно по меньшей мере одному из пп.15-23.
26. Способ изготовления конденсатора по п.25, в котором диэлектрический материал конденсатора представляет собой оксид ниобия, полученный электролитическим окислением.
27. Электронная схема, в которой используют конденсатор согласно любому из пп.8-14.
28. Электронное устройство, в котором используют конденсатор согласно любому из пп.8-14.
29. Ниобий для изготовления конденсаторов по п.1, в котором содержание хрома составляет 40 мас.ч. на млн или менее.
30. Ниобий для изготовления конденсаторов по п.1, в котором содержание хрома составляет 5 мас.ч. на млн или менее.
31. Ниобий для изготовления конденсаторов по п.1, в котором содержание хрома составляет 3 мас.ч. на млн или менее.
RU2003130069/09A 2001-03-16 2002-03-15 Ниобий для изготовления конденсатора и конденсатор, изготовленный с использованием спеченного ниобиевого продукта RU2269835C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001076880 2001-03-16
JP2001-76880 2001-03-16
US27728001P 2001-03-21 2001-03-21
JP60/277,280 2001-03-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2003130069A true RU2003130069A (ru) 2005-05-27
RU2269835C2 RU2269835C2 (ru) 2006-02-10

Family

ID=29561131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003130069/09A RU2269835C2 (ru) 2001-03-16 2002-03-15 Ниобий для изготовления конденсатора и конденсатор, изготовленный с использованием спеченного ниобиевого продукта

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7274552B2 (ru)
EP (1) EP1371074A4 (ru)
JP (2) JP5283215B2 (ru)
KR (1) KR100717158B1 (ru)
CN (1) CN100409385C (ru)
AU (1) AU2002241261B2 (ru)
BR (1) BRPI0208129B1 (ru)
CA (1) CA2440479A1 (ru)
RU (1) RU2269835C2 (ru)
WO (1) WO2002075758A1 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090110811A1 (en) * 2007-10-24 2009-04-30 Lumimove, Inc. Dba Crosslink Method of improving the thermal stability of electrically conductive polymer films
DE102008026304A1 (de) * 2008-06-02 2009-12-03 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom
US20100208413A1 (en) * 2008-12-04 2010-08-19 Lumimove, Inc., D/B/A Crosslink Intrinsically conductive polymers
JP5906406B2 (ja) * 2011-03-18 2016-04-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
CN110767465B (zh) * 2019-09-25 2021-05-28 洛阳师范学院 一种基于二维碳化铌纳米复合材料超级电容器的制备方法
CN111254306B (zh) * 2020-01-20 2021-04-16 郑州大学 一种低氧含量钼铌合金的制备方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4544403A (en) * 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders
JPH0766901B2 (ja) * 1985-09-03 1995-07-19 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサおよびその製法
DE3814730A1 (de) * 1988-04-30 1989-11-09 Bayer Ag Feststoff-elektrolyte und diese enthaltende elektrolyt-kondensatoren
DE3820960A1 (de) * 1988-06-22 1989-12-28 Starck Hermann C Fa Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung
US5754394A (en) * 1993-03-22 1998-05-19 Evans Capacitor Company Incorporated Capacitor including a cathode having a nitride coating
JP3863232B2 (ja) * 1996-09-27 2006-12-27 ローム株式会社 固体電解コンデンサに使用するコンデンサ素子の構造及びコンデンサ素子におけるチップ体の固め成形方法
JP3254163B2 (ja) * 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
JP3451177B2 (ja) * 1997-05-09 2003-09-29 松下電器産業株式会社 導電性組成物の製造方法
US6139592A (en) * 1997-06-19 2000-10-31 Sanyo Electric Co., Ltd. Process and apparatus for producing organic solid electrolyte capacitor
JP3077679B2 (ja) * 1997-09-01 2000-08-14 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法
US6051044A (en) * 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
WO2000067936A1 (en) * 1998-05-06 2000-11-16 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
US6171363B1 (en) * 1998-05-06 2001-01-09 H. C. Starck, Inc. Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium
US6344966B1 (en) * 1998-09-08 2002-02-05 Showa Denko K.K. Solid electrolytic capacitor and method for producing the same
WO2000008662A1 (fr) * 1998-08-05 2000-02-17 Showa Denko Kabushiki Kaisha Agglomere de niobium pour condensateur et procede de production
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
US6515846B1 (en) 1999-02-08 2003-02-04 H.C. Starck, Inc. Capacitor substrates made of refractory metal nitrides
WO2000049633A1 (fr) 1999-02-16 2000-08-24 Showa Denko K.K. Poudre de niobium, element fritte a base de niobium, condensateur renfermant cet element et procede de fabrication de ce condensateur
IL145498A (en) * 1999-03-19 2005-05-17 Cabot Corp Making niobium and other metal powders by milling
US6375704B1 (en) 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
TW464889B (en) * 1999-07-15 2001-11-21 Showa Denko Kk Niobium powder, its sintered body, and capacitor comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
AU2002241261B2 (en) 2005-08-04
BRPI0208129B1 (pt) 2016-05-31
CA2440479A1 (en) 2002-09-26
JP2012054574A (ja) 2012-03-15
JP2008227549A (ja) 2008-09-25
US20040079189A1 (en) 2004-04-29
CN1509483A (zh) 2004-06-30
EP1371074A1 (en) 2003-12-17
KR100717158B1 (ko) 2007-05-11
US7274552B2 (en) 2007-09-25
RU2269835C2 (ru) 2006-02-10
EP1371074A4 (en) 2007-04-18
CN100409385C (zh) 2008-08-06
BR0208129A (pt) 2004-03-02
KR20030084999A (ko) 2003-11-01
JP5283215B2 (ja) 2013-09-04
WO2002075758A1 (en) 2002-09-26
JP5283240B2 (ja) 2013-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101554049B1 (ko) 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법
KR20110070912A (ko) 전기 이중층 캐패시터
KR100603864B1 (ko) 토산금속의 합금으로 이루어진 금속박 및 이것을 구비한콘덴서
KR20200010299A (ko) 겔화 가능 시스템 및 리튬에어 전지, 유기 시스템의 슈퍼 커패시터 또는 커패시터 전지에서의 응용
JP5283240B2 (ja) コンデンサ用ニオブ、及び該ニオブ焼結体を用いたコンデンサ
JP2004336018A (ja) 焼結体電極及びその焼結体電極を用いた固体電解コンデンサ
TWI301121B (en) Niobium powder, sintered compact obtained by using the same and capacitor obtained by using the same
WO2004079760A1 (en) Chip solid electrolyte capacitor
JP2005505933A5 (ja) タンタル焼結体及びその焼結体を用いたコンデンサ
US7609505B2 (en) Chip solid electrolyte capacitor and production method of the same
KR101016657B1 (ko) 탄탈 소결체 및 이 소결체를 사용한 콘덴서
KR100572886B1 (ko) 니오브 콘덴서의 제조방법
KR101043935B1 (ko) 콘덴서의 제조방법
JP2005101562A (ja) チップ状固体電解コンデンサ及びその製造方法
AU2002247999A1 (en) Production process for niobium capacitor
JP2002025864A5 (ru)
KR20060096146A (ko) 콘덴서의 제조 방법
RU2003105884A (ru) Ниобиевый порошок, спеченный ниобиевый материал и конденсатор, выполненный с использованием спеченного материала
JP2004289139A (ja) チップ状固体電解コンデンサ
JP2001217161A (ja) コンデンサおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
TK4A Correction to the publication in the bulletin (patent)

Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -FG4A- IN JOURNAL: 4-2006 FOR TAG: (30)

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150316