RU2003130069A - Ниобий для изготовления конденсатора и конденсатор, изготовленный с использованием спеченного ниобиевого продукта - Google Patents
Ниобий для изготовления конденсатора и конденсатор, изготовленный с использованием спеченного ниобиевого продукта Download PDFInfo
- Publication number
- RU2003130069A RU2003130069A RU2003130069/09A RU2003130069A RU2003130069A RU 2003130069 A RU2003130069 A RU 2003130069A RU 2003130069/09 A RU2003130069/09 A RU 2003130069/09A RU 2003130069 A RU2003130069 A RU 2003130069A RU 2003130069 A RU2003130069 A RU 2003130069A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- niobium
- manufacture
- capacitors
- capacitor
- mainly
- Prior art date
Links
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 48
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 title claims 47
- 239000010955 niobium Substances 0.000 title claims 47
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 3
- 125000004417 unsaturated alkyl group Chemical group 0.000 claims 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N boranylidyneniobium Chemical compound [Nb]#B VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims 1
- -1 atom halogen Chemical class 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 claims 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 claims 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 claims 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/045—Alloys based on refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Claims (31)
1. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, отличающийся тем, что содержание в нем хрома составляет 50 мас.ч. на млн или менее.
2. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, содержащий нитрид ниобия.
3. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, содержащий карбид ниобия.
4. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, содержащий борид ниобия.
5. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, представляющий собой порошок, который имеет средний размер частиц от 0,1 до 3 мкм.
6. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, представляющий собой гранулированный продукт на основе ниобия, имеющий средний размер частиц от 10 до 300 мкм.
7. Ниобий для изготовления конденсаторов, в основном включающий ниобий, по п.1, представляющий собой спеченный продукт на основе ниобия, который имеет удельную поверхность, определяемую по изотермам адсорбции методом Браунауэра-Эмета-Теллера (удельная БЭТ-поверхность), которая составляет от 0,5 до 7 м2/г.
8. Конденсатор, состоящий из одного электрода, выполненного из спеченного ниобиевого продукта, в основном включающего ниобий, другого электрода и диэлектрического материала, расположенного между этими двумя электродами, причем спеченный продукт представляет собой спеченный продует из ниобия для изготовления конденсаторов согласно любому из пп.1-7 и 29-31.
9. Конденсатор по п.8, в котором основной компонент диэлектрического материала, входящего в состав конденсатора, представляет собой оксид ниобия.
10. Конденсатор по п.8 или 9, в котором другой электрод представляет собой по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из раствора электролита, органического полупроводника и неорганического полупроводника.
11. Конденсатор по п.10, согласно которому органический полупроводник представляет собой по меньшей мере один органический полупроводник, выбранный из группы, состоящей из органического полупроводника, включающего тетрамер бензопирролина и хлоранил, органического полупроводника, в основном включающего тетратиотетрацен, органического полупроводника, в основном включающего тетрацианохинодиметан, и органического полупроводника, в основном включающего электропроводящий полимер, полученный посредством введения допанта в полимер, содержащий повторяющееся звено, представленное следующими формулами (1) или (2):
(где каждый из радикалов от R1 до R4 представляет собой моновалентную группу, выбранную из группы, состоящей из атома водорода, линейной или разветвленной, насыщенной или ненасыщенной алкильной, алкокси или алкильной группы сложного эфира, содержащей от 1 до 10 атомов углерода, атома галогена, нитрогруппы, цианогруппы, первичной, вторичной или третичной аминогруппы, группы CF3, фенильной группы и замещенной фенильной группы; углеводородные цепи каждой из пар радикалов R1 и R2, и R3 и R4 могут соединяться в произвольном положении с получением бивалентной цепи для образования по меньшей мере одной 3-, 4-, 5-, 6- или 7-членной насыщенной или ненасыщенной циклической углеводородной структуры вместе с атомами углерода, замещенными радикалами R1 и R2 или радикалами R3 и R4; объединенная циклическая цепь может содержать связь с карбонилом, простой эфирной группой, сложноэфирной группой, амидной группой, сульфидной группой, сульфинилом, сульфонилом или иминогруппой в произвольном положении; Х представляет собой атом кислорода, атом серы или атом азота; R5 присутствует только в том случае, когда Х представляет собой атом азота, и каждый R5 независимо представляет собой атом водорода или линейную или разветвленную, насыщенную или ненасыщенную алкильную группу, содержащую от 1 до 10 атомов углерода).
12. Конденсатор по п.11, согласно которому электропроводящий полимер представляет собой электропроводящий полимер, содержащий повторяющееся звено, представленное следующей формулой (3):
(где R6 и R7 каждый независимо представляет собой атом водорода, линейную или разветвленную, насыщенную или ненасыщенную алкильную группу, содержащую от 1 до 6 атомов углерода, или заместитель, позволяющий образовать по меньшей мере одну 5-, 6- или 7-членную насыщенную циклическую углеводородную структуру, содержащую два кислородных фрагмента, получаемую из алкильных групп, которые сочетаются друг с другом в произвольном положении; причем циклическая структура включает структуру, содержащую виниленовую связь, которая может быть замещенной, и фениленовую структуру, которая может быть замещенной).
13. Конденсатор по п.10, в котором органический полупроводник представляет собой по меньшей мере одно соединение, выбранное из группы, состоящей из полипиррола, политиофена, полианилина и их замещенных производных.
14. Конденсатор по п.10, в котором органический или неорганический полупроводник имеет электропроводность от 10-2 до 103 См·см-1.
15. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов, отличающийся тем что он включает стадию снижения содержания хрома в веществе, в основном содержащем ниобий.
16. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15, согласно которому стадия снижения содержания хрома представляет собой стадию обработки вещества, в основном содержащего ниобий, раствором, содержащим по меньшей мере одну кислоту, выбранную из группы, состоящей из фтороводородной кислоты, азотной кислоты, серной кислоты и хлороводородной кислоты.
17. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15 или 16, согласно которому вещество, в основном содержащее ниобий, содержит нитрид ниобия.
18. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15 или 16, согласно которому вещество, в основном содержащее ниобий, содержит карбид ниобия.
19. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15 или 16, согласно которому вещество, в основном включающее ниобий, содержит борид ниобия.
20. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15, согласно которому вещество, в основном включающее ниобий, представляет собой порошок.
21. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.20, согласно которому порошок ниобия имеет средний размер частиц от 0,1 до 3 мкм.
22. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15, согласно которому вещество, в основном включающее ниобий, представляет собой гранулированный ниобиевый продукт, обладающий средним размером частиц от 10 до 300 мкм.
23. Способ получения ниобия для изготовления конденсаторов по п.15, согласно которому вещество, в основном включающее ниобий, представляет собой ниобиевый спеченный продукт, удельная поверхность которого, определяемая по изотермам адсорбции методом Браунауэра-Эмета-Теллера (удельная БЭТ-поверхность), составляет от 0,5 до 7 м2/г.
24. Способ изготовления конденсатора, состоящего из одного электрода, в основном включающего ниобий, другого электрода и диэлектрического материала, расположенного между этими двумя электродами, отличающийся тем, что способ включает стадию снижения содержания хрома в электроде, в основном включающем ниобий.
25. Способ изготовления конденсатора, состоящего из одного электрода, в основном включающего ниобий, другого электрода и диэлектрического материала, расположенного между этими двумя электродами, отличающийся тем, что способ включает стадию получения ниобия для изготовления конденсаторов согласно по меньшей мере одному из пп.15-23.
26. Способ изготовления конденсатора по п.25, в котором диэлектрический материал конденсатора представляет собой оксид ниобия, полученный электролитическим окислением.
27. Электронная схема, в которой используют конденсатор согласно любому из пп.8-14.
28. Электронное устройство, в котором используют конденсатор согласно любому из пп.8-14.
29. Ниобий для изготовления конденсаторов по п.1, в котором содержание хрома составляет 40 мас.ч. на млн или менее.
30. Ниобий для изготовления конденсаторов по п.1, в котором содержание хрома составляет 5 мас.ч. на млн или менее.
31. Ниобий для изготовления конденсаторов по п.1, в котором содержание хрома составляет 3 мас.ч. на млн или менее.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001076880 | 2001-03-16 | ||
JP2001-76880 | 2001-03-16 | ||
US27728001P | 2001-03-21 | 2001-03-21 | |
JP60/277,280 | 2001-03-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2003130069A true RU2003130069A (ru) | 2005-05-27 |
RU2269835C2 RU2269835C2 (ru) | 2006-02-10 |
Family
ID=29561131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2003130069/09A RU2269835C2 (ru) | 2001-03-16 | 2002-03-15 | Ниобий для изготовления конденсатора и конденсатор, изготовленный с использованием спеченного ниобиевого продукта |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7274552B2 (ru) |
EP (1) | EP1371074A4 (ru) |
JP (2) | JP5283215B2 (ru) |
KR (1) | KR100717158B1 (ru) |
CN (1) | CN100409385C (ru) |
AU (1) | AU2002241261B2 (ru) |
BR (1) | BRPI0208129B1 (ru) |
CA (1) | CA2440479A1 (ru) |
RU (1) | RU2269835C2 (ru) |
WO (1) | WO2002075758A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090110811A1 (en) * | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Lumimove, Inc. Dba Crosslink | Method of improving the thermal stability of electrically conductive polymer films |
DE102008026304A1 (de) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom |
US20100208413A1 (en) * | 2008-12-04 | 2010-08-19 | Lumimove, Inc., D/B/A Crosslink | Intrinsically conductive polymers |
JP5906406B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2016-04-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
CN110767465B (zh) * | 2019-09-25 | 2021-05-28 | 洛阳师范学院 | 一种基于二维碳化铌纳米复合材料超级电容器的制备方法 |
CN111254306B (zh) * | 2020-01-20 | 2021-04-16 | 郑州大学 | 一种低氧含量钼铌合金的制备方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4544403A (en) * | 1984-11-30 | 1985-10-01 | Fansteel Inc. | High charge, low leakage tantalum powders |
JPH0766901B2 (ja) * | 1985-09-03 | 1995-07-19 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製法 |
DE3814730A1 (de) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Bayer Ag | Feststoff-elektrolyte und diese enthaltende elektrolyt-kondensatoren |
DE3820960A1 (de) * | 1988-06-22 | 1989-12-28 | Starck Hermann C Fa | Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung |
US5754394A (en) * | 1993-03-22 | 1998-05-19 | Evans Capacitor Company Incorporated | Capacitor including a cathode having a nitride coating |
JP3863232B2 (ja) * | 1996-09-27 | 2006-12-27 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサに使用するコンデンサ素子の構造及びコンデンサ素子におけるチップ体の固め成形方法 |
JP3254163B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-02-04 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
JP3451177B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2003-09-29 | 松下電器産業株式会社 | 導電性組成物の製造方法 |
US6139592A (en) * | 1997-06-19 | 2000-10-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Process and apparatus for producing organic solid electrolyte capacitor |
JP3077679B2 (ja) * | 1997-09-01 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法 |
US6051044A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
WO2000067936A1 (en) * | 1998-05-06 | 2000-11-16 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
US6171363B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-01-09 | H. C. Starck, Inc. | Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium |
US6344966B1 (en) * | 1998-09-08 | 2002-02-05 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
WO2000008662A1 (fr) * | 1998-08-05 | 2000-02-17 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Agglomere de niobium pour condensateur et procede de production |
DE19847012A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6515846B1 (en) | 1999-02-08 | 2003-02-04 | H.C. Starck, Inc. | Capacitor substrates made of refractory metal nitrides |
WO2000049633A1 (fr) | 1999-02-16 | 2000-08-24 | Showa Denko K.K. | Poudre de niobium, element fritte a base de niobium, condensateur renfermant cet element et procede de fabrication de ce condensateur |
IL145498A (en) * | 1999-03-19 | 2005-05-17 | Cabot Corp | Making niobium and other metal powders by milling |
US6375704B1 (en) | 1999-05-12 | 2002-04-23 | Cabot Corporation | High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes |
TW464889B (en) * | 1999-07-15 | 2001-11-21 | Showa Denko Kk | Niobium powder, its sintered body, and capacitor comprising the same |
-
2002
- 2002-03-15 RU RU2003130069/09A patent/RU2269835C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2002-03-15 KR KR1020037012065A patent/KR100717158B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-15 CN CNB028065646A patent/CN100409385C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-15 US US10/471,728 patent/US7274552B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-15 BR BRPI0208129A patent/BRPI0208129B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2002-03-15 EP EP02707111A patent/EP1371074A4/en not_active Ceased
- 2002-03-15 AU AU2002241261A patent/AU2002241261B2/en not_active Ceased
- 2002-03-15 WO PCT/JP2002/002514 patent/WO2002075758A1/en active IP Right Grant
- 2002-03-15 CA CA002440479A patent/CA2440479A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-06-20 JP JP2008161798A patent/JP5283215B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-11 JP JP2011223651A patent/JP5283240B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2002241261B2 (en) | 2005-08-04 |
BRPI0208129B1 (pt) | 2016-05-31 |
CA2440479A1 (en) | 2002-09-26 |
JP2012054574A (ja) | 2012-03-15 |
JP2008227549A (ja) | 2008-09-25 |
US20040079189A1 (en) | 2004-04-29 |
CN1509483A (zh) | 2004-06-30 |
EP1371074A1 (en) | 2003-12-17 |
KR100717158B1 (ko) | 2007-05-11 |
US7274552B2 (en) | 2007-09-25 |
RU2269835C2 (ru) | 2006-02-10 |
EP1371074A4 (en) | 2007-04-18 |
CN100409385C (zh) | 2008-08-06 |
BR0208129A (pt) | 2004-03-02 |
KR20030084999A (ko) | 2003-11-01 |
JP5283215B2 (ja) | 2013-09-04 |
WO2002075758A1 (en) | 2002-09-26 |
JP5283240B2 (ja) | 2013-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101554049B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 | |
KR20110070912A (ko) | 전기 이중층 캐패시터 | |
KR100603864B1 (ko) | 토산금속의 합금으로 이루어진 금속박 및 이것을 구비한콘덴서 | |
KR20200010299A (ko) | 겔화 가능 시스템 및 리튬에어 전지, 유기 시스템의 슈퍼 커패시터 또는 커패시터 전지에서의 응용 | |
JP5283240B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ、及び該ニオブ焼結体を用いたコンデンサ | |
JP2004336018A (ja) | 焼結体電極及びその焼結体電極を用いた固体電解コンデンサ | |
TWI301121B (en) | Niobium powder, sintered compact obtained by using the same and capacitor obtained by using the same | |
WO2004079760A1 (en) | Chip solid electrolyte capacitor | |
JP2005505933A5 (ja) | タンタル焼結体及びその焼結体を用いたコンデンサ | |
US7609505B2 (en) | Chip solid electrolyte capacitor and production method of the same | |
KR101016657B1 (ko) | 탄탈 소결체 및 이 소결체를 사용한 콘덴서 | |
KR100572886B1 (ko) | 니오브 콘덴서의 제조방법 | |
KR101043935B1 (ko) | 콘덴서의 제조방법 | |
JP2005101562A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
AU2002247999A1 (en) | Production process for niobium capacitor | |
JP2002025864A5 (ru) | ||
KR20060096146A (ko) | 콘덴서의 제조 방법 | |
RU2003105884A (ru) | Ниобиевый порошок, спеченный ниобиевый материал и конденсатор, выполненный с использованием спеченного материала | |
JP2004289139A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
JP2001217161A (ja) | コンデンサおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TK4A | Correction to the publication in the bulletin (patent) |
Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -FG4A- IN JOURNAL: 4-2006 FOR TAG: (30) |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150316 |