JP2012004550A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012004550A5
JP2012004550A5 JP2011109717A JP2011109717A JP2012004550A5 JP 2012004550 A5 JP2012004550 A5 JP 2012004550A5 JP 2011109717 A JP2011109717 A JP 2011109717A JP 2011109717 A JP2011109717 A JP 2011109717A JP 2012004550 A5 JP2012004550 A5 JP 2012004550A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
oxide semiconductor
forming
light transmission
transmission preventing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011109717A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012004550A (ja
JP5731899B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2011109717A priority Critical patent/JP5731899B2/ja
Priority claimed from JP2011109717A external-priority patent/JP5731899B2/ja
Publication of JP2012004550A publication Critical patent/JP2012004550A/ja
Publication of JP2012004550A5 publication Critical patent/JP2012004550A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5731899B2 publication Critical patent/JP5731899B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (4)

  1. 透光性を有する基板上に酸化物半導体層を形成し、
    前記酸化物半導体層上に光透過防止層を形成し、
    前記光透過防止層上にポジ型の感光性を有するフォトレジスト層を形成し、
    前記フォトレジスト層にフォトマスクを介して前記フォトレジスト層が感光する光を照射して、前記光透過防止層上にレジストマスクを形成し、
    前記レジストマスクと重なる領域を残して前記光透過防止層を除去し、
    前記光透過防止層と重なる領域を残して前記酸化物半導体層を除去し、
    前記光透過防止層は、酸化物半導体が吸収する波長帯の光を吸収又は反射する機能を有することを特徴とする半導体膜の作製方法。
  2. 透光性を有する基板上に光透過防止層を形成し、
    前記光透過防止層上に酸化物半導体層を形成し、
    前記酸化物半導体層上にポジ型の感光性を有するフォトレジスト層を形成し、
    前記フォトレジスト層にフォトマスクを介して前記フォトレジスト層が感光する光を照射して、前記酸化物半導体層上にレジストマスクを形成し、
    前記レジストマスクと重なる領域を残して前記酸化物半導体層を除去し、
    前記光透過防止層は、酸化物半導体が吸収する波長帯の光を吸収又は反射する機能を有することを特徴とする半導体膜の作製方法。
  3. 透光性を有する基板上に互いに離間したソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
    前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の端部並びに当該間隙を覆う酸化物半導体層を形成し、
    前記酸化物半導体層上に光透過防止層を形成し、
    前記光透過防止層上に、ポジ型の感光性を有するフォトレジスト層を形成し、
    前記フォトレジスト層にフォトマスクを介して前記フォトレジスト層が感光する光を照射して、前記光透過防止層上に前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の端部並びに当該間隙に重畳するレジストマスクを形成し、
    前記レジストマスクと重なる領域を残して前記光透過防止層を除去し、
    前記光透過防止層と重なる領域を残して前記酸化物半導体層を除去し、
    前記酸化物半導体層に接してゲート絶縁層を形成し、
    前記ゲート絶縁層に接し、前記間隙と重畳するゲート電極層を形成し、
    前記光透過防止層は、酸化物半導体が吸収する波長帯の光を吸収又は反射する機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 透光性を有する基板上に光透過防止層を形成し、
    前記光透過防止層上に酸化物半導体層を形成し、
    前記酸化物半導体層上にポジ型の感光性を有するフォトレジスト層を形成し、
    前記フォトレジスト層にフォトマスクを介して前記フォトレジスト層が感光する光を照射して、前記酸化物半導体層上にレジストマスクを形成し、
    前記レジストマスクと重なる領域を残して前記酸化物半導体層を除去し、
    前記酸化物半導体層と接し、互いに離間したソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
    前記酸化物半導体層並びに前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層に接してゲート絶縁層を形成し、
    前記ゲート絶縁層と接し、前記酸化物半導体層並びに前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間隙と重畳するゲート電極層を形成し、
    前記光透過防止層は、酸化物半導体が吸収する波長帯の光を吸収、又は反射するする機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
JP2011109717A 2010-05-20 2011-05-16 半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法 Expired - Fee Related JP5731899B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011109717A JP5731899B2 (ja) 2010-05-20 2011-05-16 半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010116128 2010-05-20
JP2010116128 2010-05-20
JP2011109717A JP5731899B2 (ja) 2010-05-20 2011-05-16 半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012004550A JP2012004550A (ja) 2012-01-05
JP2012004550A5 true JP2012004550A5 (ja) 2014-06-26
JP5731899B2 JP5731899B2 (ja) 2015-06-10

Family

ID=44972821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011109717A Expired - Fee Related JP5731899B2 (ja) 2010-05-20 2011-05-16 半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110287593A1 (ja)
JP (1) JP5731899B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9076825B2 (en) * 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
CN104900711B (zh) * 2015-06-08 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板、显示装置
CN113345919B (zh) * 2021-05-25 2023-07-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100294026B1 (ko) * 1993-06-24 2001-09-17 야마자끼 순페이 전기광학장치
US5545588A (en) * 1995-05-05 1996-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of using disposable hard mask for gate critical dimension control
US5741741A (en) * 1996-05-23 1998-04-21 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for making planar metal interconnections and metal plugs on semiconductor substrates
US6010829A (en) * 1996-05-31 2000-01-04 Texas Instruments Incorporated Polysilicon linewidth reduction using a BARC-poly etch process
US6136679A (en) * 1999-03-05 2000-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Gate micro-patterning process
US6586339B1 (en) * 1999-10-28 2003-07-01 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon barrier layer to prevent resist poisoning
TW497269B (en) * 2000-05-13 2002-08-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of semiconductor device
US6583440B2 (en) * 2000-11-30 2003-06-24 Seiko Epson Corporation Soi substrate, element substrate, semiconductor device, electro-optical apparatus, electronic equipment, method of manufacturing the soi substrate, method of manufacturing the element substrate, and method of manufacturing the electro-optical apparatus
JP4655368B2 (ja) * 2000-12-12 2011-03-23 日本電気株式会社 移動体端末
US6533907B2 (en) * 2001-01-19 2003-03-18 Symmorphix, Inc. Method of producing amorphous silicon for hard mask and waveguide applications
DE10138648A1 (de) * 2001-08-07 2003-03-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zum parallelen Herstellen eines MOS-Transistors und eines Bipolartransistors
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
TWI273637B (en) * 2002-05-17 2007-02-11 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of semiconductor device
US6680258B1 (en) * 2002-10-02 2004-01-20 Promos Technologies, Inc. Method of forming an opening through an insulating layer of a semiconductor device
US7078351B2 (en) * 2003-02-10 2006-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist intensive patterning and processing
JP4114064B2 (ja) * 2003-05-27 2008-07-09 信越化学工業株式会社 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US8637340B2 (en) * 2004-11-30 2014-01-28 Solexel, Inc. Patterning of silicon oxide layers using pulsed laser ablation
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4963021B2 (ja) * 2005-09-06 2012-06-27 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体構造
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR20090130089A (ko) * 2005-11-15 2009-12-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치
US7867907B2 (en) * 2006-10-17 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR100867633B1 (ko) * 2007-02-13 2008-11-10 삼성전자주식회사 티타늄 알루미늄 질화막의 형성 방법 및 이를 이용한상변화 메모리 소자의 형성 방법
TWI358832B (en) * 2007-02-26 2012-02-21 Au Optronics Corp Semiconductor device and manufacturing method ther
KR101345378B1 (ko) * 2007-05-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5458367B2 (ja) * 2007-07-09 2014-04-02 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2009033004A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Fujifilm Corp 薄膜素子とその製造方法、半導体装置
JP2009105218A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Toshiba Corp パターン形成方法
JPWO2009075281A1 (ja) * 2007-12-13 2011-04-28 出光興産株式会社 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2010080552A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Brother Ind Ltd トランジスタの製造方法
EP2351088B1 (en) * 2008-10-24 2016-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8080443B2 (en) * 2008-10-27 2011-12-20 Sandisk 3D Llc Method of making pillars using photoresist spacer mask
CN102054668B (zh) * 2009-10-28 2012-02-22 中国科学院微电子研究所 电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法
WO2012002471A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010166038A5 (ja)
JP2013153140A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012248829A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2013038401A5 (ja)
JP2011233880A5 (ja) 半導体装置
TW200802536A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2012068629A5 (ja) 発光表示装置、及び発光表示装置の作製方法
JP2016164683A5 (ja)
JP2012033911A5 (ja)
JP2008053698A5 (ja)
JP2013033998A5 (ja)
JP2012164976A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2008073768A5 (ja)
JP2013122580A5 (ja) 表示装置の作製方法
JP2010062549A5 (ja) 半導体装置の作製方法、及び半導体装置
JP2012160719A5 (ja)
JP2013016785A5 (ja)
JP2011100997A5 (ja) 半導体装置
JP2012256877A5 (ja) 半導体装置の作製方法、及び半導体装置
JP2012033896A5 (ja)
JP2013149963A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2006100808A5 (ja)
JP2007072452A5 (ja)
JP2016009791A5 (ja) 半導体装置
JP2009246348A5 (ja)