JP2011521869A - Ｃｕ含有ガラスフリットを使用する抵抗体組成物 - Google Patents
Ｃｕ含有ガラスフリットを使用する抵抗体組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011521869A JP2011521869A JP2011505230A JP2011505230A JP2011521869A JP 2011521869 A JP2011521869 A JP 2011521869A JP 2011505230 A JP2011505230 A JP 2011505230A JP 2011505230 A JP2011505230 A JP 2011505230A JP 2011521869 A JP2011521869 A JP 2011521869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass frit
- weight
- thick film
- film resistor
- paste composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000010665 pine oil Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000007712 rapid solidification Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910004446 Ta2 O5 Inorganic materials 0.000 description 1
- FSYNRRRTKKERNG-UHFFFAOYSA-N [Ir]=O.[Bi] Chemical compound [Ir]=O.[Bi] FSYNRRRTKKERNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SVRRMEJIJVIXAM-UHFFFAOYSA-N oxobismuth;ruthenium Chemical compound [Ru].[Bi]=O SVRRMEJIJVIXAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/003—Thick film resistors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
本発明は、ルテニウム酸化物および／またはポリナリールテニウム酸化物を導電成分として用い、Ｃｕ含有ガラスフリットを用いる組成物に関する。
Description
本発明は厚膜抵抗体を製造するために有用な組成物に関し、より詳しくは、ルテニウム酸化物および／またはポリナリールテニウム酸化物を導電成分として用いる組成物に関する。
厚膜抵抗体電気部品、厚膜ハイブリッド回路等に広範囲に使用される厚膜抵抗体組成物は、絶縁基板の表面上に形成された導体パターンまたは電極上に組成物を印刷した後、８５０℃付近の温度で印刷物を焼成することによって抵抗体厚膜を作製するための組成物である。
厚膜抵抗体組成物は、導電成分と無機バインダーとを有機媒体（ビヒクル）中に分散させることによって調製される。導電成分は、厚膜抵抗体の電気的性質を決定する役割を果たし、ルテニウム酸化物がこの成分として用いられてもよい。無機バインダーはガラスを含み、厚膜を一体に保持してそれを基板に結合する機能を有する。有機媒体は、組成物の適用性、特にレオロジーに影響を与える分散媒である。
近年、ルテニウムの価格が上昇したため、ルテニウム組成物を低減することが望ましくなっている。一つの方法は、より高表面積のルテニウム酸化物を用いることによって組成物中に必要であるルテニウムの量を低減することであるが、これは、抵抗温度係数（ＴＣＲ）が負に傾く結果をもたらす。ときどき、ＴＣＲは、特に１０Ｋｏｈｍ〜１Ｍｅｇｏｈｍのシート抵抗率の範囲において、許容範囲を超える。厚膜抵抗体組成物が正のＴＣＲを維持したまま低いルテニウム含有量を有することが望ましい。
本発明は、導電成分として、１５ｍ2／ｇ超、または他の実施形態において２０〜３０ｍ2／ｇの平均比表面積を有するルテニウム酸化物の粉砕固形分０〜８重量％と、ルテニウムパイロクロア酸化物５〜２５％と、無機バインダーとしてガラスの混合物２０〜６０重量％とを含有する厚膜抵抗体組成物を提供する。
本発明は、有機ビヒクル中に分散された抵抗体組成物を含有する厚膜抵抗体ペースト組成物であって、（ａ）ルテニウム酸化物とルテニウムパイロクロア酸化物とを含む導電性組成物と、（ｂ）少なくとも第１および第２のガラスフリットとを含み、第１のガラスフリットが銅を含む、厚膜抵抗体ペースト組成物を提供する。ルテニウムパイロクロア酸化物が本発明の実施形態において含有されてもよくまたは含有されなくてもよい。厚膜抵抗体ペースト組成物は、約１５ｍ2／ｇ超の平均比表面積を有するルテニウム酸化物を有してもよい。本発明の実施形態において、厚膜抵抗体ペースト組成物は、鉛ルテニウムパイロクロア酸化物であるルテニウムパイロクロア酸化物を有する。
本発明は、第１のガラスフリットの重量に基づいて約２重量％〜約８重量％のＣｕＯを含む第１のガラスフリットを提供する。他の実施形態において、第１のガラスフリットは、前記第１のガラスフリットの重量に基づいて（ｉ）５〜１５重量％のＢ２Ｏ３、（ｉｉ）４０〜５５重量％のＳｉＯ２、（ｉｉｉ）ＢａＯ、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＳｒＯ、およびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物１５〜３５重量％を含み、第１のガラスフリット中、（ｉｖ）前記銅が２〜８重量％のＣｕＯであり、（ｖ）Ｔａ２Ｏ５が２〜８重量％であり、（ｖｉ）Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏおよびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物が１〜８重量％であり、前記第１のガラスフリットが場合により（ｖｉｉ）０〜６重量％のＺｒＯ2および（ｖｉｉｉ）０〜８重量％のＡｌ2Ｏ3のいずれかを含有する。本発明において第１のガラスフリットは、前記厚膜抵抗体ペースト組成物の重量に基づいて前記厚膜抵抗体ペースト組成物の約８重量％〜約２０重量％を構成する。
本発明の他の実施形態において、本発明による厚膜抵抗体ペースト組成物は、第１のガラスフリット（銅を含有する）であって、第１のガラスフリットの重量に基づいて（ｉ）５〜３６重量％のＢ2Ｏ3、（ｉｉ）２３〜５４重量％のＳｉＯ2、（ｉｉｉ）６〜５４重量％のＢａＯ、ＣａＯ、２〜１３重量％のＺｎＯ、０．５〜５．０重量％のＳｒＯ、およびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物を含み、第１のガラスフリット中、（ｉｖ）前記銅が１〜９重量％のＣｕＯであり、（ｖ）Ｔａ2Ｏ5が０．３〜７重量％であり、（ｖｉ）０．５〜６．０重量％のＮａ2Ｏ、０．３〜８．０重量％のＫ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏおよびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物、および（ｖｉ）２〜７重量％のＡｌ2Ｏ3を含む第１のガラスフリットを有する。
本発明の厚膜抵抗体組成物は、導電成分としてルテニウム酸化物の他にルテニウムパイロクロア酸化物を含有してもよい。ルテニウムパイロクロア酸化物は、Ｒｕ4+、Ｉｒ4+の多成分化合物または以下の一般式によって表されるこれらの混合物であるパイロクロア酸化物の種類である。一般式：
（ＭxＢｉ2-x）（Ｍ’yＭ’’2-y）Ｏ7-z
上式中、Ｍが、イットリウム、タリウム、インジウム、カドミウム、鉛、銅および希土類金属からなる群から選択され、
Ｍ’が、白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンからなる群から選択され、
Ｍ’’が、ルテニウム、イリジウムまたはこれらの混合物であり、
一価の銅についてｘが１以下であることを条件に、ｘが０〜２を意味し、
Ｍ’がロジウムであるかまたは白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンの２つ以上であるとき、ｙが０〜１を表すことを条件に、ｙが０〜０．５を意味し、
Ｍが二価の鉛またはカドミウムであるとき、ｚが少なくとも約ｘ／２に等しいことを条件に、ｚが０〜１を意味する。
（ＭxＢｉ2-x）（Ｍ’yＭ’’2-y）Ｏ7-z
上式中、Ｍが、イットリウム、タリウム、インジウム、カドミウム、鉛、銅および希土類金属からなる群から選択され、
Ｍ’が、白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンからなる群から選択され、
Ｍ’’が、ルテニウム、イリジウムまたはこれらの混合物であり、
一価の銅についてｘが１以下であることを条件に、ｘが０〜２を意味し、
Ｍ’がロジウムであるかまたは白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンの２つ以上であるとき、ｙが０〜１を表すことを条件に、ｙが０〜０．５を意味し、
Ｍが二価の鉛またはカドミウムであるとき、ｚが少なくとも約ｘ／２に等しいことを条件に、ｚが０〜１を意味する。
本願と同一の譲受人に譲渡された、Ｂｏｕｃｈａｒｄに対する失効した米国特許第３，５８３，９３１号明細書には、電気導電性、ビスマスルテニウム酸化物、ビスマスイリジウム酸化物、置換されたかかるビスマス含有酸化物、全てのパイロクロア関連結晶構造が開示されている。
好ましいルテニウムパイロクロア酸化物はルテニウム酸鉛（Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6）である。この化合物は容易に高純度の形で得られ、ガラスバインダーによって悪影響を与えられず、比較的小さなＴＣＲを有し、空気中で約１０００℃に加熱されたときでも安定しており、還元雰囲気中でも比較的安定している。また、他のパイロクロア、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7、Ｐｂ1.5Ｂｉ0.5Ｒｕ2Ｏ6．20およびＣｄＢｉＲｕ2Ｏ6．5を使用してもよい。上に参照された化合物において、本発明による全てのパイロクロア化合物についてｙ＝０である。
本発明において、ルテニウムパイロクロア酸化物は微粉であってもよいが、しかしながら、その比表面積に関して制限はない。
導電性粉末を一緒に焼結するガラスの混合物がバインダー中に使用されてもよい。表Ｉは、本発明の抵抗体に使用されたガラスの組成を記載する。抵抗体組成物は、ガラスＡとして記載されたフリット５〜１２％、ガラスＢ８〜２５％、ガラスＣ１２〜２５％、およびガラスＤ８〜２０％を含有してもよい。本発明において、ガラスＤは、本発明において記載された抵抗体組成物の正側により大きいＴＣＲを提供する。
抵抗体組成物は、０〜１％のＡｇ酸化物粉末、０〜１０％のケイ酸ジルコニウム粉末、０〜３％の五酸化ニオブ粉末をさらに含有してもよい。
本発明の上記の無機固形分は有機媒体またはビヒクル中に分散され、印刷可能な組成物のペーストを製造する。
上記の無機固形分は有機ビヒクル中に分散され、組成物を基板上にスクリーン印刷することを可能にする。ビヒクルとしていかなる不活性液体も使用することができる。水または様々な有機液体の一つを使用してもよく、水または各々の液体は、増粘剤および／または安定剤および／または他の普通の添加剤を含有するかまたは含有しない。有用な有機液体の例は、脂肪族アルコール、かかるアルコールのエステル（例えば、アセテートおよびプロピオネート）、テルペン、例えば松根油またはテルピネオールの他、溶剤（例えば、松根油およびエチレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル）中の樹脂（例えば、低級アルコールのポリメタクリレートまたはエチルセルロース）の溶液である。基板に適用した後に急速な固化を促進するための揮発性液体がビヒクル中に混入されてもよい。あるいは、ビヒクルはかかる揮発性液体から成ってもよい。本発明の実施形態においてビヒクルはエチルセルロースおよびベータ−テルピネオールをベースとしている。
本願発明者は、驚くべきことに、Ｃｕ含有ガラスは正の抵抗温度係数（ＴＣＲ）を維持するのに非常に有用であることを見出した。これは、本発明によって導電性であるルテニウム酸化物の表面積を増加させて抵抗体組成物中のルテニウムの量を低減させるときにＴＣＲを望ましい範囲に維持することを可能にする。
有機媒体を含有する組成物の全重量に基づいてルテニウムパイロクロア酸化物を０〜２０重量％、または０〜１５重量％の比率で使用してもよい。ルテニウムパイロクロア酸化物の量が無機固形分の全含有量に基づいている場合、この比率は０〜３０重量％、または０〜２５重量％であってもよい。
本発明の厚膜抵抗体組成物中の無機バインダーは、厚膜抵抗体組成物に用いるために適している様々なガラスから選択されてもよい。それらには、ケイ酸鉛ガラスおよびホウケイ酸鉛ガラスなどがある。
本発明において無機バインダーとして使用することができるガラスの調合物の実施例は表１に示される。これらの表に記載されたガラスの例は普通の製造法によって製造可能である。本技術分野に公知であるように、溶融体が完全に液体になりガスを発生させなくなるまで加熱をピーク温度まで行なう。本発明において、ピーク温度は１１００℃〜１５００℃の範囲であり、通常は１２００℃〜１４００℃である。次に、溶融体を典型的に低温ベルト上にまたは冷たい流水中に注いで急冷する。次に、必要ならば生成物を粉砕して、その粒度を低減させる。
より詳しくは、これらのガラスは、電気加熱された炭化ケイ素炉内の白金るつぼ内に配置されて約１２００℃〜１４００℃において２０分〜１時間溶融することによって製造可能である。回転式または振動粉砕機による処理によって、最終平均粒度を０．７〜２ミクロンに調節することができる。振動粉砕機の処理を行なうために、無機粉末とアルミナシリンダーとを容器内の水性媒体と一緒に置き、次に、特定の時間の間、容器を振動させる。
本発明の厚膜抵抗体組成物において、上に記載されたガラスを無機バインダーとして使用することができる。ガラスを組み合わせて用いて、焼成プロファイルに対する抵抗およびＴＣＲの感度、抵抗体のＴＣＲの長さ効果の低減、およびオーバーコートガラスの焼成による抵抗およびＴＣＲの低減または変化など、性質の良いバランスを達成する。
本発明の厚膜抵抗体組成物は、Ｎｂ2Ｏ5などの無機添加剤をさらに含有してもよい。Ｎｂ2Ｏ5は、厚膜抵抗体の導電率に寄与する。有機媒体を含有する組成物の全重量に基づいて０〜３重量％の比率で無機添加剤が用いられる。
本発明のこれらの無機固形分を有機媒体（ビヒクル）中に分散させ、印刷可能な組成物のペーストを製造する。本発明において有機媒体は、組成物の全重量に基づいて２０〜６０重量％、または３５〜４５重量％の比率で用いられる。
いかなる不活性液体も、ビヒクルとして用いることができる。水および様々な有機液体の一つがビヒクルとして使用されてもよく、各々、増粘剤および／または安定剤および／または他の普通の添加剤を含有するかまたは含有しなくてもよい。有用な有機液体の例は、脂肪族アルコール、かかるアルコールのエステル（例えば、アセテートおよびプロピオネート）、テルペン、例えば松根油またはテルピネオールの他、溶剤（例えば、松根油およびエチレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル）中の樹脂（例えば、低級アルコールのポリメタクリレートまたはエチルセルロース）の溶液である。基板に適用した後に急速な固化を促進するための揮発性液体がビヒクル中に含有されてもよい。あるいは、ビヒクルはかかる揮発性液体から成ってもよい。好ましいビヒクルは、エチルセルロースおよびベータ−テルピネオールをベースとしている。
無機粉末を有機ビヒクル中に混入し、分散させるためにロール練り機を使用して本発明の厚膜抵抗体組成物を調製することができる。
本発明の抵抗体組成物を普通の方法によってセラミック、アルミナまたは他の誘電体基板上にフィルムとして印刷することができる。有利にはアルミナ基板を使用し、予備焼成されたパラジウム−銀終端上に抵抗体組成物を印刷することができる。
一般に、スクリーンステンシル技術を好ましくは使用することができる。得られた印刷パターンは一般に、レベリングに耐えることができ、約１５０℃の高温において約１０分間、乾燥させられる。次に、それは、空気中のベルト炉内で約８５０℃のピーク温度において焼成される。
厚膜抵抗体組成物の様々な特性のための試験方法の説明は以下の通りである。
（１）厚膜抵抗体組成物のペーストを調製する方法。
ビヒクルを無機固形分の予め決められた量に添加し、混合物をロール練り機によって混練してペーストを製造する。
ビヒクルを無機固形分の予め決められた量に添加し、混合物をロール練り機によって混練してペーストを製造する。
（２）印刷および焼成
Ｐｄ／Ａｇ厚膜導体を１インチ×１インチ（２５ｍｍ×２５ｍｍ）の９６％アルミナ基板上に１５＋／−２ｍｕｍの乾燥塗膜厚さに印刷し、次に１５０℃において１０分間乾燥させる。
Ｐｄ／Ａｇ厚膜導体を１インチ×１インチ（２５ｍｍ×２５ｍｍ）の９６％アルミナ基板上に１５＋／−２ｍｕｍの乾燥塗膜厚さに印刷し、次に１５０℃において１０分間乾燥させる。
次に、厚膜抵抗体組成物のペーストを０．８ｍｍ×０．８ｍｍまたは０．５ｍｍ×０．５ｍｍのサイズに印刷する。コーティングの厚さは、得られた乾燥塗膜厚さが１５＋／−５ミクロンであるような厚さである。印刷を１５０度で１０分間乾燥させ、次に、ベルト炉内で焼成する。ベルト炉の温度プロフィールは、約８５０℃のピーク温度が１０分間維持され、その後に冷却される。焼成時間は、加熱する間の温度が１００℃を超えた時から冷却する間の温度が１００℃未満になった時までの時間が３０分である。
（３）抵抗の測定
抵抗は、０．０１％の精度を有する自動範囲設定自動平衡デジタルオームメーターを用いて終端部パターン化プローブで測定される。具体的には、試料をチャンバ内の端子上に置き、デジタルオームメーターと電気接続する。チャンバ内の温度を２５℃に調節し、平衡させる。次に、各々の試料を抵抗について測定し、読み取り値を記録する。
抵抗は、０．０１％の精度を有する自動範囲設定自動平衡デジタルオームメーターを用いて終端部パターン化プローブで測定される。具体的には、試料をチャンバ内の端子上に置き、デジタルオームメーターと電気接続する。チャンバ内の温度を２５℃に調節し、平衡させる。次に、各々の試料を抵抗について測定し、読み取り値を記録する。
次に、チャンバ内の温度を１２５℃に上げ、平衡させる。次に、各々の試料を抵抗について測定し、読み取り値を記録する。
ＴＣＲは以下の式から計算される。
ＴＣＲ＝（（Ｒ125℃−Ｒ25℃）／Ｒ25℃）×１００００ｐｐｍ／℃）
ＴＣＲは以下の式から計算される。
ＴＣＲ＝（（Ｒ125℃−Ｒ25℃）／Ｒ25℃）×１００００ｐｐｍ／℃）
実施例１〜５の厚膜抵抗体組成物を以下に説明した方法で製造した。実施例３および５は、本発明の組成物を示す。
実施例１〜２の組成物の各々は、導電成分としてルテニウム酸化物３重量％および鉛ルテニウムパイロクロア１３．２％、無機結合剤としてガラスＡ９〜１２重量％およびガラスＢ１６〜２３重量％、無機添加剤としてガラスＣ１２〜１６重量％、ニオブ酸化物０〜０．３％重量％、および酸化銀０．２４重量％の他、有機媒体４０重量％を含有する。０．８ｍｍ×０．８ｍｍの抵抗体上のこれらの組成物のシート抵抗率およびＴＣＲは、それぞれ、７２．６Ｋｏｈｍ／−１０７ｐｐｍ／Ｃおよび６０．５Ｋｏｈｍ／−９８ｐｐｍ／Ｃに測定された。実施例３において、ガラスＤが主としてガラスＢの代わりに用いられ、より少量でガラスＡおよびＣが用いられた。５４Ｋｏｈｍ／ｓｑのシート抵抗率は実施例１および２と殆ど同じであるが、ＴＣＲに対する好ましい影響を（−１０７、９８ｐｐｍ／Ｃに対して）−５７ｐｐｍ／Ｃの結果に見ることができる。
実施例４および５において同様な比較を示し、実施例においてガラスＢおよびＥの代わりが用いられ、実施例５においてはガラスＤが用いられる。シートは殆ど同じであるが、実施例５のＴＣＲは、ガラスＤの含有に相応して、より正側にある。
Claims (13)
- 有機溶媒（vehicle）中に分散された抵抗体組成物を含有する厚膜抵抗体ペースト組成物であって、
（ａ）ルテニウム酸化物とルテニウムパイロクロア（pyrochlore）酸化物とを含む導電性組成物と、
（ｂ）少なくとも第１および第２のガラスフリットと
を含み、前記第１のガラスフリットが銅を含む、厚膜抵抗体ペースト組成物。 - 前記ルテニウム酸化物が約１５ｍ2／ｇ超の平均比表面積を有する、請求項１に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。
- 前記ルテニウムパイロクロア酸化物が鉛ルテニウムパイロクロア酸化物である、請求項１に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。
- 前記第１のガラスフリットが、前記第１のガラスフリットの重量に基づいて約２重量％〜約８重量％のＣｕＯを含む、請求項１に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。
- 前記第１のガラスフリットが前記第１のガラスフリットの重量に基づいて、
（ｉ）５〜１５重量％のＢ2Ｏ3、
（ｉｉ）４０〜５５重量％のＳｉＯ2、
（ｉｉｉ）ＢａＯ、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＳｒＯ、およびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物１５〜３５重量％を含み、
前記第１のガラスフリット中、
（ｉｖ）前記銅が２〜８重量％のＣｕＯであり、
（ｖ）Ｔａ２Ｏ５が２〜８重量％であり、
（ｖｉ）Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ、およびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物が１〜８重量％であり、前記第１のガラスフリットが任意選択により、
（ｖｉｉ）０〜６重量％のＺｒＯ2、および
（ｖｉｉｉ）０〜８重量％のＡｌ2Ｏ3のいずれかを含有する、請求項１に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。 - 前記第１のガラスフリットが、前記厚膜抵抗体ペースト組成物の重量に基づいて前記厚膜抵抗体ペースト組成物の約８重量％〜約２０重量％を構成する、請求項１に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。
- 前記第１のガラスフリットが前記第１のガラスフリットの重量に基づいて、
（ｉ）５〜３６重量％のＢ2Ｏ3、
（ｉｉ）２３〜５４重量％のＳｉＯ2、
（ｉｉｉ）６〜５４重量％のＢａＯ、ＣａＯ、２〜１３重量％のＺｎＯ、０．５〜５．０重量％のＳｒＯ、およびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物を含み、前記第１のガラスフリット中、
（ｉｖ）前記銅が１〜９重量％のＣｕＯであり、
（ｖ）Ｔａ2Ｏ5が０．３〜７重量％であり、前記第１のガラスフリットが、
（ｖｉ）０．５〜６．０重量％のＮａ2Ｏ、０．３〜８．０重量％のＫ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏおよびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物、および
（ｖｉ）２〜７重量％のＡｌ2Ｏ3を含む、請求項１に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。 - 有機溶媒中に分散された抵抗体組成物を含有する厚膜抵抗体ペースト組成物であって、
（ａ）ルテニウム酸化物、および場合によりルテニウムパイロクロア酸化物を含む導電性組成物と、
（ｂ）少なくとも第１および第２のガラスフリットと、
を含み、前記第１のガラスフリットが銅を含む、厚膜抵抗体ペースト組成物。 - 前記ルテニウム酸化物が約１５ｍ2／ｇ超の平均比表面積を有する、請求項８に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。
- 前記第１のガラスフリットが前記第１のガラスフリットの重量に基づいて約２重量％〜約８重量％のＣｕＯを含む、請求項８に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。
- 前記第１のガラスフリットが前記第１のガラスフリットの重量に基づいて、
（ｉ）５〜１５重量％のＢ2Ｏ3、
（ｉｉ）４０〜５５重量％のＳｉＯ2、
（ｉｉｉ）ＢａＯ、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＳｒＯ、およびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物１５〜３５重量％を含み、前記第１のガラスフリット中、
（ｉｖ）前記銅が２〜８重量％のＣｕＯであり、
（ｖ）Ｔａ2Ｏ5が２〜８重量％であり、
（ｖｉ）Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ、およびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物が１〜８重量％であり、前記第１のガラスフリットが任意選択により、
（ｖｉｉ）０〜６重量％のＺｒＯ2、および
（ｖｉｉｉ）０〜８重量％のＡｌ2Ｏ3のいずれかを含有する、請求項８に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。 - 前記第１のガラスフリットが、前記厚膜抵抗体ペースト組成物の重量に基づいて前記厚膜抵抗体ペースト組成物の約８重量％〜約２０重量％を構成する、請求項８に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。
- 前記第１のガラスフリットが前記第１のガラスフリットの重量に基づいて、
（ｉ）５〜３６重量％のＢ2Ｏ3、
（ｉｉ）２３〜５４重量％のＳｉＯ2、
（ｉｉｉ）６〜５４重量％のＢａＯ、ＣａＯ、２〜１３重量％のＺｎＯ、０．５〜５．０重量％のＳｒＯ、およびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物を含み、前記第１のガラスフリット中、
（ｉｖ）前記銅が１〜９重量％のＣｕＯであり、
（ｖ）Ｔａ2Ｏ5が０．３〜７重量％であり、前記第１のガラスフリットが、
（ｖｉ）０．５〜６．０重量％のＮａ2Ｏ、０．３〜８．０重量％のＫ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏおよびそれらの組合せからなる群から選択された酸化物、および
（ｖｉ）２〜７重量％のＡｌ2Ｏ3を含む、請求項８に記載の厚膜抵抗体ペースト組成物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US4626808P | 2008-04-18 | 2008-04-18 | |
| US61/046,268 | 2008-04-18 | ||
| PCT/US2009/040967 WO2009129468A1 (en) | 2008-04-18 | 2009-04-17 | Resistor compositions using a cu-containing glass frit |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011521869A true JP2011521869A (ja) | 2011-07-28 |
| JP2011521869A5 JP2011521869A5 (ja) | 2012-06-07 |
| JP5406277B2 JP5406277B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=40823082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011505230A Active JP5406277B2 (ja) | 2008-04-18 | 2009-04-17 | Ｃｕ含有ガラスフリットを使用する抵抗体組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8133413B2 (ja) |
| EP (1) | EP2274250A1 (ja) |
| JP (1) | JP5406277B2 (ja) |
| KR (1) | KR101258329B1 (ja) |
| CN (1) | CN102007080B (ja) |
| TW (1) | TW201004890A (ja) |
| WO (1) | WO2009129468A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017126709A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体組成物および抵抗体ペースト |
| KR20200130714A (ko) * | 2018-04-19 | 2020-11-19 | 존슨 맛쎄이 퍼블릭 리미티드 컴파니 | 키트, 입자 혼합물, 페이스트 및 방법 |
| US11440832B2 (en) | 2016-11-10 | 2022-09-13 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Glass filler and method for producing the same |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8257619B2 (en) * | 2008-04-18 | 2012-09-04 | E I Du Pont De Nemours And Company | Lead-free resistive composition |
| MY180840A (en) * | 2014-09-12 | 2020-12-10 | Shoei Chemical Ind Co | Thick film resistor and production method for same |
| KR101739744B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2017-05-25 | 대주전자재료 주식회사 | 무연 후막 저항 조성물, 무연 후막 저항체 및 이의 제조방법 |
| RU2658644C2 (ru) * | 2016-03-16 | 2018-06-22 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Способ изготовления и состав пасты для толстопленочного резистора |
| KR20180038237A (ko) | 2016-10-06 | 2018-04-16 | 삼성전자주식회사 | 복합물질과 그 형성방법 및 복합물질을 포함하는 장치 |
| US10115505B2 (en) | 2017-02-23 | 2018-10-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Chip resistor |
| CN108053960B (zh) * | 2017-10-23 | 2019-10-15 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种厚膜电阻浆料 |
| CN113314284B (zh) * | 2021-03-10 | 2022-10-11 | 三之星机带株式会社 | 电阻体糊及其用途以及电阻体的制造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175005A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Du Pont Japan Ltd | 厚膜抵抗体組成物 |
| US5474711A (en) * | 1993-05-07 | 1995-12-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions |
| US5534194A (en) * | 1993-03-30 | 1996-07-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor composition containing pyrochlore and silver-containing binder |
| JPH08186005A (ja) * | 1995-01-05 | 1996-07-16 | Du Pont Kk | 水性現像可能な感光性抵抗体組成物及び厚膜抵抗体の形成方法 |
| JPH08253342A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-10-01 | E I Du Pont De Nemours & Co | カドミウムおよび鉛を含有しない厚膜ペースト組成物 |
| WO1999063553A1 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions for making heat-transfer tapes and use thereof |
| JP2006073718A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Tdk Corp | 厚膜抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体、電子部品 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3583931A (en) | 1969-11-26 | 1971-06-08 | Du Pont | Oxides of cubic crystal structure containing bismuth and at least one of ruthenium and iridium |
| US4362656A (en) * | 1981-07-24 | 1982-12-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions |
| EP0132810A1 (en) * | 1983-07-25 | 1985-02-13 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Borosilicate glass composition |
| US5753432A (en) * | 1990-10-19 | 1998-05-19 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Genes and genetic elements associated with control of neoplastic transformation in mammalian cells |
| JPH05335110A (ja) | 1992-05-11 | 1993-12-17 | Du Pont Japan Ltd | 厚膜抵抗体組成物 |
| EP0628974A2 (en) | 1993-06-07 | 1994-12-14 | E.I. Du Pont De Nemours & Company Incorporated | Thick film resistor composition |
| JPH113801A (ja) | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 |
| JP2001185409A (ja) | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Koa Corp | 厚膜抵抗体、厚膜抵抗器および厚膜抵抗器の製造方法 |
| WO2004047124A1 (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-03 | Tdk Corporation | 抵抗体ペースト、抵抗体および電子部品 |
| US20050062585A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-24 | Tdk Corporation | Resistor and electronic device |
| JP2005244115A (ja) | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Tdk Corp | 抵抗体ペースト、抵抗体及び電子部品 |
| JP2005244114A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Tdk Corp | 抵抗体用導電材及び抵抗体ペースト、抵抗体 |
| TW200639880A (en) * | 2005-02-21 | 2006-11-16 | Tdk Corp | Thick-film resistor and its production process |
-
2009
- 2009-04-17 JP JP2011505230A patent/JP5406277B2/ja active Active
- 2009-04-17 KR KR1020107025884A patent/KR101258329B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-04-17 US US12/425,742 patent/US8133413B2/en active Active
- 2009-04-17 CN CN200980113820.9A patent/CN102007080B/zh active Active
- 2009-04-17 EP EP09733465A patent/EP2274250A1/en not_active Withdrawn
- 2009-04-17 WO PCT/US2009/040967 patent/WO2009129468A1/en active Application Filing
- 2009-04-20 TW TW098113101A patent/TW201004890A/zh unknown
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175005A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Du Pont Japan Ltd | 厚膜抵抗体組成物 |
| US5534194A (en) * | 1993-03-30 | 1996-07-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor composition containing pyrochlore and silver-containing binder |
| US5474711A (en) * | 1993-05-07 | 1995-12-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions |
| JPH08253342A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-10-01 | E I Du Pont De Nemours & Co | カドミウムおよび鉛を含有しない厚膜ペースト組成物 |
| JPH08186005A (ja) * | 1995-01-05 | 1996-07-16 | Du Pont Kk | 水性現像可能な感光性抵抗体組成物及び厚膜抵抗体の形成方法 |
| WO1999063553A1 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions for making heat-transfer tapes and use thereof |
| JP2006073718A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Tdk Corp | 厚膜抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体、電子部品 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017126709A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体組成物および抵抗体ペースト |
| US11440832B2 (en) | 2016-11-10 | 2022-09-13 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Glass filler and method for producing the same |
| KR20200130714A (ko) * | 2018-04-19 | 2020-11-19 | 존슨 맛쎄이 퍼블릭 리미티드 컴파니 | 키트, 입자 혼합물, 페이스트 및 방법 |
| KR102530916B1 (ko) | 2018-04-19 | 2023-05-11 | 펜지 에이지티 네덜란드 비.브이. | 키트, 입자 혼합물, 페이스트 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009129468A1 (en) | 2009-10-22 |
| EP2274250A1 (en) | 2011-01-19 |
| CN102007080B (zh) | 2014-05-07 |
| CN102007080A (zh) | 2011-04-06 |
| US20090261307A1 (en) | 2009-10-22 |
| KR101258329B1 (ko) | 2013-04-25 |
| JP5406277B2 (ja) | 2014-02-05 |
| TW201004890A (en) | 2010-02-01 |
| US8133413B2 (en) | 2012-03-13 |
| KR20100134768A (ko) | 2010-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5406277B2 (ja) | Ｃｕ含有ガラスフリットを使用する抵抗体組成物 | |
| JP3907725B2 (ja) | カドミウムおよび鉛を含有しない厚膜ペースト組成物 | |
| KR101258328B1 (ko) | 루테늄 산화물을 갖는 무연 저항 조성물 | |
| EP2286420B1 (en) | Thick film resistor paste composition comprising surface-modified ruthenium oxide conductive particles and lead-free glass frit and resistors made therefrom | |
| CA1211625A (en) | Stain-resistant ruthenium oxide-based resistors | |
| EP0071190A2 (en) | Thick film resistor compositions | |
| JPS6339082B2 (ja) | ||
| JPH0337281B2 (ja) | ||
| US5534194A (en) | Thick film resistor composition containing pyrochlore and silver-containing binder | |
| JP2970713B2 (ja) | 厚膜抵抗体組成物 | |
| JP3619262B2 (ja) | 厚膜抵抗体組成物 | |
| KR0130831B1 (ko) | 후막 레지스터 조성물(thick film resistor composition) | |
| JPH0450721B2 (ja) | ||
| JPH05186242A (ja) | 封入剤組成物 | |
| EP0563838B1 (en) | Thick film resistor composition | |
| JP4221417B2 (ja) | 厚膜抵抗体ペースト、厚膜抵抗体および電子部品 | |
| KR100284785B1 (ko) | 메모리 데이터 처리 시스템 및 방법과 이건 시스템을 구비하는 통신 시스템 | |
| JPH08186006A (ja) | 厚膜抵抗体組成物 | |
| JPH0422005B2 (ja) | ||
| KR20230004484A (ko) | 후막 저항 페이스트, 후막 저항체, 및 전자 부품 | |
| JP2006273706A (ja) | 厚膜抵抗体ペースト用ガラス組成物、厚膜抵抗体ペースト、厚膜抵抗体および電子部品 | |
| JP2006261243A (ja) | 抵抗体ペースト、抵抗体及び電子部品 | |
| JP2006165349A (ja) | 抵抗体ペースト及び抵抗体、電子部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120416 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120416 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130903 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131031 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5406277 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |