JP2011521461A5

JP2011521461A5 -

Info

Publication number: JP2011521461A5
Application number: JP2011509848A
Authority: JP
Filing date: 2009-04-24
Publication date: 2012-06-14
Anticipated expiration: 2029-04-24

Claims

オプトエレクトロニクス半導体チップであって、
− 上面（１０ａ）に第１のコンタクト領域（１）が配置されており、下面（１０ｂ）に第２のコンタクト領域（２）が配置されている、半導体ボディ（１０）と、
− 前記半導体ボディ（１０）に直接接触した状態に配置され、かつ前記第２のコンタクト領域（２）に直接的に導電接続されており、マイグレーションを生じる傾向にある金属を含んでいる、反射層（３）と、
− 前記第２のコンタクト領域（２）に直接的に導電接続されている導電性材料（５）が配置されており、前記半導体ボディ（１０）の前記上面（１０ａ）と前記下面（１０ｂ）との間に延在している、チップ側壁（１１）と、
を備えており、
前記導電性材料（５）は、放射に対して透過性を有する導電性酸化物である、
オプトエレクトロニクス半導体チップ。
前記第１のコンタクト領域（１）の周囲、前記半導体ボディ（１０）の前記上面（１０ａ）から前記半導体ボディ（１０）の中に、溝（８）が構造化されている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
前記溝（８）が前記半導体チップの活性ゾーン（９）を分断している、
請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
前記溝（８）が前記反射層（３）まで延在している、
請求項３に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
前記チップ側壁（１１）と前記導電性材料（５）との間に電気絶縁材料（７）が配置されており、前記電気絶縁材料が、前記導電性材料（５）によって前記半導体ボディ（１０）との接触が形成されることを防止する、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
− 前記半導体チップの動作時、前記第１のコンタクト領域（１）が第１の電位（Ｕ１）にあり、
− 前記第２のコンタクト領域（２）と、前記反射層（３）と、前記導電性材料（５）とが、共通の第２の電位（Ｕ２）にあり、
− 前記第１の電位（Ｕ１）が前記第２の電位（Ｕ２）とは異なる、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
前記反射層（３）が銀を含んでいる、または銀から成る、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
前記下面（１０ｂ）の上への前記第１のコンタクト領域（１）の突出部（１３）の領域では、前記半導体ボディ（１０）の前記下面（１０ｂ）に前記反射層（３）が存在しないように、前記反射層（３）が構造化されている、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
薄膜設計で構成されている、
請求項１〜８のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
エピタキシャル成長させた前記半導体ボディから成長基板が除去されており、前記半導体ボディが前記第２のコンタクト領域（２）によってキャリア（１４）に固定されている、
請求項９に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
− 前記半導体チップの動作時、前記金属の前記マイグレーションを抑制する電界を形成する手段（６）が、前記半導体チップに設けられており、
前記手段（６）が、前記チップ側壁（１１）に配置された前記導電性材料（５）で形成されている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。