JP2011519393A - 基板洗浄及び無電解析出のプロセス及び溶液 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 593
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 406
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 378
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 52
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 11
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 118
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 claims description 87
- -1 alkali metal salts Chemical class 0.000 claims description 77
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 74
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 70
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 60
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 54
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 53
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 46
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 27
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 24
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 21
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 21
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 21
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 claims description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 17
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 13
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 11
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 395
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 41
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 description 9
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 2
- FZIPCQLKPTZZIM-UHFFFAOYSA-N 2-oxidanylpropane-1,2,3-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O.OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O FZIPCQLKPTZZIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVZLHPXEUGJPAH-UHFFFAOYSA-N 2-oxidanylpropanoic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O.CC(O)C(O)=O KVZLHPXEUGJPAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229940027987 antiseptic and disinfectant phenol and derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co][Ni][Co] NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N cobalt tungsten Chemical compound [Co].[W] JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N peroxydisulfuric acid Chemical compound OS(=O)(=O)OOS(O)(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical class O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000002949 phytic acid Nutrition 0.000 description 1
- HJSRRUNWOFLQRG-UHFFFAOYSA-N propanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O.OC(=O)CC(O)=O HJSRRUNWOFLQRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/7684—Smoothing; Planarisation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
- C11D3/04—Water-soluble compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
- C11D3/04—Water-soluble compounds
- C11D3/042—Acids
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
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- C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/76883—Post-treatment or after-treatment of the conductive material
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Abstract
【解決手段】本発明は、デバイスの製造に関する。一実施形態として、基板洗浄及び集積回路用のキャップ層の無電解析出の方法を提供する。この方法は、金属及び誘電体ダマシンメタライゼーション（金属化）層を含む表面を有する基板上で実行される。この方法は、基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に基板の表面をさらす工程と、キャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液に基板表面をさらす工程と、を備える。本発明の別の実施形態として、基板を洗浄するための溶液及び無電解析出を実現するための溶液を提供する。
【選択図】図３
【選択図】図３
Description
本出願は、Ａｒｔｕｒ ＫＯＬＩＣＳ及びＮａｎｈａｉ ＬＩにより「基板洗浄及び無電解析出のプロセス及び溶液（Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ ａｎｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ｆｏｒ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｃｌｅａｎｉｎｇ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）」の名称で２００８年３月２８日に出願された米国特許出願番号６１／０４０，６４５整理番号ＸＣＲ−０１１に基づく優先権を主張するものである。２００８年３月２８日に出願された前記米国特許出願番号６１／０４０，６４５の内容は、参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる。
本発明は、集積回路等の電子デバイスの製造に関する。より具体的には、本発明は、金属及び誘電体ダマシン・メタライゼーション（金属化）構造上にキャップ層を無電解析出させる前に、基板を洗浄するための方法及び製剤に関する。
銅配線等の金属配線上にキャップ層を無電解析出する前に、パターン形成された基板を洗浄するプロセスが、無電解メッキプロセスに不可欠である。析出選択性を増大させ、不良品数を削減し、金属配線のエッチングを抑制するためには、基板表面が清浄であることが求められる。銅技術を例にとると、パターン形成された基板の表面には、部分的に化学機械平坦化（ＣＭＰ）により、誘電体中に埋め込まれた銅配線構造、すなわち、ダマシン又はデュアルダマシン構造が形成される。キャップ層は、ＣＭＰ後に銅配線上に析出される。キャップ層の材料の例としては、コバルト、コバルト合金、コバルト・タングステン、コバルト・ニッケル合金、ニッケル及びニッケル合金が挙げられる。キャップ層の無電解析出前にパターン形成された基板を洗浄するために、多くのＣＭＰ後洗浄溶液が用いられている。ただし、ＣＭＰ後洗浄の目標とキャップ層の無電解析出のための洗浄の目標とは同じではない。したがって、ＣＭＰ後洗浄溶液を用いても、高品質のキャップ層の無電解析出に必要な種類の清浄な表面が実現できるとは限らない。たとえば、標準的な技術で用いられる洗浄溶液の多くは、銅表面から外側の酸化膜（酸化銅（ＩＩ））を除去するに過ぎず、内側の大部分の酸化銅（Ｉ）は表面にそのまま残り、銅を不動態化する。通常のアプローチとして、ＣＭＰ後洗浄溶液に銅腐食防止剤を含有して、銅のエッチングを最小限に抑える試みもなされている。一部の腐食防止剤や酸化銅は、無電解メッキの前に表面上に残っていると、銅がメッキされない又はまだらにメッキされてしまう、キャップ層にピンホール／小さな窪みが形成される、基板とキャップ層との密着性が低下する、誘電体上に余分なキャップ層が析出される等、無電解析出プロセスで重大な問題を引き起こす。
電子デバイス等のデバイスの製造に用いられる基板上にキャップ層を析出させるためのプロセス及び溶液の改良が求められている。もっと具体的には、このようなデバイスの性能要件及び製造要件を満たすキャップ層の無電解析出のために、汚染や瑕疵のない基板表面を実現するように基板を洗浄する洗浄溶液及び方法の改良が求められている。
本発明は、電子デバイスの製造に関する。本発明の一実施形態として、基板を洗浄して集積回路用のキャップ層を無電解析出させる方法が提供される。この方法は、金属及び誘電体ダマシン・メタライゼーション層を含む表面を備える基板上で実行される。この方法は、基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に基板の表面をさらす工程と、実質的に基板の表面を撥水又は乾燥させることなく、キャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液に基板の表面をさらす工程と、を備える。本発明の他の実施形態として、基板を洗浄するための溶液及び無電解析出を実現するための溶液が提供される。
本発明は、以下で説明される及び図面に図示される構造の詳細や成分の攻勢にその適用が限定されるものではない。本発明は、他の実施形態でも実施可能であり、さまざまな形態で実行及び実施が可能である。さらに、本明細書で用いる表現や用語は説明を目的としたものであり、何ら本発明を限定するものではない。
当業者には自明のことであるが、本明細書の説明の基礎をなす概念を、本発明の態様を実行する他の構造や方法及びシステムの設計の根拠として用いることができる。したがって、本発明の要旨を逸脱しない限り、特許請求の範囲には、その等価の構造も含まれるとみなされるべきである。
当業者には自明のことであるが、本明細書の説明の基礎をなす概念を、本発明の態様を実行する他の構造や方法及びシステムの設計の根拠として用いることができる。したがって、本発明の要旨を逸脱しない限り、特許請求の範囲には、その等価の構造も含まれるとみなされるべきである。
本発明は、集積回路等のデバイス用のダマシン・メタライゼーション構造を形成する誘電体とキャップを備える導電性金属とを用いる配線メタライゼーションに関する。もっと具体的には、本発明は、誘電体と銅等の金属とを含有する配線メタライゼーション層に関する。デバイスの製造には、基板を洗浄する方法及び溶液と、基板上にキャップ層を無電解析出させる方法及び溶液と、が必要である。
標準的な技術の一つ以上の問題を克服するために、本発明の一部の実施例では、２段階の洗浄プロセス又は１段階の酸性洗浄プロセスが行われる。銅エッチングを最小限に抑えるために、本発明の一部の実施例では、洗浄プロセスの際に、無電解析出対応腐食防止剤及び／又は不活性環境が用いられる。
本発明の一部の実施例の適用において、洗浄と無電解析出とが同じ処理チャンバで実行される。無電解析出溶液中に存在する一種類以上の添加剤が含有される洗浄溶液を用いて、洗浄プロセス又は２段階の洗浄プロセスの少なくとも２段階目の洗浄を行うことが望ましい。無電解析出の前に基板表面から第２の洗浄溶液がすすぎ落されない場合に、このような構成が望ましい。
本発明の実施形態を、集積回路の製造に用いられるシリコンウエハー等の半導体ウエハーの処理を主に例にとって、以下説明する。集積回路のメタライゼーション層は、ダマシン又はデュアルダマシン誘電体構造に形成される金属配線用の銅を含有する。誘電体は、たとえば、二酸化ケイ素等の誘電物質や炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＯＣ：Ｈ）等の低誘電率誘電物質である。ただし、本発明に従う実施例を、他の半導体デバイスや、銅以外の金属や、半導体ウエハー以外のウエハーにも同様に適用することが可能である。
本発明の一つの態様は、半導体ウエハー等の基板を処理するための溶液である。本発明の一実施形態において、溶液は、基板上にキャップ層を析出させる準備として、基板の表面を洗浄する洗浄溶液である。本発明の実施形態に従う溶液は、基板の表面を洗浄するのに十分な組成を有する。キャップ層の析出は、基板上にキャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液を用いて行われる。基板表面の洗浄の少なくとも最終部分は、洗浄溶液組成を用いて行われ、ここで用いられる洗浄溶液は、無電解析出溶液が存在する場合に、その動作や性能を実質的に妨害することのない成分のみを含有することが望ましい。もっと具体的には、基板表面の洗浄の少なくとも最終部分に用いられる洗浄溶液は、キャップ層の析出に用いられる無電解析出溶液を害する又は劣化させる、無電解析出溶液の選択性を低下させる、又は、無電解析出溶液の動作を妨害する成分を含有することなく、基板を十分に洗浄することができるものである。望ましくは、洗浄溶液の一つ以上の成分が、キャップ層析出のための無電解析出溶液に意図的に含有される成分と同じになるように、洗浄溶液組成が選択される。
以下の図の説明において、各図に共通する実質的に同じ要素や工程は、同じ参照番号で表す。本明細書や特許請求の範囲の説明において、用語「又は」は、非排他的な関係で用いられ、特別の定めのない限り、用語「及び／又は」と実質的に同じ意味に用いる。
溶液組成
本発明の一実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液を含有する洗浄溶液（ａ）である。すなわち、この洗浄溶液は、一種類のヒドロキシカルボン酸、複数種類のヒドロキシカルボン酸、一種類のヒドロキシカルボン酸の一種類の非アルカリ金属塩、一種類のヒドロキシカルボン酸の複数種類の非アルカリ金属塩、一種類のヒドロキシカルボン酸と一種類のヒドロキシカルボン酸の一種類の非アルカリ金属塩との混合物、及び一種類以上のヒドロキシカルボン酸と一種類以上のヒドロキシカルボン酸の一種類以上の非アルカリ金属塩との混合物等の任意の一つまたは複数の組成を有するものであればよい。基板を乾燥又は撥水させることなく、基板の洗浄と基板の無電解析出とが行われるように、洗浄溶液の成分を選択することが望ましい。
本発明の一実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液を含有する洗浄溶液（ａ）である。すなわち、この洗浄溶液は、一種類のヒドロキシカルボン酸、複数種類のヒドロキシカルボン酸、一種類のヒドロキシカルボン酸の一種類の非アルカリ金属塩、一種類のヒドロキシカルボン酸の複数種類の非アルカリ金属塩、一種類のヒドロキシカルボン酸と一種類のヒドロキシカルボン酸の一種類の非アルカリ金属塩との混合物、及び一種類以上のヒドロキシカルボン酸と一種類以上のヒドロキシカルボン酸の一種類以上の非アルカリ金属塩との混合物等の任意の一つまたは複数の組成を有するものであればよい。基板を乾燥又は撥水させることなく、基板の洗浄と基板の無電解析出とが行われるように、洗浄溶液の成分を選択することが望ましい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、一種類以上の界面活性剤と、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する洗浄溶液（ｂ）である。この洗浄溶液のｐＨは、０．５より大きく２．５より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、一種類以上の界面活性剤と、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、を含有する洗浄溶液（ｃ）である。この洗浄溶液のｐＨは、２．５より大きく５より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、一種類以上の界面活性剤と、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、を含有する洗浄溶液（ｄ）である。この洗浄溶液のｐＨは、５より大きく８より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、一種類以上の界面活性剤と、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、を含有する洗浄溶液（ｅ）である。この洗浄溶液のｐＨは、８より大きく１３より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、任意選択的に、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する洗浄溶液（ｆ）である。この洗浄溶液のｐＨは、２．５より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、一種類以上の界面活性剤と、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有する洗浄溶液（ｇ）である。この洗浄溶液のｐＨは、０．５より大きく２．５より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、一種類以上の界面活性剤と、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有する洗浄溶液（ｈ）である。この洗浄溶液のｐＨは、２．５より大きく５より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、一種類以上の界面活性剤と、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有する洗浄溶液（ｉ）である。この洗浄溶液のｐＨは、５より大きく８より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、一種類以上の界面活性剤と、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有する洗浄溶液（ｊ）である。この洗浄溶液のｐＨは、８より大きく１３より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、任意選択的に、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有する洗浄溶液（ｋ）である。この洗浄溶液のｐＨは、２．５より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、一種類以上の酸化剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する洗浄溶液（ｌ）である。この洗浄溶液のｐＨは、２．５より小さい。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、一種類以上の界面活性剤と、任意選択的に、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する洗浄溶液（ｍ）である。この洗浄溶液のｐＨは、１より大きく６より小さい。本発明のこの実施例の洗浄溶液は、無電解析出溶液を用いて行われるキャップ層の無電解析出よりも前に用いられることが望ましい。無電解析出溶液は、洗浄溶液に用いられたものと同様の一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、一種類以上の界面活性剤と、任意選択的に、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する。
本発明の別の実施例は、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩の水溶液と、任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、任意選択的に、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する洗浄溶液（ｎ）である。この洗浄溶液のｐＨは、１より大きく６より小さい。本発明のこの実施例の洗浄溶液は、無電解析出溶液を用いて行われるキャップ層の無電解析出よりも前に用いられることが望ましい。無電解析出溶液は、洗浄溶液に用いられたものと同様の一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、一種類以上の界面活性剤と、任意選択的に、一種類以上の還元剤と、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する。
上述した洗浄溶液を表１にまとめて示す。表１では、洗浄溶液のｐＨの範囲を示すとともに、洗浄溶液中に存在する添加剤をＰ（ｐｒｅｓｅｎｔ（存在））、また、洗浄溶液中に任意選択的に存在する添加剤をＯ（ｏｐｔｉｏｎａｌ（任意選択的））の記号で示す。添加剤は、表中では各々ローマ数字で表し、表の下にそれぞれの意味を示す。
本発明の実施例において、少なくとも一つのカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）と少なくとも一つのヒドロキシ基（−ＯＨ）とを有する任意の有機化合物をヒドロキシカルボン酸として用いることができる。ただし、この場合、ヒドロキシ基（−ＯＨ）がアルキル基に結合されているため、フェノールやその誘導体等の化合物は用いられない。さまざまな化合物を本発明の実施例の一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩として用いることができる。本発明の実施例のヒドロキシカルボン酸は、望ましくは、ＨＯ−Ｒ−ＣＯＯＨの一般式で表され、Ｒはアルキル炭化水素を示す。本発明の実施例において、アルキル炭化水素に少なくとも一つのカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）及び少なくとも一つのヒドロキシ基（−ＯＨ）が結合された化合物を用いることができる。本発明の実施例で用いられるヒドロキシカルボン酸としては、以下に限定されるものではないが、クエン酸（２−ヒドロキシ−１，２，３−プロパントリカルボン酸）、乳酸（２−ヒドロキシプロパン酸）、及びマロン酸（プロパン二酸）が挙げられる。本発明の実施例において、ヒドロキシカルボン酸又はヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩を約０．００５ｇ／Ｌから約１００ｇ／Ｌの範囲の濃度で用いることが望ましい。
本発明の実施例の洗浄溶液は、一種類以上の添加剤をさらに含有するものでもよい。本発明の一部の実施例において、洗浄溶液に、任意選択的に、一種類以上の界面活性剤を含有するものでもよい。界面活性剤を含有することにより、洗浄の際に、基板を適度に濡らすことができる。基板の全表面を洗浄溶液で適度に濡らして、基板の誘電体領域も基板の金属領域も濡らすことが望ましい。さまざまな化合物を本発明の実施例の界面活性剤として用いることができる。本発明の実施例で用いられる界面活性剤としては、以下に限定されるものではないが、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤及びこれらの組み合わせが挙げられる。本発明の一部の実施例において、洗浄溶液中に、約１０ｐｐｍから約２０００ｐｐｍの範囲の量で一種類以上の界面活性剤が含有される。
本発明の一部の実施例において、洗浄溶液に、任意選択的に、一種類以上の還元剤を含有するものでもよい。溶存酸素の捕捉が実質的に不可能になるように、還元剤を選択する。もっと具体的には、洗浄溶液中の溶存酸素を捕捉する以外の機能を与えるように、還元剤を選択する。還元剤の主な機能は、金属の不要なアノード溶解を最小限に抑えることである。還元剤の種類に応じて、銅の酸化及び溶解よりも、化合物の酸化のほうがエネルギー的に優位となる。さまざまな化合物を本発明の実施例の還元剤として用いることができる。本発明の一部の実施例で用いられる還元剤としては、以下に限定されるものではないが、ホウ素含有還元剤、次亜リン酸塩、アルデヒド及びこれらの組み合わせが挙げられる。本発明の一部の実施例において、洗浄溶液中に、約０．００５ｇ／Ｌから約３５ｇ／Ｌの範囲の量で一種類以上の還元剤が含有される。
本発明の一部の実施例において、洗浄溶液に、任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤を含有し、洗浄溶液のｐＨ又はｐＨ範囲を調整するものでもよい。有機酸又は非ハロゲン化物含有無機酸でｐＫａの値が２．５未満であるものをｐＨ調整剤として用いることができる。また、アミンやイミン等、有機塩基や非ハロゲン化物含有無機塩基でｐＫａの値が７．５より大きいものをｐＨ調整剤として用いることもできる。本発明の実施例の洗浄溶液は、硝酸やペルオキソ二硫酸等の強い酸化作用を有する無機酸を実質的に含有しないことが望ましい。また、本発明の実施例の洗浄溶液は、クロム酸等の金属含有酸を実質的に含有しないことが望ましい。一種類以上のｐＨ調整剤の量は、洗浄溶液のｐＨを望ましい値とするのに十分な量となるように選択される。洗浄溶液の望ましいｐＨ、ｐＨ調整剤の化学的特性、及び洗浄溶液の他の成分の量及び化学的特性を考慮して、ｐＨ調整剤の量が決められる。一言でいえば、洗浄溶液のｐＨを望ましい値にするのに有効な量の一種類以上のｐＨ調整剤を含有させる。
本発明の一部の実施例において、洗浄溶液に、任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤を含有するものでもよい。さまざまな化合物を本発明の実施例の錯化剤として用いることができる。本発明の実施例で用いられる錯化剤としては、以下に限定されるものではないが、Ｃｕ（ＩＩ）イオンの錯体と少なくとも同等又はこれよりも安定なＣｕ（Ｉ）イオンの錯体を形成するすべての硫黄非含有錯化剤が挙げられる。本発明の一部の実施例で用いられる錯化剤としては、以下に限定されるものではないが、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、アミノ酸、ホスホン酸、フィチン酸及びこれらの組み合わせが挙げられる。本発明の一部の実施例において、洗浄溶液中に、約０．１ｇ／Ｌから約５０ｇ／Ｌの範囲の量で一種類以上の錯化剤が含有される。
本発明の一部の実施例において、洗浄溶液に、任意選択的に、実質的に、金属を保護し、又は、洗浄溶液内への金属の溶解を妨害する目的で、窒素と硫黄とを含まない一種類以上の腐食防止剤を含有するようにしてもよい。さまざまな化合物を本発明の実施例の腐食防止剤として用いることができる。本発明の一部の実施例において、洗浄溶液中に、約０．０１ｇ／Ｌから約５ｇ／Ｌの範囲の量で一種類以上の腐食防止剤が含有される。
本発明の一部の実施例において、洗浄溶液に、任意選択的に、洗浄溶液から溶存酸素を除去する目的で、一種類以上の脱酸素剤を含有するようにしてもよい。もっと具体的には、脱酸素剤は、洗浄溶液中の溶解酸素濃度を低下させる。溶存酸素による金属の酸化が実質的に生じないように、溶存酸素の量を最小限に抑えることが望ましい。さまざまな化合物を、本発明の実施例において溶存酸素を除去する脱酸素剤として用いることができる。本発明の一部の実施例において、洗浄溶液中に、約０．１ｇ／Ｌから約５０ｇ／Ｌの範囲の量で一種類以上の脱酸素剤が含有される。本発明の実施例において、洗浄溶液中の溶存酸素の濃度を５ｐｐｍ未満に保持することが望ましい。本発明の一部の実施例において、十分な量の一種類以上の脱酸素剤を含有させることにより、溶存酸素濃度を低下させる。
本発明の一部の実施例において、洗浄溶液に、任意選択的に、一種類以上のフッ化物を含有するようにしてもよい。フッ化物は、洗浄溶液を改良する目的で用いられる。本発明の好適な実施例において、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、フッ化水素酸の非金属塩及びこれらの混合物等のフッ化物が用いられる。本発明の一部の実施例において、洗浄溶液中に、約０．１％から約０．５％の範囲の量で一種類以上のフッ化物が含有される。
本発明の一部の実施例において、洗浄溶液に、任意選択的に、一種類以上の酸化剤を含有するようにしてもよい。酸化剤を含有させることにより、洗浄溶液の洗浄能力を改善することができる。本発明の一部の実施例において、洗浄溶液中に、約０．１ｇ／Ｌから約５０ｇ／Ｌの範囲の量で一種類以上の酸化剤が含有される。
本発明の一部の実施例において、一部の洗浄溶液は、特に、単一の洗浄溶液を用いるプロセスに適している。他のプロセスでは、基板の最初の洗浄用の第１の洗浄溶液と、基板のさらに完全な洗浄すなわち最終的な洗浄用の第２の洗浄溶液と、が用いられる。表２に、表１に示した洗浄溶液の中で、特に単一の洗浄溶液として用いるのに適した洗浄溶液を示す。表３に、表１に示した洗浄溶液の中で、特に第１の洗浄溶液として用いるのに適した洗浄溶液を示す。表４に、表１に示した洗浄溶液の中で、特に第２の洗浄溶液として用いるのに適した洗浄溶液を示す。
本発明の実施例に従う洗浄溶液を製造作業に組み込んで、さまざまなプロセスフローで電子デバイスを製造することができる。さらに、本発明の実施例に従う一部の洗浄溶液を用いることにより、標準的な洗浄溶液を用いた場合には不可能な又は容易に実現できないプロセスフローの実現が可能になる。すなわち、本発明の実施例に従う洗浄溶液を用いることにより、より高品質の基板を製造可能なプロセスフローの利用、及び／又は、製造の生産性の増大が可能になる。
プロセスフロー
図１を参照して、本発明の一実施例に従うデバイスの製造に用いられるプロセスフロー３０を説明する。プロセスフロー３０は、開始工程５０で始まり、溶液を用いた洗浄工程７５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー３０は、金属及び誘電体ダマシン・メタライゼーション部を有する基板上で実行される。望ましくは、金属は銅であり、誘電体は低誘電率の誘電物質である。溶液を用いた洗浄工程７５は、銅上にキャップ層を無電解析出させるための準備として、基板表面を洗浄する。キャップ層は実質的に基板の銅部分にのみ析出されるが、銅領域と誘電体領域の両方を含む基板の実質的に全表面を洗浄する必要がある。
図１を参照して、本発明の一実施例に従うデバイスの製造に用いられるプロセスフロー３０を説明する。プロセスフロー３０は、開始工程５０で始まり、溶液を用いた洗浄工程７５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー３０は、金属及び誘電体ダマシン・メタライゼーション部を有する基板上で実行される。望ましくは、金属は銅であり、誘電体は低誘電率の誘電物質である。溶液を用いた洗浄工程７５は、銅上にキャップ層を無電解析出させるための準備として、基板表面を洗浄する。キャップ層は実質的に基板の銅部分にのみ析出されるが、銅領域と誘電体領域の両方を含む基板の実質的に全表面を洗浄する必要がある。
プロセスフロー３０において、溶液を用いた洗浄工程７５は、上述した洗浄溶液のいずれか一つを用いて実行される。もっと具体的には、基板の表面を洗浄溶液にさらして、洗浄溶液で基板を濡らす。ここで、洗浄溶液は、特に単一の洗浄プロセスに用いるのに適した洗浄溶液でもよい。このようなプロセスの洗浄溶液は、上述した表２に示すような洗浄溶液から選択することが望ましい。ここで用いられる洗浄溶液は、無電解析出溶液が存在する場合に、その動作や性能を実質的に妨害することのない成分のみを含有することが望ましい。すなわち、洗浄溶液の成分は、無電解析出溶液に意図的に添加されることによって、又は、基板に残留する洗浄溶液から無電解析出溶液内に引き込まれる又は存在する結果、無電解析出溶液に存在するものでもよい。
あるいは、上述したように２つの洗浄溶液を用いて、溶液を用いた洗浄工程７５を実行するようにしてもよい。もっと具体的には、基板を第１の洗浄溶液にさらして、基板の最初の洗浄を実行し、のちに、基板を第１の洗浄溶液にさらして、基板のさらに完全な洗浄すなわち最終的な洗浄を実行する。表３に示すような洗浄溶液を第１の洗浄溶液として用いることが望ましい。表４に示すような洗浄溶液を第２の洗浄溶液として用いることが望ましい。
一般に、溶液を用いた洗浄工程７５は、洗浄溶液で洗浄するべき基板の表面を濡らす。洗浄溶液は、洗浄又はその一部を実現するのに十分な特性を備える。十分な洗浄が可能な条件下で、洗浄するべき表面を洗浄溶液で洗浄する。もっと具体的には、溶液組成、洗浄するべき表面との接触時間、及び温度等の因子を、十分な洗浄が可能なように選択する。
無電解メッキ工程１５０も湿式処理で行われる。デバイスのメタライゼーションに用いられるキャップ層の無電解析出のための技術は、たとえば、Ｋｏｌｉｃｓによる米国特許第６，７９４，２８８号、第６，９０２，６０５号及び６，９１１，０６７号に記載されている。これらの特許及び／又は出願の内容は、すべて、参照することにより、その全体が本明細書に組み込まれる。
本発明の実施例に従う溶液を用いる利点の一つは、実質的に基板の表面を撥水又は乾燥させることなく、プロセスフロー３０が実行可能なことである。言い換えると、開始工程５０から終了工程１７５までのプロセスフロー３０を通して、洗浄対象であり、後に無電解析出の対象となる基板の表面上に液体層が存在する、すなわち、表面が濡れている。本発明の好適な実施例において、プロセスフロー３０は、開始工程５０から終了工程１７５まで基板を濡らした状態で、実行される。濡れた基板では、たとえば、液体に対して基板表面を親水性にするように、ほぼ連続的な液体膜でその表面上が覆われる。濡れた基板は、撥水した基板又は乾燥した基板とは著しく異なる。撥水した基板では、液体膜が壊れ、基板上に液滴が形成され、基板の一部領域は液体で覆われていない。乾燥した基板では、液体膜はほぼ存在せず、基板表面のほぼ全体が液体で覆われていない。溶液を用いた洗浄工程７５及び無電解メッキ工程１５０、並びに、開始工程５０から終了工程１７５までの間に実行され得る他の作業の際に、基板を乾燥させたり撥水させることなく、プロセスフロー３０を実行することが望ましい。
プロセスフロー３０に乾燥ステップや撥水ステップが含まれないことにより、基板処理の生産性が増大する。これに対して、基板の標準的な処理では、基板の洗浄及びキャップ層の無電解析出の際に、及び／又は、基板の洗浄とキャップ層の無電解析出との間に、通常は一段階以上の乾燥ステップが含まれる。本発明の実施例の別の利点は、プロセスフロー３０に乾燥ステップや撥水ステップが含まれないことにより、基板の洗浄及び／又は洗浄した基板の保持を改善できることである。
前述したように、本発明の実施例は、２つの洗浄溶液を用いて基板の洗浄を行うものでもよい。このような実施例を、プロセスフロー３２として、図２を参照して説明する。プロセスフロー３２は、溶液を用いた洗浄工程７５が第１の溶液を用いた洗浄工程１１０及び第２の溶液を用いた洗浄工程１３０に置き換えられる以外は、プロセスフロー３０と実質的に同じである。もっと具体的には、プロセスフロー３２は、開始工程５０で始まり、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー３２における無電解メッキ工程１５０は、上述したプロセスフロー３０と基本的に同じである。第１の溶液を用いた洗浄工程１１０は、表３に示す洗浄溶液のいずれかのような洗浄液を用いる。第２の溶液を用いた洗浄工程１３０は、表４に示す洗浄溶液のいずれかのような洗浄液を用いる。第１の溶液を用いた洗浄工程１１０は、基板を第１の洗浄溶液にさらして、洗浄するべき基板表面のほぼ全体を第１の洗浄溶液で濡らすことにより実行される。第２の溶液を用いた洗浄工程１３０は、基板を第２の洗浄溶液にさらして、洗浄するべき基板表面のほぼ全体を第２の洗浄溶液で濡らすことにより実行される
本発明の一部の実施例において、プロセスフロー３０及び／又はプロセスフロー３２が、基板をすすぐ作業や、基板を回転させて、実質的に基板表面を乾燥又は撥水させることなく、余分な液体を除去する作業等の追加の作業を含むようにしてもよい。基板をすすぐ作業は、脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水で基板の表面を濡らす。脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水に基板をさらして、基板表面のほぼ全体を濡らす。基板を回転させる作業は、実質的に基板を撥水又は乾燥させることなく、基板の表面上に存在する液体の量を減少させるのに十分な速度で基板を回転させる。すなわち、余分な液体を振り落す。言い換えると、基板を回転させて、余分な液体を除去する作業は、基板表面上に存在する液体の総量を減少させる一方で、基板上でほぼ連続的な液体膜が保持されるように、実行される。基板表面を洗浄溶液にさらす前に、さらしている間に、又は、さらした後に、一工程以上の基板をすすぐ作業及び／又は一工程以上の基板をすすぐ作業を実行することができる。この場合、実質的に基板を乾燥又は撥水させることなく、すべての工程を実行することが望ましい。基板を回転させる作業を行うことによって、基板のすすぎに用いた余分な液体を除去したり、上述した単一の洗浄溶液、第１の洗浄溶液、及び第２の洗浄溶液のような余分な洗浄溶液を除去することができる。
図３を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー３４を説明する。プロセスフロー３４は、追加の変更を除き、プロセスフロー３２と実質的に同じである。プロセスフロー３４は、開始工程５０で始まり、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、回転工程１１５と、すすぎ工程１２０と、回転工程１２５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、すすぎ工程１４０と、回転工程１４５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー３４における第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０及び無電解メッキ工程１５０は、上述したプロセスフロー３２と基本的に同じである。
回転工程１１５は、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０で用いられた第１の洗浄溶液の量を減少させるのに十分な速度で基板を回転させる。すなわち、余分な液体を振り落す。この場合、実質的に基板を撥水又は乾燥させることなく、基板表面上の余分な液体を除去することが望ましい。
すすぎ工程１２０は、脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水で基板の表面を濡らす。基板を脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水にさらすことによって、第１の洗浄溶液で処理された基板表面のほぼ全体を濡らす。
回転工程１２５は、すすぎ工程１２０で用いられた脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水の量を減少させるのに十分な速度で基板を回転させる。すなわち、余分な液体を振り落す。この場合、実質的に基板を撥水又は乾燥させることなく、基板表面上の余分な液体を除去することが望ましい。
回転工程１３５は、第２の溶液を用いた洗浄工程１１０で用いられた第２の洗浄溶液の量を減少させるのに十分な速度で基板を回転させる。すなわち、余分な液体を振り落す。この場合、実質的に基板を撥水又は乾燥させることなく、基板表面上の余分な液体を除去することが望ましい。
すすぎ工程１４０は、脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水で基板の表面を濡らす。基板を脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水にさらすことによって、第２の洗浄溶液で処理された基板表面のほぼ全体を濡らす。
回転工程１４５は、すすぎ工程１４０で用いられた脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水の量を減少させるのに十分な速度で基板を回転させる。すなわち、余分な液体を振り落す。この場合、実質的に基板を撥水又は乾燥させることなく、基板表面上の余分な液体を除去することが望ましい。
プロセスフロー３４が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー３４が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図４を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー３６を説明する。プロセスフロー３６は、開始工程５０で始まり、すすぎ工程１００と、回転工程１０５と、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、回転工程１１５と、すすぎ工程１２０と、回転工程１２５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、すすぎ工程１４０と、回転工程１４５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー３６における第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、回転工程１１５、すすぎ工程１２０、回転工程１２５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５、すすぎ工程１４０、回転工程１４５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。
すすぎ工程１００は、脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水で基板の表面を濡らす。基板を脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水にさらすことによって、第１の洗浄溶液で処理される基板表面のほぼ全体を濡らす。
回転工程１０５は、すすぎ工程１００で用いられた脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含有する脱イオン水の量を減少させるのに十分な速度で基板を回転させる。すなわち、余分な液体を振り落す。この場合、実質的に基板を撥水又は乾燥させることなく、基板表面上の余分な液体を除去することが望ましい。
プロセスフロー３６が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー３４が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図５を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー３８を説明する。プロセスフロー３８は、開始工程５０で始まり、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、回転工程１１５と、すすぎ工程１２０と、回転工程１２５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー３８における第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、回転工程１１５、すすぎ工程１２０、回転工程１２５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー３８が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー３８が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図６を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４０を説明する。プロセスフロー４０は、開始工程５０で始まり、すすぎ工程１００と、回転工程１０５と、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、回転工程１１５と、すすぎ工程１２０と、回転工程１２５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４０におけるすすぎ工程１００、回転工程１０５、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、回転工程１１５、すすぎ工程１２０、回転工程１２５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４０が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４０が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図７を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４１−１を説明する。プロセスフロー４１−１は、開始工程５０で始まり、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、回転工程１１５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、すすぎ工程１４０と、回転工程１４５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４１−１における第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、回転工程１１５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５、すすぎ工程１４０、回転工程１４５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４１−１が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４１−１が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図８を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４１−２を説明する。プロセスフロー４１−２は、開始工程５０で始まり、すすぎ工程１００と、回転工程１０５と、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、回転工程１１５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、すすぎ工程１４０と、回転工程１４５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４１−２におけるすすぎ工程１００、回転工程１０５、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、回転工程１１５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５、すすぎ工程１４０、回転工程１４５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。 プロセスフロー４１−２が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４１−２が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図９を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４１−３を説明する。プロセスフロー４１−３は、開始工程５０で始まり、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、回転工程１１５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４１−３における第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、回転工程１１５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４１−３が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４１−３が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図１０を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４１−４を説明する。プロセスフロー４１−４は、開始工程５０で始まり、すすぎ工程１００と、回転工程１０５と、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、回転工程１１５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４１−４におけるすすぎ工程１００、回転工程１０５、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、回転工程１１５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４１−４が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４１−４が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図１１を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４２−１を説明する。プロセスフロー４２−１は、開始工程５０で始まり、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、すすぎ工程１２０と、回転工程１２５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、すすぎ工程１４０と、回転工程１４５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４２−１における第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、すすぎ工程１２０、回転工程１２５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、すすぎ工程１４０、回転工程１４５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４２−１が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４２−１が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図１２を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４２−２を説明する。プロセスフロー４２−２は、開始工程５０で始まり、すすぎ工程１００と、回転工程１０５と、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、すすぎ工程１２０と、回転工程１２５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、すすぎ工程１４０と、回転工程１４５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４２−２におけるすすぎ工程１００、回転工程１０５、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、すすぎ工程１２０、回転工程１２５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、すすぎ工程１４０、回転工程１４５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４２−２が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４２−２が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図１３を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４３−１を説明する。プロセスフロー４３−１は、開始工程５０で始まり、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、すすぎ工程１２０と、回転工程１２５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４３−１における第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、すすぎ工程１２０、回転工程１２５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４３−１が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４３−１が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図１４を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４３−２を説明する。プロセスフロー４３−２は、開始工程５０で始まり、すすぎ工程１００と、回転工程１０５と、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、すすぎ工程１２０と、回転工程１２５と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４３−２におけるすすぎ工程１００、回転工程１０５、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、すすぎ工程１２０、回転工程１２５、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４３−２が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４３−２が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図１５を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４４−１を説明する。プロセスフロー４４−１は、開始工程５０で始まり、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、すすぎ工程１４０と、回転工程１４５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４４−１における第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５、すすぎ工程１４０、回転工程１４５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４４−１が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４４−１が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図１６を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４４−２を説明する。プロセスフロー４４−２は、開始工程５０で始まり、すすぎ工程１００と、回転工程１０５と、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、すすぎ工程１４０と、回転工程１４５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４４−２におけるすすぎ工程１００、回転工程１０５、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５、すすぎ工程１４０、回転工程１４５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。 プロセスフロー４４−２が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４４−２が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図１７を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４５−１を説明する。プロセスフロー４５−１は、開始工程５０で始まり、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４５−１における第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４５−１が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４５−１が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図１８を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４５−２を説明する。プロセスフロー４５−２は、開始工程５０で始まり、すすぎ工程１００と、回転工程１０５と、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０と、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０と、回転工程１３５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４５−２におけるすすぎ工程１００、回転工程１０５、第１の溶液を用いた洗浄工程１１０、第２の溶液を用いた洗浄工程１３０、回転工程１３５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４５−２が、表３に示す第１の洗浄溶液等の第１の洗浄溶液と表４に示す第２の洗浄溶液等の第２の洗浄溶液とを用いることが望ましい。プロセスフロー４５−２が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）及び（ｌ）等の第１の洗浄溶液と、上述した洗浄溶液（ｍ）及び（ｎ）等の第２の洗浄溶液とを用いることが特に望ましい。
図１９を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４６−１を説明する。プロセスフロー４６−１は、開始工程５０で始まり、単一の溶液を用いた洗浄工程１０８と、回転工程１１７と、すすぎ工程１２０と、回転工程１２５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４６−１におけるすすぎ工程１２０、回転工程１２５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。単一の溶液を用いた洗浄工程１０８は、基板の表面を洗浄溶液にさらすことにより、基板の洗浄に適した条件下で、基板を洗浄溶液で濡らす。回転工程１１７は、基板を回転することによって、洗浄溶液を除去する。すなわち、余分の液体を振り落す。この場合、実質的に基板を撥水又は乾燥させることなく、回転工程１１７を実行することが望ましい。プロセスフロー４６−１が、表２に示す単一の洗浄溶液等の単一の洗浄溶液を用いることが望ましい。プロセスフロー４６−１が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）及び（ｎ）等の単一の洗浄溶液を用いることが特に望ましい。
図２０を参照して、本発明の一実施例に従うプロセスフロー４６−２を説明する。プロセスフロー４６−２は、開始工程５０で始まり、すすぎ工程１００と、回転工程１０５と、単一の溶液を用いた洗浄工程１０８と、回転工程１１７と、すすぎ工程１２０と、回転工程１２５と、無電解メッキ工程１５０との実行後、終了工程１７５で完了する。プロセスフロー４６−２におけるすすぎ工程１００、回転工程１０５、単一の溶液を用いた洗浄工程１０８、回転工程１１７、すすぎ工程１２０、回転工程１２５及び無電解メッキ工程１５０は、上述したものと基本的に同じである。プロセスフロー４６−２が、表２に示す単一の洗浄溶液等の単一の洗浄溶液を用いることが望ましい。プロセスフロー４６−２が、上述した洗浄溶液（ｂ）、（ｃ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）、（ｍ）及び（ｎ）等の単一の洗浄溶液を用いることが特に望ましい。
本発明の好適な実施例において、基板洗浄の温度は、望ましくは、約１０°Ｃから約９０°Ｃの温度範囲である。洗浄溶液の温度を制御することが望ましい。さらに、基板の温度を制御するようにしてもよい。
上述したように、さまざまな洗浄溶液組成を本発明の実施例で好適に用いることができる。本発明の好適な実施例において、上述した洗浄溶液組成を用いて基板の洗浄を行う。この場合、洗浄溶液中の溶存酸素の濃度を約５ｐｐｍ未満に維持する。すなわち、本発明の実施例に従う洗浄溶液のいずれを用いる場合でも、基板の洗浄の際に、洗浄溶液中の溶存酸素の濃度を約５ｐｐｍ未満に維持することが望ましい。
本発明の好適な実施例において、図１ないし図２０に示すプロセスフローを、開始工程５０から終了工程１７５まで、基板をずっと濡らした状態で実行する。言い換えると、プロセスフローには、乾燥工程又は撥水工程が含まれない。このような実施形態は、特に、基板洗浄と無電解析出とを同じ処理チャンバで行う場合に有益である。ただし、本発明は、このような好適な実施例に何ら限定されるものではなく、図１ないし図２０に示すプロセスフローの実施形態が、一工程以上の乾燥工程又は撥水工程を含むようにしてもよい。図１ないし図２０に示すプロセスフローに乾燥工程又は撥水工程を含む実施形態は、一つのチャンバで基板の洗浄を行い、基板を取り出して、他のチャンバで無電解析出を行う場合に有益である。
図１ないし図２０に示すプロセスフローを、制御された周辺環境下で実行し、基板及び処理溶液が酸素にさらされる可能性を減らすことが望ましい。適切に制御された周辺環境に関しては、Ｄｏｒｄｉらによる米国特許公開公報第２００７／０２９２６０３に記載されている。この特許文献の内容は、参照することにより、その全体が本明細書に組み込まれる。制御された周辺環境は、たとえば、基板の洗浄用に構成される少なくとも一つの処理モジュールとキャップ層の無電解析出用に構成される少なくとも一つの別の処理モジュールとを備える集積システムでもよい。システムは、さらに、少なくとも一つの処理モジュールと少なくとも一つの別の処理モジュールに結合される少なくとも一つの移送モジュールを備える。少なくとも一つの移送モジュールは、実質的に酸化物形成環境にさらすことなく、基板をモジュール間で移送可能なように構成される。あるいは、集積システムが、基板の洗浄及び無電解析出の両方を行うための一つの処理モジュールと、処理モジュールに結合される少なくとも一つの移送モジュールと、を備える構成でもよい。
以上、本明細書において、発明を具体的な実施例を参照して説明してきた。ただし、当業者には自明のことであるが、以下の特許請求の範囲に記載される本発明の要旨を逸脱しない範囲で、さまざまに変形および変更可能である。したがって、本明細書及び図面は、本発明を例示するものであり、何ら本発明を限定するものではない。このようなさまざまな変形および変更も、本発明の要旨の範囲内に含まれるものである。
以上、本発明の効果や利点及び課題の解決方法を、具体的な実施例に関して説明してきた。ただし、効果、利点及び課題の解決方法並びにこれらの効果、利点及び課題の解決方法を実現する、又は、より顕著にするいかなる要素も、以下に示す特許請求の範囲の一部または全部に対して、決定的な、必要な、又は不可欠な特徴又は要素と解釈するべきではない。
本明細書で用いられている用語である、「備える」（comprises, comprising）、含む（includes, including）、有する（has, having）、少なくとも一つの（at least one of）又はこれらのさまざまなバリエーションは、非排他的な包含を意味するものである。たとえば、構成要素の一覧を挙げたプロセス、方法、製品又は装置は、必ずしもこれらの構成要素に限定されるものではなく、一覧に明示的に挙げていない他の構成要素やプロセス、方法、製品又は装置に固有のものではない他の構成要素も含まれる。さらに、特にそうでないと明示しない限り、「又は」は、包含的な用語であり、排他的な用語ではない。たとえば、条件Ａ又はＢは、Ａが成立し（又は存在し）Ｂが成立しない（又は存在しない）場合も、Ａが成立せず（又は存在せず）Ｂが成立する（又は存在する）場合も、ＡもＢも成立する（又は存在する）場合も、満たされる。
Claims (68)
- 銅及び誘電体ダマシンメタライゼーション（金属化）部を備える基板上にキャップ層を析出させる方法であって、
（ｉ）前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程と、
（ｉｉ）前記キャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液に前記基板の表面をさらす工程と、
を備え、
前記無電解析出溶液が存在する場合にその性能を実質的に妨害することのない成分のみを含む洗浄溶液組成を用いることにより、前記工程（ｉ）の少なくとも最終部分を実現する、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、さらに、
実質的に前記基板の表面を撥水又は乾燥させることなく、前記基板を回転させて前記洗浄溶液を除去する工程
を備える方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記工程（ｉｉ）の後まで前記基板を乾燥又は撥水させない、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、さらに、
脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含む脱イオン水を用いて、前記基板をすすぐ一回若しくは複数回の操作と、
前記基板を回転させて、前記基板から余分の液体を除去する一回若しくは複数回の操作と、
を備え、
前記基板をすすぐ前記一回若しくは複数回の操作又は前記基板を回転させる前記一回若しくは複数回の操作は、前記基板の表面を前記洗浄溶液にさらす前に、さらしている間に、又は、さらした後に実行される、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、さらに、
実質的に前記基板の表面を撥水又は乾燥させることなく、前記基板を回転させて前記洗浄溶液を除去する工程と、
脱イオン水又は一種類以上の界面活性剤を含む脱イオン水を用いて、前記基板をすすぐ工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水又は乾燥させることなく、前記基板を回転させて前記脱イオン水を除去する工程と、
を備える方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備える、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記表面を撥水させることなく、前記基板を回転させて前記第１の洗浄溶液を除去する工程と、
前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備える、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記表面を撥水させることなく、前記基板をすすぎ、回転させて前記第１の洗浄溶液を除去する工程と、
前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備える、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の一種類以上の非アルカリ金属塩を含有する、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の一種類以上の非アルカリ金属塩を含有する、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩を含有し、
前記無電解析出溶液が、前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸の前記一種類以上の非アルカリ金属塩を含有する、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記洗浄溶液が、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩を含有する、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記洗浄溶液が、一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩を含有し、
前記無電解析出溶液が、前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸の前記一種類以上の非アルカリ金属塩を含有する、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが０．５より大きく、２．５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが２．５より大きく、５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが５より大きく、８より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが８より大きく、１３より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが２．５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが０．５より大きく、２．５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが２．５より大きく、５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが５より大きく、８より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが８より大きく、１３より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが２．５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第１の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の酸化剤と、
任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが２．５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが０．５より大きく、２．５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが２．５より大きく、５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが５より大きく、８より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが０．５より大きく、２．５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが２．５より大きく、５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが５より大きく、８より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが８より大きく、１３より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが２．５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記無電解析出溶液が、
前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸の前記非アルカリ金属塩と、
前記一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、前記一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、前記一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが１より大きく、６より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に前記基板の表面をさらす工程が、
前記基板の表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水させることなく、前記基板の表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
を備え、
前記第２の洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記無電解析出溶液が、
前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸の前記非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、前記一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、前記一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが１より大きく、６より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが０．５より大きく、２．５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記洗浄溶液が、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩と、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、を含有し、
前記洗浄溶液のｐＨが２．５より大きく、５より小さい、
方法。 - 請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記工程（ｉ）の前に、前記基板を脱イオン水で濡らし、前記基板の表面を乾燥又は撥水させることなく前記基板から余分な液体を振り落す工程を備え、
前記工程（ｉ）と前記工程（ｉｉ）との間に、
実質的に前記基板の表面を撥水又は乾燥させることなく、前記基板を回転させて前記洗浄溶液を除去する工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
実質的に前記基板の表面を撥水又は乾燥させることなく、前記基板を回転させて前記脱イオン水を除去する工程と、
を備える、方法。 - 基板表面上にキャップ層を析出させる方法であって、
（Ａ）前記基板表面を第１の洗浄溶液にさらす工程と、
（Ｂ）前記基板表面を第２の洗浄溶液にさらす工程と、
（Ｃ）無電解析出溶液を用いて、前記基板表面上に前記キャップ層を析出させる工程と、を備え、
前記工程（Ａ）から前記工程（Ｃ）まで、前記基板表面を乾燥させたり撥水させたりしない、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第１の洗浄溶液を振り落す工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落する工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備える、方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）の前に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第１の洗浄溶液を振り落す工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備える、方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第１の洗浄溶液を振り落す工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程を備える、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）の前に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第１の洗浄溶液を振り落す工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程を備える、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第１の洗浄溶液を振り落す工程を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備える、方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）の前に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第１の洗浄溶液を振り落す工程を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備える、方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第１の洗浄溶液を振り落す工程を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程を備える、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）の前に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第１の洗浄溶液を振り落す工程を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程を備える、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備える、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）の前に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備える、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程を備える、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）の前に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程を備える、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備える、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）の前に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程と、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備える、方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程を備える、
方法。 - 請求項３８に記載の方法であって、さらに、
前記工程（Ａ）の前に、
脱イオン水で前記基板をすすぐ工程と、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記基板から余分な液体を振り落す工程と、
を備え、
前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、
前記基板表面を乾燥又は撥水させることなく、前記第２の洗浄溶液を振り落す工程を備える、
方法。 - 基板上にキャップ層を無電解析出させるために前記基板を洗浄する洗浄溶液であって、
一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は一種類以上のヒドロキシカルボン酸の非アルカリ金属塩を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
０．５より大きく、２．５より小さいｐＨを有し、さらに、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
２．５より大きく、５より小さいｐＨを有し、さらに、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
５より大きく、８より小さいｐＨを有し、さらに、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
８より大きく、１３より小さいｐＨを有し、さらに、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
２．５より小さいｐＨを有し、さらに、
任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
０．５より大きく、２．５より小さいｐＨを有し、さらに、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
２．５より大きく、５より小さいｐＨを有し、さらに、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
５より大きく、８より小さいｐＨを有し、さらに、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
８より大きく、１３より小さいｐＨを有し、さらに、
一種類以上の界面活性剤と、
一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
任意選択的に、一種類以上のＣｕ（Ｉ）イオンの錯化剤と、
任意選択的に、窒素を実質的に含まず、硫黄も実質的に含まない一種類以上の腐食防止剤と、
任意選択的に、一種類以上の脱酸素剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
２．５より小さいｐＨを有し、さらに、
任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、
フッ化水素、テトラフルオロホウ酸塩、及びフッ化水素酸の非金属塩からなる群から選択される一種類以上のフッ化物と、を含有する、
前記洗浄溶液のｐＨ
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
２．５より小さいｐＨを有し、さらに、
一種類以上の酸化剤と、
任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
１より大きく、６より小さいｐＨを有し、さらに、
一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記キャップ層の無電解析出は、前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸の前記非アルカリ金属塩と、前記一種類以上の界面活性剤と、任意選択的に、前記一種類以上の還元剤と、任意選択的に、前記一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する無電解析出溶液を用いて行なわれる、
洗浄溶液。 - 請求項５５に記載の洗浄溶液であって、
１より大きく、６より小さいｐＨを有し、さらに、
任意選択的に、一種類以上の界面活性剤と、
任意選択的に、一種類以上の還元剤と、
任意選択的に、一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有し、
前記キャップ層の無電解析出は、前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸又は前記一種類以上のヒドロキシカルボン酸の前記非アルカリ金属塩と、前記一種類以上の界面活性剤と、任意選択的に、前記一種類以上の還元剤と、任意選択的に、前記一種類以上のｐＨ調整剤と、を含有する無電解析出溶液を用いて行なわれる、
洗浄溶液。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US4064508P | 2008-03-28 | 2008-03-28 | |
| US61/040,645 | 2008-03-28 | ||
| US12/407,249 US9048088B2 (en) | 2008-03-28 | 2009-03-19 | Processes and solutions for substrate cleaning and electroless deposition |
| US12/407,249 | 2009-03-19 | ||
| PCT/US2009/038149 WO2009120727A2 (en) | 2008-03-28 | 2009-03-24 | Processes and solutions for substrate cleaning and electroless deposition |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013138146A Division JP5762475B2 (ja) | 2008-03-28 | 2013-07-01 | 基板の洗浄溶液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011519393A true JP2011519393A (ja) | 2011-07-07 |
Family
ID=41114657
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011501993A Withdrawn JP2011519393A (ja) | 2008-03-28 | 2009-03-24 | 基板洗浄及び無電解析出のプロセス及び溶液 |
| JP2013138146A Active JP5762475B2 (ja) | 2008-03-28 | 2013-07-01 | 基板の洗浄溶液 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013138146A Active JP5762475B2 (ja) | 2008-03-28 | 2013-07-01 | 基板の洗浄溶液 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9048088B2 (ja) |
| JP (2) | JP2011519393A (ja) |
| KR (1) | KR101563385B1 (ja) |
| CN (2) | CN105161452A (ja) |
| SG (1) | SG189705A1 (ja) |
| TW (1) | TWI563555B (ja) |
| WO (1) | WO2009120727A2 (ja) |
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- 2009-03-19 US US12/407,249 patent/US9048088B2/en active Active
- 2009-03-24 KR KR1020107021456A patent/KR101563385B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-24 CN CN201510570414.2A patent/CN105161452A/zh active Pending
- 2009-03-24 CN CN2009801123896A patent/CN101981667A/zh active Pending
- 2009-03-24 JP JP2011501993A patent/JP2011519393A/ja not_active Withdrawn
- 2009-03-24 SG SG2013022447A patent/SG189705A1/en unknown
- 2009-03-24 WO PCT/US2009/038149 patent/WO2009120727A2/en active Application Filing
- 2009-03-27 TW TW098110120A patent/TWI563555B/zh active
-
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|---|---|
| US20090246359A1 (en) | 2009-10-01 |
| KR101563385B1 (ko) | 2015-10-26 |
| JP2013243376A (ja) | 2013-12-05 |
| SG189705A1 (en) | 2013-05-31 |
| JP5762475B2 (ja) | 2015-08-12 |
| TW201003765A (en) | 2010-01-16 |
| TWI563555B (en) | 2016-12-21 |
| CN101981667A (zh) | 2011-02-23 |
| US9048088B2 (en) | 2015-06-02 |
| WO2009120727A2 (en) | 2009-10-01 |
| US20150225679A1 (en) | 2015-08-13 |
| CN105161452A (zh) | 2015-12-16 |
| KR20110002013A (ko) | 2011-01-06 |
| WO2009120727A3 (en) | 2009-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
| A761 | Written withdrawal of application |
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