KR20110002013A - 기판 세정 및 무전해 증착을 위한 공정 및 용액 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디바이스의 제작에 관련된다. 일 실시형태는 집적 회로에 대한 기판 세정 및 캡 층의 무전해 증착 방법이다. 이 방법은 금속 및 유전체 다마신 금속화물 층을 포함하는 표면을 갖는 기판 상에서 수행된다. 이 방법은 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 기판의 표면을 노출시키는 단계 및 캡 층을 증착하는데 충분한 무전해 증착 용액에 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 실시형태는 기판을 세정하는 용액 및 무전해 증착을 달성하는 용액을 포함한다.
Description
이 출원은, Artur KOLICS 및 Nanhai LI 에 의해 2008년 3월 28일자로 출원되고 발명의 명칭이 "PROCESSES AND SOLUTIONS FOR SUBSTRATE CLEANING AND ELECTROLESS DEPOSITION" 인 미국 특허 출원 61/040,645 (도켓 넘버 XCR-011) 의 이점을 주장한다. 2008년 3월 28일자로 출원된 미국 특허 출원 61/040,645 는 그 전체내용이 참조로서 본 명세서에 통합되어 있다.
본 발명은 집적 회로와 같은 전자 디바이스의 제작에 관련되고; 보다 구체적으로, 본 발명은 금속 및 유전체 다마신 금속화물 구조 상의 캡 층의 무전해 증착 이전에 기판을 세정하는 방법 및 제제 (formulation) 에 관한 것이다.
구리 상호접속부와 같은 금속 상호접속부 상의 캡 층의 무전해 증착 이전에 패터닝된 기판에 대한 세정 공정은 무전해 도금 공정에서 중대하다. 금속 상호접속부의 낮은 에칭, 낮은 결함 수, 및 양호한 증착 선택도를 보장하기 위해 청결한 기판 표면이 필요하다. 예로서 구리 기술을 이용하면, 패터닝된 기판의 표면은 화학적 기계적 평탄화 (CMP) 에 의해 부분적으로 형성되는, 유전체에 매립된 구리 상호접속부 구조, 즉, 다마신 또는 듀얼 다마신 구조를 포함한다. 캡 층은 CMP 이후에 구리 상에 증착된다. 캡 층용 재료의 예는 코발트, 코발트 합금, 코발트 텅스텐, 코발트-니켈 합금, 니켈, 및 니켈 합금과 같은 재료이다. 캡 층의 무전해 증착 이전에 패터닝된 기판을 세정하는데 사용되는 여러가지 CMP후 세정 용액이 있다. 그러나, CMP후 세정의 목적 및 캡 층의 무전해 증착을 위한 세정의 목적은 동일하지 않다. 따라서, CMP후 세정 용액은 고품질 캡 층의 무전해 증착에 필요한 종류의 청결한 표면을 제조하지 못할 수도 있다. 예를 들면, 여러가지 표준 기술 세정 용액은, 구리를 패시베이팅하기 위해 표면 상에 대부분이 산화 제1구리인 내부를 그대로 남기면서 구리 표면으로부터 외부 산화물 (산화 제2구리) 필름만을 제거한다. 다른 일반적인 접근법은 CMP후 세정 용액에 구리 부식 억제제를 포함시킴으로써 구리 에칭을 최소화하고자 시도한다. 부식 억제제 또는 구리 산화물의 일부가 무전해 도금 이전에 표면 상에 남아있다면, 무전해 증착 공정에 대해 상당한 문제, 예를 들면, 구리 상의 고르지 않은 (spotty) 도금을 야기하거나 또는 도금을 야기하지 않는 것, 캡 층에서의 핀홀/피트 (pit) 의 형성, 기판과 캡 층 사이의 열악한 부착, 또는 유전체 상의 여분의 캡 층 증착을 생성할 수 있다.
전자 디바이스와 같은 디바이스를 제작하는데 사용되는 기판 상에 캡 층을 증착하기 위한 개선된 공정 및 용액이 필요하다. 보다 구체적으로, 이러한 디바이스에 대한 제조 요건 및 성능을 충족시키기 위해 사용될 수 있는 캡 층의 무전해 증착을 위한 오염물질과 결함이 없는 기판 표면을 제조할 수 있는 개선된 기판 세정 방법 및 세정 용액이 필요하다.
본 발명은 전자 디바이스의 제작에 관련된다. 본 발명의 일 실시형태는 집적 회로에 대한 캡 층의 무전해 증착 및 기판 세정 방법이다. 이 방법은, 금속 및 유전체 다마신 금속화물 층을 포함하는 표면을 갖는 기판에서 수행된다. 이 방법은, 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅 (dewetting) 하거나 또는 건조시키지 않고서, 캡 층을 증착하는데 충분한 무전해 증착 용액에 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 실시형태는 기판을 세정하기 위한 용액 및 무전해 증착을 달성하기 위한 용액을 포함한다.
본 발명은 그 어플리케이션에 있어서 하기 설명에서 설명되거나 도면에 나타낸 컴포넌트의 배열 및 구성의 상세사항에 한정되지 않음을 이해해야 한다. 본 발명은 다른 실시형태가 가능하고 다양한 방식으로 실시되고 수행될 수 있다. 또한, 본 명세서에 채용된 표현 및 용어는 설명을 위한 것이며 한정으로서 간주되어서는 안됨을 이해해야 한다.
그러한 것으로서, 이 개시물이 근거하는 개념은 본 발명의 양태를 수행하기 위한 다른 구조, 방법 및 시스템의 설계에 대한 기초로서 용이하게 이용될 수도 있음을 당업자는 이해할 것이다. 따라서, 청구범위는 본 발명의 사상 및 범위로부터 일탈하지 않는 한 등가의 구성을 포함하는 것으로서 간주됨이 중요하다.
도 1 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 3 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 4 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 5 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 6 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 7 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 8 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 9 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 10 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 11 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 12 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 13 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 14 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 15 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 16 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 17 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 18 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 19 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 20 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 3 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 4 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 5 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 6 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 7 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 8 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 9 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 10 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 11 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 12 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 13 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 14 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 15 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 16 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 17 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 18 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 19 는 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 20 은 본 발명의 실시형태의 공정 흐름도이다.
본 발명은 집적 회로와 같은 디바이스에 대해 다마신 금속화물 구조를 형성하는 유전체 및 캡을 갖는 도전성 금속을 사용하는 상호접속 금속화물에 관련된다. 보다 구체적으로, 본 발명은 구리와 같은 금속과 유전체를 포함하는 상호접속 금속화물 층에 관련된다. 디바이스의 제작은 기판을 세정하기 위한 방법 및 용액 그리고 기판 상의 캡 층의 무전해 증착을 달성하기 위한 방법 및 용액을 필요로 한다.
표준 기술의 하나 이상의 문제를 극복하기 위해, 본 발명의 몇몇 실시형태는 2-단계 세정 공정 또는 1-단계 산성 세정 공정 중 어느 하나를 포함한다. 구리 에칭을 최소화하기 위해, 본 발명의 몇몇 실시형태는 세정 공정 동안 불활성 환경 및/또는 무전해-증착 상용성 부식 억제제를 사용하거나 또는 포함한다.
본 발명의 실시형태의 몇몇 어플리케이션에 대해, 세정 및 무전해 증착은 동일한 공정 챔버에서 행해진다. 세정 공정 또는 2-단계 세정 공정 중 적어도 제 2 세정은 무전해 증착 용액 내에 존재하는 하나 이상의 첨가제(들)를 포함하는 세정 용액으로 행해지는 것이 바람직하다. 이것은 제 2 세정 용액이 무전해 증착 이전에 기판 표면으로부터 린싱되지 않는다면 바람직하다.
주로 집적 회로를 제작하는데 사용되는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼를 프로세싱하는 맥락에서, 본 발명의 실시형태를 이하에 설명할 것이다. 집적 회로용 금속화물 층은 다마신 또는 듀얼 다마신 유전체 구조 내에 형성된 금속 라인용 구리를 포함한다. 선택적으로, 유전체는 탄소 도핑된 실리콘 산화물 (SiOC:H) 과 같은 로우 k (low k) 유전체 재료 또는 실리콘 이산화물과 같은 유전체이다. 그러나, 본 발명에 따른 실시형태가 다른 반도체 디바이스, 구리 이외의 금속, 및 반도체 웨이퍼 이외의 웨이퍼에 사용될 수도 있음을 이해해야 한다.
본 발명의 일 양태는 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 프로세싱하는 용액을 포함한다. 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 이 용액은 기판 상에 캡 층의 증착을 위한 준비시에 기판의 표면을 세정하는 세정 용액이다. 본 발명의 실시형태에 따른 용액은 기판의 표면을 세정하는데 충분하도록 하는 조성을 가진다. 캡 층의 증착은 기판 상에 캡 층을 증착하는데 충분한 무전해 증착 용액으로 달성된다. 바람직하게, 기판의 표면을 세정하는 적어도 최종 부분은 세정 용액 조성을 사용하여 달성되는데, 세정 용액은, 무전해 증착 용액이 세정 용액 내에 존재하는 경우 무전해 증착 용액의 성능 또는 동작을 실질적으로 방해하지 않는 성분만을 포함한다. 보다 구체적으로는, 기판의 표면을 세정하는 적어도 최종 부분에 대한 세정 용액은, 캡 층의 증착을 위한 무전해 증착 용액의 동작을 해치거나, 저하시키거나, 선택도를 감소시키거나, 또는 다른 방식으로 방해할 수 있는 성분을 포함하지 않고서 기판을 세정하는데 충분하다. 세정 용액 조성은 세정 용액의 하나 이상의 성분이 또한 캡 층에 대한 무전해 증착 용액에 의도적으로 포함되는 성분이도록 선택되는 것이 바람직하다.
도면의 이하 설명에서, 도면에 공통되는 실질적으로 동일한 엘리먼트 또는 단계를 나타낼 때 동일한 참조 부호가 사용되었다. 본 설명 및 청구범위에 대해서도 또한, 단어 "또는" 은 달리 특정되지 않는다면 "및/또는" 과 실질적으로 동일한 의미를 갖는 비-배타적인 관계로서 사용된다.
용액 조성
본 발명의 일 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액을 포함하는 세정 용액 (a) 을 포함한다. 이것은, 세정 용액이 히드록시카르복실산; 2 이상의 히드록시카르복실산; 히드록시카르복실산의 무알칼리 금속염; 히드록시카르복실산의 2 이상의 무알칼리 금속염; 히드록시카르복실산의 무알칼리 금속염과 혼합된 히드록시카르복실산; 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)과 혼합된 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)과 같은 임의의 하나 이상의 조성을 가질 수도 있다는 것을 의미한다. 바람직한 실시형태에 대해, 세정 용액의 성분은 기판의 세정 및 기판 상의 무전해 증착이 기판을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 행해지도록 선택된다.
본 발명의 실시형태는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 하나 이상의 계면활성제(들); 하나 이상의 환원제(들); 및 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하는 세정 용액 (b) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 0.5 초과 2.5 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 하나 이상의 계면활성제(들); 하나 이상의 환원제(들); 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들); 및 선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들)를 포함하는 세정 용액 (c) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 2.5 초과 5 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 하나 이상의 계면활성제(들); 하나 이상의 환원제(들); 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들); 선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들); 선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들); 및 선택적으로 하나 이상의 산소 소거제 (oxygen scavenger) (들)를 포함하는 세정 용액 (d) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 5 초과 8 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 하나 이상의 계면활성제(들); 하나 이상의 환원제(들); 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들); 선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들); 선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들); 및 선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들)를 포함하는 세정 용액 (e) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 8 초과 13 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들); 선택적으로 하나 이상의 환원제(들); 및 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하는 세정 용액 (f) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 2.5 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 하나 이상의 계면활성제(들); 하나 이상의 환원제(들); 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들); 및 불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하는 세정 용액 (g) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 0.5 초과 2.5 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 하나 이상의 계면활성제(들); 하나 이상의 환원제(들); 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들); 선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들); 및 불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하는 세정 용액 (h) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 2.5 초과 5 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 하나 이상의 계면활성제(들); 하나 이상의 환원제(들); 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들); 선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들); 선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들); 선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들); 및 불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하는 세정 용액 (i) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 5 초과 8 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 하나 이상의 계면활성제(들); 하나 이상의 환원제(들); 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들); 선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들); 선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들); 선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들); 및 불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하는 세정 용액 (j) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 8 초과 13 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들); 선택적으로 하나 이상의 환원제(들); 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들); 및 불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하는 세정 용액 (k) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 2.5 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들); 하나 이상의 산화제(들); 및 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하는 세정 용액 (l) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 2.5 미만이다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 하나 이상의 계면활성제(들); 선택적으로 하나 이상의 환원제(들); 및 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하는 세정 용액 (m) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 1 초과 6 미만이다. 본 발명의 이 실시형태에 대한 세정 용액은, 상기 세정 용액에 사용된 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들); 하나 이상의 계면활성제(들); 선택적으로 하나 이상의 환원제(들); 및 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하는 무전해 증착 용액으로 달성되는 캡 층의 무전해 증착 이전에 사용되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시형태는, 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)의 수용액; 선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들); 선택적으로 하나 이상의 환원제(들); 및 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하는 세정 용액 (n) 을 포함한다. 세정 용액의 pH 는 1 초과 6 미만이다. 본 발명의 이 실시형태에 대한 세정 용액은, 상기 세정 용액에 사용된 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들); 하나 이상의 계면활성제(들); 선택적으로 하나 이상의 환원제(들); 및 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하는 무전해 증착 용액으로 달성되는 캡 층의 무전해 증착 이전에 사용되는 것이 바람직하다.
상기에 제시된 세정 용액은 표 1 에 요약되어 있다. 표 1 에는 세정 용액에 대한 pH 범위, "P" (present) 로 나타낸 세정 용액 내에 존재하는 첨가제, 및 "O" (optional) 로 나타낸 선택적으로 존재하는 첨가제가 나타나 있다. 첨가제 각각에는 표의 아래에 정의되는 로마 숫자 표기법이 부여된다.
본 발명의 실시형태에 대해, 적절한 히드록시카르복실산은, 적어도 하나의 카르복실기 (-COOH) 및 적어도 하나의 히드록시기 (-OH) 를 갖는 실질적으로 임의의 유기 화합물을 포함한다. 히드록시기 (-OH) 가 알킬기에 부착되고; 따라서, 페놀 및 그 유도체와 같은 화합물은 배제된다. 여러 화합물이 본 발명의 실시형태에 있어서의 히드록시카르복실산 또는 히드록시카르복실산의 무알칼리 금속염으로서 사용하는데 적합하다. 본 발명의 실시형태에 대한 히드록시카르복실산은 일반식 HO-R-COOH (여기서 R 은 알킬 탄화수소임) 를 갖는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시형태는 알킬 탄화수소에 부착되는 하나 이상의 히드록시기 (-OH) 및 하나 이상의 카르복실기 (-COOH) 를 포함한다. 본 발명의 실시형태에 대한 히드록시카르복실산의 예는, 시트르산 (2-히드록시-1,2,3-프로판 트리카르복실산), 락트산 (2-히드록시프로판산), 및 말론산 (프로판디온산) 을 포함하지만 이들에 한정되지 않는다. 본 발명의 바람직한 실시형태는 약 0.005 g/ℓ 내지 약 100 g/ℓ 범위의 히드록시카르복실산 또는 히드록시카르복실산의 무알칼리 금속염의 농도를 사용한다.
본 발명의 실시형태는 하나 이상의 추가적인 첨가제를 함유하는 세정 용액을 포함할 수도 있다. 옵션으로서, 본 발명의 몇몇 실시형태는 하나 이상의 계면활성제(들)를 또한 함유하는 세정 용액을 포함할 수도 있다. 계면활성제는, 세정 동안 기판의 적당한 습윤성을 제공하기 위해 포함된다. 기판의 유전체 영역이 웨팅되고 기판의 금속 영역이 웨팅되도록 기판의 전체 표면이 세정 용액에 의해 적당히 웨팅되어 있는 것이 바람직하다. 여러 화합물이 본 발명의 실시형태에 있어서의 계면활성제로서 사용하는데 적합하다. 본 발명의 실시형태에 대한 계면활성제의 리스트는 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 및 그 조합을 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다. 본 발명의 몇몇 실시형태는 약 10 ppm (parts per million) 내지 약 2000 ppm 범위의 양으로 세정 용액 내에 하나 이상의 계면활성제를 포함한다.
옵션으로서, 본 발명의 몇몇 실시형태는 하나 이상의 환원제(들)를 또한 함유하는 세정 용액을 포함한다. 환원제는 용존 산소를 실질적으로 소거 (scavenging) 할 수 없도록 하기 위해 선택된다. 보다 구체적으로, 환원제는 세정 용액 내의 용존 산소를 소거하는 것 이외의 기능을 제공하기 위해 선택된다. 환원제의 주요 기능은 금속의 원치않는 양극 용해 (anodic dissolution) 를 최소화하는 것이다. 환원제의 종류에 따라, 이들 화합물의 산화는 구리의 용해 및 산화보다 에너지적으로 더욱 양호하다. 여러 화합물이 본 발명의 실시형태에 있어서의 환원제로서 사용하는데 적합하다. 본 발명의 몇몇 실시형태에 대한 환원제의 리스트는 붕소 함유 환원제, 하이포아인산염, 알데히드, 및 그 조합을 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다. 본 발명의 몇몇 실시형태는 약 0.005 g/ℓ 내지 약 35 g/ℓ범위의 양으로 세정 용액 내에 하나 이상의 환원제를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시형태에 대한 옵션으로서, 세정 용액은 이 세정 용액에 대한 pH 또는 pH 범위를 생성하기 위해 하나 이상의 pH 조절제(들)를 더 포함한다. 옵션으로서, pH 조절제는 2.5 미만의 pKa 값을 갖는 무기 산을 함유하는 유기 또는 비-할로겐화물일 수 있다. pH 조절제는 또한 7.5 이상의 pKb 값을 갖는 아민 또는 이민과 같은 무기 염기를 함유하는 유기 또는 비-할로겐화물일 수 있다. 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 퍼옥소이황산과 같은 그리고 질산과 같은 강한 산화 특징을 갖는 무기 산을 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 크롬산과 같은 금속 함유 산을 실질적으로 포함하지 않는 것이 또한 바람직하다. 하나 이상의 pH 조절제(들)의 양은 세정 용액에 대해 원하는 pH 를 제공하기에 충분하도록 선택됨이 이해된다. 그 양은, 세정 용액에 대한 원하는 pH, pH 조절제의 화학적 특성, 및 세정 용액의 다른 성분의 양과 화학적 특성에 의해 부분적으로 결정될 것이다. 요약하면, 세정 용액에 대한 원하는 pH 를 생성하기 위해 하나 이상의 pH 조절제(들)의 효과적인 양이 포함된다.
옵션으로서, 본 발명의 몇몇 실시형태는 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들)를 또한 함유하는 세정 용액을 포함할 수도 있다. 여러 화합물이 본 발명의 실시형태에 있어서의 착화제로서 사용하는데 적합하다. 본 발명의 실시형태에 대한 착화제의 리스트는 Cu(II) 이온과 보다는 Cu(I) 이온과의 적어도 동일 또는 더 안정한 착물을 형성하는 모든 비-황 함유 착화제를 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다. 본 발명의 몇몇 실시형태에 대한 착화제의 리스트는, 카르복실산, 히드록시카르복실산, 아미노산, 포스폰산, 피틴산, 및 그 조합을 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다. 본 발명의 몇몇 실시형태는 약 0.1 g/ℓ 내지 약 50 g/ℓ범위의 양으로 세정 용액 내에 하나 이상의 착화제(들)를 포함한다.
옵션으로서, 본 발명의 몇몇 실시형태는, 세정 용액에서의 금속의 용해를 저지하거나 또는 금속을 실질적으로 보호하기 위해 질소와 황을 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들)를 또한 함유하는 세정 용액을 포함할 수도 있다. 여러 화합물이 본 발명의 실시형태에 있어서의 부식 억제제로서 사용하는데 적합하다. 본 발명의 몇몇 실시형태는 약 0.01 g/ℓ 내지 약 5 g/ℓ범위의 양으로 세정 용액 내에 하나 이상의 부식 억제제(들)를 포함한다.
옵션으로서, 본 발명의 몇몇 실시형태는 세정 용액으로부터 용존 산소를 제거하기 위해 하나 이상의 산소 소거제(들)를 또한 함유하는 세정 용액을 포함할 수도 있다. 보다 구체적으로, 산소 소거제는 세정 용액 내의 용존 산소의 보다 낮은 농도를 제공한다. 용존 산소의 양은 용존 산소에 의한 금속의 산화를 실질적으로 방지하기 위해 최소로 유지되는 것이 바람직하다. 여러 화합물이 본 발명의 실시형태에 있어서의 용존 산소에 대한 산소 소거제로서 사용하는데 적합하다. 본 발명의 몇몇 실시형태는 약 0.1 g/ℓ 내지 약 50 g/ℓ범위의 양으로 세정 용액 내에 하나 이상의 산소 소거제(들)를 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시형태는 세정 용액 내의 용존 산소의 농도를 5 ppm 미만으로 유지한다. 본 발명의 몇몇 실시형태에 대해, 용존 산소의 낮은 레벨은 하나 이상의 산소 소거제(들)의 충분한 양을 제공함으로써 획득된다.
옵션으로서, 본 발명의 몇몇 실시형태는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 또한 함유하는 세정 용액을 포함할 수도 있다. 이 불화물 화합물은 세정 용액을 개선시키기 위해 제공된다. 본 발명의 바람직한 실시형태는 불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 불산의 비금속염, 및 그 혼합물과 같은 불화물 화합물을 사용한다. 본 발명의 몇몇 실시형태는 약 0.1 % 내지 약 0.5 % 범위의 양으로 세정 용액 내에 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함한다.
옵션으로서, 본 발명의 몇몇 실시형태는 하나 이상의 산화제(들)를 또한 함유하는 세정 용액을 포함할 수도 있다. 산화제는 세정 용액의 세정 능력을 개선시키기 위해 제공된다. 본 발명의 몇몇 실시형태는 약 0.1 g/ℓ 내지 약 50 g/ℓ범위의 양으로 세정 용액 내에 하나 이상의 산화제(들)를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시형태에 대한 옵션으로서, 세정 용액의 몇몇은 단일 세정 용액을 사용하는 것을 포함하는 공정에 특히 적합하다. 대안으로서, 다른 공정은 기판의 초기 세정에 대해 제 1 세정 용액 및 기판의 더 철저한 세정 또는 최종 세정에 대해 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함할 수도 있다. 표 2 는 단일 세정 용액으로서 사용하기에 특히 적합한 표 1 에 나열된 세정 용액의 서브세트를 나타낸다. 유사하게, 표 3 은 제 1 세정 용액으로서 사용하기에 특히 적합한 표 1 에 나열된 세정 용액의 서브세트를 나타낸다. 표 4 는 제 2 세정 용액으로서 사용하기에 특히 적합한 표 1 에 나열된 세정 용액의 서브세트를 나타낸다.
본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 다양한 공정 흐름을 거쳐 전자 디바이스를 제조하기 위한 제조 동작으로 통합될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액의 몇몇은, 이러한 어플리케이션에 대해 표준 세정 용액을 사용하여 달성될 수 없거나 또는 용이하게 달성될 수 없는 공정 흐름의 구현을 허용하는 조성을 가진다. 환언하면, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은, 기판에 대한 개선된 결과 및/또는 제조 생산성의 향상을 산출할 수 있는 공정 흐름의 사용을 가능하게 한다.
공정 흐름
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 디바이스의 제작에 사용되는 공정 흐름 (30) 을 나타내는 도 1 을 참조한다. 공정 흐름 (30) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 용액으로 세정 (75), 무전해 도금 (150) 을 더 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (30) 은 금속 및 유전체 다마신 금속화물을 갖는 기판 상에서 수행되고; 금속은 구리이고 유전체는 로우 k 유전체인 것이 바람직하다. 용액으로 세정 (75) 은 구리 상의 캡 층의 무전해 증착을 위한 준비시에 기판의 표면을 세정하는 것을 수반한다. 캡 층은 기판의 구리 부분 상에만 실질적으로 증착되지만, 구리 영역 및 유전체 영역 둘다를 포함한 실질적으로 기판의 전체 표면이 세정될 필요가 있다.
공정 흐름 (30) 에 대해, 용액으로 세정 (75) 은 상기 서술된 바와 같이 실질적으로 세정 용액 중 하나를 사용하여 달성된다. 보다 구체적으로, 기판이 세정 용액에 의해 웨팅되도록 세정 용액은 기판의 표면에 노출된다. 옵션으로서, 세정 용액은 단일 세정 공정에 사용하기에 특히 적합한 세정 용액일 수도 있다. 이러한 공정에 대한 세정 용액은 상기 서술된 표 2 에 나열된 것들과 같은 세정 용액으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 세정 용액은, 무전해 증착 용액이 세정 용액 내에 존재하는 경우 무전해 증착 용액의 동작 또는 성능을 실질적으로 방해하지 않는 성분만을 포함하는 것이 바람직하다. 환언하면, 세정 용액의 성분은, 무전해 증착 용액에 대한 의도적인 첨가로서 무전해 증착 용액 내에 존재할 수도 있고, 또는 무전해 증착 용액 내로의 끌어들임으로부터 또는 기판으로부터의 세정 용액 잔류물에서 존재하는 것과 같은 결과로서 무전해 증착 용액 내에 존재할 수도 있다.
대안으로서, 용액으로 세정 (75) 은 상기 서술된 바와 같이 실질적으로 2 종의 세정 용액을 사용하여 달성될 수 있다. 보다 구체적으로, 제 1 세정 용액이 기판에 노출되어 기판의 초기 세정을 달성할 수 있고; 추후에, 제 2 세정 용액이 기판에 노출되어 기판의 더욱 철저한 세정 또는 최종 세정을 달성할 수 있다. 제 1 세정 용액은 표 3 에 제시된 것들과 같은 세정 용액인 것이 바람직하다. 제 2 세정 용액은 표 4 에 제시된 것들과 같은 세정 용액인 것이 바람직하다.
일반적으로, 용액으로 세정 (75) 은 세정 용액으로 세정될 기판의 표면을 웨팅하는 것을 포함한다. 세정 용액은 세정 또는 그 일부를 달성하는데 충분한 특성을 가진다. 세정 용액은 세정에 충분한 조건 하에서 세정될 표면에 도포된다. 보다 구체적으로, 용액 조성, 세정될 표면과의 접촉 시간, 및 온도와 같은 인자는 세정에 충분하도록 선택된다.
무전해 도금 (150) 은 습식 프로세싱을 이용하여 또한 달성된다. 디바이스 금속화 어플리케이션을 위한 캡 층의 무전해 증착에 대한 몇몇 기술의 설명은, 미국 특허 Kolics 에 의한 US 6,794,288, Kolics 에 의한 US 6,902,605, 및 Kolics 에 의한 US 6,911,067 에서 발견될 수 있고; 이들 특허 및/또는 출원 모두의 내용은 그 전체가 참조로서 본 명세서에 통합되어 있다.
본 발명의 실시형태에 따른 용액을 사용하는 이점 중 하나는, 옵션으로서, 공정 흐름 (30) 이 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 수행될 수 있다는 것이다. 환언하면, 세정되고 그리고 추후에 무전해 증착될 기판의 표면은 존재하는 액체 층을 가지며, 즉, 시작 (50) 에서부터 종료 (175) 까지의 공정 흐름 (30) 전체에 걸쳐 웨팅되어 있다. 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 공정 흐름 (30) 은 기판이 시작 (50) 에서부터 종료 (175) 까지 웨팅되어 유지된 채로 수행된다. 웨팅된 기판은, 액체에 대해 친수성인 기판의 표면을 갖는 것과 같이 기판에 걸친 실질적으로 연속된 필름을 갖는다. 웨팅된 기판은 디웨팅된 기판 또는 건조 기판 중 어느 것과는 대조적이다. 디웨팅된 기판은, 기판 상에 액적이 형성될 수도 있고 기판의 영역이 액체에 의해 커버되지 않도록 액체의 필름이 파괴되어 있는 것이다. 건조 기판은, 액체의 필름이 실질적으로 없고 실질적으로 전체 기판 표면이 액체에 의해 커버되지 않은 것이다. 공정 흐름 (30) 의 바람직한 실시형태는, 용액으로 세정 (75) 및 무전해 도금 (150) 그리고 시작 (50) 과 종료 (175) 사이에 포함될 수도 있는 모든 다른 동작이 기판을 건조시키거나 또는 디웨팅하는 것을 포함하지 않도록 수행된다.
공정 흐름 (30) 에 대한 건조 단계의 배제 및 디웨팅 단계의 배제는 기판을 프로세싱하는 생산성을 증대시킨다. 이것은 기판 세정과 캡 층의 무전해 증착 사이 및/또는 도중에 하나 이상의 건조 단계가 통상적으로 존재하는 기판의 표준 프로세싱과는 대조적이다. 본 발명의 실시형태에 대해 나타난다고 믿어지는 다른 이점은, 공정 흐름 (30) 에 대한 건조 단계의 배제 및 디웨팅 단계의 배제가 기판 세정의 개선 및/또는 세정된 기판의 유지를 또한 생성한다는 것이다.
상기 서술된 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 대한 옵션은 2 종의 세정 용액을 사용하여 기판을 세정하는 것을 포함한다. 이러한 실시형태는 이하에서 공정 흐름 (32) 을 나타내는 도 2 를 참조하여 설명될 것이다. 공정 흐름 (32) 은, 용액으로 세정 (75) 이 제 1 용액으로 세정 (110) 및 제 2 용액으로 세정 (130) 으로 대체된 것을 제외하고는 공정 흐름 (30) 과 실질적으로 동일하다. 보다 구체적으로, 공정 흐름 (32) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 제 1 용액으로 세정 (110), 제 2 용액으로 세정 (130), 무전해 도금 (150) 을 더 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (32) 에 대해, 무전해 도금 (150) 은 공정 흐름 (30) 에 대해 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 제 1 용액으로 세정 (110) 은 표 3 에 나열된 세정 용액 중 하나와 같은 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 제 2 용액으로 세정 (130) 은 표 4 에 나열된 세정 용액 중 하나와 같은 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 제 1 용액으로 세정 (110) 은, 제 1 세정 용액이 세정될 기판의 실질적으로 전체 표면을 웨팅하도록 제 1 세정 용액에 기판을 노출시킴으로써 달성된다. 제 2 용액으로 세정 (130) 은, 제 2 세정 용액이 기판에 대해 세정될 실질적으로 전체 표면을 웨팅하도록 제 2 세정 용액에 기판을 노출시킴으로써 달성된다.
본 발명의 몇몇 실시형태에 대한 옵션으로서, 공정 흐름 (30) 및/또는 공정 흐름 (32) 은, 기판의 표면을 실질적으로 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 과잉 액체를 제거하도록 기판을 스피닝 (spinning) 하는 동작과 같은 그리고 기판을 린싱하는 동작과 같은 추가적인 동작을 포함할 수도 있다. 기판을 린싱하는 동작은, 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제(들)를 갖는 탈이온수로 기판의 표면을 웨팅하는 것을 포함한다. 기판의 실질적으로 전체 표면을 웨팅하기 위해 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제를 갖는 탈이온수가 기판에 노출된다. 기판을 스피닝하는 동작은, 기판을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 기판의 표면 상의, 액체의 양을 감소시키는데 충분한 속도로 기판을 스피닝하는 것, 즉, 과잉 액체를 스피닝 오프 (spinning off) 하는 것을 포함한다. 환언하면, 기판을 스피닝하여 과잉 액체를 제거하는 동작은, 기판 표면 상의 액체의 전체 양을 감소시키면서도 기판이 액체의 실질적으로 연속된 필름을 유지하도록 수행된다. 선택적으로, 기판을 린싱하는 하나 이상의 동작(들) 및/또는 기판을 스피닝하는 하나 이상의 동작(들)은, 세정 용액에 기판의 표면을 노출시키기 이전에, 도중에, 또는 이후에 실행될 수도 있고; 모두가 기판을 실질적으로 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 수행되는 것이 바람직하다. 기판을 스피닝하는 동작은, 기판을 린싱하기 위해 제공된 과잉 액체를 제거하기 위해, 또는 상기 서술된 단일 세정 용액, 제 1 세정 용액, 및 제 2 세정 용액과 같은 과잉 세정 용액을 제거하기 위해 사용될 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (34) 을 나타내는 도 3 을 참조한다. 공정 흐름 (34) 은 공정 흐름 (32) 과 실질적으로 동일하지만, 추가적인 변형을 가진다. 공정 흐름 (34) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (34) 에 대해, 제 1 용액으로 세정 (110), 제 2 용액으로 세정 (130), 및 무전해 도금 (150) 은 공정 흐름 (32) 에 대해 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다.
스핀 (115) 은, 제 1 용액으로 세정 (110) 에서 사용된 제 1 세정 용액의 양을 감소시키는데 충분한 속도로 기판을 스피닝하는 것, 즉 과잉 액체를 스피닝 오프하는 것을 포함한다. 바람직한 실시형태에 대해, 기판의 표면 상의 과잉 액체는 기판을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 제거된다.
린스 (120) 는 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제(들)를 갖는 탈이온수로 기판의 표면을 웨팅하는 것을 포함한다. 제 1 세정 용액으로 처리된 기판의 실질적으로 전체 표면을 웨팅하기 위해 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제를 갖는 탈이온수가 기판에 노출된다.
스핀 (125) 은 린스 (120) 에서 사용된 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제(들)을 갖는 탈이온수의 양을 감소시키는데 충분한 속도로 기판을 스피닝하는 것, 즉, 과잉 액체를 스피닝 오프하는 것을 포함한다. 바람직한 실시형태에 대해, 기판의 표면 상의 과잉 액체는 기판을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 제거된다.
스핀 (135) 은 제 2 용액으로 세정 (130) 에서 사용된 제 2 세정 용액의 양을 감소시키는데 충분한 속도로 기판을 스피닝하는 것, 즉, 과잉 액체를 스피닝 오프하는 것을 포함한다. 보다 구체적으로, 기판의 표면 상의 과잉 액체는 기판을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 제거된다.
린스 (140) 는 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제(들)를 갖는 탈이온수로 기판의 표면을 웨팅하는 것을 포함한다. 제 2 세정 용액으로 처리된 기판의 실질적으로 전체 표면을 웨팅하기 위해 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제(들)를 갖는 탈이온수가 기판에 노출된다.
스핀 (145) 은 린스 (140) 에서 사용된 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제(들)를 갖는 탈이온수의 양을 감소시키는데 충분한 속도로 기판을 스피닝하는 것, 즉, 과잉 액체를 스피닝 오프하는 것을 포함한다. 바람직한 실시형태에 대해, 기판의 표면 상의 과잉 액체는 기판을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 제거된다.
공정 흐름 (34) 의 바람직한 실시형태는 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (34) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (b), (c), (d), (g), (h), (i), (j), (k), (l), (m), 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (36) 을 나타내는 도 4 를 참조한다. 공정 흐름 (36) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (36) 에 대해, 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다.
린스 (100) 는 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제(들)를 갖는 탈이온수로 기판의 표면을 웨팅하는 것을 포함한다. 제 1 세정 용액으로 처리될 기판의 실질적으로 전체 표면을 웨팅하기 위해 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제를 갖는 탈이온수가 기판에 노출된다.
스핀 (105) 은 린스 (100) 에서 사용된 탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제를 갖는 탈이온수의 양을 감소시키는데 충분한 속도로 기판을 스피닝하는 것, 즉, 과잉 액체를 스피닝 오프하는 것을 포함한다. 바람직한 실시형태에 대해, 기판의 표면 상의 과잉 액체는 기판을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 제거된다.
공정 흐름 (36) 의 바람직한 실시형태는 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (36) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (b), (c), (d), (g), (h), (i), (j), (k), (l), (m), 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (38) 을 나타내는 도 5 를 참조한다. 공정 흐름 (38) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (38) 에 대해, 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (38) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (38) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (m) 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (40) 을 나타내는 도 6 을 참조한다. 공정 흐름 (40) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (40) 에 대해, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (40) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직하게는, 공정 흐름 (40) 의 실시형태는 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (m) 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (41-1) 을 나타내는 도 7 을 참조한다. 공정 흐름 (41-1) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (41-1) 에 대해, 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (41-1) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 바람직한 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 바람직한 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직하게는, 공정 흐름 (41-1) 의 실시형태는 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (b), (c), (d), (g), (h), (i), (j), (k), (l), (m), 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (41-2) 을 나타내는 도 8 을 참조한다. 공정 흐름 (41-2) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (41-2) 에 대해, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (41-2) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직하게는, 공정 흐름 (41-2) 의 실시형태는 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (b), (c), (d), (g), (h), (i), (j), (k), (l), (m), 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (41-3) 을 나타내는 도 9 를 참조한다. 공정 흐름 (41-3) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (41-3) 에 대해, 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (41-3) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직하게는, 공정 흐름 (41-3) 의 실시형태는 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (m) 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (41-4) 을 나타내는 도 10 을 참조한다. 공정 흐름 (41-4) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (41-4) 에 대해, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 스핀 (115), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (41-4) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직하게는, 공정 흐름 (41-4) 의 실시형태는 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (m) 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (42-1) 을 나타내는 도 11 을 참조한다. 공정 흐름 (42-1) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 제 1 용액으로 세정 (110), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 린스 (140), 스핀 (145), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (42-1) 에 대해, 제 1 용액으로 세정 (110), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 린스 (140), 스핀 (145), 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (42-1) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (42-1) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (b), (c), (d), (g), (h), (i), (j), (k), (l), (m), 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (42-2) 을 나타내는 도 12 를 참조한다. 공정 흐름 (42-2) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 린스 (140), 스핀 (145), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (42-2) 에 대해, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 린스 (140), 스핀 (145), 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (42-2) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (42-2) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (b), (c), (d), (g), (h), (i), (j), (k), (l), (m), 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (43-1) 을 나타내는 도 13 을 참조한다. 공정 흐름 (43-1) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 제 1 용액으로 세정 (110), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (43-1) 에 대해, 제 1 용액으로 세정 (110), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (43-1) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (43-1) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (m) 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (43-2) 을 나타내는 도 14 를 참조한다. 공정 흐름 (43-2) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (43-2) 에 대해, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 린스 (120), 스핀 (125), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (43-2) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (43-2) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (m) 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (44-1) 을 나타내는 도 15 를 참조한다. 공정 흐름 (44-1) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 제 1 용액으로 세정 (110), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (44-1) 에 대해, 제 1 용액으로 세정 (110), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (44-1) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (44-1) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (b), (c), (d), (g), (h), (i), (j), (k), (l), (m), 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (44-2) 을 나타내는 도 16 을 참조한다. 공정 흐름 (44-2) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (44-2) 에 대해, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 린스 (140), 스핀 (145), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (44-2) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (44-2) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (b), (c), (d), (g), (h), (i), (j), (k), (l), (m), 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (45-1) 을 나타내는 도 17 을 참조한다. 공정 흐름 (45-1) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 제 1 용액으로 세정 (110), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (45-1) 에 대해, 제 1 용액으로 세정 (110), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (45-1) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (45-1) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (m) 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (45-2) 을 나타내는 도 18 을 참조한다. 공정 흐름 (45-2) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (45-2) 에 대해, 린스 (100), 스핀 (105), 제 1 용액으로 세정 (110), 제 2 용액으로 세정 (130), 스핀 (135), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (45-2) 의 바람직한 실시형태는, 표 3 에 나타낸 제 1 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액 및 표 4 에 나타낸 제 2 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직한 실시형태에 있어서, 공정 흐름 (45-2) 은 (b), (c), (d), (e), (f), (g), (h), (i), (j), (k), 및 (l) 로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 1 세정 용액을 사용하고, (m) 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 제 2 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (46-1) 을 나타내는 도 19 를 참조한다. 공정 흐름 (46-1) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 단일 용액으로 세정 (108), 스핀 (117), 린스 (120), 스핀 (125), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (46-1) 에 대해, 린스 (120), 스핀 (125), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 단일 용액으로 세정 (108) 은 기판을 세정하는데 적절한 조건 하에서 세정 용액에 의해 기판이 웨팅되도록 기판의 표면에 세정 용액을 노출시키는 것을 포함한다. 스핀 (117) 은 세정 용액을 제거하기 위해 기판을 스피닝하는 것, 즉, 과잉 액체를 스피닝 오프하는 것을 포함한다. 바람직한 실시형태에 대해, 스핀 (117) 은 기판을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 행해진다. 공정 흐름 (46-1) 의 바람직한 실시형태는 표 2 에 나타낸 단일 세정 용액과 같은 단일 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직하게, 공정 흐름 (46-1) 은 (b), (c), (f), (g), (h), (i), (j), (k), (l), (m), 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 단일 세정 용액을 사용한다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 공정 흐름 (46-2) 을 나타내는 도 20 을 참조한다. 공정 흐름 (46-2) 은 시작 (50) 에서 시작하고, 린스 (100), 스핀 (105), 단일 용액으로 세정 (108), 스핀 (117), 린스 (120), 스핀 (125), 무전해 도금 (150) 을 포함하고, 종료 (175) 에서 완료된다. 공정 흐름 (46-2) 에 대해, 린스 (100), 스핀 (105), 단일 용액으로 세정 (108), 스핀 (117), 린스 (120), 스핀 (125), 및 무전해 도금 (150) 은 상기 서술된 것과 본질적으로 동일하다. 공정 흐름 (46-2) 의 바람직한 실시형태는 표 2 에 나타낸 단일 세정 용액과 같은 단일 세정 용액을 사용하는 것을 포함한다. 보다 바람직하게, 공정 흐름 (46-2) 은 (b), (c), (f), (g), (h), (i), (j), (k), (l), (m), 및 (n) 으로서 상기 식별된 세정 용액과 같은 단일 세정 용액을 사용한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 기판 세정을 위한 온도는, 바람직하게 약 10 ℃ 내지 약 90 ℃ 범위에 있는 온도를 사용하여 달성된다. 세정 용액의 온도는 제어되는 것이 바람직하다. 옵션으로서, 기판의 온도가 제어될 수도 있다.
앞서 제시된 바와 같이, 여러 세정 용액 조성이 본 발명의 실시형태에 적합하다. 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 기판의 세정은 앞서 서술된 세정 용액 조성을 사용하여 수행되고, 세정 용액 내의 용존 산소의 농도는 약 5 ppm 미만으로 유지된다. 이것은, 본 발명의 실시형태에 대해 선택된 세정 용액 중 임의의 것에 대해, 기판을 세정할 때 세정 용액 내의 용존 산소 농도가 5 ppm 미만으로 유지되는 것이 바람직하다는 것을 의미한다.
바람직한 실시형태에 따르면, 도 1 내지 도 20 에 나타낸 공정 흐름은 기판이 시작 (50) 에서부터 종료 (175) 까지 계속해서 웨팅된 채로 실시된다. 환언하면, 공정 흐름에는 건조 단계 또는 디웨팅 단계가 포함되어 있지 않다. 이러한 실시형태는 기판 세정 및 무전해 증착이 동일한 공정 챔버 내에서 발생되는 어플리케이션에 대해 특히 유리하다. 그러나, 본 발명은 이러한 바람직한 실시형태에 한정되지 않으며; 도 1 내지 도 20 에 나타낸 공정 흐름의 다른 실시형태는 하나 이상의 건조 또는 디웨팅 단계를 포함할 수 있다. 도 1 내지 도 20 에 나타낸 공정 흐름에서의 건조 또는 디웨팅 단계의 포함은, 기판 세정이 하나의 챔버에서 발생되고 기판이 무전해 증착을 위해 다른 챔버로 이동되는 어플리케이션에 대해 유리할 수 있다.
바람직하게, 도 1 내지 도 20 에 나타낸 공정 흐름은 제어된 분위기 환경에서 행해져서 기판 및 공정 액체가 산소에 노출되는 것을 제한한다. 적절한 제어된 분위기 환경은 특허문헌 (예컨대, Dordi 등에 의한 US 2007/0292603 참조) 에 기재되어 있으며, 그 내용이 이러한 참조로서 본 명세서에 통합되어 있다. 하나의 옵션으로서, 제어된 분위기 환경은 기판을 세정하기 위해 구성된 적어도 하나의 공정 모듈 및 캡 층의 무전해 증착을 위해 구성된 적어도 하나의 다른 공정 모듈을 갖는 통합 시스템이다. 이 시스템은 적어도 하나의 공정 모듈 및 적어도 하나의 다른 공정 모듈에 커플링된 적어도 하나의 이송 모듈을 더 포함한다. 적어도 하나의 이송 모듈은, 산화물-형성 환경에 실질적으로 노출되지 않고 기판이 모듈들 사이에서 이송될 수 있도록 구성된다. 대안으로서, 통합 시스템은, 기판을 세정하는 것과 무전해 증착 둘다에 대한 하나의 공정 모듈 및 이 공정 모듈에 커플링된 적어도 하나의 이송 모듈을 포함할 수도 있다.
이상 명세서에서, 본 발명은 특정 실시형태를 참조하여 서술되었다. 그러나, 당업자는 이하의 청구범위에서 설명되는 바와 같은 본 발명의 범위로부터 일탈하지 않고서 다양한 변형 및 변화가 이루어질 수 있음을 이해한다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적인 의미보다는 설명적인 의미로 간주되어야 하고, 모든 이러한 변형은 본 발명의 범위 내에 포함되도록 의도된다.
이점, 다른 이익, 및 문제에 대한 해결책이 특정 실시형태에 대해 상기 설명되었다. 그러나, 이점, 이익, 문제에 대한 해결책, 그리고 임의의 이점, 이익, 또는 해결책이 더욱 두드러지게 할 수도 있는 임의의 엘리먼트(들)는, 임의의 또는 모든 청구범위의 중대한, 필수의, 또는 본질적 특징 또는 엘리먼트로서 파악되지 않아야 한다.
본 명세서에서 기재된 바와 같이, 용어 "포함한다(comprises)", "포함하는(comprising)", "구비한다(includes)", "구비하는(including)", "갖는다(has)", "갖는(having)", "중 적어도 하나(at least one of)", 또는 그것의 임의의 다른 변경은 비-배타적 포함을 커버하도록 의도된다. 예컨대, 엘리먼트의 리스트를 포함하는 공정, 방법, 물품, 또는 장치는 그들의 엘리먼트에만 반드시 한정되는 것이 아니고, 이러한 공정, 방법, 물품, 또는 장치에 고유한 것이 아닌 또는 명백히 나열되지 않는 다른 엘리먼트를 포함할 수도 있다. 또한, 그 반대로 명백히 언급하지 않는 한, "또는" 은 배타적 또는 (exclusive or) 이 아니고 포함적 또는 (inclusive or) 을 지칭한다. 예컨대, 조건 A 또는 B 는 다음 중 어느 하나에 의해 만족된다: A 는 진실이고 (또는 존재하고) B 는 거짓임 (또는 존재하지 않음), A 는 거짓이고 (또는 존재하지 않고) B 는 진실임 (또는 존재함), 그리고 A 와 B 둘다가 진실임 (또는 존재함).
* I - 히드록시카르복실산(들) 또는 히드록시카르복실산(들)의 무알칼리 금속염(들)
II - 계면활성제(들)
III - 환원제(들)
IV - pH 조절제(들)
V - Cu(I) 에 대한 착화제(들)
VI - 부식 억제제(들)
VII - 산소 소거제(들)
VIII - 불화물 화합물(들)
IX - 산화제(들)
P - 용액 내에 존재
O - 용액 내에 선택적으로 존재
* I - 히드록시카르복실산(들) 또는 히드록시카르복실산(들)의 무알칼리 금속염(들)
II - 계면활성제(들)
III - 환원제(들)
IV - pH 조절제(들)
V - Cu(I) 에 대한 착화제(들)
VI - 부식 억제제(들)
VII - 산소 소거제(들)
VIII - 불화물 화합물(들)
IX - 산화제(들)
P - 용액 내에 존재
O - 용액 내에 선택적으로 존재
* I - 히드록시카르복실산(들) 또는 히드록시카르복실산(들)의 무알칼리 금속염(들)
II - 계면활성제(들)
III - 환원제(들)
IV - pH 조절제(들)
V - Cu(I) 에 대한 착화제(들)
VI - 부식 억제제(들)
VII - 산소 소거제(들)
VIII - 불화물 화합물(들)
IX - 산화제(들)
P - 용액 내에 존재
O - 용액 내에 선택적으로 존재
* I - 히드록시카르복실산(들) 또는 히드록시카르복실산(들)의 무알칼리 금속염(들)
II - 계면활성제(들)
III - 환원제(들)
IV - pH 조절제(들)
V - Cu(I) 에 대한 착화제(들)
VI - 부식 억제제(들)
VII - 산소 소거제(들)
VIII - 불화물 화합물(들)
IX - 산화제(들)
P - 용액 내에 존재
O - 용액 내에 선택적으로 존재
Claims (68)
- 구리 및 유전체 다마신 금속화물을 갖는 기판 상에 캡 층을 증착하는 방법으로서,
(i) 상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
(ii) 상기 캡 층을 증착하는데 충분한 무전해 증착 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 (i) 단계의 적어도 최종 부분은, 상기 무전해 증착 용액이 상기 세정 용액 내에 존재하는 경우 상기 무전해 증착 용액의 성능을 실질적으로 방해하지 않는 성분만을 포함하는 세정 용액 조성으로 달성되는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅 (dewetting) 하거나 또는 건조시키지 않고서 상기 세정 용액을 제거하도록 상기 기판을 스피닝하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 상기 (ii) 단계 이후까지 건조되거나 또는 디웨팅되지 않는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제(들)를 갖는 탈이온수로 상기 기판을 린싱하는 하나 이상의 동작(들); 또는
상기 기판으로부터 과잉 액체를 제거하도록 상기 기판을 스피닝하는 하나 이상의 동작(들)을 더 포함하고,
상기 기판을 린싱하는 하나 이상의 동작들 또는 상기 기판을 스피닝하는 하나 이상의 동작들은, 상기 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계 이전에, 도중에, 또는 이후에 실행되는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 상기 세정 용액을 제거하도록 상기 기판을 스피닝하는 단계;
탈이온수 또는 하나 이상의 계면활성제(들)를 갖는 탈이온수로 상기 기판을 린싱하는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 상기 탈이온수를 제거하도록 상기 기판을 스피닝하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계;
상기 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서 상기 제 1 세정 용액을 제거하도록 상기 기판을 스피닝하는 단계; 및
제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계;
상기 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서 상기 제 1 세정 용액을 제거하도록 상기 기판을 린싱 및 스피닝하는 단계; 및
제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)을 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)을 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)을 포함하고,
상기 무전해 증착 용액은 상기 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)을 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 세정 용액은 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)을 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 세정 용액은 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)을 포함하고,
상기 무전해 증착 용액은 상기 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)을 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 0.5 초과 2.5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들), 및
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 2.5 초과 5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제 (oxygen scavenger) (들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 5 초과 8 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 8 초과 13 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 2.5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 0.5 초과 2.5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 2.5 초과 5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들),
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 5 초과 8 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들),
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 8 초과 13 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 2.5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 산화제(들),
선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 2.5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 0.5 초과 2.5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들), 및
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 2.5 초과 5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 5 초과 8 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 0.5 초과 2.5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 2.5 초과 5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들),
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 5 초과 8 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들),
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 8 초과 13 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 2.5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하고,
상기 무전해 증착 용액은,
상기 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
상기 하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 상기 하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 상기 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 1 초과 6 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 표면을 세정하는데 충분한 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계는,
제 1 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하지 않고서, 제 2 세정 용액에 상기 기판의 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하고,
상기 무전해 증착 용액은,
상기 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 상기 하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 상기 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 1 초과 6 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 0.5 초과 2.5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 세정 용액은,
하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들), 및
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들)를 포함하고,
상기 세정 용액의 pH 는 2.5 초과 5 미만인, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 (i) 단계 이전에, 상기 기판을 탈이온수로 웨팅하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프 (spinning off) 하는 단계, 및
상기 (i) 단계와 상기 (ii) 단계 사이에, 상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 상기 세정 용액을 제거하도록 상기 기판을 스피닝하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판의 표면을 실질적으로 디웨팅하거나 또는 건조시키지 않고서 탈이온수를 제거하도록 상기 기판을 스피닝하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 기판 표면 상에 캡 층을 증착하는 방법으로서,
(A) 상기 기판 표면을 제 1 세정 용액에 노출시키는 단계;
(B) 상기 기판 표면을 제 2 세정 용액에 노출시키는 단계; 및
(C) 상기 기판 표면 상의 상기 캡 층을 무전해 증착 용액으로 증착시키는 단계를 포함하고,
상기 기판 표면은 상기 (A) 단계 내지 상기 (C) 단계로부터 건조되거나 또는 디웨팅되지 않는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 1 세정 용액을 스피닝 오프하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계 이전에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 1 세정 용액을 스피닝 오프하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 1 세정 용액을 스피닝 오프하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계 이전에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 1 세정 용액을 스피닝 오프하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 1 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계 이전에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 1 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 1 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계 이전에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 1 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계 이전에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계 이전에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계,
상기 (A) 단계와 상기 (B) 단계 사이에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계 이전에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하고, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 (A) 단계 이전에, 상기 기판을 탈이온수로 린싱하고, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 기판으로부터 과잉 액체를 스피닝 오프하는 단계, 및
상기 (B) 단계와 상기 (C) 단계 사이에, 상기 기판 표면을 건조시키거나 또는 디웨팅하지 않고서 상기 제 2 세정 용액을 스피닝 오프하는 단계를 더 포함하는, 캡 층을 증착하는 방법. - 기판 상의 캡 층의 무전해 증착을 위해 상기 기판을 세정하는 세정 용액으로서,
상기 세정 용액은 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들)을 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 0.5 초과 2.5 미만이고,
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)을 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 2.5 초과 5 미만이고,
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들), 및
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들)를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 5 초과 8 미만이고,
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들)를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 8 초과 13 미만이고,
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들)를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 2.5 미만이고,
선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 0.5 초과 2.5 미만이고,
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 2.5 초과 5 미만이고,
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 5 초과 8 미만이고,
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들),
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 8 초과 13 미만이고,
하나 이상의 계면활성제(들),
하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들),
선택적으로 Cu(I) 이온에 대한 하나 이상의 착화제(들),
선택적으로, 질소를 실질적으로 포함하지 않고 황을 실질적으로 포함하지 않는 하나 이상의 부식 억제제(들),
선택적으로 하나 이상의 산소 소거제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 2.5 미만이고,
선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 하나 이상의 환원제(들),
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들), 및
불화 수소, 테트라플루오로보레이트, 및 불산의 비금속염으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 불화물 화합물(들)을 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 2.5 미만이고,
하나 이상의 산화제(들),
선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 1 초과 6 미만이고,
하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 더 포함하고,
상기 캡 층의 상기 무전해 증착은 무전해 증착 용액을 사용하여 달성되고,
상기 무전해 증착 용액은,
상기 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
상기 하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 상기 하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 상기 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하는, 세정 용액. - 제 55 항에 있어서,
상기 세정 용액의 pH 가 1 초과 6 미만이고,
선택적으로 하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 하나 이상의 pH 조절제(들)를 더 포함하고,
상기 캡 층의 상기 무전해 증착은 무전해 증착 용액을 사용하여 달성되고,
상기 무전해 증착 용액은,
상기 하나 이상의 히드록시카르복실산(들) 또는 하나 이상의 히드록시카르복실산(들)의 하나 이상의 무알칼리 금속염(들),
하나 이상의 계면활성제(들),
선택적으로 상기 하나 이상의 환원제(들), 및
선택적으로 상기 하나 이상의 pH 조절제(들)를 포함하는, 세정 용액.
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