JP4740330B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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-
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Description
図1は本発明に係る基板処理方法を実施可能な無電解めっきユニットを備えた無電解めっきシステムの概略構造を示す平面図である。
図2は無電解めっきユニット(PW)12の概略平面図であり、図3はその概略断面図である。
図4に示すように、処理流体供給機構60は、洗浄ノズル51aに薬液を送るための洗浄液供給機構70と、めっき液ノズル51cにめっき液を送るためのめっき液供給機構90とを有している。
図5に示すように、ノズル部51は、最大限退避すると、先端側部がノズル格納室50内に格納された状態となり(実線参照)、最大限進出すると、ノズルチップ52a、52b、52cがウエハWの略中心に配置された状態となる(仮想線参照)。また、ノズル部51は、ノズルチップ52a、52b、52cがインナーカップ47内に配置された状態で、ノズル昇降機構56aにより昇降することにより、ノズルチップ52a、52b、52cの先端とウエハWとの距離が調整され、ノズルスライド機構56bによりノズルチップ52a、52b、52cがウエハWの略中心と周縁との間で直線的にスライドすることにより、ウエハWの所望の径方向位置にめっき液等を供給することができる。
図7は無電解めっきユニット(PW)12におけるウエハWの処理方法の第1の実施形態の概略を示すフローチャートであり、図8A〜8Dはその際の処理について説明するための工程断面図である。
図10は無電解めっきユニット(PW)12におけるウエハWの処理方法の第2の実施形態の概略を示すフローチャートであり、図11A〜10Eはその際の処理について説明するための工程断面図である。
図12は無電解めっきユニット(PW)12におけるウエハWの処理方法の第3の実施形態の概略を示すフローチャートである。
本実施形態では、まず、親水化工程(ステップ21)、前洗浄工程としての薬液処理工程(ステップ22)および前洗浄工程としてのリンス処理工程(ステップ23)を順次行う。引き続き、無電解めっき工程(ステップ24)、後洗浄工程としての第1のリンス処理工程(ステップ25)、後洗浄工程としての薬液処理工程(ステップ26)および後洗浄工程としての第2のリンス処理工程(ステップ27)を順次行い、これらの工程(ステップ24〜27)を、所定回数に達するまで繰り返す(ステップ28)。具体的には、ユニットコントローラ34により、ステップ24〜27が所定の回数繰り返して行われたか否かを判断する。そして、これらが所定回数繰り返された後、乾燥工程(ステップ29)を行う。
図13は無電解めっきユニット(PW)12におけるウエハWの処理方法の第4の実施形態の概略を示すフローチャートである。
本実施形態では、まず、親水化工程(ステップ31)を行う。そして、前洗浄工程としての薬液処理工程(ステップ32)、前洗浄工程としてのリンス処理工程(ステップ33)、無電解めっき工程(ステップ34)および後洗浄工程のとしての第1のリンス処理工程(ステップ35)を順次行い、これらの工程(ステップ32〜35)を、所定回数に達するまで繰り返す(ステップ36)。具体的には、ユニットコントローラ34により、ステップ32〜35が所定の回数繰り返して行われたか否かを判断する。そして、これらが所定回数繰り返された後、後洗浄工程としての薬液処理工程(ステップ37)、後洗浄工程としての第2のリンス処理工程(ステップ38)および乾燥工程(ステップ39)を順次行う。
図14は無電解めっきユニット(PW)12におけるウエハWの処理方法の第5の実施形態の概略を示すフローチャートである。
本実施形態では、まず、親水化工程(ステップ41)を行う。そして、前洗浄工程としての薬液処理工程(ステップ42)、前洗浄工程としてのリンス処理工程(ステップ43)、無電解めっき工程(ステップ44)、後洗浄工程としての第1のリンス処理工程(ステップ45)、後洗浄工程としての薬液処理工程(ステップ46)および後洗浄工程としての第2のリンス処理工程(ステップ47)を順次行い、これらの工程(ステップ42〜47)を、所定回数に達するまで繰り返す(ステップ48)。具体的には、ユニットコントローラ34により、ステップ44〜47が所定の回数繰り返して行われたか否かを判断する。そして、これらが所定回数繰り返された後、乾燥工程(ステップ49)を行う。
図15は無電解めっきユニット(PW)12におけるウエハWの処理方法の第4の実施形態の概略を示すフローチャートである。
本実施形態では、まず、親水化工程(ステップ51)および前洗浄工程としての薬液処理工程(ステップ52)を順次行う。そして、前洗浄工程としてのリンス処理工程(ステップ53)、無電解めっき工程(ステップ54)、後洗浄工程としての第1のリンス処理工程(ステップ55)、後洗浄工程としての薬液処理工程(ステップ56)、後洗浄工程としての第2のリンス処理工程(ステップ57)および乾燥工程(ステップ58)を順次行い、これらの工程(ステップ53〜58)を、所定回数に達するまで繰り返す(ステップ59)。具体的には、ユニットコントローラ34により、ステップ53〜58が所定の回数繰り返して行われたか否かを判断し、これらが所定回数繰り返された段階で終了する。乾燥工程後に行われる2回目以降の前洗浄工程としてのリンス処理は、ウエハWを親水化させる役割を果たす。
図16は無電解めっきユニット(PW)12におけるウエハWの処理方法の第7の実施形態の概略を示すフローチャートである。
本実施形態では、親水化工程(ステップ61)、前洗浄工程としての薬液処理工程(ステップ62)、前洗浄工程としてのリンス処理工程(ステップ63)、無電解めっき工程(ステップ64)、後洗浄工程としての第1のリンス処理工程(ステップ65)、後洗浄工程としての薬液処理工程(ステップ66)、後洗浄工程としての第2のリンス処理工程(ステップ67)および乾燥工程(ステップ68)を順次行い、これらの工程(ステップ61〜68)を、所定回数に達するまで繰り返す(ステップ69)。具体的には、ユニットコントローラ34により、ステップ61〜68が所定の回数繰り返して行われたか否かを判断し、これらが所定回数繰り返された段階で終了する。
Claims (14)
- 基板に設けられたCu(銅)配線にCo(コバルト)合金からなる無電解めっきを施す工程と、前記無電解めっきを施した後、基板を洗浄液で後洗浄処理する工程とを含み、前記後洗浄処理は、めっきの表面が乾燥する前に行われることを特徴とする基板処理方法。
- 前記無電解めっきを施す前に基板を洗浄液で前洗浄処理することをさらに含み、前記前洗浄処理、前記無電解めっき、前記後洗浄処理を基板の表面を乾燥させずに行うことを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、前記スピンチャックに保持された基板の周縁を囲繞する囲繞位置と基板の周縁から退避した退避位置とをとるように、前記スピンチャックに対して相対的に昇降する内側囲繞部材と、前記内側囲繞部材の外側に設けられ、前記内側部材が基板の周縁から退避した際に、基板の周縁を囲繞する外側囲繞部材とを具備する基板処理装置を用いて、基板に設けられたCu(銅)配線にCo(コバルト)合金からなる無電解めっきを施す基板処理方法であって、
前記スピンチャックに基板を保持させる工程と、
前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材の一方によって前記スピンチャックに保持された基板の周縁を囲繞した状態で、前記スピンチャックにより基板を回転させながら基板にめっき液を供給し、基板から振り切られためっき液を前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材のうち基板の周縁を囲繞しているものによって受け止めつつ、前記配線に無電解めっきを施す工程と、
少なくとも一部の期間、前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材の他方によって前記スピンチャックに保持された基板の周囲を囲繞した状態で、前記スピンチャックにより基板を回転させながら基板に洗浄液を供給し、基板から振り切られた洗浄液を前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材のうち基板の周縁を囲繞しているものによって受け止めつつ、基板の後洗浄処理を行う工程と
を含み、
前記後洗浄処理は、前記無電解めっきを施した後のめっきの表面が乾燥する前に行うことを特徴とする基板処理方法。 - 前記後洗浄処理は、無電解めっきを施した後、前記洗浄液としてリンス液を用いてリンス処理を行うことと、その後、前記洗浄液として薬液を用いて薬液処理を行うことを含み、
前記リンス処理は、前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材のうち、前記無電解めっきの際と同じ方で基板の周縁を囲繞した状態で、前記スピンチャックにより基板を回転させながら基板にリンス液を供給し、基板から振り切られたリンス液を前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材のうち基板の周縁を囲繞しているものによって受け止めつつ行い、
前記薬液処理は、前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材の他方によって前記スピンチャックに保持された基板の周囲を囲繞した状態で、前記スピンチャックにより基板を回転させながら基板に薬液を供給し、基板から振り切られた洗浄液を前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材のうち基板の周縁を囲繞しているものによって受け止めつつ行うことを特徴とする請求項3に記載の基板処理方法。 - 前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材のうち無電解めっきの際とは異なるものによって前記スピンチャックに保持された基板の周縁を囲繞した状態で、前記無電解めっきを施す前に基板を洗浄液で前洗浄処理することをさらに含み、前記前洗浄処理、前記無電解めっき、前記後洗浄処理を基板の表面を乾燥させずに行うことを特徴とする請求項3または請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記後洗浄処理の洗浄液として、pHが3以上の酸性の薬液を用いることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記薬液はpHが3〜4であることを特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。
- 前記後洗浄処理の洗浄液として、界面活性剤を含む薬液を用いることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記薬液は、界面活性剤の濃度が0.0001%以上であることを特徴とする請求項8に記載の基板処理方法。
- 前記後洗浄処理は、無電解めっきを施した後、前記洗浄液としてリンス液を用いてリンス処理を行うことと、その後、前記洗浄液として薬液を用いて薬液処理を行うことを含むことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記無電解めっきに用いられるめっき液は界面活性剤を含んでいることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記Co合金はCoWB(コバルト・タングステン・ホウ素)またはCoWP(コバルト・タングステン・リン)からなる、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 基板に設けられたCu(銅)配線にCo(コバルト)合金からなる無電解めっきを施す基板処理装置であって、
基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された基板の周縁を囲繞する囲繞位置と基板の周縁から退避した退避位置とをとるように、前記スピンチャックに対して相対的に昇降する内側囲繞部材と、
前記内側囲繞部材の外側に設けられ、前記内側部材が基板の周縁から退避した際に、基板の周縁を囲繞する外側囲繞部材と前記スピンチャックに保持された基板の周縁を囲繞可能なように、前記スピチャックと相対的に昇降する内側囲繞部材と、
前記スピンチャックに保持された基板にめっき液を供給するめっき液供給機構と、
前記スピンチャックに保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給機構と
を具備し、
前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材の一方によって前記スピンチャックに保持された基板の周縁を囲繞した状態で、前記スピンチャックにより基板を回転させながら基板にめっき液を供給し、基板から振り切られためっき液を前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材のうち基板の周縁を囲繞しているものによって受け止めつつ、前記配線に無電解めっきを施し、
少なくとも一部の期間、前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材の他方によって前記スピンチャックに保持された基板の周囲を囲繞した状態で、前記スピンチャックにより基板を回転させながら基板に洗浄液を供給し、基板から振り切られた洗浄液を前記内側囲繞部材および前記外側囲繞部材のうち基板の周縁を囲繞しているものによって受け止めつつ、基板の後洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理装置。 - コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項12のいずれかの方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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