JP2013213263A - めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】めっき処理装置20は、基板2に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出機構44と、基板に向けてリンス液を吐出するリンス液吐出機構45と、基板に向けてめっき液を吐出するめっき液吐出機構30と、を備えている。リンス液吐出機構45には、リンス液吐出機構45にリンス液を供給するリンス液供給機構74が接続されている。このリンス液供給機構74は、脱酸素処理されたリンス液をリンス液吐出機構45に供給することができるよう構成されている。
【選択図】図1
Description
基板保持機構110は、図2に示すように、ケーシング101内で上下に伸延する中空円筒状の回転軸部材111と、回転軸部材111の上端部に取り付けられたターンテーブル112と、ターンテーブル112の上面外周部に設けられ、基板2を支持するウエハチャック113と、回転軸部材111に連結され、回転軸部材111を回転駆動する回転機構162と、を有している。
次にめっき液吐出機構30について説明する。めっき液吐出機構30は、基板2に向けてめっき液を吐出する吐出ノズル34と、吐出ノズル34が設けられた吐出ヘッド33と、を有している。吐出ヘッド33内には、めっき液供給機構71から供給されためっき液を吐出ノズル34に導くための配管や、めっき液を保温するための熱媒を循環させるための配管などが収納されている。
次にめっき液吐出機構30にめっき液を供給するめっき液供給機構71について、図3を参照して説明する。
次に洗浄液吐出機構44について説明する。洗浄液吐出機構44は、基板2に向けて洗浄液を吐出する吐出ノズル44aと、吐出ノズル44aが設けられた吐出ヘッド43と、を有している。吐出ヘッド43は、上下方向および水平方向に移動可能となるよう構成されている。例えばめっき液吐出機構30の吐出ヘッド33の場合と同様に、洗浄液吐出機構44の吐出ヘッド43は、アーム42の先端部に取り付けられており、このアーム42は、上下方向に延伸可能であるとともに回転機構166により回転駆動される支持軸41に固定されている。この場合、図2(b)に示すように、吐出ヘッド43は、基板2の中心部に対応する位置と基板2の周縁部に対応する位置との間で支持軸41を軸として水平方向に移動可能となっている。
図1に示すように、リンス液吐出機構45は、吐出ヘッド43に設けられ、基板2に向けてリンス液を吐出する吐出ノズル45aを有している。このように本実施の形態において、リンス液吐出機構45は、洗浄液吐出機構44との間で吐出ヘッド43,アーム42および支持軸41などを共用するよう構成されている。
また図1に示すように、不活性ガス吐出機構46は、吐出ヘッド43に設けられ、基板2に向けて不活性ガスを吐出する吐出ノズル46aを有している。リンス液吐出機構45の場合と同様に、不活性ガス吐出機構46は、洗浄液吐出機構44との間で吐出ヘッド43,アーム42および支持軸41などを共用するよう構成されている。
次に図4を参照して、各吐出機構44,45,46に洗浄液、リンス液および不活性ガスをそれぞれ供給する供給機構73,74,75について説明する。はじめに洗浄液供給機構73について説明する。
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、予め設けられている第1配線層上に第2配線層を形成する、配線形成方法について説明する。具体的には、まず、内面にバリア膜が設けられた凹部を第1配線層上に形成する方法について説明する。次に、上述のめっき処理装置20を用いた無電解めっき法によって、バリア膜上にシード膜を形成するめっき処理方法について説明する。その後、無電解めっき法によって凹部内に配線材料を埋め込むめっき処理方法について説明する。
次に、めっき処理装置20を用いて基板2に対して無電解めっき処理を行い、これによってバリア膜13上にシード膜14を形成するめっき処理方法について説明する。めっき処理装置20は、記憶媒体161に記録されためっき処理プログラムに従って、基板2にめっき処理を施すよう駆動制御される。
めっき処理装置20においては、はじめに、排液カップ120を所定位置まで降下させ、その後、めっき処理装置20内に基板2を搬入する。次に、搬入された基板2を基板保持機構110のウエハチャック113によって保持する。
その後、図6Aに示すように、基板2に向けて洗浄液吐出機構44から洗浄液73cを吐出する洗浄液吐出工程を実施する。はじめに、洗浄液吐出機構44の吐出ヘッド43を基板2の中心部に対応する位置まで移動させ、次に、基板2の中心部に向けて洗浄液吐出機構44の吐出ノズル44aから洗浄液73cを吐出させる。また、基板保持機構110によって基板2を所定の回転数で回転させる。これによって、図6Aにおいて矢印aで示すように、基板2の中心部に供給された洗浄液73cを、基板2の回転に起因する遠心力によって基板2の周縁部に向けて流れさせることができる。このことにより、基板2の表面の全域に洗浄液73cを行き渡らせることができる。
次に、図6B(a)(b)に示すように、基板2に向けてリンス液吐出機構45からリンス液74cを吐出するリンス液吐出工程を実施する。はじめに図6B(a)に示すように、吐出ヘッド43を基板2の中心部に対応する位置まで移動させ、次に、基板2の中心部に向けてリンス液吐出機構45の吐出ノズル45aからリンス液74cを吐出させる。この際、基板2上に存在している洗浄液73cが振り切られて基板2の表面が露出されるよりも前に、吐出ノズル45aからのリンス液74cの吐出が開始されるよう、リンス液吐出機構45が制御される。また、基板保持機構110によって基板2を所定の回転数で回転させる。この際、好ましくは図6B(b)において矢印bで示すように、吐出ノズル45aが設けられた吐出ヘッド43は、基板2の中心部から基板2の周縁部に向けて水平方向に移動される。このため、基板2の回転に起因する遠心力によってのみリンス液74cが基板2の周縁部に到達する場合に比べて、基板2上の洗浄液73cを迅速にリンス液74cに置換することができる。またリンス液74cを吐出しながら吐出ヘッド43を移動させることにより、吐出ノズル45aから吐出されたリンス液74cを基板2の各凹部12に直接到達させることができる。これによって、凹部12の下部においても十分に洗浄液73cをリンス液74cに置換することができる。
次に、図6Cに示すように、基板2に向けてめっき液吐出機構30からめっき液71cを吐出するめっき液吐出工程を実施する。はじめに図6Cに示すように、複数の吐出ノズル34が基板2の半径方向に沿って並ぶよう吐出ヘッド33を移動させ、次に、基板2に向けて各吐出ノズル34からめっき液71cを吐出させる。これによって、基板2の広域にわたって同時にめっき液71cを供給することができ、このことにより、基板2上のリンス液74cを迅速にめっき液71cに置換することができる。また、各凹部12の下部にまで十分にめっき液71cを行き渡らせることができる。この際、基板2上に存在しているリンス液74cが振り切られて基板2の表面が露出するよりも前に、吐出ノズル34からのめっき液71cの吐出が開始されるよう、めっき液吐出機構30が制御される。
その後、基板2に向けて後洗浄液を吐出する後洗浄液吐出工程、基板2に向けてリンス液を吐出するリンス液吐出工程、基板2に向けてIPAを吐出するIPA吐出工程、および、基板2に向けてドライエアを吐出するエア吐出工程などの後工程を実施する。その後、シード膜14が形成された基板2をめっき処理装置20から搬出する。これらの工程の際、不活性ガスやクリーンエアなどが基板2に向けて送られていてもよい。
次に、基板2に対して無電解めっき処理を行い、これによって凹部12内に配線材料を埋め込むめっき処理方法について説明する。
はじめに、無電解めっき処理を実施するための装置内に基板2を搬入する。装置としては、例えば、上述のめっき処理装置20と同様のめっき処理装置が用いられる。
その後、化学機械研磨によって、絶縁層11の上面に設けられている配線材料15aを除去する。このようにして、図5Fに示すように、凹部12内に設けられた配線15を備えた第2配線層10Bを第1配線層10A上に形成することができる。
図7に示すように、めっき処理装置20は、基板2の上方に配置されたトッププレート21をさらに備えていてもよい。トッププレート21は、上下方向に移動可能となるよう構成されている。例えば図7に示すように、トッププレート21は支持部25の一端に取り付けられており、この支持部25の他端は可動部24に取り付けられている。可動部24は、上下方向に延びる支持軸23に沿って、駆動機構167によって動かされるよう構成されている。このような駆動機構167,支持軸23,可動部24および支持部25を用いることにより、状況に応じて基板2とトッププレート21との間の距離を変化させることができる。
上述の本実施の形態において、めっき処理装置20を用いてバリア膜13上にシード膜14を形成し、次に、後洗浄工程などの後工程を実施し、その後、別の装置を用いて凹部12内に配線材料15aを埋め込む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、バリア膜13上にシード膜14を形成した後、同一のめっき処理装置20内において続けて、凹部12内に配線材料15aを埋め込む工程を実施してもよい。すなわち、シード膜14を形成する工程と、凹部12内に配線材料15aを埋め込む工程とを、一連の無電解めっき処理工程として同一のめっき処理装置20内で実施してもよい。
また本実施の形態において、洗浄液73c、リンス液74cまたはめっき液71cなどの液に含まれる酸素を除去するための脱気手段として、液の中に窒素などの不活性ガスを送り込むことによって液中の酸素を排出する手段が用いられる例を示した。すなわち、いわゆるバブリングによって液中の酸素が除去される例を示した。しかしながら、液中の酸素を除去するための具体的な方法が特に限られることはない。例えば、液を冷却することによって液中の酸素を除去する方法や、液の周囲雰囲気を減圧することによって液中の酸素を除去する方法、または、冷却と減圧とを組み合わせた方法などによって、液中の酸素を除去してもよい。
11 絶縁層
12 凹部
13 バリア膜
20 めっき処理装置
30 めっき液吐出機構
44 洗浄液吐出機構
45 リンス液吐出機構
74 リンス液供給機構
Claims (16)
- 絶縁層に形成された凹部であって、その内面に銅を含むめっき液とめっきが可能でかつ銅に対してバリア性を持つ金属膜が設けられている、凹部に対して、めっき処理を行うめっき処理装置において、
前記凹部が形成された前記絶縁層を含む基板に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出機構と、
前記基板に向けてリンス液を吐出するリンス液吐出機構と、
前記リンス液吐出機構にリンス液を供給するリンス液供給機構と、
前記基板に向けてめっき液を吐出するめっき液吐出機構と、を備え、
前記リンス液供給機構は、脱酸素処理されたリンス液を前記リンス液吐出機構に供給することができるよう構成されていることを特徴とするめっき処理装置。 - 前記基板の周囲に不活性ガスを供給する不活性ガス吐出機構をさらに備え、
前記不活性ガス吐出機構は、少なくとも、前記洗浄液吐出機構による処理と前記めっき液吐出機構による処理との間に前記リンス液吐出機構が前記基板に向けてリンス液を吐出するとき、前記基板の周囲に不活性ガスを供給するよう制御されることを特徴とする請求項1に記載のめっき処理装置。 - 前記基板の上方に配置されたトッププレートをさらに備え、
前記不活性ガス吐出機構は、前記トッププレートに設けられ、前記基板に向けて不活性ガスを吐出する吐出口を有することを特徴とする請求項2に記載のめっき処理装置。 - 前記基板を保持して所定の回転数で回転させる基板保持機構をさらに備え、
前記基板保持機構は、前記洗浄液吐出機構が前記基板に向けて洗浄液を吐出するとき、洗浄液によって前記基板の表面が覆われるよう、前記基板の回転数を設定することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のめっき処理装置。 - 前記洗浄液吐出機構に洗浄液を供給する洗浄液供給機構をさらに備え、
前記洗浄液供給機構は、脱酸素処理された洗浄液を前記洗浄液吐出機構に供給することができるよう構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のめっき処理装置。 - 前記リンス液吐出機構は、基板に向けてリンス液を吐出する吐出ノズルが設けられた吐出ヘッドを有し、
前記リンス吐出機構の前記吐出ヘッドは、リンス液を吐出しながら水平方向に移動可能となるよう構成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のめっき処理装置。 - 前記めっき液吐出機構は、基板の半径方向に沿って並べられ、基板に向けてめっき液を吐出する複数の吐出ノズルを含む、または、前記基板の半径方向に沿って延びる吐出口を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のめっき処理装置。
- 絶縁層に形成された凹部であって、その内面に銅を含むめっき液とめっきが可能でかつ銅に対してバリア性を持つ金属膜が設けられている、凹部に対して、めっき処理を行うめっき処理方法において、
前記凹部が形成された前記絶縁層を含む基板を準備する工程と、
前記基板に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出工程と、
前記洗浄液吐出工程の後、前記基板に向けてリンス液を吐出するリンス液吐出工程と、
前記リンス液吐出工程の後、前記基板に向けてめっき液を吐出するめっき液吐出工程と、を備え、
前記リンス液吐出工程において、脱酸素処理されたリンス液が前記基板に向けて吐出されることを特徴とするめっき処理方法。 - 前記リンス液吐出工程の際、前記基板の周囲に不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項8に記載のめっき処理方法。
- 前記リンス液吐出工程の際、前記基板の上方に配置されたトッププレートに設けられた吐出口から前記基板に向けて不活性ガスが吐出されることを特徴とする請求項9に記載のめっき処理方法。
- 前記リンス液吐出工程の際、前記基板の周囲雰囲気が不活性ガスであることを特徴とする請求項8に記載のめっき処理方法。
- 前記洗浄液吐出工程の際、洗浄液によって前記基板の表面が覆われるよう、前記基板が回転されることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか一項に記載のめっき処理方法。
- 前記洗浄液吐出工程において、脱酸素処理された洗浄液が前記基板に向けて吐出されることを特徴とする請求項8乃至12のいずれか一項に記載のめっき処理方法。
- 前記リンス液吐出工程において、水平方向に移動する吐出ヘッドの吐出口から前記基板に向けてリンス液が吐出されることを特徴とする請求項8乃至13のいずれか一項に記載のめっき処理方法。
- 前記めっき液吐出工程において、基板の半径方向に沿って並べられ、基板に向けてめっき液を吐出する複数の吐出ノズルから、または、前記基板の半径方向に沿って延びる吐出口から前記基板に向けてめっき液が吐出されることを特徴とする請求項8乃至14のいずれか一項に記載のめっき処理方法。
- 絶縁層に形成された凹部であって、その内面に銅を含むめっき液とめっきが可能でかつ銅に対してバリア性を持つ金属膜が設けられている、凹部に対して、めっき処理を行うめっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記めっき処理方法は、
前記凹部が形成された前記絶縁層を含む基板を準備する工程と、
前記基板に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出工程と、
前記洗浄液吐出工程の後、前記基板に向けてリンス液を吐出するリンス液吐出工程と、
前記リンス液吐出工程の後、前記基板に向けてめっき液を吐出するめっき液吐出工程と、を備え、
前記リンス液吐出工程において、脱酸素処理されたリンス液が前記基板に向けて吐出される、方法からなっていることを特徴とする記憶媒体。
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