TW200820329A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents
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Description
200820329 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於執行用以在形成於半導體基板等之基板 上的配線形成電鍍膜之一連串工程的基板處理方法及基板 處理裝置。 【先前技術】 半導體裝置近來是以更高積體化爲指向,使用電阻低 之Cu (銅)當作配線金屬,其目的爲提升動作速度。因 此,增加< 電流密度,容易產生電流密度增加,容易產生電 移(EM :由於電流所產生之Cu原子輸送),引起_配線之 斷線,產生如導致信賴性下降之問題點。 在此,在具有Cu配線之基板之表面供給含有CoWB (鈷、鎢、硼)或CoWP (鈷、鎢、磷)之電鍍液,藉由 無電解電鍍將總稱Co WB或Co WP等之蓋體金屬之金屬膜 覆蓋於Cu配線,以嘗試提升半導體裝置之EM耐性提升 (參照例如專利文獻1 )。 一蓋體金屬一般藉由將電鍍液供給至具有Cu配線之基 板之表面而形成。因此,於形成蓋體金屬之後,以除去附 著於配線部份以外之基板的多於電鍍液爲目的,執行以洗 淨液洗淨基板(參照例如專利文獻2、3 )。 但是,使用包含Co WB或CoWP等之電鍍液的無電解 電鍍,因通常藉由電鍍液所含之屬於硼氫化鈉(s B Η )之 衍生物的二甲胺硼烷(DMAB )等之還原劑分解時所產生 200820329 的電子電動勢,進行電鍍製程,故於還原劑分解時產生氫 氣體。當該氫氣體氣泡化吸附於製程中之金屬膜時,氣泡 部份及氣泡部份上無法進行電鍍製程,在金屬膜形成由氣 泡所產生之空隙而損傷金屬膜之連續性。另外,Co WB或 CoWP等之金屬膜,由於一般爲多晶體故存在晶粒,密度 低晶粒經之間隙(針孔)也較大。 再者,於形成蓋體材料後,通常在蓋體金屬之表面, 泥狀存在有藉虫電鍍反應所產生之副生成物(殘渣),幾 乎乾燥而予以析出。該析出物當殘存於蓋體金屬時,則有 使配線間之洩漏電流增大之虞。爲了防止如此之事態,可 以考慮藉由上述基板之洗淨除去析出物,但是析出物因強 固附著於電鍍之表面,故在以往所使用之洗淨液以及洗淨 工程中,則有無法充分除去析出物之虞。因此,以往之含 有無電解電鍍工程以及無電解電鍍後之洗淨工程的處理方 法中,不得不降低蓋體金屬之品質,其結果則需擔心會降 低裝置之信賴性。 再者,基板表面有藥液之濕潤性隨著親水性、疏水性 變化而下降產生乾燥之情形,Clx表面有再次氧化之虞。 如此一來,以往之電鍍方法中,要以充分品質形成蓋 體金屬則有困難,其結果,難以使半導體裝置之EM耐性 充分提升則爲實情。 〔專利文獻1〕日本特開2 0 〇 6 -1 1 1 9 3 8號公報 〔專利文獻2〕日本特開2000-58487號公報 〔專利文獻3〕日本特開2003-179058號公報 200820329 【發明內容】 本發明之目的在於提供可以在配線形成品質高無電解 電鍍膜之基板處理方法及基板處理裝置。 若藉由本發明之第1觀點,則提供一種基板處理方法 ,包含對形成在基板上之Cu (銅)配線施予由Co (鈷) 合金所構成之無電解電鍍;以洗淨液對施予上述無電解電 鍍後之_.基板執行後洗淨處理;和多數次重複執行上述無電 解電鍍和上述後洗淨處理,在上述配線形成電鍍膜。 在上述第1觀點中,上述後洗淨處理包含使用當作上 述_洗_淨液之沖洗液執行除去附著於基板之無電解電鍍液的 沖洗處理。再者,上述後洗淨處理可以包含使用當作上述 洗淨液之沖洗液執行除去附著於基板之無電解電鍍液的第 1沖洗處理;於上述第1沖洗處理後,使用當作上述洗淨 液之藥液執行除去藉由上述配線之表面之無電解電鍍反應 所形成之副生成物的藥液處理;和於藥液處理後,使用當 作上述洗淨液之沖洗液執行除去附著於基板之藥液的第2 沖洗處理。並且,上述後洗淨處理是於施予上述無電解電 鍍之後的電鍍表面乾燥前執行爲佳。又,上述藥液可以使 用pH爲3以上之酸性的藥液爲佳,再者,上述藥液可以 使用包含界面活性劑。 若藉由本發明之第2觀點,則提供一種基板處理方法 ’包含使形成有Cu (銅)配線之基板表面予以親水化; 於親水化後對上述Cu (銅)配線施予由Co (鈷)合金所 -7- 200820329 構成之無電解電鍍;以洗淨液對施予上述無電解電鍍後之 基板執行後洗淨處理;於上述後洗淨處理之後使基板乾燥 :和依上述親水化、上述無電解電鍍、上述後洗淨處理、 上述乾燥之順序多數次重複執行,從上述親水化至上述乾 燥之前的期間不使基板乾燥執行處理,在上述配線形成電 鍍膜。 若藉本發明之第3觀點,則提供一種基板處理方法, 包含以洗淨液將基板予以前洗淨處理,使除去形成在基板 之配線的氧化膜及/或污染物;於上述前洗淨處理之後, 對上述Cu (銅)配線施予由Co (鈷)合金所構成之無電 解電鍍;以洗淨液對施予上述無電解電鍍之後的基板執行 後洗淨處理;和依上述前洗淨處理、上述無電解電鍍、上 述後洗淨處理之順序多數次重複執行,上述前洗淨處理、 上述無電解電鍍、上述後洗淨處理之間,不使基板乾燥執 行處理,在上述配線形成電鍍膜。 若藉由本發明之第4觀點,則提供一種基板處理方法 * ,包含使形成有Cu (銅)配線之基板表面予以親水化; 以洗淨液將基板予以前洗淨處理,使除去形成在基板之上 述Cu (銅)配線的氧化膜及/或污染物;於上述前洗淨處 理之後,對上述Cu (銅)配線施予由Co (鈷)合金所構 成之無電解電鍍;以洗淨液對施予上述無電解電鍍之後的 基板執行後洗淨處理;於上述後洗淨處理之後使基板乾燥 :和依上述親水化、上述前洗淨處理、上述無電解電鍍、 上述後洗淨處理、上述乾燥之順序多數次重複執行,從上 -8- 200820329 述親水化至上述乾燥之前的期間不使基板乾燥執行處理, 在上述配線形成電鍍膜。 若藉由本發明之第5觀點時’則提供一種基板處理方 法,使用具備有將基板保持水平而旋轉之旋轉夾具,和圍 繞上述旋轉夾具所保持之基板之邊緣的圍繞構件之基板處 •理裝置,在被設置於基板之C u (銅)配線形成由C 〇 (銘 )合金所構成的無電解電鍍,包含使上述旋轉夾具保持基 φ 板;藉由上述旋轉夾具一面使基板旋轉,一面對基板供給 電鑛液,並一邊藉由上述圍繞構件擋住自基板甩掉的電鍍 液,一邊對上述配線施予無電解電鍍;一面藉由上述旋轉 夾具使施予無電解電鍍後之基板旋轉,一面將洗淨液供給 至基板,並一邊藉由上述圍繞構件擋住自基板甩掉的洗淨 液,一邊執行基板之後洗淨處理,和多數次重複執行上述 無電解電鍍及上述後洗淨處理,上述後洗淨處理是於施予 上述無電解電鍍之後的電鍍表面乾燥前執行。 # 上述第5觀點中,上述後洗淨處理即使包含使用當作 上述洗淨液之沖洗液執彳了除去附著於基板之無電解電鍍液 之沖洗處理亦可,再者,上述後冼淨處理即使包含使用當 作上述洗淨液之沖洗液執行除去附著於基板之無電解電鍍 _ 液的第1沖洗處廸;於上述第1沖洗處理後,使用當作上 述洗淨液之藥液執行除去藉由上述配線之表面之無電解電 鍍反應所形成之副生成物的藥液處理;和於藥液處理後, 使用當作上述洗淨液之沖洗液執行除去附著於基板之藥液 的第2沖洗處理亦可。 -9 - 200820329 再者,在上述第5觀點中,上述圍繞構件可以具有以 取得圍繞上述旋轉夾具所保持之基板之邊緣的圍繞位置和 自基板之邊緣迴避的迴避位置之方式,對上述旋轉夾具相 對性升降的內側圍繞構件,和被設置在上述內側圍繞構件 之外側,於上述內側構件自基板邊緣迴避之時,圍繞基板 邊緣之外側圍繞構件,上述無電解電霞是在藉由上述內側 圍繞構件及上述外側圍繞構件之一方,圍繞被上述旋轉夾 具保持之基板之邊緣的狀態下執行,上述後洗淨之上述第 1沖洗處理是在上述內側圍繞構件及上述外側圍繞構件原 樣之狀態下執行,上述後洗淨處理之前述藥液處理,是在 藉由上述內側圍繞構件及上述外側圍繞構件之另一方圍繞 被上述旋轉夾具保持之基板邊緣的狀態下執行,述後洗淨 處理之上述第2沖洗處理是在上述內側圍繞構件及上述外 側圍繞構件執行上述藥液處理之時的狀態下執行。 並且,在上述第5觀點中,上述藥液可以使用pH爲 3以上之酸性者,再者,可以上述藥液可以使用包含界面 活性劑者。並且,可以使用上述Co合金是由CoWB (銘 、鎢、硼)或是由CoWP (鈷、鎢、磷)所構成者,以當 作適合例。 若藉曲本發明之第6觀=點,則提供一種基板處理裝置 ,對設置在基板上之Cii (銅)配線施予由Co (鈷)合金 所構成之無電解電鍍,形成電鍍膜,具備旋轉夾具,使基 板保持水平而予以旋轉;圍繞構件,圍繞被上述旋轉夾具 所保持之基板邊緣;電鍍液供給機構,對被上述旋轉夾具 -10- 200820329 所保持之基板供給電鍍液;洗淨液供給機構,對被上述旋 轉夾具所保持之基板供給洗淨液;和控制部,用以控制藉 由旋轉夾具之旋轉、藉由上述電鍍液供給機構之電鍍液供 給及藉由上述洗淨液供給機構-之洗淨液供給,上述控制部 是控制成不使電鍍表面乾燥,多數次重複執行一面藉由上 述旋轉夾具使基板旋轉,一面將電鍍液供給至基板,並一 邊藉由上述圍繞構件擋住自基板甩掉之電鍍液,一邊對上 述配線施予無電解電鍍之無電解電鍍處理,和於上述無電 解電鍍處理後,一面藉由上述旋轉夾具使基板旋轉,一面 將洗淨液供給至基板,並一邊藉由上述圍繞構件擋住自基 板甩掉之洗淨液,一邊施予基板之後洗淨處理的後洗淨處 理。 上述第6觀點中,上述洗淨液供給機構可以供給當作 洗淨液之藥液及沖洗液,上述控制部於上述後洗淨處理之 時,控制成順序使用當作洗淨液之沖洗液執行除去附著於 基板之無電解電鍍液之第1沖洗處理;使用當作上述洗淨 液之藥液除去因上述配線表面之無電解電鍍反應所形成之 副生成物的藥液處理,及於藥液處理後使用當作上述洗淨 液之沖洗液除去附著於基板之藥液之第2沖洗處理。 在上述第6觀點中,上述圍繞構件可以構成具有以取 得圍繞上述旋轉夾具所保持之基板之邊緣的圍繞位置和自 基板之邊緣迴避的迴避位置之方式,對上述旋轉夾具相對 性升降的內側圍繞構件,和被設置在上述內側圍繞構件之 外側,於上述內側構件自基板邊緣迴避之時,圍繞基板邊 -11 - 200820329 緣之外側圍繞構件,上述控制部是以上述無電解電鍍在藉 由上述內側圍繞構件及上述外側圍繞構件之一方,圍繞被 上述旋轉夾具保持之基板之邊緣的狀態下執行,上述後洗 淨之上述第1沖洗處理是在上述內側圍繞構件及上述外側 圍繞構件原樣之狀態下執行,上述後洗淨處理之前述藥液 處理,+是在藉由上述內側圍繞構件及上述外側圍繞構件之 另一方圍繞被上述旋轉夾具保持之基板邊緣的狀態下執行 ,上述後洗淨處理之上述第2沖洗處理是在上述內側圍繞 構件及上述外側圍繞構件執行上述藥液處理之時的狀態下 執行之方式,控制上述內側圍繞構件和上述外側圍繞構件 之相對性升降。 若藉由本發明之第7觀點,則提供一種記憶媒體,在 電腦上動作,記憶有控制基板處理裝置之程式,其特徵爲 :上述程式於實行時,以執行基板處理方法之方式,使電 腦控制基板處理裝置,上述基板處理方法包含:對形成在 基板之Cu (銅)配線上施予由Co (銘)合金所構成之無 電解電鍍;對施予上述無電解電鍍之後的基板,以洗淨液 執行後洗淨處理;和多數次重複執行上述無電解電鍍和上 述後洗淨處理,在上述配線形成電鍍膜。 若藉由本發明之第8點,則提供一種記憶媒體,在電 腦上動作,記憶有控制基板處理裝置之程式,上述基板處 理裝置具備有將基板保持水平旋轉之旋轉夾具,和圍繞被 上述旋轉夾具保持之基板之邊緣的圍繞構件,其特徵爲: 上述程式於實行時,以執行基板處理方法之方式,使電腦 -12- 200820329 控制基板處理裝置,上述基板處理方法爲在被設置於基板 之Cu (銅)配線上形成由Co (鈷)合金所構成之無電解 電鍍膜的基板處理方法,包含··使上述旋轉夾具保持基板 ;藉由上述旋轉夾具一面使基板旋轉,一面對基板供給電 鍍液,並一邊藉由上述圍繞構件擋住自基板甩掉的電鍍液 ,一邊對上述配線施予無電解電鍍;一面藉由上述旋轉夾 具使施予無電解電鍍後之基板旋轉,一面將洗淨液供給至 基板,並一邊藉由上述圍繞構件擋住自基板甩掉的洗淨液 ,一邊執行基板之後洗淨處理,和多數次重複執行上述無 電解電鍍及上述後洗淨處理,上述後洗淨處理是於施予上 述無電解電鍍之後的電鍍表面乾燥前執行。 若藉由本發明,因多數次重複對配線執行無電解電鍍 ,形成電鍍膜,故可以有效防止因氫氣體或存在於電鍍液 之氣體之氣泡等之空隙及晶粒之針孔。依此,可以提高電 鍍膜之覆蓋度而防止配線之金屬擴散,能夠顯著提升電移 耐性以及阻障性。再者,藉由於無電解電鍍後以洗淨液洗 淨基板,亦可以除去引起洩電流增大之存在於電鍍膜表面 的因電鍍反應所產生之副生成物,能夠取得高品質之電鍍 再者,從無電解電鍍處理至後洗淨,最佳爲不使基板 乾燥執行包含無電解電鍍處理之一連串工程,依此不會產 生難以除去之副生成物析出,或c U配線層之氧化、電鍍 膜之形態惡化等之不良狀態。因此,可以提高因無電解電 鍍所產生之配線的電-鍍品質。 -13- 200820329 【實施方式】 以下,一面參照附件圖面,一面針對本發明之實施形 態予以說明。 第1圖爲表示能夠實施本發明所涉及之基板處理方法 之無電解電鍍單元的無電解電鍍系統之槪略構造之平面圖 〇 無電解電鍍系統1具備有對擁有例如由Cu所構成之 配線的晶圓W施予無電解電鍍處理及該無電解電鍍處理 之前後處理的處理部2,和處理部2之間將晶圓W予以搬 進搬入之搬出入部3。 搬出入部3是由下述兩機構所構成:進出埠4,設置 有用以載置能夠以特定間隔將多數片晶圓W略水平姿勢 收容成垂直方向之晶圓傳送盒(FOUP : Front Opening Unified Pod) F之載置台6 ;和晶圚搬運部5,設置有在 被載置於載置台6之晶圓傳送盒F和處理部2之間執行晶 圓W之交接的晶圓搬運機構7。 晶圓傳送盒F在一側面具有用以搬出入晶圓W之搬 出入口’在該側面設置有能夠開關搬出入口之蓋體而構成 。在晶圓傳送盒F內於上下方向多數處形成有收容晶圚W 之狹槽’各狹槽是使表面(具有配線之面)成上側一片一 片收容晶圓。 出入埠4之載置台6是在無電解電鍍系統1之寬方向 (Y方向)多數個例如3個-排列載置晶圓傳送盒F,晶圓 -14- 200820329 傳送盒F具有搬出入口之側面朝向出入埠4和晶圚搬運部 5之境界壁8側而被載置。境界壁8是在對應於晶圓傳送 盒F之載置場所之位置形成窗部9,在晶圓搬運部5側設 置有開關窗部9之快’門10。 快門1 〇是與窗部9之開關同時,可以也開關設置於 晶圓傳送盒F之蓋體。快門1 0是以於晶圓傳送盒F載置 在載置台6之特定位置時不動作之方式,具有連鎖裝置而 構成爲佳。當快門1〇開啓窗部9,晶圓傳送盒F之搬出 入口和晶圓搬運部5連通時,則可對被設置在晶圓搬運部 5之晶圓搬運機構7之晶圓傳送盒F存取。 晶圓搬運機構7具有保持晶圓W之搬運夾具1 1而能 夠移動至Y方向。搬運夾具1 1能夠在無電解電鍍系統1 之長度方向(X)方向進退,並且能夠在無電解電鍍系統 1之高度方向(Z)方向升降,並且能夠在X-Y平面內旋 轉。依此,晶圓搬運機構7構成在被載置於載置台6之任 意晶圚傳送盒F和處理部2之交接單元(TRS ) 1 6之間搬 運晶圓W。 處理部2因在晶圓搬運部5之間執行晶斷1之交接 ,故具備有暫時性載置晶圓W之交接單元(TRS ) 16、對 晶圓W施予無電解電鍍處理及洗淨等之無灣Γ解電鍍處理 之前處理的無電解電鍍單元(PW ) 12 (基板處理裝置) 、在無電解電鍍單元(P W ) 1 2 (基板處理裝置)、在無 電解電鍍單元(PW ) 1 2將處理前後之晶圓W予以加熱處 理之熱板單元(HP ) 1 9、冷卻在熱板單元(HP ) 1 9所加 -15- 200820329 熱之晶圓w的冷卻單元(COL ) 22,和能夠存取至該些所 有單元,在該些單元間執行晶圓W之搬運的主晶圓搬運 機構1 8。並且,處理部2之頂棚部設置有用以將清淨之空 氣下向流至各單元及主晶圚搬運機構1 8之無圖式之過濾 風扇單元。 交接單元(TRS ) 16是在設置在處理部2之略中央部 之主晶圓搬運機構18和晶圓搬運部5之間,疊層多數段 例如兩段而設置,下段之交接單元(TRS ) 1 6是用以載置 自搬出入部3搬運至處理部2之晶圓W,上段之交接單元 (TRS ) 1 6是用於自處理部2搬運至搬出入部3之晶圓W 。熱板單元(HP ) 19是在交接單元(TRS )之Y方向兩 側各疊層多數段例如4段而設置。冷卻單元(C Ο L ) 2 2是 以例如熱板單元(HP ) 1 9鄰接之方式,在主晶圓搬運機 構18之Y方向兩側各疊層多數段、4段而設置。無電解 電鍍單元(PW) 12是以鄰接冷卻單元(COL) 22及主晶 圓搬運機構18之方式,在Y方向並列兩列,並且疊層多 數段例如兩段而設置。 主晶圓搬運機構1 8具有例如上下多數設置之保持晶 圓W之搬運手臂17,搬運手臂17能夠在Z方向升降’並 且能夠在X-Y平面內旋轉,並且能夠在X-Y平面內進退 。依此,主晶圚搬運機構1 8構成可以將晶圓W搬運至交 接單元(TRS ) 16、無電解電鍍單元(PW) 12、熱板單元 (HP)19、冷谷P單元(COL) 22之各單元。 無電解電鍍系統1構成連接於具備有微處理器(電腦 -16- 200820329 )之製程控制器3 1而控制。製程控制器3 1連接有由工程 管理者執行用以管理無電解電鍍系統1之各部或是各單元 之指令的輸入操作等之鍵盤,或將各部或者各單元之動作 狀況可視化而予以顯不之顯不器等所構成之使用者介面3 2 ;和儲存處理程式之記憶部3 3,該處理程式記錄有用以製 程控制器3 1之控制實現在無電解電鍍系統!所實行之各 處理之控制程式或處-理條件資料等。然後,因應所需,接 收來自使用者介面32之指示等,自記憶部33叫出任意之 處理程式,使製程控制器31實行,依此在製程控制器31 之控制下,以無電解電鍍系統1執行所欲之各處理。再者 ,上述處理程式可以利用 CD-ROM、硬碟、非揮發性記憶 體等之儲存於可讀出的記憶媒體者,或是能夠自無電解電 鍍系統1之各部或是各單元間或是外部之裝置,經例如專 用回線隨時傳送而在線上利用。
在如此構成之無電解電鍍系統1中所處理之晶圓W, 是例如第6圖所不般,具有由S i等之材料所構成之無圖 式之板狀之基材、由形成在該基材表面之Si02等之材料 所.成之絕緣膜1 〇 1、設置在形成在該絕緣膜1 0 1表面之 溝部內之阻障金屬1 05,和經由該阻障金屬1 05而被設置 在絕緣膜1 〇 1之溝部內之例如由Cu所構成之配線1 02。 在無電解電鍍系統1中,首先藉由搬運機械人或操作器等 ,將收納有處理前之晶圓W之晶圓傳送盒F載置在出入 埠4之載置台6上之特定位置。接著,藉由晶圓搬運機構 7之搬運拾取器11,自晶圓傳送盒F —片一片取出晶圚W -17- 200820329 ,將所取出之晶圓W搬運至交接單元(TRS ) 1 6。在此, 於配線1 02之表面存在腐鈾防止用之有機系膜時,藉由主 晶圓搬運裝置18之搬運手臂17自交接單元(TRS ) 16將 晶圚W搬運至熱板單元(HP ) 1 9,在熱板單元(HP ) 1 9 預烘烤處理晶圓W,使有機系膜昇華,之後藉由主晶圓搬 運裝置1 8,將晶圚W自熱板單元(HP ) 1 9搬運至冷卻單 元(COL ) 22,以冷卻單元(COL ) 22冷卻晶圓W。 接著,藉由主晶圓搬運裝置1 8將晶圓W搬運至無電 解電鍍單元(PW) 12,以無電解電鍍單元(PW) 12施予 設置在晶圓W之配線1 0 2之無電解電鍍處理,及晶圓W 之洗淨等之無電解電鍍處理之前後處理。並且,針對無電 解電鍍單元(PW ) 1 2於後詳細說明。 若完成在無電解電鍍單元(PW) 12之處理,藉由主 晶圓搬運裝置1 8將晶圓W搬運至交接單元(TRS ) 1 6, 藉由晶圓搬運機構7之搬運夾具1 1,將晶圓W從交接單 元(TRS ) 1 6搬運至晶圓傳送盒F之原狹縫內。並且,於 完成無電解電鍍單元(PW ) 1 2之處理後,於將晶圓W搬 運至交接單元(TRS ) 1 6之前,即使因應所需執行晶圓W 之後烘烤處理亦可。此時,藉由主晶圓搬運裝置1 8將晶 圓W自無電解電鍍單元(PW) 12搬運至熱板單元(HP) 19,在熱板單元(HP )將晶圓W予以後烘烤處理,藉由 無電解電鍍處理,使覆蓋配線1 之蓋體金屬所含之有機 物昇華,並且提高配線1 〇2和蓋體之附著性,之後,藉由 主晶圓搬運裝置1 8將晶圓W自熱板單元(HP ) 1 9搬運至 -18- 200820329
冷卻單元(COL ) 22,在冷卻單元(C〇L ) 22冷卻晶圓W 〇 接著,針對無電解電鍍單元(PW ) 1 2予以詳細說明 〇 第2圖爲無電解電鍍單元(pw) 12之槪略平面圖, 第3圖爲該槪略剖面圖。 無電解電鍍單元(PW ) 1 2具備有外殼42、設置在外 殼42內之外腔室43 (外側圍繞構件),和配置在外腔室 43之內側的內杯罩47 (內側圍繞構件),和配置在內杯 罩47內之將晶圓W水平或略水平保持而旋轉之旋轉夾具 46,和將電鍍液或洗淨液等之液體及氣體供給至旋轉夾具 46所保持之晶圓W上之噴嘴部5 1。 在外殼42之側壁設置有在該外殼42內外之間藉由搬 運手臂17將晶圓W搬入搬出之窗部44a,該窗部44a是 構成藉由第1快門44予以開關。 外腔室43是形成在底部具有開口之筒狀或箱狀,設 置成該側壁圍繞被旋轉夾具46保持之晶圓W。外腔室43 之側壁是在與被旋轉夾具46保持之晶圓W大略相等之高 度位置,具有內壁從下方朝向上方形成錐面部43c,在該 錐面部43c,於外腔室43內外之間用以藉由搬運手臂17 將晶圓W予以搬入搬出之窗部45a,是被形成與外殼42 之窗部44a相向,該窗部45a是構成藉由第2快門45而 開關。 在外腔室43之上壁,設置有用以將氮氣·體(N2)或 -19- 200820329 是潔淨氣體而形成下向流之氣體供給孔89。在下腔室43 之環狀底壁,設置有用以形成排氣、排液之排液管85。 內杯罩47在上部及底部形成具有開口之筒狀,在圍 繞被旋轉夾具46保持之晶圓W之處理位置(參照第3圖 之實線),和退避至比被旋轉夾具46保持之晶圓W下方 之退避位置(參照第3圖之假想線)之間,設置成可藉由 汽缸等之升降機構升降。內杯罩47是以與外腔室43之錐 部43c對應之方式,從下方朝向上方在上端部具有形成錐 狀之錐部47a,在環狀之底壁具有用以執行排氣、排液之 排液管8 8,於被配置在處理位置之時,錐部47a構成位於 與被旋轉夾具46所保持之晶圓W大略相等高度。 內杯罩47於對被旋轉夾具46所保持之晶圓W執行 無電解電鍍處理之時被配置在處理位置。因此,藉由後述 之噴嘴部5 1供給至晶圓W,由於藉由錐部等47a之內杯 罩47擋住因自晶圓W落下或是自晶圓W跳起或是自旋轉 夾具46之旋轉而從晶圓W甩掉之電鍍液,故可以防止飛 散至周圍。內杯罩4 7之内壁是以防止因電鑛液之附者所 造成腐蝕之方式,先施予對應於電鍍液之耐飩加工’例如 氟化氫樹脂之塗層爲佳。藉由內杯罩47而被擋住之電鍍 液被引導至排液管8 8。並且,排液管8 8連接有無圖式之 回收管,藉由該回收管回收電鍍液而予以再利用或廢棄( 排液)。 再者,內杯罩47是在搬運手臂47和旋轉夾具46之 間執行晶圓W之交接時或洗淨晶圓W之時等,被配置至 -20- 200820329 退避位置。因此,於以藥液洗淨晶圓W時,被旋轉夾具 46所保持之晶圓W因藉由外腔室43圍繞,故藉由後述之 噴嘴部5 1 4被供給至晶圓W,由於藉由錐部43 c等之外腔 室43擋住因自晶圓W落下或是自晶圓W跳起或是自旋轉 夾具4 6之旋轉而從晶圓W甩掉之電藥液,故可以防止飛 散至周圍。並且,此時,即使藉由內杯罩4 7之錐部4 7 a 之外壁亦可以擋住藥液。外腔室4 3之內壁及內杯罩4_7之 錐部47a之外壁是以防止因附著藥液而產生腐餽之方式, 先施予對應於藥液之耐蝕加工,例如氟化氫樹脂之塗層爲 佳。藉由外腔室43而被擋住之電鍍液被引導至排液管85 。並且,排液管8 5連接有無圖式之回收管,藉由該回收 管回收電鍍液而予以再利用或廢棄(排液)。 旋轉夾具46具有能夠水平方向旋轉之旋轉筒體62; 自旋轉筒體62之上端部水平擴展之環狀旋轉板6 1 ;被設 置在旋轉板6 1之外緣部的載置晶圓-W而支撐之載置插銷-6 3 ;和被設置在旋轉板61之外緣部,抵接成推壓被載置 插銷63支撐之晶圓W之緣部的推壓插銷64。搬運手臂 1 7和旋轉夾具46之間之晶圓W之交接是利用載置插銷而 執行。載置插銷63由確實支撐晶圓W之觀點來看以至少 在周方向隔著間隔設置3處爲佳。 推壓插銷64是以不妨礙在搬運手臂1 7和旋轉夾具46 之間交接晶圓 W之方式,藉由無圖式之位於推壓機構將 旋轉板6 1之下部的部份推至旋轉板6 1側,依此構成上端 部(前端部)可以移動至旋轉板61之外側而傾斜。推壓 -21 - 200820329 插銷64也從確實支撐晶圓W之觀點來看,以至少在周方 向隔著間隔設置3處爲佳。 在旋轉筒體6 2之外周面,捲繞著藉由馬達6 6之驅動 而旋轉之皮帶,依此旋轉筒體62旋轉筒體62旋轉藉由載 置插銷63及推壓插銷64所保持之晶圓W水平或略水平 旋轉。推壓插銷6-4藉由調整重心之位置〃於晶圓W旋轉 時,推壓晶圓W之力則被調整,例如當重心設-置在比旋 轉板6 1下側時,因在比.旋轉板6 1下側之部份產生遠心力 ,上端部移動至內側,故推壓晶圓W之力變高。
在被旋轉夾具46所保持之晶圓W之下方,以相向晶 圓W之下面能夠升降之方式,設置有用以調節晶圓w之 溫度之底板48。底板48是藉由內藏之無圖式加熱器保持 特定溫度,被配置在旋轉板61之上側,並且以載置插銷 6 3及推壓插銷6 4所圍繞之空間內’連接於貫通旋轉筒體 62內而設置之傳動軸67。傳動軸67經設置在旋轉筒體62 之下側之水平板68,而連接於具有汽缸等之升降機構69 ,藉由該升降機構6 9能夠升降。在底板4 8之上面,多數 設置有朝向晶圓W之下面而供給純水或乾燥氣體等之處 理流體之處理流體供給口 8 1,在底板4 8內及傳動桿6 7內 ,設置有使當作調溫流體之純水或乾燥氣體之氮氣體等之 處理流體流通於處理流體供給口 81之處理流體供給路8 7 。傳動軸67內之處理流體供給路87上設置有交換器84, 流動於處理流體供給路87之處理流體構成藉由熱交換器 84被加熱至特定溫度而自處理流體供給口 8 1朝向晶圓W -22- 200820329 下面供給。 底板48是於旋轉夾具46和搬運手臂17之間執行晶 圓W之交接時,以不干涉搬運手臂1 7之方式,下降至接 近於旋轉板6 1 (參照第3圖之實線),於對被旋轉夾具 46所保持之晶圓W之配線102施予無電解電鍍之時,構 成上昇至接近於晶圓W (參照第3圖之假想線)。 噴嘴部5 1是水平或大略水平延伸.,在設置成與外腔 室43連通之噴嘴儲存室50內儲存有(使電鍍液等吐出至 晶圓W上之側)之特定部份。噴嘴部5 1 —體性具有能夠 選擇性將洗淨液之藥液、洗淨液或是沖洗液之純水及氮氣 體供給至晶圓W上之洗淨噴嘴5 1 a,和能夠將當作乾燥氣 體之氮氣體供給至晶圓W上之乾燥噴嘴5 1 b,和將電鍍液 能夠供給至晶圓W上之電鍍液噴嘴5 1 c。洗淨噴嘴5 1 a、 高造噴嘴5 1 b及電鍍液噴嘴5 1 c是被並列配置於水平或是 略水平方向。洗淨噴嘴5 1 a、乾燥噴嘴5 lb及電鍍液噴嘴 51c各在前端部具有朝向下方彎曲之噴嘴片52a、52b、 5 2 c。再者,洗淨噴嘴5 1 a、乾燥噴嘴5 1 b及電鍍液噴嘴 5 1 c是連接於用以供給電鍍液或洗淨液、n2氣體等之流體 之處理流體供給機構60。 第4圖爲表示噴嘴部51及用以供給電鍍液等之處理 流體至噴嘴部5 1之處理流體機構之槪略構成的圖式。 如第4圖所示般,處理流體供給機構6〇具有用以將 藥液送至洗淨噴嘴5 1 a之洗淨液供給機構7 〇,和將電鍍液 送至電鍍液噴嘴5 1 c之電鍍液供給機構90。 -23- 200820329 洗淨液供給機構70具有將藥液加熱調節至特定温度 而予以貯留之藥液貯流槽7 1 ;取出藥液貯留槽7 1內之藥 液的泵73 ;和將藉由泵73所取出之藥液切換至往洗淨噴 嘴5 1 a之移送的閥71a。使洗淨液供給機構70之藥液之外 ,被加熱調節至特定溫度之純水及氮氣體送至洗淨噴嘴 5 1a,構成藉由切換閥74a、74b、74c之開關,選擇藥液 、純水及氮氣體中之任一者而送出。並且,被送至洗淨噴 嘴5 1 a及乾燥噴嘴5 1 b之氮氣.體供給源可以設爲例如相同 者’可以藉由另外設置的閥74d之開關調整往乾燥噴嘴 51b移送氮氣體。 電鍍液供給機構90具有貯留電鍍液之電鍍液貯留槽 9 1 ;取出電鍍液貯留槽9 1內之電鍍液之泵92 ;將藉由泵 92所取出之電鍍液切換至移送加熱調節至特定溫度而予以 貯留之藥液貯流槽7 1 ;將藥液貯留槽7 1內之藥液提出之 泵7 3 ;和將藉由泵73所提出之藥液切換至往電解液噴嘴 5 1 c移送之閥93 ;和將通過閥93而被送至電鍍液噴嘴5 ! c 之電鍍液加熱至特定溫度之加熱源9 4。加熱源9 4是由加 熱器或熱交換器等所構成。 噴嘴部5 1是被設置在構成噴嘴儲存室5 0之外壁之壁 咅P 5〇a的略環狀或是筒狀噴嘴保持構件54所保持。噴嘴 保持構件54是以關閉形成在壁部50a之插通孔57之方式 ’能夠滑動設置在上下方向,在外周隔著特定間隔具有3 片板狀構件54a、54b、54c。另外,在壁部5.0a之插通孔 57之邊部,形成有板狀構件54a、54b、54c和·厚度方向密 -24- 200820329 封卡合之卡合部50b,藉由板狀構件54a、54b、54c和卡 合部5 Ob密封性卡合,噴嘴儲存室5 0內之環境難以洩漏 至外部。 噴嘴保持構件54在噴嘴儲存室50之外側經略L字型 之機械手臂55連接噴嘴升降機構56a,噴嘴部51能夠藉 由噴嘴升降機構56a而升降。再者,在噴嘴保持構件54, 噴-嘴儲存室50之內側設置有圍繞噴嘴部51之風箱54d。 噴嘴部5 1藉由上述噴嘴滑動機構56b能夠在水平方向滑 動,風箱54d隨著墳嘴部51之滑動而伸縮。 在噴嘴儲存室5 0和外腔室4 3之境界之壁部,設置有 用以使噴嘴部51出入之窗部43a,該窗部43a是藉由門機 構43b開壁自如。噴嘴部51當打開窗部43a,藉由噴嘴升 降機構56a成爲調整爲與窗部43a對應之高度的狀態時, 前端側部藉由噴嘴滑動機構56b能夠進退至外腔室43。 第5層爲用以說明噴嘴部5 1之移動態樣的圖式。 如第5圖所示般噴嘴部1是當最大限度迴避時,前端 側部成爲儲存至噴嘴儲存室50內之狀態(參照實線), 當最大限度進出時,成爲噴嘴片52a、52b、52c被配置在 晶圓W之略中心的狀態(參照假想線)。再者,噴嘴部 51是在噴嘴片52a、52b、52c配置在內杯罩47內之狀態 下,藉由噴嘴升降機構56a升降,調整噴嘴片52a、52b、 52c之前端和晶圓W之距離,噴嘴片52a、52b、52c藉由 噴嘴滑動機構56b在晶圓W之略中心和邊緣之間直線性 滑動,依此可以將電鍍液等供給至晶圓W之所欲的徑方 -25- 200820329 向位置。 並且,即使也對噴嘴部51或噴嘴儲存室50之內 底板4 8等之配置在外腔室43內之各種構件,施予相 藥液及電鍍液的耐餽性加工,例如耐酸性及鹼性加工 ,具體例則有氟樹脂之塗層。再者,也以在噴嘴儲存: 事先設置洗淨噴嘴部5 1之前端部的洗淨機構爲佳。 無電解電鍍單元(PW ) 1 2之各構成部是如第2 示般,成爲藉由連接於製程控制器31之單元控制器 控制部)而被控制之構成。然後,因應所需,利用來 用者介面3 2之指示等,製程控制器3 1自記憶部3 3 任意處理程式而令單元控制器34控制。 接著,針對無電解電鍍單元(PW ) 12中之晶圓 處理方法的幾個實施形態予以說明。在此,針對在 102電鍍當作蓋體金屬之CoWB膜之情形予以說明。 於執行該Co WB膜之電鍍時,無電解電鍍單元 )12,是在開啓窗部44a及窗部4_5a之狀態下,藉由 圓搬運裝置18之搬運手臂17,經晶圓W自窗部44a 部45a搬入至外殼42及外腔室43內、,載置於旋轉夾 之各載置插銷63,藉由以各推壓插銷4推壓晶圓W 部,由旋轉夾具46保持晶圓W。然後,使搬運手臂 出置外殼42外,藉由第1快門44及第2快門45關 部44a及窗部45a,並且開啓窗部43a,使噴嘴部51 端側部進入至外腔室43內而配置在晶圓W上,以該 開始處理。 壁、 對於 爲佳 室50 圖所 34 ( 自使 叫出 W之 配線 (PW 主晶 及窗 具4 6 之邊 17退 閉窗 之前 狀態 -26- 200820329 〔第1實施形態〕 第7圖爲表示無電解電鍍單元(PW) 12中之晶圓W 之處理方法之第1實施形態之槪略的流程圖,第8圖A〜 第8圖D是針對甩以此時之處理予以說明之工程剖面圖。 首先,自洗淨噴嘴5 1 a供給純水至晶圓W上,執行第 8圖A所示之狀態之晶圓W之預濕(Prewet),使晶圓W 之表面親水化(步驟1 :親水化工程)。依此,於使用低 介質常數(Low-k膜)般之疏水性當作存在於晶圓表面之 層間絕緣膜時,則可以在晶圓W表面防止下一次之前洗 淨處理之時的洗淨液在晶圓表面彈起,再者,可以防止無 電解電鍍時,電鍍液自晶圓掉落。晶圓W之預濕是例如 將處理液在此爲純水供給至藉由靜止狀態或是旋轉夾具46 以充裕旋轉數旋轉之狀態的晶圓W上,而在晶圓W上形 成漿狀部,於將該狀態保持特定時間後,以特定旋轉數一 面使晶圓W旋轉,一面將純水供給至晶圓W上,並以洗 淨噴嘴5 1 a之噴嘴片52a在晶圓W之中心部和周邊部之間 直線性被掃描之方式,藉由使噴嘴部5 1移動而形成。並 且,後述之洗淨處理、沖洗處理及無電解電鍍處理也可以 與預濕相同之方法來執行,依據洗淨處理或無電解電鍍處 理等之處理條件適當選定晶圓W之旋轉數。 該預濕所產生之親水化處理是具有除去晶圚表面上之 異物或容易發生在液、固體界面之泡的功能。此時,純水 之吐出流量以因應晶圓 W表面之疏水性程度而變化爲佳 -27- 200820329 ,疏水性程度越大吐出流量變多爲較佳。再者,晶圓 W 之旋轉數也以因應疏水性之程度而變化爲佳,疏水性表面 使旋轉數變慢爲佳。關於處理時間,也以因應晶圓表面之 疏水性程度而變化爲佳。 完成晶圓W之預濕,以藉由旋轉夾具46所產生之旋 轉,將附著於晶圓W之純水予以某程度甩掉,將當作洗 淨液之藥液自洗淨噴嘴5 1 a供給至晶圚W上,執行當作晶 圓W之前洗淨處理之藥液處理(步驟2 :藥液處理工程( 前處理工程))。依此,除去被設置在晶圓W之配線1 02 之表面之Cu氧化膜及污染。當作該工程之藥液並不特別 限制,雖然可以使用通常所使用之藥液,但爲了提高配線 102之表面之Cu氧化膜之除去效果,可以使用例如有機 酸水溶液。即是,藉由前洗淨使用有機酸,不發生腐鈾, 自銅配線上除去氧化銅,使之後電鍍處理時之核形成密度 上昇,可以謀求表面形態提升。並且,此時,藉由外腔室 43被擋住之藥液經排液管85被回收。 該前處理工程之藥液處理工程是一面維持晶圓表面經 常濕潤之狀態一面執行爲佳。依此,可以有效率將晶圓表 面之純水置換成藥液,並且可以提升藉由藥液的洗淨效果 。當作該前洗淨工程之藥液處理工程,可以利用一面有效 率除去C u氧化膜或配線間殘存金屬種之流量供給藥液, 一面執行。針對此時之晶圓W之旋轉數,因當太慢時, 除去效率變差,當太快時,晶圓w之至少一部份乾燥, 產生Cu表面之再氧化,而導致電鍍膜之形態惡化,故必 -28- 200820329 須適當設定,有關太長時,因產生持續進行 之Cu的溶解,線電阻上昇等之問題,故以: 爲有效。 接著,自洗淨噴嘴5 1 a供給純水至晶圓 圓W的純水沖洗處理當作前處理工程(步騾 工程(前洗淨工程))。該沖洗處理工程, 洗淨後,酸性之藥液殘节於晶圓W之表面 φ 程中所使用之鹼性之電鍍液混合而產生中和 之pH變化,並引起微粒產生,而成爲不良 了避免如此之情形以純水等置換來執行。該 爲了防止晶圓W乾燥Cu氧化,必須使晶圓 而執行。 並且,於晶圓W之沖洗處理中或是沖 底板48上昇,接近於晶圓W,自處理流體 加熱成特定溫度之純水,將晶圓W加熱至特 # 當完成晶圓W之沖洗處理,以旋轉夾· 附著於晶圓W之純水甩開某程度時,則使p 至處理位置。然後,如第8圖B所示般,自 特定位置之電鍍噴嘴51c,將藉由加熱源94 • 度之電鍍液加熱至特定溫度之晶圓W (絕緣 執行配線1〇2之無電解電鍍處理(步驟4: 程)。依此,如第8圖C所示般,CoWB自 配線1 02 (包含阻障金屬1 05 )之表面,藉白 (蓋體金屬)覆蓋配線1 0 2。 屬於配線金屬 ί 0〜6 0秒左右 W上,執行晶 3 :沖洗處理 是於上述藥液 時,因與下工 反應,電鍍液 之原因,故爲 沖洗處理工程 W表面不乾燥 洗處理後,使 供給口供給被 定溫度。 ^ 46之旋轉使 j杯罩47上昇 位於晶圓上之 加熱至特定溫 膜101 )上, 無電解電鍍工 電鍍液析出至 J CoWB m 103 -29- 200820329 該無電解電鍍處理最初是一面使晶圓 W旋轉至 1 0 0 r p m左右,一面供給電鍍液,將晶圓W上之沖洗液( 純水)置換至電鍍液。之後,以極低速旋轉將晶圓W之 旋轉變慢在晶圓W上盛上電鍍液。然後,使晶圓W維持 極低速,——面供給電鍍液一面進行電鍍處理,形成CoWB 膜 103。 在此,於形成CoWB膜103之後,在CoWB膜103之 表面,泥狀存在有因電鍍反應所產生之附生成物1 〇4。並 且,於無電解電鍍處理之時,藉由內杯罩47擋住之電鍍 液晶排液管8 8被回收。 當作該無電解電鍍處理所使用之電鍍液,並不特別限 制,可以使用通常所使用者。例如,以氯化鈷般之Co鹽 、鎢酸銨般之W鹽,及硼氫化鈉(SBH )之衍生物的二甲 基胺硼烷(DM AB )之還原劑爲主成分,並且可以使用含 有配位化劑、pH調整劑、緩衝劑等之輔助成分。再者, 電鍍液以含有界面活性劑爲佳,此時,界面活性劑雖然不 管酸性、鹼性,但是以陰離子系、非離子系、兩性離子系 、陽離子系或高分子界面活性爲佳。若使用含有如此界面 活性劑之電鑛液時,在後述之後洗淨處理中,藉由界面活 性'劑之介面活性作用,可以提高存在Co WB膜1 03之表面 的副生成物1 04之除去效果。
在該無電解電鍍處理工程中,因必須以短時間置換殘 存在晶圓W表面之沖洗液(純水),故在所欲之時間以 能夠置換之旋轉數使晶圓W旋轉爲佳。但是,當晶圓W -30- 200820329 之旋轉數太快時,因電鍍液之黏性太高,故晶圓容易乾 ,成爲產生形態惡化或電鍍不良之原因。因以電鍍液置 屬於沖洗液之純水後,必須將電鍍液均等盛在晶圓W 表面全面上,故以低旋轉數爲佳。但是,旋轉數爲0時 供給至晶圓W之周邊部之電鍍液的供給頻率下降,晶 W有乾燥之虞,故爲不理想。藉由於盛滿後也維持晶圓 之旋轉,可以使來自背面之熱影響均句化,提升電鍍率 面內均勻性。 被盛上之電鍍液因經旋轉夾具4 6或晶圓W之周邊 ,自晶圓W被排出,故如此晶圓W表面引起乾燥,成 形態惡化之原因。因此,以在電鍍處理中供給電鍍液爲 。再者,將晶圓w表面置換成電鍍液,於開始電鍍時 晶圓W之溫度必須爲CoWB之析出溫度,若爲溫度低 法析出之條件時,鹼性之電鍍液開始將Cu配線表面予 氫氧化,之後即使提升溫度,亦產生無法電鍍之情形。 了迴避如此之情形,於電鍍開始時之前,在晶圓背面沖 純水加熱晶圓W爲佳。 於施予無電解電鍍處理之後,停止來自處理留體供 口 81之溫純水之供給,接著,自洗淨噴嘴5 1 a將純水 給至晶圓W上,執行洗淨處理以當作晶圓W之後洗淨 步驟5 :第1沖洗處理工程(後處理工程)。依此,除 附著於配線102部份以外之晶圓W之多餘電鍍液106 一部份或是幾乎全部,並且也除去附著於內杯罩47之 壁的電鍍液。另外,存在於C 〇 WB膜1 0 3之表面的附生 燥 換 之 因 圓 W 之 部 爲 佳 Μ j\\\ 以 爲 溫 給 供 ( 去 之 內 成 -31 - 200820329 物1 0 4爲高黏性,當時間經過時,因乾燥而強固附著於 CoWB膜103成爲析出物,故以快速除去爲佳,藉由執行 該沖洗處理,可以抑制附生成物1 〇4之乾燥而延緩析出。 當此時之晶圓W之旋轉數太快時,因晶圓W之表面之一 部份乾燥,隨著電鍍處理而產生之殘渣物的後洗淨之除去 效率下降,故必須設爲適當之旋轉數。並且,停止供給來 自處理留體供給口 81之純水,即使執行沖洗處理後亦可 。於晶圓 W之沖洗處理時或是沖洗處理完成後,使內杯 罩47下降至迴避位置。於沖洗處理時,使內杯罩47下降 之時是因可以自晶圓W甩掉之沖洗處理用之純水至下方 向上方掃描之方式,接麗於內杯罩4 7,故可以效率佳沖洗 內杯罩47之內壁全體。 在完成沖洗處理之狀態下,自洗淨噴嘴5 1 a供給當作 洗淨液之藥液至晶圓W,並執行當作晶圓 W之後洗淨處 理之藥液處理(步驟6 :藥液處理工程(後洗淨工程)) 。該藥液處理是爲了除去因電鍍析出反應所產生之殘渣物 及線間異常析出電鍍膜而所執行,以在維持晶圓表面不乾 燥經常濕潤之狀態下執行爲佳。於晶圓背面乾燥時,電鍍 處理所產生之析出物成爲容易殘留在晶圓表面之狀態,洗 淨效果下降。在此,該藥液處理因於上述沖洗處理後,可 以僅以極短之間隔,如自沖洗處理用之純水切換至後洗淨 處理用之洗淨液的閥切換時間開始,故可以於電鍍表面乾 燥前,即是副生成物1 04乾燥而成爲析出物強固附著於 CoWB膜103之表面前執行。因此,在該藥液處理中,如 -32- 200820329 第8圖D所示般,可以在相對於CoWB膜103之附著力弱 時確實除去副生成物1· 〇 4。再者,藉由之後洗淨處理,也 除去附著於晶圓W之多餘電鍍液1 06之殘渣,防止污染 。當晶圓 W乾燥時,成爲因電鍍處理所生成之副生成物 (殘渣物)容易殘留在晶圓W之比面的狀態,而且因成 爲該副生成物(殘渣物)強固附著之狀態,故後洗淨效果 下降。 於藥液處理之時,藉由外腔室43及內杯罩47之錐部 47a之外壁而被擋住之洗淨液,經排液管5而被回收。在 此,於藥液處理前,因執行沖洗處理除去附著於配線1 02 部份以外之晶圓W之多於電鍍液106之一部份或者幾乎 全部,故可以以純度高之狀態回收藥液,依此可以再利用 回收之藥液。 當作藥液處理所使用之藥液(洗淨液),並不特別限 制,雖然可以使用通常所使用者,但是以酸性者爲佳。酸 性之洗淨液因酸使得溶解副生成物104之效果變高,可以 更有效果除去副生成物1 〇4。但是,藥液當pH未滿3之 強酸性時,因有浸入配線1 〇2和阻障金屬1 05之_間而產生 電蝕(由於異種金屬彼此之接觸產生的腐蝕)之虞,並且 藉由提高了顆粒附著於晶圓之附著性而產生良率下降之虞 ,故以稀硫酸等之pH爲3以上者,尤其pH爲3〜4者爲 佳。 酸性,尤其使用pH爲3〜4之藥液時,即使相對於 CoWB膜103之表面的副生成物104之附著性高,亦可以 -33- 200820329 藉由藥液之酸自Co WB膜103之表面溶解除去副生成物 104 〇 實際上,於CoWB膜之表面附著副生成物之後,各使 用p Η 3、4、5之藥液執行藥液處理,諷查是否除去C 〇 WB 膜表面之副生成物時,則確認出於使用ΡΗ5之藥液時雖然 無充分除去副生成物,但是於使用ρΗ3、4之藥液時各除 去副生成物(參照表1 )。 〔表1〕 洗淨液之pH 除去副生成物 3 〇(可以除去) 4 〇(可以除去) 5 △(無充分除去)
再者,當作後洗淨處理所執行之藥液處理之藥液以含 有界面活性劑者爲佳。此時,在藥液處理中,如第9圖所 示般,在CoWB膜103和副生成物104之間存在界面活性 劑層1 1 0,藉由界面活性劑..層1 1 〇之界面活性作用,剝離 副生成物1 04,故可以更有效果除去副生成物1 04 (界面 活性劑層1 1 〇和副生成物1 〇4同時被除去)。再者,因藉 由含有界面活性劑,後洗浄處理用之藥液對晶圓表面濕潤 性高,故可以取得難以使晶圓表面乾燥之效果。 尤其,於界面活性劑之濃度爲0.000 1 %以上時,即使 副生成物對CoWB膜1 03之表面的副著性高’亦可以藉由 洗淨液所含之界面活性劑之界面活性作用’自CoWB膜 -34- 200820329 103表面剥離除去副生成物104。 洗淨液爲酸性,尤其爲PH3〜4,並且含有界面活性 劑,尤其該濃度爲0.0001 %以上時,藉由酸的溶解效果和 藉由界面活性劑的剥離效果被複合而可以取得更大之效果 〇 實際上,於CoWB膜表面附著副生成物之後,各使用 介面活性劑濃度0.001%、0.000 1 %、0.0000 1 %之洗淨液而 執行洗淨處理,調查是否除去CoWB膜表面之副生成物時 ,則確認出於使用介面活性劑濃度0 · 0 0 0 0 1 %之洗淨液時 ,雖然無充分除去副生成物,但是於使用介面活性劑濃度 0.001%、0.000 1 %之洗淨液時,除去析出物(參照表2) 。並且,使用當作界面活性劑之R S - 7 1 0 (東邦化學工業 有限公司製造),藉由對此添加DIW,稀釋成所欲濃度。 〔表2〕 界面活性劑濃度(%〇 除去副生成物 0.001 〇(可以除去) 0.0001 〇(可以除去) 0.00001 △(無充分除去) 洗淨液爲酸性’尤其爲p Η 3〜4,並且含有界面活性 劑’尤其該濃度爲0.0001 %以上時,藉由酸的溶解效果和 藉由界面活性劑的剥離效果被複合而可以取得更大之效果 〇 如上述般,即使於無電解電鍍處理使用含有界面活性 -35- 200820329 劑之電鍍液時,則如第9圖所示般,因可以使界面活 層110介於Co WB膜103和副生成物104之間,故在 '淨處理中,可以藉由界面活性劑層1 1 0之界面活性作 剥離副生成物1 04,依此可以更有效果除去副生成物 °再者,可以防止因界面活性劑防電鍍液之發泡,並 以提升電鍍液之濕潤性。 於完成當作晶圓W之後洗淨處理之藥液處理工 ,自洗淨噴嘴5 1 a供給純水至晶圓W上,執行晶圓 沖洗處理(步驟7 :第2沖洗處理),於該沖洗處理 是沖洗處理後,使底板48下降與晶圓W分離。 於結束第2沖洗_.處__理_後,藉由旋轉夾具46使_晶 旋轉,並且,自洗淨噴嘴5 1 a供給氮氣體而執行晶圓 乾燥(步驟8 )。晶圓W之乾燥處理是藉由自下降之 48之處理流體供給口 8 1將氮氣體供給至晶圓W之背 並且再次使底板48上昇而接近於晶圓W而執行。再 該乾燥處理可以藉由在特定時間使晶圓 W低速旋轉 特定時間使晶圓高速旋轉來執行。 若完成晶圓W之乾燥處理,因應所需,藉由噴 降機構6a使噴嘴部5 1移動至特定高度,藉由噴嘴滑 構5 6b使噴嘴部51之前端部份儲存於噴嘴儲存室50 關閉窗部43a。接著,使底板48下降,與晶圓W分 自藉由推壓插銷64之推壓放開晶圓W僅以載置插彳 支撐,並且開放窗部44a及窗部45a。之後,搬運手 進入至外腔室43內而接收被載置插銷63所支撐之晶
性劑 後洗 用, 104 且可 程後 W之 時或 圓_ W W之 底板 面, 者, 後在 嘴升 >動機 內, .離, if 63 臂17 圓W -36- 200820329 而搬出。 無電解電鍍單元(PW)12因不搬運晶圓W’可以在 相同場所執行被設置在晶圓w之配線1 02之無電解電鍍 處理,和該無電解電鍍處理後之晶圓W的洗淨處理(後 洗淨處理),故於藉由無電解電鍍處理被配線102覆蓋之 Co WB膜103之表面之副生成物104成爲析出物之前,可 以藉由後洗淨處理除去該副生成物1 〇4。 因無電解電鑛處理所使用之電鍍液的性質和後洗淨處 理所使用之洗淨液的性質不同之情形,例如相對於鹼性之 電鍍液洗淨液爲酸性之情形爲多,故當考慮電鍍液及洗淨 液之_耐_蝕胜等時,以往要藉由相同單元執行無電解電鍍處 理和後洗淨處理則有困難。 因此,於無電解電鍍處理之後,必須自無電解電鍍裝 置將晶圓W搬運至洗淨裝置而執行後洗淨處理,從無電 解電鍍處理完成時自後洗淨處理開始時需要長時間。而且 ,因防止搬運晶圓W之搬運機構的電鍍液等所造成之污 染,必須於無電解電鍍處理後且後洗淨處理前使晶圓W 乾燥。因此,於後洗淨處理之時,析出無電解電鍍處理所 產生之CoWB膜表面的副生成物。要藉由後洗淨處理除去 該析出物極爲困難。 在此,本實施形態之無電解電鍍單元(P W ) 1 2中, 本實施形態之無電解電鍍單元(P W ) 1 2中,設賃外腔室 4 3、在外腔室4 3內側升降之內杯罩4 7,於無電解電鍍處 理時,藉由內杯罩47擋住自晶圓W甩掉之電鍍液,於後 -37- 200820329 洗淨處理時,藉由外腔室43自晶圓W擋住自晶圓W甩掉 之洗淨液。依此,即使電鍍液和洗淨液之性質不同,藉由 各對內杯罩47及外腔室43施加對應於電鍍液及洗淨液之 耐蝕加工之耐鈾性加工,可以防止因電鍍液及洗淨液之附 著所產生之腐飩,並且因分離鹼性之電鍍液和酸性之洗淨 液可以回收或排液,故可以以保持旋轉夾46保持晶圓W 之狀態下持續進行無電解電鍍處理及後洗淨處理。即是, 於執行無電解電鍍處理後、後洗淨處理時,不需要搬運晶 圓W,可以以短間隔執行無電解電鍍處理及後洗淨處理。 因此,於電鍍表面乾燥前執行後洗淨處理,可以有效率除 去_ CoWB膜103比面之副生成物104,可以提高屬於蓋體 金屬之Co WB膜103之品質。 再者,電鍍前之親水化處理或前洗淨處理因也同樣與 無電解電鍍處理之時,興銅可以在旋轉夾具46上執行, 故可以以短間隔執行從上述洗淨處理至無電解電鍍處理爲 止之間,可以不用使晶圓W乾燥,在濕潤狀態下執行。 如此藉由在電鍍前也不使晶圓W乾燥,可以如上述般, 有效率執行前洗淨,並且可以防止Cu之再氧化而阻止電 鍍膜之形態惡化。 如此一來,於施予無電解電鍍後之電鍍表面乾燥前, 以洗淨液將晶圓W予以後洗淨爲佳,除此之外,雖然又 於前洗淨之後的晶圓表面乾燥之前執行電鍍爲佳,但是最 佳爲從預濕處理處理(親水化處理)至乾燥處理前,以晶 圓濕潤之狀態執行各處理。藉由如此,可以完全不受晶圓 -38- 200820329 W表面乾燥而產生不良狀態之影響,而完成一連串處理。 再者,如上述般,於後洗淨處理使用酸性尤其pH爲 3〜4之洗淨液時,含有界面活性劑之洗淨液,尤其酸性或 中性,並且於後洗淨處理使用介面活性劑濃度〇·〇〇〇1 °/。以 上之洗淨液時,即使於無電解電鍍處理使用含有界面活性 劑之時,因任一者在後洗淨處理中除去副生成物1 04之效 果極高,故可以謀求後洗淨處理之短縮化以及洗淨液之消 耗量之低减。 並且,於後洗淨處理之後,亦可以對晶圓執行背面、 端面洗淨。背面、端面洗淨是首先使晶圓之旋轉上昇,使 晶圓之處理面乾燥。該是用以防止背面洗淨液回至晶圓表 面。接著,接著,執行背面洗淨。背面洗淨是在以低速使 晶圓W旋轉之狀態下,首先供給純水至晶圓背面’執行 晶圓背面之親水化處理,使背面洗淨液均勻供給至晶圓背 面,除去於電鍍處理時附著於背面之殘渣物。之後’執行 端面洗淨。端面洗淨是將純水供給至晶圓背面’即使之後 之步驟也持續供給。接著,一面將純水供給至晶圓中心, 一面將背面噴嘴置於晶圓邊緣部而藉由背面洗淨液(藥液 )執行端面洗淨。之後,停止背面洗淨液’僅供給純水執 行沖洗處理。 於執行如此背面、端面洗淨之時’於執行該些之後’ 實施乾燥工程。 〔第2實施形態〕 -39- 200820329 第10圖爲表示無電解電鍍單元(pw) 12中之晶圓W 之處理方法之第2實施形態之槪略的流程圖’第11圖A 至1 0E爲針對此時之處理用以說明之工程剖面圖。 普先,自洗淨噴嘴51 a將純水供給至晶圓1上,執行 上述第8圖A所示之狀態之晶圓W之預濕’將晶圓W之 表面予以親水化(步驟1 1 :親水化工程)。依此,晶圓 W之表面之濕潤性變佳。晶圓W之預濕是與第1實施形 態相同被執行。即是,對_由旋轉夾具4 6旋轉之狀態的 晶圓W上供給處理液’在此爲供給純水而在晶圓W上形 成純水之漿狀部,以該狀態保持特定時間之後,以一面以 特定旋轉數以晶圓W旋轉,一面將純水供給至晶圓W上 ,使洗淨噴嘴5 1 a之噴嘴片52a在晶圓W之中心部和周邊 部之間直線性掃描的方式,藉由使噴嘴部5 1移動而執行 ,晶圓 W之旋轉數是藉由洗淨或無電解電鍍等之處理條 件而適當選擇。並且,與第1實施形態相同,藥液及純水 之洗淨以及無電解電鍍也以同樣方法執行。晶圓 W之旋 轉數是藉由洗淨或無電解電鍍等之處理條件而適當選擇。 若完成晶圓W之親水化工程(預濕),以旋轉夾具 4 6之旋轉將附著於晶圓W之純水甩掉某程度,則從洗淨 噴嘴5 1 a供給藥液至晶圓W上,執行當作前洗淨工程之藥 液處理(步驟12 :藥液處理工程(前洗淨工程))。藉此 ,除去被設置在晶圓W之配線1 02表面之Cu氧化膜及污 染物。該工程基本上與第1實施形態相同被執行。再者, 作爲該工程之藥液,是與第1實施形態相同,並不特別限 -40- 200820329 制,雖然可以使用一般所使用者,但是爲了提高配線1 〇2 表面之Cu氧化膜之除去效果,可以使用例如有機酸水溶 液。再者,與第1實施形態相同,藥液處理工程是以一面 維持在晶圓表面經常濕潤之狀態一面執行爲佳。 於完成藥液工程之後,自洗淨噴嘴5 1 a供給純水至晶 圓W,對此藉由純執行沖洗處理洗淨或是沖洗(步驟1 3 :沖洗處理工程(前洗淨工+程)。依此,除去附著於晶圓 W之藥液,並且也沖洗附著於外腔室43之藥液。該沖洗 處理也與第1實施形態相同被執行,與第1實施形態相同 ,爲了防止晶圓W乾燥Cu氧化,執行不使晶圓W表面乾 燥爲佳。並且,該純水中之洗淨中或是洗_靜後,與第1實 施形態相同,使底板48上昇而接近於晶圓W,自處理留 體供給口 81供給被加熱至特定溫度之純水,將晶圓W加 熱至特定溫度。 若完成純水之洗淨,以旋轉夾具42所產生之旋轉離 心力,使附著於晶圓W之純水甩掉某種程度時,使內杯 罩47上升至處理位置_,與第1實施形態相同,如第8圖 B所示般,自電鍍液噴嘴5 1 c供給藉由加熱源94被加熱 至特定溫度之電鍍液1 〇6,至加熱至特定溫度之晶圓w上 ,對配線1 02施予無電解電鍍(步驟1 4 :無電解電鍍工程 )。當作該工程所使用之電鍍液,例如與第1實施形態相 同,可以使用以氯化鈷般之C 〇鹽、鎢酸銨般之W鹽,及 硼氫化鈉(SBH )之衍生物的二甲基胺硼烷(DMAB )之 還原劑爲主成分,並且可以使用含有配位化劑、pH調整 -41 - 200820329 劑、緩衝劑等之輔助成分。藉由該無電解電鍍,如上述第 8圖C所示般,電鍍液106所含之CoWB在配線102表面 析出,藉由CoWB膜103覆蓋配線102。並且,於無電解 電鍍處理時,藉由內杯罩47被擋住之電鍍液,經排液管 88被回收。 於對配線1 02施予無電解電鍍之後,停止來自處理流 體供給口 之溫純水之供給,自洗淨噴嘴5 la供給純水 φ 至晶圓W上,當作晶圓W之後洗淨執行沖洗處理(步驟 15 :第1沖洗處理工程(後洗淨工程))。依此,除去配 線102部份以外之附著於晶圓W之多於電鍍液106之一 部份或是幾乎全部,並且也除去附著於內罩杯47之內壁 的電鍍液。並且,停止供給來自處理流體供給口 8 1之純 水,即使於沖洗處理後執行亦可。 但是,在上述步驟1 4之無電解電鍍工程中,於電鍍 反應之時,藉由電鍍液106所含之還原劑之分解,產生氫 Φ 氣體,如第1 1圖A放大表示對應於配線1 02之部份般, 因藉由該氫氣體之氣泡,在Co WB膜103形成空隙107, 故在該時點,損失CoWB膜103之連續性。再者,由於溶 存於電鍍液之氣體發泡也形成空隙,也有損失CoWB膜 ‘ 1 0 3—之連續性的情形。在該狀態中,當執行上述步驟1 5之 沖洗處理時,除了除去上述般多餘電鍍液1 〇 6之外,則如 第11圖B所示般,亦可以除去成爲空隙107之主要原因 的吸附在Co WB膜103之氫氣體。 但是,因CoWB膜103之空隙107依然殘存,故有配 -42, 200820329 線102之Cu從該空隙105擴散之虞。 在此,在本實施形態中,將上述步驟14之無電解電 鍍工程,和當作上述步驟1 5之後處理工程之第1沖洗工 程重複執行特定次數(步驟1 6 )。具體而言,判斷藉由元 件控制器3 4,是否以特定次數重複執行步驟1 4及步驟15 〇 於再次執行步驟14之無電解電鍍工程時,對CoWB 膜103上供給電鍍液106而成爲第1 1圖C所示之狀態。 於最初之無電解電鍍處理睁,®在Co WB膜103形成空隙 107,故有配線102之Cu自該空隙107擴散之虞,但是於 如此將電鍍液106供給至CoWB膜103時,則如第1 1圖 D所示般,在Co WB膜103之表面形成Co WB膜103’膜, 故可以以CoWB膜103’阻塞形成在CoWB膜103之空隙 1 07。再者,即使於藉由電鍍液之溶存氣體發泡而所形成 之空隙存在於CoWB膜103時,亦可以CoWB膜103’阻塞 該空隙。並且,多晶體之Co WB膜103因具有粒界之針孔 108之開口也可以由CoWB膜103’阻塞。 因此,可以提高Co WB膜之阻障性防止Cu之擴散, 並且,Co WB膜103’雖然有於形成對應於Co WB膜103之 空隙的部份形成凹陷1 09之情形,但是該凹陷1 09比起空 隙1 〇7相當小,非損傷CoWB之性能者。再者,雖然於 CoWBl 03’也形成晶粒之針孔 108’,但是該針孔 108’與 Co WB膜103之晶粒之針孔108連通知可能性極爲低。 因在 CoWB膜103’形成有因氫氣體所產生之空-隙 -43- 200820329 1 07 ’,故於完成該無電解電鍍工程之後,再次執^ 洗工程(步驟15 )。依此,如第1 1圖E所示般 鍍液106同時除去空隙107’內之氫氣體。 如此一來,可以藉由多數重複執行配媸1 0 2 電鍍工程(步驟14 )和以純水執行晶圓W之洗 15),關閉成爲Cu擴散主要因之氫氣體所產生 晶粒之針孔,並且,形成除去吸附於CoWB之氫 φ 體金I。 該些重覆次數以 2〜10次爲佳。依此, CoWB所產生之覆蓋度,防止Cu之擴散,並可 之時間執行電鍍處理。 無電解電鍍工程之時間,例如供給電鍍液之 以藉由電鍍工程之重複次數而設定。例如,於η 鍍工程之時每一次之處理時間,設爲以往僅執行 電解電鍍處理時間之η分之一左右即可。具體而 • 之無電解電鍍之處理時間設爲100秒左右時,兩 鍍工程之時的每一次處理時間則設爲5 0秒左右 複時之每一次處理時間則設爲1 0秒左右即可。 單元控制器34當判斷以特定次數執行當作 ~ 鍍工程(步驟1 4 )及後洗淨工程所執行之第1沖 程(步驟1 5 )時,於第1沖洗處理時或是於完成 處理後,使內杯罩47下降至迴避位置。於洗淨 罩47下降時,可以使自晶圓w甩掉之純水自下 上方之方式,抵接於內杯罩4 7,故可-以有效沖 亏第1沖 ,可與電 之無電解 淨(步驟 之空隙及 氣體的蓋 提升藉由 以以實用 時間,可 次重複電 1次之無 言,以往 次重複電 ,1 〇次重 無電解電 洗處理工 第1沖洗 時使內杯 方掃描至 洗內杯罩 -44- 200820329 47之內壁全體。然後,在完成利用純水洗淨 態,自洗淨噴嘴5 1 a供給藥液至晶圓W上, 理執行藥液洗淨(步驟1 7 :藥液洗淨工程( )。依此,可以除去附著於晶圓W之多於 之殘渣,並可以防止污染。再者,可以除去 膜之表面,因電鍍工程時之電鍍反應所產生 藉由反應所產生之副生成物一般爲高黏性, 雖然成爲強固附著於CoWB之析出物,成爲 和其他配線之間的洩電流之原因,但是藉由 產生之後洗淨工程,能夠除去副生成物,抑彳 再者,該藥液處理是與第1實施形態之 以於施予無電解電鍍之後的電鍍表面乾燥前 第1實施形態相同,因於第1沖洗處理後, 之間隔,如自沖洗處理用之純水切換至後洗 淨液的閥切換時間開始,故可以於電鍍表面 副生成物1 04乾燥而成爲析出物強固附著於 之表面前執行。因此,在該藥液處理中,如 般,可以在相對於CoWB膜103之附著力弱 生成物1 04。 當作該工程之藥液並無特別限制,雖然 所使用者,但是爲了提高副生成物之除去效 例如酸性水溶液。並且,於此時,藉由外腔 之藥液晶排液管8 5被回收。 於完成藥液工程之後,自洗淨噴嘴5 1 a •晶圓W之狀 當作後洗淨處 後洗淨工程) 之電鍍液 106 存在於 CoWB 之副生成物。 當時間經過, 增大配線1 0 2 該藥液處理所 削浅漏電流。 步驟6相同, 執行爲佳。與 可以僅以極短 淨處理用之洗 乾燥前,即是 CoWB 膜 103 第8圖D所示 時確實除去副 可以使用一般 果,可以使用 室43被擋住 再次供給純水 -45- 200820329 至晶圓W上,對晶圓w施予藉由純水之沖洗處理以當作 後洗淨工程之一環(步驟1 8 :第2沖洗處理工程(後洗淨 工程))。依此,除去附著於晶圓W之藥液,並且沖洗 附著於外-腔室43之藥液。該沖洗處理也與第1實施形態 相同被執行。並且,於該洗淨時或洗淨後’使底板48下 降從晶圓W離開。 若完成以該第2沖洗處理純水執行晶隱W洗淨時, 則藉由旋轉夾具46使晶圓W旋轉,並且自洗淨噴嘴供給 當作乾燥氣體之氮氣體至晶圓W上,並使晶圓W乾燥( 步驟1 9 :乾燥工程)。晶圓W之乾燥是藉由將氮氣體從 下降之底板48之處理流體供給口 81供給至晶圓W之背 面,並且再次使底板48上昇接近於晶圓W而執行。再者 ,該乾燥可以藉由以特定時間使晶圓 W高速旋轉而執行 〇 當完成晶圓W之乾燥時,藉由噴嘴滑動機構56b使 噴嘴部5 1之前端部份儲存於噴嘴儲存室5 0內,關閉窗部 43a。然後,使底板48下降,與晶圓W分離,藉由推壓插 銷所產生推壓放開晶圓W,僅以載置插鍛63支撐,並且 開放窗部44a及窗部45a。之後,搬運手臂17進入至外腔 室43內而接收被載置插銷63-所支撐之晶圓W而搬出。 本實施形態是一面存在以純水洗淨晶圓W,一面對設 置在晶圓W之配線1 〇2執行多數次無電解電鍍,依此因 可以除去於各次電鍍工程時吸附於CoWB膜之氫氣體,並 且以藉由下一次之電鍍工程所形成之C〇WB膜,阻塞因氫 -46 - 200820329 氣體所引起之空隙及晶粒之針孔,故能夠提升CoWB膜 膜質,防止來自空隙或是針孔之配線1 02之Cu擴散, 著提高EM耐性。因此,可以將晶圓W之信賴性長期間 持較高。 即使在本實施形態中,亦如上述般,與第1實施形 相同,於施予無電解電鍍之後之電鍍之表面乾燥前,以 淨液將晶圓W予以後洗洗淨爲佳,除此之外,雖然於 洗淨之後的晶圓W表面乾燥前執行電鍍爲佳,但是最 是從預濕處理(親水化處理)置乾燥處理之前,不使晶 乾燥,維持濕潤執行各處理。藉由如此,在處理途中, 全不受因晶圓W表面乾燥所產生之不良狀況,可以完 ~連串處理。 本實施形態雖然僅多數次重複無電解電鍍工程(步 1 4 )及當作後洗淨工程所執行之第1沖洗處理工程(步 1 5 ),但是除了該些無電解電鍍工程及第1沖洗處理工 之外,亦可以多數重複執行幾個工程。 以下,針對該些重覆之例說明第3至第6實施形態 並且,在第3至第6實施形態中,親水化工程、當作前 淨工程之藥液處理工程、當作前洗淨工程之沖洗處理工 、無電解電鍍工程、當最後洗淨工程之第1沖洗處理工 、當作後洗淨工程之藥液處理工程、當作後洗淨工程之 2沖洗處理工程及乾燥工程各與第2實施形態相同執行 再者,即使在該些實施形態中,於施予無電解電鍍之後 電鍍表面乾燥之前,以洗j爭液將晶圓W予以後洗淨爲 之 顯 維 態 洗 刖 好 圓 兀 成 驟 驟 程 〇 洗 程 程 第 〇 的 佳 -47- 200820329 ,除此之外,雖然在上述洗淨之後的晶圓w表面乾燥 前執行電鍍爲佳,但是從預濕處理(親水化處理)至乾 處理之前,不使晶圓乾燥以維持濕潤之狀態執行各處爲 佳。 〔第3竇施形態〕 第12圖是表示無電解電鍍單元(PW) 12中之晶圓 之處理方法之第3實施形態之槪略的流_程圖。 本實施形態首先順序執行親水化工程(步驟2 1 )、 作前洗淨工程之藥液處理工程(步驟22 )及當作前洗淨 程之沖洗處理工程(步驟23 )。接著,順序執行無電解 鍍工程(步驟24 )、當作後洗淨工程之第1沖洗處理工 (步驟25 )、當作後洗淨工程之藥液處理工程(步驟 )及當作後洗淨工程之第2沖洗處理工程(步驟27 ), 該些工程(步驟24至27 )重複執行達到特定次數(步 28 )。具體而言,藉由單元控制器34,判斷步驟24至 是否重複執行特定次數。然後,於該些重覆特定次數之 ,執行乾燥工程(步驟29)。 第3實施形態中,因與電鍍工程同時多數重複執行 洗淨工程之藥液,例如酸性水溶液之處理,故可以阻 CoWB膜所產生之因氫氣體所引起的空隙及晶粒之針孔 並且藉由藥液例如酸性水溶液,逐一除去因每次電鍍工 形成之CoWB膜表面之電鍍反應所引起的副生成物,可 提升CoWB膜之膜質。因此,可以更提高晶圓W之長 之 燥 最 W 當 X 電 程 26 將 驟 27 後 後 塞 y 程 以 期 -48- 200820329 信賴性。並且,於當作後洗淨工程所執行之第2沖洗處理 工程(步驟27 )後再次執行無電解電鍍工程(步驟24 ) 時,搶先於無電解電鍍工程,使內杯47上昇。 〔第4實施形態〕 第13圖爲表示無電解電鍍單元(PW) 12中之晶圓W 之處理方法之第4實施形態之槪略的流程圖。 本實施形態中是嚴行親水化工程(步驟3 1 )。然後, 順序執行當作前洗淨工程之藥液處理工程(步驟3 2 )、當 作前洗淨工程之沖洗處理工程(步驟3 3 )、無電解電鍍工 程(步驟3 4 )及當作後洗淨工程之第1沖洗處理工程(步 驟3 5 ),重複執行該些工程(步驟3 2至3 5 )使達到特定 次數。具體而言,藉由單元控制器34,判斷步驟32至35 是否以特定次數重複執行。然後,於該些重覆特定次數後 ,順序執行當作後洗淨工程之藥液處理工程(步驟3 7 )、 當作後洗淨工程之第2沖洗處理工程(步驟3 8 )及乾燥工 程(步驟39)。 第4實施形態中,因與電鍍工程同時多數次重複執行 當作前洗淨工程所執行之藥液處理之藥液,例如有機酸水 溶液之處理,故可以確實阻塞產生於CoWB膜,因氫氣體 所引起之空隙及晶粒之針孔。因此,可以更提高晶圓w 之長期信賴性。 〔第5實施形態〕 -49- 200820329 第14圖爲無電解電鍍單元(PW) 12中之晶圓W之 處理方法之第5實施形態之槪略的流程圖。 本實施形態是首先執行親水化工程(步驟4 1 )。然後 ,順序執行當作前洗淨工程之藥液處理工程步驟4 2 )、 當作前洗淨工程之沖洗處理工程(步驟43 )、無電解電鍍 工程(步驟44 )、當作後洗淨工程之第1沖洗處理工程( 步驟45 )、當作後洗淨工程之第1沖洗處理工程(步驟 45 )、當作後洗淨工程之藥液處理工程(步驟46 )及當作 後洗淨工程之第2沖洗處理工程(步驟47 ),將該些工程 (步驟42至47 )重複執行達到特定次數(步驟48 )。具 體而言,藉由單元控制器34判斷步驟44至47是否執行 特定次數。然後,於該些重覆執行特定次數之後,執行乾 燥工程(步驟4 9 )。 第5實施形態中,因與電鍍工程同時多數次重複執行 當作後洗淨工程之藥液處理所使用之藥液,例如酸性水溶 液之處理,和當作前洗淨工程之藥液處理所使用之藥液, 例如有機酸水溶液之處理,故可以取得第3實施形態和第 4實施形態之複合性作用、效果,可以使CoWB膜之膜質 更加提升。因此,可以提高晶圓W之長期信賴性。 〔第6實施形態〕 第1 5圖爲表示無電解電鍍單元(PW ) 1 2中之晶圚w 之處理方法之第4實施形態之槪略的流程圖 本實施形態是首先順序執行親水化工程(步驟5 1 )及 -50- 200820329 當作前洗淨工程之藥液處理工程(步驟 當作前洗淨工程之沖洗處理工程(步驟 工程(步驟54)、當作後洗淨工程之第 步驟5 5 )、當作後洗淨工程之藥液處5」 、當作後洗淨工程之第2沖洗處理工程 工程(步驟58 ),將該些工程(步驟 至達到特定次數(步驟59)。具體而言 3 4判斷是否以特定次數重複執行步驟 次數重複執行該些之階段完全。當作乾 第2次以後之前洗淨工程之沖洗處理, 水化的任務。 第6實施形態中,因與電鍍工程同 當作後洗淨工程之藥液,例如酸性水溶 程,故可以取得與第3實施形態相同之 即使在無法藉由後洗淨工程充分除去附 氣體,亦可以藉由每次之乾燥工程確實 此,可以使Co WB膜之膜質更加提升。 圓W之長期信賴性。 〔第7實施形態〕 第16圖爲無電解電鍍單元(PW) 處理方法之第7實施形態之槪略的流程 本實施形態是順序執行無電解工程 後洗淨工程之第1沖洗處理工程(步驟 52) 然後順序執行 53) 、無電解電鍍 1沖洗處理工程( 里工程(步驟56 ) (步驟57)及乾燥 53〜58 )重複執行 ,藉由單元控制器 5 3〜5 8,在以特定_ 燥工程後所執行之 盡到使晶圓W親 時多數次重複執行 液之處理和乾燥工 作用、效果,並且 著於CoWB膜之氫 除去該氫氣體,依 因此,可以提高晶 12中之晶圓W之 圖。 (步驟64 )、當作 65)、當作後洗淨 -51 - 200820329 工程之藥液處理工程(步驟66)、當作後洗淨工程之第2 沖洗處理工程(步驟67)及乾燥工程(步驟68),將該 些工程(步驟6 1〜6 8 )重複執行至達到特定次數(步驟 69)。具體而言,藉__由單元控制器34判斷是否以特定次 數重複執行步驟6 1〜6 8,在以特定次數重複執行該些之階 段完全。 第7實施形態中,因與電鍍工程同時多數次重複執行 當作後洗淨工程之藥液,例如酸性水溶液之處理,和當作 前洗淨工程之藥液處理所使用之藥液,例如有機酸水溶液 之處理和乾燥工程,故可以取得第3實施形態和第6實施 形態之複合性作用、效果,依此,可以使Co WB膜之膜質 更加提升。因此,可以提高晶圓W之長期信賴性。 並且,作爲利用以上之實施形態中所適用之無電解電 鍍工程所形成之電鍍除CoWB之外,可以舉出CoWP等之 其他C 〇合金。 本發明並不限定於上述實施形態,可作各種變形。上 述實施形態中,雖然於無電解電鍍工程後執行當作後洗淨 工程之沖洗處理,但是並不限定於此,例如於無電解電鍍 工程後,即使不執行沖洗處理,執行後洗淨工程之藥液處 理亦可,此時,即使多數次重複執行電鍍工程和當作後洗 淨工程之藥液處理亦可。 再者,上述實施形態中,雖然於無電解電鍍工程時, 藉由內側圍繞構件圍繞旋轉夾具所保持之基板,並於藉由 藥液執行洗淨工程時,藉由外側圍繞構件圍繞被旋轉夾具 -52- 200820329 所保持之基板,但是即使於無電解電鍍處理時,藉由外側 圍繞構件圍繞被旋轉夾具所保持之基板,於後洗淨處理時 ,藉由內側圍繞構件圍繞被旋轉夾具所保持之基板亦可。 再者,即使取代內側圍繞構件使旋轉夾具升降亦可,並且 即使使外側圍繞構件升降亦可。 並且,上述實施形態中,雖然表示在相同單元內連續 執行一連串之工程,但是以不同單元執行前洗淨處理、無 電解電鍍處理、後洗淨裝置處理等之情形也含在本發明之 範圍。 並且,只要在不脫離本發明之範圍,適當組合上述實 施形態之構成要素者,或是將上述實施形態之構成要素取 除一部份者,皆爲本發明之範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示具備有可實施本發明所涉及之基板處理 方法之無電解電鍍元件的無電解電鍍系統之槪略構造的平 面圖。 第2圖爲無電解電鍍單元之槪略平面圖。 第3圖爲無電解電鍍單元之槪略剖面圖。 第4圖爲表示用以將電鍍液等之處理流體送至噴嘴部 及噴嘴部的處理流體移送機構之槪略構成的圖式。 第5圖爲用以說明噴嘴部之移動態樣之圖式。 第6圖爲表示在無電解電鍍系統中被處理之晶圓之構 造的剖面圖。 -53- 200820329 第7圖爲用以說明使用第2圖及第3圖所示之無電解 電鍍單元之本發明之第1實施形態所涉及之基板處理方法 的流程圖。 第8圖A爲用以說明本發明之第1廑施形態所涉及之 基板處理方法的工程剖面圖。 第8圖B爲用以說明本發明之第1實施形態所涉及之 基板處理方法之工程剖面圖。 第8圖C爲用以說明本發明之第1實施形態所涉及之 基板處理方法之工程剖面圖。 第8圖C爲用以說明本發明之第1實施形態所涉及之 基板處理方法之工程剖面圖。 第8圖D爲用以說明本發明之第1實施形態所涉及之 基板處理方法之工程剖面圖。 第9圖爲用以說明本發明之第1實施形態所涉及之基 板處理方法之變形例的晶圓剖面圖。 弟10圖爲用以說明弟2圖及第3圖所不之無電解電 鍍單元之本發明之第2實施形態所涉及之基板處理方法之 流程圖。 第1 1圖A爲用以說明本發明之第1實施形態所涉及 之基板處理方法之工程剖面圖。 第1 1圖B爲用以說明本發明之第1實施形態所涉及 之基板處理方法的工程剖面圖。 第1 1圖C爲用以說明本發明之第1實施形態所涉及 之基板處理方法之工程剖面》。 -54 - 200820329 第1 1圖D爲用以說明本發明之第1實施形態所涉及 之基板處理方法之工程剖面圖。 第1 1圖E爲用以說明本發明之第1實施形態所涉及 之基板處理方法之工程剖面圖。 第12圖爲用以說明第2圖及第3圖所示之無電解電 鍍單元之本發明之第3實施形態所涉及之基板處理方法之 流程圖。 第1 3圖爲用以說明第2圖及第3圖所示之無電解電 鍍單元之本發明之第4實施形態所涉及之基板處理方法之 流程圖。 第14圖爲用以說明第2圖及第3圖所示之無電解電 鍍單元之本發明之第5實施形態所涉及之基板處理方法之 流程圖。 第15圖爲用以說明第2圖及第3圖所示之無電解電 鍍單元之本發明之第6實施形態所涉及之基板處理方法之 流程圖。 第1 6圖爲用以說明第2圖及第3圖所示之無電解電 鍍單元之本發明之第7實施形態所涉及之基板處理方法之 流程圖。 【主要元件符號說明】 1 :無電解電鍍系統 2 :處理部 3 :搬入搬出部 -55- 200820329 4 :進出埠 5 :晶圓搬運部 6 :載置台 7 =晶圓搬運機構 8 :境界壁 9:窗部 1 〇 :快門 1 1 :搬運夾具 1 2 :無電解電鍍單元 1 6 :交接單元 1 7 :搬運手臂 1 8 :晶圓搬運機構 1 9 :熱板單元 22 :冷卻單元 3 1 =製程控制器 3 2 :使用者介面 33 :記憶部 42 :外殼 43 :外腔室 43c :錐部 44 :第1快門 4 4 a :窗部 45 :第2快門 45a :窗部 -56 - 200820329 4 6 :旋轉夾具 4 7 :內杯罩 47a :錐部 50 :噴嘴部儲存室 51 :噴嘴部 5 1 a :洗淨噴嘴 5 1 b :乾燥噴嘴 5 1 c :電鑛液噴嘴 52a、52b、52c :噴嘴片 5 4 :筒狀噴嘴 54a、54b、54c :板狀構件 5 5 :機械手臂 56a :噴嘴升降機構 56b :噴嘴滑動機構 57 :插通孔 6〇 :處理流體供給機構 61 :旋轉板 6 2 :旋轉筒狀 6 3 :載置插銷 6 4- •推壓插銷 6 6 :馬達 67 :傳動軸 69 :升降機構 7 1 :藥液儲存槽 -57 200820329 73 :泵 74a 、 74b 、 74c :閥 8 1 :處理流體供給口 84 :熱交換器 8 5 :排液管 87 :處理流體供給路 88 :排液管 89 :氣體供給孔 9〇 :電鍍液供給機構 9 1 :電鍍液儲存槽 92 :泵 93 :閥 94 :加熱源 1 〇 1 :絕緣膜 102 :配線
103 : CoWB 104 :副生成物 1 〇 5 :阻障金屬 106 :電鍍液 107 :空隙 108 :針孔 1 〇 9 :凹陷 1 1 〇 :界面活性劑層 -58
Claims (1)
- 200820329 十、申請專利範圍 1 · 一種基板處理方法,其特徵爲:包含 對形成在基板上之Cu (銅)配線施予由Co (鈷)合 金所構成之無電解電鍍; 以洗淨液對施予上述無電解電鍍後之基板執行後洗淨 處理;和 多數次重複執行上述無電解電鍍和上述後洗淨處理, 在上述配線形成電鍍膜。 2 ·如申請專利範匿第1項所記載之基板處理方法, 其中,上述後洗淨處理包含使用當作上述洗淨液之沖洗液 執行除去附著於基板之無電解電鍍液之沖洗處理。 3 .如申請專利範圍第1項所記載之基板處理方法, 其中,上述後洗淨處理包含 使用當作上述洗淨液之沖洗液執行除去附著於基板之 無電解電鍍液的第1沖洗處理; 於上述第1沖洗處理後,使用當作上述洗淨液之藥液 執行除去藉由上述配線之表面之無電解電鍍反應所形成之 副生成物的藥液處理;和 於藥液處理後,使用當作上述洗淨液之沖洗液執行除 去附著於基板之藥液的第2沖洗處理。 4.如申請專利範圍第1項所記載之基板處理方法, 其中,上述後洗淨處理是於施予上述無電解電鍍之後的電 鍍表面乾燥前執行。 5 .如申請專利範圍第3項所記載之基板處理方法, -59- 200820329 其中,上述藥液是ρ Η爲3以上之酸性。 6. 如申請專利範圍第3項所記載之基板處理方法, 其中,上述藥液包含界面活性劑。 7. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理方法, 其中,上述Co合金是由 CoWB (鈷、鎢、硼)或是由 CoWP (鈷、鎢、磷)所構成。 8 . —種基板處理方法,其特徵爲:包含 使形成有Cu (銅)配線之基板表面予以親水化; 於親水化後對上述Cu (銅)配線施予由Co (鈷)合 金所構成之無電解電鍍; 以洗淨液對施予上述無電解電鍍後之基板執行後洗淨 處理; 於上述後洗淨處理之後使基板乾燥;和 依上述親水化、上述無電解電鍍、上述後洗淨處理、 上述乾燥之順序多數次重複執行, 從上述親水化、至上述乾燥之前的期間不使基板乾燥執 行處理, 在上述配線形成電鍍膜。 9. 一種基板處理方法,其特徵爲:包含 以冼淨液將基板予以前洗淨處理,使除去形成在基板 之配線的氧化膜及/或污染物; 於上述前洗淨處理之後,對上述Cu (銅)配線施予 由C〇 (鈷)合金所構成之無電解電鍍; 以洗淨液對施予上述無電解電-鍍之後的基板執行後洗 -60- 200820329 淨處理;和 依上述前洗淨處理、上述無電解電鍍、上述後洗淨處 理之順序多數次重複執行, 上述前洗淨處理、上述無電解電鑛、上述後洗淨處理 之間,不使基板乾燥執行處理, 在上述配線形成電鍍膜。 10· —種基板處理方法,其特徵爲:包含 使形成有Cu (銅)配線之基板表面予以親水化; • 以洗淨液將基板予以前洗淨處理,使除去形成在基板 之上述Cu (銅)配線的氧化膜及/或污染物; 於上述前洗淨處理之後,對上述Cu (銅)配線施予 由C 〇 (鈷)合金所構成之無電解電鍍; 以洗淨液對施予上述無電解電鍍之後的基板執行後洗 淨處理; 於上述後洗淨處理之後使基板乾燥;和 依上述親水化、上述前洗淨處理、上述無電解電鍍、 上述後洗淨處理、上述乾燥之順序多數次重複執行, 從上述親水化至上述乾燥之前的期間不使基板乾燥執 行處理, 在上述配線形成電鍍膜。 11. 一種基板處理方法,使用具備有將基板保持水平 而旋轉之旋轉夾具,和圍繞上述旋轉夾具所保持之基板之 邊緣的圍繞構件之基板處理裝置,在被設置於基板之Cu (銅)配線形成由Co (鈷)合金所構成的無電解電鍍, -61 - 200820329 其特徵爲:包含 使上述旋轉夾具保持基板; 藉由上述旋轉夾具一面使基板旋轉,一面對基板供給 電鍍液,並一邊藉由上述_圍繞構件擋住自基板甩掉的電鍍 液,一邊對上述配線施予無電解電鍍; 一面藉由上述旋轉夾具使施予無電解電鍍後之基板旋 轉,一面將洗淨液供給至基板,並一邊藉由上述圍繞構件 擋住自基板甩掉的洗淨液,一邊執行基板之後洗淨處理, 和 多數次重複執行上述無電解電鍍及上述後洗淨處理, 上述後洗淨處理是於施予上述無電解電鍍之後的電鍍 表面乾燥前執行。 12.如申請專利範圍第1 1項所記載之基板處理方法 ,其中,上述後洗淨處理包含使用當作上述洗淨液之沖洗 液執行除去附著於基板之無電解電鍍液之沖洗處理。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所記載之基板處理方法 ,其中,上述後洗淨處理是包含 使用當作上述洗淨液之沖洗液執行除去附著於基板之 無電解電鍍液的第1沖洗處理; ' 於上述第1沖洗處理後,使用當作上述洗淨液之藥液 執行除去藉由上述配線之表面之無電解電鍍反應所形成之 副生成物的藥液處理;和 於藥液處理後,使用當作上述洗淨液之沖洗液執行除 去附著於基板之藥液的第2沖洗處理。 -62- 200820329 14·如申請專利範圍第13項所記載之基板處理方法 ’其中,上述圍繞構件具有以取得圍繞上述旋轉夾具所保 持之基板之邊緣的圍繞位置和自基板之邊緣迴避的迴避位 置之方式,對上述旋轉夾具祖對性升降的內側圍繞構件, 和被設置在上述內側圍繞構件之外側,於上述內側構件自 基板邊緣迴避之時,圍繞基板邊緣-之外側圍繞構件, 上述無電解電鍍是在藉由上述內側圍繞構件及上述外 側圍繞構件之一方,圍繞被上述旋轉夾具保持之基板之邊 緣的狀態下執行, 上述後洗淨之上述第1沖洗處理是在上述內側圍繞構 件及上述外側圍繞構件原樣之狀態下執行, 上述後洗淨處理之前述藥液處理,是在藉由上述內側 圍繞構件及上述外側圍繞構件之另一方圍繞被上述旋轉夾 具保持之基板邊緣的狀態下執行, 上述後洗淨處理之上述第2沖洗處理是在上述內側圍 繞構件及上述外側圍繞構件執行上述藥液處理之時的狀態 下執行。 1 5 ·如申請專利範圍第1 1項所記載之基板處理方法 ,其中,上述藥液pH爲3以上之酸性。 1 6·如申請專利範圍第1 1項所記載之基板處理方法 ,其中,上述藥液含有界面活性劑。 17·如申請專利範圍第11項所記載之基板處理方法 ,其中,上述Co合金是由CoWB (鈷、鎢、硼)或是由 C〇WP (鈷、鎢、磷)所構成。 -63- 200820329 .18· —種基板處理裝置,對設置在基板上之Cu (銅 )配線施予由Co (鈷)合金所構成之無電解電鍍,形成 電鍍膜,其特徵爲:具備 旋轉夾具,使基板保持水平而予以旋轉; 圍繞構件,圍繞被上述旋轉夾具所保持之基板邊緣; 電鍍液供給機-構-,對被上述旋轉夾具所保持之基板供 給電鍍液; 洗淨液供給機構,對被上述旋轉夾具所保持之基板供 給冼淨液;和 控制部,用以控制藉由上述旋轉夾具之旋轉、藉由上 述電鍍液供給機構之電鍍液供給及藉由上述洗淨液供給機 構之洗淨液供給, ’ 上述控制部是控制成不使電鍍表面乾燥,多數次重複 執行一面藉由上述旋轉夾具使基板旋轉,一面將電鍍液供 給至基板,並一邊藉由上述圍繞構件擋住自基板甩掉之電 鍍液,一邊對上述配線施予無電解電鍍之無電解電鍍處理 ,和 於上述無電解電鍍處理後,一面藉由上述旋轉夾具使 基板旋轉,一面將洗淨液供給至基板,並一邊藉由上述圍 繞構件攏住自基板甩掉之洗淨液,一邊施予基板之後洗淨 處理的後洗淨處理。 1 9.如申請專利範圍第1 8項所記載之基板處理裝置 ,其中,上述洗淨液供給機構是供給當作洗淨液之藥液及 沖洗液, -64 - 200820329 上述控制部於上述後洗淨處理之時,控制成順序執行 使用當作上述.洗淨液之沖洗液除去附著於基板之無電解電 鍍液之第1沖洗處理;使用當作上述洗淨液之藥液除去因 上述配線表面之無電解電鍍反應所形成之副生成物的藥液 處理;及於藥液處理後使用當作上述洗淨液之沖洗液除去 附著於基板之藥液之第2沖洗處理。 20·如申請專利範圍第1 9項所記載之基板處理裝置 ,其中,上述圍繞構件具有以取得圍繞上述旋轉夾具所保 持之基板之邊緣的圍繞位置和自基板之邊緣迴避的迴避位 置之方式,對上述旋轉夾具相對性升降的內側圍繞構件, 和 被設置在上述內側圍繞構件之外側,於上述內側構件 自基板邊緣迴避之時,圍繞基板邊緣之外側圍繞構件, 上述控制部是 以上述無電解電鍍在藉由上述內側圍繞構件及上述外 側圍繞構件之一方,圍繞被上述旋轉夾具保持之基板之邊 緣的狀態下執行, 上述後洗淨之上述第1沖洗處理是在上述內側圍繞構 件及上述外側圍繞構件原樣之狀態下執行, 上述後洗淨處理之前述藥液處理,是在藉由上述內側 圍繞構件及上述外側圍繞構件之另一方圍繞被上述旋轉夾 具保持之基板邊緣的狀態下執行, 上述後洗淨處理之上述第2沖洗處理是在上述內側圍 繞構件及上述外側圍繞構件執行上述藥液處理之時的狀態 -65- 200820329 下執行之方式, 控制上述內側圍繞構件和上述外側圍繞構件之相對性 升降。 2 1 . —種記憶媒體,在電腦上動作,記憶有控制基板 處理裝置之程式,其特徵爲:上述程式於實行時’以執行 基板處理方法之方式,使電腦控制基板處理裝置,上述基 板處理方法包含: 對形成在基板之Cu (銅)配線上施予由Co (鈷)合 金所構成之無電解電鍍; 對施予上述無電解電鍍之後的基板’以洗淨液執行後 洗淨處理;和 多數次重複執行上述無電解電鍍和上述後洗淨處理, 在上述配線形成電鍍膜。 22. 一種記憶媒體,在電腦上動作,記憶有控制基板 處理裝置之程式,上述基板處理裝置具備有將基板保持水 平旋轉之旋轉夾具,和圍繞被上述旋轉夾具保持之基板之 邊緣的圍繞構件,其特徵爲:上述程式於實行時,以執行 基板處理方法之方式,使電腦控制基板處理裝置,上述基 板處理方法爲在被設置於基板之Cu (銅)配線上形成由 Co (鈷)合金所構成之無電解電鍍膜的基板處理方法,包 含: 使上述旋轉夾具保持基板; 藉由上述旋轉夾具一面使基板旋轉,一面對基板供給 電鍍液’並一邊藉由上述圍繞構件擋住自-基板甩掉的電鍍 -66 - 200820329 液,'一邊對上述配線施予無電解電鍍; 一面藉由上述旋轉夾具使施予無電解電鍍後之基板旋 轉,一面將洗淨液供給至基板,並一邊藉由上述圍繞構件 擋住自基板甩掉的洗淨液,一邊執行基板之後洗淨處理, 和 多數次重複執行上述無電解電鍍及上述後洗淨處理, 上述後洗淨處理是於施予上述無電解電鍍之後的電鍍 表面乾燥前執行。
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