JP3692066B2 - Cmpスラリおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CMPスラリおよび半導体装置の製造方法に係わり、特にCMPプロセス中における被研磨領域のスクラッチの軽減を図ったCMPスラリおよび半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化や、半導体素子の微細化に伴い、種々の微細加工技術が開発されている。その中でもCMP技術は、ダマシン配線を形成する上で欠かすことのできない重要な技術となっている。
【0003】
現在のメタルダマシン配線プロセスでは、高研磨速度、低エロージョン(erosion)および低スクラッチが得られるCMPが望まれている。その理由は、スループットを向上するためには研磨速度を速くし、高性能配線を形成するためには配線および層間絶縁膜のエロージョンおよびスクラッチ(傷、割れ)を抑制する必要があるからである。
【0004】
CMPの特性は、主に、スラリと研磨パッドにより決まる。研磨パッドは、低エロージョンを得るために、ある程度の硬さが必要である。現在、Rodel社で市販されているハードパッド(IC1000-Pad)よりも柔らかい研磨パッドでは、どんなスラリを用いても、エロージョンを抑制することは困難であると考えられている。
【0005】
しかしながら、ハードパッドを用いることにより低エロージョンを実現することは可能となるが、スラリ中に含まれる研磨粒子等の粗大粒子、研磨により生じたかすの凝集体によって、金属配線やそれが埋め込まれた絶縁膜にスクラッチが多く発生するという問題が起こる。さらに、発生したスクラッチは膜剥がれの問題を引き起こす。
【0006】
すなわち、現状では、低エロージョンと低スクラッチとの間にはトレードオフの関係がある。なお、絶縁膜のスクラッチの多くは研磨粒子によるものである。金属配線のスクラッチの多くは、研磨中に配線表面に形成された変質層もしくは保護膜(例えば金属の酸化物もしくは錯化物)が剥がれて生じた凝集体によるものである。変質層等は研磨中に基板周縁部側から剥がれる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、従来のCMPでは、ハードパッドを用いることで低エロージョンを実現することは可能となるが、低スクラッチを同時に実現することは困難であるという問題があった。
【0008】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、スクラッチの発生を実質的に抑制することができるCMPスラリおよび半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【0010】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係るCMPスラリは、絶縁材料からなる領域および導電材料からなる領域の少なくとも一方を含む被研磨領域を研磨するための研磨成分と、前記被研磨領域のスクラッチを修復するための修復成分とを含有してなることを特徴とする。本発明において、スクラッチとはCMP中に発生する被研磨領域の傷や割れをいう。
【0011】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に配線溝を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に導電膜を堆積し、前記配線溝を前記導電膜で埋め込む工程と、本発明に係るCMPスラリを少なくとも使用したCMPプロセスにより、前記導電膜を研磨し、前記配線溝内に前記導電膜を選択的に残置させる工程とを有することを特徴とする。
【0012】
また、本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に配線溝を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第1の導電膜を堆積し、前記配線溝の内壁を前記第1の導電膜で覆う工程と、前記第1の導電膜上に第2の導電膜を堆積し、前記配線溝を前記第2の導電膜で埋め込む工程と、前記第1の導電膜が露出するまで、前記第2の導電膜を後退させ、前記配線溝内に前記第2の導電膜を選択的に残置させる工程と、本発明に係るCMPスラリを使用したCMPプロセスにより、前記第1の導電膜を研磨し、前記配線溝内に前記第1および第2の導電膜を選択的に残置させる工程とを有することを特徴とする。
【0013】
さらに本発明においては、より具体的には以下のように構成することができる。
【0014】
(1) 前記導電材料からなる領域を修復するための修復成分の原料は、前記導電材料を含まない酸あるいは塩、または前記導電材料を含む塩を含有する。
【0015】
(2) 上記(1)の前記導電材料を含まない酸あるいは塩は、例えばリン酸(Cu等導電材料の還元剤)等の無機酸やその塩または有機酸やその塩である。この場合、スラリ中に添加された酸や塩が修復成分として、研磨時にスラリ中に溶けだした導電材料をスクラッチ内に析出させる。
【0016】
(3) 上記(1)の前記導電材料を含む塩は、例えば硫酸銅、塩化銅等Cuの塩や、その他Al、Ti、Ta、V、Fe、W、またはGeの塩を含有する。この場合、スラリ中に添加されたこれら成分中の導電材料が析出することでスクラッチが修復される。なお、上記(1)の前記導電材料を含む塩と前記導電材料を含まない塩とはスラリ中で併用されても良い。
【0017】
(4) 前記絶縁材料からなる領域を修復するための修復成分は、シリコン系界面活性剤、超微粒子コロイダルシリカ粒子、カチオン性コロイダルシリカ粒子、または疎水性コロイダルシリカ粒子、シリコンの酸化物、炭化物もしくは窒化物、またはこれらシリコンの酸化物、炭化物および窒化物の二つ以上からなる混合物もしくは混晶物を含有する。この場合、スラリ中に添加されたこれらの成分がそのままスクラッチの修復成分となる。
【0018】
(5) 前記スクラッチの内壁に前記修復成分が付着することを促進する促進成分として、例えば有機硫黄化合物をさらに含有する。
【0019】
(6) 上記(5)の有機硫黄化合物を含む促進成分は、例えばチオ尿素誘導体、スルホプロピルジスルフィド、またはメルカプトプロピルスルホン酸である。
【0020】
(7) 前記導電材料はCuであり、前記被研磨領域のスクラッチの外部に前記修復成分が付着することを抑制する抑制成分として、界面活性剤をさらに含有する。
【0021】
(8) 上記(7)の抑制成分は、例えばポリエチレングリコール、グリシン、またはチオグリコール酸である。
【0022】
本発明によれば、CMP中に発生したスクラッチはCMPスラリ中に含まれる修復成分によって修復されるため、スクラッチの発生を実質的に抑制することができる。これにより、ハードパッドを用いることにより、低エロージョンと低スクラッチとを両立することが可能となる。
【0023】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【0025】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。本実施形態では、修復成分として微粒子(1次粒子径<10nm)を含有するスラリを用いて、Cuダマシン配線のタッチアッププロセス(セカンドポリッシング)に本発明を適用した例について説明する。
【0026】
ここでは、1次粒子径が10nm未満の修復成分を使用するが、一般には30nm以下であれば良い。その理由は、通常、スクラッチ(傷、割れ)の大きさ(幅、深さ)は30〜1000nmのものが多いからである。
【0027】
まず、図1(a)に示すように、Si基板1上に層間絶縁膜2を堆積し、層間絶縁膜2の表面に深さ400nmの配線溝を形成する。ここでは、層間絶縁膜2の材料として低誘電率(3.0以下)かつSiO2 を主体とするものを使用し、例えばLKD(JSR製)のような有機系で疎水性を有するものである。このような材料からなる層間絶縁膜2を用いることで寄生容量を減少できるが、この種の層間絶縁膜2は脆く、傷つきやすいという特性を持っている。
【0028】
次に、図1(b)に示すように、ライナーとしての厚さ10nmのTaN膜3を配線溝の内壁を被覆するように層間絶縁膜2上に堆積し、続いてCu配線となる厚さ800nmのCu膜4をTaN膜3上に堆積する。Cu膜4は、スパッタリング法およびメッキ法を用いて形成する。スパッタリング法によりCu薄膜が堆積され、該Cu薄膜をシードに用いてメッキ法により厚いCu膜が堆積される。
【0029】
次に、図1(c)に示すように、TaN膜3が露出するまでCu膜4の不要部分をCMPプロセスにより除去し、配線溝内にCu膜4を選択的に残置させる(ファーストポリッシング)。このとき、TaN膜3がCMPのストッパとなるため、層間絶縁膜2のエロージョンおよびスクラッチの発生は抑制される。
【0030】
ここで、スラリには、過硫酸アンモニウム(酸化剤)1wt%、キナルジン酸(酸化抑制剤)0.5wt%、アニオン界面活性剤0.05wt%、シリカ(1次粒子径50nm)1wt%、およびKOH(pHを9に調整するpH調整剤)を含有するものを使用した。研磨パッドには、IC1000(ロデ−ル社)を使用した。
【0031】
また、研磨条件は、荷重:300g/cm2 、キャリア回転:102rpm、テーブル回転:100rpm、スラリ供給:200cc/分、研磨時間:150秒である。
【0032】
その後、図1(d)に示すように、TaN膜3およびCu膜4の不要部分をCMPプロセスにより除去し、配線溝内にTaN膜3およびCu膜4を選択的に残置させ(セカンドポリッシング)、Cuダマシン配線を形成する。
【0033】
このとき、TaN膜3は硬く、かつセカンドポリッシング後に表面に出ている割合が小さいため、TaN膜3にはスクラッチの懸念はほとんどなく、TaN膜3のスクラッチは無視できる。
【0034】
したがって、ここでは、Cu膜(Cu配線)4や層間絶縁膜2のスクラッチを無くすことが重要である。ただし、スクラッチの発生をゼロに抑えることはほとんど不可能である。よって、発生したスクラッチは、配線信頼性、および配線性能に支障をきたさないレベルまで修復することが重要となる。ここでは、層間絶縁膜2のスクラッチの修復について説明する。
【0035】
層間絶縁膜2の主成分はSiO2 である。層間絶縁膜2のスクラッチを含む領域上に、修復成分のSiO2 を埋め込むためには、例えば、層間絶縁膜2の材料としてLKD(JSR製)のような有機系で疎水性のものを使用したときには、疎水性シリカ粒子を用いる。
【0036】
このような疎水性シリカ粒子としては、表面が疎水性になるように処理されたシリカ(1次粒子径<10nm)、例えば表面に低分子の物質であるドデシルアンモニウムを吸着させたシリカがあげられる。ドデシルアンモニウムは疎水基および親水基を持ち、シリカは親水基を持つ。したがって、例えば、ドデシルアンモニウム溶液中にシリカを混ぜることにより、シリカ表面の親水部(陰性)にドデシルアンモニウムの親水基(陽性)が吸着し、表面が疎水性になるように処理されたシリカが得られる。
【0037】
よって、本実施形態では、修復成分として上記ドデシルアンモニウムをシリカ表面に吸着させた粒子を1wt%、研磨粒子(研磨成分)としてシリカ(1次粒子径30nm)を3wt%、添加剤(Cu酸化防止剤)として7−ヒドロキシ−5メチル−1,3,4−トリアザインドリジン0.05wt%を含む水分散液をスラリとして使用する。
【0038】
また、研磨条件は、研磨パッド(ハードパッド)としてIC1000(ロデ-ル社)を用い、荷重:300g/cm2 、キャリア回転:52rpm、テーブル回転:50rpm、スラリ供給:200cc/分、研磨時間:150秒である。
【0039】
このような修復成分を含むスラリを用い、セカンドポリッシングを行うことにより、ハードパッドを用いても、図1(d)に示すように、セカンドポリッシング中に層間絶縁膜2の表面に発生したスクラッチ内にシリカ5が埋め込まれ、修復される。したがって、スクラッチの発生は実質的に抑制される。なお、シリカ5に吸着したドデシルアンモニウムもスクラッチ内に埋め込まれ、スクラッチ内に残る。
【0040】
このようにして得られた試料を、欠陥評価装置(KLAテンコール社)によりスクラッチを観察したところ、8インチウェハ当りの層間絶縁膜およびCu配線上のスクラッチ数は、従来の2542個/waferから35個/waferに激減したことを確認した。また、8インチウェハ当りの配線歩留まりは85%から95%と10%改善したことを確認した。
【0041】
ここでは、疎水性を有する修復成分と疎水性を有する絶縁膜との間に物理的な引力が働くことを利用してスクラッチの修復を行ったが、互いに逆極性の電位の修復成分と絶縁膜との間に静電的な引力が働くことを利用してスクラッチの修復を行っても良い。すなわち、層間絶縁膜2上にSiO2 を集め、スクラッチを修復するために、修復成分として、研磨中の層間絶縁膜2の電位と逆極性の電位を有し、かつ層間絶縁膜2の主成分を含むものを使用しても構わない。なお、層間絶縁膜2が親水性を有する場合には、親水性を有する修復成分を使用することが望ましい。
【0042】
(第2の実施形態)
図2は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、以下の実施形態において、前出した図と対応する部分には前出した図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【0043】
第1の実施形態では、層間絶縁膜2に発生したスクラッチを修復するCMPプロセスについて説明したが、本実施形態ではCu配線に発生したスクラッチを修復するCMPプロセスについて説明する。
【0044】
まず、図2(a)に示すように、第1の実施形態の図1(a)−(c)までの工程(ファーストポリッシング)を行う。
【0045】
次に、セカンドポリッシングを行う。ここでは、還元剤(Cu配線4の修復成分)として無機酸であるリン酸0.05wt%、研磨粒子(研磨成分)としてシリカ(1次粒子径50nm)1wt%、添加剤として7−ヒドロキシ−5メチル−1,3,4−トリアザインドリジン0.05wt%を含む水分散液をスラリに使用する。研磨条件は第1の実施形態と同じである。
【0046】
上記スラリを用いたCMP中においては、まず、図2(b)に示すように、リン酸によりCu配線4上にCu6が析出し、Cu配線4上のスクラッチは埋め込まれる。Cu6はスクラッチ外のCu配線4上にも形成され、Cu6により凸部が形成される。Cu6はCMPによって溶液中に溶けだしたCuイオンがリン酸により還元されて析出する。
【0047】
このようなCu6による凸部が形成された状態になると、凸部の研磨レートが速いというCMP特性(荷重依存性)により、スクラッチ外のCu6はCMPプロセスにより除去され、図2(c)に示すように、スクラッチ内にCu6が選択的に残るとともに、層間絶縁膜2、TaN膜3およびCu膜4の表面は平らになる。
【0048】
このようにして得られた試料を、欠陥評価装置(KLAテンコール社)によりスクラッチを観察したところ、8インチウェハ当りの層間絶縁膜およびCu配線上のスクラッチ数は、従来の15742個/waferから52個/waferに激減したことを確認した。また、8インチウェハ当りの配線歩留まりは85%から92%と7%改善したことを確認した。
【0049】
(第3の実施形態)
図3は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。本実施形態が第2の実施形態と異なる点は、スクラッチ内における修復成分の付着を促進し、スクラッチ内をCuで選択的に埋め込むことにある。
【0050】
まず、図3(a)に示すように、第1の実施形態の図1(a)−(c)までの工程(ファーストポリッシング)を行う。
【0051】
次に、セカンドポリッシングを行う。ここでは、還元剤(Cu配線4の修復成分)として無機酸であるリン酸0.03wt%、スクラッチの内部に修復成分が付着するような促進成分としてメルカプトプロピルスルホン酸0.01wt%、研磨粒子(研磨成分)としてシリカ(1次粒子径50nm)1wt%、および添加剤として7−ヒドロキシ−5メチル−1,3,4−トリアザインドリジン0.05wt%を含む水分散液をスラリに使用した。研磨条件は第1の実施形態と同じである。
【0052】
上記スラリを用いたCMP中においては、まず、図3(b)に示すように、メルカプトプロピルスルホン酸が促進成分となり、Cu配線4に発生したスクラッチの内面にリン酸7が選択的に付着する。
【0053】
このようにスクラッチの内面にリン酸7が選択的に付着された状態になると、図3(c)に示すように、スクラッチ内にCu6が選択的に析出し、スクラッチはCu6により埋め込まれる。
【0054】
このようにして得られた試料を、欠陥評価装置(KLAテンコール社)によりスクラッチを観察したところ、8インチウェハ当りの層間絶縁膜およびCu配線上のスクラッチ数は、従来の15742個/waferから15個/waferに激減したことを確認した。また、8インチウェハ当りの配線歩留まりは85%から96%と11%改善したことを確認した。
【0055】
なお、本実施形態では金属配線の修復について述べたが、本実施形態の修復成分の付着を促進する促進成分をさらに含むスラリを使用する方法は、適切な促進成分を選ぶことにより絶縁膜の修復にも適用できる。
【0056】
(第4の実施形態)
図4は、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。本実施形態が第2の実施形態と異なる点は、スクラッチ外の領域上における修復成分の付着を抑制し、スクラッチ内をCuで選択的に埋め込むことにある。
【0057】
まず、図4(a)に示すように、第1の実施形態の図1(a)−(c)までの工程(ファーストポリッシング)を行う。
【0058】
次に、セカンドポリッシングを行う。ここでは、無機塩の還元剤(Cu配線4の修復成分)としてリン酸0.08wt%、スクラッチ外の領域上における修復成分の付着を抑制する成分(抑制成分)としてポリエチレングリコール0.15wt%、研磨粒子(研磨成分)としてシリカ(1次粒子径50nm)1wt%、および添加剤として7−ヒドロキシ−5メチル−1,3,4−トリアザインドリジン0.05wt%を含む水分散液をスラリに用いた。研磨条件は第1の実施形態と同じである。
【0059】
上記スラリを用いたCMP中においては、まず、図4(b)に示すように、スクラッチ外の領域の表面はポリエチレングリコール8で覆われ、スクラッチの内面にリン酸7が選択的に付着する。スクラッチ外の領域の表面にはスラリ中のポリエチレングリコールが供給され続けるので、スクラッチ外の領域の表面上のポリエチレングリコール8がCMP中に消滅することはない。
【0060】
このような状態になると、図4(c)に示すように、スクラッチ内にCu6が選択的に析出し、スクラッチはCu6により埋め込まれる。
【0061】
このようにして得られた試料を、欠陥評価装置(KLAテンコール社)によりスクラッチを観察したところ、8インチウェハ当りの層間絶縁膜およびCu配線上のスクラッチ数は、従来の15742個/waferから22個/waferに激減したことを確認した。また、8インチウェハ当りの配線歩留まりは85%から94%と9%改善したことを確認した。
【0062】
なお、本実施形態では金属配線の修復について述べたが、本実施形態の修復成分の付着を抑制する抑制成分をさらに含むスラリを使用する方法は、適切な抑制成分を選ぶことにより絶縁膜の修復にも適用できる。
【0063】
(第5の実施形態)
図5は、本発明の第5の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。本実施形態では、Cu配線および層間絶縁膜に発生したスクラッチを修復するCMPプロセスについて説明する。
【0064】
まず、図5(a)に示すように、第1の実施形態の図1(a)−(c)までの工程(ファーストポリッシング)を行う。
【0065】
次に、セカンドポリッシングを行う。ここでは、層間絶縁膜2の修復成分としてドデシルアンモニウムをシリカ表面に吸着させた疎水性シリカ粒子を1wt%、還元剤(Cu配線4の修復成分)として無機酸であるリン酸0.08wt%、研磨粒子(研磨成分)としてシリカ(1次粒子径30nm)を3wt%、および添加剤として7−ヒドロキシ−5メチル−1,3,4−トリアザインドリジン0.05wt%を含む水分散液をスラリに使用する。
【0066】
このようなスラリを用いれば、図5(b)に示すように、第1の実施形態と同様に層間絶縁膜2のスクラッチが修復され、かつ第2の実施形態と同様にCu配線4のスクラッチが修復される。このようにして得られた試料についても、他の実施形態と同様に、スクラッチ数は激減し、配線歩留まりは改善したことを確認した。
【0067】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、修復成分は上記実施形態で例示したものの他に、課題を解決するための手段の項で例示した種々のものが使用可能である。
【0068】
配線材料はCuの他にAlやWが使用可能であり、絶縁材料はSiO2 (酸化物)の他に窒化物が使用可能である。基板はSOI基板でも構わず、また基板の少なくとも一部がSiGeで形成されていても良い。また、本発明は、デュアルダマシンプロセスにおけるCMPプロセスにも適用できる。
【0069】
さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【0070】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【0071】
【発明の効果】
以上詳説したように本発明によれば、CMP中のスクラッチの発生を実質的に抑制することができるCMPスラリおよび半導体装置の製造方法を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図
【図2】本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図
【図3】本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図
【図4】本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図
【図5】本発明の第5の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図
【符号の説明】
1…Si基板
2…層間絶縁膜
3…TaN膜(第1の導電膜)
4…Cu膜またはCu配線(第2の導電膜)
5…シリカ(修復成分)
6…Cu
7…リン酸(修復成分)
8…ポリエチレングリコール(抑制成分)
Claims (16)
- 絶縁材料からなる領域を少なくとも含む被研磨領域を研磨するための研磨成分と、
前記被研磨領域のスクラッチを修復するための修復成分と
を含有してなり、
前記研磨成分としての親水性シリカと、前記修復成分としての粒子径10nm未満の疎水性シリカと、溶媒としての水を少なくとも含むことを特徴とするCMPスラリ。 - 導電材料からなる領域を少なくとも含む被研磨領域を研磨するための研磨成分と、
前記被研磨領域のスクラッチを修復するための修復成分と
を含有してなり、
前記修復成分として前記導電材料の還元剤となる無機酸またはその塩、修復促進成分としてチオ尿素誘導体、スルホプロピルジスルフィド、およびメルカプトプロピルスルホン酸から選ばれた1つを少なくとも含むことを特徴とするCMPスラリ。 - 前記修復成分としてリン酸を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のCMPスラリ。
- 添加剤としてポリエチレングリコールをさらに含むことを特徴とする請求項2または3に記載のCMPスラリ。
- 添加剤として7−ヒドロキシ−5メチル−1,3,4−トリアザインドリジンをさらに含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のCMPスラリ。
- 前記修復成分は、前記絶縁材料若しくは前記導電材料の構成元素を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のCMPスラリ。
- 前記修復成分は、前記被研磨領域の研磨中に、前記スクラッチを含む領域との間に静電引力が働くものであることを特徴とする請求項6に記載のCMPスラリ。
- 前記修復成分および前記スクラッチを含む領域は、疎水性を有するものであることを特徴とする請求項7に記載のCMPスラリ。
- 前記修復成分は、前記被研磨領域の研磨中に、前記スクラッチを含む領域と逆極性の電位になるものであることを特徴とする請求項7に記載のCMPスラリ。
- 前記修復成分は、前記絶縁材料若しくは前記導電材料の構成材料を、前記スクラッチを含む領域上に析出させるものであることを特徴とする請求項1または2に記載のCMPスラリ。
- 前記修復成分は、還元剤であることを特徴とする請求項10に記載のCMPスラリ。
- 半導体基板上に配線溝を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を堆積し、前記配線溝を前記導電膜で埋め込む工程と、
請求項2ないし11のいずれか1項に記載のCMPスラリを少なくとも使用したCMPプロセスにより、前記導電膜を研磨し、前記配線溝内に前記導電膜を選択的に残置させる工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に配線溝を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に第1の導電膜を堆積し、前記配線溝の内壁を前記第1の導電膜で覆う工程と、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を堆積し、前記配線溝を前記第2の導電膜で埋め込む工程と、
前記第1の導電膜が露出するまで、前記第2の導電膜を後退させ、前記配線溝内に前記第2の導電膜を選択的に残置させる工程と、
請求項2ないし11のいずれか1項に記載のCMPスラリを使用したCMPプロセスにより、前記第1の導電膜を研磨し、前記配線溝内に前記第1および第2の導電膜を選択的に残置させる工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記CMPスラリ中の修復成分により、前記CMPスラリ中に溶けだした前記導電膜または前記第1の導電膜の構成元素を、前記導電膜または前記第1の導電膜に発生したスクラッチに析出させ、前記スクラッチを修復することを特徴とする請求項12または13に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に配線溝を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を堆積し、前記配線溝を前記導電膜で埋め込む工程と、
請求項1に記載のCMPスラリを少なくとも使用したCMPプロセスにより、前記導電膜及び前記絶縁膜の表面部分を研磨し、前記配線溝内に前記導電膜を選択的に残置させる工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に配線溝を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に第1の導電膜を堆積し、前記配線溝の内壁を前記第1の導電膜で覆う工程と、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を堆積し、前記配線溝を前記第2の導電膜で埋め込む工程と、
前記第1の導電膜が露出するまで、前記第2の導電膜を後退させ、前記配線溝内に前記第2の導電膜を選択的に残置させる工程と、
請求項1に記載のCMPスラリを使用したCMPプロセスにより、前記第1の導電膜及び前記絶縁膜の表面部分を研磨し、前記配線溝内に前記第1および第2の導電膜を選択的に残置させる工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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